TWI552886B - 電子裝置外殼及其採用之立體圖案結構 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種立體圖案結構，特別涉及一種形成於外殼表面之具有複數角度反射效果之立體圖案結構及具有該立體圖案結構之電子裝置外殼。
為了標識或美觀，電子裝置外殼愈來愈複數地形成有3D圖案。為在外殼表面形成3D圖案，業界一般採用鐳射雕刻方法。鐳射雕刻方法中，高能量光線依預設之圖案蝕刻外殼表面，從而形成3D圖案。然而，採用鐳射雕刻方法形成之3D圖案層次單一，較難複數角度反射光線，3D效果較差。
鑒於上述狀況，有必要提供一種具有可複數角度反射光線之立體圖案結構之電子裝置外殼，還有必要提供上述立體圖案結構。
一種電子裝置外殼，其包括殼體及形成於殼體表面之立體圖案結構。立體圖案結構包括底紋及第一面紋。底紋形成於殼體表面，底紋包括複數條第一凸起，每一第一凸起包括二相互傾斜之第一側面，第一面紋形成於部分底紋之第一凸起上，第一面紋包括複數第一凸部，每一第一凸部與對應之第一凸起之間形成交接面，每一第一凸部包括二相交之第二側面，每一第一凸部之每一第二
側面與相應之第一凸起之相應第一側面相連接並形成夾角，夾角大於90度小於180度，該立體圖案結構還包括第二面紋，該第二面紋形成於至少部分該第一面紋上。
一種立體圖案結構，其包括底紋及第一面紋。底紋包括複數條第一凸起，每一第一凸起包括二相互傾斜之第一側面，第一面紋形成於部分底紋之第一凸起上，第一面紋包括複數第一凸部，每一第一凸部與對應之第一凸起之間形成交接面，每一第一凸部包括二相交之第二側面，每一第一凸部之每一第二側面與相應之第一凸起之相應第一側面相連接並形成夾角，夾角大於90度小於180度，該立體圖案結構還包括第二面紋，該第二面紋形成於至少部分該第一面紋上。
由於第二側面與相應之第一側面之間形成夾角，且夾角大於90度小於180度，光線照射在立體圖案結構後，分別在第一側面與第二側面發生反射，且反射方向不同，使立體圖案結構能夠複數角度反射光線，3D效果較佳。
100，200‧‧‧電子裝置外殼
10，50‧‧‧立體圖案結構
11‧‧‧底紋
110‧‧‧溝槽
1102‧‧‧谷底
112‧‧‧第一凸起
1120‧‧‧第一側面
1121‧‧‧第一凸峰
13，53，55‧‧‧面紋
131，551‧‧‧凸部
1311‧‧‧交接面
1313，533‧‧‧第二側面
1315‧‧‧第二凸峰
5511‧‧‧第三側面
30‧‧‧殼體
圖1係本發明第一實施方式之電子裝置外殼之底紋之局部剖面示意圖。
圖2係本發明第一實施方式之電子裝置外殼之局部剖面示意圖。
圖3係本發明第一實施方式之電子裝置外殼之局部俯視圖。
圖4係本發明第二實施方式之電子裝置外殼之剖面示意圖。
圖5係圖4中V處之放大圖。
圖6係圖1中電子裝置外殼之樣品之反射效果。
圖7係圖1中電子裝置外殼之樣品之另一角度之反射效果。
請參閱圖1至圖3，本發明第一實施方式之電子裝置外殼100包括殼體30及形成於殼體30表面之立體圖案結構10，立體圖案結構10能夠從複數角度反射光線，從而達到所需之立體效果。立體圖案結構10包括底紋11及形成於底紋11上之面紋13。第一實施方式中，底紋11為交錯之圓形條紋狀圖案，面紋13為字母“WB”字樣。
底紋11形成於電子裝置外殼30之表面，其由複數條第一凸起112組成，每條第一凸起112大致圍成圓形。相鄰之二條第一凸起112之間形成有溝槽110(如圖2所示)，溝槽110形成有谷底1102。第一凸起112包括二第一側面1120及由二第一側面1120相交形成之第一凸峰1121。第一凸峰1121至相鄰溝槽110之谷底1102之垂直距離d1為0.06毫米至0.08毫米。本實施方式中，第一凸起112之橫截面形狀呈三角形。可理解，第一凸起112亦可為其他形狀，如長條狀方形凸起或長條狀弧形凸起等。
面紋13形成於底紋11之複數第一凸峰1121上，並組成預設之圖案形狀(字母“WB”字樣)，即，依預設之圖案形狀加工底紋11之複數第一凸峰1121從而形成面紋13。面紋13包括複數非連續之凸部131，複數凸部131共同組成字母“WB”字樣。每一凸部131形成於對應之第一凸起112之第一凸峰1121上，使凸部131與第一凸起112之間形成交接面1311。凸部131包括二第二側面1313及由二第二側面1313相交形成之第二凸峰1315，第二凸峰1315至交接面1311間之垂直距離d2為0.02毫米到0.03毫米，交接面1311至谷底
1102之垂直距離d3為0.03毫米到0.06毫米。第二側面1313與相應之第一側面1120相連接並形成一夾角α，夾角α大於90度小於180度。
由於第二側面1313與相應之第一側面1120相連接並形成夾角α，且夾角α大於90度小於180度，光線照射在立體圖案結構10後，分別在第一側面1120與第二側面1313發生反射，且反射方向不同，使立體圖案結構10能夠複數角度反射光線，3D效果較佳。圖6及圖7示出了第一實施方式之樣品在不同角度光線照射下之反射效果。
請參閱圖4及圖5，本發明第二實施方式之電子裝置外殼200包括殼體30及形成於殼體30表面之立體圖案結構50，立體圖案結構50與本發明第一實施方式之立體圖案結構10相似，其不同在於：立體圖案結構50還包括另一面紋55，面紋55形成於面紋53之第二凸峰(圖未示)上。面紋55包括複數凸部551，凸部551之第三側面5511與相應之第二側面533之間形成夾角β，夾角β大於90度小於180度。可理解，面紋55可形成於部分或全部面紋53上。
可理解，本發明之面紋數量不局限於第一實施方式與第二實施方式，其可根據立體圖案結構50之反射光線之需要變化。
綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之如申請專利範圍內。
100‧‧‧電子裝置外殼
10‧‧‧立體圖案結構
11‧‧‧底紋
13‧‧‧面紋
131‧‧‧凸部
1311‧‧‧交接面
1313‧‧‧第二側面
1315‧‧‧第二凸峰
30‧‧‧殼體
Claims (8)
- 一種電子裝置外殼，其包括殼體及形成於該殼體表面之立體圖案結構，其改良在於：該立體圖案結構包括底紋及第一面紋，該底紋形成於該殼體表面，該底紋包括複數條第一凸起，每一第一凸起包括二相互傾斜之第一側面，該第一面紋形成於部分該底紋之第一凸起上，該第一面紋包括複數第一凸部，每一第一凸部與對應之第一凸起之間形成交接面，每一第一凸部包括二相交之第二側面，每一第一凸部之每一第二側面與相應之第一凸起之相應第一側面相連接並形成夾角，該夾角大於90度小於180度，該立體圖案結構還包括第二面紋，該第二面紋形成於至少部分該第一面紋上。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置外殼，其中該第一凸部還包括該二第二側面相交形成之第二凸峰，該第二凸峰至該交接面之垂直距離為0.02毫米到0.03毫米。
- 如申請專利範圍第2項所述之電子裝置外殼，其中相鄰之二條第一凸起之間形成溝槽，該溝槽形成有谷底，該谷底至該交接面之垂直距離為0.03毫米到0.06毫米。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置外殼，其中該第二面紋包括複數第二凸部，每一第二凸部包括二相交之第三側面，每一該第三側面與相應第一凸部之相應第二側面相連接並形成夾角，該夾角大於90度小於180度。
- 一種立體圖案結構，其中該立體圖案結構包括底紋及第一面紋，該底紋包括複數條第一凸起，每一第一凸起包括二相互傾斜之第一側面，該第一面紋形成於部分該底紋之第一凸起上，該第一面紋包括複數第一凸部 ，每一第一凸部與對應之第一凸起之間形成交接面，每一第一凸部包括二相交之第二側面，每一第一凸部之每一第二側面與相應之第一凸起之相應第一側面相連接並形成夾角，該夾角大於90度小於180度，該立體圖案結構還包括第二面紋，該第二面紋形成於至少部分該第一面紋上。
- 如申請專利範圍第5項所述之立體圖案結構，其中該第一凸部還包括該二第二側面相交形成之第二凸峰，該第二凸峰至該交接面之垂直距離為0.02毫米到0.03毫米。
- 如申請專利範圍第6項所述之立體圖案結構，其中相鄰之二條第一凸起之間形成溝槽，該溝槽形成有谷底，該谷底至該交接面之垂直距離為0.03毫米到0.06毫米。
- 如申請專利範圍第5項所述之立體圖案結構，其中該第二面紋包括複數第二凸部，每一第二凸部包括二相交之第三側面，每一該第三側面與相應第一凸部之相應第二側面相連接並形成夾角，該夾角大於90度小於180度。
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