CN102446749A - 用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法 - Google Patents

用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法 Download PDF

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Abstract

本发明用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法解决了现有技术中观测具有很大的深宽比的结构时定位困难的问题，通过在晶圆的表面先涂上光刻胶，再使用特定的光罩刻蚀出具有固定宽度和间距的光刻胶线条，这些光刻胶线条作为扫描电子显微镜观测中，进行精确定位的定位标志。对于大宽深比的结构只需要通过计算晶圆表面的光刻胶线条的数量，就可以精确的知道观测点在所观测结构中所处的位置。

Description

用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法
技术领域
    本发明涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法。
背景技术
目前的扫描电子显微镜断面观测通常是先用小倍率观测晶圆样品表面，找到所要观测的图形，然后采用高倍率来观测图形结构。在这期间并没有一个固定的相对坐标来定义观测点的位置。图1是现有技术中扫描电子显微镜观测示意图，请参见图1，这种方法观测宽深比比较接近的结构时没有问题，但是在观测具有很大宽深比的结构时（宽深比往往大于100），例如用于光学量测的图形，如果想观测图形的具体某个位置，就会遇到定位困难的问题。
发明内容
    本发明公开了一种用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，用以解决现有技术中观测具有很大的深宽比的结构时定位困难的问题。
    本发明的上述目的是通过以下技术方案实现的：
一种用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其中，在一晶圆表面形成多条宽度相同且相互平行的光刻胶线条，任意两相邻的光刻胶线条的间距相同，将多条光刻胶线条作为参照对晶圆上的需要观测的结构进行精确定位。
    如上所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其中，多条光刻胶线条形成的方法具体包括：在晶圆表面旋涂光刻胶，进行光刻，去除部分光刻胶，仅仅保留多条光刻胶线条。
    如上所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其中，将每条光刻胶线条的宽度控制为L，任意两条光刻胶线条之间的距离控制为S，形成多条光刻胶线条后，将距离该结构的最近的光刻胶线条设为参照线，找到需要观测的结构，测定该光刻胶线条与该结构的距离设为X，移动样品到观测点，计算所经过的光刻胶数目，将该数目设为N，从而定位观测点距离结构边缘的距离为（N-1）*（L+S）-X。
    如上所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其中，需要观测的结构为大深宽比结构。
    如上所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其中，大深宽比结构的深宽比大于100。
    如上所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其中，采用特定的光罩对晶圆表面的光刻胶进行光刻，以刻蚀出多条宽度相同且相互平行的光刻胶线条。
    如上所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其中，光刻胶线条的宽度和任意两条光刻胶线条的间距通过光罩的规格进行控制。
    综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法解决了现有技术中观测具有很大的深宽比的结构时定位困难的问题，通过在晶圆的表面先涂上光刻胶，再使用特定的光罩刻蚀出具有固定宽度和间距的光刻胶线条，这些光刻胶线条作为扫描电子显微镜观测中，进行精确定位的定位标志。对于大宽深比的结构只需要通过计算晶圆表面的光刻胶线条的数量，就可以精确的知道观测点在所观测结构中所处的位置。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是现有技术中扫描电子显微镜观测示意图；
图2是本发明用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：
    图2是本发明用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法的结构示意图，请参见图2，一种用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其中，在一晶圆表面形成多条宽度相同且相互平行的光刻胶线条，任意两相邻的光刻胶线条的间距相同，将多条光刻胶线条作为参照对晶圆上的需要观测的结构进行精确定位，通过上述工艺可以精确的知道观测点在需要观测的结构中的位置。
本发明中多条光刻胶线条形成的方法具体包括：在晶圆表面旋涂光刻胶，进行光刻，去除部分光刻胶，仅仅保留多条光刻胶线条。
进一步的，本发明中采用特定的光罩对晶圆表面的光刻胶进行光刻，以刻蚀出多条宽度相同且相互平行的光刻胶线条。
另外，本发明中的光刻胶线条的宽度和任意两条光刻胶线条的间距可以通过光罩的规格进行控制，根据不同的需要，可以采用不同的光罩来定义出具有不同宽度和间距的多条光刻胶线条。
本发明中可以将每条光刻胶的宽度控制为L，该宽度是指从上往下看光刻胶的宽度，任意两条光刻胶之间的距离控制为S，形成多条光刻胶线条后，将距离该结构的最近的光刻胶线条设为参照线，找到需要观测的结构，测定该光刻胶线条与该结构的距离设为X，移动样品到观测点，计算所经过的光刻胶数目，将该数目设为N，从而定位观测点距离结构边缘的距离为（N-1）*（L+S）-X。
进一步的，本发明中需要观测的结构为大深宽比结构，要求大深宽比结构的深宽比大于100。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法解决了现有技术中观测具有很大的深宽比的结构时定位困难的问题，通过在晶圆的表面先涂上光刻胶，再使用特定的光罩刻蚀出具有固定宽度和间距的光刻胶线条，这些光刻胶线条作为扫描电子显微镜观测中，进行精确定位的定位标志。对于大宽深比的结构只需要通过计算晶圆表面的光刻胶线条的数量，就可以精确的知道观测点在所观测结构中所处的位置。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不予赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (7)

1.一种用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其特征在于，在一晶圆表面形成多条宽度相同且相互平行的光刻胶线条，任意两相邻的光刻胶线条的间距相同，将多条光刻胶线条作为参照对晶圆上的需要观测的结构进行精确定位。
2.根据权利要求1所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其特征在于，多条光刻胶线条形成的方法具体包括：在晶圆表面旋涂光刻胶，进行光刻，去除部分光刻胶，仅仅保留多条光刻胶线条。
3.根据权利要求1所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其特征在于，将每条光刻胶线条的宽度控制为L，任意两条光刻胶线条之间的距离控制为S，形成多条光刻胶线条后，将距离该结构的最近的光刻胶线条设为参照线，找到需要观测的结构，测定该光刻胶线条与该结构的距离设为X，移动样品到观测点，计算所经过的光刻胶数目，将该数目设为N，从而定位观测点距离结构边缘的距离为（N-1）*（L+S）-X。
4.根据权利要求1所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其特征在于，需要观测的结构为大深宽比结构。
5.根据权利要求4所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其特征在于，大深宽比结构的深宽比大于100。
6.根据权利要求2所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其特征在于，采用特定的光罩对晶圆表面的光刻胶进行光刻，以刻蚀出多条宽度相同且相互平行的光刻胶线条。
7.根据权利要求4所述的用于扫描电子显微镜观测中精确图形定位的方法，其特征在于，光刻胶线条的宽度和任意两条光刻胶线条的间距通过光罩的规格进行控制。
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