TWI557788B - 具有饋線遮罩裝置的供電裝置及其基板處理裝置 - Google Patents
具有饋線遮罩裝置的供電裝置及其基板處理裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI557788B TWI557788B TW100123427A TW100123427A TWI557788B TW I557788 B TWI557788 B TW I557788B TW 100123427 A TW100123427 A TW 100123427A TW 100123427 A TW100123427 A TW 100123427A TW I557788 B TWI557788 B TW I557788B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sub
- mask
- substrate processing
- processing apparatus
- feeder
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 56
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 14
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Description
本發明係關於一種遮罩饋線電場為目的，具有饋線遮罩裝置的供電裝置及其基板處理裝置。
通常，製造半導體元件、顯示裝置以及薄膜太陽能電池，需要經過在基板上沉積特定物質之薄膜沉積工序、使用感光性物質曝光或隱蔽薄膜選擇區域之拍攝工序、去除所選區域之薄膜工序，進行圖樣之蝕刻工序等。這些工序中，薄膜電鍍工序及蝕刻工序等係為在優化成真空狀態的基板處理裝置內進行。
一般而言，薄膜電鍍工序或蝕刻工序之關鍵在於，透過電漿放電，向基板均勻供應活性化或離子化之處理氣體。但是，為了電漿放電採用一體型板電極或分為多數的分割電極時，由於各種因素難以維持反應空間內部電漿密度之均勻性。
因此，鑒於上述問題，本發明之目的在於提供一種為解決上述之習知技術問題，防止饋線向外部釋放電場或受到外部電場之影響為
目的，本發明旨在於提供具有遮罩饋線裝置的供電裝置及其基板處理裝置。遮罩饋線裝置設置於連接射頻(RF)電源及電漿源極之饋線。
本發明之另一個目的在於提供，在饋線與遮罩裝置之間形成一空間，並安裝將饋線所散發之熱量排放至外部的迴圈裝置之基板處理裝置。
為了實現上述本發明之目的之一，本發明提供一種基板處理裝置包含有：一處理室，其由一腔室蓋與一腔室體相結合形成以提供一反應空間，一設置於處理室內部之源極，一向源極供應射頻(RF)電源的射頻(RF)電源，一連結源極與射頻(RF)電源的饋線，以及包圍住饋線且遮蔽饋線的遮罩裝置。
基板處理裝置之特徵在於，饋線與遮罩裝置之間形成有一空間，更包含有：一迴圈此空間內空氣的迴圈裝置。
基板處理裝置更包含有：一連結遮罩裝置與腔室蓋的接地線。
基板處理裝置之特徵在於，源極包含有結合至腔室蓋的複數個電漿源極，並且這些電漿源極與射頻(RF)電源並聯。
此基板處理裝置之特徵在於，饋線包含有：一連結至射頻(RF)電源的主饋線；自主饋線分支出的複數個子饋線；連結至子饋線的複數個連接線；以及連結連接線與電漿源極的複數個饋杆，此遮罩裝置包含有：一遮蔽這些子饋線的第一遮罩；以及遮蔽連接線與饋杆的複數個第二遮罩。
此基板處理裝置之特徵在於，以垂直於電漿源極之長軸方
向且經過主饋線的直線為准，這些饋杆對稱地兩列排列，其中，饋杆分別連接電漿源極的兩端。
此基板處理裝置之特徵在於，主饋線與連接線垂直於腔室蓋，這些個子饋線平行於腔室蓋，更包含有：支撐子饋線的複數個支撐裝置。
此基板處理裝置之特徵在於，第一遮罩包含有一下方部件以及一上方部件，其中下方部件位於子饋線的下方，上方部件位於子饋線的上方且與下方部件相結合。
此基板處理裝置之特徵在於，下方部件包含有：子饋線所處的第一容納部，沿著第一容納部的外緣形成的一第一隔板部，一結合於第二遮罩的連接部，以及一用以支撐子饋線的支撐裝置所貫通的貫通孔，上方部件包含有：一位於子饋線上方的平臺部，以及一迴圈孔，迴圈孔連接有饋線釋放的熱量排放於外部的迴圈裝置。
此基板處理裝置之特徵在於，第一遮罩由複數個部份組裝而形成。
此基板處理裝置之特徵在於，第二遮罩分別包含有：一導管，形成有中空且這些連接線分別容納於中空之內；一通行部，由導管的上部一部份切割而形成；一連接部，設置於通行部的兩側且連結至第一遮罩；以及一連通部，由導管的下部之一部份切割而形成。
為了實現上述本發明之目的之一，本發明提供一種向設置在處理室內部的源極供應射頻(RF)電源的供電裝置，包含有：一向源極供應射頻(RF)電源的射頻(RF)電源，一連結源極與射頻(RF)電源的
饋線，以及一包圍住饋線且遮蔽饋線電場的遮罩裝置。
此供電裝置之特徵在於，饋線與遮罩裝置之間形成有一空間，更包含有：一迴圈空間內空氣的迴圈裝置。
本發明的基板處理裝置安裝了包圍住連接射頻(RF)電源及電漿源極之饋線的遮罩裝置，可以防止饋線向外部釋放電場或受到外部電場之影響。由於饋線不受外部電場之影響，可以確保反應空間內部之電漿密度均勻性，由此可以均勻地處理基板。
透過饋線向電漿電極施加射頻(RF)電源時，饋線能夠釋放熱量。饋線所散發的熱量積累時，會影響施加至電漿電極的射頻(RF)電力強度。因此，為了排放饋線所散發的熱量，饋線與遮罩裝置之間設置有迴圈空間，並透過迴圈裝置將迴圈空間的空氣排放於外部，防止饋線所散發的熱量聚集於饋線與遮罩裝置之間。
110‧‧‧基板處理裝置
112‧‧‧處理室
112a‧‧‧腔室蓋
112b‧‧‧腔室體
112c‧‧‧O型環
114‧‧‧電漿源極
116‧‧‧基板安置裝置
116a‧‧‧基板支撐板
116b‧‧‧支承軸
118‧‧‧氣體分配裝置
118a‧‧‧第一氣體裝置分配裝置
118b‧‧‧第二氣體裝置分配裝置
120‧‧‧邊緣框
122‧‧‧供電裝置
124‧‧‧排氣口
126‧‧‧射頻(RF)電源
128‧‧‧匹配器
130‧‧‧匹配器
132‧‧‧外殼
136a‧‧‧固定孔
136b‧‧‧引入孔
148‧‧‧氣密板
150‧‧‧遮罩裝置
150a‧‧‧第一遮罩
150b‧‧‧第二遮罩
152a‧‧‧第一分支線
152b‧‧‧第二分支線
152c‧‧‧第三分支線
152d‧‧‧第四分支線
154a‧‧‧下方部件
154b‧‧‧上方部件
156‧‧‧接地線
156a‧‧‧連接板
158‧‧‧支撐裝置
158a‧‧‧支撐體
158b‧‧‧凸出連接部
158c‧‧‧結合塊
158d‧‧‧支撐棒
158e‧‧‧固定部
160‧‧‧饋線
160a‧‧‧主饋線
160b‧‧‧子饋線
160c‧‧‧連接線
160d‧‧‧饋杆
162‧‧‧絕緣裝置
164‧‧‧基板
166‧‧‧加熱裝置
170‧‧‧凸出部
172‧‧‧供氣管
184c‧‧‧螺釘
186a‧‧‧第一容納部
186b‧‧‧隔板部
186c‧‧‧連接部
186d‧‧‧貫通孔
188a‧‧‧平臺部
188b‧‧‧迴圈孔
190a‧‧‧導管
190b‧‧‧通行部
190c‧‧‧連接部
190d‧‧‧連通部
第1圖係為本發明之一實施例之基板處理裝置之截面圖。
第2圖係為本發明之一實施例之電漿源極之佈局圖。
第3圖係為本發明之一實施例之供電裝置之詳細示意圖。
第4圖係為本發明之一實施例之饋線之立體圖。
第5圖係為本發明之一實施例之支撐裝置之截面之立體圖。
第6圖係為本發明之一實施例之饋線與電漿源極連接之截面圖。
第7圖係為本發明之一實施例之遮罩裝置之分解立體圖。
第8圖係為本發明之一實施例之供電裝置之一部分之平面圖。
第9圖係為本發明之一實施例之供電裝置之截面立體圖。
第10圖及第11圖為示出未安裝遮罩裝置時，基板上電磁場之分佈圖及曲線圖。
第12圖及第13圖係為安裝遮罩時，基板上電磁場之分佈圖及曲線圖。
以下對本發明之較佳實施例進行說明，但是本發明並不限於下述之實施方式，在不偏離本發明的詳細說明及附圖範圍內，本領域普通技術人員可進行各種變化和修改，前述之變化及修改對本領域的技術人員為顯而易見的。
「第1圖」係為本發明一實施例之基板處理裝置之截面圖。
本發明之基板處理裝置110包含有，一處理室112、用作源極之複數個電漿源極114、一供電裝置122、複數個凸出部170、一氣體分配裝置118以及一基板安置裝置116。基板處理裝置110還可包含有，一供氣管172、一邊緣框(edge frame)120、一閘閥(未圖示)以及一排氣口124。
處理室112透過腔室蓋112a與腔室體112b之結合，提供一反應空間。腔室蓋112a與腔室體112b安裝有O型環(O-ring)112c，以便維持氣密性。
作為源極使用的這些電漿源極114，結合於腔室蓋112a，並且電漿源極114與處理室112之內部相對應。電漿源極114與腔室蓋112a之間安裝有複數個絕緣裝置162。絕緣裝置162將電漿源極114與腔室蓋112a進行電氣絕緣。透過設置絕緣裝置162，並且利用螺釘等固定裝置，結合電漿源極114與腔室蓋112a。
基板安置裝置116位於處理室112之內部，與這些個電漿源極114面對面安排，並且作為電漿接地電極使用。不僅基板安置裝置116可以作為電漿接地電極使用，而且複數個凸出部170、腔室蓋112a以及腔室體112b都可作為電漿接地電極使用。基板安置裝置116包含有一基板支撐板116a以及一支承軸116b。其中，基板支撐板116a配置有基板164，基板支撐板116a之面積相比較於基板164為大，支承軸116b升降基板支撐板116a。基板支撐板116a還可內置有一用以提高基板164溫度之加熱裝置(heater)166。基板處理裝置110上，基板安置裝置116與處理室112一樣地接地。儘管圖未示，根據基板處理工藝條件，基板安置裝置116之上可以連接單獨的射頻(RF)電源或維持浮置(floating)狀態。
電漿源極114與基板安置裝置116之間能夠形成有一電漿放電空間。氣體供應至電漿放電空間時，處理氣體在複數個電漿源極114與基板安置裝置116之間活性或離子化，以供應至位於基板安置裝置116上的基板164。由此，在基板164上可以進行沉積薄膜或蝕刻薄膜等的基板處理工序。
各個電漿源極114及基板安置裝置116之間的第一間隔與各個凸出部170及基板安置裝置116之間的第二間隔相同。由於腔室蓋112a與各個電漿源極114之間設置有複數個絕緣裝置162，所以各個電漿源極114之第一厚度相比較於各個凸出部170之第二厚度為小。並且，各個凸出部170之厚度，與各個電漿電極114以及絕緣裝置162之總合相同。
為了防止由於駐波(standing wave)效應使得基板164處理不均勻，排列比射頻(RF)波之波長更小寬度的複數個電漿源極114。由於
電漿電極114的各個寬度小於射頻(RF)波之波長，所以能夠防止定態波效果，在反應空間內可以維持電漿密度之均勻性。
供電裝置122向電漿源極114分別施加射頻(RF)電源。供電裝置122包含有，一供應射頻(RF)電源的射頻(RF)電源126；一阻抗整合為目的之匹配器130；一連接至電漿源極114之饋線160；以及一遮蔽饋線160之遮罩裝置150。這些電漿源極114通過饋線160與射頻(RF)電源126並聯，並且電漿源極114與射頻(RF)電源126之間設置有阻抗整合為目的之匹配器130。
射頻(RF)電源126可以採用電漿發生效率好的20-50MHz頻段之甚高頻(Very High Frequency,VHF)。饋線160係由貫通腔室蓋112a及複數個絕緣裝置162，分別連接至這些電漿源極114的複數個子饋線160b，以及將子饋線160b連接至射頻(RF)電源126的主饋線160a構成。這些個子饋線160b可分別連接至電漿源極114之各個兩端，或可連接至電漿源極114之中央部。
複數個凸出部170結合至電漿源極114之間的腔室蓋112a。電漿源極114與凸出部170均為平行排列，與處理室112之側壁相鄰的腔室蓋112a的周邊部可以設置有凸出部170。因此，與處理室112之兩側壁相鄰的腔室蓋112a之各個兩端，排列有凸出部170。排列於腔室蓋112a兩端的兩個凸出部170之間，交叉排列有複數個電漿源極114及凸出部170。
這些凸出部170可以透過螺釘等固定裝置結合至電漿源極114之間的腔室蓋112a，或與腔室蓋112a形成為一體。腔室蓋112a與複數個凸出部170電連接。
腔室蓋112a可以具有長方形態，這些電漿源極114製作為分別具有長軸及短軸的條紋(stripe)形態，且條紋之間按照相同的間隔平行隔開。凸出部170與電漿源極114相類似，均為製作成具有長軸及短軸的條紋(stripe)形態，相互之間按照相同的間隔平行隔開。但是，電漿源極114與凸出部170不限制為條紋形態，根據需要可以製作成各種形態。
電漿源極114、凸出部170、腔室蓋112a、腔室體112b以及基板安置裝置116分別採用鋁(Al)或不銹鋼等金屬材質製造，複數個絕緣裝置162採用氧化鋁等陶瓷材質。
結合至腔室蓋112a的凸出部170及電漿源極114分別形成有氣體裝置分配裝置118。氣體裝置分配裝置118包含有，複數個第一氣體裝置分配裝置118a以及複數個第二氣體裝置分配裝置118b。其中，第一氣體裝置分配裝置118a分別設置於電漿源極114，第二氣體裝置分配裝置118b分別設置於凸出部170。第一及第二氣體裝置分配裝置118a及118b分別噴射第一及第二處理氣體。第一及第二處理氣體可以採用相同的氣源，或分別採用不同的氣源。
如「第1圖」所示，電漿源極114與凸出部170分別均設置有第一氣體裝置分配裝置118a及第二氣體裝置分配裝置118b，但是根據需要可以在電漿源極114以及凸出部170中的一個(種)設置有氣體裝置分配裝置118。此時，不形成凸出部170也無妨。
邊緣框120設置於處理室112之內壁，當基板安置裝置116上升到達至加工位置時，遮罩基板164之周邊部用以防止基板164之周邊部形成薄膜。邊緣框120自基板164上部的周邊部延長至處理室112的內壁附
近。邊緣框120維持浮置狀態(foating state)。排氣口124可以起到將反應空間的反應氣體排放於外部，或調節反應空間真空之功能。排氣口124連接一真空泵(未圖示)。
「第2圖」係為根據本發明一實施例之電漿源極之佈局圖。
如「第2圖」所示，電漿源極114之間相互隔開一預定距離，並且平行排列。這些電漿源極114透過饋線160與射頻(RF)電源126並聯。饋線160與射頻(RF)電源126之間設置有一阻抗整合為目的之匹配器128。饋線160包含有一連接射頻(RF)電源126之主饋線160a、複數個連接主饋線160a與各個電漿源極114之兩端的子饋線160b。
「第3圖」係為本發明實施方式相關供電裝置之詳細示意圖。
如「第3圖」所示，具有與「第1圖」的處理室112之外部相對應的，安裝於腔室蓋112a上方的饋線160及遮罩裝置150。為了便於說明，用虛線表示與「第1圖」的處理室112內部相對應之腔室蓋112a下方結合的電漿源極114，省去「第1圖」之供氣管172。腔室蓋112a的上方安裝有，容納「第1圖」的供氣管172之外殼132。
供電裝置122包含有「第1圖」之射頻(RF)電源126以及匹配器130，並且由連接至電漿源極114的饋線160、遮蔽饋線160之遮罩裝置150、以及支撐饋線160之支撐裝置158而構成。
饋線160包含有，一連接至「第1圖」的射頻(RF)電源126之主饋線160a、自主饋線160a分支出的複數個子饋線160b、連接至子饋線160b的複數個連接線160c、以及連接連接線160c與電漿源極114的複
數個饋杆160d。這些個子饋線160b可以經過主饋線160a之垂直線及水平線為准對稱形成。對稱形成子饋線160b時，可以向複數個電漿源極114均勻施加射頻(RF)電源。
電漿源極114上施加射頻(RF)電源，在處理室112內部釋放電漿時，分別連接於電漿源極114的子饋線160b之間，以及連接線160c之間會發生電氣干擾，所以很難在與電漿源極114相對應的「第1圖」之基板164上確保均勻的電場分佈。由於不均勻之電場分佈，「第1圖」的處理室112反應空間內的電漿分佈會不均勻。不均勻的電漿分佈為阻礙薄膜電鍍或蝕刻均勻性之因素。為了排除各個子饋線160b與連接線160c的電氣干擾，安裝包圍住饋線160之遮罩裝置150。
遮罩裝置150係由一第一遮罩150a以及複數個第二遮罩150b構成。第一遮罩150a遮蔽複數個子饋線160b，第二遮罩150b遮罩連接線160c。
為了更容易遮蔽與腔室蓋112a水準所處的子饋線160b，將這些子饋線160b的佈局區域分割成複數個區域，可以安裝複數個第一遮罩150a。例如，將子饋線160b分割為複數個區域時，為了更容易組裝第一遮罩150a，以經過主饋線160a之垂直及水平線為准，將子饋線160b分割成四個遮罩區域，可以安裝四個第一遮罩150a。第一遮罩150a之分割數量可以根據子饋線160b的分支次數及排列面積增減。
第一遮罩150a包含有一下方部件154a以及一上方部件154b。其中，下方部件154a位於子饋線160b之下方，上方部件154b位於子饋線160b之上方且與下方部件154a相連接。第二遮罩150b位於腔室蓋
112a之上方，並且固定於第一遮罩150a的複數個下方部件154a以遮罩連接線160c及多個饋杆160d。腔室蓋112a與第二遮罩150b相接觸以支撐第二遮罩150b。但是，第二遮罩150b不與腔室蓋112a相結合。
第一遮罩150a之上方部件154b覆蓋下方部件154a及第二遮罩150b的上部。因此，下方部件154a之面積相比較於上方部件154b的面積為小。
第一及第二遮罩150a及150b可由與腔室蓋112a相同的傳導性材質(例如，鋁)形成。為了遮蔽饋線160，組裝第一遮罩與第二遮罩150a及150b時，複數個第一及第二遮罩150a及150b相互電連接。遮罩裝置150透過與腔室蓋112a電連接以接地。並且，為了增加遮罩裝置150之接地通道，可以在第二遮罩150b中的一部份安裝接地線156，與腔室蓋112a相連接。
以垂直於電漿源極114的長軸方向且經過主饋線160a的直線為准，複數個第二遮罩150b在兩側相對稱排列。兩排的各個第二遮罩150b中至少選擇一個設置有接地線156。
「第4圖」係為根據本發明一實施例之饋線之立體圖。
在「第4圖」之中，為了便於說明，虛線表示與「第1圖」的處理室112內部相對應的腔室蓋112a下方結合的電漿源極114，省去「第1圖」之供氣管172。
饋線160包含有，一主饋線160a、複數個子饋線160b、複數個連接線160c以及複數個饋杆160d。主饋線160a之一端連接於「第1圖」的射頻(RF)電源126且垂直於腔室蓋112a。自主饋線160a的另一端，在
平行於腔室蓋112a的方向，分支出複數個子饋線160b。為了將「第1圖」之射頻(RF)電源均勻地施加於複數個電漿源極114，將主饋線160a分支為複數個子饋線160b。
這些子饋線160b包含有，複數個第一分支線152a、複數個第二分支線152b、複數個第三分支線152c以及複數個第四分支線152d。其中，第一分支線152a係自主饋線160a分支出，第二分支線152b係自複數個第一分支線152a分別分支出，第三分支線152c係自複數個第二分支線152b分別分支出，第四分支線152d自第三分支線152c分別分支出。自子饋線(160b)分支出的線數可以根據需要增減。第一分支線、第二分支線、第三分支線以及第四分支線152a、152b、152c、152d與腔室蓋112a相平行設置。第四分支線152d分別連接於連接線160c。第一分支線、第二分支線、第三分支線和第四分支線152a、152b、152c、152d以及複數個連接線160c由板材而形成。連接線160c垂直於腔室蓋112a，並且透過饋杆160d分別連接於電漿源極114。
為了連接至饋杆160d，連接線160c的端部會形成有平行於腔室蓋112a延伸的連接板156a。連接板156a形成有貫通饋杆160d，位於饋杆160d上端部之穿孔部(未用單獨的符號標出)。饋杆160d穿過連接線160c的連接板156a上形成的穿孔部及氣密板148，固定至「第1圖」的多個電漿源極114。連接板156a直接與氣密板148相接觸。饋杆160d之下方會形成有用以固定至「第1圖」的複數個電漿源極114之螺紋。
「第5圖」係為根據本發明一實施例的支撐裝置之截面之立體圖。
為了支撐子饋線160b，安裝複數個支撐裝置158。支撐裝置158位於外殼132之上部，並且貫通「第3圖」之第一遮罩150a的下方部件154a，以支撐子饋線160b。為了防止平行於腔室蓋112a的子饋線160b下垂，子饋線160b的複數個分支部分別被支撐裝置158支撐。
支撐裝置158包含有，一圓筒形的支撐體158a、一凸出連接部158b、一結合塊158c、一支撐棒158d以及一固定部158e。其中，支撐體158a位於外殼132之上部，凸出連接部158b連接於支撐體158a且貫通第一遮罩150a之下方部件154a，結合塊158c形成於凸出連接部158b之中央，支撐棒158d插入至結合塊158c且支撐子饋線160b，固定部158e固定至凸出連接部158b。
凸出連接部158b呈圓筒形，其直徑小於支撐體158a的直徑。結合塊158c以及插入至結合塊158c的支撐棒158d形成有螺紋，透過此螺絲固定。固定部158e具有可容納凸出連接部158b之中空。支撐體158a、凸出連接部158b以及固定部158e可由絕緣材料(例如，特氟龍)而形成，支撐棒158d係由銅(Cu)形成「第6圖」係為根據本發明一實施例的相關饋線及電漿源極相連接之截面圖。
為了饋杆160d與電漿源極114的兩端電連接，電漿源極114上形成有一固定孔136a。與固定孔136a對應的腔室蓋112a以及絕緣裝置162上形成有一引入孔136b。饋杆160d插入至安裝於連接線160c端部的連接板156a之穿孔部、固定孔136a以及引入孔136b，以結合於電漿源極114。饋杆160d與電漿源極114相結合時，與「第1圖」的腔室蓋112a對應的引入孔136b之內將插入，對饋杆160d及腔室蓋112a進行絕緣的絕緣材料(未
圖示)。
為了維持氣密的同時與電漿源極114電連接，在饋杆160d安裝O型環，使用螺釘184c固定氣密板148以及與電漿源極114相對應的腔室蓋112a。固定孔136a之內側以及與固定孔136a相對應的饋杆160d形成有螺紋。氣密板148採用絕緣材料，比如，陶瓷等。
「第7圖」係為根據本發明一實施例的相關遮罩裝置之分解立體圖。
遮罩裝置150包含有，遮蔽「第2圖」之子饋線160b的複數個第一遮罩150a，以及遮蔽「第2圖」之連接線160c的複數個第二遮罩150b。
第一遮罩150a係由下方部件154a以及結合於下方部件154a的上方部件154b構成。下方部件154a包含有一第一容納部186a、一隔板部186b、一連接部186c以及一貫通孔186d。其中，第一容納部186a設置有「第4圖」之饋線160，隔板部186b安裝於第一容納部186a之外緣，連接部186c固定於第二遮罩150b，支撐裝置158貫穿貫通孔186d。上方部件154b包含有，一平臺部188a以及將饋線160釋放之熱量排放於外部的迴圈裝置(未圖示)上連接的複數個迴圈孔188b。
第二遮罩150b包含有，一導管190a、一通行部190b、一連接部190c以及一連通部190d。其中，導管190a可以具有四角柱形狀且形成有容納連接線160c之中空，通行部190b係由導管190a之一部份切割而形成，「第4圖」之第四分支線152d穿過通行部190b，連接部190c設置於通行部190b的兩側且連接至下方部件154a，連通部190d係由導管190a的下
部切割而形成。
將第一遮罩150a之下方部件154a結合至第二遮罩150b，用第一遮罩150a的上方部件154b可以覆蓋第一遮罩150a的下方部件154a以及第二遮罩150b的上部。因此，上方部件154b之面積可相比較於下方部件154a的面積為大。
「第8圖」係為根據本發明一實施例的供電裝置之一部分之平面圖。
「第8圖」係自「第3圖」中去除第一遮罩150a的上方部件154b，以表示複數個子饋線160b、第一遮罩150a的下方部件154a以及第二遮罩150b。
連接線160c與第一遮罩150a相鄰，通過第二遮罩150b的中空，連接於連接線160c之端部，與第一遮罩150a面對面的方向擴展的連接板156a位於第二遮罩150b之中央。連接線160c的連接板156a與「第2圖」之電漿源極114透過饋杆160d相連接。並且，為了容納氣密板148，第二遮罩150b之中空尺寸可以改變。連接饋杆160d與電漿源極114之時，氣密板148可以維持氣密。在特殊情況下，氣密板148透過「第7圖」的連通部190d，可以凸出至第二遮罩150b之外部。
「第9圖」係為根據本發明一實施例的供電裝置之截面立體圖。
為了遮蔽饋線160，組裝遮罩裝置150時，饋線160與遮罩裝置150之間形成有一空間。透過饋線160向「第1圖」的電漿源極114供應射頻(RF)電源時，饋線160能夠釋放熱量。為了防止饋線160與遮罩
裝置150之間的空間內積累熱量，在第一遮罩150a的上方部件154b形成複數個迴圈孔188b，並連接向迴圈孔188b流入外部空氣的迴圈裝置(未圖示)。通過複數個迴圈孔188b流入的空氣在饋線160與遮罩裝置150之間的空間內迴圈，通過第二遮罩150b的連通部190d排放於外部。
「第10圖」及「第11圖」係為未安裝遮罩裝置時基板上之電磁場分佈圖及曲線圖，「第12圖」及「第13圖」係為安裝遮罩時基板上之電磁場分佈圖及曲線圖。
「第10圖」至「第13圖」為模擬測試結果，實際連接射頻(RF)電源時基板上的電磁場分佈可能會有所不同。但是，根據饋線上是否安裝有遮罩裝置，可以預測基板上的電磁場分佈，在這個層面上為有意義之資料。「第10圖」及「第12圖」中，x軸代表「第2圖」的電漿源極114之短軸方向距離，y軸代表「第2圖」之電漿源極114之長軸方向距離，z軸代表電場之強度。電場之強度為用單位長度的電壓(v/m)表示。「第10圖」及「第12圖」中，青色表示電場之強度低，紅色表示電場之強度高。
「第11圖」及「第13圖」中，x軸代表「第2圖」的複數個電漿源極114之短軸方向距離，y軸代表電場的強度。「第11圖」及「第13圖」中，變更射頻(RF)能量值，測試了各種情況。
當饋線上未安裝遮罩裝置時，如「第10圖」及「第11圖」所示，局部地方之電磁場峰值非常明顯不均勻。因此，由於電磁場峰值(peak)差異，難以進行均勻的基板處理。不過，當饋線上安裝遮罩裝置時，如「第12圖」及「第13圖」所示，整體上電磁場峰值非常均勻。由於電磁場峰值穩定，可以進行均勻的基板處理。
以上結合本發明附圖說明了本發明的實施方式。但是，本發明所屬技術領域的從業者應該可以理解，還可以存在無需變更其技術思想或必備特點的其他的具體實施方式。因此，本發明所述的實施方式在所有方面都僅為例示性的，而不僅僅局限於此。本發明的範圍透過專利申請範圍劃定，並且專利申請範圍的意義和範圍及其等價概念中導出的所有變更或變形的形態都應該被理解為屬於本發明的範疇。
112a‧‧‧腔室蓋
114‧‧‧電漿源極
132‧‧‧外殼
148‧‧‧氣密板
150‧‧‧遮罩裝置
150a‧‧‧第一遮罩
150b‧‧‧第二遮罩
154a‧‧‧下方部件
154b‧‧‧上方部件
156‧‧‧接地線
158‧‧‧支撐裝置
160‧‧‧饋線
160a‧‧‧主饋線
160b‧‧‧子饋線
160c‧‧‧連接線
160d‧‧‧饋杆
Claims (9)
- 一種基板處理裝置，係包含有：一處理室，係由一腔室蓋與一腔室體相結合形成以提供一反應空間；一源極，係設置於該處理室之內部；一射頻(RF)電源，係向該源極供應射頻(RF)電源；一饋線，係包含連接至該射頻(RF)電源的複數個子饋線以及連接至該等子饋線及該源極的複數個連接線；以及一遮罩裝置，係包含遮蔽該等子饋線的一第一遮罩以及遮蔽該等連接線的複數個第二遮罩，其中該第一遮罩包含有一下方部件以及一上方部件，該下方部件位於該等子饋線之下方，該上方部件位於該等子饋線之上方且與該下方部件相結合。
- 如請求項第1項所述之基板處理裝置，其中，該饋線與該遮罩裝置之間形成有一空間，更包含有：一迴圈裝置，用以迴圈該空間內之空氣。
- 如請求項第1項所述之基板處理裝置，更包含有：一接地線，係連結該遮罩裝置與該腔室蓋。
- 如請求項第1項所述之基板處理裝置，其中該源極包含結合至該腔室蓋的複數個電漿源極，以及 該饋線進一步包含有：一主饋線，係連結至該射頻(RF)電源以及該等子饋線；以及複數個饋杆，係連結該等連接線與該等電漿源極。
- 如請求項第4項所述之基板處理裝置，其中以垂直於該等電漿源極之長軸方向且經過該主饋線的直線為准，該等饋杆對稱地呈兩列排列，其中，該等饋杆分別連接該等電漿源極之兩端。
- 如請求項第4項所述之基板處理裝置，該主饋線與該等連接線垂直於該腔室蓋，該等子饋線平行於該腔室蓋，更包含有：複數個支撐裝置，係支撐該等子饋線。
- 如請求項第1項所述之基板處理裝置，該下方部件包含有：該等子饋線所處的第一容納部；一第一隔板部，係沿著該第一容納部之外緣形成；一連接部，係結合於該第二遮罩；以及一貫通孔，係貫通為用以支撐該等子饋線之支撐裝置，該上方部件包含有：一平臺部，係位於該等子饋線之上方；以及一迴圈孔，該迴圈孔連接有該饋線釋放之熱量排放於外部的一迴圈裝置。
- 如請求項第1項所述之基板處理裝置，其中該第一遮罩係由複數個部份組裝而形成。
- 如請求項第1項所述之基板處理裝置，該等第二遮罩分別包含有：一導管，形成有中空且該等連接線分別容納於該中空之內；一通行部，係由該導管之上部的一部份切割而形成；一連接部，係設置於該通行部之兩側且連結至該第一遮罩；以及一連通部，係由該導管之下部的一部份切割而形成。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100063491A KR20120002795A (ko) | 2010-07-01 | 2010-07-01 | 피딩라인의 차폐수단을 가지는 전원공급수단 및 이를 포함한 기판처리장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201212108A TW201212108A (en) | 2012-03-16 |
| TWI557788B true TWI557788B (zh) | 2016-11-11 |
Family
ID=45398795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100123427A TWI557788B (zh) | 2010-07-01 | 2011-07-01 | 具有饋線遮罩裝置的供電裝置及其基板處理裝置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9398732B2 (zh) |
| KR (1) | KR20120002795A (zh) |
| CN (1) | CN102315071B (zh) |
| TW (1) | TWI557788B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101693673B1 (ko) * | 2010-06-23 | 2017-01-09 | 주성엔지니어링(주) | 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치 |
| US9831069B2 (en) * | 2011-06-03 | 2017-11-28 | Wacom | CVD apparatus and method for forming CVD film |
| KR101379701B1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-04-01 | 한국표준과학연구원 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| WO2015116481A1 (en) * | 2014-01-28 | 2015-08-06 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Induction devices and methods of using them |
| CN104867805B (zh) * | 2015-04-24 | 2017-06-23 | 浙江长兴汉能光伏有限公司 | 一种用于太阳能电池镀膜的进电组件 |
| KR20190002618A (ko) * | 2016-04-29 | 2019-01-08 | 레트로-세미 테크놀로지스, 엘엘씨 | Ｖｈｆ ｚ－코일 플라즈마 소스 |
| KR102330098B1 (ko) | 2017-04-24 | 2021-11-23 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
| EP3588533A1 (en) * | 2018-06-21 | 2020-01-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Plasma source and method of operating the same |
| JP6901461B2 (ja) * | 2018-12-07 | 2021-07-14 | 日本電子株式会社 | 真空冷却装置及びイオンミリング装置 |
| US20220028663A1 (en) * | 2020-07-23 | 2022-01-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma source for semiconductor processing |
| CN114121581B (zh) * | 2020-08-27 | 2024-04-05 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961307A2 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-01 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma CVD apparatus |
| US6353201B1 (en) * | 1998-04-15 | 2002-03-05 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Discharge electrode, RF plasma generation apparatus using the same, and power supply method |
| US20080044321A1 (en) * | 2004-02-09 | 2008-02-21 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Power supply unit for generating plasma and plasma apparatus including the same |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1942575A (en) * | 1922-11-03 | 1934-01-09 | Rca Corp | Electrostatic shielding material |
| US2624794A (en) * | 1950-07-08 | 1953-01-06 | Okonite Co | Electric power cable with carrier coupling |
| US3862350A (en) * | 1973-10-03 | 1975-01-21 | Singer Co | Radio frequency interference shielding |
| US4829189A (en) * | 1986-07-18 | 1989-05-09 | Sando Iron Works Co., Ltd. | Apparatus for low-temperature plasma treatment of sheet material |
| US4887005A (en) * | 1987-09-15 | 1989-12-12 | Rough J Kirkwood H | Multiple electrode plasma reactor power distribution system |
| JP3290777B2 (ja) * | 1993-09-10 | 2002-06-10 | 株式会社東芝 | 誘導結合型高周波放電方法および誘導結合型高周波放電装置 |
| US5619103A (en) * | 1993-11-02 | 1997-04-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Inductively coupled plasma generating devices |
| AU2003195A (en) * | 1994-06-21 | 1996-01-04 | Boc Group, Inc., The | Improved power distribution for multiple electrode plasma systems using quarter wavelength transmission lines |
| US6483719B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-11-19 | Spraylat Corporation | Conforming shielded form for electronic component assemblies |
| US6528949B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-03-04 | Lam Research Corporation | Apparatus for elimination of plasma lighting inside a gas line in a strong RF field |
| US6899787B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-05-31 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing system with reduced feeding loss, and method for stabilizing the apparatus and system |
| WO2003073489A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement a plasma et unite d'alimentation |
| US7354501B2 (en) * | 2002-05-17 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Upper chamber for high density plasma CVD |
| AU2002344594B2 (en) * | 2002-10-29 | 2005-06-09 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and device for generating uniform high-frequency plasma over large surface area used for plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US20050145341A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-07-07 | Masaki Suzuki | Plasma processing apparatus |
| CN101185383B (zh) * | 2005-01-10 | 2011-03-30 | 弯曲的路径Emi解决方案有限责任公司 | 为电子设备外壳提供电磁干扰屏蔽的三维结构 |
| US8187416B2 (en) * | 2005-05-20 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Interior antenna for substrate processing chamber |
| JP4324205B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2009-09-02 | 三井造船株式会社 | プラズマ生成装置およびプラズマ成膜装置 |
| EP2232521A1 (en) * | 2007-12-20 | 2010-09-29 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach | Method for manufacturing large-area vacuum plasma treated substrates and vacuum plasma treatment apparatus |
| US8372238B2 (en) * | 2008-05-20 | 2013-02-12 | Nordson Corporation | Multiple-electrode plasma processing systems with confined process chambers and interior-bussed electrical connections with the electrodes |
| KR20110036932A (ko) * | 2008-07-14 | 2011-04-12 | 유나이티드 솔라 오보닉 엘엘씨 | 기판 상에 처리되는 물질의 균일성 개선을 위한 증착 장치 및 그 사용 방법 |
| WO2010094002A2 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Applied Materials, Inc. | Rf bus and rf return bus for plasma chamber electrode |
| KR100938782B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2010-01-27 | 주식회사 테스 | 플라즈마 발생용 전극 및 플라즈마 발생장치 |
| US20120100311A1 (en) * | 2009-08-28 | 2012-04-26 | Kyocera Corporation | Apparatus for forming deposited film and method for forming deposited film |
| WO2011062940A2 (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | Applied Materials, Inc. | Large area plasma processing chamber with at-electrode rf matching |
| US20110120375A1 (en) * | 2009-11-23 | 2011-05-26 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Apparatus for processing substrate |
| KR101693673B1 (ko) * | 2010-06-23 | 2017-01-09 | 주성엔지니어링(주) | 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치 |
| WO2012077843A1 (ko) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | 한국과학기술원 | 플라즈마 발생 장치 |
-
2010
- 2010-07-01 KR KR1020100063491A patent/KR20120002795A/ko active Search and Examination
-
2011
- 2011-06-30 US US13/174,529 patent/US9398732B2/en active Active
- 2011-07-01 CN CN201110185327.7A patent/CN102315071B/zh active Active
- 2011-07-01 TW TW100123427A patent/TWI557788B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6353201B1 (en) * | 1998-04-15 | 2002-03-05 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Discharge electrode, RF plasma generation apparatus using the same, and power supply method |
| EP0961307A2 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-01 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma CVD apparatus |
| US20080044321A1 (en) * | 2004-02-09 | 2008-02-21 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Power supply unit for generating plasma and plasma apparatus including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102315071B (zh) | 2016-04-27 |
| US9398732B2 (en) | 2016-07-19 |
| CN102315071A (zh) | 2012-01-11 |
| TW201212108A (en) | 2012-03-16 |
| US20120000609A1 (en) | 2012-01-05 |
| KR20120002795A (ko) | 2012-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI557788B (zh) | 具有饋線遮罩裝置的供電裝置及其基板處理裝置 | |
| US8317970B2 (en) | Ceiling electrode with process gas dispersers housing plural inductive RF power applicators extending into the plasma | |
| KR101496841B1 (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
| TWI674042B (zh) | 微波電漿源及電漿處理裝置 | |
| TWI543670B (zh) | 用於產生電漿之天線單元及包括該天線單元之基板處理裝置 | |
| JP2007317661A (ja) | プラズマ反応器 | |
| KR100488348B1 (ko) | 플라즈마 프로세스 챔버 및 시스템 | |
| JP2007273752A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ生成装置 | |
| KR100798352B1 (ko) | 다중 배열된 방전실을 갖는 플라즈마 반응기 및 이를이용한 플라즈마 처리 시스템 | |
| KR20080028848A (ko) | 대면적 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
| KR100845917B1 (ko) | 대면적 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
| KR100862685B1 (ko) | 다중 배열된 방전실을 갖는 플라즈마 반응기 및 이를이용한 플라즈마 처리 시스템 | |
| KR20110054726A (ko) | 기판처리장치 | |
| KR101083448B1 (ko) | 다중 기판처리챔버 | |
| KR101627698B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| KR20090116170A (ko) | 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
| KR100772451B1 (ko) | 플라즈마 처리 챔버 및 플라즈마 처리 시스템 | |
| KR101160625B1 (ko) | 상하 다중 분할 전극을 위한 다중 전원 공급원을 갖는 플라즈마 반응기 | |
| KR101173643B1 (ko) | 다중 플라즈마 발생 영역을 갖는 플라즈마 반응기 | |
| KR100845903B1 (ko) | 다중 코어 플라즈마 발생기를 갖는 플라즈마 반응기 | |
| KR100798351B1 (ko) | 다중 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 챔버 | |
| JP2007258570A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20100120602A (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
| KR101496840B1 (ko) | 자기 조절 수단을 구비한 플라즈마 반응기 | |
| KR101364577B1 (ko) | 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마처리 시스템 |