TWI546579B - 光學架構、光學分配矩陣及製造光學結構之方法 - Google Patents

光學架構、光學分配矩陣及製造光學結構之方法 Download PDF

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Description

光學架構、光學分配矩陣及製造光學結構之方法
本發明大體上和光學通信有關；且更明確地說，本發明係關於光學架構、光學分配矩陣、以及製造光學結構的方法。
當電腦系統製品持續增加電腦系統效能同時限制能量消耗或成本的增加時，電腦系統製品便轉向利用光子並且建立光學通信路徑，用以在系統器件之間傳送資料。光纖技術已經被施行在各式各樣的產業中，例如，電信產業。電腦系統製造商目前正在開發此項技術，以便應用在光學計算的領域中。
在一實施例中揭示一種光學架構，其包括：第一豎卡和第二豎卡；分別由該等第一豎卡和第二豎卡攜載的第一器件和第二器件；一第一矩陣，用以扇出一多位元光學輸入信號成第一外送信號和第二外送信號；以及第一光纖纜線和第二光纖纜線，用以將該等第一外送信號和第二外送信號分別攜載至該等第一豎卡和第二豎卡。
在另一實施例中揭示一種光學分配矩陣，其包括：一第一切片，其具有一第一輸入埠口以及複數個輸出埠口；以及一第二切片，其具 有一第二輸入埠口以及第二複數個輸出埠口，該等第一輸入埠口和第二輸入埠口會相對於彼此垂直位移與水平位移，該等第一複數個輸出埠口和第二複數個輸出埠口則僅會水平位移或垂直位移。
在又另一實施例中揭示一種製造光學結構的方法，其包括：製作一第一切片，其具有一第一輸入波導以及和該第一輸入波導進行通信的第一複數條次要波導；製作一第二切片，其具有一第二輸入波導以及和該第二輸入波導進行通信的第二複數條次要波導；將第一複數個面鏡定位在該第一切片裡面，用以在該第一輸入波導和該等第一複數條次要波導中的個別次要波導之間反射光；將第二複數個面鏡定位在該第二切片裡面，用以在該第二輸入波導和該等第二複數條次要波導中的個別次要波導之間反射光；以及層疊該等第一切片和第二切片。
100‧‧‧光學架構
101‧‧‧記憶體分配系統
102‧‧‧光學資料通信路徑或互連線
104‧‧‧光學分流器
106‧‧‧記憶體控制器
108‧‧‧記憶體裝置
110‧‧‧光學分配結構
112‧‧‧分配矩陣
114‧‧‧輸入信號
116‧‧‧外送信號
118‧‧‧外來信號
120‧‧‧輸出信號
200‧‧‧記憶體架構
202‧‧‧標準記憶體豎卡
204‧‧‧雙直列記憶體模組(DIMM)
206‧‧‧電氣直豎式連接器
208‧‧‧電路板
210‧‧‧電氣DIMM連接器
302‧‧‧範例記憶體豎卡
304‧‧‧電氣直豎式連接器
305‧‧‧電路板
306‧‧‧光纖纜線
308‧‧‧記憶體扇出緩衝器
310‧‧‧換能器
312‧‧‧解碼器
404‧‧‧電路板
410‧‧‧訊息
412‧‧‧豎卡位址位元
414‧‧‧DIMM位址位元
416‧‧‧記憶體位址位元
418‧‧‧酬載位元
502‧‧‧位元切片
504‧‧‧覆蓋切片
506‧‧‧主要通道
508‧‧‧前方表面
510‧‧‧底部表面
511‧‧‧頂端表面
512‧‧‧開口或埠口
514a-514h‧‧‧次要通道
516‧‧‧末端
518a-518h‧‧‧開口或埠口
520a-520h‧‧‧面鏡
522‧‧‧VCSEL陣列
524‧‧‧雷射
526‧‧‧光纖
528a-528h‧‧‧對應列
600‧‧‧多位元輸入信號
601‧‧‧外送信號
602‧‧‧位元
603‧‧‧位元
604a-604h‧‧‧多位元外來信號
606a-606h‧‧‧位元
608‧‧‧輸出信號
610‧‧‧位元
612‧‧‧12位元輸出
702a-702h‧‧‧第一向前信號
為清楚起見，下面的圖式中會放大各層的厚度。可能的話，在下面的所有圖式以及上面的書寫說明中會使用相同的元件符號來表示相同或相似的部件。
第1A圖所示的係根據本發明的教示內容用以在電腦系統器件之間提供光學通信的範例光學架構的方塊圖。
第1B圖所示的係運用透過第1A圖之光學架構被通信耦合之器件的範例分配系統的方塊圖。
第2圖所示的係一種具有電氣連接的已知記憶體豎卡(memory riser card)。
第3圖所示的係根據本發明的教示內容所建構的範例記憶體豎卡。
第4A圖所示的係第1B圖的範例分配系統的範例施行方式的立方圖。
第4B圖所示的係第4A圖之範例中用以將資料增加至一DIMM之中的範例訊息。
第5A圖所示的係第1B圖和第4A圖之中所示的範例分配結構的光學分配矩陣的範例施行方式。
第5B圖所示的係第5A圖之中所示的範例光學分配矩陣中的一範例切片之正面圖。
第5C圖所示的係第5A圖之中所示的範例光學分配矩陣的仰視圖，其顯示一VCSEL陣列或是一光偵測器陣列的連接情形。
第5D圖所示的係第5A圖之中所示的範例光學分配矩陣的端末圖，其顯示第4A圖之中所示的光纖纜線的連接情形。
第6A圖所示的係通過第5A圖之範例分配矩陣的範例多位元光學輸入信號的範例路徑。
第6B圖所示的係通過第5B圖之範例位元切片的第6A圖的範例輸入信號的單一位元的範例路徑。
第6C圖所示的係通過第5A圖之分配矩陣的範例多位元外來(inbound)光學信號的範例路徑。
第6D圖所示的係通過第5B圖之範例位元切片的第6C圖的範例外來信號中單一位元的範例路徑。
第7圖所示的係通過第5B圖中所示之範例位元切片的範例輸入信號中的位元的範例光學功率分配。
第8圖所示的係用以製造第5A圖之範例光學分配矩陣的範例方法的 流程圖。
通信架構的開發商努力地在提高效能以及更低功率消耗、更小外形因數、以及更低電磁放射等需求之間尋找平衡。在電腦系統中同樣希望達到更佳可縮放性(scalability)，同時降低功率消耗。然而，此等問題的已知解決方案卻會因為高接針數、大晶粒面積、及/或高功率消耗的關係而增加許多電腦系統的成本。
有利的方式係提供一種具有保持信號完整性、消耗的功率少於已知系統、並且支援較低等待時間(latency)拓樸之高速互連線的系統。其可能同樣希望提供此系統被連接至一或多個驅動器的多個接收器。
許多已知的光學互連系統係利用被建立在具有龐大外形因數而不容易和目前標準電腦器件進行整合的光學電路板之中的中空金屬波導來施行。因此，光學互連線能夠跨越的距離雖然大於電氣互連線，而不會顯現此等電氣系統的某些問題；但是，光學電路板的剛硬性質仍會對該等光學互連線相對於它們所連接之器件的位置和定位加諸限制。因此，許多已知的光學電路板皆會針對它們要連接的每一個新系統進行客製，而並非可配置成適合用於不同的系統。
第1A圖所示的係用以在電腦系統器件之間提供光學通信的範例光學架構100的方塊圖。於圖中所示的範例中，該光學架構100包括一或多條光學資料通信路徑或互連線102以及複數個光學分流器104。該等光學分流器104中的每一者將會以光學方式將一個別的電腦系統器件耦合至一個別的光學資料通信路徑102。於第1A圖的範例中，會針對一器件從該 等互連線102處所收到的信號實施光學至電氣(O/E)轉換，並且會針對來自該電腦器件的信號實施電氣至光學(E/O)轉換以便透過對應的分流器104被光學耦合至該(等)資料通信路徑102上。在本專利中，一光學資料通信路徑可與一光學互連線互換使用。
大核心、中空的波導所呈現的改善效果遠大於利用聚合物或介電材料所形成的傳統光學波導。大核心中空波導之直徑(或是寬度及/或高度)的大小等級可能為該波導被配置成用以引導的同調光的波長的50倍至150倍，甚至更大。此範例大核心中空波導的剖面形狀可能為正方形、矩形、圓形、橢圓形、或是能夠引導光學信號的任何其它形狀。再者，因為此範例波導為中空，所以，光會以約略光在空氣或是真空之中的速度前進。
該圖示範例中的每一個光學分流器104都會被施行成用以分出一入射光學信號的一部分功率。於某些範例中，該等光學分流器104會被施行成具有多個薄膜射束分歧器，它們具有合宜的光學塗料，以便產生所希數額的反射、透射、及/或已知的光學損失。於某些此等範例中，該薄膜射束分歧器會運用無偏振的塗料，以便減少(舉例來說，最小化)和光之輸入偏振化有函數關係的一信號之被反射部分和被透射部分之間的差異。再者，薄膜射束分歧器的薄度還會減少(舉例來說，最小化，甚至消弭)鬼影(ghosting)或是射束離散(beam walk-off)，俾使得入射射束實質上會保持同軸(on-axis)。於某些範例中，該等光學分流器104係利用光學散射器或光學分歧器來施行。該(等)分歧器可能會有任何所希的尺寸及/或幾何配置(舉例來說，三角形或菱形的形狀)。於某些範例中，該等光學分流器104係利用會反射及透射所希光的次波長金屬結構來施行。反射量及透射量能夠藉由該 等已金屬化至未金屬化區域的「填充因數(fill factor)」來約略預測。於某些範例中，該等光學分流器104係利用Y-分歧器、熔融分歧器、及/或任何其它合宜的射束分歧器來施行。
於圖中所示的範例中，每一個分流器104皆會從接收自記憶體控制器106的輸入信號114中轉移約相同數量的功率。對要轉移約相同數量功率的每一個分流器104來說，圖中所示範例中的每一個分流器104的反射和透射的功率比會根據一通信路徑102該等分流器104的相對位置而不同於該對應通信路徑102中的其它分流器104。舉例來說，沿著該資料通信路徑102前進的一光學信號中的一部分會透過一對應的分流器104被反射至它的相關聯電腦器件。該光學信號中的其它部分則會通過該對應分流器104，繼續在該光學資料通信路徑102上前進(舉例來說，前往下一個分流器)。被反射的信號部分的功率以及通過每一個分流器104的信號部分的功率係取決於該分流器104的個別功率比。
於某些範例中，不論分流器104的數量為何，該等分流器104的功率比會使得用於一目的地電腦系統器件的光學接收器會接收具有實質上相同功率數量的多個信號，每一個信號皆會沿著該等互連線102通過。換言之，被用於一目的地電腦系統器件的任何給定光學接收器接收到的信號的功率實質上會和由該系統中另一分流器饋送而被任何其它給定電腦系統器件接收到的信號的功率相同，第1B圖所示的係一範例記憶體分配系統101的方塊圖，其會透過第1A圖的範例光學互連系統被通信耦合。該範例記憶體系統101包含一記憶體控制器106，其會透過一光學分配結構110來與複數個記憶體裝 置108進行通信。圖中所示範例的分配結構110有兩個分配矩陣112，一個用於外來信號以及一個用於外送(outbound)信號，該等分配矩陣112含有第1A圖之中所示的光學分流器104。在圖中所示的範例中，該光學分配結構110會從該記憶體控制器106處接收一輸入信號114，並且透過該等分配矩陣112中其中一者裡面的分流器104將該輸入信號114扇出成為複數個外送信號116，該等外送信號會被匯流送往該等記憶體裝置108中的每一者。
於某些範例中，該等外送信號116具有包含標頭的封包形式。每一個標頭會辨識複數個記憶體裝置108作為該等外送信號116所攜載之資料的目的地。因此，當圖中所示範例中的所有記憶體裝置108接收相同的信號時(也就是，每一個外送信號116實質上皆和其它外送信號116相同)，因為每一個封包的標頭會辨識一特殊的記憶體裝置108作為該資料的目的地，所以，僅有經由該標頭辨識的記憶體裝置108會實際處理(舉例來說，儲存)被編碼在該等光學信號116之中的資訊。一接收具有不同記憶體裝置108之標頭的信號的記憶體裝置108則僅會棄置該信號。於其它範例中，可能會使用仲裁來決定哪一個(哪些)記憶體裝置108要處理該廣播信號116。
在圖中所示的範例中，為讀出該記憶體結構中的資料，該等記憶體裝置108中的每一者都會透過該分配結構110回傳一外來信號118給該記憶體控制器106。因此，在圖中所示範例中的該分配結構110的第二分配矩陣112會接收複數個外來信號118，並且會透過該等光學分流器104扇入該等外來信號118，以便提供一被傳送至該記憶體控制器的單一輸出信號120。當對應於該等複數個記憶體裝置108中一個別記憶體裝置108的每一 個該等複數個外來信號118被扇入圖中所示範例中該分配結構110的單一輸出信號120時，該等外來信號118並不需要同時被傳送。
於某些範例中，該記憶體控制器106會被併入一積體電路之中，例如，一具有多項其它功能及/或介接至多個其它積體電路之(多個)介面的處理器。圖中所示範例的記憶體控制器106會與(多個)裝置進行通信或是包含(多個)裝置，用以實施電氣至光學(E/O)轉換及/或光學至電氣(O/E)轉換，以便發送及/或接收該分配結構110的該等輸入信號114和輸出信號120。舉例來說，E/O驅動器可能係一垂直空腔表面發射雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)，及/或O/E驅動器可能係一光二極體。當資料被該記憶體裝置108輸出時，該記憶體控制器106會先發送一定址信號，用以呼叫該局部記憶體裝置108輸出它的資料。若沒有此定址方式，該記憶體控制器106可能會從相同光學通信路徑上一個以上的記憶體裝置處接收多個光學信號，而且此等光學信號可能會建設性及/或破壞性地組合而在該記憶體控制器106處傳遞不正確的資料。該記憶體控制器106的定址邏輯會確保在該等互連線102的外來路徑能夠被使用之前一記憶體裝置108便已被准許傳送一外來信號118，以便防止多個同步光學信號傳送至該記憶體控制器106。於其它範例中，該定址技術會被分時多工(Time-Division Multiplexing，TDM)取代。於此種TDM方式中，信號傳送會循環進行。每一次循環皆對應於一個信號傳送時間週期。每一個記憶體裝置108皆會被指派該等信號傳送時間週期中的其中一者，用以傳送一外來信號118。每一個記憶體裝置108僅能夠在它們的指派時間週期裡面傳送一外來信號118。依此方式，該記憶體控制器106便能夠在任何給定時刻分辨透過該分配結構 110所收到之每一個輸出信號120的來源。於資料以冗餘方式被儲存在所有記憶體裝置108中的系統之中，既不需要TDM，也不需要上面的定址技術，因為該等信號會同步被輸出，以便進行建設性組合而創造該輸出信號120。
為達解釋之目的，第1圖所示的範例分配系統101雖然具有該記憶體控制器106以及該等複數個記憶體裝置108；然而，該系統101仍可配合不同功能的其它裝置來使用，例如，其它處理單元或是介面裝置。就不同的範例來說，該等複數個記憶體裝置108可能彼此不同、該等記憶體裝置108可能會實施不同(多種)類型的(多項)功能、及/或該等記憶體裝置可能會利用不同的技術來施行。
該範例系統101包含用以在該記憶體控制器106和該等複數個記憶體裝置108之間進行通信的多條光學互連線102以及該等分配矩陣112。在圖中所示的範例中，該等分配矩陣112含有第1A圖的的該等光學分流器104，用以經由該等光學互連線102來扇入及/或扇出該等信號。在圖中所示的範例中，該等光學互連線102係利用多條單向光學互連線(舉例來說，入口和出口、外來和外送、…等)所形成，用以在相反的方向中提供通信路徑。於其它範例中，該等光學互連線102會經由單一雙向光學路徑102在該記憶體控制器106和該等複數個記憶體裝置108之間提供雙向通信。於某些範例中，這能夠利用不同的波長來達成(也就是，波長分割多工)，至少其中一個波長係被用來廣播外送信號而且至少另一個不同的波長係被用來接收外來信號。於其它範例中，這可能會經由分時多工來達成，其中，該等外送信號和外來信號會以一時間表為基礎輪流傳送個別的信號。於此等範例中，該分配結構110可能僅利用單一分配矩陣來形成。
光學互連系統100中該等光學分流器104的反射和透射功率比係被設定在圖中所示的範例系統101之中，因此，該記憶體控制器106和該等複數個記憶體裝置108會以所希功率的光學信號進行通信，以便達到所希通信可靠度之目的，同時降低(舉例來說，最小化)功率消耗。於某些範例中，<10-12的位元錯誤率(Bit Error Rate，BER)才足以作為通信可靠度之可接受的指標。用於接收通過該等互連線102之光學信號的光偵測器的光學接收器靈敏性可被用來決定一給定BER前提下所需要的最小平均光學功率。在10Gb/s處約-17dBm(20微瓦)的光學接收器靈敏性已經證實其效能，而在<10-15的BER中更典型的數值則為-15dBm(32微瓦)。
在該等光學互連線102上進行光速或是接近光速傳送會對上面所述之可靠實施錯誤感測造成困難。舉例來說，考量到該等光學互連線102的物理長度、光速、以及為區分從該等複數個記憶體裝置108中每一者處回傳之資料所需要的精確性，該記憶體控制器106可能需要在該等複數個記憶體裝置108之間分辨約150至160微微秒遞增額的飛行時間差。然而，此等遞增額通常很小，於某些情況中，甚至是每一個驅動器之輸出不確定性(時脈至輸出延遲(clock to out))的一半。
為減緩該等遞增額和上面所述之輸出不確定性之間的差異，可能會在每一次傳輸的發送者為已知的該等光學互連線102的每一條分支上使用到一訓練圖樣(training pattern)，其允許調整該被接收資料的時序。接著，該時序便會利用時序調整技術於該記憶體控制器106裡面被調整。利用該已建立的時序關係便可以在該等光學互連線102上開始進行正常的資料傳輸。於某些範例中，該時序調整可能會提高該等光學互連線102 的操作頻率(舉例來說，最大操作頻率)至超過該等複數個記憶體裝置108的正常操作頻率，其可能允許超頻(over-clocking)該等複數個記憶體裝置108。
於某些範例中，不論在器件之間被交換的信號的來源位置為何，該等信號的所希功率實質上都會相同，從而確保會有所希的通信可靠度。一般來說，該等功率比會利用目標系統的光線追蹤模擬(ray trace modeling)來決定，以便符合該系統的通信可靠度指標並且降低(舉例來說，最小化)功率消耗。除了該等比值之外，光學發射器功率、光學接收器靈敏性、源頭和接收器之間的光學距離、以及光學路徑的損失特徵都是在光線追蹤模擬之中要考量的其它因素範例。於某些範例中會使用一用以調整各項考量因素的疊代演算法來模擬該光學互連系統100，直到達成所希的通信可靠度指標為止。接著，會在製造及/或組裝該目標系統(舉例來說，系統101)期間設定該等光學分流器的比值。
為達解釋之目的，圖中所示的範例系統101雖然具有該等光學互連線102；然而，應該瞭解的係，電腦系統101亦可能具有其它互連線，它們包含光學連接線及/或電氣連接線。再者，每一條分支可能在每次傳送單一位元的資訊或是傳送一多位元信號，如下面的詳細說明。據此，如本文中的用法，「信號(signal)」一詞可能係表示一多位元信號或者係表示該多位元信號中的一個別位元。同樣為達解釋之目的，圖中所示的電腦系統101雖然具有該記憶體控制器106以及該等複數個記憶體裝置108；然而，該系統101亦可能具有可能會或不會被連接至該等光學互連線102的其它器件(圖中並未顯示)或是部件(圖中並未顯示)。
圖中所示範例的系統101可能會以數種方式來運用該等複 數個記憶體裝置108。舉例來說，該等複數個記憶體裝置108可能會提供累積性記憶體容量、針對附加效能提供條紋式記憶體、或是在容錯記憶體架構中提供冗餘式故障移轉記憶體(redundant fail-over memory)。
在圖中所示的範例中，該等複數個記憶體裝置108連接或是包含利用所希光學的功率對送往及來自該等光學互連線102之個別分支的信號實施光學至電氣(O/E)轉換及電氣至光學轉換的裝置。
範例系統101會運用豎卡來固持該等複數個記憶體裝置108，以便促成整合該系統101和其它標準電腦系統器件。第2圖所示的便係一種已知的記憶體架構200，其具有用以固持複數條雙直列記憶體模組(Dual In-line Memory Module，DIMM)204的標準記憶體豎卡202。圖中所示範例的豎卡202係被插入在一電路板208的一電氣直豎式連接器206之中。該豎卡202包含多個個別的電氣DIMM連接器210，用以將該等DIMM 204中對應的DIMM連接至該豎卡202。據此，當施行該已知的記憶體架構200時，來自一被連接至電路板208之記憶體的電氣信號會先通過該共用的直豎式連接器206並且接著會經由該等個別DIMM連接器210被扇出至每一條DIMM 204。同樣地，來自每一條DIMM 204的電氣信號會先通過該對應的DIMM連接器210並且接著通過該直豎式連接器206。因此，送入及送出每一條DIMM 204的每一個信號皆會通過兩個電氣連接線(也就是，直豎式連接器206和DIMM連接器210)，從而會產生固有的頻寬限制。藉由併入如本文中所述之光學互連系統便能夠減緩或減少此等顧慮。
第3圖所示的係根據本發明的教示內容所建構的範例記憶體豎卡302。該範例豎卡302會在多個個別的DIMM連接器210之中固持複 數條DIMM 204。如第2圖之中所示的已知豎卡202，圖中所示範例的記憶體豎卡302係被插入在一電路板305上的一電氣直豎式連接器304之中。然而，圖中所示範例中的直豎式連接器304卻係被用來提供電力和低速控制信號，而並非傳送所有信號給每一條DIMM 204及傳送來自每一條DIMM 204的所有信號。該範例豎卡302會透過光纖纜線306(舉例來說，用於輸入的運載纜線及/或用於輸出的纜線)和一電腦系統中的其它器件進行通信，該等光纖纜線306會透過一記憶體扇出緩衝器308連接至豎卡302。於某些範例中，該記憶體扇出緩衝器308提供用於該等輸入和輸出帶狀光纖306中每一者的可拆卸式光學連接線，用以幫助連接及中斷連接一電腦系統之中的器件。
在圖中所示的範例中，該記憶體扇出緩衝器308和一換能器310相關聯，該換能器310具有光學至電氣(O/E)轉換能力，用以將來自該帶狀光纖306中之輸入光纖的光學信號轉換成電氣信號，以便被傳送至該等DIMM 204。更明確地說，在圖中所示的範例中，該等光學信號會以高速序列形式被傳送，而緩衝器308會透過該換能器310將該等光學信號轉換成低速並列電氣信號，以便以電氣方式被扇出至該等DIMM 204。再者，當傳送該等輸入信號用以驅動兩條DIMM通道中每一者之中的兩條DIMM 204時，圖中所示範例的範例記憶體扇出緩衝器308還具有扇出驅動能力，用以提高頻寬並且縮短等待時間。在圖中所示的範例中，和該記憶體扇出緩衝器308相關聯的換能器310還具有電氣至光學(E/O)轉換能力，用以將來自該等DIMM 204的電氣信號轉換成光學信號，以便透過該帶狀光纖306中的輸出光纖被傳送至一如下面更完整說明的記憶體控制器。
於某些範例中，每一個記憶體扇出緩衝器308皆包含一解碼器312及/或會與一解碼器312進行通信。在圖中所示的範例中，該解碼器312會判斷一透過該等光纖纜線306所收到的信號是否意圖送往對應豎卡302中之該等DIMM 204中的其中一者或者該信號究竟係意圖送往一DIMM 204或是一分離豎卡302中的其它器件。再者，倘若該被接收的信號意圖送往該等DIMM 204中的其中一者的話，該解碼器312便會決定係該等DIMM 204中的哪一者以及該經辨識DIMM 204中的特殊記憶體位置，如下面的更詳細解釋。
第4A圖所示的係第1B圖的範例分配系統101的立方圖。在第4A圖的範例中運用到如上面配合第3圖所述的八個記憶體豎卡302。如圖所示，第4A圖的分配系統101會受到單一光學分配結構110的支撐，該光學分配結構110會透過一電路板404被連接至一記憶體控制器(舉例來說，第1B圖的記憶體控制器106)。在圖中所示的範例中，該等八個豎卡302中的每一者皆攜載四條DIMM 204，而在該分配系統101中達到總共有三十二條DIMM 204。本文中所揭示之範例說明的分配系統101雖然有八個記憶體豎卡302；不過，這僅係藉由範例來提供，其可以運用具有任何合宜數量DIMM 204之任何合宜數量的八個豎卡302。
在圖中所示的範例中，該分配結構110會在該等DIMM 204和該記憶體控制器106之間進行路由通信。於某些範例中，該分配結構110會從該記憶體控制器106處接收一輸入信號(舉例來說，輸入信號114)並且將來自該信號的功率分流(也就是，分歧)成八個分流信號，該等八個分流信號會在外送方向中被傳送給該等記憶體豎卡302。該等八個外送信號會透過 多條光纖纜線306被傳送至該等記憶體扇出緩衝器308中和對應豎卡302相關聯的對應記憶體扇出緩衝器308。當該分配結構110將一信號扇出至該等記憶體扇出緩衝器308時，該(等)解碼器312會判斷在個別扇出緩衝器308處收到的(該等)信號是否要以電氣方式被傳送至和該對應記憶體豎卡302相關聯的DIMM 204上或者判斷該信號是否因為意圖送往和不同豎卡302相關聯的DIMM 204而要被忽略。再者，該等解碼器312還會判斷哪一個豎卡302上的哪一個DIMM 204要接收及/或回應該等接收自該記憶體控制器106的信號。該等圖中所示範例中的該等緩衝器308可以施行任何適當的方法，用以區分流收自該記憶體控制器106的多個信號。舉例來說，被傳送至每一個緩衝器308的信號可能含有多位位元，其中某些位元係位址位元。於其它範例中，該等互連線102會攜載一由位址位元、命令位元、及/或資料位元所組成的位元串，該等位元會透過該等信號的標頭部分來分辨，其中，舉例來說，該等命令位元會表示資料是否要被儲存或回傳。
如上面所提，於某些範例中，每一條光纖帶體306皆包含一由多條光纖組成的陣列，用以攜載一多位元光學信號。為清楚起見，本文中所揭示之範例雖然說明一12位元的信號；然而，該範例分配結構110亦能夠被調適成用以在多個器件之間於一信號之中傳送任何合宜數量的位元。於某些範例中，該初始12位元光學輸入信號係由單一個1x12垂直空腔表面發射雷射(VCSEL)陣列(請參見第5C圖)所產生，該垂直空腔表面發射雷射陣列會將該記憶體控制器106連接至該分配結構110。然而，任何其它合宜的光學發射器(舉例來說，分散回授式(Distributed FeedBack，DFB)雷射、量子井雷射、多重量子井雷射、雙異質結構雷射、發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)、…等)皆可被施行用以產生該等在該等互連線102上被傳送的光學信號。
圖中所示範例的分配結構110同樣具有扇入能力。於某些範例中，該分配結構110會從該等八個豎卡302的每一者處扇入多個12位元信號用以讓在該分配結構110和該記憶體控制器106之間提供電氣至光學轉換的單一個1x12光偵測器(請參見第5C圖)接收。圖中所示範例中的光偵測器可能係p-n或p-i-n接面光二極體，或是n-p-n或p-n-p光電晶體。
圖中所示範例的光學分配結構110係由兩個光學分配矩陣(舉例來說，請參見第1B圖的範例分配矩陣112)所形成。一第一分配矩陣112係用於外送信號(舉例來說，處理器至記憶體)而一第二分配矩陣112係用於外來信號(舉例來說，記憶體至處理器)。在該等圖中所示的範例中，該第一外來矩陣112和該第二外送矩陣112在結構上相同，而主要差異在於通過每一者的光學信號的方向。據此，如本文中的用法，「分配矩陣」一詞適用於該等外送矩陣和外來矩陣兩者。
第4B圖所示的係第4A圖之範例中用以將資料增加至一DIMM之中的範例訊息410。如上面提及，於某些範例中，該等要被傳送至每一個豎卡302的信號可能含有多位位元，其中某些位元係位址位元。於某些此等範例中，上方位址位元辨識預期的接收豎卡302(舉例來說，豎卡位址位元412)，而下方位址位元則辨識該經辨識豎卡302上的特殊DIMM 204(舉例來說，DIMM位址位元414)以及該經辨識DIMM 204裡面的該(等)特殊記憶體位置(舉例來說，記憶體位址位元416)。進一步言之，於某些此等範例中，訊息410中的其餘位元還包含要被儲存在該經辨識記憶體位置 裡面的酬載位元418。
第5A圖所示的係第1B圖的光學分配矩陣112中任一者的範例施行方式。該等圖中所示範例的光學分配矩陣112係由層疊在一起的十二個位元切片502以及一個覆蓋切片504(圖中以虛線來顯示)所形成。圖中雖然顯示十二個位元切片502；不過，任何數量的位元切片502皆可以併入該範例分配矩陣112之中。在該等圖中所示的範例中，該等十二個位元切片502中的每一者皆對應於一12位元光學信號中的其中一個位元。
第5B圖所示的係第5A圖的分配矩陣112中的該等範例位元切片502中任何一者的正面圖。在圖中所示的範例中，該位元切片502含有一主溝槽、鍵槽、或是通道506，其係被形成在該位元切片502的前方表面508之中用以充當一中空金屬波導的邊界或壁部，以便傳送和該位元切片502相關聯的12位元光學信號中的對應位元。當前方表面508中的通道506張開時，圖示範例之位元切片502的中空金屬波導的壁部會在該等位元切片502被層疊在一起而形成分配矩陣112時(請參見第5A圖)藉由利用一相鄰位元切片502的背側來封閉該前方表面508中的該等通道506而完成。在圖示範例中最前方位元切片502的主溝槽506會利用如第5A圖之中虛線所示的覆蓋切片504來封閉。於某些範例中，每一個位元切片502的主要通道506係從該位元切片502的一底部表面510開始，並且實質上會延伸跨越該位元切片502的前方表面，抵達一反向的頂端表面511。因此，當該等範例位元切片502被層疊在一起時，該等主要通道506會在底部表面510處形成多個對應開口或埠口512，用以充當一接收自該記憶體控制器106之輸入信號的多個輸入點或是充當一通過該分配矩陣112抵達該記憶體控制 器106之輸出信號的多個輸出點。在第5A圖的範例中，該等位元切片502的主要通道506在第5A圖中的埠口512的位置會如圖所示般交錯排列。
除了該等主要通道506之外，圖中所示範例的每一個位元切片502還會有八條次要通道514a至h。該等次要通道514a至h會和對應的主要通道506進行光學通信並且從該主要通道506處延伸至該位元切片502的末端516。因此，當該等範例位元切片502被層疊時，該等次要通道514a至h會在該等末端516處形成對應的開口或埠口518a至h，用以充當多個外送信號的多個輸出點或是充當通過該分配矩陣112之多個外來信號的多個輸入點。圖中所示範例的該等次要通道514a至h為中空金屬波導，它們會從它們的個別主要通道506處分出，用以攜載一通過該分配矩陣112之信號的不同部分。圖中所示範例顯示的該等主要通道506和次要通道514a至h雖然具有實質上矩形的剖面；不過，任何合宜的剖面皆可被用來傳播該等信號通過該分配矩陣112。
如前面配合第1A圖和第1B圖的討論，光學信號會沿著該等互連線102被傳送並且透過該等光學分流器104被引導至每一個電腦系統器件。雖然該等光學分流器104可以數種方式來施行；不過，在圖中所示的範例中係以變動反射係數薄膜面鏡520a至h來施行該等光學分流器104。每一個此等面鏡520a至h都會反射一光學信號的一部分並且透射其餘的部分穿透該面鏡520a至h。依此方式，單一外來信號可能會被透射穿過該主要通道506，該信號的一部分會被分流或是偏折至該等次要通道514a至h的每一者之中。被每一個面鏡520a至h反射的光的比例相對於被透射的比例會相依於每一個面鏡520a至h的光學特徵，如下面將配合第7圖所進行 的更詳細討論。
第5C圖所示的係第5A圖之中所示的範例光學分配矩陣112的仰視圖，其同時顯示由輪廓線522所示之一1x12 VCSEL陣列或是一1x12光偵測器陣列的連接情形。在圖中所示的範例中，除了每一個位元切片502的主要通道506(且因而每一個對應埠口512)位於和該對應位元切片502之末端516不同的距離處之外，該等位元切片502中的每一者具有實質上相同的(舉例來說，完全相同的)結構。在第5C圖之中所示的範例中，該等通道506的不同距離會導致該等埠口512以線性對齊的方式分隔在該分配矩陣112的底部表面510中。在圖中所示的範例中，該等埠口512的位置會經過選定以便對齊該1x12 VCSEL陣列522中的雷射(第5C圖中的圓圈524所示)。因為圖中所示範例的VCSEL陣列522中的該等雷射524對齊分配矩陣112中的埠口512，所以，一12位元輸入信號中的位元可以經由該等位元切片502中個別的位元切片同步被傳送。或者，圖中所示範例的分配矩陣112可能會連接至一1x12光偵測器陣列，而非VCSEL陣列，因此，輪廓線522便對應於該光偵測器陣列，而該等圓圈524則對應於該光偵測器522中個別的接收器，以便透過該等位元切片502中個別的位元切片來同步接收一12位元外來信號中的12位位元。該光偵測器或是VCSEL陣列522可以透過任何合宜的方法被連接至對應的分配矩陣112，舉例來說，其包含將通往該等光偵測器或VCSEL之光纖的末端插入該分配矩陣112的該等埠口512之中。於其它範例中，該等光偵測器及/或該等VCSEL可能會在製造或組裝過程期間以物理方式整合在該分配矩陣112之中。
第5D圖所示的係第5A圖的範例光學分配矩陣112的端末 圖，其顯示帶狀光纖306連接至分配矩陣112之末端516的情形。在圖中所示的範例中，每一個位元切片502的次要通道514a至h(以及每一個對應埠口518a至h)和底部510的相隔距離會和其它位元切片502中的個別次要通道514a至h(以及對應埠口518a至h)相同，用以形成由埠口518a至h所組成的對應列528a至h。依此方式，圖中所示範例中之該等帶狀光纖306中的個別帶狀光纖會對齊一由該等對應列528a至h中每一個對應列之中的埠口518a至h所組成的集合。如第5D圖之中所示，每一條帶狀光纖306中的個別光纖526會對齊每一個對應列528a至h裡面的個別埠口518a至h。再者，圖示範例中的該等次要通道514a至h具有和該等個別光纖526約略相同的寬度，從而使得該等個別光纖526的末端會被插入在該等埠口518a至h之中並且利用摩擦密合(friction fit)或是膠黏劑固定在正確的地方。舉例來說，亦可以藉由運用MT樣式接環來施行圖中所示範例中附接該等帶狀光纖306的方法。在圖中所示的範例中，每一列528a至h(以及每一條帶狀光纖306)會對應於通過該分配矩陣112的一完整12位元信號中的其中一個分流部分。依此方式，圖中所示範例的該等帶狀光纖306中的每一者皆會攜載一如第4A圖之中所示的對應外送信號。除此之外，或者，圖中所示範例的該等帶狀光纖306中的每一者亦可能會傳送外來信號至該分配矩陣112，用以讓上面配合第5C圖所述的光偵測器陣列接收。
第6A至6D圖所示的係通過第5A圖中所示之範例分配矩陣112的多個範例信號的路徑。為清楚起見，在第6A圖和第6C圖之中已經省略第5A圖之中所示的範例分配矩陣112的覆蓋切片504。第6A的圖示範例顯示一多位元輸入信號600，舉例來說，其係由一1x12 VCSEL陣列所產 生，該信號有十二位位元602，它們會透過埠口512進入該分配矩陣112並且扇出至八個外送信號601，每一個外送信號601皆會有十二位位元603。該等外送信號601中的每一者會以相同的元件符號以及相同的多位位元603來作說明，因為每一個外送信號601都僅係初始輸入信號600的一分流部分，且因此，實質上雷同於(舉例來說，完全相同)每一個其它外送信號601。依照相同的方式，第6B顯示進入第6A圖之分配矩陣112的最前方切片502的輸入信號600的第一位元602，其會扇出至該等外送信號601中每一者的第一位元603。在圖中所示的範例中，於該等外送信號601扇出之後，該等外送信號601會透過對應於第5D圖中所示之該等帶狀光纖306中每一者的埠口518a至h所組成的列528a至h離開該分配矩陣112。
雖然該等外送信號601中每一者的位元603和輸入信號600的位元602相同；不過，該等外送信號601的功率則低於該輸入信號，因為該等外送信號601中的每一者僅包含該輸入信號的一部分。雖然並未依照比例縮放；不過，在第6A圖中以代表輸入信號600的位元602的箭頭的大小相對於代表外送信號601的位元603的箭頭的大小來表示進入該分配矩陣112的輸入信號600的每一個位元602的功率相對於離開該分配矩陣112的該等外送信號601的每一個位元603的功率。圖中所示範例中的輸入信號600的功率大於該等外送信號601的功率，因為該等外送信號601會透過面鏡520a至h從該輸入信號600分裂出來。再者，如範例圖式之中所示，該輸入信號600中的每一個位元602具有和該輸入信號600中的每一個其它位元602約略相同的功率。同樣地，圖中所示之最頂端外送信號601(對應於第5D圖的最頂端列528h)的每一個位元603具有和該最頂端外送信號601中的 每一個其它位元603約略相同的功率。為清楚起見，圖示範例中已經省略代表其餘外送信號601之個別位元603的箭頭。
第6C圖圖解八個範例多位元外來信號604a至h，每一者有十二個個別位元606a至h(也就是，外來信號604a有十二個位元606a、外來信號604b有十二個位元606b、依此類推)，它們會透過該等埠口518a至h組成的對應列528a至h進入該分配矩陣112並且扇入而在如第5A圖之中討論的分配矩陣的埠口512所定義之12位元輸出612處當作一具有十二位位元610的輸出信號608離開。在圖中所示的範例中，該等外來信號604a至h中的每一者係來自如第4A圖之中所示的豎卡302中不同的豎卡302。所以，和在第6A圖及第6B圖中所述之彼此雷同的往外送出的外送信號601不同，圖示範例中的每一個外來信號604a至h可能不同於每一個其它外來信號604a至h。據此，該等外來信號604a至h並不會同時通過該分配矩陣112，這可能會導致該等信號604a至h進行建設性及/或破壞性組合。更確切地說，傳送會經由如上面所述的任何適當定址或多工技藝在記憶體控制器106的控制下針對每一個該等外來信號604a至h分開進行。因此，如本文中的用法，扇入該等外來信號604a至h的意義為每一個該等外來信號會被引導通過該分配矩陣112，以便透過相同的埠口512離開，但是並非相同的時間。換言之，輸出信號608並非不同外來信號604a至h的組合，而係該等外來信號604a至h中要在任何特殊時刻被傳送的任何一者，俾使得該等信號604a至h中的每一者會被如第5C圖中所述的單一1x12光偵測器陣列接收。為進一步解釋，第6D圖顯示通過第5B圖之範例位元切片502的第6C圖的範例外來信號604h中單一位元606h的範例進入路徑和離開路 徑，以便離開作為輸出信號608的第一位元610。在另一時間點處，一對應於圖示範例之不同外來信號(舉例來說，604a至g)的不同位元(舉例來說，606a至g)可能會通過該切片502並且離開作為該輸出信號608的第一位元610。
圖示範例中的信號604a至h雖然可能彼此不同；不過，每一者的功率在進入該分配矩陣112時卻約略相等。再者，由於該等範例位元切片502的每一者之中的面鏡520a至h的光學特徵的關係，在任何給定時刻處不論哪一個外來信號604a至h係輸出信號608的來源，圖示範例中的輸出信號608在該時刻處都會有約略相同的功率。雖然並未依照比例縮放；不過，在第6C圖和第6D圖中以代表對應外來信號604a至h的位元606a至h的箭頭的大小相對於代表輸出信號608的位元610的箭頭的大小來表示進入該分配矩陣112的每一個對應外來信號604a至h的每一個位元606a至h的功率相對於離開該分配矩陣112的輸出信號608的每一個位元610的功率。如圖所示，每一個對應外來信號604a至h的每一個位元606a至h的功率大於輸出信號608的每一個位元610的功率，因為該等外來信號604a至h通過的面鏡520a至h僅會沿著主要通道506反射或透射該信號的功率的一部分至輸出612。再者，該輸出信號608的每一個位元610的功率會和該輸出信號608的每一個其它位元610的功率約略相同。為清楚起見，圖中雖然僅顯示代表外來信號604h之個別位元606h的箭頭；然而，圖示範例中每一個對應外來信號604a至g的對應位元606a至g同樣會具有和外來信號604h之位元606h約略相同的功率。
第7圖所示的係通過第5B圖中所示之範例位元切片502的輸入信號600的第一位元602的範例功率分配。圖示範例雖然僅顯示第一位 元602的功率分配；不過，輸入信號600的每一個其它位元602的光學功率分配會和該第一位元602雷同(舉例來說，相同)。第7圖描繪八個面鏡520a至h的反射和透射的表列功率比的示範性功率分配。如本文中的用法，當一範例中的一面鏡520a至h被認為移除和另一面鏡520a至h相同數額的功率(舉例來說，100微瓦(μW))時，其可能和該100微瓦(μW)會有落在鏈路預算(link budget)所決定之可接受公差位準裡面的微小差異。再者，在圖中所示的範例中，100μW係用來解釋為保持一可靠通信鏈路所需要的功率(舉例來說，最小功率位準)。
在圖中所示的範例中，輸入信號600的第一位元602在進入第6B中圖所示之位元切片502的主要通道506時會有以POA0來表示的初始傳送功率，其中，該初始傳送功率POA0等於1毫瓦(mW)的光學能量。下標符號「OA」的意義為「外送向前(outbound advancing)」，用以描述信號600的外送方向以及描述該信號600的對應部分係沿著該主要通道506前行而非偏折至其它地方。當位元602抵達第一面鏡520a時，反射係數R1=1/10且透射係數T1=9/10，該第一面鏡520a會將該位元602的功率的一部分向下反射至第一次要通道514a(也就是，第一外送信號601的第一位元603)。在該外送方向中的反射位元或分流位元603的功率係以變數POR1=POA0 R1來表示。據此，該分流位元603的功率會是100μW(1mWx1/10)。該第一面鏡520a還會進一步沿著該主要通道506於該外送方向中透射一第一向前信號702a。圖示範例中的第一向前信號702a對應於輸入信號600的位元602的剩餘功率，其功率POA1=900μW，其中，POA1=POA0 T1。因此，該第一向前信號702a代表已通過第一面鏡520a的輸入信號602，其功率損失為100μW。
該第一向前信號702a會繼續沿著該主要通道506前進，直到其抵達第二面鏡520b為止，其中，該信號702a會根據該第二面鏡520b的反射和透射的功率比進行分歧。在圖中所示的範例中，該第二面鏡520b的反射係數(R2)等於1/9而透射係數(T2)等於8/9。據此，面鏡520b會將該第一向前信號702a的功率(其具有功率POA1=900μW)的一部分向下反射至第二次要通道514b作為第二分流位元603，其功率為POR2=100μW，其中，POR2=POA1 R2。該第一向前信號702a的剩餘部分會透射穿過面鏡520b，用以在該外送方向中產生一第二向前信號702b，其功率POA2=800μW，其中，POA2=POA1 T2。因此，該第二向前信號702b代表來自該記憶體控制器106已通過第一面鏡520a和第二面鏡520b的輸入信號600中的位元602，其功率損失為200μW。
第三面鏡520c、第四面鏡520d、第五面鏡520e、第六面鏡520f、第七面鏡520g、第八面鏡520h的功能會將後面的向前信號702b至g分歧成個別的反射位元或外送位元603，而該信號的剩餘部分則會透射穿過對應的面鏡520c至h作為下一個向前信號702c至h。圖示範例中每一個接續面鏡520c至h的反射和透射的功率比會使得每一個對應外送信號601被每一個對應面鏡520c至h反射的位元603具有約略相同的功率100μW，而且每一個接續的向前信號702c至h相較於前一個向前信號702b至g之功率的功率損失會對應於被個別面鏡520c至h反射的功率(也就是，會減少約100μW)。據此，在圖中所示的範例中，透過一給定切片中的任何該等次要通道514a至h離開該分配矩陣112的任何該等位元603的功率通常會以PORn=POAn-1 Rn來表示，其中，n為對應於反射該相關聯位元603之面鏡520a至h 的面鏡編號。圖中所示範例中的每一個接續向前信號702a至h的功率則通常會以POAn=POAn-1 Tn來表示。在圖中所示的範例中，於第八位元603被反射離開該第八面鏡520h之後，第八向前信號702h便代表來自該記憶體控制器106已通過通道506的輸入信號600中的位元602，其功率損失為800μW。
沒有面鏡(舉例來說，面鏡520a至h)具有完美效率。更確切地說，圖所示範例中的面鏡520a至h具有POAn-1=PORn+POAn+損失的光學特徵。「損失」可能包含對應面鏡520a至h所造成的光學損失及/或該光學信號正在前進通過之光學路徑所造成的光學損失。理想上，損失應該越小越好，俾使得Rn+Tn會約等於1。在前面的範例中，為清楚起見，已在揭示內容中排除損失。
圖示範例中之第八向前信號702h中的功率200μW實際上雖然沒有前往任何額外面鏡；但是，超額功率卻隱喻著，如果需要的話，可以併入更多面鏡(以及連接至此等面鏡的更多記憶體裝置)。或者，圖示範例中每一個該等分流位元603的功率皆可藉由調整每一個面鏡520a至h的功率比而增加，用以將該200μW的超額功率分配在每一個反射部分中，俾使得第八向前信號702h約為零而且來自初始輸入信號600的實際所有功率都會變成該等外送信號601。於另一替代例中，在圖示範例中的超額200μW亦允許將該初始輸入信號600的能量減少200μW並且接著調整該等面鏡520a至h的功率比，俾使得每一個面鏡雖然會反射和上面範例相同數額的功率(舉例來說，100μW)，但是第八向前信號702h僅會保留有些許或者沒有任何功率。依此方式可以達到符合每一個信號601具有約略相等功率的通信可靠度指標，同時降低(舉例來說，最小化)功率消耗。
再者，當具有相同初始功率(舉例來說，1mW)的對應外來信號604a至h中的位元606a至h之中的任何一者在相反方向中透射穿過該分配矩陣112時，上面所述的面鏡520a至h的光學特徵還會讓一輸出信號中的位元(舉例來說，第6A圖和第6B圖之中所示的輸出信號608的位元610)具有約略相同數額的功率(舉例來說，100μW)。據此，圖示範例會讓所有外來信號和外送信號的初始功率約略相同(舉例來說，1mW)並且也會讓通過該分配矩陣112之後的每一個信號的最終功率約略相同(舉例來說，100μW)。
第8圖所示的係用以製造第5A圖之範例光學分配矩陣112的範例方法的流程圖。本發明雖然參考第8圖的流程圖以及第5A圖和第5B圖來說明該範例方法；不過，亦可以使用其它製程來施行該範例方法。舉例來說，可以改變圖中方塊的執行順序，及/或可以改變、刪除、細分、或是組合圖中所述的某些方塊。除此之外，第8圖的範例方法亦可以依序實施及/或同時實施。
理想上，第8圖的範例方法係從將多條波導通道(舉例來說，第5B圖的主要通道506以及次要通道514a至h)形成複數條位元切片(舉例來說，第5A圖的十二條位元切片502)中的每一者開始(方塊800)。該範例方法中的波導通道會被形成在每一個位元切片的前方表面之中(舉例來說，每一個位元切片502的前方表面508之中)並且可以具有任何合宜的剖面形狀及/或定位。有數種方法(舉例來說，蝕刻、接地、研磨、…等)可能會被施行用以形成該等波導通道，其可能會相依於該等位元切片的材料。該等位元切片可以由任何合宜的材料所製成，例如，玻璃、塑膠、矽、…等。於 某些範例中，該等波導通道係利用一蝕刻製程來形成。在其它範例中，包含該等波導通道的位元切片係透過一射出成形製程來同時形成。一旦該等波導通道形成之後，它們便會被金屬化以便發揮中空金屬波導的功能。
接著，具有所希反射和透射功率比的多個光學分流器(舉例來說，第5B圖的面鏡520a至h)會被插入在每一個位元切片之中(方塊802)。明確地說，該等光學分流器係被插入在每一個位元切片的該等波導通道的交點處，用以在每一個位元切片的該等通道之間於外來方向或外送方向之中反射及/或透射光學信號。為定位該等光學分流器以達到所希角度的反射光與透射光，可能會經由一微影製程在每一個位元切片之中蝕刻尺寸合適的開口，以便將每一個光學分流器安全地固定在正確的地方。舉例來說，在第5B圖的圖示範例中，寬度僅足以固持薄膜面鏡520a至h的狹縫會先被創造在每一個位元切片502的所希位置與角度處，並且接著才會插入該等面鏡520a至h。依此方式，該等面鏡520a至h一旦安裝之後，不需要進行調整便可以建立該等面鏡520a至h的角度。據此，在該分配矩陣112之中並不需要任何移動部件。
利用該等被插入每一個位元切片之中的光學分流器，該等位元切片可以被層疊在一起(方塊804)。明確地說，該等位元切片會被層疊成使得每一個位元切片的波導通道會以每一個其它位元切片的對應波導通道為基礎來進行定位，用以對齊輸入光學器件和輸出光學器件(舉例來說，多個埠口512所組成的直線以便對齊第5C圖之中所示的1x12光偵測器或VCSEL陣列，或是對應埠口518a至h所組成的列以便對齊第5D圖之中所示的帶狀光纖306)。再者，該等位元切片還會被層疊成讓每一個位元切片 的正面會面向一相鄰位元切片的背面，用以封閉該等波導通道並且讓它們具有如同中空金屬波導的功能。然而，在該範例方法之中，最前方位元切片的通道則會保持開放，因為沒有任何相鄰位元切片覆蓋它的正面。據此一覆蓋切片(舉例來說，第5A圖的覆蓋切片504)會層疊至該等已層疊位元切片的前方(方塊806)。依此方式，除了在對應於輸入埠口和輸出埠口(舉例來說，每一個位元切片502之底部的埠口512以及每一個位元切片502之末端516中的埠口518a至h)的末端點處以外，每一條位元切片的波導通道都會被封閉。
從前文中會明白，上面所揭示的方法和設備可讓單一光學分配架構支援大量的DIMM(或是其它I/O裝置)。依此方式可以減輕體積龐大且需要用到客製設計部件的已知光學通信系統的問題。舉例來說，許多已知光學通信系統雖然在器件(舉DIMM)之間有數英吋的跨距，從而會因為偏折的關係而導致功率損失；不過，本文中所揭示的範例則施行一種具有超小外形因數的架構。同樣地，和可能需要用到客製內建器件的已知光學通信系統的龐大及剛硬外形因數不同，帶狀光纖306的撓性特性會使得輕易地將本文揭示的範例整合至標準的電腦系統之中。再者，圖中所示的範例因為能夠更換豎卡302及/或豎卡302上個別的DIMM 204而非常的耐用，從而會提高運用此等轉接卡302或是DIMM 204的系統的使用壽命。
除此之外，上面所揭示的方法和設備還能夠減少總光學器件數，同時支援相同數量的DIMM(或是其它I/O裝置)。舉例來說，被設計成利用O/E轉換功能和E/O轉換功能在每一個方向中將12個光學位元連接至三十二個DIMM的先前技術系統會需要用到384條外送路徑(12位位元x32 個DIMM)以及384條外來路徑(12位位元x32個DIMM)，總共要有768條路徑。因為每一條路徑在反向兩端皆需要用到一光學發射器(舉例來說，VCSEL)以及一接收器(舉例來說，光偵測器)，因此，此系統的總光學器件數為1536個裝置(768條路徑x2)。然而，使用上面所揭示的方法和設備則能夠大幅地縮減此數量。舉例來說，使用上面所述的光學豎卡302會減少四倍的總光學數，因為每一個豎卡302會固持四個DIMM而且連接點係在該豎卡層而並不是在DIMM層。因此，在圖中所示的範例中有96條外送路徑(12位位元x8個豎卡)以及96條外來路徑(12位位元x8個豎卡302)，總共有192條路徑。配合任一端的發射器和接收器，圖示範例中所運用的光學裝置總數量會變成384(192條路徑x2)個。除此之外，藉由透過該光學分配結構110在八條路線中扇出該輸入信號則會進一步減少該數量。雖然有相同數量的路徑(也就是，192條)；不過，在圖中所示範例中1：8的扇出卻會將主動元件的功率分散在更多的通道上而使得12個光學發射器(舉例來說，單一個1x12 VCSEL陣列)便能夠驅動全部96條外送路徑(12位位元x8條通道)。同樣地，1：8的扇入亦能夠讓12接收器(舉例來說，單一個1x12光偵測器)接收全部96條外來路徑。依此方式，外送路徑中僅會有108個光學器件(12個光學發射器+96個接收器)且外來路徑中僅會有108個光學器件(12個接收器+96個光學發射器)，總共有216個光學裝置。因此，以上面範例的先前技術系統為基礎，圖中所示的範例會在一32 DIMM記憶體系統中將光學器件數從1536個裝置縮減至216個裝置。
本文中雖然已經說明過特定的範例方法和設備；但是，本專利的涵蓋範疇並不受限於此。相反地，本專利完全覆蓋落在本專利之申請 專利範圍的範疇裡面的所有製造方法、設備、以及商品。
100‧‧‧光學架構
102‧‧‧光學資料通信路徑或互連線
104‧‧‧光學分流器
106‧‧‧記憶體控制器
108‧‧‧記憶體裝置

Claims (15)

  1. 一種光學架構，其包括：第一豎卡和第二豎卡；分別由該等第一豎卡和第二豎卡攜載的第一器件和第二器件；一第一矩陣，用以扇出一多位元光學輸入信號成第一外送信號和第二外送信號；以及第一光纖纜線和第二光纖纜線，用以將該等第一外送信號和第二外送信號分別攜載至該等第一豎卡和第二豎卡。
  2. 根據申請專利範圍第1項的光學架構，其進一步包括會和該等第一光纖纜線和第二光纖纜線中的個別光纖纜線以及該等第一豎卡和第二豎卡中的個別豎卡進行通信的第一換能器和第二換能器，該等第一換能器和第二換能器係用以將該等個別第一外送信號和第二外送信號從光學信號轉換成電氣信號。
  3. 根據申請專利範圍第2項的光學架構，其進一步包括會和該等第一換能器和第二換能器中的個別換能器進行通信的解碼器，用以判斷該等個別外送信號是否意圖傳送至該等個別第一器件和第二器件中的對應器件。
  4. 根據申請專利範圍第1項的光學架構，其進一步包括一VCSEL，用以產生該多位元輸入信號。
  5. 根據申請專利範圍第1項的光學架構，其中，該等第一光纖纜線和第二光纖纜線會將個別的外來信號從該等第一豎卡和第二豎卡中的對應豎卡傳送至該第一矩陣，該第一矩陣會將該等外來信號中的至少其中一者轉換成一多位元輸出信號。
  6. 根據申請專利範圍第5項的光學架構，其進一步包括一光偵測器，其會與該第一矩陣進行通信，用以接收該多位元輸出信號。
  7. 根據申請專利範圍第1項的光學架構，其進一步包括第三光纖纜線和第四光纖纜線，用以將個別的外來信號從該等第一豎卡和第二豎卡中的對應豎卡傳送至一第二矩陣，該第二矩陣用以將該等外來信號中的至少其中一者轉換成一多位元輸出信號。
  8. 根據申請專利範圍第1項的光學架構，其中，該第一矩陣包括：第一切片和第二切片，該等第一切片和第二切片會耦合，該等第一切片和第二切片中的每一者皆包括：一主要通道；第一次要通道和第二次要通道，它們會與該主要通道進行通信；以及第一面鏡和第二面鏡，它們會被定位成用以在該主要通道以及該等第一次要通道和第二次要通道中的一個別次要通道之間反射一光學信號的一部分。
  9. 根據申請專利範圍第8項的光學架構，其中，該第一切片中的該第一次要通道會對齊該第二切片中的該第一次要通道且該第一切片中的該第二次要通道會對齊該第二切片中的該第二次要通道。
  10. 根據申請專利範圍第9項的光學架構，其中，該第一光纖纜線會通信耦合該等第一切片和第二切片的該等第一次要通道，以及該第二光纖纜線會通信耦合該等第一切片和第二切片的該等第二次要通道。
  11. 一種光學分配矩陣，其包括：一第一切片，其具有一第一輸入埠口以及複數個輸出埠口；以及 一第二切片，其具有一第二輸入埠口以及第二複數個輸出埠口，該等第一輸入埠口和第二輸入埠口會相對於彼此垂直位移與水平位移，該等第一複數個輸出埠口和第二複數個輸出埠口則僅會水平位移或垂直位移。
  12. 根據申請專利範圍第11項的光學分配矩陣，其進一步包括：第一複數個光學分流器，它們係對應於該等第一複數個輸出埠口；以及第二複數個光學分流器，它們係對應於該等第二複數個輸出埠口。
  13. 根據申請專利範圍第12項的光學分配矩陣，其中，該等第一輸入埠口和第二輸入埠口係用以接收一光學信號並且用以透過該等個別第一複數個光學分流器和第二複數個光學分流器將該信號扇出至該等對應的第一複數個輸出埠口和第二複數個輸出埠口中的每一者。
  14. 根據申請專利範圍第12項的光學分配矩陣，其中，該等第一複數個輸出埠口和第二複數個輸出埠口中的個別輸出埠口係用以接收一光學信號並且用以透過第一複數個面鏡和第二複數個面鏡將該信號排定發送至該等第一輸入埠口和第二輸入埠口。
  15. 一種製造光學結構的方法，其包括：製作一第一切片，其具有一第一輸入波導以及和該第一輸入波導進行通信的第一複數條次要波導；製作一第二切片，其具有一第二輸入波導以及和該第二輸入波導進行通信的第二複數條次要波導；將第一複數個面鏡定位在該第一切片裡面，用以在該第一輸入波導和該等第一複數條次要波導中的個別次要波導之間反射光； 將第二複數個面鏡定位在該第二切片裡面，用以在該第二輸入波導和該等第二複數條次要波導中的個別次要波導之間反射光；以及層疊該等第一切片和第二切片。
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