TWI553023B - 基板膠組合物及封裝晶片之加工方法 - Google Patents

Description

基板膠組合物及封裝晶片之加工方法

本發明係關於一種可固化之基板膠組合物，且特別關於一種適用於封裝晶片之基板膠組合物，其有助於封裝晶片之後續鍍膜製程的實施，藉以形成具有改良的電磁波屏蔽效應之電子裝置。

隨著無線通訊技術的快速發展與規格的不斷進化，各種不同的無線技術不論是全球行動通訊系統、全球衛星定位系統、無限區域網、藍芽等已日益普及。然而，當無線通訊技術在導入各式電子裝置與應用領域時，必須考慮到雜訊及電磁干擾(electro-magneticinterference，EMI)與電磁相容(EMC)等問題，以避免相關功能受到干擾而產生訊號劣化、影響其正常運作。此外，由於形成電磁干擾的原因相當多，加上近來多數醫學研究報告不斷釋出電磁波對人體影響的相關論述，也讓越來越多人開始重視電磁波處理的相關議題。

利用金屬屏蔽是處理電磁干擾最直接有效的方式。電磁屏蔽是指在空間內，以具導電或導磁性能的材質，直接將高頻或是易受電磁干擾的元件、設備包覆起來，用以削弱電磁場的影響，藉此提高設備、元件的抗干擾能力。屏蔽的目的在於把干擾源隔絕在屏蔽外、或是將易產生干擾的射頻、高頻元件，將產生的輻射干擾減到可接受的 範圍。

於電子裝置中之封裝晶片上形成電磁波屏蔽材料，可以大幅增強電子裝置的電磁波屏蔽功能。一般封裝晶片為了具有電磁波屏蔽作用，通常於晶片表面鍍上如銅及鎳之金屬膜來遮蔽電磁波外洩或干擾，以改善雜訊、電磁干擾及電磁相容等問題。現有技術中，封裝晶片對電磁干擾的防護方式是使用一基材，將封裝晶片以膠帶貼附於基材上，接著進行去膠渣(desmear)製程，去膠渣製程通常是使用含有膨鬆劑及除膠渣劑等具有強鹼性的組合物以將封裝晶片表面粗化，使其具有更好的附著表面，最後再於封裝晶片表面以化鍍/電鍍形成金屬層。然而，由於膠帶的耐化性不佳，無法承受去膠渣製程所使用的強鹼性組合物，因此，習知通常只能利用不需先進行去膠渣製程的蒸鍍(evaporation)或濺鍍(sputtering)的方式，以於封裝晶片表面形成金屬膜。然而，蒸鍍及濺鍍的成本高，且鍍膜速度極慢又不容易均勻，另外，用濺鍍法來鍍金屬膜，其金屬的密著性不佳，故產率不高。

有鑑於此，目前仍需求一種具有優良的電磁屏蔽效應以符合國際安規要求、製程簡單且品質良好之電子裝置及其製備方法，以符合現今需求。

於電子裝置中之封裝晶片上形成電磁波屏蔽材料，可以大幅增強電子裝置的電磁波屏蔽功能。然而，如何於一般市售購得之單顆封裝晶片的表面及側面上形成附著良好的電磁波屏蔽材料，以形成具有高良率、低成本且可用於量產之具優良電磁屏蔽效應的封裝晶片是一大難題。

本發明之主要目的在於提供一種可固化之基板膠組合物，其具有良好的耐化性，因此具有耐受去膠渣製程所使用之酸、鹼性藥劑的特性，有助於封裝晶片之後續鍍膜製程的實施。本發明之基板膠組合 物亦具有對基材比對封裝晶片更大黏力的黏著性，因此可容易地將封裝晶片自基材剝除，且基板膠組合物具有良好的堅韌性，其柔軟不易斷裂，可以有效避免晶片剝除時容易產生的殘膠問題。

本發明之另一目的在於提供一種封裝晶片之加工方法，其係使用上述可耐受去膠渣製程的基板膠組合物，因此可於封裝晶片之表面及側面上形成密著性良好的金屬鍍膜層，使封裝晶片具有優良的電磁屏蔽效應。

10‧‧‧基材

12‧‧‧圍堤

14‧‧‧膠液

16‧‧‧封裝晶片

18‧‧‧銅層

20‧‧‧鎳層

A‧‧‧紅線

h₁‧‧‧圍堤之高度

h₂‧‧‧晶片側面上之紅線高度

圖1A至1F係本發明之封裝晶片之加工方法的流程圖。

在本文中，除非特別限定，單數形「一」和「該」亦包括其複數形。本文中任何和所有實施例和例示性用語(「例如」和「如」)目的僅為了更加突顯本發明，並非針對本發明的範圍構成限制，本案說明書中的用語不應被視為暗示任何未請求的方法及條件可構成實施本發明時的必要特徵。

基板膠組合物

本發明之基板膠組合物主要包含以組合物總重量計之以下組份：約30重量%至約70重量%之丙烯酸酯類寡聚物、約10重量%至約60重量%之丙烯酸類單體、約0.1重量%至約30重量%之光起始劑及約0.5重量%至約30重量%之交聯劑，其中該交聯劑之重量平均分子量係大於約400，且具有3個以上之丙烯酸酯官能基團。

丙烯酸酯類寡聚物

在本發明中，丙烯酸酯類寡聚物係包含具有一或多個官能基之(甲基)丙烯酸酯類寡聚物。本發明中之(甲基)丙烯酸酯類係指甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯的總稱。適用於本發明之丙烯酸酯類寡聚物的種類例如但不限於：聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯，如脂肪族聚胺基甲酸 酯(甲基)丙烯酸酯、芳香族聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、脂肪族聚胺基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯、芳香族聚胺基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯、矽氧烷聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(siliconized polyurethane(meth)acrylate)、脂肪族聚胺基甲酸酯六(甲基)丙烯酸酯、芳香族聚胺基甲酸酯六(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯，如雙酚A環氧二(甲基)丙烯酸酯、酚醛環氧(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯，如聚酯二(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸酯寡聚物；或彼等之混合物。根據本發明，丙烯酸酯類寡聚物較佳為聚胺基甲酸酯丙烯酸酯。

適用於本發明之市售丙烯酸酯類寡聚物包括：由長興公司生產，商品名為6101-100、611A-85、6112-100、6113、6114、6123、6131、6144-100、6145-100、6150-100、6160B-70、621A-80、621-100、EX-06、6315、6320、6323-100、6325-100、6327-100、6336-100或6361-100；由Sartomer公司生產，商品名為CN9001、CN9002、CN9004、CN9006、CN9014、CN9021、CN963J75、CN966J75、CN973J75、CN962、CN964、CN965、CN940、CN945或CN990等。

根據本發明，丙烯酸酯類寡聚物之用量係本發明所屬技術領域中具有通常知識者能輕易選擇及調整者，例如但不限於，以組合物總重量計為約30重量%至約70重量%，較佳為約35重量%至約65重量%，更佳為約40重量%至約60重量%。上述用量可以包含其範圍內任意數值之較小範圍，如約37重量%至約55重量%或約48重量%至約67重量%。

丙烯酸類單體

本發明之組合物包含丙烯酸類單體，其可進一步提供密著功效。丙烯酸類單體之種類例如但不限於：(甲基)丙烯酸類單體、(甲基)丙烯酸酯類單體或其混合物，較佳為(甲基)丙烯酸酯類單體。

適用於本發明之丙烯酸類單體可選自，但不限於，由甲基丙烯 酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、2-苯氧基乙基丙烯酸酯、乙氧化2-苯氧基乙基丙烯酸酯、2-(2-乙氧基乙氧基)乙基丙烯酸酯、環三羥甲基丙烷甲縮醛丙烯酸酯(cyclic trimethylolpropane formal acrylate)、β-羧乙基丙烯酸酯、月桂酸甲基丙烯酸酯、異辛基丙烯酸酯、硬脂酸甲基丙烯酸酯、異癸基丙烯酸酯、異冰片基甲基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯磷酸酯、丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、3-羥-2,2-二甲基丙酸3-羥-2,2-二甲基丙酯二丙烯酸酯、乙氧化1,6-己二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、乙氧化二丙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、丙氧化新戊二醇二丙烯酸酯、乙氧化雙酚A二甲基丙烯酸酯、2-甲基-1,3-丙二醇二丙烯酸酯、乙氧化-2-甲基-1,3-丙二醇二丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰脲酸三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、乙氧化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、雙-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、丙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、三丙二醇二甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、烯丙基化二甲基丙烯酸環己酯(allylated cyclohexyl dimethacrylate)、二甲基丙烯酸異氰脲酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、丙氧基化甘油三甲基丙烯酸酯、三(丙烯氧乙基)異氰脲酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯及其混合物所組成之群組。

在本發明之較佳實施態樣中，丙烯酸類單體包含異冰片基甲基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、2-甲基-1,3-丙二醇二丙烯酸酯、乙氧化-2-甲基-1,3-丙二醇二丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二丙烯酸酯或其組合。

適用於本發明之市售丙烯酸類單體包括：由長興公司生產，商品名為EM223、EM328、EM2308、EM231、EM219、EM90、EM70、EM235、EM2381、EM2382、EM2383、EM2384、EM2385、EM2386、EM2387、EM331、EM3380、EM241、EM2411、EM242、EM2421或EM265等；由新中村生產，商品名為AM-30G、A-200、APG-100、LA或A-BPE-30等；由Hitachi生產，商品名為FA-512M、FA511-AS或FA-513M等；由Osaka生產，商品名為TBA、NOAA或STA等。

根據本發明，丙烯酸類單體之用量係本發明所屬技術領域中具有通常知識者能輕易選擇及調整者，例如但不限於，以組合物總重量計為約10重量%至約60重量%，較佳為約20重量%至約50重量%，更佳為約25重量%至約45重量%。上述用量可以包含其範圍內任意數值之較小範圍，如約18重量%至約48重量%或約32重量%至約56重量%。

光起始劑

本發明組合物所包含之光起始劑並無特殊限制，是經光照射後會產生自由基，而透過自由基起始聚合反應者。因此，本發明組合物係為一種可固化之黏著組合物。本發明組合物可包含一或多種光起始劑，較佳包含兩種以上之光起始劑，以提供組合物更佳的固化效果，且可減少殘膠現象，提升去膠渣製程的良率。

適用於本發明之光起始劑係本發明所屬技術領域中具有通常知識者所習知者，其例如但不限於：二苯甲酮、二苯乙醇酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物、或彼等之混合物。較佳之光起始劑係二苯甲酮、1-羥基環己基苯基酮或2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物。

根據本發明，光起始劑之用量係本發明所屬技術領域中具有通常知識者能輕易選擇及調整者，例如但不限於，以組合物總重量計為約0.1重量%至約30重量%，較佳為約1重量%至約10重量%。上述光起始劑之用量可以包含其範圍內任意數值之較小範圍，如約2重量%至約6重量%或約12重量%至約22重量%。

交聯劑

交聯劑是一種有機物質，其係以物理方式與聚合物結合產生均勻相，用以增加聚合物之柔軟度及可撓性。本案發明人經大量研究後發現，於本發明組合物中使用具有多官能基及高分子量之交聯劑，使得組合物固化後可形成具有高交聯度及增加的內聚力(cohesion)、堅韌性及耐化性之塗膜。因為該塗膜具有高交聯度，因此耐化性佳，符合去膠渣製程的要求(耐受酸、鹼性藥劑的特性)，且因具有優良的內聚力和堅韌性，故塗膜容易撕除且不殘留。

在本發明之一實施態樣中，交聯劑必需具有3個以上之官能基團，較佳為丙烯酸酯官能基團，且其重量平均分子量必需大於400，較佳為具有4個以上之丙烯酸酯官能基團及大於500之重量平均分子量，更佳為具有6個以上之丙烯酸酯官能基團及大於600之重量平均分子量。在本發明中，只要符合上述條件，交聯劑之種類並無特殊限制，其例如但不限於：丙氧化甘油三丙烯酸酯、乙氧化三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、脂肪族聚胺基甲酸酯丙烯酸酯、芳香族聚胺基甲酸酯丙烯酸酯或其組合。

適用於本發明之市售脂肪族聚胺基甲酸酯丙烯酸酯與芳香族聚胺基甲酸酯丙烯酸酯交聯劑包括：由長興公司生產，商品名為DR-U026、DR-U010、DR-U006-1、6158B-80、6134B-80、6130B-80、DR-U124、DR-U503、DR-U502、DR-U037、DR-U029、DR-U029- 1、DR-U025、6170、DR-U591、DR-U129、DR-U123、DR-U905、DR-U076、DR-U024、ER-U012、DR-U011、5105A、5105C、6197、6197H、6196-100、6195-100、6161-100、6150-100、6147、6146-100、6145-100H、6145-100或6103等；由新中村生產，商品名為UA-7000、U-4H、UA-2235PE、UA-511、UA-340P、U-15HA或UA-W2等；由Sartomer生產，商品名為CN9021或CN8004等。

在本發明之較佳實施態樣中，交聯劑係選自由二季戊四醇六丙烯酸酯、由長興公司生產之商品名為DR-U591、DR-U129、DR-U123、DR-U905、DR-U076、DR-U024、ER-U012、DR-U011、5105A、5105C、6197、6197H、6196-100、6195-100、6161-100、6150-100、6147、6146-100、6145-100H、6145-100、6103及其組合所組成之群。

根據本發明，交聯劑之用量以組合物總重量計，為約0.5重量%至約30重量%，較佳為約1重量%至約20重量%，更佳為約2重量%至約15重量%。上述交聯劑之用量可以包含其範圍內任意數值之較小範圍，如約4重量%至約16重量%或約6重量%至約12重量%。當交聯劑之用量太低時(例如低於0.5重量%)，晶片於基材上剝除會容易產生殘膠，需再額外去除晶片殘膠，不但增加製程工序及成本，且會破壞晶片的電鍍品質；而當交聯劑之用量太高時(例如高於30重量%)，則無法耐受去膠渣製程，造成基板膠組合物之耐化性不佳，無法有效固定晶片，導致晶片剝離或電鍍效果不良。

其他組份

本發明之基板膠組合物可進一步包含乙烯基吡咯單體，其可提升基板膠之內聚力，且不影響其耐化性，可有效避免晶片剝除時的殘膠問題。根據本發明，乙烯基吡咯單體之用量係本發明所屬技術領域中具有通常知識者能輕易選擇及調整者，例如但不限於，以組合物總 重量計為約10重量%至約50重量%，較佳為約15重量%至約40重量%，更佳為約15重量%至約30重量%。上述含量可以包含其範圍內任意數值之較小範圍，如約18重量%至約25重量%。

本發明之基板膠組合物可視需要另包含本發明所屬技術領域中具有通常知識者已知之任何添加劑，其例如但不限於消泡劑、鏈轉移劑、流平劑、共起始劑(coinitiator)、增敏劑、偶合劑、分散劑、潤濕劑、增稠劑、抗黃變劑、搖變劑或密著促進劑等。

適用於本發明中之消泡劑並無特殊限制，其例如但不限於矽類消泡劑(如道康寧公司生產之商品名為DC65)、分子類消泡劑或其組合，較佳為矽類消泡劑。消泡劑之用量例如但不限於以組合物總重量計為約1重量%至約20重量%，較佳為約2重量%至約15重量%，更佳為約3重量%至約10重量%。

上述鏈轉移劑，可用於調節基板膠組合物之分子量，提升內聚力，並幫助解決殘膠問題，而且於固化時，可增加基板膠組合物固化的程度以及與基材之間附著力，進而減少粗化時側蝕(under cut)的狀況。

適用於本發明的鏈轉移劑例如，但不限於，不飽和或飽和鹵代烴、硫醇化合物、酯類、醛類、縮醛類等。根據本發明之一具體實施方式，鏈轉移劑為硫醇化合物、鹵代烷或其組合；上述硫醇化合物其種類並無特殊限制，例如但不限於脂肪族硫醇、十二烷基硫醇或其組合，較佳為脂肪族硫醇。適用於本發明之市售鏈轉移劑可選自但不限於由Sakai生產之商品名為BMPA、EHMP、STMP、TMMP、TEMPIC、DTDPA、EGMP-4等；由Kawasaki Kasei生產之商品名為QE-3124、QE-2014等；由三旺生產之商品名為IOMP等；由Huayi生產之商品名為Adjuster D等。鏈轉移劑之用量例如但不限於以組合物總重量計為約0.1重量%至約20重量%，較佳為約1重量%至約20%，更 佳為約5%至約15%。

適用於本發明中之流平劑可用於降低組合物之表面張力、提高其流平性與均勻性，改善操作便易性，及改善殘膠問題等，其種類並無特殊限制，例如但不限於有機矽型或丙烯酸酯型流平劑，較佳為丙烯酸酯型流平劑。適用於本發明之市售流平劑可選自但不限於由畢克化學生產之商品名為BYK-306、BYK-333、BYK-358N、BYK-323、BYK-331、BYK-354、BYK-300、BYK410、BYK3510等。流平劑用量以組合物總重量計為約1至約20%，較佳為約2至約15%，更佳為約3至約10%。上述其他組份之各別用量係本發明所屬技術領域中具有通常知識者可視需要輕易選擇者，且可以包含其範圍內任意數值之較小範圍。

基板膠組合物之應用

本發明之基板膠組合物可用於封裝晶片之加工，且特別用於封裝晶片之後續鍍膜製程，作為封裝晶片之電鍍貼合。因此，本發明另提供一種封裝晶片之加工方法，其包含提供一基材，於該基材上形成具有預定圖案之圍堤(circle levee)，於預定圖案中注入上述之基板膠組合物，將晶片放置於基材之預定圖案上，及將基板膠組合物固化。

在本發明中，術語「封裝晶片」係指經封裝後之晶片，其例如，但不限於用於電子裝置中之系統單晶片(SoC)。根據本發明之一具體實施態樣，封裝晶片的側面，通常為每一側面，於封裝後、出廠時即標示有紅線，該紅線之上方係用於鍍覆金屬膜，而紅線以下係用於塗佈液態膠以將晶片固定。

在本發明中，術語「預定圖案」係指欲實施本發明方法之技藝人士可視封裝晶片之形狀、尺寸及數量而選擇及設定，以於基材上形成之圍堤的圖案(pattern)。

在本發明中，術語「注入基板膠組合物」係指於基材之預定圖 案中注入足夠量、可填充圍堤之間的凹槽之可固化的基板膠組合物之步驟。此外，可視需要後續以刮刀將高於圍堤之膠液移除，以去除過多的膠液。

圖1A至1F係為本發明之加工方法的流程圖。

如圖1A至1D所示，本發明方法係先提供一基材10，於該基材10上形成具有預定圖案之圍堤12，於預定圖案中注入可固化之膠液14，將封裝晶片16放置於基材10之預定圖案上，及將膠液14固化，形成塗膜以固定封裝晶片。

在本發明中，基材係為各種適合的基材，例如，但不限於硬性基材或可撓性基材。該硬性基材可為印刷電路板，然而，使用硬性基材，會於後續製程中造成封裝晶片較不易剝除，且容易於剝除過程損傷鍍膜。較佳的基材為可撓性基材，該可撓性基材可選自由薄玻璃基材、金屬薄基材及塑膠基材所組成之群。根據本發明之一較佳實施態樣，該可撓性基材選用塑膠基材，其種類可為任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者所熟知之高分子材料，例如：聚酯樹脂，如聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯；聚丙烯酸酯樹脂，如聚甲基丙烯酸甲酯；聚烯烴樹脂，如聚乙烯或聚丙烯；聚環烯烴樹脂；聚苯醚碸樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚矽氧烷樹脂；聚醚醯亞胺樹脂；聚醯亞胺樹脂或其組合。本發明之基材較佳為聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂或其組合。根據本發明之一較佳實施態樣，該塑膠基材為聚對苯二甲酸乙二酯。

上述基材的厚度係為本發明所屬技術領域中具有通常知識者可依封裝晶片寸進行調整，例如，但不限於約50微米至約500微米。上述基材之厚度可以包括其範圍內任意數值之較小範圍，如約100微米至約500微米。在本發明之較佳實施態樣中，可使用具有約250微米之可撓性基材，如PET基材，使得後續鍍膜及雷射裁切製程完成後，可 以無需使用如吸盤等工具，藉由可撓性基材可彎曲的特性，直接將封裝晶片自基材剝離，較不易損傷封裝晶片，且經剝離的封裝晶片不會殘留膠液固化後的塗膜，可直接用於電子裝置之後續的組裝製程。

在本發明中於基材上形成圍堤之方法包含：藉由網版印刷(screen printing)方法將基板膠組合物塗佈於基材上以形成具有預定圖案之膠層，接著將膠層固化以形成圍堤。網版印刷技術對於可固化之膠液之黏度及流動性具有較嚴格之要求，因此，生產速度較快，並可降低成本。一般而言，可根據網版印刷的網版篩目數，決定所需可固化之膠液的黏度數值範圍。根據本發明之一實施態樣，本發明網版印刷所使用的網版，係具有約80至約230之篩目，較佳為約120至約180篩目的網格大小，且可固化之膠液較佳具有約500cps至約5,000cps之黏度，及最佳具有約1,000cps至約3,500cps之黏度。上述網格大小及可固化之膠液的黏度可以包括其範圍內任意數值之較小範圍。

在本發明之另一實施態樣中，亦可藉由沖床(punch)方法以於基材中形成具有預定圖案之凹槽，使得突出之基材形成圍堤。在本發明之再一實施態樣中，形成圍堤之方法包含形成一乾膜於該基材上，將一光罩設置於該乾膜上方，以及利用微影蝕刻製程，形成具有預定圖案之圍堤。

上述具預定圖案之圖案形狀並無特定圖形化形式，主要是分佈於封裝晶片之外圍形成一封閉型之圖案，例如，以類似框架(frame-like)之形式存在。上述圖案形狀並無特殊限制，例如可為正方形、長方形、梯形、菱形(rhombus)、圓形、橢圓形(elliptical)等，考量裁切，以正方形或長方形為較佳。

在本發明之一較佳實施態樣中，圍堤係由可固化，且可抵抗後續去膠渣製程所使用之強鹼性藥劑的第一膠液所形成，第一膠液與用 於注入基材之預定圖案中的可固化膠液(另稱第二膠液，即本發明之基板膠組合物)可相同或不相同，較佳為具有相同的組成份。

本發明之圍堤可用於調整第二膠液塗佈於晶片側面之高度。根據本發明之一具體實施態樣，本發明所使用之封裝晶片的側面會標示紅線(請參閱本案圖1D至1F，封裝晶片16之側面上的線A)，紅線之上方需全部鍍覆金屬膜層，以達到最佳的電磁屏蔽功效，而紅線以下塗佈第二膠液以將晶片放置於基材上。如圖1D所示，由於本發明方法係使用液態膠來固定封裝晶片，因此當封裝晶片置於基材之預定圖案上時，在預定圖案中的液態膠會稍微溢出，使得在封裝晶片側面之第二膠液之高度h₂會略高於圍堤的高度h₁。因此，圍堤的高度h₁必需要比晶片之紅線高度h₂略低，以免當第二膠液溢出時會超過晶片之紅線高度。

圍堤之高度係本發明所屬技術領域中具有通常知識者視不同的封裝晶片之厚度而選擇者，其標準為能將塗佈於晶片側面的液態膠控制在不超過紅線，以將封裝晶片有效固定於基材上，減少後續製作過程中因基材移動而產生金屬鍍膜不均勻即可。在本發明之具體實施態樣中，圍堤之高度為晶片厚度之約2%至約4%，較佳為晶片厚度之約2.5%至約3.5%。上述圍堤之高度可以包括其範圍內任意數值之較小範圍。舉例言之，當使用厚度為約2毫米(mm)之封裝晶片時，該圍堤之高度分佈落於約40微米至約80微米之範圍內。當圍堤的高度低於約2%之晶片厚度時，由於晶片側面的膠液量不足，因此無法有效固定晶片，因此在進行後續粗化製程時，晶片容易脫落；而當圍堤的高度高於約4%之晶片厚度時，造成晶片側面的液態膠範圍會高於紅線，即晶片側面的膠液高度比例過大，使得後續進行鍍膜製程時，晶片側邊的金屬膜會包覆不足，無法達到優異的電磁波屏蔽作用。

另外，將液態膠固化的方式係本發明所屬技術領域中具有通常 知識者所熟知者，其例如，但不限於能量射線固化等固化方式。上述能量射線係指一定範圍波長之光源，例如紫外光(UV)、紅外光、可見光或高能射線(電子束)等。照射強度可為自約500至約5,000毫焦耳/平方公分(mJ/cm²)，較佳係自約2,000至約4,000mJ/cm²。根據本發明之一具體實施方式，液態膠固化方法為UV光固化。

如圖1E至1F所示，本發明之加工方法除了以上步驟以外，另包含利用去膠渣製程，將封裝晶片16之表面及側面(線A以上)粗化，於經粗化之封裝晶片16上形成至少一金屬膜層18及20，該金屬膜層作為電磁屏蔽層(shield layer)，在該屏蔽層製造完成後，沿著封裝晶片16或在其外圍(如箭頭虛線所示)進行雷射裁切，故稍微彎曲可撓性基材，即可輕易將基材10與封裝晶片16剝離。

在本發明方法中，去膠渣製程(亦稱粗化步驟)係本發明所屬技術領域中具有通常知識者所熟知及瞭解者，其目的在於將封裝晶片暴露於外之表面及側面粗糙化，形成更好的附著表面，以加強後續形成的金屬表面與封裝晶片之間的結合力。粗化步驟根據產品的形狀、材質、粗糙度的大小，可採用噴砂或化學砂面處理。化學砂面處理可採用如鹼或有機酸紋理蝕刻的方式進行。

根據本發明，作為電磁屏蔽材料的金屬膜層係為本發明所屬技術領域中具有通常知識者所熟知者，例如，但不限於銅、銀或鋁。該電磁屏蔽材料層係用於杜絕電磁干擾及消除雜訊，通常厚度具有約20微米至約200微米，較佳30微米至約80微米之厚度；上述金屬膜層之厚度亦可包括其範圍內任意數值之較小範圍。此外，本發明方法亦可於電磁屏蔽材料層上，可視需要，另形成一金屬膜層以作為保護層，例如，但不限於鎳層，以用於防止電磁屏蔽材料層的氧化。該保護層之厚度係本發明所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易選擇者，只 要能完整遮蔽電磁屏蔽材料層即可。形成金屬膜層之方法亦為本發明所屬技術領域中具有通常知識者所熟知者，例如，但不限於電鍍、化學鍍、沈積、塗佈或印刷方式。在本發明方法之較佳實施態樣中，係先以化學鍍於經粗化之封裝晶片上先附著一層薄薄的銅層(約1微米至約10微米)，接著以電鍍將銅層增厚至所需厚度(約10微米至約100微米)，再以化學鍍於銅層上形成一層薄薄的鎳層(約1微米至約10微米)。

本發明方法於封裝晶片上形成金屬膜層後，接著進行雷射裁切以去除多餘的金屬膜層，再將基材與具金屬膜層之封裝晶片剝離，從而完成所需之具有電磁屏蔽材料的封裝晶片。在本發明中，將基材與具金屬膜層之封裝晶片剝離的方式係本發明所屬技術領域中具有通常知識者熟知者，例如，但不限於以吸盤、手或其他工具直接剝離。

以下實施例係例舉說明本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以所附之申請專利範圍為準。

[實施例] 製備流程：

根據以下描述的方式製備本發明之實例組合物(E1至E10)及比較例組合物(C1至C5)的膠液，其組成如表1及表2所列。

首先，將各組份以表1及表2所列的重量百分比混合，在室溫及暗室中，進行攪拌至完全混合均勻，以形成可光固化的基板膠組合物。

a：丙烯酸酯類寡聚物(聚胺基甲酸酯丙烯酸酯；長興公司生產，6112-100)

b：丙烯酸類單體(異癸基丙烯酸酯；長興公司生產，EM219)

c1：光起始劑(1-羥基環己基苯基酮；BASF公司生產，Irgacure 184)

c2：光起始劑(PI TPO；長興公司生產)

d1：交聯劑(FA-124AS，Hitachi生產，其具有198之重量平均分子量及2個官能基團)

d2：交聯劑(FA-P270A，Hitachi生產，其具有823之重量平均分子量及2個官能基團)

d3：交聯劑(季戊四醇四丙烯酸酯，長興公司生產，其具有352之重量平均分子量及4個官能基團)

d4-1：交聯劑(乙氧化三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯)

d4-2：交聯劑(二季戊四醇六丙烯酸酯)

d4-3：交聯劑(丙氧化甘油三丙烯酸酯)

d4-4：交聯劑(乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯)

d4-5：交聯劑(脂肪族聚胺基甲酸酯丙烯酸酯)

e1：鏈轉移劑(鹵代烷)

e2：鏈轉移劑(脂肪族硫醇)

f：乙烯基吡咯單體

上述a-f之純度均大於99%。

測試流程：

分別使用上述所製得之實例組合物E1至E10及比較例組合物C1至C5，以於基材上形成具有預定圖案之圍堤；於預定圖案中分別注入E1至E10與C1至C5之基板膠組合物；將封裝晶片放置於基材之預定圖案上，然後將基板膠組合物固化形成塗膜以固定封裝晶片；接著進行去膠渣製程以將封裝晶片之表面及側面粗化；於經粗化之封裝晶片上形成至少一金屬鍍膜層；進行雷射裁切；及將基材與具金屬鍍膜層之 封裝晶片剝離。以目視檢測進行去膠渣製程後之封裝晶片的狀態，並以目視檢測自基材剝離之封裝晶片的殘膠狀況，檢測結果如表3及表4所示。

去膠渣(耐化性)：

◎表示基板膠組合物固化形成的塗膜未被去膠渣製程所侵蝕，故封裝晶片和基材良好黏著

X表示基板膠組合物固化形成的塗膜些微被侵蝕，故封裝晶片和基材有輕微剝離的現象

XX表示基板膠組合物固化形成的塗膜明顯被侵蝕，故封裝晶片以自基材剝落

殘膠：

○表示沒殘膠

△表示輕微殘膠

X表示殘膠明顯

XX表示殘膠非常明顯

由表3結果可知，本發明之基板膠組合物E1至E10，由於包含的交聯劑之重量平均分子量大於約400，且具有3個以上之丙烯酸酯官能基團，所以耐化性佳，符合去膠渣製程的要求；且由表3結果可知，基板膠組合物E3、E5和E10，由於包含乙烯基吡咯單體，故可更有效改善殘膠問題。

此外，由表4結果證實，包含其他交聯劑，即具有不大於約400之重量平均分子量及/或不具有3個以上之丙烯酸酯官能基團之交聯劑的基板膠組合物C1至C5，皆無法通過去膠渣製程的要求，且會產生嚴重的殘膠問題。

綜上所述，本發明之包含特定組份的基板膠組合物具有良好的耐化性，可耐受去膠渣製程，因此有助於封裝晶片之後續鍍膜製程的實施。此外，本發明之基板膠組合物具有良好的堅韌性，其柔軟不易斷裂，可以避免晶片剝除時容易產生的殘膠問題。使用本發明之基板膠組合物，配合特定的加工方法，調整晶片側面的液態膠高度，可將單顆的封裝晶片良好固定於基材上，以利後續於封裝晶片之表面及側面上形成電磁波屏蔽材料之金屬膜層，藉此形成具有電磁波屏蔽效應之封裝晶片，且在封裝晶片形成電磁屏蔽層後，可輕易將封裝晶片自 基材上分離。相較於傳統僅於機殼或電路板上形成金屬屏蔽層之電子裝置，使用本發明之封裝晶片的電子裝置，具有更優異的電磁波屏蔽作用。另外，本發明之封裝晶片的加工方法不但製程簡單，且可提供具有高良率、低成本及優異電磁波屏蔽作用並可用於量產之封裝晶片，可廣泛應用於手機、機上盒(set-top box)、汽車無線通訊、無線射頻遙控器、手機、個人數位助理器(PDA)或個人電腦中等多種領域中。

熟習此項技術者將明白在不脫離本發明之範疇或精神的情況下可對本發明之結構作出各種修改及變化。鑒於前述內容，本發明意欲涵蓋本發明之修改及變化，限制條件為其屬於以下申請專利範圍及其等效物之範疇內。

10‧‧‧基材

12‧‧‧圍堤

14‧‧‧膠液

16‧‧‧封裝晶片

A‧‧‧紅線

h₁‧‧‧圍堤之高度

h₂‧‧‧晶片側面上之紅線高度

Claims (8)

1. 一種基板膠組合物，其包含以組合物總重量計：約30重量%至約60重量%之丙烯酸酯類寡聚物；約20重量%至約50重量%之丙烯酸類單體；約0.1重量%至約30重量%之光起始劑；及約10重量%至約50重量%之乙烯基吡咯單體；約0.5重量%至約30重量%之交聯劑；其中該交聯劑之重量平均分子量係大於約400，且具有3個以上之丙烯酸酯官能基團。
2. 如請求項1之基板膠組合物，其中該交聯劑係選自由丙氧化甘油三丙烯酸酯、乙氧化三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、脂肪族聚胺基甲酸酯丙烯酸酯、芳香族聚胺基甲酸酯丙烯酸酯及其組合所組成之群。
3. 如請求項1之基板膠組合物，其中該交聯劑之含量為約1重量%至約20重量%。
4. 如請求項1之基板膠組合物，其進一步包含鏈轉移劑。
5. 如請求項4之基板膠組合物，其中該鏈轉移劑係選自由脂肪族硫醇、十二烷基硫醇、鹵代烷及其組合所組成之群。
6. 如請求項4之基板膠組合物，其中該鏈轉移劑之含量以組合物總重量計為約0.1重量%至約20重量%。
7. 如請求項1至6中任一項之基板膠組合物，其係用於封裝晶片之加工。
8. 一種封裝晶片之加工方法，其包含：提供一基材； 於該基材上形成具有預定圖案之圍堤；於該預定圖案中注入如請求項1之基板膠組合物；將該晶片放置於該基材之預定圖案上；及將該基板膠組合物固化。