TWI531473B - 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法 - Google Patents

Description

環境敏感電子元件封裝體及其製作方法

本揭露是有關於一種封裝體及其製作方法，且特別是有關於一種環境敏感電子元件封裝體及其製作方法。

隨著顯示技術的進步，顯示器已朝向薄型化及平面化發展，其中又以軟性顯示器(可撓性顯示器)逐漸成為顯示器往後發展的主要方向。利用可撓性基板取代傳統硬質基板來製作軟性顯示器，其可捲曲、方便攜帶、符合安全性及產品應用廣，但較不耐高溫、水氧阻絕性較差、耐化學藥品性較差及熱膨脹係數大。典型的可撓性基板可用來承載電子元件及/或用來作為蓋板(cover)以對電子元件進行封裝，由於可撓性基板並無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，因此水氣及氧氣的滲入將加速可撓性基板上之電子元件老化，進而導致電子元件的壽命減短，無法符合市場的需求。

因此，有採用側壁阻障(side wall barrier)結構來增加軟性顯示器的側向阻水氧能力之技術，其中側壁阻障結構是形成於 可撓性基板上，並且利用膠材使側壁阻障結構與另一可撓性基板貼合。然而，當側壁阻障結構與可撓性基板之間的膠材的厚度高時，雖可提高壁阻障結構與可撓性基板之間的貼合度，卻也同時造成水氧穿透路徑加大。反之，當側壁阻障結構與可撓性基板之間的膠材的厚度低時，則降低了側壁阻障結構與可撓性基板之間的貼合度，易導致軟性顯示器的基板在撓曲的過程中分離。

本揭露一實施例提供一種環境敏感電子元件封裝體及其製作方法。

本揭露一實施例提供一種環境敏感電子元件封裝體及其製作方法，以改善環境敏感電子元件壽命減短及環境敏感電子元件封裝體因撓曲而分離的問題。

本揭露一實施例提出一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、多個阻氣結構、多個微結構以及填充層。第二基板配置於第一基板上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。阻氣結構配置於第一基板及第二基板之間，且環繞環境敏感電子元件，其中阻氣結構具有一第一高度。微結構配置於第一基板與第二基板之間，其中微結構具有一第二高度，且第二高度與第一高度的比值介於1/250至1/100之間。填充層配置於第一基板與第二基板之間，且包覆阻氣結構以及環境敏感電子元件。

本揭露一實施例提出一種環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其包括下述步驟。於第一基板上形成一環境敏感電子元件。於第一基板及/或第二基板上形成多個阻氣結構，其中阻氣結構環繞環境敏感電子元件，且阻氣結構具有一第一高度。於第一基板與第二基板之間配置多個微結構，其中微結構具有一第二高度，且第二高度與第一高度的比值介於1/250至1/100之間。於第一基板上形成一填充層，以包覆環境敏感電子元件與阻氣結構。令第二基板壓合於填充層上，以使第一基板透過填充層與第二基板接合，其中環境敏感電子元件以及阻氣結構位於第一基板與第二基板之間。

基於上述，由於本揭露實施例的環境敏感電子元件封裝體的第一基板與第二基板之間具有阻氣結構，且阻氣結構環繞環境敏感電子元件，其中第一基板與第二基板之間具有微結構，可有效提升第一基板、第二基板及/或阻氣結構與填充層的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體的貼合區域的可靠度，並防止環境敏感電子元件封裝體的第一基板與第二基板在撓曲的過程中分離。此外，本揭露實施例的環境敏感電子元件封裝體具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長環境敏感電子元件的壽命。

為讓本揭露能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100A~100I‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

110、110a‧‧‧第一基板

120、120a‧‧‧第二基板

130‧‧‧環境敏感電子元件

140‧‧‧阻氣結構

140a‧‧‧阻隔壁

140b‧‧‧阻障層

142‧‧‧第一阻氣結構

142a‧‧‧第一阻隔壁

142b‧‧‧第一阻障層

144‧‧‧第二阻氣結構

144a‧‧‧第二阻隔壁

144b‧‧‧第二阻障層

150、150a、150b、150c‧‧‧微結構

160‧‧‧填充層

A‧‧‧區域

T1‧‧‧第一高度

T2‧‧‧第二高度

W1‧‧‧第一寬度

W2‧‧‧第二寬度

圖1A是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖1B至1D是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的區域A的局部上視圖。

圖2A至圖2D是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖3A至圖3D是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。

圖4A至圖4E是本揭露實施例的環境敏感電子元件封裝體的製作方法的剖面示意圖。

以下的敘述將伴隨著實施例的圖式，以針對本揭露所提出的實施例進行詳細說明。於附圖中，為求便於理解且清楚表示，各構件之間的比例或角度被適當地放大或縮小。因此，圖式的各構件之間的比例或角度是用來說明而非用以限制本揭露。

圖1A是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖1B至1D是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的區域A的局部上視圖。請參考圖1A，在本實施例中，環境敏感電子元件封裝體100A包括第一基板110、第二基板120、環境敏感 電子元件130、多個阻氣結構140、多個微結構150以及填充層160。第二基板120配置於第一基板110上方。環境敏感電子元件130配置於第一基板110上，且位於第一基板110與第二基板120之間。阻氣結構140配置於第一基板110及第二基板120之間，且環繞環境敏感電子元件130。阻氣結構140具有第一高度T1，其中第一高度T1例如是介於20微米至25微米之間。微結構150配置於第一基板110與第二基板120之間，其中微結構150具有第二高度T2，且第二高度T2與第一高度T1的比值介於1/250至1/100之間。填充層160配置於第一基板110與第二基板120之間，且包覆阻氣結構140以及環境敏感電子元件130。

在本實施例中，第一基板110與第二基板120例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)，且可撓性基板可為具有觸控功能之基板，例如是表面式電容觸控、數位矩陣式觸控(例如投射式電容觸控)或類比矩陣式觸控基板。當然，第一基板110以及第二基板120亦可以是硬質基板，其中硬質基板的材質可為玻璃，本揭露並不加以限制。

另外，環境敏感電子元件130例如是主動式環境敏感電子元件顯示元件或被動式環境敏感電子元件顯示元件，其中主動 式環境敏感電子元件顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electrophoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子元件顯示元件則例如是被動式有機發光二極體陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。

另一方面，阻氣結構140可配置於環境敏感電子元件130的至少一側，亦可配置於環境敏感電子元件130的任三側，其中較佳的配置方式是以環繞環境敏感電子元件130的四周為原則。在本實施例中，阻氣結構140具有第一寬度W1，其中第一寬度W1與第一高度T1的比值介於4至6之間，且阻氣結構140的水氣透過率小於10^-2 g/m²/day。詳細而言，各阻氣結構140包括阻隔壁140a以及阻障層140b，如圖1A所示，本實施例的阻隔壁140a例如是配置於第二基板120上，且呈等間距排列，其中阻隔壁140a垂直於第一基板110的截面可以是梯形、矩形或三角形(本實施例是以梯形為例)，而阻障層140b包覆阻隔壁140a。一般而言，阻隔壁140a的材質可包括無機材料或有機與無機混合材料。阻障層140b的材質可包括無機材料，其中無機材料例如是氧化矽、氮 化矽、氮氧化矽或氧化鋁。阻障層140b的材質亦可包括金屬材料，而金屬材料例如是鉬、鈦、鋁或鉻，亦可以是鉬/鋁/鉬所構成的多層金屬，又或者是鈦/鋁/鈦所構成的多層金屬。

另外，在其他未繪示的實施例中，本揭露的阻氣結構140亦可以是表面粗化的阻氣結構140。詳細而言，表面粗化的阻氣結構140具有表面粗化的阻隔壁140a以及阻障層140b，其中阻障層140b包覆表面粗化的阻隔壁140a，且表面粗化的阻隔壁140a例如是透過乾式蝕刻、濕式蝕刻或霧面噴砂等方法所形成。

請繼續參考圖1A，在本實施例中，微結構150例如是配置於第一基板110上，其中微結構150例如是透過黃光微影、X光微影、雷射蝕刻或網印等相關技術形成於第一基板110上。此外，微結構具有第二寬度W2，且第二寬度W2與第二高度T2的比值介於1/10至1之間。詳細而言，如圖1B至1D所示，微結構150例如是底面積為多邊形的突起，且微結構150的底面積可以是矩形、方形或三角形，分別例如是圖1B的微結構150a、圖1C的微結構150b或圖1D的微結構150c，也就是說，圖1B的微結構150a例如是底面積為矩形的立方體，而圖1C的微結構150b例如是底面積為方形的立方體，而圖1D的微結構150c例如是底面積為三角形的三角錐體。在其他未繪示的實施例中，本揭露的微結構150的底面積亦可以是其他不同型態的多邊形、圓形或橢圓形。

一般而言，填充層160例如是膠材透過紫光固化或熱固化所形成。膠材的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂 (expoxy)。在本實施例中，填充層160的型態例如是感壓式膠材或填充式膠材。另一方面，本揭露的微結構體可因應殘留於膠材內的氣體而重新調整其結構設計或配置，以將殘留於膠材內的氣體排出。

簡言之，微結構150可增加第一基板110與填充層160的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體100A的貼合區域的可靠度。另一方面，第一基板110上的微結構150亦可更進一步接觸或幾乎接觸阻氣結構140的阻障層140b，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸阻氣結構140的阻障層140b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。

雖然上述實施例的阻氣結構140配置於第二基板120上，且微結構150配置於第一基板110上，其中阻氣結構140的阻隔壁140a垂直於第一基板的截面為梯形。然而，在其他的實施例中，可達到阻隔水氣與氧氣之能力的不同結構設計或配置，仍屬於本揭露可採用的技術方案，不脫離本揭露所欲保護的範圍。以下將列舉多個不同的實施例來分別說明環境敏感電子元件封裝體100B至100I的設計。

圖2A至圖2D是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖3A至圖3D是本揭露另一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。請參考圖2A，圖2A的環境敏感電子元件封裝體100B與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖2A的環境敏感電子元件封裝體 100B的微結構150僅配置於阻氣結構140貼近第一基板110的頂表面上。換言之，微結構150可增加阻氣結構140與填充層160的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體100B的貼合區域的可靠度，亦可進一步接觸或幾乎接觸第一基板110，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸第一基板110，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。

請參考圖2B，圖2B的環境敏感電子元件封裝體100C與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖2B的環境敏感電子元件封裝體100C的微結構150分別配置於第二基板120及阻氣結構140貼近第一基板110的頂表面上。換言之，微結構150可增加第二基板120及阻氣結構140與填充層160的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體100C的貼合區域的可靠度，亦可進一步接觸或幾乎接觸第一基板110，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸第一基板110，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。

請參考圖2C，圖2C的環境敏感電子元件封裝體100D與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖2C的環境敏感電子元件封裝體100D的微結構150分別配置於第二基板120及阻氣結構140。具體而言，本實施例的微結構150更進一步分布在阻氣結構140貼近第一基板110的頂面及阻氣結構140的側表面。換言之，微結構150可增加第二基板120阻氣結構140與填充層160的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件 封裝體100D的貼合區域的可靠度，亦可進一步接觸或幾乎接觸第一基板110，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸第一基板110，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。

請參考圖2D，圖2D的環境敏感電子元件封裝體100E與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在於：圖2D的環境敏感電子元件封裝體100E的微結構150分別配置於第一基板110及第二基板120。換言之，第一基板110的微結構150可進一步接觸或幾乎接觸阻氣結構140的阻障層140b，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸阻氣結構140的阻障層140b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結構150可增加第一基板110及第二基板120與填充層160的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體100E的貼合區域的可靠度

另一方面，如圖3A所示，環境敏感電子元件封裝體100F的阻氣結構140更進一步包括第一阻氣結構142以及第二阻氣結構144，其中第一阻氣結構142位於第一基板110a上且朝向第二基板120a延伸，而第二阻氣結構144位於第二基板120a上且朝向第一基板110a延伸。詳細而言，第一阻氣結構具有第一阻隔壁142a以及第一阻障層142b，其中第一阻障層142b包覆第一阻隔壁142a，另外，第二阻氣結構144具有第二阻隔壁144a以及第二阻障層144b，其中第二阻障層144b包覆第二阻隔壁144a。

第一阻氣結構142與第二阻氣結構144交替排列於第一基板110a與第二基板120a之間，其中微結構150分別配置於第 一阻氣結構142貼近第二基板120a的頂表面以及第二阻氣結構144貼近第一基板110a的頂表面。換言之，第一阻氣結構142的微結構150以及第二阻氣結構144的微結構150可分別進一步接觸或幾乎接觸第二基板120a以及第一基板110a，其中微結構150可以是分別點接觸、線接觸或面接觸第一基板110a及第二基板120a，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結構150可增加第一阻氣結構142及第二阻氣結構144與填充層160的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體100F的貼合區域的可靠度。

請參考圖3B，圖3B的環境敏感電子元件封裝體100G與圖3A的環境敏感電子元件封裝體100F相似，其不同之處在於：圖3B的環境敏感電子元件封裝體100G的微結構150分別配置於第一基板110a以及第二基板120a。換言之，第一基板110a的微結構150可進一步接觸或幾乎接觸第二基板120a的第二阻氣結構144的第二阻障層144b，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸第二阻氣結構144的第二阻障層144b。第二基板120a的微結構150可進一步接觸或幾乎接觸第一阻氣結構142的第一阻障層142b，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸第一阻氣結構142的第一阻障層142b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結構150可增加第一基板110a及第二基板120a與填充層160的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體100G的貼合區域的可靠度。

請參考圖3C，圖3C的環境敏感電子元件封裝體100H與 圖3A的環境敏感電子元件封裝體100F相似，其不同之處在於：圖3C的環境敏感電子元件封裝體100H的微結構150分別配置於第二基板120a以及第二阻氣結構144，具體而言，微結構150更進一步分布在第二阻氣結構144貼近第一基板110a的頂表面以及第二阻氣結構142的側表面。換言之，第二基板120a的微結構150可進一步接觸或幾乎接觸第一阻氣結構142的第一阻障層142b，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸第一阻氣結構142的第一阻障層142b。此外，第二阻氣結構144的微結構150可進一步接觸或幾乎接觸第一基板110a，亦可以接觸或幾乎接觸第一阻氣結構142的第一阻障層142b，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸第一基板110a以及第一阻氣結構142的第一阻障層142b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結構150可增加第二基板120a及第二阻氣結構144與填充層160的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體100H的貼合區域的可靠度。

請參考圖3D，圖3D的環境敏感電子元件封裝體100I與圖3A的環境敏感電子元件封裝體100F相似，其不同之處在於：圖3D的環境敏感電子元件封裝體100I的微結構150分別配置於第一基板110a以及第一阻氣結構142，具體而言，微結構更進一步分布在第一阻氣結構142貼近第二基板120a的頂表面以及第一阻氣結構142的側表面。換言之，第一基板110a的微結構150可進一步接觸或幾乎接觸第二阻氣結構144的第二阻障層144b，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸第二阻氣結構144 的第二阻障層144b。此外，第一阻氣結構142的微結構150可進一步接觸或幾乎接觸第二基板120a，亦可以接觸或幾乎接觸第二阻氣結構144的第二阻障層144b，其中微結構150可以是點接觸、線接觸或面接觸第二基板120a以及第二阻氣結構144的第二阻障層144b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結構150可增加第一基板110a及第一阻氣結構142與填充層160的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體100H的貼合區域的可靠度。

以上僅介紹本揭露部分實施例的環境敏感電子元件封裝體100A至100I，並未介紹本揭露的環境敏感電子元件封裝體的製作方法。對此，以下將以圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A為例，並配合圖4A至圖4E對環境敏感電子元件封裝體的製作方法進行詳細的說明。

圖4A至圖4E是本揭露一實施例的環境敏感電子元件封裝體的製作方法的剖面示意圖。請參考圖4A，首先，於第一基板110上形成環境敏感電子元件130，其中第一基板110例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚亞醯胺(PI)或金屬箔(metal foil)，且可撓性基板可為具有觸控功能之基板，例如是表面式電容觸控、數位矩陣式觸控(例如投射式電容觸控)或類比矩陣式觸控 基板。當然，第一基板110亦可以是硬質基板，其中硬質基板的材質可為玻璃，本揭露並不加以限制。

另外，環境敏感電子元件130例如是主動式環境敏感電子元件顯示元件或被動式環境敏感電子元件顯示元件，例如是透過光學膠(未繪示)貼合於第一基板110上，其中主動式環境敏感電子元件顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM-OLED)或者是主動型矩陣電泳顯示器(Active Matrix Electrophoretic Display,AM-EPD)，俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主動型矩陣藍相液晶顯示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子元件顯示元件則例如是被動式有機發光二極體陣列基板(Passive Matrix OLED,PM-OLED)或者是超扭轉向列型液晶顯示器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。

接著，請參考圖4B-1以及4B-2，於第二基板120上形成多個阻氣結構140，其中阻氣結構140具有第一高度T1，第一高度T1例如是介於20微米至25微米之間，且環繞環境敏感電子元件130。具體而言，阻氣結構140可形成於環境敏感電子元件130的至少一側，亦可形成於環境敏感電子元件130的任三側，其中較佳的配置方式是以環繞環境敏感電子元件130的四周為原則。此外，在本實施例中，阻氣結構140具有第一寬度W1，其中第一寬度W1與第一高度T1的比值介於4至6之間，且阻氣結構140 的水氣透過率小於10^-2 g/m²/day。詳細而言，形成各阻氣結構140的順序例如是先於第二基板120上形成多個阻隔壁140a，其中各阻隔壁140a呈等間距排列，且各阻隔壁140a垂直於第一基板110的截面例如是梯形、矩形或三角形(本實施例是以梯形為例)。接著，於各阻隔壁140a上形成阻障層140b，其中各阻障層140b包覆各阻隔壁140a，至此阻氣結構140的製作已大致完成。一般而言，阻隔壁140a的材質可包括無機材料或有機與無機混合材料，而阻障層140b的材質可包括無機材料，其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁。阻障層140b的材質亦可包括金屬材料，而金屬材料例如是鉬、鈦、鋁或鉻，亦可以是鉬/鋁/鉬所構成的多層金屬，又或者是鈦/鋁/鈦所構成的多層金屬。

另外，在其他未繪示的實施例中，本揭露的阻氣結構140亦可以是表面粗化的阻氣結構140。詳細而言，表面粗化的阻氣結構140例如是透過乾式蝕刻、濕式蝕刻或霧面噴砂等方法先於第二基板120形成表面粗化的阻隔壁140a，接著以阻障層140b包覆表面粗化的阻隔壁140a所形成。

接著，如圖4C所示，於第一基板110上形成多個微結構150，其中各微結構150具有第二高度T2，且第二高度T2與第一高度T1的比值介於1/250至1/100之間。一般而言，其中微結構150例如是透過黃光微影、X光微影、雷射蝕刻或網印等相關技術形成於第一基板110上，且微結構150具有第二寬度W2，其中第二寬度W2與第二高度T2的比值介於1/10至1之間。詳細而言， 微結構150例如是底面積為多邊形的突起，如圖1B至1D所示，本實施例的微結構150的底面積可以是方形、矩形或三角形。更具體而言，圖1B的微結構150a例如是底面積為矩形的立方體，而圖1C的微結構150b例如是底面積為方形的立方體，而圖1D的微結構150c例如是底面積為三角形的三角錐體。在其他未繪示的實施例中，本揭露的微結構150的底面積亦可以是其他不同型態的多邊形、圓形或橢圓形的立體微結構。此外，如圖2A至圖2D所示，本揭露的微結構150亦可以分別形成於第二基板120及/或阻氣結構140上，本揭露並不加以限制。

接著，請參考圖4D，於第一基板110上形成一填充層160，以包覆環境敏感電子元件130與阻氣結構140。詳細而言，於第一基板110上形成一填充層160，以包覆環境敏感電子元件130與阻氣結構140的方法可以是先於第一基板110上形成一膠材，以包覆環境敏感電子元件130以及阻氣結構140。接著，例如藉由紫光固化或熱固化膠材而形成填充層160。在本實施例中，膠材的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)，而填充層160的型態例如為填充式膠材或感壓式膠材。

之後，請參考圖4E，令第二基板120壓合於填充層160上，以使第一基板110透過填充層160與第二基板120接合，其中環境敏感電子元件130與阻氣結構140位於第一基板110與第二基板120之間。一般而言，將第二基板120壓合於填充層160後，可以是透過滾輪或框壓的方式使第二基板120的阻氣結構140 與第一基板110緊密接觸。至此，環境敏感電子元件封裝體100A已大致完成。另一方面，本揭露的微結構體可因應殘留於膠材內的氣體而重新調整其結構設計或配置，以將殘留於膠材內的氣體排出。

在此必須說明的是，雖然上述實施例是以阻氣結構140形成於第二基板120上進行說明，然而，在其他實施例中，阻氣結構140亦可以形成於第一基板110上。詳細而言，如圖3A至3D所示，阻氣結構140可以是分別形成於第一基板110a以及第二基板120a的第一阻氣結構142以及第二阻氣結構144。第一阻氣結構142朝向第二基板120a延伸，而第二阻氣結構144朝向第一基板110a延伸，並且第一阻氣結構142與第二阻氣結構144交替排列於第一基板110a與第二基板120a之間。

更進一步而言，形成第一阻氣結構142的順序例如是先於第一基板110a上形成多個第一阻隔壁142a，其中各第一阻隔壁142a呈等間距排列，且各第一阻隔壁142a垂直於第一基板110a的截面例如是梯形、矩形或三角形(本實施例是以梯形為例)。接著，於各第一阻隔壁142a上形成第一阻障層142b，其中各第一阻障層142b包覆各第一阻隔壁142a，至此第一阻氣結構142的製作已大致完成。另外，形成第二阻氣結構144的順序例如是先於第二基板120a上形成多個第二阻隔壁144a，其中各第二阻隔壁144a呈等間距排列，且各第二阻隔壁144a垂直於第一基板110的截面例如是梯形、矩形或三角形(本實施例是以梯形為例)。接著，於 各第二阻隔壁144a上形成第二阻障層144b，其中各第二阻障層144b包覆各第二阻隔壁144a，至此第二阻氣結構144的製作已大致完成。

一般而言，第一阻隔壁142a以及第二阻隔壁144a的材質可包括無機材料或有機與無機混合材料，而第一阻障層142b以及第二阻障層144b的材質可包括無機材料，其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁。第一阻障層142b以及第二阻障層144b的材質亦可包括金屬材料，而金屬材料例如是鉬、鈦、鋁或鉻，亦可以是鉬/鋁/鉬所構成的多層金屬，又或者是鈦/鋁/鈦所構成的多層金屬。

另外，在其他未繪示的實施例中，第一阻氣結構142以及第二阻氣結構144亦可以是表面粗化的第一阻氣結構142以及表面粗化的第二阻氣結構144。詳細而言，表面粗化的第一阻氣結構142以及第二阻氣結構144例如是透過乾式蝕刻、濕式蝕刻或霧面噴砂等方法先分別於第一基板110a以及第二基板120a形成表面粗化的第一阻隔壁142a以及第二阻隔壁144a，其中第一阻隔壁142a以及第二阻隔壁144a分別於第一基板110a以及第二基板120a上呈等間距排列。接著，分別以第一阻障層142b以及第二阻障層144b包覆表面粗化的第一阻隔壁142a以及第二阻隔壁144a，至此第一阻氣結構142以及第二阻氣結構144的已大致完成。

簡言之，如圖3A至3D所示，本揭露的微結構150亦可 形成於第一基板110、第二基板120、第一阻氣結構142及/或第二阻氣結構144上，以大幅縮小水氧的穿透路徑，並且提高環境敏感電子元件封裝體100F至100I的貼合區域的可靠度。

綜上所述，由於本揭露的環境敏感電子元件封裝體的第一基板與第二基板之間具有阻氣結構，且阻氣結構環繞環境敏感電子元件，其中第一基板與第二基板之間具有微結構，可有效提升第一基板、第二基板及/或阻氣結構與填充層的接觸表面積，以提高環境敏感電子元件封裝體的貼合區域的可靠度，防止環境敏感電子元件封裝體的第一基板與第二基板在撓曲的過程中分離。

此外，微結構可進一步接觸或幾乎接觸第一基板、第二基板及/或阻氣結構，從而大幅縮小水氧的穿透路徑，因此本揭露的環境敏感電子元件封裝體具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長環境敏感電子元件的壽命。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100A‧‧‧環境敏感電子元件封裝體

110‧‧‧第一基板

120‧‧‧第二基板

130‧‧‧環境敏感電子元件

140‧‧‧阻氣結構

140a‧‧‧阻隔壁

140b‧‧‧阻障層

150‧‧‧微結構

160‧‧‧填充層

A‧‧‧區域

T1‧‧‧第一高度

T2‧‧‧第二高度

W1‧‧‧第一寬度

W2‧‧‧第二寬度

Claims (30)

1. 一種環境敏感電子元件封裝體，包括：一第一基板；一第二基板，配置於該第一基板上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間；多個阻氣結構，配置於該第一基板及該第二基板之間，且環繞該環境敏感電子元件，其中該些阻氣結構具有一第一高度；多個微結構，配置於該第一基板與該第二基板之間，其中該些微結構具有一第二高度，且該第二高度與該第一高度的比值介於1/250至1/100之間，每一該阻氣結構對應多個該些微結構，多個該些微結構在該第一基板的正投影落在對應的該阻氣結構在該第一基板上的正投影內，或多個該些微結構在該第二基板的正投影落在對應的該阻氣結構在該第二基板上的正投影內；以及一填充層，配置於該第一基板與該第二基板之間，且包覆該些阻氣結構以及該環境敏感電子元件。
2. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些微結構位於該第一基板上。
3. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些微結構位於該第二基板上。
4. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些微結構位於該些阻氣結構上。
5. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些阻氣結構的水氣透過率小於10^-2g/m²/day。
6. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些阻氣結構具有一第一寬度，且該第一寬度與該第一高度的比值介於4至6之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些微結構具有一第二寬度，且該第二寬度與該第二高度的比值介於1/10至1之間。
8. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些微結構包括底面積為多邊形的突起。
9. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些阻氣結構包括：一阻隔壁，配置於該第一基板或該第二基板上；以及一阻障層，包覆該阻隔壁，其中該填充層包覆該阻障層。
10. 如申請專利範圍第9項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些阻隔壁呈等間距排列。
11. 如申請專利範圍第9項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些阻隔壁的截面包括矩形、梯形或三角形，且該截面垂直於該第一基板。
12. 如申請專利範圍第9項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些阻隔壁的材質包括無機材料或有機與無機混合材料。
13. 如申請專利範圍第9項所述的環境敏感電子元件封裝 體，其中該些阻障層的材質包括無機材料或金屬材料。
14. 如申請專利範圍第1項所述的環境敏感電子元件封裝體，其中該些阻氣結構包括：一第一阻氣結構，位於該第一基板上且朝向該第二基板延伸；以及一第二阻氣結構，位於該第二基板上且朝向該第一基板延伸，其中該些第一阻氣結構與該些第二阻氣結構交替排列於該第一基板與該第二基板之間。
15. 一種環境敏感電子元件封裝體的製作方法，包括：於一第一基板上形成一環境敏感電子元件；於該第一基板及/或一第二基板上形成多個阻氣結構，其中該些阻氣結構環繞該環境敏感電子元件，且該些阻氣結構具有一第一高度；於該第一基板與該第二基板之間配置多個微結構，其中該些微結構具有一第二高度，且該第二高度與該第一高度的比值介於1/100至1/250之間，每一該阻氣結構對應多個該些微結構，多個該些微結構在該第一基板的正投影落在對應的該阻氣結構在該第一基板上的正投影內，或多個該些微結構在該第二基板的正投影落在對應的該阻氣結構在該第二基板上的正投影內；於該第一基板上形成一填充層，以包覆該環境敏感電子元件與該些阻氣結構；以及令該第二基板壓合於該填充層上，以使該第一基板透過該填 充層與該第二基板接合，其中該環境敏感電子元件以及該些阻氣結構位於該第一基板與該第二基板之間。
16. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些微結構位於第一基板上。
17. .如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些微結構位於第二基板上。
18. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些微結構位於該些阻氣結構上。
19. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些阻氣結構的水氣透過率小於10^-2g/m²/day。
20. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些阻氣結構具有一第一寬度，且該第一寬度與該第一高度的比值介於4至6之間。
21. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些微結構具有一第二寬度，且該第二寬度與該第二高度的比值介於1/10至1之間。
22. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些微結構包括底面積為多邊形的突起。
23. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中於該第一基板、該第二基板及/或該些阻氣結構形成該些微結構的方法包括黃光微影或蝕刻。
24. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體 的製作方法，其中於該第一基板上形成該填充層的方法包括：於該第一基板上形成一膠材，以包覆該環境敏感電子元件以及該些阻氣結構；以及固化該膠材以形成該填充層。
25. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中於該第一基板及/或該第二基板上形成該些阻氣結構的方法包括：於該第一基板及/或該第二基板上形成多個阻隔壁；以及形成多個阻障層，以包覆該些阻隔壁，其中該填充層包覆該阻障層。
26. 如申請專利範圍第25項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些阻隔壁呈等間距排列。
27. 如申請專利範圍第25項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中位於該第一基板上的該些阻隔壁與位於該第二基板上的該些阻隔壁呈交替排列。
28. 如申請專利範圍第25項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些阻隔壁的材質包括無機材料或有機與無機混合材料。
29. 如申請專利範圍第25項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些阻障層的材質包括無機材料或金屬材料。
30. 如申請專利範圍第15項所述的環境敏感電子元件封裝體的製作方法，其中該些阻氣結構包括： 一第一阻氣結構，形成於該第一基板上且朝向該第二基板延伸；以及一第二阻氣結構，形成於該第二基板上且朝向該第一基板延伸，其中該些第一阻氣結構與該些第二阻氣結構交替排列於該第一基板與該第二基板之間。