TWI536085B - 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法 - Google Patents

Description

環境敏感電子元件封裝體及其製作方法

本揭露是有關於一種封裝體及其製作方法，是有關於一種環境敏感電子元件封裝體及其製作方法。

隨著顯示技術的進步，顯示器已朝向薄型化及平面化發展，其中又以軟性顯示器(可撓性顯示器)逐漸成為顯示器往後發展的主要方向。利用可撓性基板取代傳統硬質基板來製作軟性顯示器，其可捲曲、方便攜帶、符合安全性及產品應用廣，但其較不耐高溫、水氧阻絕性較差、耐化學藥品性較差及熱膨脹係數大。於硬質的平面顯示器的應用上，主要是利用雷射搭配玻璃膠的方式進行側向封裝。當玻璃膠受到雷射加熱熔化時，熔化的玻璃膠將使得上下硬質玻璃基板彼此貼合，而達到阻隔水氣或氧氣的效果。

然而，軟性顯示器並無法採用此應用於硬質玻璃基板的側向封裝的方法來達到阻水氧的目的。因此，封裝後的軟性顯示 器仍可能受水氣及氧氣滲入至內部的影響，從而加速軟性基板上的電子元件老化並且造成電子元件的壽命減短，以致無法符合市場的需求。

本揭露之實施例提供一種環境敏感電子元件封裝體及其製作方法，以改善環境敏感電子元件壽命問題。

本揭露之實施例提出一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、側壁阻障結構、第一膠材以及第二膠材。環境敏感電子元件配置於第一基板上。第一膠材配置於第一基板上。側壁阻障結構配置於第一膠材上，其中側壁阻障結構藉由第一膠材黏著於第一基板上。第二膠材配置於側壁阻障結構上。側壁阻障結構透過第二膠材黏著於第二基板上，其中側壁阻障結構、第一膠材以及第二膠材位於第一基板與第二基板之間。

本揭露之實施例另提出一種環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其包括下述步驟。於第一基板上形成第一膠材，其中第一基板上具有環境敏感電子元件。令側壁阻障結構配置於第一膠材上，其中側壁阻障結構藉由第一膠材黏著於第一基板上，且環繞環境敏感電子元件。於第二基板上形成第二膠材，藉由第二膠材以使第二基板與側壁阻障結構接合，其中側壁阻障結構、第一膠材以及第二膠材位於第一基板與第二基板之間。

本揭露提出一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、側壁阻障結構、第一玻璃膠以及第二玻璃膠。環境敏感電子元件配置於第一基板上。第一玻璃膠配置於第一基板上。側壁阻障結構配置於第一玻璃膠上，其中側壁阻障結構藉由第一玻璃膠黏著於第一基板上。第二玻璃膠配置於側壁阻障結構上。側壁阻障結構透過第二玻璃膠黏著於第二基板上，其中側壁阻障結構、第一玻璃膠以及第二玻璃膠位於第一基板與第二基板之間。

基於上述，由於本揭露的環境敏感電子元件封裝體的兩個基板之間具有側壁阻障結構，且此側壁阻障結構環繞環境敏感電子元件。側壁阻障結構分別透過兩膠材黏著於兩基板上，其中側壁阻障結構以及兩膠材位於兩個基板之間。

為讓本揭露能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10‧‧‧吸溼劑

100A~100H‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

100C’‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

110‧‧‧第一基板

120‧‧‧第二基板

130‧‧‧環境敏感電子元件

140‧‧‧側壁阻障結構

140a‧‧‧頂表面

140b‧‧‧底表面

142、144‧‧‧側向延伸結構

146a、146b‧‧‧凹槽

150‧‧‧第一膠材

160‧‧‧第二膠材

170‧‧‧封裝薄膜

240a~240h‧‧‧側壁阻障結構

241d、241e、241f、241g、241h‧‧‧凹槽

242e、242f、242g、242h‧‧‧凹槽

242‧‧‧阻障薄膜

243g、243h、244h‧‧‧側向延伸結構

S1‧‧‧貼合面

T1~T3‧‧‧厚度

圖1A是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖1B是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的上視圖。

圖2A及圖2B是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。

圖2C是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。

圖3A是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。

圖3B及圖3C是圖3A的環境敏感電子元件封裝體的上視圖。

圖3D是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。

圖4A至4C是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。

圖5A至圖5D是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的製作方法的剖面示意圖。

圖6A至圖6C是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的製作方法的剖面示意圖。

圖7A至圖7D是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的製作方法的剖面示意圖。

圖8A至圖8H是本揭露其他實施例的側壁阻障結構的示意圖。

圖1A是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖1B是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的上視圖。請參考圖1A，本揭露的環境敏感電子元件封裝體100A，其包括 第一基板110、第二基板120、環境敏感電子元件130、側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160。環境敏感電子元130件配置於第一基板110上。第一膠材150配置於第一基板110上。側壁阻障結構140配置於第一膠材150上，其中側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110上。第二膠材160配置於側壁阻障結構140上。側壁阻障結構140透過第二膠材160黏著於第二基板120上，其中側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160位於第一基板110與第二基板120之間。

在本實施例中，第一基板110與第二基板120例如是可撓性基板或硬質基板如玻璃基板，其中可撓性基板的材質例如是聚乙烯(PE)系列的塑膠、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚羧酸酯(Polycarbonate，PC)或聚醯亞胺(Polyimide，PI)。舉例而言，前述的聚乙烯系列的塑膠例如為PEC、PEN、PES等可撓性塑膠。當然，可撓性基板的材質亦可以是金屬，本揭露並不加以限制。

另外，環境敏感電子元件130例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electro Phoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏 感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。在本實施例中，環境敏感電子元件130是由封裝薄膜170所包覆。一般而言，封裝薄膜170例如是有機封裝薄膜或無機封裝薄膜，當然，封裝薄膜170也可以是有機封裝薄膜或無機封裝薄膜交替堆疊而成，本揭露並不加以限制。

此外，側壁阻障結構140例如是藉由有機材料、無機材料或前述兩種材料的組合等材質所構成。上述材質可先透過滾壓、鑄造或拉伸等方法製作成一片狀結構，接著將此片狀結構進一步經由蝕刻、轉印、擠壓或沖壓等方法製作成一連續且封閉的環狀結構，如圖1B所繪示。當然，側壁阻障結構140亦可是直接由上述材質透過鑄模的方法，而製作成連續且封閉的環狀結構，本揭露並不加以限制。

一般來說，第一膠材150以及第二膠材160例如是具有一定穿透率的光學膠，當然本實施例亦可採用具有光學反射特性的膠材，或者具有半穿透半反射特性的膠材。具體而言，第一膠材150及第二膠材160例如是環氧樹脂(epoxy)、丙烯酸化合物(acrylic compound)或矽膠(silicone)等材質所構成。在本實施例中，第一膠材150以及第二膠材160的材質例如是能夠透過加熱、光線照射等方式而被固化(curing)的材質，換言之，第一膠材150以及第二膠材160的材質例如是尚未被加熱、光線照射等方式而 被固化的材質。本實施例的第一膠材150與第二膠材160可選擇性地採用相同或不同材質，本揭露並不加以限制。

請繼續參考圖1A與圖1B，在本實施例中，側壁阻障結構140可為環繞環境敏感電子元件130的連續且封閉的環狀結構，但不以此為限，在另一實施例中，側壁阻障結構140可為環繞環境敏感電子元件130的不連續的環狀結構。在本實施例中，其中側壁阻障結構140垂直於第一基板110的截面例如是四邊形。當然，側壁阻障結構140的截面也可是其它型態的多邊形、圓形或橢圓形，本揭露並不加以限制。具體而言，本實施例的側壁阻障結構140是由第二膠材160所包覆，且第二膠材160更進一步覆蓋了環境敏感電子元件130、第一膠材150以及封裝薄膜170，然後與第二基板120貼合。一般而言，側壁阻障結構140具有一厚度T1，且厚度T1例如是小於或等於1釐米。另一方面，位於側壁阻障結構140與第一基板110之間的第一膠材150具有一厚度T2，而位於側壁阻障結140與第二基板120之間的第二膠材160具有一厚度T3，其中厚度T2、T3皆小於15微米。

在其他可能的實施例中，圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A的第一膠材150亦可以由第一玻璃膠(glass frit)所取代，其中第一玻璃膠例如是藉由雷射熔接膠之封裝技術形成於第一基板110與側壁阻障結構140之間。具體而言，雷射熔接膠之封裝技術例如是先在第一基板110及側壁阻障結構140之間的封裝區周圍塗佈一高溫燒成熱固型玻璃膠以環境敏感電子元件130，接著 再透過使用雷射燒融的方式使第一基板110與側壁阻障結構140黏合，以達到阻絕水氧的功效。

圖2A是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。請參考圖2A，圖2A的環境敏感電子元件封裝體100B與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖2A的環境敏感電子元件封裝體100B的第一膠材150包覆了環境敏感電子元件130、側壁阻障結構140、第二膠材160以及封裝薄膜170，然後與第一基板110貼合。在其他可能的實施例中，圖2A的環境敏感電子元件封裝體100B的第二膠材160亦可以由第二玻璃膠(glass frit)所取代，其中第二玻璃膠例如是藉由雷射熔接膠之封裝技術形成於第二基板120與側壁阻障結構140之間。具體而言，雷射熔接膠之封裝技術例如是先在第二基板120及側壁阻障結構140之間的封裝區周圍塗佈一高溫燒成熱固型玻璃膠以環境敏感電子元件130，接著再透過使用雷射燒融的方式使第二基板120與側壁阻障結構140黏合，以達到阻絕水氧的功效。

圖2B是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。請參考圖2B，圖2B的環境敏感電子元件封裝體100C與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖2B的環境敏感電子元件封裝體100C的第一膠材150包覆了環境敏感電子元件130、側壁阻障結構140的部分以及封裝薄膜170。另一方面，第二膠材160包覆了側壁阻障結構140的另一部分，其中第二膠材160與第一膠材150相互貼合，並且形成一貼 合面S1。

圖2C是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。請參考圖2C，圖2C的環境敏感電子元件封裝體100C’與圖2B的環境敏感電子元件封裝體100C相似，其不同之處在於：圖2C的環境敏感電子元件封裝體100C’的第一膠材150與第二膠材160僅分別塗佈於側壁阻障結構140與第一基板110以及第二基板120的接合區，換言之，第一基板110與第二基板120之間不具有其他填充物或膠合材。另一方面，在其他可能的實施例中，第一膠材150與第二膠材160亦可分別由第一玻璃膠與第二玻璃膠所取代，其中第一玻璃膠例如是藉由雷射熔接膠之封裝技術形成於第一基板110與側壁阻障結構140之間，而第二玻璃膠例如是藉由雷射熔接膠之封裝技術形成於第二基板120與側壁阻障結構140之間，使得側壁阻障結構140分別第一基板110以及第二基板120緊密接合，而達到阻絕水氧的功效。

圖3A是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。請參考圖3A，圖3A的環境敏感電子元件封裝體100D與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖3A的環境敏感電子元件封裝體100D的側壁阻障結構140可進一步具有凹槽146a、146b，且分別位於側壁阻障結構140面向第二基板120的頂表面140a以及該側壁阻障結構面向該第一基板的該底表面140b。詳細而言，位於底表面140b與第一基板110之間的第一膠材150會填入至底表面140b的凹槽146b，而位於頂 表面140a與第二基板120的第二膠材160會填入至頂表面140a的凹槽146a。當然，在其它未繪示的實施例中，側壁阻障結構140亦可僅具有位於頂表面140a的凹槽146a或位於底表面140b的凹槽146b的其中之一，本揭露並不加以限制。在其他可能的實施例中，圖3A的環境敏感電子元件封裝體100D的第一膠材150亦可以由第一玻璃膠(glass frit)所取代，其中第一玻璃膠例如是藉由雷射熔接膠之封裝技術形成於第一基板110與側壁阻障結構140之間。

圖3B以及圖3C繪示了圖3A的環境敏感電子元件封裝體的上視圖。請參考圖3B，在本實施例中，位於側壁阻障結構140的頂表面140a的凹槽146a例如是一連續的環狀凹槽。另外，請參考圖3C，在本實施例中，位於側壁阻障結構140的頂表面140a的凹槽146a亦可例如是非連續的多個線狀凹槽。

圖3D是本揭露另一實施例的一種環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。請參考圖3D，圖3D的環境敏感電子元件封裝體100E與圖3A的環境敏感電子元件封裝體100D相似，其不同之處在於：圖3D的環境敏感電子元件封裝體100E的側壁阻障結構140的頂表面140a的凹槽146a及底表面140b的凹槽146b內進一步具有吸溼劑10，其中吸溼劑10包括鹼土族的氧化物，可有效提升環境敏感電子元件封裝體100E阻水氧的能力。另一方面，位於底表面140b與第一基板110之間的第一膠材150以及於頂表面140a與第二基板120的第二膠材160會分別填入至底表面140b的凹槽 146b以及頂表面140a的凹槽146a，並且包覆凹槽146a、146b內的吸溼劑10。當然，在其它未繪示的實施例中，吸溼劑10也可以選擇性配置於頂表面140a凹槽146a或底表面140b的凹槽146b其中之一，本揭露並不加以限制。在其他可能的實施例中，圖3D的環境敏感電子元件封裝體100E的第一膠材150亦可以由第一玻璃膠(glass frit)所取代，其中第一玻璃膠例如是藉由雷射熔接膠之封裝技術形成於第一基板110與側壁阻障結構140之間。

圖4A是本揭露另一實施例的一種環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。請參考圖4A，圖4A的環境敏感電子元件封裝體100F與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖4A的環境敏感電子元件封裝體100F的側壁阻障結構140可進一步具有側向延伸結構142、144，且側向延伸結構142、144分別面向及背向環境敏感電子元件130延伸並同時形成於側壁阻障結構140的兩側，以增加側壁阻障結構140與第二膠材160的接著面積。本實施例的側向延伸結構142、144是由第二膠材160所包覆，其中側向延伸結構142以不延伸跨越環境敏感電子元件130為原則。當然，在其它未繪示的實施例中，側壁阻障結構140也可以僅具有面向環境敏感電子元件130的側向延伸結構142，或者是背向環境敏感電子元件130的側向延伸結構144，本揭露並不加以限制。在其他可能的實施例中，圖4A的環境敏感電子元件封裝體100F的第一膠材150亦可以由第一玻璃膠(glass frit)所取代，其中第一玻璃膠例如是藉由雷射熔接膠之封裝技術形成於第 一基板110與側壁阻障結構140之間。

圖4B是本揭露另一實施例的一種環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。請參考圖4B，圖4B的環境敏感電子元件封裝體100G與圖4A的環境敏感電子元件封裝體100F相似，其不同之處在於：圖4B的環境敏感電子元件封裝體100G的側壁阻障結構140可進一步具有凹槽146a、146b，且分別位於側壁阻障結構140的頂表面140a以及底表面140b。詳細而言，位於底表面140b與第一基板110之間的第一膠材150會填入至底表面140b的凹槽146b，而位於頂表面140a與第二基板120的第二膠材160會填入至頂表面140a的凹槽146a。當然，在其它未繪示的實施例中，側壁阻障結構140亦可僅具有位於頂表面140a的凹槽146a或位於底表面140b的的凹槽146b的其中之一，本揭露並不加以限制。

在其他可能的實施例中，圖4B的環境敏感電子元件封裝體100G的第一膠材150亦可以由第一玻璃膠(glass frit)所取代，其中第一玻璃膠例如是藉由雷射熔接膠之封裝技術形成於第一基板110與側壁阻障結構140之間。

圖4C是本揭露另一實施例的一種環境敏感電子元件封裝體的剖面圖。請參考圖4C，圖4C的環境敏感電子元件封裝體100H與圖4B的環境敏感電子元件封裝體100G相似，其不同之處在於：圖4C的環境敏感電子元件封裝體100H的側壁阻障結構140的頂表面140a的凹槽146a及底表面140b的凹槽146b進一步具有吸溼劑10，其中吸溼劑10包括鹼土族的氧化物，可有效提升環 境敏感電子元件封裝體100H阻水氧的能力。另一方面，位於底表面140b與第一基板110之間的第一膠材150以及於頂表面140a與二基板120的第二膠材160會分別填入至底表面140b的凹槽146b以及頂表面140a的凹槽146a，並且包覆凹槽146a、146b內的吸溼劑10。當然，在其它未繪示的實施例中，吸溼劑10也可以選擇性的配置於頂表面140a的凹槽146a或底表面140b的凹槽146b的其中之一，本揭露並不加以限制。

在其他可能的實施例中，圖4C的環境敏感電子元件封裝體100H的第一膠材150亦可以由第一玻璃膠(glass frit)所取代，其中第一玻璃膠例如是藉由雷射熔接膠之封裝技術形成於第一基板110與側壁阻障結構140之間。

以下將搭配圖5A至圖5D針對不同型態的環境敏感電子元件封裝體的製作方法進行描述。在此必須說明的是，在後述的實施例中，相同或相似的元件標號代表相同或相似的元件，相同元件的描述將不再重述。

圖5A至圖5D是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的製作方法的剖面示意圖。請參考圖5A，首先，於第一基板110上形成第一膠材150，其中第一基板110上具有環境敏感電子元件130。在本實施例中，第一膠材150例如是由注膠頭(未繪示)所提供並塗佈於第一基板110上。環境敏感電子元件130例如是透過光學膠(未繪示)貼合於第一基板110上，並於塗佈第一膠材150前，於環境敏感電子元件130上形成封裝薄膜170，其中封 裝薄膜170包覆環境敏感電子元件130。

如圖5B所示，側壁阻障結構140配置於第一膠材150上，其中側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110上，且環繞環境敏感電子元件130。在本實施例中，側壁阻障結構140例如是由治具(未繪示)所拾取，透過加壓的方式使得側壁阻障結構140與第一膠材150緊密貼合，並透過熱固化或紫光固化等方式使第一膠材150固化，以使第一基板110與側壁阻障結構140更穩固地結合。在本實施例中，側壁阻障結構140的截面例如是四邊形，當然，側壁阻障結構的截面亦可以包括其它型態的多邊形、圓形或橢圓形，其中側壁阻障結構140的具有一厚度T1，且厚度T1小於或等於1釐米。

如圖5C以及圖5D所示，於第二基板120上形成第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合，其中側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160位於第一基板110與第二基板120之間。在本實施例中，第二膠材160例如是由注膠頭(未繪示)所提供，並且塗佈於第二基板120上。於第二基板120上塗佈完第二膠材160後，例如是透過框壓的方式使得第二基板120透過第二膠材160與側壁阻障結構140緊密接合。至此，環境敏感電子元件封裝體100A已大致完成。透過熱固化或紫光固化等方式使第二膠材160固化，以使第二基板120與側壁阻障結構140更穩固地結合。一般而言，位於側壁阻障結構140與第一基板110之間的第一膠材150具有一厚度T2，而 位於側壁阻障結140與第二基板120之間的第二膠材160具有一厚度T3，其中厚度T2、T3皆小於15微米。

在此必須說明的是，本實施例的側壁阻障結構140例如是藉由有機材料、無機材料或前述兩種材料的組合等材質所構成。上述材質可先透過滾壓、鑄造或拉伸等方法製作成一片狀結構，接著將此片狀結構進一步經由蝕刻、轉印、擠壓或沖壓等方法製作成一連續且封閉的環狀結構，如圖1B所繪示。當然，側壁阻障結構140亦可是直接由上述材質透過鑄模的方法，而製作成連續且封閉的環狀結構，本揭露在此並不加以限制。

具體而言，上述實施例主要是針對環境敏感電子元件封裝體100A的製作方法進行描述。在其它實施例中，環境敏感電子元件封裝體的製作方法會隨著不同型態的側壁阻障結構而有所變化。

請參考圖5B-1，圖5B-1與圖5B的側壁阻障結構140的不同之處在於：圖5B-1的側壁阻障結構140的頂表面140a以及底表面140b例如是透過蝕刻等方式形成至少一個凹槽146a、146b，其中在側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110上的過程中，第一膠材150會填入至位於底表面140b的凹槽146b。

如圖5C所示，於第二基板120上形成第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合，其中側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160位於第一基 板110與第二基板120之間，至此如圖3A所繪示的環境敏感電子元件封裝體100D已大致完成。詳細而言，在藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合的過程中，第二膠材160會填入至頂表面140a的凹槽146a。

請參考圖5B-2，圖5B-2與圖5B的側壁阻障結構140的不同之處在於：圖5B-2的側壁阻障結構140的頂表面140a以及底表面140b例如是透過蝕刻等方式分別形成至少一個凹槽146a、146b，其中在側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110之前，將吸溼劑10配置於側壁阻障結構140的底表面140b的凹槽146b。進一步而言，在側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110上的過程中，第一膠材150會填入至凹槽146b，並且包覆凹槽146b內的吸溼劑10。

如圖5C所示，於第二基板120上形成第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合，其中側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160位於第一基板110與第二基板120之間，至此如圖3D所繪示的環境敏感電子元件封裝體100E已大致完成。詳細而言，在第二基板120上形成第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合之前，將吸溼劑10配置於側壁阻障結構140的頂表面140a的凹槽146a。在藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合的過程中，第二膠材160會填入至頂表面140a的凹槽146a，並且包覆凹槽146a內的吸溼劑10。

請參考圖5B-3，圖5B-3與圖5B的側壁阻障結構140的不同之處在於：圖5B-3的側壁阻障結構140具有側向延伸結構142、144，且側向延伸結構142、144例如是透過蝕刻等方式形成側壁阻障結構140的兩側。詳細而言，側向延伸結構142、144分別面向及背向環境敏感電子元件130延伸，其中側向延伸結構142以不延伸跨越環境敏感電子元件130為原則。當然，在其它未繪示的實施例中，側壁阻障結構140也可以僅具有面向環境敏感電子元件130的側向延伸結構142，或者是背向環境敏感電子元件130的側向延伸結構144，本揭露並不加以限制。

如圖5C所示，於第二基板120上形成第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合，其中側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160位於第一基板110與第二基板120之間，至此如圖4A所繪示的環境敏感電子元件封裝體100F已大致完成。詳細而言，第二膠材160更進一步包覆了側向延伸結構142、144。

請參考圖5B-4，圖5B-4與圖5B的側壁阻障結構140的不同之處在於：圖5B-4的側壁阻障結構140的頂表面140a以及底表面140b例如是透過蝕刻等方式分別形成至少一個凹槽146a與146b，亦可藉由蝕刻等方式於側壁阻障結構140的兩側形成側向延伸結構142、144。進一步而言，在側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110上的過程中，第一膠材150會填入至凹槽146b。

如圖5C所示，於第二基板120上形成第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合，其中側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160位於第一基板110與第二基板120之間，至此如圖4B所繪示的環境敏感電子元件封裝體100G已大致完成。詳細而言，在藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合的過程中，第二膠材160會填入至頂表面140a的凹槽146a。此外，第二膠材160更進一步包覆了側向延伸結構142、144。

請參考圖5B-5，圖5B-5與圖5B的側壁阻障結構140的不同之處在於：圖5B-5的側壁阻障結構140的頂表面140a以及底表面140b例如是透過蝕刻等方式分別形成至少一個凹槽146a、146b，亦可藉由蝕刻等方式於側壁阻障結構140的兩側形成側向延伸結構142、144。此外，在側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110之前，將吸溼劑10配置於側壁阻障結構140的底表面140b的凹槽146b。進一步而言，在側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110上的過程中，第一膠材150會填入至凹槽146b，並且包覆凹槽146b內的吸溼劑10。

如圖5C所示，於第二基板120上形成第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合，其中側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160位於第一基板110與第二基板120之間，至此如圖4C所繪示的環境敏感電子元件封裝體100H已大致完成。詳細而言，在第二基板120上形成 第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合之前，將吸溼劑10配置於側壁阻障結構140的頂表面140a的凹槽146a，其中第二膠材160會填入至頂表面140a的凹槽146a，並且包覆凹槽146a內的吸溼劑10。此外，第二膠160材更進一步包覆了側向延伸結構142、144。

另一方面，如圖1A、圖2A以及圖2B所示，環境敏感電子元件封裝體100A至100C的第一膠材150以及第二膠材160分別以不同型態分佈於第一基板110以及第二基板120上，換言之，環境敏感電子元件封裝體的製作方法會隨著膠材的不同分佈型態而有所變化。因此，以下將分別針對環境敏感電子元件封裝體100B、100C的製作方法作進一步說明。

圖6A至圖6C是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的製作方法的剖面示意圖。請參考圖6A，首先，於第一基板110上形成第一膠材150，其中第一基板110上具有環境敏感電子元件130。在本實施例中，第一膠材150例如是由注膠頭(未繪示)所提供並塗佈於第一基板110上，且第一膠材150包覆環境敏感電子元件130。環境敏感電子元件130例如是透過光學膠(未繪示)貼合於第一基板110上，並於塗佈第一膠材150前，於環境敏感電子元件130上形成封裝薄膜170，其中封裝薄膜170包覆環境敏感電子元件130。

如圖6B所示，於第二基板120上形成第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合。詳 細而言，第二膠材160例如是由注膠頭(未繪示)所提供，並且塗佈於第二基板120上。於第二基板120上塗佈完第二膠材160後，側壁阻障結構140例如是由治具(未繪示)所拾取，透過加壓的方式使得側壁阻障結構140與第二膠材160緊密貼合，並透過熱固化或紫光固化等方式使第二膠材160固化，以使第二基板120與側壁阻障結構140更穩固地結合。

如圖6C所示，令側壁阻障結構140配置於第一膠材150上，側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110上，以環繞環境敏感電子元件130，其中側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160位於第一基板110與第二基板120之間。進一步而言，第二基板例如是透過框壓的方式使得側壁阻障結構140與第一基板110上的第一膠材150緊密接合。至此，環境敏感電子元件封裝體100C已大致完成。然後，透過熱固化或紫光固化等方式使第二膠材160固化，以使第二基板120與側壁阻障結構140更穩固地結合。換言之，圖6C的環境敏感電子元件封裝體100C的第一膠材150包覆了環境敏感電子元件130、側壁阻障結構140、第二膠材160以及封裝薄膜170，然後與第二基板120貼合。

圖7A至圖7D是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的製作方法的剖面示意圖。請參考圖7A，首先，於第一基板110上形成第一膠材150，其中第一基板110上具有環境敏感電子元件130。在本實施例中，第一膠材150例如是由注膠頭(未繪示)所提供並塗佈於第一基板110上，且第一膠材150包覆環境敏感電子元件130。環境敏感電子元件130例如是透過光學膠(未 繪示)貼合於第一基板110上，並於塗佈第一膠材150前，於環境敏感電子元件130上形成封裝薄膜170，其中封裝薄膜170包覆環境敏感電子元件130。

請參考圖7B，令側壁阻障結構140配置於第一膠材150上，其中側壁阻障結構140藉由第一膠材150黏著於第一基板110上，且環繞環境敏感電子元件130。在本實施例中，側壁阻障結構140例如是由治具(未繪示)所拾取，透過加壓的方式使得側壁阻障結構140植入至第一膠材150內，以使彼此緊密貼合。然後，透過熱固化或紫光固化等方式使第一膠材150固化，以使第一基板110與側壁阻障結構140更穩固地結合。

如圖7C以及圖7D所示，於第二基板120上形成第二膠材160，藉由第二膠材160以使第二基板120與側壁阻障結構140接合，其中側壁阻障結構140、第一膠材150以及第二膠材160位於第一基板110與第二基板120之間。在本實施例中，第二膠材160例如是由注膠頭(未繪示)所提供，並且塗佈於第二基板120上。於第二基板120上塗佈完第二膠材160後，例如是透過框壓的方式使得第二基板120透過第二膠材160，而第一膠材150上的側壁阻障結構140緊密接合。至此，環境敏感電子元件封裝體100C已大致完成。透過熱固化或紫光固化等方式使第二膠材160固化，以使第二基板120與側壁阻障結構140更穩固地結合。

詳細而言，如圖7D所示，第一膠材150包覆了側壁阻結構140的一部分，第二膠材160則包覆了側壁阻結構140的另一 部分，且於第二膠材160與第一膠材150相互貼合後，第一膠材150與第二膠材160之間形成了一貼合面S1。另一方面，在其它未繪示的實施例中，側壁阻障結構140亦可以由治具(未繪示)所拾取，透過加壓的方式使得側壁阻障結構140植入至第二膠材160內，本揭露並不加以限制。

圖8A至圖8H是本揭露其他實施例的側壁阻障結構的示意圖。請參考圖8A至圖8H，圖8A至圖8H的側壁阻障結構240a至240h亦可配置於上述實施例的第一基板與第二基板之間，並且環繞環境敏感電子元件，以達到阻絕水氧的功效。不同的是，側壁阻障結構240a至240h是進一步由阻障薄膜242所包覆。一般來說，阻障薄膜242可藉由真空鍍膜、陽極處理、電鍍或無電鍍等表面處理的技術形成於側壁阻障結構240a至240h的表面上。藉由阻障薄膜242的配置可有效提升側壁阻障結構240a至240h與膠材之間的附著性以及阻絕水氧能力等功效，亦可使得側壁阻障結構240a至240h更耐撓曲。

具體而言，側壁阻障結構240a至240h分別具有不同的截面形狀，其中側壁阻障結構240a的截面例如是矩形。側壁阻障結構240b的截面例如是梯形，而側壁阻障結構240c的截面例如是六邊形。另一方面，側壁阻障結構240a亦可藉由圖案化的過程，分別形成側壁阻障結構240d至240h，其中側壁阻障結構240d的底面具有二凹槽241d。側壁阻障結構240e的底面具有二凹槽241e，且側壁阻障結構240e的頂面亦具有二凹槽242e。側壁阻障 結構240f的底面具有二凹槽241f，而側壁阻障結構240f的頂面僅具有一凹槽242f。側壁阻障結構240g的底面具有二凹槽241g，且側壁阻障結構240g的頂面亦具有二凹槽242g，其中側壁阻障結構240g進一步具有一側向延伸結構243g。側壁阻障結構240h的底面具有二凹槽241h，且側壁阻障結構240h的頂面亦具有二凹槽242h，其中側壁阻障結構240h進一步具有二側向延伸結構243h、244h，而側向延伸結構243h、244h分別位於側壁阻障結構240h的相對兩側。

綜上所述，本揭露實施例中的環境敏感電子元件封裝體具有不同型態且環繞環境敏感電子元件的側壁阻障結構，側壁阻障結構透過第一膠材以及第二膠材分別黏著於於第一基板以及第二基板上，其中側壁阻障結構、第一膠材以及第二膠材位於第一基板以及第二基板之間。因此，本揭露實施例的環境敏感電子元件封裝體具有較佳的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長環境敏感電子元件的壽命。

另一方面，側壁阻障結構上可具有凹槽，且凹槽內可更進一步配置有吸溼劑，其中第一膠材以及第二膠材填入至所述凹槽，並且包覆凹槽內的吸溼劑。據此，可有效防止外界的水氣以及氧氣入侵置至環境敏感電子元件封裝體的內部。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的 精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100A‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

110‧‧‧第一基板

120‧‧‧第二基板

130‧‧‧環境敏感電子元件

140‧‧‧側壁阻障結構

150‧‧‧第一膠材

160‧‧‧第二膠材

170‧‧‧封裝薄膜

T1~T3‧‧‧厚度

Claims (34)

1. 一種環境敏感電子元件封裝體，包括：一第一基板；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上；一第一膠材，配置於該第一基板上；一側壁阻障結構，配置於該第一膠材上，其中該側壁阻障結構藉由該第一膠材黏著於該第一基板上，且該側壁阻障結構環繞該環境敏感電子元件；一第二膠材，配置於該側壁阻障結構上；以及一第二基板，該側壁阻障結構透過該第二膠材黏著於該第二基板上，其中該側壁阻障結構、該第一膠材以及該第二膠材位於該第一基板與該第二基板之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構包括連續且封閉的環狀結構。
3. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構的截面包括多邊形、圓形或橢圓形，該截面實質上垂直於該第一基板，且該側壁阻障結構的厚度小於或等於1釐米。
4. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構具有至少一凹槽，且該凹槽位於該側壁阻障結構面向該第一基板的一底表面上及/或該側壁阻障結構面向該第二基板的一頂表面上。
5. 如申請專利範圍第4項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括至少一吸溼劑，配置於該側壁阻障結構面向該第二基板的該頂表面的該凹槽內及/或該側壁阻障結構面向該第一基板的該底表面的該凹槽內。
6. 如申請專利範圍第5項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一膠材填入該側壁阻障結構面向該第一基板的該底表面的該凹槽內，且包覆該吸溼劑。
7. 如申請專利範圍第5項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二膠材填入該側壁阻障結構面向該第二基板的該頂表面的該凹槽內，且包覆該吸溼劑。
8. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中位於該側壁阻障結構與該第一基板之間的該第一膠材的厚度小於15微米。
9. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中位於該側壁阻障結構與該第二基板之間的該第二膠材的厚度小於15微米。
10. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構具有至少一側向延伸結構，且該延伸結構面向及/或背向該環境敏感電子元件延伸。
11. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一封裝薄膜，包覆該環境敏感電子元件。
12. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝 體，更包括一阻障薄膜，包覆該側壁阻障結構。
13. 一種環境敏感電子元件封裝體的製作方法，包括：於一第一基板上形成一第一膠材，其中該第一基板上具有一環境敏感電子元件；令一側壁阻障結構配置於該第一膠材上，其中該側壁阻障結構藉由該第一膠材黏著於該第一基板上，且環繞該環境敏感電子元件；以及於一第二基板上形成一第二膠材，藉由該第二膠材以使該第二基板與該側壁阻障結構接合，其中該側壁阻障結構、該第一膠材以及該第二膠材位於該第一基板與該第二基板之間。
14. 如申請專利範圍第13項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，更包括：於該環境敏感電子元件上形成一封裝薄膜，以包覆該環境敏感電子元件。
15. 如申請專利範圍第13項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該側壁阻障結構包括連續且封閉的環狀結構。
16. 如申請專利範圍第13項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該側壁阻障結構的截面包括多邊形、圓形或橢圓形，該截面實質上垂直於該第一基板，且該側壁阻障結構的厚度小於或等於1釐米。
17. 如申請專利範圍第13項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，更包括於該側壁阻障結構面向該第一基板的一底表 面及/或面向該第二基板的一頂表面形成至少一凹槽。
18. 如申請專利範圍第17項所述之環境敏感電子元件封裝體的製作方法，更包括：將一吸溼劑配置於該側壁阻障結構面向該第一基板的該底表面的該凹槽內；以及將該膠材填入該側壁阻障結構面向該第一基板的該底表面的該凹槽內，其中該第一膠材包覆該吸溼劑。
19. 如申請專利範圍第17項所述之環境敏感電子元件封裝體的製作方法，更包括：將一吸溼劑配置於該側壁阻障結構面向該第二基板的該頂表面的該凹槽內；以及將該膠材填入該側壁阻障結構面向該第二基板的該頂表面的該凹槽內，其中該第二膠材包覆該吸溼劑。
20. 如申請專利範圍第13項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中位於該側壁阻障結構與該第一基板之間的該第一膠材的厚度小於15微米。
21. 如申請專利範圍第13項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中位於該側壁阻障結構與該第二基板之間的該第二膠材的厚度小於15微米。
22. 如申請專利範圍第13項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該側壁阻障結構具有至少一側向延伸結構，該延伸結構面向及/或背向該環境敏感電子元件延伸。
23. 如申請專利範圍第13項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，更包括：於該側壁阻障結構上形成一阻障薄膜，以包覆該側壁阻障結構。
24. 一種環境敏感電子元件封裝體，包括：一第一基板；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上；至少一第一玻璃膠，配置於該第一基板上；一側壁阻障結構，配置於該第一玻璃膠上，其中該側壁阻障結構藉由該第一玻璃膠黏著於該第一基板上，且該側壁阻障結構環繞該環境敏感電子元件；一第二玻璃膠，配置於該側壁阻障結構上；以及一第二基板，該側壁阻障結構透過該第二玻璃膠黏著於該第二基板上，其中該側壁阻障結構、該第一玻璃膠以及該第二玻璃膠位於該第一基板與該第二基板之間。
25. 如申請專利範圍第24項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構包括連續且封閉的環狀結構。
26. 如申請專利範圍第24項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構的截面包括多邊形、圓形或橢圓形，該截面實質上垂直於該第一基板，且該側壁阻障結構的厚度小於或等於1釐米。
27. 如申請專利範圍第24項所述的環境敏感電子元件封裝 體，其中該側壁阻障結構具有至少一凹槽，且該凹槽位於該側壁阻障結構面向該第一基板的一底表面上及/或該側壁阻障結構面向該第二基板的一頂表面上。
28. 如申請專利範圍第27項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括至少一吸溼劑，配置於該側壁阻障結構面向該第二基板的該頂表面的該凹槽內及/或該側壁阻障結構面向該第一基板的該底表面的該凹槽內。
29. 如申請專利範圍第28項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第一玻璃膠填入該側壁阻障結構面向該第一基板的該底表面的該凹槽內，且包覆該吸溼劑。
30. 如申請專利範圍第28項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該第二玻璃膠填入該側壁阻障結構面向該第二基板的該頂表面的該凹槽內，且包覆該吸溼劑。
31. 如申請專利範圍第24項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中位於該側壁阻障結構與該第一基板之間的該第一玻璃膠的厚度小於15微米。
32. 如申請專利範圍第24項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中位於該側壁阻障結構與該第二基板之間的該第二玻璃膠的厚度小於15微米。
33. 如申請專利範圍第24項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該側壁阻障結構具有至少一側向延伸結構，且該延伸結構面向及/或背向該環境敏感電子元件延伸。
34. 如申請專利範圍第24項所述的環境敏感電子元件封裝體，更包括一封裝薄膜，包覆該環境敏感電子元件。