TWI567230B - 沈積裝置與方法 - Google Patents

Description

沈積裝置與方法

本發明是關於沈積裝置與方法，且更明確而言，是關於當層經由化學氣相沈積沈積於待處理物件上時能夠容易地控制所述物件的溫度的沈積裝置及應用於所述沈積裝置的沈積方法。

各種顯示器元件中的每一者包含形成於基板上的電子電路。電子電路的導線可在製造電路時或在製造電路之後彼此部分斷開或彼此短路。舉例而言，在製造包含液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)、有機發光顯示器(organic light emitting display；OLED)或發光顯示器(light emitting display；LED)的各種顯示器元件時，形成於基板上的元件中的每一者的電極、配線或信號線可能彼此部分斷開而引起開口缺陷。

因此，在製造各種顯示器元件的過程期間，執行用於修復開口缺陷的修復過程。修復過程可藉由修復裝置的使用(例如化學氣相沈積)而在空氣中執行。

為修復開口故障，在基板修復位置處的溫度上升至預定溫度之後，金屬源氣氛形成於修復位置處，且雷射照射至缺陷位置以沈積層。

在先前技術中，為增加基板修復位置處的溫度，使用平台玻璃。舉例而言，將導電薄膜附著至平台玻璃以製備加熱玻璃，接著整個基板的溫度藉由使用加熱玻璃而上升。然而，增加整個基板的溫度以修復基板的局部位置是困難的。又，儘管上面沈積層的表面為頂表面，但由於溫度上升是經由底表面執行，因此增加溫度所花費的時間可能增加，且準確的溫度控制是困難的。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

(專利文獻1)KR10-0909959 B1

本發明提供一種沈積裝置及沈積方法，所述沈積裝置能夠直接增加待處理物件的一個表面的溫度，當層在空氣中沈積於待處理物件上時，所述一個表面接觸處理空間。

本發明亦提供一種沈積裝置及沈積方法，所述沈積裝置能夠局部增加待處理物件的一個表面的溫度，當層在空氣中沈積於待處理物件上時，所述一個表面接觸處理空間。

本發明亦提供一種沈積裝置及沈積方法，當層在空氣中沈積於待處理物件上時，所述沈積裝置能夠抑制或防止雜質在沈積層上形成。

根據例示性實施例，一種用於在待處理物件上沈積層的沈積裝置，所述待處理物件支撐於空氣中，所述沈積裝置包含：腔室單元，其安置於空氣中且在其面向所述待處理物件的一個表面中具有處理孔，所述腔室單元經配置以在腔室單元與待處理物 件之間提供處理空間；源供應線，其延伸至腔室單元的內部，所述源供應線具有在所述處理孔的內部圓周表面的至少一側處開放的出口；以及溫度上升氣體供應線，其在所述處理孔的方向上自腔室單元的內部或外部延伸，所述溫度上升氣體供應線具有面向所述處理空間的出口。

沈積裝置可更包含延伸至腔室單元內部的沖洗氣體供應線，所述沖洗氣體供應線具有安置於腔室單元的一個表面上以彎曲環繞源供應線的外部的出口。

沈積裝置可更包含延伸至腔室單元內部的排出線，所述排出線具有安置於腔室單元的一個表面上以彎曲環繞沖洗氣體供應線的內部及外部中的至少一者的入口。

沈積裝置可更包含：雷射單元，其經配置將雷射照射至處理空間中；源供應單元，其連接至源供應線；溫度上升氣體供應單元，其連接至溫度上升氣體供應線；以及溫度控制單元，其經配置以根據自源供應單元供應的源的沈積溫度控制溫度上升氣體供應單元的溫度上升氣體的溫度。

沈積裝置可更包含：沖洗氣體供應單元，其連接至沖洗氣體供應線；第一排出單元，其連接至排出線的第一排出線，第一排出線安置在沖洗氣體供應線內部以彎曲環繞處理孔的至少一部分；第二排出單元，其連接至排出線的第二排出線，第二排出線經安置以彎曲環繞沖洗氣體供應線的外部。

處理孔可自腔室單元的一個表面向下開放且連接至處理空間的上部部分，且溫度上升氣體供應線可安置在腔室單元內部且至少具有在處理空間的中心部分的方向上向下傾斜的出口。

至少溫度上升氣體供應線的出口可傾斜地穿過處理孔的內部，自腔室單元的一個表面開放以接觸處理空間的邊緣，且可部分重疊處理孔。

根據另一例示性實施例，一種用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，所述待處理物件支撐於空氣中，所述沈積方法包含：在空氣中製備待處理物件；將溫度上升氣體注入至用於待處理物件的處理空間中以控制溫度；將源注入至用於待處理物件的處理空間中；以及將雷射照射至待處理物件的一個表面上以形成層。

沈積方法可更包含將沖洗氣體注入至待處理物件上以彎曲環繞處理空間的外部，藉此隔離處理空間與外部空氣。

沈積方法可更包含自處理空間的內部及外部中的至少一者排出反應材料、所產生材料以及非反應材料中的至少一者。

溫度的控制可包含將溫度上升氣體傾斜地注入至處理空間內的待處理物件上。

溫度的控制可包含在處理空間的中心部分的方向上，將溫度上升氣體自處理空間的邊緣的一側向下傾斜地注入。

溫度的控制可更包含：自處理空間的邊緣的至少另一側排出溫度上升氣體，以誘使溫度上升氣體的流動穿過處理空間的中心部分；以及將沖洗氣體注入至待處理物件上以彎曲環繞處理空間的外部，藉此隔離溫度上升氣體的流動與外部空氣。

層的形成可包含在待處理物件的開口缺陷上形成層以修復缺陷。

層的形成可更包含將溫度上升氣體注入至用於待處理物 件的處理空間中，以控制待處理物件的修復區域的溫度。

可將溫度上升氣體之溫度增加至對應於源的沈積溫度的溫度範圍，並將溫度上升氣體注入至用於待處理物件的處理空間中。

溫度上升氣體之溫度可增加至大約25℃至大約50℃的範圍。

源可包含金屬源，且金屬源可包含鈷源。溫度上升氣體可包含空氣。

10‧‧‧處理空間

11‧‧‧中心部分

12‧‧‧邊緣

12a‧‧‧邊緣的一側

12b‧‧‧邊緣的另一側

100‧‧‧支撐部件

200‧‧‧腔室單元

210‧‧‧腔室本體

211、212‧‧‧表面

220‧‧‧連接部件

230‧‧‧處理孔

240‧‧‧窗口

241‧‧‧窗口固持器

242‧‧‧密封構件

251‧‧‧源供應孔

252a‧‧‧第一沖洗氣體供應孔

252b‧‧‧第二沖洗氣體供應孔

253a‧‧‧第一排出孔

253b‧‧‧第二排出孔

254‧‧‧溫度上升氣體供應孔/沖洗氣體注入表面

261a‧‧‧第一源注入表面

261b‧‧‧第二源注入表面

261c‧‧‧第三源注入表面

262‧‧‧溫度上升氣體注入表面

263‧‧‧第一排出表面

264‧‧‧沖洗氣體注入表面

265‧‧‧第二排出表面

310‧‧‧源供應單元

311‧‧‧源供應線/源氣體供應線

311a‧‧‧源供應腔室

311b、321d‧‧‧出口

320‧‧‧沖洗氣體供應單元

321‧‧‧沖洗氣體供應線

321a‧‧‧第一沖洗氣體供應線

321b‧‧‧第二沖洗氣體供應線

321c‧‧‧沖洗氣體供應腔室

410‧‧‧溫度上升氣體供應單元

411‧‧‧溫度上升氣體供應線

420‧‧‧溫度上升氣體供應線導引管件

510‧‧‧第一排出單元

511‧‧‧第一排出線

511a‧‧‧第一排出腔室

511b、521b‧‧‧入口

520‧‧‧第二排出單元

521‧‧‧第二排出線

521a‧‧‧第二排出腔室

610‧‧‧雷射單元

620‧‧‧光學單元

700‧‧‧溫度控制單元

f‧‧‧沖洗氣體

g‧‧‧源

S‧‧‧物件

自結合附圖進行的以下描述可更詳細地理解例示性實施例，其中：圖1為根據例示性實施例的沈積裝置的視圖。

圖2為根據例示性實施例的腔室單元的視圖。

圖3為根據例示性實施例的腔室單元的一個表面的視圖。

圖4為根據例示性實施例的腔室單元的內部的視圖。

圖5及圖6為根據例示性實施例的沈積方法的視圖。

圖7及圖8為將根據例示性實施例的沈積裝置及方法應用於修復過程的修復結果與根據先前技術的修復過程的修復結果的比較視圖。

在下文中，將參看附圖更詳細地描述特定實施例。然而，本發明可以不同形式體現，且不應將本發明解釋為限於本文中所 闡述的實施例。確切而言，提供此等實施例以使得本發明將為透徹且完整的，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明之範疇。在諸圖中，出於說明清楚起見而誇大了層和區的尺寸。類似參考數字貫穿全文指代類似元件。

圖1為根據例示性實施例的沈積裝置的方塊圖，且圖2為根據例示性實施例的腔室單元的示意圖。又，圖3為根據例示性實施例的腔室單元的一個表面的示意圖，且圖4為腔室單元的一部分的內部結構的示意性剖面圖，所述內部結構為根據例示性實施例在垂直於x軸方向的方向上切割而得，例如沿圖2的線A-A'截得。

在圖式中，為了清楚地說明元件之間的連接關係，相對於整個結構的一部分的部件之間的連接關係(其意欲在對應圖式中描述)經部分誇示，且對應圖式中的未解釋部分將被部分省去。

下文中，將參看圖1至圖4詳細地描述根據例示性實施例的沈積裝置。

根據例示性實施例的沈積裝置可為用於在待處理物件S(下文中，被稱作物件S)上沈積層的裝置，於空氣中提供待處理物件S。舉例而言，沈積裝置可包含使用化學氣相沈積(chemical vapor deposition；CVD)的修復裝置。沈積裝置可包含腔室單元200、源供應線311、源供應單元310、溫度上升氣體供應線411、溫度上升氣體供應單元410、溫度上升氣體供應線導引管件420、雷射單元610、光學單元620以及溫度控制單元700。

物件S可為上面各種電子裝置製造於其一個表面上的基板。亦即，物件S可為在上面執行或完成製造電子裝置的過程的 基板。舉例而言，物件S可為由玻璃材料形成的基板，在所述基板的一個表面上形成閘極線、資料線、像素以及薄膜電晶體。

支撐部件100可為經配置以在一側面(例如其頂表面)上支撐物件S的整合板型平台玻璃或經劃分之桿型平台玻璃。用於在x軸及y軸方向的至少一個方向上對準物件S的對準部件(未圖示)可安置於支撐部件100上。又，經配置以在z軸方向上支撐物件S的升降銷(未圖示)及真空卡盤(未圖示)可安置於支撐部件100上。

支撐部件100可安裝於台(未圖示)的頂表面上並固定在適當位置上。替代性地，支撐部件100可安置於台上並可在x軸、y軸以及z軸方向中的至少一個方向上移動。

安裝部件(未圖示)可安置於台的頂表面上並可在x軸、y軸以及z軸方向中的至少一者中移動。替代性地，安裝部件可安置於台的頂表面上並固定在適當位置上。

舉例而言，當支撐部件100安裝於台的頂表面上並固定在適當位置上時，安裝部件可以可移動方式安置於台的頂表面上。另一方面，當支撐部件100以可移動方式安置於台的頂表面上時，安裝部件可安置於台的頂表面上並固定在適當位置上。另外，支撐部件100及安裝部件可以各種方式安置於台上，其中支撐部件100及安裝部件相對於彼此為可相對移動的。

腔室單元200、雷射單元610以及光學單元620可藉由安裝部件以可移動方式支撐。安裝部件可自支撐部件100向上隔開。舉例而言，線性馬達的結構及操作方法可應用於安裝部件。

在例示性實施例中，台、對準部件、升降銷、真空卡盤 以及安裝部件中的每一者的結構及操作方法不限於特定結構及操作方法。為避免本發明的多義解釋，在例示性實施例中將省去上文所描述的組件的詳細描述。

腔室單元200自支撐部件100向上隔開並安置於空氣中。舉例而言，腔室單元200可安裝於安裝部件上並在x軸、y軸以及z軸方向上以可移動方式支撐。處理孔230經界定於腔室單元200面向物件S的一個表面211中。腔室單元200藉由使用處理孔230，在腔室單元200與物件S之間提供預定處理空間10。此處，處理空間10可為界定於處理孔230下方、在腔室單元200與物件S之間的空間或包含界定於處理孔230下方的空間及其周圍空間的空間。

腔室單元200可具有在z軸方向上堆疊的多個板的結構。腔室單元200可劃分成腔室本體210及連接部件220。腔室本體210並不限於其大小及形狀。舉例而言，腔室本體210可具有例如具有在x軸及y軸方向上之預定寬度及在Z軸方向上之預定厚度的橢圓形板形狀。腔室本體210可在腔室本體210與物件S之間提供處理空間10。

連接部件220可經安置以環繞腔室本體210的側表面的一側。連接部件220不特別限於其大小及形狀。舉例而言，連接部件220可具有例如在x軸及y軸方向上具有預定寬度且在z軸方向上具有預定厚度的矩形板形狀。連接部件220可在結構上支撐腔室本體210及源供應線311。

一個表面211(例如，腔室單元200的底表面)可為包含腔室本體210的底表面及連接部件220的底表面的表面且面向物 件S。另一表面212(例如，腔室單元200的頂表面)可為包含腔室本體210的頂表面及連接部件220的頂表面的表面且面向光學單元620。

加熱構件(未圖示)可安置於腔室單元200中。加熱構件可將分別流經源供應線311及溫度上升氣體供應線411的內部的源及溫度上升氣體的溫度調整至所要溫度並維持溫度。又，熱阻擋構件(未圖示)可安置於腔室單元200中以彎曲環繞加熱構件的上部及下部部分。熱阻擋構件防止腔室單元200內的熱傳遞至腔室單元200的上側及下側。

處理孔230可在z軸方向上穿過腔室本體210的中心部分。處理孔230可自腔室本體210的一個表面向下開放並連接至處理空間10的上部部分。處理孔230可具有例如：具有內徑的旋轉體，所述內徑自腔室本體210的另一表面至，一表面逐漸減小。

窗口240可安裝於處理孔230的上部部分上。窗口240可隔離處理孔230的內部與在腔室本體210上方的外部空氣。窗口240可由雷射穿過的材料(例如，石英材料)形成。具有環形狀的窗口固持器241可安裝於窗口240頂表面的邊緣上。密封構件242可安置於窗口240與窗口固持器241之間。

多個源注入表面可安置於腔室本體210的一個表面上。多個源注入表面可包含第一源注入表面261a、第二源注入表面261b以及第三源注入表面261c。多個源注入表面可彎曲環繞處理孔230以接觸處理空間的邊緣12，並安置在部分重疊處理孔230的位置處。當然，多個源注入表面可安置於一預定位置，所述預定位置為將源供應至處理孔230的內部下部部分(例如，處理孔 230的內部圓周表面的下側)的位置。

溫度上升氣體注入表面262可安置於腔室本體210的一個表面上。此處，溫度上升氣體注入表面262可與多個源注入表面隔開，以接觸處理空間的邊緣12，並安置在部分重疊處理孔230的位置處。

溫度上升氣體供應孔254可界定於腔室本體210的另一個表面中。此處，溫度上升氣體供應孔254可經界定以對應於溫度上升氣體注入表面262，且亦可界定於與連接部件220相對的腔室本體210的另一表面上的預定位置中。

至少一個源供應孔251可界定於連接部件220的另一表面中。舉例而言，若提供多個源供應孔251，則第二源供應孔(未圖示)及第三源供應孔(未圖示)可進一步界定於連接部件220的另一表面上的預定位置中。

源供應線311可攜載金屬源至處理孔230中。源供應線311可延伸至腔室單元200的內部。源氣體供應線311的出口311b可在處理孔230的內部圓周表面的至少一側處開放以形成至少一個源注入表面。

源供應線311可以至少一個提供。舉例而言，源供應線311以多個提供，則可另外提供第二源供應線(未圖示)及第三源供應線(未圖示)。源供應線可供應相同源。替代性地，一個源供應線可供應不同於經由另一源供應線供應的源的源，或源供應線可分別供應彼此不同的源。

源供應線311可穿過源供應孔251從而延伸至腔室單元200的內部。替代性地，第二源供應線(未圖示)可穿過第二源供 應孔(未圖示)從而延伸至腔室單元200的內部。第三源供應線(未圖示)可穿過第三源供應孔(未圖示)從而延伸至腔室單元200的內部。

源供應腔室311a可界定於源供應線311的一側中。源供應腔室可彎曲環繞處理孔230的外部並具有例如腔室本體210中的迴路形狀。源供應線311、第二源供應線(未圖示)以及第三源供應線(未圖示)中的每一者可與腔室本體210中的源供應腔室311a連通。

源供應線311的出口311b可自源供應腔室311a傾斜地向下穿過腔室本體210至處理孔230。源供應線311的出口311b可以提供例如三個。在此狀況下，源供應線311的出口311b可界定在安置於處理孔230的內部圓周表面上並彼此隔開的三個位置處的第一源注入表面261a、第二源注入表面261b以及第三源注入表面261c。

源供應單元310連接至源供應線311以供應用於沈積層的源。源供應單元310可包含儲存至少一個源的源供應源(未圖示)、儲存用於攜載源的載氣的載氣供應源(未圖示)、控制源的供應的流率控制器，以及控制閥門。加熱單元(未圖示)(例如，用於平滑地汽化源(例如金屬源)的加熱絲)可安置於源供應源(未圖示)中。金屬源可經加熱以變成氣相且接著藉由載氣(例如惰性氣體，諸如氬氣)攜載至源供應線311中。

自源供應單元310經由源供應線311供應至處理孔230中的金屬源可包含鈷源。當與鎢源相比時，鈷源可為廉價的且具有低汽化溫度。

溫度上升氣體供應線411可供應溫度上升氣體至處理空間10中以調整物件S的溫度。溫度上升氣體供應線411可朝向處理孔230延伸至腔室單元200的內部或外部。又，溫度上升氣體供應線411可具有在處理空間的邊緣12處開放的出口。

物件S與腔室單元200之間的距離可具有若干微米的單位。因此，溫度上升氣體供應線411可安置於腔室單元200中。當然，溫度上升氣體供應線411可延伸以在腔室單元200的下側處在腔室單元200的一個表面211上方通過並在處理孔230附近開放。

溫度上升氣體供應線411可安置於腔室單元200中。又，溫度上升氣體供應線411可具有朝向處理空間的中心部分11向下傾斜的至少一出口。此處，至少溫度上升氣體供應線411的出口可傾斜地穿過處理孔230的內部以接觸處理空間10的邊緣12且接著在腔室單元200的一個表面211處開放以部分重疊處理孔230。

溫度上升氣體供應線導引管件420可進一步安置於溫度上升氣體供應線411中。溫度上升氣體供應線導引管件420可傾斜地穿過腔室本體210以將溫度上升氣體供應孔254連接至溫度上升氣體注入表面262。溫度上升氣體供應線411的出口可延伸至溫度上升氣體供應線導引管件420的內部。

溫度上升氣體供應單元410可連接至溫度上升氣體供應線411以供應溫度上升氣體。溫度上升氣體供應單元410可包含儲存溫度上升氣體(例如空氣或惰性氣體)的溫度上升氣體供應源(未圖示)、調整溫度上升氣體的供應的流率控制器(未圖示)， 以及控制閥門(未圖示)。

此處，預定加熱單元(未圖示)及冷卻單元(未圖示)可進一步安置於溫度上升氣體供應源(未圖示)中以控制溫度上升氣體的溫度。此處，用以加熱及冷卻通常氣體的各種單元(例如熱電元件或熱泵)可應用於上文所描述的加熱單元及冷卻單元，但本發明不限於此。溫度上升氣體可控制至預定溫度且接著供應至溫度上升氣體供應線411中。

溫度控制單元700可根據自源供應單元310供應的源的沈積溫度或汽化溫度，控制溫度上升氣體供應單元410的溫度上升氣體的溫度。溫度控制單元700可藉由使用對應於源的預先輸入的組份資訊的沈積溫度資訊或汽化溫度資訊來控制溫度上升氣體的溫度至所需溫度。

根據例示性實施例的沈積裝置可藉由使用溫度上升氣體供應線411、溫度上升氣體供應單元410以及溫度控制單元700來控制處理空間10中的溫度至對應於源的沈積溫度或汽化溫度的預定溫度。因此，在處理空間10內的物件S的缺陷位置處沈積層的同時，可不產生雜質，且可防止層的過度生長。

雷射單元610可自腔室單元200向上隔開，以產生待照射至處理空間10中的雷射，使得雷射照射至處理空間10中。雷射單元610可將雷射照射至經由腔室單元200的窗口240暴露的物件S的缺陷位置，以切割配線或供應熱能量至在源氣氛下即將形成配線的所在部分，以在缺陷位置上沈積金屬源且藉此形成層。雷射單元610可使用脈衝雷射或連續雷射。又，雷射單元610的輸出可根據修復過程而改變。

光學單元620可安置於雷射單元610與腔室單元200之間，以調整自雷射單元610照射的雷射的光學路徑及焦點。光學單元620可包含控制雷射行進方向的雷射行進方向控制部件(未圖示)及增加雷射入射角度的雷射有效區域擴展部件(未圖示)。又，光學單元620可更包含監控物件S的狀態的監控部件(未圖示)。雷射行進方向控制部件可包含能夠藉由反射雷射至預定方向而改變雷射行進方向的至少一個可旋轉鏡面。由於使用雷射行進方向控制部件，因此上面雷射照射的物件S的區域可在不移動整個沈積裝置的情況下移動。雷射有效區域擴展部件可藉由使用至少兩個彎曲透鏡而折射雷射，以增加雷射相對於物件透鏡的入射角度。因此，雷射有效區域擴展部件可在不移動整個修復裝置的情況下擴展上面雷射照射的區域(雷射有效區域)。監控部件可拍攝物件S的所要區域以判定層是否形成於對應區域上，藉此監控物件S的缺陷及修復狀態。

除上文所描述的組件以外，根據例示性實施例的沈積裝置還可包含多個沖洗氣體供應線321(321a，321b)及沖洗氣體供應單元320。在此狀況下，具有(例如)迴路形狀的沖洗氣體注入表面264可安置於腔室本體210的一個表面上，以彎曲環繞處理孔230的外部。又，多個沖洗氣體供應孔252a及252b可界定於連接部件220的另一表面中。

多個沖洗氣體供應線中的第一沖洗氣體供應線321a可穿過多個沖洗氣體供應孔中的第一沖洗氣體供應孔252a，從而延伸至腔室單元200的內部。第一沖洗氣體供應線321a的出口(未圖示)可藉由穿過處理孔230的內部上側而向上開放至處理孔230 的內部。

第一沖洗氣體供應線321a供應沖洗氣體至處理孔230的內部上部部分。亦即，第一沖洗氣體供應線321a可防止金屬源的層沈積於窗口240的底表面上。亦即，即使金屬氣體的一部分沈積於窗口240的底表面上，所沈積金屬源仍可藉由使用沖洗氣體的注入壓力而直接移除。因此，窗口240的底表面可維持在清潔狀態中。因此，雷射可平滑地穿過窗口240且因此穩定地照射至物件的一個表面。

多個沖洗氣體供應線中的第二沖洗氣體供應線321b可穿過多個沖洗氣體供應孔中之第二沖洗氣體供應孔252b，從而延伸至腔室單元200的內部。第二沖洗氣體供應線321b的出口321d可安置於腔室單元200的一個表面上，以彎曲環繞源供應腔室311a的外部及溫度上升氣體供應線411的出口的外部。第二沖洗氣體供應線321b可注入氮氣或惰性氣體(例如氬氣)至處理空間10的外部中，以形成空氣簾幕。

沖洗氣體供應腔室321c可界定於第二沖洗氣體供應線321b的一側中。此處，沖洗氣體供應腔室321c在腔室本體210中可具有例如迴路形狀或環形狀，以彎曲環繞源供應腔室311a的外部。第二沖洗氣體供應線321b可與腔室本體210中的沖洗氣體供應腔室321c連通。第二沖洗氣體供應線321b的出口321d可以多個提供。第二沖洗氣體供應線321b中的每一個出口321d可在沖洗氣體供應腔室321c內的預定位置處朝向腔室本體210的一個表面穿過腔室本體210。又，多個出口321d可在沖洗氣體注入表面264上的多個位置處向下開放。

沖洗氣體供應單元320可連接至沖洗氣體供應線321以供應沖洗氣體。沖洗氣體供應單元320可包含儲存沖洗氣體的沖洗氣體供應源(未圖示)、及調整沖洗氣體供應源的沖洗氣體的供應的流率控制器(未圖示)，以及控制閥門(未圖示)。

除上文所描述的組件以外，根據例示性實施例的沈積裝置還可包含至少一個排出線及至少一個排出單元。在此狀況下，具有迴路形狀並安置於腔室本體210的一個表面上的第一排出表面263可安置於沖洗氣體注入表面264的內部，以環繞處理孔230外部的至少一部分。又，具有例如環形狀的第二排出表面265可安置於腔室本體210的一個表面上，以彎曲環繞沖洗氣體注入表面264的外部。又，第一排出孔253a及第二排出孔253b可界定於連接部件220的另一表面中。

多個排出線可包含第一排出線511及第二排出線521。第一排出線511可穿過第一排出孔253a從而延伸至腔室單元200的內部。此處，第一排出線511的入口511b可安置於腔室單元200的一個表面211上以彎曲環繞第二沖洗氣體供應線321b的出口321d的內部。

第二排出線521可穿過第二排出孔253b從而延伸至腔室單元200的內部。第二排出線521的入口521b可安置於腔室單元200的一個表面211上以彎曲環繞第二沖洗氣體供應線321b的出口321d的外部。

在層沈積於物件S上的同時，第一排出線511可自處理空間10排出處理空間10內的反應材料、所產生材料以及非反應材料中的至少一者。第二排出線521可排出注入於物件S上以形 成空氣簾幕的沖洗氣體至沖洗氣體注入表面264的外部。

第一排出腔室511a可界定於第一排出線511的一側中。第一排出腔室511a在腔室本體210中可具有例如環形狀。舉例而言，第一排出腔室511a可具有環形狀使得第一排出腔室511a界定於沖洗氣體供應腔室321c的內部以彎曲環繞源供應腔室311a的外部。

第二排出腔室521a可界定於第二排出線521的一側中。第二排出腔室521a在腔室本體210中可具有例如環形狀。舉例而言，第二排出腔室521a可具有環形狀以彎曲環繞沖洗氣體供應腔室321c的外部。

第一排出線511與第一排出腔室511a連通。第一排出線511的入口511b可以多個提供。第一排出線511的入口511b可以多個提供。多個入口511b可分別在第一排出腔室511a內的多個位置處朝向腔室本體210的一個表面穿過腔室本體210且接著在第一排出表面263的多個位置處向下開放。

第二排出線521與第二排出腔室521a連通。第二排出線521的入口521b可以多個提供。多個入口521b可在第二排出腔室521a中朝向腔室本體210的一個表面穿過腔室本體210且接著在第二排出表面265內的多個位置處向下開放。

排出單元(例如排出泵或真空泵)可包含第一排出單元510及第二排出單元520。第一排出單元510可連接至第一排出線511，所述第一排出線511安置於多個排出線的沖洗氣體供應線321的內部以彎曲環繞處理孔230的至少一部分。第二排出單元520可連接至第二排出線521，所述第二排出線521經安置以彎曲環繞 多個排出線的沖洗氣體供應線321的外部。在層沈積於物件S上的同時，產生的諸如反應材料、所產生材料以及非反應材料的各種材料，可藉由排出單元收集而不排出至空氣。

圖5及圖6為根據例示性實施例的沈積方法的視圖，且圖7及圖8為將根據例示性實施例的沈積裝置及方法應用於修復過程的修復結果與根據先前技術的修復過程的修復結果的比較視圖。

將參看圖4至圖8詳細地描述根據例示性實施例的沈積方法。

根據例示性實施例的沈積方法可為用於在空氣中在待處理物件(下文中，被稱作「物件」)上沈積層的方法。沈積方法可包含在空氣中製備物件的過程、將溫度上升氣體注入至用於物件的處理空間中以控制溫度的過程、將源注入至用於物件的處理空間中的過程，以及將雷射照射至物件的一個表面上以形成層的過程。又，在注入源的過程之後，沈積方法可更包含注入沖洗氣體於物件上以彎曲環繞處理空間的外部的過程，藉此隔離處理空間與外部空氣。又，在形成層的過程之後，沈積方法可更包含自處理空間內部及外部中的至少一者排出反應材料、所產生材料以及非反應材料中的至少一者的過程。

此處，在上文所描述過程當中，可同時或彼此共同執行注入源的過程、隔離處理空間與外部空氣的過程、形成層的過程以及排出材料的過程。替代性地，所述過程可根據任何次序連續執行。亦即，本發明並不特定地限於過程次序。

又，在上文所描述的過程當中，可在注入溫度上升氣體 至處理空間中以控制溫度的過程之前執行或可連同注入溫度上升氣體至處理空間中以控制溫度的過程一起執行隔離處理空間與外部空氣的過程及自處理空間的內部及外部中的至少一者排出材料的過程。亦即，當與其他過程相比較時，隔離處理空間與外部空氣的過程及排出處理空間的內部及外部中的至少一者的材料的過程不特定地限於其次序。

連續執行的沈積製程將作為實例詳細地描述，其中沈積製程為在空氣中製備物件的過程、將溫度上升氣體注入至用於物件的處理空間中以控制溫度的過程、將源注入至用於物件的處理空間中的過程、將沖洗氣體注入於物件上以彎曲環繞處理空間外部藉此隔離處理空間與外部空氣的過程、將雷射照射至物件的一個表面上以形成層的過程，以及自處理空間內部及外部中的至少一者排出反應材料、所產生材料以及非反應材料中的至少一者的過程。

首先，在空氣中製備待處理物件。所述物件S可為基板。物件S可在空氣中製備並由支撐部件支撐。

此後，溫度上升氣體注入至界定於物件S上方的處理空間10中以控制溫度。控制溫度的過程可包含傾斜地注入溫度上升氣體於處理空間內的物件S上的過程。詳言之，控制溫度的過程可更包含自處理空間的邊緣的一側12a向下傾斜地注入溫度上升氣體至處理空間的中心部分11的過程、排出溫度上升氣體至處理空間的邊緣的另一側12b以誘使溫度上升氣體的流動穿過處理空間的中心部分的過程，以及注入沖洗氣體f於物件上以彎曲環繞處理空間的外部藉此隔離溫度上升氣體的流動與外部空氣的過 程。

物件S的缺陷位置可藉由使用溫度上升氣體而增加溫度以防止雜質在層沈積期間形成於層上。又，溫度上升氣體可經注入以在預定方向上形成溫度上升氣體的流動且接著可穿過缺陷位置以移除遺留在缺陷位置上的外來物質。此處，若溫度上升氣體能夠穿過處理空間的中心部分11，則溫度上升氣體的流動可各種各樣地改變。

溫度上升氣體可包含空氣。替代性地，惰性氣體可用作溫度上升氣體。溫度上升氣體可增加至對應於源的沈積溫度或汽化溫度的溫度且接著在預定時間內注入至用於物件的處理空間10中。舉例而言，當源為鈷源時，溫度上升氣體可增加至大約25℃至大約50℃的溫度範圍、大約30℃至大約40℃的溫度範圍，或大約35℃的溫度且接著注入至處理空間10中。

舉例而言，當溫度上升氣體增加至小於源的汽化溫度的溫度(例如大約25℃或更小的溫度)且接著注入至處理空間10中時，在處理空間10內的物件S的缺陷位置處/周圍的溫度可經控制至大約25℃或更小的溫度。在此狀況下，源的沈積效率可惡化，且雜質可形成於沈積層上。又，當溫度上升氣體增加至大於源的汽化溫度的溫度(例如，超過大約50℃的溫度)且接著注入至處理空間10中時，在處理空間10內的物件S的缺陷位置處/周圍的溫度可經控制以超過大約50℃的溫度。在此狀況下，在層沈積的同時源可過度生長，且因此層可非均勻地沈積。因此，根據例示性實施例，溫度上升氣體增加至在源的汽化溫度範圍內的溫度且接著被供應。因此，雜質可不形成於所沈積層上，且可防止 層的過度生長。因此，清潔層可均勻地沈積於物件S上。

此後，當注入溫度上升氣體至處理空間10中以控制溫度的過程完成時，溫度上升氣體的注入可停止，且接著源g可注入至用於物件S的處理空間中。此處，彼此不同的源可藉由使用多個源供應線而注入至處理孔230中且接著引入至處理空間中。替代性地，一源可注入至處理孔230中且接著引入至處理空間中。此處，源可包含金屬源，例如鈷源。源可在源供應單元中以粉末形式製備且接著被蒸發。接著，源可由載氣攜載且接著引入至處理孔230及處理空間10中。

儘管例示在源注入至如上文所描述的處理空間中的同時，完全停止溫度上升氣體的注入的方法，但此方法可各種各樣地改變。舉例而言，當控制溫度的過程完成時，可執行注入源的過程。此處，可維持溫度上升氣體的注入。又，溫度上升氣體的注入數量可根據控制溫度的過程中的注入數量而為均勻或逐漸減少。替代性地，減少之數量可均勻地維持。

此後，沖洗氣體f可注入於物件上以彎曲環繞處理空間10的外部，藉此隔離處理空間與外部空氣。亦即，空氣簾幕可形成於處理空間外部以隔離處理空間與外部空氣。因此，可防止空氣中的污染物引入至處理空間中。

此後，雷射可照射至物件的一個表面上以形成層。雷射可照射於缺陷位置(例如，在處理孔230的內部被控制在源氣氛下以沈積層的情況下的開口缺陷)上。因此，可修復物件S的缺陷。

此後，反應材料、所產生材料以及非反應材料可自處理 空間的內部及外部中的至少一者排出。舉例而言，在反應期間產生的反應材料、所產生材料以及非反應材料可自彎曲環繞處理空間的內部邊緣的位置排出，且用於形成空氣簾幕的沖洗氣體可自空氣簾幕的外部排出。

形成層的過程可更包含將溫度上升氣體注入至用於物件的處理空間10中以控制其中修復物件的區域的溫度。因此，可穩定修復層。

可執行一修復過程，所述修復過程使用根據例示性實施例之沈積裝置的沈積方法，且圖8中亦說明藉由修復過程獲得的結果。又，在圖7中說明藉由根據先前技術的修復方法獲得的結果。在例示性實施例中，由於在修復位置(亦即，基板的缺陷位置)處的溫度直接增加，因此溫度控制可是容易的。因此，由於缺陷位置被控制在對於沈積是充分的溫度，因此如圖8中所說明，可乾淨地形成層。

另一方面，根據先前技術，由於在基板的缺陷位置處的溫度藉由使用平台玻璃而自基板的下側間接增加，因此可能難以控制基板的溫度。因此，在基板的缺陷位置處/周圍的溫度可能是不均勻的，且基板的一部分可能具有小於或大於(例如)鈷源的汽化溫度的溫度。如上文所描述，在缺陷位置處的溫度可能是不均勻的，雜質可能形成於層上，且層的一部分可能過度生長。因此，如圖7中所說明，可以看出層為非均勻地沈積。

另一方面，不同於根據先前技術的修復過程，應用根據例示性實施例的沈積裝置及方法於開口缺陷的修復過程中，可以看出層乾淨地形成於物件(例如基板)上。

根據例示性實施例，當層在空氣中沈積於物件上時，物件與處理空間接觸的一個表面可直接地增加溫度。又，物件與處理空間接觸的一個表面可局部增加溫度。因此，物件的一個表面的溫度可控制至其中的層為乾淨地沈積的溫度範圍，且可抑制或防止雜質在所沈積層上的形成。

舉例而言，當在製造各種顯示器元件時或之後，出現於基板的一個表面上的開口缺陷經由化學氣相沈積修復時，溫度上升氣體可注入至接觸具有缺陷的基板的修復區域的處理空間中以增加溫度至對應於金屬源的沈積溫度的溫度範圍。又，金屬源可注入至處理空間中以雷射照射至修復區域上，藉此形成清潔層而在缺陷位置處不具有雜質。亦即，溫度上升氣體可首先注入至處理空間中以控制處理空間的溫度至所需溫度，且接著金屬源可被注入以在物件上沈積層，藉此形成清潔層。

在此狀況下，當與習知方法相比較時，所述習知方法的熱可藉由使用支撐部件施加至連接支撐部件的基板的另一表面，以間接增加基板的修復區域的溫度，支撐部件可在構成上顯著簡化，且可減少裝置的製造成本。又，由於在基板藉由使用溫度上升氣體而直接增加溫度的同時消耗的能量小於在基板經由支撐部件而間接增加溫度的同時消耗的能量，因此整個過程中的能量效率可得以顯著改善。

又，當處理空間的溫度增加，且缺陷位置被修復的一系列過程被執行的同時，沖洗氣體可彎曲環繞處理空間的外部以隔離處理空間與外部空氣。特定言之，在修復區域溫度增加的同時，溫度上升氣體的流動可與外部空氣隔離，藉此有效執行修復區域 的溫度控制。

又，在溫度上升氣體注入至處理空間中的同時，溫度上升氣體的流動可經由處理空間的中心部分自處理空間的邊緣的一側誘發至處理空間的邊緣的另一側。因此，在層形成於缺陷位置上之前，接觸處理空間的中心部分的修復區域上的缺陷位置可藉由使用溫度上升氣體的流動而控制至清潔狀態。另外，遺留在修復區域的缺陷位置上的外來物質可自處理空間排出。

雖然已參考特定實施例描述沈積裝置及方法，但其不限於此。因此，熟習此項技術者將容易理解，在不背離藉由隨附申請專利範圍界定的本發明的精神及範疇的情況下，可對其進行各種修改及改變。

10‧‧‧處理空間

11‧‧‧中心部分

12‧‧‧邊緣

12a‧‧‧邊緣的一側

12b‧‧‧邊緣的另一側

230‧‧‧處理孔

240‧‧‧窗口

241‧‧‧窗口固持器

242‧‧‧密封構件

311‧‧‧源供應線/源氣體供應線

311a‧‧‧源供應腔室

311b、321d‧‧‧出口

321a‧‧‧第一沖洗氣體供應線

321b‧‧‧第二沖洗氣體供應線

321c‧‧‧沖洗氣體供應腔室

411‧‧‧溫度上升氣體供應線

420‧‧‧溫度上升氣體供應線導引管件

511‧‧‧第一排出線

511a‧‧‧第一排出腔室

511b、521b‧‧‧入口

521‧‧‧第二排出線

521a‧‧‧第二排出腔室

S‧‧‧物件

Claims (18)

1. 一種用於在待處理物件上沈積層的沈積裝置，所述待處理物件支撐於空氣中，所述沈積裝置包括：腔室單元，其安置於空氣中且在其面向所述待處理物件的一個表面中具有處理孔，所述腔室單元經配置以在腔室單元與所述待處理物件之間提供處理空間；源供應線，其延伸至所述腔室單元的內部，所述源供應線具有在所述處理孔的內部圓周表面的至少一側處開放的出口；以及溫度上升氣體供應線，其朝向所述處理孔延伸至所述腔室單元的內部或外部，所述溫度上升氣體供應線具有面向所述處理空間的出口。
2. 如申請專利範圍第1項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積裝置，其更包括延伸至所述腔室單元的內部的沖洗氣體供應線，所述沖洗氣體供應線具有安置於沖洗氣體注入表面上的出口，所述沖洗氣體注入表面安置於所述腔室單元的腔室本體的一個表面上以彎曲環繞所述處理孔的外部。
3. 如申請專利範圍第2項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積裝置，其更包括延伸至所述腔室單元的內部的排出線，所述排出線具有安置於排出表面上的入口，所述排出表面形成於所述腔室單元的一個表面上以在所述沖洗氣體注入表面中環繞所述處理孔的外部以及彎曲環繞所述沖洗氣體注入表面的外部。
4. 如申請專利範圍第1項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積裝置，更包括： 雷射單元，其經配置將雷射照射至所述處理空間中；源供應單元，其連接至所述源供應線；溫度上升氣體供應單元，其連接至所述溫度上升氣體供應線；以及溫度控制單元，其經配置以根據自所述源供應單元供應的源的沈積溫度控制所述溫度上升氣體供應單元的溫度上升氣體的溫度。
5. 如申請專利範圍第3項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積裝置，更包括：沖洗氣體供應單元，其連接至所述沖洗氣體供應線；第一排出單元，其連接至所述排出線的第一排出線，所述第一排出線安置於所述沖洗氣體供應線的內部以彎曲環繞所述處理孔的至少一部分；以及第二排出單元，其連接至所述排出線的第二排出線，所述第二排出線經安置以彎曲環繞所述沖洗氣體供應線的外部。
6. 如申請專利範圍第1項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積裝置，其中所述處理孔是自所述腔室單元的一個表面向下開放且連接至所述處理空間的上部部分，且所述溫度上升氣體供應線安置於所述腔室單元內部且至少具有在所述處理空間的中心部分的方向上向下傾斜的所述出口。
7. 如申請專利範圍第1項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積裝置，其中至少所述溫度上升氣體供應線的所述出口傾斜地穿過所述處理孔的內部，自所述腔室單元的一個表面開放以接觸所述處理空間的邊緣，且部分重疊所述處理孔。
8. 一種用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，所述待處理物件支撐於空氣中，所述沈積方法包括：在空氣中製備所述待處理物件；將溫度上升氣體注入至用於所述待處理物件的處理空間中以控制溫度；將源注入至用於所述待處理物件的所述處理空間中；以及將雷射照射至所述待處理物件的一個表面上以形成所述層，其中所述溫度的控制包括將所述溫度上升氣體傾斜地注入至所述處理空間內的所述待處理物件上。
9. 如申請專利範圍第8項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其更包括將沖洗氣體注入至所述待處理物件上以彎曲環繞所述處理空間的外部，藉此隔離所述處理空間與外部空氣。
10. 如申請專利範圍第8項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其更包括自所述處理空間的內部及外部中的至少一者排出反應材料、所產生材料以及非反應材料中的至少一者。
11. 如申請專利範圍第8項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其中所述溫度的所述控制包括在所述處理空間的中心部分的方向上，將所述溫度上升氣體自所述處理空間的邊緣的一側向下傾斜地注入。
12. 如申請專利範圍第11項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其中所述溫度的所述控制更包括：自所述處理空間的所述邊緣的至少另一側排出所述溫度上升氣體，以誘使所述溫度上升氣體的流動穿過所述處理空間的所述 中心部分；以及將沖洗氣體注入至所述待處理物件上以彎曲環繞所述處理空間的外部，藉此隔離所述溫度上升氣體的所述流動與外部空氣。
13. 如申請專利範圍第8項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其中所述層的所述形成包括在所述待處理物件的開口缺陷上形成所述層以修復所述缺陷。
14. 如申請專利範圍第13項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其中所述層的所述形成更包括將所述溫度上升氣體注入至用於所述待處理物件的所述處理空間中，以控制所述待處理物件的修復區域的溫度。
15. 如申請專利範圍第8項、第11項或第14項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其中將所述溫度上升氣體之溫度增加至對應於所述源的沈積溫度的溫度範圍，並將所述溫度上升氣體注入至用於所述待處理物件的所述處理空間中。
16. 如申請專利範圍第15項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其中將所述溫度上升氣體之溫度增加至大約25℃至大約50℃的範圍。
17. 如申請專利範圍第8項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其中所述源包括金屬源，且所述金屬源包括鈷源。
18. 如申請專利範圍第8項所述的用於在待處理物件上沈積層的沈積方法，其中所述溫度上升氣體包括空氣。