TWI541331B

TWI541331B - 液晶介質

Info

Publication number: TWI541331B
Application number: TW101109210A
Authority: TW
Inventors: 梅莫梅蘭妮克蕾森; 馬堤亞斯柏爾墨; 哈拉德蘭訥特; 康斯坦汀史奈德
Original assignee: 馬克專利公司
Priority date: 2011-03-18
Filing date: 2012-03-16
Publication date: 2016-07-11
Also published as: JP2014516365A; JP6141204B2; EP2686402A1; DE102012003796A1; EP2686402B1; US9347002B2; WO2012126562A1; KR20140018291A; US20140008571A1; KR101873613B1; TW201245424A

Description

液晶介質

本發明係關於一種包含至少一種式I化合物之液晶介質，其中R¹及R^1＊各彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中另外此等基團中之一或多個CH₂基團可各彼此獨立地以O原子不會彼此直接連接之方式經-C≡C-、-CF₂O-、-CH=CH-、、-O-、-CO-O-、-O-CO-置換，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換，及L¹、L²及L³各彼此獨立地表示F、Cl、CF₃、OCF₃或CHF₂。

此類介質尤其可用於具有基於ECB效應之主動式矩陣定址的電光顯示器、及IPS(共平面切換型)顯示器或FFS(邊緣場切換型)顯示器。

電控制雙折射率(ECB效應)或此外DAP(對準相變形)效應之原理首次描述於1971年(M.F.Schieckel及K. Fahrenschon,「Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields」,Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。隨後描述於J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)及G.Labrunie與J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)之論文中。

J.Robert與F.Clerc(SID 80 Digest Techn.Papers(1980),30)、J.Duchene(Displays 7(1986),3)及H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982),244)之論文展示液晶相之彈性常數K₃/K₁之比值應較高，光學各向異性△n值應較高且介電各向異性值應為△ε-0.5，以適用於基於ECB效應之高資訊顯示元件。基於ECB效應之電光顯示元件具有垂直邊緣對準(VA技術=垂直對準(vertically aligned))。介電負性液晶介質亦可用於使用所謂的IPS或FFS效應之顯示器中。

使用ECB效應之顯示器，如例如呈MVA(多域垂直對準(multi-domain vertical alignment)，例如：Yoshide,H.等人，論文3.1：「MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...」，SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第I篇，第6至9頁；及Liu,C.T.等人，論文15.1：「A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...」，SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II篇，第750至753頁)、PVA(圖案化垂直對準(patterned vertical alignment)，例如：Kim,Sang Soo,論文15.4：「Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II篇，第760至763頁)、ASV(先進大視角(advanced super view)，例如：Shigeta,Mitzuhiro及Fukuoka,Hirofumi，論文15.2：「Development of High Quality LCDTV」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II篇，第754至757頁)模式之所謂的VAN(垂直對準向列型(vertically aligned nematic))顯示器本身已成為除IPS(共平面切換型(in-plane switching))顯示器(例如：Yeo,S.D.，論文15.3：「An LC Display for the TV Application」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第II篇，第758及759頁)及早就已知之TN(扭轉向列型(twisted nematic))顯示器之外目前尤其對於電視應用最重要之三種最新類型液晶顯示器之一。例如在Souk,Jun,SID Seminar 2004,seminar M-6：「Recent Advances in LCD Technology」,Seminar Lecture Notes,M-6/1至M-6/26，及Miller,Ian,SID Seminar 2004,seminar M-7：「LCD-Television」,Seminar Lecture Notes,M-7/1至M-7/32中比較該等技術之一般形式。儘管現代ECB顯示器之反應時間已藉由過驅動定址方法顯著改良，例如：Kim,Hyeon Kyeong等人，論文9.1：「A 57-in.Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV，第I篇，第106至109頁，但尤其在灰度切換方面達到視訊相容反應時間仍為一個尚未令人滿意地解決之問題。

此效應在電光顯示元件中之工業應用需要必須滿足多重要求之LC相。此處尤其重要的是對水分、空氣之化學抗性及諸如熱、紅外線、可見光及紫外線輻射以及直流與交流電場之物理影響。

此外，工業上可用之LC相需要具有適合溫度範圍及低黏度之液晶中間相。

迄今揭示之一系列具有液晶中間相之化合物均不包括滿足所有此等要求之單一化合物。因此，通常製備2至25種，較佳3至18種化合物之混合物，以獲得可用作LC相之物質。然而，不能以此方式輕易地製備最佳相，這是因為至今沒有具有顯著負介電各向異性與足夠長期穩定性之液晶材料可用。

矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)係已知的。可用於個別像素之個別切換的非線性元件為例如主動元件(亦即電晶體)。接下來使用術語「主動矩陣」，其中可區別出兩種類型：

1.在作為基板之矽圓晶上的MOS(金屬氧化物半導體)電晶體。

2.在作為基板之玻璃板上的薄膜電晶體(TFT)。

在類型1之情況下，使用之電光效應通常為動態散射或客體-主體效應。使用單晶矽作為基板材料限制顯示器尺寸，這是因為甚至各種顯示器部件之模組總成也會在接合處產生問題。

在較佳之更有前景之類型2的情況下，所用電光效應通常為TN效應。

在此兩項技術之間作出區分：包含化合物半導體(諸如CdSe)之TFT或基於多晶或非晶矽之TFT。後一技術正在全球密集地使用。

將TFT矩陣應用於顯示器之一玻璃板之內部，而另一玻璃板在其內部載有透明反電極。與像素電極之尺寸相比，TFT極小且實際上不會對影像產生不利影響。此技術亦可延伸至有完全色彩能力之顯示器，其中按濾光器元件與每一可切換像素相對的方式來配置紅、綠及藍濾光器之嵌合體。

此處術語MLC顯示器涵蓋具有整合非線性元件之任一矩陣式顯示器，亦即除了主動矩陣外，亦具有諸如變阻器或二極體之被動元件之顯示器(MIM=金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal))。

此類MLC顯示器尤其適用於TV應用(例如口袋式TV)或在汽車或航空器構造中之高資訊顯示器。除了關於對比度之角度依賴性及回應時間之問題外，在MLC顯示器中亦出現由於液晶混合物之比電阻不夠高所致之困難[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月：A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，第141頁及其後，Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，第145頁及其後，Paris]。隨著電阻減小，MLC顯示器之對比度變差。由於液晶混合物之比電阻歸因於與顯示器之內部表面的相互作用而通常在MLC顯示器之壽命期內下降，所以高(初始)電阻對於在長操作期內必須具有可接受之電阻值的顯示器而言很重要。

因而，持續迫切需要具有極高比電阻同時具有寬操作溫度範圍、短回應時間及低臨限電壓(藉此可產生各種灰度)之MLC顯示器。

通常所用之MLC-TN顯示器之缺點係歸因於其對比度比較低、視角依賴性相對較高且難以在此等顯示器中產生灰度。

VA顯示器具有顯著較佳之視角依賴性且因此主要用於電視及監視器。然而，此處仍然需要改良回應時間，對於使用訊框率(影像變化頻率/重複比率)大於60 Hz之電視尤其如此。然而，同時不能削弱諸如低溫穩定性之特性。

本發明係基於尤其為監視器及TV應用提供液晶混合物之目的，該等監視器及TV係基於ECB效應或IPS或FFS效應，其不具有以上所提及之缺點或僅較低程度地具有該等缺點。詳言之，必須確保監視器及電視亦可在極高及極低溫度下操作，且同時具有短回應時間，且同時具有改良之可靠性能，尤其在長操作時間之後不具有或具有顯著較少之影像殘留。

令人驚奇地，若在液晶混合物中，尤其在具有負介電各向異性之LC混合物(較佳用於VA顯示器)中使用通式I之極性化合物，則可改良旋轉黏度且因此改良回應時間。

氟化萘基化合物由於其相特性不良及清澈點低而一般不可用於向列型液晶混合物中。然而，式I化合物令人驚奇地具有極低旋轉黏度及高介電各向異性值△ε。因此，可製備液晶混合物，較佳VA、PS(=聚合物穩定)-VA、PA(=光對準)-VA、IPS及FFS混合物，其具有短回應時間，同時具有良好相特性及良好低溫性能。

本發明因此係關於一種包含至少一種式I化合物之液晶介質。本發明同樣係關於式I化合物。

本發明混合物較佳展現清澈點70℃、較佳75℃、尤其80℃之極寬向列相範圍、極有利的電容臨限值、相對較高之保持率值及同時在-20℃及-30℃下之極佳低溫穩定性以及極低旋轉黏度及短回應時間。此外，本發明混合物之不同之處在於，除旋轉黏度γ₁有改良外，可觀測到相對較高之彈性常數K₃₃值，供改良回應時間之用。

本發明混合物之一些較佳實施例指示如下。

在式I化合物中，R¹及R^1＊較佳各彼此獨立地表示直鏈烷氧基，尤其是OC₂H₅、OC₃H₇、OC₄H₉、OC₅H₁₁、OC₆H₁₃，此外表示烯氧基，尤其是OCH₂CH=CH₂、OCH₂CH=CHCH₃、OCH₂CH=CHC₂H₅，此外表示烷基，尤其是n-C₃H₇、n-C₄H₉、n-C₅H₁₁、n-C₆H₁₃。

較佳之式I化合物為式I-1至I-13之化合物，

其中烷基及烷基^＊各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，烯基及烯基^＊各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，烷氧基及烷氧基^＊各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基，且L¹、L²及L³各彼此獨立地表示F或Cl。在式I化合物中及在子式I-1至I-13中，較佳 L¹=L²=L³=F。

尤其較佳為式I-6化合物。

本發明混合物極佳包含至少一種式I-6A化合物：

本發明混合物極佳包含至少一種來自以下群組之化合物：

在式I化合物及子式中，L¹、L²及L³較佳各彼此獨立地表示F或Cl，尤其L¹=L²=L³=F。R¹與R^1＊較佳皆表示烷氧基。

舉例而言，該等式I化合物可如下製備：

流程1

(R及R'各為具有1至6個C原子之烷基)

本發明同樣係關於式I化合物。

本發明之介質較佳包含1、2、3、4種或4種以上，較佳1、2或3種式I化合物。

式I化合物較佳以整體混合物計以1重量%，較佳5重量%之量用於液晶介質中。尤其較佳為包含2重量%至15重量%一或多種式I化合物之液晶介質。

根據本發明液晶介質之較佳實施例指示如下：

a)另外包含一或多種選自式IIA、式IIB及式IIC之化合物之群的化合物之液晶介質：

其中R^2A、R^2B及R^2C各彼此獨立地表示H、具有至多15個C原子之烷基(其未經取代、經CN或CF₃單取代或至少經鹵素單取代)，其中另外，此等基團中之一或多個CH₂基團可以O原子不會彼此直接連接之方式經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、-OC-O-或-O-CO-置換，L^1-4各彼此獨立地表示F、Cl、CF₃或CHF₂，Z²及Z^2'各彼此獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-CH=CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、-CF=CF-、-CH=CHCH₂O-，p表示1或2，q表示0或1，及v表示1至6。

在式IIA及式IIB之化合物中，Z²可具有相同或不同含義。在式IIB之化合物中，Z²與Z^2'可具有相同或不同含義。

在式IIA、式IIB及式IIC之化合物中，R^2A、R^2B及R^2C較佳各表示具有1至6個C原子之烷基，尤其是CH₃、C₂H₅、n-C₃H₇、n-C₄H₉、n-C₅H₁₁。

在式IIA及式IIB之化合物中，L¹、L²、L³及L⁴較佳表示L¹=L²=F及L³=L⁴=F，此外表示L¹=F及L²=Cl，L¹=Cl及L²=F，L³=F及L⁴=Cl，L³=Cl及L⁴=F。在式IIA及式IIB中Z²及Z²'較佳各彼此獨立地表示單鍵，此外表示-C₂H₄-橋。

若在式IIB中，Z²=-C₂H₄-，則Z^2'較佳為單鍵，或若Z^2'=-C₂H₄-，則Z²較佳為單鍵。在式IIA及式IIB之化合物中，(O)C_vH_2v+1較佳表示OC_vH_2v+1，此外表示C_vH_2v+1。在式IIC化合物中，(O)C_vH_2v+1較佳表示C_vH_2v+1。在式IIC之化合物中，L³及L⁴較佳各表示F。

較佳之式IIA、式IIB及式IIC之化合物指示如下：

其中烷基及烷基^＊各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。

尤其較佳之本發明混合物包含一或多種式IIA-2、式IIA-8、式IIA-14、式IIA-29、式IIA-35、式IIB-2、式IIB-11、式IIB-16及式IIC-1之化合物。

式IIA及/或式IIB化合物在整體混合物中之比例較佳為至少20重量%。

尤其較佳之本發明介質包含至少一種式IIC-1之化合物，其中烷基及烷基^＊具有上文所示之含義，式IIC-1化合物之含量較佳>3重量%，尤其>5重量%且尤其較佳為5重量%至25重量%。

b)另外包含一或多種式III化合物之液晶介質，

其中R³¹及R³²各彼此獨立地表示具有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，及表示或Z³表示單鍵、-CH₂CH₂-、-CH=CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、 -C₄H₈-、-CF=CF-。

較佳之式III化合物指示如下：

本發明之介質較佳包含至少一種式IIIa及/或式IIIb之化合物。

式III化合物在整體混合物中之比例較佳為至少5重量%。

c)另外包含下式化合物之液晶介質，總含量較佳5重量%，尤其10重量%。

此外較佳為包含以下化合物之本發明混合物，

d)另外包含一或多種下式之四環化合物的液晶介質：

其中R⁷至R¹⁰各彼此獨立地具有如技術方案2中R^2A所示之含義中之一者，及w及x各彼此獨立地表示1至6。

尤其較佳為包含至少一種式V-9化合物之混合物。

e)另外包含一或多種式Y-1至式Y-6化合物之液晶介質，

其中R¹⁴至R¹⁹各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基；z及m各彼此獨立地表示1至6；x表示0、1、2或3。

本發明之介質尤其較佳包含一或多種式Y-1至式Y-6之化合物，含量較佳5重量%。

f)另外包含一或多種式T-1至式T-21之氟化聯三苯之液晶介質，

其中R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基，且m=0、1、2、3、4、5或6且n表示0、1、2、3或4。

R較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。

本發明之介質較佳包含2重量%至30重量%，尤其5重量%至20重量%之量的式T-1至式T-21之聯三苯。

尤其較佳為式T-1、式T-2、式T-20及式T-21之化合物。

在此等化合物中，R較佳表示烷基，此外表示烷氧基，其各具有1至5個C原子。在式T-20之化合物中，R較佳表示烷基或烯基，尤其是烷基。在式T-21之化合物中，R較佳表示烷基。

若本發明混合物之△n值0.1，則本發明混合物中較佳使用聯三苯。較佳混合物包含2重量%至20重量%之一或多種選自化合物T-1至T-21之群的聯三苯化合物。

g)另外包含一或多種式B-1至式B-3之聯二苯的液晶介質，

其中烷基及烷基^＊各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，及烯基及烯基^＊各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。

式B-1至式B-3之聯二苯在整體混合物中之比例較佳為至少3重量%，尤其5重量%。

在式B-1至式B-3之化合物中，式B-1及式B-2之化合物尤其較佳。

尤其較佳之聯二苯為其中烷基^＊表示具有1-6個C原子之烷基。本發明之介質尤其較佳包含一或多種式B-1a及/或式B-2d之化合物。

h)包含至少一種式Z-1至式Z-7之化合物的液晶介質，

其中R及烷基具有以上所示之含義。

i)包含至少一種式O-1至式O-16之化合物的液晶介質，

其中R¹及R²具有為R^2A所示之含義。R¹及R²較佳各彼此獨立地表示直鏈烷基。

較佳介質包含一或多種式O-1、O-3、O-4、O-5、O-9、 O-13、O-14、O-15及/或O-16之化合物。

本發明之混合物極佳包含式O-9、式O-15及/或式O-16之化合物，含量尤其為5%至30%。

較佳之式O-15及式O-16之化合物指示如下：

本發明之介質尤其較佳包含式O-15a及/或式O-15b之三環化合物以及一或多種式O-16a至式O-16d之雙環化合物。式O-15a及/或式O-15b之化合物以及一或多種選自式O-16a至式O-16d之雙環化合物之化合物的總比例為5%至40%，極佳為15%至35%。

極佳混合物包含化合物O-15a及O-16a：

混合物中存在之化合物O-15a及O-16a之濃度以整體混合物計較佳為15%至35%，尤其較佳為15%至25%且特別較佳為18%至22%。

極佳混合物包含化合物O-15b及O-16a：

混合物中存在之化合物O-15b及O-16a之濃度以整體混合物計較佳為15%至35%，尤其較佳為15%至25%且特別較佳為18%至22%。

極佳混合物包含以下三種化合物：

混合物中存在之化合物O-15a、O-15b及O-16a之濃度以整體混合物計較佳為15%至35%，尤其較佳為15%至25%且特別較佳為18%至22%。

j)較佳之本發明液晶介質包含一或多種諸如式N-1至式N-5化合物之含有四氫萘基或萘基單元的物質，

其中R^1N及R^2N各彼此獨立地具有為R^2A所示之含義，較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基，及Z¹及Z²各彼此獨立地表示-C₂H₄-、-CH=CH-、-(CH₂)₄-、-(CH₂)₃O-、-O(CH₂)₃-、-CH=CHCH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH=CH-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂-或單鍵。

k)較佳混合物包含一或多種選自式BC之二氟二苯并烷化合物、式CR之烷、式PH-1及式PH-2之氟化菲、式BF之氟化二苯并呋喃之群的化合物，

其中R^B1、R^B2、R^CR1、R^CR2、R¹、R²各彼此獨立地具有R^2A之含義。c為0、1或2。

本發明混合物較佳包含3重量%至20重量%，尤其3重量%至15重量%之量的式BC、式CR、式PH-1、式PH-2及/或式BF之化合物。

尤其較佳之式BC及式CR之化合物為化合物BC-1至BC-7及CR-1至CR-5，

極佳為包含1、2或3種式BC-2化合物之混合物。

1)較佳混合物包含一或多種式In之茚滿化合物，

其中R¹¹、R¹²、R¹³各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，R¹²及R¹³另外表示鹵素，較佳表示F，表示 i表示0、1或2。

較佳之式In化合物為如下所示式In-1至式In-16之化合物：

尤其較佳為式In-1、式In-2、式In-3及式In-4之化合物。

本發明混合物中所用之式In及子式In-1至In-16之化合物之濃度較佳5重量%，尤其為5重量%至30重量%且極佳為5重量%至25重量%。

m)較佳混合物另外包含一或多種式L-1至式L-11之化合物，

其中R、R¹及R²各彼此獨立地具有如技術方案2中R^2A所示之含義，且烷基表示具有1至6個C原子之烷基。s表示1或2。

尤其較佳為式L-1及式L-4之化合物，尤其是式L-4之化合物。

式L-1至式L-11之化合物之使用濃度較佳為5重量%至50重量%，尤其為5重量%至40重量%且極佳為10重量%至40重量%。

n)該介質另外包含一或多種式EY之化合物，

其中R¹、R^1＊、L¹及L²具有式I中所示之含義。在式EY之化合物中，R¹及R^1＊較佳表示具有2個C原子之烷氧基，且L¹=L²=F。尤其較佳為下式之化合物：

尤其較佳混合物之概念指示如下：(所用首字母縮寫示於表A中。此處n及m各彼此獨立地表示1至6)。

本發明之混合物較佳包含-式I化合物，其中L¹=L²=F且R¹及R^1＊各彼此獨立地表示烷氧基，其中烷氧基可相同或不同，-CPY-n-Om，尤其CPY-2-O2、CPY-3-O2及/或CPY-5-O2，濃度以整體混合物計較佳>5%，尤其為10%至30%，及/或-CY-n-Om，較佳CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及/或CY-5-O4，濃度以整體混合物計較佳>5%，尤其為15%至50%，及/或-CCY-n-Om，較佳CCY-2-O2、CCY-3-O1、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-4-O2及/或CCY-5-O2，濃度以整體混合物計較佳>5%，尤其為10%至30%，及/或-CLY-n-Om，較佳CLY-2-O4、CLY-3-O2及/或CLY-3- O3，濃度以整體混合物計較佳>5%，尤其為10%至30%，及/或-CK-n-F，較佳CK-3-F、CK-4-F及/或CK-5-F，濃度以整體混合物計較佳>5%，尤其為5%至25%。

此外較佳為包含以下混合物概念之本發明混合物：(n及m各彼此獨立地表示1至6)。

-CPY-n-Om及CY-n-Om，濃度以整體混合物計較佳為10%至80%，及/或-CPY-n-Om及CK-n-F，濃度以整體混合物計較佳為10%至70%，及/或-CPY-n-Om及CLY-n-Om，濃度以整體混合物計較佳為10%至80%。

本發明此外係關於一種具有基於ECB、VA、PS-VA、PSA、PA-VA、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效應之主動式矩陣定址的電光顯示器，其特徵在於其含有如技術方案1至9中任一項之液晶介質作為介電質。

本發明之液晶介質較佳具有-20℃至70℃，尤其較佳-30℃至80℃，極佳-40℃至90℃之向列相。

表達「具有向列相」在此意指一方面在對應溫度之低溫下觀察不到近晶相與結晶，且另一方面在受熱時向列相仍不發生清澈化。低溫下之研究係在相應溫度下於流動黏度計中進行且藉由儲存於具有對應於電-光應用之層厚度的測試單元中歷時至少100小時來檢查。若在相應測試單元中在-20℃之溫度下之儲存穩定性為1000小時或1000小時以上，則稱該介質在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，相應之時間分別為500小時與250小時，高溫下，清澈點藉由習知方法在毛細管中量測。

液晶混合物較佳具有至少60 K之向列相範圍及在20℃下至多30 mm²．s^-1之流動黏度v ₂₀。

在液晶混合物中雙折射率值△n通常在0.07與0.16之間，較佳在0.08與0.12之間。

本發明之液晶混合物之△ε為-0.5至-8.0，尤其為-2.5至-6.0，其中△ε表示介電各向異性。在20℃下之旋轉黏度γ₁較佳165 mPa．s，尤其140 mPa．s。

本發明之液晶介質具有相對較低之臨限電壓值(V₀)。其較佳在1.7 V至3.0 V之範圍內，尤其較佳2.5 V且極佳2.3 V。

除非另外明確指示，否則對於本發明，術語「臨限電壓」係指電容臨限值(V₀)，亦稱為福瑞德瑞克斯(Freedericks)臨限值。

此外，本發明之液晶介質在液晶單元中具有高的電壓保持率值。

通常，具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質與彼等具有較高定址電壓或臨限電壓者相比呈現較低之電壓保持率，反之亦然。

對於本發明，術語「介電正性化合物」表示具有△ε>1.5 之化合物，術語「介電中性化合物」表示彼等具有-1.5△ε1.5之化合物，且術語「介電負性化合物」表示彼等具有△ε<-1.5之化合物。化合物之介電各向異性在此藉由在液晶主體中溶解10%化合物且在至少一個測試單元(在各情況下具有20 μm之層厚度，在1 kHz下垂直及平行表面對準)中測定所得混合物之電容來測定。測量電壓通常為0.5 V至1.0 V，但始終低於所研究之各別液晶混合物之電容臨限值。

本發明所示之所有溫度值均以℃為單位。

本發明混合物適用於所有VA-TFT應用，諸如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA(聚合物維持型VA)及PS-VA(聚合物穩定型VA)。其此外適用於具有負性△ε之IPS(共平面切換型)及FFS(邊緣場切換型)應用。

本發明之顯示器中的向列型液晶混合物通常包含兩種組分A及B，該等組分本身由一或多種個別化合物組成。

組分A具有顯著負介電各向異性且提供-0.5之介電各向異性之向列相。除一或多種式I化合物外，其較佳包含式IIA、式IIB及/或式IIC之化合物，此外包含式III之化合物。

組分A之比例較佳介於45%與100%之間，尤其介於60%與100%之間。

對於組分A而言，較佳選擇△ε值-0.8之一種(或多種)個別化合物。A在整體混合物中之比例愈小，此值之負值必愈小。

組分B具有明確的向列原基性(nematogeneity)且在20℃ 下之流動黏度不大於30 mm²．s^-1，較佳不大於25 mm²．s^-1。

組分B中之尤其較佳個別化合物為在20℃下之流動黏度不大於18 mm²．s^-1(較佳不大於12 mm²．s^-1)之極低黏度向列型液晶。

組分B為單變性或互變性向列，無近晶相且能夠防止液晶混合物中近晶相降至極低溫度之發生。舉例而言，若將各種高向列原基性材料添加至近晶液晶混合物中，則可經由達成之近晶相之抑制程度比較此等材料之向列原基性。

混合物亦可視情況包含組分C，其包含介電各向異性△ε1.5之化合物。負介電各向異性之混合物中存在之此等所謂的正性化合物之量以整體混合物計一般20重量%。

熟習此項技術者自文獻已知許多合適材料。尤其較佳為式III之化合物。

另外，此等液晶相亦可包含18種以上組分，較佳18至25種組分。

除一或多種式I化合物外，該等相較佳亦包含4至15種，尤其5至12種，且尤其較佳<10種式IIA、式IIB及/或式IIC之化合物及視情況選用之式III之化合物。

除式I化合物及式IIA、式IIB及/或式IIC之化合物及視情況選用之式III之化合物外，其他成分亦可以例如整體混合物之至多45%，但較佳至多35%，尤其至多10%之量存在。

其他成分較佳選自來自以下類別之向列或向列原基物質(尤其是已知物質)：氧偶氮苯、亞苄基苯胺、聯二苯、聯三苯、苯甲酸苯酯或苯甲酸環己酯、環己烷甲酸苯酯或環己烷甲酸環己酯、苯基環己烷、環己基聯二苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4-雙環己基聯二苯或環己基嘧啶、苯基二噁烷或環己基二噁烷、視情況選用之鹵化芪、苄基苯基醚、二苯乙炔及經取代之肉桂酸酯。

適用作此類型之液晶相之成分的最重要化合物可由式IV表徵，R²⁰-L-G-E-R²¹ IV其中L及E各表示來自由以下形成之群的碳環或雜環系統：1,4-雙取代苯及環己烷環、4,4'-雙取代聯二苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5-雙取代嘧啶及1,3-二噁烷環、2,6-雙取代萘、二氫萘及四氫萘、喹唑啉及四氫喹唑啉。

或C-C單鍵，Q表示鹵素，較佳為氯，或-CN，且R²⁰及R²¹各表示具有至多18個，較佳至多8個碳原子之烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或此等基團中之一者替代地表示CN、NC、NO₂、NCS、CF₃、SF₅、OCF₃、F、Cl或Br。

在大多數此等化合物中，R²⁰與R²¹彼此不同，此等基團中之一者通常為烷基或烷氧基。所提出取代基之其他變體亦常見。許多該等物質或其混合物為市售的。所有此等物質均可藉由自文獻已知之方法製備。

對於熟習此項技術者不言而喻，本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包含例如H、N、O、Cl及F已由相應同位素置換之化合物。

此外可將可聚合化合物，即所謂的反應性液晶原(RM)(例如如U.S.6,861,107中所揭示)添加至本發明混合物中，濃度以混合物計較佳為0.12重量%至5重量%，尤其較佳為0.2重量%至2重量%。此等混合物亦可視情況包含引發劑，如例如U.S.6,781,665中所述。較佳將引發劑，例如來自Ciba之Irganox-1076添加至包含0%至1%之量的可聚合化合物之混合物中。此類型混合物可用於所謂的聚合物穩定型VA模式(PS-VA)或PSA(聚合物維持型VA)，其中反應性液晶原之聚合欲在液晶混合物中進行。為此之先決條件為液晶混合物本身不包含任何可聚合組分。

在本發明之一個較佳實施例中，可聚合化合物係選自式M化合物，R^a-A¹-(Z¹-A²)_m-R^b M其中個別基團具有以下含義： R^a及R^b各彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、鹵素、SF₅、NO₂、碳基或烴基，其中基團R^a及R^b中之至少一者表示或含有基團P或P-Sp-，P在每次出現時相同或不同，表示可聚合基團，Sp在每次出現時相同或不同，表示間隔基或單鍵，A¹及A²各彼此獨立地表示較佳具有4至25個環原子之芳族、雜芳族、脂環或雜環基團，其亦可含有稠環，且其亦可經L單取代或多取代，L表示P-Sp-、H、OH、CH₂OH、鹵素、SF₅、NO₂、碳基或烴基，Z¹在每次出現時相同或不同，表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂-、-CH₂O-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂S-、-SCF₂-、-(CH₂)_n1-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-(CF₂)_n1-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、CR⁰R⁰⁰或單鍵，R⁰及R⁰⁰各彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，m表示0、1、2、3或4，n1表示1、2、3或4。

尤其較佳之式M化合物為彼等化合物，其中：R^a及R^b各彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF₅或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH₂基團可各彼此獨立地以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經-C(R⁰)=C(R⁰⁰)-、-C≡C-、-N(R⁰⁰)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-置換，其中基團R^a及R^b中至少一者表示或含有基團P或P-Sp-，A¹及A²各彼此獨立地表示1,4-伸苯基、萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、蒽-2,7-二基、茀-2,7-二基、2-側氧基-2H-烯-3,6-二基、2-側氧基-2H-烯-3,7-二基、4-側氧基-4H-烯-2,6-二基、4-側氧基-4H-烯-3,6-二基；4-側氧基-4H-烯-3,7-二基(俗名分別為香豆素(coumarine)或黃酮(flavone))，其中另外，此等基團中之一或多個CH基團可經N置換；環己烷-1,4-二基，其中另外，一或多個不相鄰CH₂基團可經O及/或S置換；1,4-伸環己烯基、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、哌啶-1,4-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、茚滿-2,5-二基或八氫-4,7-甲橋茚滿-2,5-二基，其中所有此等基團可未經取代或經L單取代或多取代，L表示P、P-Sp-、OH、CH₂OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、 -C(=O)N(R^x)₂、-C(=O)Y¹、-C(=O)R^x、-N(R^x)₂、視情況經取代之矽烷基、具有6至20個C原子之視情況經取代之芳基、或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換，P表示可聚合基團，Y¹表示鹵素，R^x表示P、P-Sp-、H、鹵素；具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH₂基團可以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換；具有6至40個C原子之視情況經取代之芳基或芳氧基、或具有2至40個C原子之視情況經取代之雜芳基或雜芳氧基，其他較佳之式M化合物為選自一或多個以下子群之化合物：-m為2或3，-m為2，-R^a及R^b表示相同或不同之基團P-Sp-，-R^a及R^b表示相同或不同之基團P-Sp-，其中一或多個基團Sp表示單鍵，-m為2或3，且R^a及R^b表示相同之基團P-Sp-， -基團R^a及R^b中之一者表示基團P-Sp-，且另一者表示不可聚合基團，較佳為具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH₂基團可各彼此獨立地以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經-C(R⁰⁰)=C(R⁰⁰⁰)-、-C≡C-、-N(R⁰⁰)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換，-一或多個基團Sp表示單鍵，-一或多個基團Sp表示-(CH₂)_p1-、-(CH₂)_p1-O-、-(CH₂)_p1-OCO-或-(CH2)_p1-OCOO-，其中p1表示1至12之整數，且r1表示1到8之整數，-L不表示及/或含有可聚合基團，-A¹及A²彼此獨立地表示1,4-伸苯基或萘-2,6-二基，其中另外，此等基團中之一或多個CH基團可經N置換且另外其可經單氟化或多氟化，-Z¹係選自由以下組成之群：-O-、-CO-O-、-OCO-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂CH₂-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-及單鍵，-L為不可聚合基團，較佳選自由以下組成之群：F、Cl、-CN、具有1至25個C原子之直鏈及分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH₂基團可各彼此獨立地以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經-C(R⁰⁰)=C(R⁰⁰⁰)-、-C≡C-、-N(R⁰⁰)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經 F、Cl、Br、I或CN置換。

尤其較佳之式M化合物係選自以下子式：

其中P¹及P²具有為P所示之含義中之一者且較佳表示丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氧雜環丁烷、乙烯氧基或環氧基，Sp¹及Sp²各彼此獨立地具有為Sp所示之含義中之一者或表示單鍵，其中基團P¹-Sp¹-及P²-Sp²中之一或多者亦可表示R^aa，其中基團P¹-Sp¹-及P²-Sp²中之至少一者不同於R^aa，R^aa表示F、Cl、-CN、具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH₂基團可各彼此獨立地以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經-C(R⁰⁰)=C(R⁰⁰⁰)-、-C≡C-、-N(R⁰⁰)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換，R⁰、R⁰⁰具有式I^＊中所示之含義，Z¹表示-O-、-CO-、-C(R^yR^z)-或-CF₂CF₂-，Z²及Z³各彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH₂O-、-OCH₂-、-CF₂O-、-OCF₂-或-(CH₂)_n-，其中n為2、3或4，L具有上文為式I所示之含義，L'及L"各彼此獨立地表示H、F或Cl，r表示0、1、2、3或4，s表示0、1、2或3，t表示0、1或2，x表示0或1，及R^y及R^z各彼此獨立地表示H、CH₃或CF₃。

其他較佳之式M化合物係選自以下子式：

其中個別基團具有為式M1至M21所示之含義。

在本發明之一進一步較佳實施例中，可聚合化合物為選自式II^＊之對掌性或光學活性化合物(對掌性RM)：(R^＊-(A¹-Z¹)_m)_k-Q II^＊其中A¹、Z¹及m在每次出現時相同或不同，具有式I^＊中所示之含義中之一者，R^＊在每次出現時相同或不同，具有式I^＊中為R^a所示之含義中之一者，其中R^＊可為對掌性或非對掌性的，Q表示k價對掌性基團，其視情況經如式I^＊中所定義之L單取代或多取代，k為1、2、3、4、5或6，其中該等化合物含有至少一個基團R^＊或L，其表示或含有如上文所定義之基團P或P-Sp-。

尤其較佳之式II^＊化合物含有式III^＊之單價基團Q，其中L及r在每次出現時相同或不同，具有上文所示之含義，A^＊及B^＊各彼此獨立地表示稠合苯、環己烷或環己烯，t在每次出現時相同或不同，表示0、1或2，及u在每次出現時相同或不同，表示0、1或2。

尤其較佳為式III^＊之基團，其中u表示1。

其他較佳之式II^＊化合物含有式IV^＊之單價基團Q或一或多個基團R^＊，其中Q¹表示具有1至9個C原子或單鍵之伸烷基或伸烷氧基，Q²表示具有1至10個C原子之視情況經氟化之烷基或烷氧基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂基團可以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經-O-、-S-、-CH=CH-、 -CO-、-OCO-、-COO-、-O-COO-、-S-CO-、-CO-S-或-C≡C-置換；Q³表示F、Cl、CN或如為Q²所定義但不同於Q²之烷基或烷氧基。

較佳之式IV^＊基團為例如2-丁基(=1-甲基丙基)、2-甲基丁基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基己基、2-丙基戊基，尤其為2-甲基丁基、2-甲基丁氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、2-乙基己氧基、1-甲基己氧基、2-辛氧基、2-氧雜-3-甲基丁基、3-氧雜-4-甲基戊基、4-甲基己基、2-己基、2-辛基、2-壬基、2-癸基、2-十二烷基、6-甲氧基辛氧基、6-甲基辛氧基、6-甲基辛醯氧基、5-甲基庚氧基羰基、2-甲基丁醯氧基、3-甲基戊醯氧基、4-甲基己醯氧基、2-氯丙醯氧基、2-氯-3-甲基丁醯氧基、2-氯-4-甲基戊醯氧基、2-氯-3-甲基戊醯氧基、2-甲基-3-氧雜戊基、2-甲基-3-氧雜己基、1-甲氧基丙基-2-氧基、1-乙氧基丙基-2-氧基、1-丙氧基丙基-2-氧基、1-丁氧基丙基-2-氧基、2-氟辛氧基、2-氟癸氧基、1,1,1-三氟-2-辛氧基、1,1,1-三氟-2-辛基、2-氟甲基辛氧基。

其他較佳之式II^＊化合物含有式V^＊之二價基團Q，其中L、r、t、A^＊及B^＊具有上文所示之含義。

其他較佳之式II^＊化合物含有選自下式之二價基團Q：其中Phe表示視情況經L單取代或多取代之苯基，且R^x表示F或具有1至4個C原子之視情況經氟化之烷基。

合適之對掌性RM描述於例如GB 2 314 839 A、US 6,511,719、US 7,223,450、WO 02/34739 A1、US 7,041,345、US 7,060,331或US 7,318,950中。含有聯萘基之合適RM描述於例如US 6,818,261、US 6,916,940、US 7,318,950及US 7,223,450中。

上下文所示之對掌性結構要素及含有該等對掌性結構要素之可聚合及聚合化合物可以光學活性形式，亦即以純對映異構體形式或以兩種對映異構體之任何所要混合物形式，或另外以外消旋體形式使用。較佳使用外消旋體。使用外消旋體相較於使用純對映異構體具有一些優勢，諸如顯著較低之合成複雜性及較低之材料成本。

式II^＊化合物較佳以外消旋體形式存在於LC介質中。

尤其較佳之式II^＊化合物係選自以下子式：

其中L、P、Sp、m、r及t具有上文所示之含義，Z及A在每次出現時相同或不同，具有分別為Z¹及A¹所示之含義中之一者，且t1在每次出現時相同或不同，表示0或1。

術語「碳基」表示含有至少一個碳原子之單價或多價有機基團，其不含有其他原子(諸如-C≡C-)或視情況含有一或多個其他原子，諸如N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge(例如羰基等)。術語「烴基」表示另外含有一或多個H原子及視情況選用之一或多個雜原子(諸如N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge)之碳基。

「鹵素」表示F、Cl、Br或I。

碳基或烴基可為飽和或不飽和基團。不飽和基團為例如芳基、烯基或炔基。具有3個以上C原子之碳基或烴基可為直鏈、分支鏈及/或環狀基團且亦可含有螺鍵聯或稠環。

術語「烷基」、「芳基」、「雜芳基」等亦涵蓋多價基團，例如伸烷基、伸芳基、伸雜芳基等。

術語「芳基」表示芳族碳基或由此衍生之基團。術語「雜芳基」表示含有一或多個雜原子之如上文所定義之「芳基」。

較佳碳基及烴基為具有1至40個、較佳1至25個、尤其較佳1至18個C原子之視情況經取代之烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基及烷氧基羰氧基；具有6至40個、較佳6至25個C原子之視情況經取代之芳基或芳氧基；或具有6至40個、較佳6至25個C原子之視情況經取代之烷基芳基、芳基烷基、烷基芳氧基、芳基烷氧基、芳基羰基、芳氧羰基、芳基羰氧基及芳氧基羰氧基。

其他較佳之碳基及烴基為C₁-C₄₀烷基、C₂-C₄₀烯基、C₂-C₄₀炔基、C₃-C₄₀烯丙基、C₄-C₄₀烷二烯基、C₄-C₄₀聚烯基(C₄-C₄₀ polyenyl)、C₆-C₄₀芳基、C₆-C₄₀烷基芳基、C₆-C₄₀芳基烷基、C₆-C₄₀烷基芳氧基、C₆-C₄₀芳基烷氧基、C₂-C₄₀雜芳基、C₄-C₄₀環烷基、C₄-C₄₀環烯基等。尤其較佳為C₁-C₂₂烷基、C₂-C₂₂烯基、C₂-C₂₂炔基、C₃-C₂₂烯丙基、C₄-C₂₂烷二烯基、C₆-C₁₂芳基、C₆-C₂₀芳基烷基及C₂-C₂₀雜芳基。

其他較佳之碳基及烴基為具有1至40個、較佳1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代且其中一或多個不相鄰CH₂基團可各彼此獨立地以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經-C(R^x)=C(R^x)-、-C≡C-、-N(R^x)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換。

R^x較佳表示H、鹵素、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基鏈，其中另外，一或多個不相鄰C原子可經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換且其中一或多個H原子可經氟、具有6至40個C原子之視情況經取代之芳基或芳氧基、或具有2至40個C原子之視情況經取代之雜芳基或雜芳氧基置換。

較佳烷氧基為例如甲氧基、乙氧基、2-甲氧基乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、2-甲基丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基等。

較佳烷基為例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、正己基、環己基、2-乙基己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、十二烷基、三氟甲基、全氟正丁基、2,2,2-三氟乙基、全氟辛基、全氟己基等。

較佳烯基為例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基等。

較佳炔基為例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、辛炔基等。

較佳胺基為例如二甲基胺基、甲基胺基、甲基苯基胺基、苯基胺基等。

芳基及雜芳基可為單環或多環基團，亦即其可含有一個環(諸如苯基)或兩個或兩個以上環，該等環亦可稠合(諸如萘基)或共價鍵結(諸如聯二苯)，或含有稠環與鍵聯環之組合。雜芳基含有一或多個較佳選自O、N、S及Se之雜原子。

尤其較佳為具有6至25個C原子之單環、雙環或三環芳基及具有2至25個C原子之單環、雙環或三環雜芳基，其視情況含有稠環且視情況經取代。此外較佳為5、6或7員芳基及雜芳基，其中另外，一或多個CH基團可以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經N、S或O置換。

較佳芳基為例如苯基、聯二苯、聯三苯、1,1'：3',1"-聯三苯-2'-基、萘基、蒽、聯萘、菲、芘、二氫芘、、苝、并四苯、并五苯、苯并芘、茀、茚、茚并茀、螺二茀等。

較佳雜芳基為例如5員環，諸如吡咯、吡唑、咪唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、四唑、呋喃、噻吩、硒吩、噁唑、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4- 噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑；6員環，諸如吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪；或縮合基團，諸如吲哚、異吲哚、吲哚嗪、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、嘌呤、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喏啉咪唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、異噁唑、苯并噻唑、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、喹啉、異喹啉、喋啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉，苯并-7,8-喹啉、苯并異喹啉、吖啶、啡噻嗪、啡噁嗪、苯并噠嗪、苯并嘧啶、喹喏啉、啡嗪、啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啶、啡啉、噻吩并[2,3b]噻吩、噻吩并[3,2b]噻吩、二噻吩并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、苯并噻二唑并噻吩或此等基團之組合。雜芳基亦可經烷基、烷氧基、硫烷基、氟、氟烷基或其他芳基或雜芳基取代。

(非芳族)脂環基及雜環基涵蓋飽和環，亦即排他性地含有單鍵之環，且亦涵蓋部分不飽和環，亦即亦可含有多重鍵之環。雜環含有一或多個較佳選自Si、O、N、S及Se之雜原子。

(非芳族)脂環基及雜環基可為單環，亦即僅含一個環(諸如環己烷)，或多環，亦即含有複數個環(諸如十氫萘或雙環辛烷)。尤其較佳為飽和基團。此外較佳為具有3至25個C原子之單環、雙環或三環基團，其視情況含有稠環且視情況經取代。此外較佳為5、6、7或8員碳環基，其中另外，一或多個C原子可經Si置換及/或一或多個CH基團可經N置換及/或一或多個不相鄰CH₂基團可經-O-及/或-S-置換。

較佳脂環基及雜環基為例如5員基團，諸如環戊烷、四氫呋喃、四氫硫呋喃、吡咯啶；6員基團，諸如環己烷、環己矽烷、環己烯、四氫哌喃、四氫硫哌喃、1,3-二噁烷、1,3-二噻、哌啶；7員基團，諸如環庚烷；及稠合基團’諸如四氫萘、十氫萘、茚滿、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、八氫-4,7-甲橋茚滿-2,5-二基。

較佳取代基為例如促進溶解性之基團(諸如烷基或烷氧基)、吸電子基團(諸如氟、硝基或腈)，或用於增加聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)之取代基，尤其是龐大基團，諸如第三丁基或視情況經取代之芳基。

較佳取代基(在上下文中亦被稱作「L」)為例如F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R^x)₂、-C(=O)Y¹、-C(=O)R^x、-N(R^x)₂，其中R^x具有上文所示之含義，且Y¹表示鹵素、具有6至40、較佳6至20個C原子之視情況經取代之矽烷基或芳基，及具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子可視情況經F或Cl置換。

「經取代之矽烷基或芳基」較佳意謂經鹵素、-CN、 R⁰、-OR⁰、-CO-R⁰、-CO-O-R⁰、-O-CO-R⁰或-O-CO-O-R⁰取代，其中R⁰具有上文所示之含義。

尤其較佳取代基L為例如F、Cl、CN、NO₂、CH₃、C₂H₅、OCH₃、OC₂H₅、COCH₃、COC₂H₅、COOCH₃、COOC₂H₅、CF₃、OCF₃、OCHF₂、OC₂F₅、此外苯基。

較佳為或其中L具有上文所示之含義中之一者。

可聚合基團P為適用於聚合反應(諸如自由基或離子鏈聚合反應、加成聚合反應或縮聚反應)或聚合物類似反應(例如加成或縮合於聚合物主鏈上)之基團。尤其較佳為用於鏈聚合之基團，尤其是含有C=C雙鍵或-C≡C-參鍵之基團，及適用於開環聚合之基團，諸如氧雜環丁烷或環氧基。

較佳之基團P係選自CH₂=CW¹-COO-、CH₂=CW¹-CO-、、CH₂=CW²-(O)_k3-、CW¹=CH-CO-(O)_k3-、CW¹=CH-CO-NH-、CH₂=CW¹-CO-NH-、CH₃-CH=CH-O-、(CH₂=CH)₂CH-OCO-、(CH₂=CH-CH₂)₂CH-OCO-、(CH₂=CH)₂CH-O-、(CH₂=CH-CH₂)₂N-、(CH₂=CH-CH₂)₂N-CO-、HO-CW²W³-、HS-CW²W³-、HW²N-、HO-CW²W³-NH-、CH₂=CW¹-CO-NH-、 CH₂=CH-(COO)_k1-Phe-(O)_k2-、CH₂=CH-(CO)_k1-Phe-(O)_k2-、Phe-CH=CH-、HOOC-、OCN-及W⁴W⁵W⁶Si-，其中W¹表示H、F、Cl、CN、CF₃、苯基或具有1至5個C原子之烷基，尤其是H、F、Cl或CH₃，W²及W³各彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基，尤其是H、甲基、乙基或正丙基，W⁴、W⁵及W⁶各彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W⁷及W⁸各彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe表示1,4-伸苯基，其視情況經一或多個如上文所定義且不同於P-Sp-之基團L取代，k₁、k₂及k₃各彼此獨立地表示0或1，k₃較佳表示1。

尤其較佳之基團P為CH₂=CW¹-COO-，尤其為CH₂=CH-COO-、CH₂=C(CH₃)-COO-及CH₂=CF-COO-，此外為CH₂=CH-O-、(CH₂=CH)₂CH-OCO-、(CH₂=CH)₂CH-O-、

極佳之基團P為乙烯氧基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氯丙烯酸酯基、氧雜環丁烷及環氧基，尤其為丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基。

較佳間隔基Sp係選自式Sp'-X'，以使得基團P-Sp-對應於式P-Sp'-X'-，其中Sp'表示具有1至20個、較佳1至12個C原子之伸烷基，其視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中另外，一或多個不相鄰CH₂基團可各彼此獨立地以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經-O-、-S-、-NH- 、-NR⁰-、-SiR⁰⁰R⁰⁰⁰-、-CO-、-COO_-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-NR⁰⁰-CO-O-、-O-CO-NR⁰⁰-、-NR⁰⁰-CO-NR⁰⁰-、-CH=CH-或-C≡C-置換，X'表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR⁰⁰-、-NR⁰⁰-CO-、-NR⁰⁰-CO-NR⁰⁰-、-OCH₂-、-CH₂O-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂S-、-SCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR⁰-、-CY²=CY³-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵，R⁰⁰及R⁰⁰⁰各彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，及Y²及Y³各彼此獨立地表示H、F、Cl或CN。

X'較佳為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR⁰-、-NR⁰-CO-、-NR⁰-CO-NR⁰-或單鍵。

典型間隔基Sp'為例如-(CH₂)_p1、-(CH₂CH₂O)_q1-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-S-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-NH-CH₂CH₂-或-(SiR⁰⁰R⁰⁰⁰-O)_p1-，其中p1為1至12之整數，q1為1至3之整數，且R⁰⁰及R⁰⁰⁰具有上文所示之含義。

尤其較佳之基團-X'-Sp'-為-(CH₂)_p1-、-O-(CH₂)_p1-、-OCO-(CH₂)_p1-、-OCOO-(CH₂)_p1-。

尤其較佳之基團Sp'在各情況下為例如直鏈伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基、伸十八烷基、伸乙基氧基伸乙基、亞甲基氧基伸丁基、伸乙基硫基伸乙基、伸乙基-N-甲基亞胺基伸乙基、1-甲基伸烷基、伸乙烯基、伸丙烯基及伸丁烯基。

在本發明之另一較佳實施例中，P-Sp-表示含有兩個或兩個以上可聚合基團之基團(多官能可聚合基團)。此類型之適合基團及含有其之可聚合化合物及其製備已例如在US 7,060,200 B1或US 2006/0172090 A1中描述。尤其較佳為選自下式之多官能可聚合基團P-Sp-：-X-烷基-CHP¹-CH₂-CH₂P² M^＊a

-X-烷基-C(CH₂P¹)(CH₂P²)-CH₂P³ M^＊b

-X-烷基-CHP¹CHP²-CH₂P³ M^＊c

-X-烷基-C(CH₂P¹)(CH₂P²)-C_aaH_2aa+1 M^＊d

-X-烷基-CHP¹-CH₂P² M^＊e

-X-烷基-CHP¹P² M^＊f

-X-烷基-CP¹P²-C_aaH_2aa+1 M^＊g

-X-烷基-C(CH₂P¹)(CH₂P²)-CH₂OCH₂-C(CH₂P³)(CH₂P⁴)CH₂P⁵ M^＊h

-X-烷基-CH((CH₂)_aaP¹)((CH₂)_bbP²) M^＊i

-X-烷基-CHP¹CHP²-C_aaH_2aa+1 M^＊k

-X'-烷基-C(CH₃)(CH₂P¹)(CH₂P²) M^＊m其中烷基表示單鍵或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈伸烷基，其中一或多個不相鄰CH₂基團可各彼此獨立地以O及/或S原子不會彼此直接連接之方式經-C(R⁰⁰)=C(R⁰⁰⁰)-、-C≡C-、-N(R⁰⁰)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl或CN置換，其中R⁰⁰及R⁰⁰⁰具有上文所示之含義，aa及bb各彼此獨立地表示0、1、2、3、4、5或6，X具有為X'所示之含義中之一者，及P¹至P⁵各彼此獨立地具有為P所示之含義中之一者。

可與熟習此項技術者已知且描述於有機化學標準著作(諸如Houben-Weyl,Methoden der organischen Chemie[Methods of Organic Chemistry],Thieme-Verlag,Stuttgart)中的方法類似地製備可聚合化合物及RM。在上下文中所引用之文獻中給出其他合成方法。在最簡單之情況下，例如藉由使用含有基團P之相應酸、酸衍生物或鹵化化合物(諸如(甲基)丙烯醯氯或(甲基)丙烯酸)，在脫水試劑(諸如DCC(二環己基碳化二亞胺))存在下使2,6-二羥基萘或4,4'-二羥基聯二苯酯化或醚化來進行該等RM之合成。

本發明之LC混合物及LC介質大體上適用於任何類型之PS或PSA顯示器，尤其是基於具有負介電各向異性之LC介質之彼等顯示器，尤其較佳用於PSA-VA、PSA-IPS或PS-FFS顯示器。然而，熟習此項技術者亦能不經本發明之步驟在不同於以上所提及之顯示器的其他PS或PSA型顯示器中例如經由其基本結構或經由所用個別組件(諸如視情況存在之基板、對準層、電極、定址元件、背光、偏振鏡、濾色器、補償膜等)之性質、排列或結構使用適合之本發明之LC混合物及LC介質。

極其適合之可聚合化合物列於表D中。

若本發明之液晶介質包含至少一種可聚合化合物，則其以0.1重量%至10重量%，較佳0.2重量%至4.0重量%，尤其較佳0.2重量%至2.0%重量%之量存在於介質中。

此外，本發明混合物可包含習知添加劑，諸如穩定劑、抗氧化劑、UV吸收劑、奈米粒子、微粒等。

本發明之液晶顯示器的結構對應於常用幾何形狀，如例如EP-A 0 240 379中所描述。

以下實例意欲說明本發明，而不對其加以限制。在上下文中，百分比數據表示重量百分比，所有溫度均以攝氏度表示。

在專利申請案通篇中，1,4-伸環己基環及1,4-伸苯基環描述如下：

除式IIA及/或IIB及/或IIC之化合物、一或多種式I化合物外，本發明之混合物較佳包含一或多種來自下文所示表A之化合物。

表A使用以下縮寫：(n、m、m'、z：各彼此獨立地為1、2、3、4、5或6；

可根據本發明使用之液晶混合物係以本身習知之方式製備。一般而言，以較少量使用之所要量之組分宜在高溫下溶解於構成主要成分之組分中。亦可能混合組分於有機溶劑中(例如丙酮、氯仿或甲醇中)之溶液，且例如藉由在充分混合後蒸餾再次移除溶劑。

藉助於適合添加劑，可對本發明之液晶相進行改質以使其可用於迄今為止已揭示之任何類型之例如ECB、VAN、IPS、GH或ASM-VA LCD顯示器中。

介電質亦可包含為熟習此項技術者所知且在文獻中描述之其他添加劑，諸如UV吸收劑、抗氧化劑、奈米粒子及自由基清除劑。舉例而言，可添加0%至15%多色染料、穩定劑或對掌性摻雜劑。適用於本發明混合物之穩定劑尤其為表B中所列之彼等穩定劑。

舉例而言，可添加0%至15%之多色染料，此外可添加導電性鹽類，較佳4-已氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四苯基氫硼化四丁銨或冠醚之複鹽(參見，例如Haller等人，Mol.Cryst.Liq.Cryst.第24卷，第249-258頁(1973)) 以改良傳導率或可添加物質以使向列相之介電各向異性、黏度及/或對準改質。此類型物質描述於例如DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。

表B展示可添加至本發明混合物中之可能的摻雜劑。若混合物包含摻雜劑，則其係以0.01重量%至4重量%，較佳0.1重量%至1.0重量%之量使用。

可以混合物之總量計至多10重量%，較佳0.01重量%至6重量%，尤其0.1重量%至3重量%之量添加至例如本發明混合物中之穩定劑示於以下表C中。較佳穩定劑尤其為BHT衍生物，例如2,6-二-第三丁基-4-烷基苯酚及廷努芬770(Tinuvin 770)。

用於本發明混合物中，較佳用於PSA及PS-VA應用中之適合反應性液晶原(可聚合化合物)示於以下表D中：

實施例：

以下實例意欲說明本發明而非限制本發明。在實例中，m.p.表示熔點且C表示以攝氏度為單位之液晶物質之清澈點；沸點由b.p.表示。此外：C表示結晶固體狀態，S表示近晶相(指數表示相類型)，N表示向列態，Ch表示膽固醇型相，I表示各向同性相，T_g表示玻璃轉移溫度。兩個符號之間的數字指示以攝氏度為單位之轉化溫度。

用於測定式I化合物之光學各向異性△n之主體混合物為市售混合物ZLI-4792(Merck KGaA)。介電各向異性△ε使用市售混合物ZLI-2857來測定。待研究化合物之物理數據係由在添加待研究化合物且外推至100%所用化合物之後主體混合物之介電常數的變化獲得。一般而言，視溶解性而定將10%待研究化合物溶解於主體混合物中。

除非另外指示，否則份數或百分比數據均表示重量份或重量百分比。

習知處理意謂：添加水，用二氯甲烷萃取混合物，分離各相，乾燥有機相且蒸發，且藉由結晶及/或層析來純化產物。

實例1

步驟1：

最初將63.3 g 1引入1.0公升乙腈中，且添加254.7 g選擇性氟試劑且再添加2公升乙腈。經約1小時時程使混濁反應溶液升溫至35℃。在室溫下攪拌淡黃綠色混濁溶液隔夜。習知處理留下153 g淺棕綠色晶體。自乙醇再結晶後，在10℃下經抽吸濾出晶體2。

步驟2：

最初將284.8 g 2引入1270 ml丙醇、130 ml水及600 mlTHF中，且接著伴隨在25℃至最大35℃下稍微冷卻，逐份引入24.8 g精細研磨之硼氫化鈉。顏色由黃色經由淡棕色變為橙色。再攪拌混合物3小時，期間保持溫度恆定於約29℃至30℃。反應平息時，濾出固體，蒸發母液，殘餘物與1200 ml水及1200 ml甲基第三丁基醚一起攪拌且酸化，分離出有機相，乾燥且經旋轉式汽化器蒸發。使殘餘物與1200 ml三乙胺混合且在室溫下攪拌隔夜。經旋轉式汽化器蒸發混合物，將殘餘物溶解於500 ml二氯甲烷中，且藉由用稀HCl震盪來洗滌溶液。移除溶劑得到棕色晶體3。

步驟3：

使7.9 g 3及4.5 g溴丙烷及6.3 g碳酸鉀懸浮於100 ml乙基甲基酮中，且在回流下煮沸懸浮液隔夜，得到淺棕色晶體4。

步驟4：

最初將9.5 g 4引入180 ml THF中，使混合物冷卻至-70℃，且在此溫度下逐滴添加26.1 ml 1.6 M BuLi之己烷溶液。攪拌混合物30分鐘後，同樣在-70℃下逐滴添加4.7 ml硼酸三甲酯。使混合物升溫至-10℃，且添加7.4 ml水與4.9 ml冰醋酸之混合物。接著使混合物升溫至約30℃，且逐滴添加12.1 ml過氧化氫(30%)。溫度為30℃至35℃。逐滴添加完成時，溫度升至50℃。在45℃至50℃下再攪拌混合物1小時且在室溫下隔夜。將水添加至批料中，且添加固體硫酸銨鐵(II)直至放熱反應不再明顯。產物自甲苯再結晶，且在約0℃下經抽吸濾出晶體5。

步驟5：

使3.7 g 5及1.6 g溴丙烷及2.3 g碳酸鉀懸浮於50 ml乙基甲基酮中，且在回流下煮沸懸浮液隔夜。處理得到淺棕色晶體6。

C 31 I；△n=0.0989；△ε=-13.1；γ₁=137。

類似地製備下式化合物，

在上下文中，V₀ 表示在20℃下之臨限電壓、電容[V]

△n 表示在20℃與589 nm下量測之光學各向異性

△ε 表示在20℃與1 kHz下之介電各向異性

cl.p. 表示清澈點[℃]

K₁ 表示彈性常數，在20℃下之「斜角」變形[pN]

K₃ 表示彈性常數，在20℃下之「彎曲」變形[pN]

γ₁ 表示在20℃下所量測之旋轉黏度[mPa．s]，藉由在磁場中之旋轉方法測定

LTS 表示在測試單元中所測定之低溫穩定性(向列相)。

用於量測臨限電壓之顯示器具有兩個間隔20 μm之平面平行外板及在外板之內側上有SE-1211(Nissan Chemicals)上覆對準層之電極層，其影響液晶之垂直對準。

除非另外明確指示，否則本申請案中之所有濃度係關於相應混合物或混合物組分。除非另外明確指示，否則所有物理特性均係如「Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals」，日期1997年11月，Merck KGaA,Germany所述測定且應用於20℃之溫度。

混合物實例 實例M1

實例M2

實例M3

實例M4

實例M5

實例M6

實例M7

對於製備PS-VA混合物而言，使99.8%之實例M6之混合物與0.2%之可聚合之下式化合物混合，

將PS-VA混合物引入具有垂直對準之單元中。在施加24 V之電壓後，單元用功率為100 mW/cm²之UV光進行輻射。

實例M8

實例M9

實例M10

Claims

一種基於極性化合物之混合物的液晶介質，其特徵在於其包含至少一種式I化合物，其中R¹及R^1* 各彼此獨立地表示具有1至15個C原子之直鏈烷基或直鏈烷氧基，其中另外，此等基團中之一或多個CH₂基團可各自彼此獨立地以O原子不會彼此直接連接之方式經-C≡C-、-CF₂O-、-CH=CH-、、、-O-、-CO-O-、-O-CO-置換，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換，及L¹、L²及L³各彼此獨立地表示F、Cl、CF₃、OCF₃或CHF₂；及一或多種選自式IIA、式IIB及式IIC之化合物之群的化合物，其中R^2A、R^2B及R^2C各彼此獨立地表示H、具有至多15個C原子之烷基，其未經取代、經CN或CF₃單取代或至少經鹵素單取代，其中另外，此等基團中之一或多個CH₂基團可以O原子不會彼此直接連接之方式經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、-OC-O-或-O-CO-置換，L^1-4 各彼此獨立地表示F或Cl，Z²及Z^2' 各彼此獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-CH=CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、-CF=CF-、-CH=CHCH₂O-，p 表示1或2，q 表示0或1，及v 表示1至6。
如請求項1之液晶介質，其中其另外包含一或多種式III化合物，其中R³¹及R³² 各彼此獨立地表示具有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，及表示、、、或， Z³ 表示單鍵、-CH₂CH₂-、-CH=CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、-C₄H₉-、-CF=CF-。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質包含至少一種式I-1至式I-13之化合物，其中烷基及烷基* 各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，烯基及烯基* 各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，烷氧基及烷氧基* 各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基，L¹及L² 各彼此獨立地表示F或Cl。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式L-1至式L-11之化合物，其中R、R¹及R²各彼此獨立地具有如請求項1中針對R^2A所示之含義，且烷基表示具有1至6個C原子之烷基，及s 表示1或2。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式T-1至式T-21之聯三苯， R 表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基，m 表示1至6，及n 表示0、1、2、3或4。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式O-1至式O-16之化合物，其中R¹及R² 各彼此獨立地具有如請求項1中針對R^2A所示之含義。
如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式In之茚滿化合物，其中R¹¹、R¹²、R¹³表示具有1至5個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，R¹²及R¹³ 另外亦表示鹵素，表示 i 表示0、1或2。
如請求項1或2之液晶介質，其中該式I化合物在該整體混合物中之比例為1重量%。
如請求項1或2之液晶介質，其中其另外包含一或多種可聚合化合物。
如請求項9之液晶介質，其中該(該等)可聚合化合物之濃度以該介質計為0.01重量%至5重量%。
如請求項9之液晶介質，其中該(該等)可聚合化合物係選自式I*之化合物，R^a-A¹-(Z¹-A²)_m-R^b I*其中個別基團具有以下含義：R^a及R^b 各彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、鹵素、SF₅、NO₂、碳基或烴基，其中該等基團R^a與R^b中之至少一者表示或含有基團P或P-Sp-，P 在每次出現時相同或不同地表示可聚合基團，Sp 在每次出現時相同或不同地表示間隔基或單鍵，A¹及A² 各彼此獨立地表示較佳具有4至25個環原子之芳族、雜芳族、脂環族或雜環基團，其亦可含有稠環，且其亦可經L單取代或多取代，L 表示P-Sp-、H、OH、CH₂OH、鹵素、SF₅、NO₂、碳基或烴基， Z¹ 在每次出現時相同或不同地表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂-、-CH₂O-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂S-、-SCF₂-、-(CH₂)_n1-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-(CF₂)_n1-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、CR⁰R⁰⁰或單鍵，R⁰及R⁰⁰ 各彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，m 表示0、1、2、3或4，n1 表示1、2、3或4。
一種製備如請求項1至11中任一項之液晶介質的方法，其特徵在於使至少一種式I化合物與至少一種其他液晶化合物混合，且視情況添加一或多種添加劑。
如請求項12之方法，其中使至少一種式I化合物與至少一種其他液晶原基化合物及至少一種可聚合化合物混合，且視情況添加一或多種添加劑。
一種如請求項1至11中任一項之液晶介質之用途，其係用於電光顯示器中。
如請求項14之液晶介質之用途，其係用於VA、PSA、PS-VA、PA-VA、IPS、PS-IPS、FFS、PS-FFS或PALC顯示器中。
一種具有主動式矩陣定址之電光顯示器，其特徵在於其含有如請求項1至11中任一項之液晶介質作為介電質。
如請求項16之電光顯示器，其中其為VA、PSA、PS-VA、PA-VA、IPS、PS-IPS、FFS、PS-FFS或PALC顯示器。