TWI553467B

TWI553467B - 記憶體自檢修正系統及方法

Info

Publication number: TWI553467B
Application number: TW104127524A
Authority: TW
Inventors: 黃益賢
Original assignee: 鴻海精密工業股份有限公司
Priority date: 2015-08-24
Filing date: 2015-08-24
Publication date: 2016-10-11
Also published as: US20170060692A1; TW201709061A; US10019319B2

Description

記憶體自檢修正系統及方法

本發明涉及一種記憶體自檢修正系統和方法。

在電腦開機的過程中，基本輸入輸出系統（Basic Input Output System，BIOS）會對電腦的各項硬體進行初始化，其中包括記憶體。若在對記憶體的初始化的過程中出現錯誤，則會導致電腦的作業系統無法啟動，此時BIOS透過預設的方式（例如透過蜂鳴器發出特定長短音組成的聲音）提示使用者出現錯誤。但使用者無法根據提示音瞭解出現的錯誤的具體內容，且使用者需要手動修正出現的錯誤。

鑒於以上內容，有必要提供一種記憶體自檢修正系統及方法，用於在記憶體初始化出錯時，自動調整記憶體的各項參數，以使記憶體的初始化成功。

一種記憶體自檢修正系統，運行於電子設備中，該系統包括：獲取模組，用於從記憶體的EEPROM中獲取配置串列檢測SPD，並根據SPD對記憶體的各項參數進行設置；第一判斷模組，用於對設置後的記憶體進行初始化，並判斷記憶體初始化是否出錯；調整模組，用於在記憶體初始化出錯時，以預設的規則調整與讀或寫相關的參數的值，並判斷調整後的與讀或寫相關的參數的值是否全是各參數的最大值；設置模組，用於在調整後的與讀或寫相關的參數的值不全是各參數的最大值時，以調整後的配置資訊對記憶體的各個參數進行設置，並重新初始化記憶體；第二判斷模組，用於在記憶體初始化未出錯時，試運行初始化後的記憶體，並判斷試運行是否出錯；及第一提醒模組，用於在試運行出錯時，以預設的方式提示電子設備的使用者記憶體初始化出錯。

一種記憶體自檢修正方法，應用於電子設備中，該方法包括：獲取步驟，從記憶體的EEPROM中獲取配置串列檢測SPD，並根據SPD對記憶體的各項參數進行設置；第一判斷步驟，對設置後的記憶體進行初始化，並判斷記憶體初始化是否出錯；調整步驟，在記憶體初始化出錯時，以預設的規則調整與讀或寫相關的參數的值，並判斷調整後的與讀或寫相關的參數的值是否全是各參數的最大值；設置步驟，在調整後的與讀或寫相關的參數的值不全是各參數的最大值時，以調整後的配置資訊對記憶體的各個參數進行設置，並重新初始化記憶體；第二判斷步驟，在記憶體初始化未出錯時，試運行初始化後的記憶體，並判斷試運行是否出錯；及第一提醒步驟，在試運行出錯時，以預設的方式提示電子設備的使用者記憶體初始化出錯。

相較於習知技術，本發明在記憶體初始化出錯的時候，以預設的規則自動調整記憶體的參數，以使記憶體初始化成功。在記憶體初始化出錯時，透過本發明可以避免使用者手動修正出現的錯誤，提高了使用者的體驗。

圖1是改進前的記憶體初始化的流程圖。

圖2是本發明記憶體自檢修正系統的較佳實施例的運行環境示意圖。

圖3是本發明記憶體自檢修正方法的較佳實施例的流程圖。

為便於理解，以下對本發明所涉及的術語做簡要說明：

配置串列檢測（Serial Presence Detect，SPD）：一組關於記憶體的配置資訊，如頻率、電壓、行位址/列地址數量、位寬、各種主要操作時序參數的取值範圍等。所述SPD儲存於記憶體上的一個電可擦可程式設計唯讀記憶體（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM）。SPD中的配置資訊可以被BIOS獲取，並用於初始化記憶體。

本發明主要涉及記憶體的頻率（下文以Freq表示）以及與讀寫相關的參數，與讀相關的參數為tRP、tRCD、tRAS以及tCL，與寫相關的參數為tRP、tRCD、tCWL以及tWR。所述SPD中包括Freq以及tCL的取值範圍，其中Freq的取值範圍是一個區間，而tCL的取值範圍是一個數集。例如100MHZ≤Freq≤120MHZ，tCl的取值範圍為數集{3,4,5,6,7,8}，單位為一個時鐘週期的時間（下文以tCK表示）。所述SPD中還包括tRP、tRCD、tRAS、tCWL以及tWR的最小值tRP(min)、tRCD(min)、tRAS(min)、tCWL(min)以及tWR(min)。

參閱圖1所示，是改進前的的記憶體初始化的流程圖。

步驟S11，BIOS從記憶體上的EEPROM中獲取SPD，根據SPD中的配置資訊對記憶體的各個參數進行設置並進行初始化。

步驟S12，判斷記憶體初始化是否出錯。若記憶體初始化未出錯，則執行步驟S13；若記憶體初始化出錯，則執行步驟S14。BIOS主要透過讀測試和寫測試來判斷記憶體13的初始化是否出錯，若讀測試與寫測試均未出錯，則判斷記憶體初始化未出錯。

當記憶體初始化未出錯時，步驟S13，BIOS試運行初始化後的記憶體，判斷試運行是否出錯。若試運行出錯，則執行步驟S14；若試運行未出錯，則記憶體初始化結束。

步驟S14，BIOS以預設的方式提示使用者記憶體初始化出錯。所述預設的方式可以是透過蜂鳴器發出特定長短音組成的聲音。

參閱圖2所示，是本發明記憶體自檢修正系統的較佳實施例的運行環境示意圖。所述記憶體自檢修正系統10運行於電子設備1中，用於對電子設備的1的記憶體13進行初始化，並在記憶體13初始化出錯時，自動調整記憶體13的各項參數，以使記憶體13的初始化成功。所述記憶體自檢修正系統10是BIOS對電子設備1開機自檢的一部分，即BIOS對記憶體進行初始化的部分。

所述電子設備1還包括，但不限於，處理器11、儲存裝置12以及記憶體13。所述處理器11、儲存裝置12以及記憶體13透過系統匯流排相互連接。所述儲存裝置12用於儲存BIOS（包含記憶體自檢修正系統10）的程式碼及資料，是一個唯讀記憶體（Read-Only Memory，ROM）。所述記憶體13是一個包含EEPROM130的內記憶體，可以是同步動態隨機記憶體（Synchronous Dynamic Random Access Memory，SDRAM）。所述記憶體13的EEPROM130中包含SPD。所述電子設備1可以是電腦、智慧手機等設備。

在本實施例中，本發明所述的記憶體自檢修正系統10可以被分割成一個或多個模組，所述一個或多個模組均被儲存於儲存裝置12中，並由處理器11所執行，以完成本發明。參閱圖2所示，本發明所述的記憶體自檢修正系統10可以被分割成獲取模組100、第一判斷模組101、調整模組102、設置模組103、第二判斷模組104、第一提醒模組105以及第二提醒模組106。本發明所稱的模組是指能夠完成特定功能的一系列電腦程式段，比程式更適合於描述所述記憶體自檢修正系統10在所述電子設備1中的執行過程。以下將結合圖3的流程圖來描述各個模組的具體功能。

參閱圖3所示，是本發明記憶體自檢修正方法的較佳實施例的流程圖。在本實施例中，根據不同的需求，圖3所示的流程圖中的步驟的執行順序可以改變，某些步驟可以省略。

步驟S300，獲取模組100從記憶體13的EEPROM130中獲取SPD，並根據SPD對記憶體的各項參數進行設置。

在獲取EEPROM130中的SPD後，所述獲取模組100還根據SPD中的資訊確定記憶體的頻率以及與讀寫相關的各個參數的取值範圍。其中記憶體的頻率Freq以及tCL的取值範圍可由SPD中直接獲得，其他與讀寫相關的參數有如下關係式：

tRP(min)<tRP<tRP(max) = N*tRP(min)；

tRCD(min)<tRCD<tRCD(max) = N*tRCD(min)；

tRAS(min)<tRAS<tRAS(max) = N*tRAS(min)；

tCWL(min)<tCWL<tCWL(max) = N*tCWL(min)；

tWR(min)<tWR<tWR(max) = N*tWR(min)。

其中t(min)表示一個參數的最小值，以t(max)表示一個參數的最大值，例如tRP(min)表示tRP的最小值，tRP(max)表示tRP的最大值。所述N為一指定的不小於2的整數。所述SPD中包含tRP(min)、tRCD(min)、tRAS(min)、tCWL(min)以及tWR(min)。

步驟S301，第一判斷模組101對設置後的記憶體進行初始化，並判斷記憶體初始化是否出錯。若記憶體初始化出錯，則執行步驟S302；若記憶體初始化未出錯，則執行步驟S308。所述第一判斷模組101主要透過讀測試和寫測試來判斷記憶體13的初始化是否出錯。

具體的，第一判斷模組101先對記憶體13進行讀測試，當讀測試通過後，第一判斷模組101再對記憶體13進行寫測試。當讀測試與寫測試均通過時，第一判斷模組101判斷記憶體13初始化未出錯，執行步驟S307。當讀測試未通過或者讀測試通過但寫測試未通過時，所述第一判斷模組101判斷記憶體13初始化出錯，執行步驟S302。

當記憶體13初始化出錯時，步驟S302，所述調整模組102以預設的規則調整與讀或寫相關的各個參數的值。所述預設的規則是在調整與讀或寫相關的參數時，優先調整占整個讀或寫的總時間的較大權重的參數。

記憶體13初始化出錯包括兩種情況：讀測試未通過或者讀測試通過但寫測試未通過。

當記憶體13初始化出錯是讀測試未通過時，所述調整模組102調整與讀相關的參數，然後執行步驟S303。與讀相關的參數有如下關係式：

Freq(now) = 1/tCK(now)；

tCL(Init) = Ceiling(tCL(min)/tCK(now))；

tRP(Init) = Ceiling(tRP(min)/tCK(now))；

tRCD(Init) = Ceiling(tRCD(min)/tCK(now))；

tRAS(Init) = Ceiling(tRAS(min)/tCK(now))；

△tR1 = tCL/(tCL+tRP+tRCD);

△tR2 = tRCD/(tCL+tRP+tRCD);

△tR3 = tCL/(tCL+tRP+tRCD);

△tR4 = △tR1 + △tR2 + △tR3;

tCL = tCL(Init) + Floor(Nr*△tR3);

tRP = tRP(Init) + Floor(Nr*△tR1);

tRCD = tRCD(Init) + Floor(Nr*△tR2);

tRAS = tRCD(Init) + △tR4。

其中tCK(now)指的是當前一個時鐘週期的時間，t(Init)表示該參數的預設值，△tR1、△tR2以及△tR3表示其對應參數占讀的總體時間的權重，Ceiling()函數是向上取整函數，Floor()函數是向下取整函數。Nr指的是讀測試失敗的次數。

當記憶體13初始化出錯是讀測試通過但寫測試未通過時，所述調整模組102調整與寫相關的參數，然後執行步驟S303。具體的，所述調整模組102先判斷當前的tCWL是否大於等於tCL。若tCWL大於等於tCL，則所述調整模組本次調整僅調整tCWL，然後執行步驟S303。tCWL有如下關係式：

Freq(now) = 1/tCK(now)；

tCWL(Init) = Ceiling(tCWL(min)/tCK(now))；

△tW3 = tCWL/(tRP+tRCD+tWR+tCWL);

tCWL = tCWL(Init) + Floor(Nw*△tW3)。

若tCWL不大於等於tCL，則所述調整模組102調整與寫相關的參數，然後執行步驟S303。與寫相關的參數有如下關係式：

Freq(now) = 1/tCK(now)；

tRP(Init) = Ceiling(tRP(min)/tCK(now))；

tRCD(Init) = Ceiling(tRCD(min)/tCK(now))；

tCWL(Init) = Ceiling(tCWL(min)/tCK(now))；

tWR(Init) = Ceiling(tWR(min)/tCK(now))。

△tW1 = tRP/(tRP+tRCD+tWR+tCWL);

△tW2 = tRCD/(tRP+tRCD+tWR+tCWL);

△tW3 = tCWL/(tRP+tRCD+tWR+tCWL);

△tW4 = tWR/(tRP+tRCD+tWR+tCWL);

tCWL = tCWL(Init) + Floor(Nw*△tW3);

tRP = tRP(Init) + Floor((Nw-(tCWL-tCWL(Init)))*△tW1);

tRCD = tRCD(Init) + Floor(Nw*△tW2);

tWR = tWR(Init) + Floor(Nw*△tW4)。

上述的t(Init)表示該參數的預設值，△tW1、△tW2、△tW3以及△tW4表示其對應參數占寫的總體時間的權重，tCK(now)指的是當前一個時鐘週期的時間，Ceiling()函數是向上取整函數，Floor()函數是向下取整函數。Nw指的是寫測試失敗的次數。

需要說明的是，所述調整模組102在調整讀或寫的參數時，若調整後的參數值高於該參數的最大值，則所述調整模組102將該參數設置為該參數的最大值。例如tRP的最大值是7，若調整模組102按照上述關係式計算得出的tRP大於7，則調整模組102將tRP設置為最大值7。同時所述調整模組102在調整讀與寫的參數時，還會記錄記憶體13讀測試與寫測試的失敗的次數，也即Nr與Nw。

當與讀或寫相關的各個參數被調整後，步驟S303，調整模組102判斷調整後的與讀或寫相關的各個參數的值是否全是各參數的最大值。若調整後的與讀或寫相關的各個參數的值全是各參數的最大值，則執行步驟S304；若調整後的與讀或寫相關的各個參數的值不全是各參數的最大值，則執行步驟S306。

需要說明的是，當與讀或寫相關的各個參數被調整後，所述調整模組102僅判斷調整後的與讀或寫相關的各個參數是否都是各參數的最大值。例如，調整模組102調整了與讀相關的參數，則調整模組102僅判斷與讀相關的參數是否全是各參數的最大值，若與讀相關的各個參數全是各參數的最大值，則無論與寫相關的參數是否都達到最大值，均執行步驟S304。

步驟S304，調整模組102判斷記憶體13的當前頻率是否小於最低值。若記憶體13的當前頻率不小於最低值，則執行步驟S305；若記憶體13的當前頻率小於最低值，則表示無法繼續調整記憶體13的參數，執行步驟S309。

步驟S305，調整模組102降低記憶體13的頻率，並將與讀及寫相關的各個參數都設置為預設值。在本實施例中，所述調整模組102每次將記憶體13的頻率降低一個固定值，例如每次降低1MHz。在其他實施例中，所述調整模組102也可按照其他規則降低記憶體13的頻率。

所述調整模組102將與讀及寫相關的各個參數都設置為預設值，也即有如下關係式：

tCL = tCL(Init) = Ceiling(tCL(min)/tCK(now))；

tRP = tRP(Init) = Ceiling(tRP(min)/tCK(now))；

tRP = tRCD(Init) = Ceiling(tRCD(min)/tCK(now))；

tRAS = tRAS(Init) = Ceiling(tRAS(min)/tCK(now))；

tCWL = tCWL(Init) = Ceiling(tCWL(min)/tCK(now))；

tWR = tWR(Init) = Ceiling(tWR(min)/tCK(now))。

步驟S306，設置模組103以調整後的配置資訊對記憶體的各個參數進行設置，並返回步驟S300，重新初始化記憶體13。

在本實施例中，所述設置模組103還用於記錄調整模組102對記憶體13的參數的調整，以便在後續判斷所述記憶體自檢修正系統10是否調整過記憶體13的配置資訊，以及提醒電子設備1的使用者所進行的具體調整，例如修改頻率為100MHz、修改tRP等。

當記憶體初始化未出錯時，步驟S307，第二判斷模組104試運行初始化後的記憶體13，並判斷試運行是否出錯。若試運行出錯，則執行步驟S308；若試運行未出錯，則執行步驟S309。

所述第二判斷模組104對初始化後的記憶體13進行讀寫測試，並判斷是否出現錯誤。若出現錯誤，則判斷試運行出錯，執行步驟S308；若未出現錯誤，則判斷試運行未出錯，執行步驟S309。

步驟S308，第一提醒模組105以預設的方式提示使用者記憶體初始化過程出錯，流程結束。在本實施例中，所述預設的方式可以是透過蜂鳴器發出特定長短音組成的聲音。

步驟S309，第二提醒模組106判斷記憶體的配置資訊是否被調整過。若記憶體的配置資訊未被調整過，則流程結束；若記憶體的配置資訊被調整過，則執行步驟S310。

步驟S310，第二提醒模組106以預設的方式提醒使用者電子設備1的記憶體的配置資訊被調整過，流程結束。

需要說明的是，步驟S309~S310在一些實施例中可以省略，且在執行步驟S309之前可以執行其他操作，例如BIOS對顯卡進行初始化。在本實施例中，所述預設的方式可以是在電子設備1的顯卡被初始化後，在顯示裝置上顯示對記憶體13的調整，以提醒使用者電子設備1的記憶體13的配置資訊被調整過。在其他實施例中，所述預設的方式也可以是其他方式，例如在音效卡被初始化後，播放聲音以提醒使用者電子設備1的記憶體13的配置資訊被調整過。

最後所應說明的是，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非限制，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神和範圍。

1‧‧‧電子設備

10‧‧‧記憶體自檢修正系統

100‧‧‧獲取模組

101‧‧‧第一判斷模組

102‧‧‧調整模組

103‧‧‧設置模組

104‧‧‧第二判斷模組

105‧‧‧第一提醒模組

106‧‧‧第二提醒模組

11‧‧‧處理器

12‧‧‧儲存裝置

13‧‧‧記憶體

130‧‧‧EEPROM

無

1‧‧‧電子設備

10‧‧‧記憶體自檢修正系統

100‧‧‧獲取模組

101‧‧‧第一判斷模組

102‧‧‧調整模組

103‧‧‧設置模組

104‧‧‧第二判斷模組

105‧‧‧第一提醒模組

106‧‧‧第二提醒模組

11‧‧‧處理器

12‧‧‧儲存裝置

13‧‧‧記憶體

130‧‧‧EEPROM

Claims

一種記憶體自檢修正系統，運行於電子設備中，該系統包括：獲取模組，用於從記憶體的EEPROM中獲取配置串列檢測SPD，並根據SPD對記憶體的各項參數進行設置；第一判斷模組，用於對設置後的記憶體進行初始化，並判斷記憶體初始化是否出錯；調整模組，用於在記憶體初始化出錯時，以預設的規則調整與讀或寫相關的參數的值，並判斷調整後的與讀或寫相關的參數的值是否全是各參數的最大值；設置模組，用於在調整後的與讀或寫相關的參數的值不全是各參數的最大值時，以調整後的配置資訊對記憶體的各個參數進行設置，並重新初始化記憶體；第二判斷模組，用於在記憶體初始化未出錯時，試運行初始化後的記憶體，並判斷試運行是否出錯；及第一提醒模組，用於在試運行出錯時，以預設的方式提示電子設備的使用者記憶體初始化出錯。
如申請專利範圍第1項所述的記憶體自檢修正系統，所述預設的規則是在調整與讀或寫相關的參數時，優先調整占整個讀或寫的總時間的較大權重的參數。
如申請專利範圍第1項所述的記憶體自檢修正系統，所述調整模組還用於在調整後的與讀或寫相關的參數的值全是各參數的最大值時，判斷記憶體的當前頻率是不是最低值，並在記憶體的當前頻率不是最低值時，降低記憶體的頻率並將與讀及寫相關的各個參數都設置為預設值。
如申請專利範圍第3項所述的記憶體自檢修正系統，所述設置模組還用於在降低記憶體的頻率後，以調整後的配置資訊對記憶體的各個參數進行設置，並重新初始化記憶體。
如申請專利範圍第1至4任一項所述的記憶體自檢修正系統，該系統還包括：第二提醒模組，用於在試運行未出錯時，判斷記憶體的配置資訊是否被調整過，並在記憶體的配置資訊被調整過時，以預設的方式提示電子設備的使用者記憶體的配置資訊被調整過。
一種記憶體自檢修正方法，應用於電子設備中，該方法包括：獲取步驟，從記憶體的EEPROM中獲取配置串列檢測SPD，並根據SPD對記憶體的各項參數進行設置；第一判斷步驟，對設置後的記憶體進行初始化，並判斷記憶體初始化是否出錯；調整步驟，在記憶體初始化出錯時，以預設的規則調整與讀或寫相關的參數的值，並判斷調整後的與讀或寫相關的參數的值是否全是各參數的最大值；設置步驟，在調整後的與讀或寫相關的參數的值不全是各參數的最大值時，以調整後的配置資訊對記憶體的各個參數進行設置，並重新初始化記憶體；第二判斷步驟，在記憶體初始化未出錯時，試運行初始化後的記憶體，並判斷試運行是否出錯；及第一提醒步驟，在試運行出錯時，以預設的方式提示電子設備的使用者記憶體初始化出錯。
如申請專利範圍第6項所述的記憶體自檢修正方法，所述預設的規則是在調整與讀或寫相關的參數時，優先調整占整個讀或寫的總時間的較大權重的參數。
如申請專利範圍第6項所述的記憶體自檢修正方法，所述調整步驟還在調整後的與讀或寫相關的參數的值全是各參數的最大值時，判斷記憶體的當前頻率是不是最低值，並在記憶體的當前頻率不是最低值時，降低記憶體的頻率並將與讀及寫相關的各個參數都設置為預設值。
如申請專利範圍第8項所述的記憶體自檢修正方法，所述設置步驟還在降低記憶體的頻率後，以調整後的配置資訊對記憶體的各個參數進行設置，並重新初始化記憶體。
如申請專利範圍第6至9任一項所述的記憶體自檢修正方法，該方法還包括：第二提醒步驟，在試運行未出錯時，判斷記憶體的配置資訊是否被調整過，並在記憶體的配置資訊被調整過時，以預設的方式提示電子設備的使用者記憶體的配置資訊被調整過。