TWI535874B - 用於固相材料之改良蒸發方法 - Google Patents

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Description

用於固相材料之改良蒸發方法
本發明係關於用於固相材料之蒸發方法。
當前對於有機發光裝置(OLED)作為能夠提供高效率、鮮明色彩、快速切換時間、極佳檢視角度及超薄形狀因數之新一代顯示技術的開發存在相當大的興趣。然而，為了實現新一代顯示技術之商業潛力，需要改良之製造方法，包括用於用作磷光發射體之金屬錯合物之真空昇華的改良方法。該等方法中之一關鍵挑戰在於：尤其在用於磷光OLED裝置之相對高分子量金屬錯合物的狀況下，該方法應在達成高產量同時最小化欲昇華之材料之分解。已觀察到：在長的昇華時間(大約數十小時)下，許多該等錯合物之最初自由流動之粉末傾向於形成充當昇華之障壁之殼。為在存在此種殼之情況下維持恆定昇華速率，必需連續地升高昇華溫度，此又傾向於促進進一步分解，最終減少昇華之材料之產量且經由雜質之沈積而潛在地損害OLED裝置之效能。因此，OLED研究之一重要目標在於開發最小化包括磷光金屬錯合物之各種類型材料的昇華期間之結殼的改良之昇華方法。
在一態樣中，本發明提供一種蒸發材料之方法，該方法包含：(a)將呈固態之材料之塊體與複數個填料單元混合，其中該等填料單元中之每一者包含惰性材料，且其中該等 填料單元中之每一者或該等填料單元之聚集體的結構包含複數個不平滑之特徵；及(b)蒸發材料塊體之至少一部分。
在另一態樣中，本發明提供一種蒸發材料之方法，該方法包含：(a)在10托或小於10托之環境壓力下蒸發呈固態之材料之塊體的至少一部分；及(b)在蒸發之至少一部分期間，機械攪動材料塊體。
在又一態樣中，本發明提供一種製造有機薄膜裝置之方法，該方法包含：(a)將材料塊體沈積於複數個填料單元上，其中該等填料單元中之每一者包含惰性材料，且其中該等填料單元中之每一者或該等填料單元之聚集體的結構包含複數個不平滑之特徵；(b)蒸發在該等填料單元上呈固態之材料之塊體的至少一部分；(c)提供安置於基板上方之電極；及(d)藉由將經蒸發之材料沈積於在該電極上或上方之表面上而在該表面上形成層。
本發明提供涉及呈固態材料之蒸發的各種方法。所蒸發之材料為在蒸發方法(例如，昇華)期間遭受結殼問題之各種材料中之任一者。在一些狀況下，材料包含有機金屬錯合物；且在一些狀況下，材料包含磷光金屬錯合物。如本文中所使用，術語"蒸發"係指使材料(無論為固相或液相)轉化為氣態而不經歷使材料產生化學變化之任何化學反應的任何方法。蒸發之一實例為昇華。
因而，在一態樣中，本發明提供一種藉由將呈固態材料之塊體與複數個填料單元混合來蒸發材料之方法，其中該 等填料單元中之每一者包含惰性材料。如本文中所使用，術語"惰性材料"當指填料單元時意謂與所蒸發材料不具反應性的材料。
該等填料單元中之每一者之結構或該等填料單元之聚集體之結構包含複數個不平滑之特徵。材料塊體可具有相當於該複數個填料單元之總體積的體積。已發現使用具有不平滑之特徵(例如，具有複數個尖銳轉角及邊緣)之該等填料單元顯著減少結殼之量且減少維持恆定昇華速率所需的溫度速率增加(大約為對於對照樣本所觀察到的速率增加之1/5至1/10)。
舉例而言，當向昇華坩堝裝入金屬網條帶(Pro-PakTM，0.16in2，蒙乃爾合金(Monel))且添加足夠化合物1a以幾乎覆蓋填料條帶時，在61小時之後觀察到明顯較少之變色，且在可比較之昇華速率下，昇華溫度之升高之速率非常小。如圖1A及圖1B中可見，且如一般技術者所已知，Pro-PakTM金屬網10及20具有複數個各種類型之不平滑之特徵，包括尖銳邊緣、轉角及突起。
不希望受理論限制，本發明者認為可具有不規則形狀之此等不平滑之特徵藉由以下方式而起到以物理方式破壞殼形成之作用：(i)促進鬆散裝填及空隙，此不僅增加表面積，而且亦產生傾向於在藉由昇華移除材料時塌縮且暴露新生表面之機械上非常脆弱之3維結構；或(ii)經由任何初生殼突出，以提供使來自下伏材料之蒸氣逃逸之路徑，及防止生長中之殼形成一可在下伏材料昇華時且在殼下沉時維持整體性 之平滑界面；或(iii)此等效應之組合。
若所蒸發材料係以粉末形式提供，則可根據粉末之粒度選擇填料單元之類型。舉例而言，一類型之填料單元可適於呈非常精細粉末形式(約10微米)之材料，且另一類型之填料單元可適於具有大顆粒(約500微米)之材料。
在一些狀況下，可調整體積比以提供所要結果。在此上下文中，"體積"意欲意謂簡單體積，包括填料單元、所蒸發材料之塊體或混合物佔據之自由空間。在一實施例中，填料單元與所蒸發材料之混合物的空隙度至少為10%；且在一些狀況下，至少為20%；且在一些狀況下，至少為30%；且在一些狀況下，至少為40%；且在一些狀況下，至少為50%。就"空隙度"而言，其意謂百分比Vf=[(Vmixture-Vmaterial)/Vmixture]×100，其中Vmixture為混合物之體積且Vmaterial為所蒸發材料之體積。
圖2說明如何計算空隙度。金屬網之簡單體積為11.4cm3，其中此體積之94%構成自由空間。當考慮網之體積、化合物之體積及混合物之體積時(如與其在圓柱形容器中之高度成比例而計算)，測定空隙度為47%。
在某些實施例中，填料單元係選自由Penn State Packing或Pro-PakTM(自Aldrich獲得)組成之群。在某些實施例中，填料單元中所用之惰性材料為選自由原子序大於21且在一些狀況下大於40之非放射性金屬組成之群的金屬。該等金屬可包括：Cr、Mn、Fe、Co或Ni。該等金屬亦可包括：Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu或Au。在一些狀況 下，金屬為Os、Ir或Pt；且在一些狀況下，金屬為Ir。在某些實施例中，填料單元可包含熱及化學穩定之固體材料，諸如，不鏽鋼(例如，Pro-PakTM Z210536 PAK)、鉭、鉬、鎢、HastelloyTM、硼矽玻璃(例如，PyrexTM)、氮化硼、氧化鋁或石墨。在某些實施例中，填料單元中所用之惰性材料可包含熱導率大於1W/m．K，且在一些狀況下大於30W/m．K，且在一些狀況下大於50W/m．K之材料。
在某些實施例中，將填料單元組裝於藉由以下方式起以物理方式破壞殼形成之作用之結構化填料總成中：(i)促進鬆散裝填及空隙，此不僅增加表面積，而且亦產生傾向於在藉由昇華移除材料時塌縮且暴露新生表面之機械上非常脆弱之三維結構；或(ii)突出穿過任何初生殼，以提供使來自下伏材料之蒸氣逃逸之路徑，及防止生長中之殼形成一可在下伏材料昇華時且在殼下沉時維持整體性之平滑界面；或(iii)此等效應之組合。
本發明之結構化填料總成可類似於用於蒸餾中之彼等結構化填料總成。舉例而言，結構化填料總成可包括使用具有與鄰近薄片相反之波紋角度的波紋狀薄規格金屬或金屬網之垂直薄片形成的用以形成具有傾斜流動通道及相對高之表面積之開放蜂窩狀結構的結構化管柱填料。其他穿孔及包括格子狀、有槽及平滑表面之表面紋理可用於促進蒸氣逃逸，同時提供較大表面積及在最初將欲蒸發之材料裝填至結構化填料中後形成高空隙含量粉末管柱之可能。該等空隙可有助於促進形成將在蒸發期間塌縮以暴露新表面 材料之機械上脆弱之粉末塊體。可將若干填料單元板塊堆疊於彼此之頂部上，其中管柱偏移或管柱軸自一板塊旋轉至下一板塊以促進所要高空隙含量裝載且使得欲蒸發材料不可能在塌縮後密集填充。提供用於蒸餾目的之該等填料單元及總成之公司的實例包括：AceChemPack、Koch-Glitsch、Sulzer及ACS Industries, Inc.。
在另一實例中，如圖3A及圖3B中所示，結構化填料總成可具有聖誕樹形狀之框架30，框架30經設計以促進鬆散裝填、空隙形成且破壞殼形成，同時在實驗(或製造操作)與實驗(或製造操作)之間可再現地建立沈積源。參看圖3A，聖誕樹結構具有一基座32、一自基座32垂直延伸之主幹34，及自主幹34延伸之許多分枝36。圖3B展示附著於框架30之個別填料單元38(Pro-PakTM ，0.16 in2 ，蒙乃爾合金)。許多其他形狀及尺寸(例如，總尺寸、表面積，或空隙空間尺寸)可用於填料單元及/或結構化填料總成(例如，蜂窩狀、螺旋狀形狀等)。
其他框架形狀及填料配置係可能的。視小片(例如，金屬及合金)之組成而定，將個別填料單元連接在一起亦可促進源內之熱導率增加，此有益於控制與時間有關之所蒸發材料之沈積速率。亦可將個別填料單元融合在一起成為一適合坩堝之總成。在另一實例中，圖4展示包含交叉波紋狀金屬薄片元件之結構化填料總成。
在製造OLED及其他有機薄膜裝置中所用的各種類型之蒸發方法可在不同的環境壓力下進行。舉例而言，有機氣 相沈積(OVPD)通常在約1托之環境壓力下進行。真空熱蒸發(VTE)通常在10-6 -10-8 托之環境壓力下進行。因而，在某些實施例中，蒸發在小於10托，且在一些狀況下小於1托，且在一些狀況下小於10-2 托，且在一些狀況下小於10-5 托之環境壓力下進行。
在某些實施例中，蒸發之材料可用於製造有機薄膜裝置。舉例而言，該製造可包括藉由將蒸發之材料沈積於表面上形成層。有機薄膜裝置可為OLED；且該層可為電致發光層、電荷傳輸層(例如，電洞傳輸層或電子傳輸層)，或阻擋層。
在另一態樣中，本發明提供一種藉由間歇地或連續地機械攪動材料同時使材料蒸發而蒸發材料之方法。舉例而言，圖5A及圖5B展示用於機械攪動之裝置50，裝置50包含一連接至一攪拌器54之旋轉軸56及一加熱元件52。旋轉軸56之旋轉使得攪拌器54旋轉，從而攪動所蒸發之材料。在另一實例中，圖6展示用於機械攪動之另一裝置60，裝置60包含一攪拌棒64、一磁性攪拌器基座66，及一線圈加熱元件62。由磁性攪拌器基座66產生之旋轉磁場使得攪拌棒64自旋，從而攪動所蒸發之材料。
在某些實施例中，可進一步將所蒸發材料與上述填料單元或結構化填料總成混合。在某些實施例中，蒸發在上述環境壓力下進行。
在另一態樣中，本發明提供一種藉由將欲蒸發之材料之塊體沈積於複數個如上所述之填料單元上製造有機薄膜裝 置的方法。沈積於填料單元上之此材料接著充當藉由蒸發或昇華技術(例如，在製造有機薄膜裝置之方法中，藉由使材料自填料單元蒸發且沈積於表面上)製造有機薄膜裝置之源材料。可以各種方式將材料塊體沈積於填料單元上，包括使用另一蒸發或昇華方法，或藉由使材料結晶於填料單元上。另外，上述填料單元及方法參數可用於製造有機薄膜裝置之此方法中。
實例
現將描述本發明之具體代表性實施例，包括可如何作出該等實施例。應瞭解，具體方法、材料、條件、方法參數、設備及其類似因素不必限制本發明之範疇。
比較實例1
向氧化鋁坩堝(Luxel Alumina RADAKTM II P/N 20300-1)中填充10.06 g化合物1a。將坩堝裝載至高真空腔室中且將腔室抽空至小於10-6 托之真空度。接著以環繞坩堝側面之線圈加熱器(Luxel RADAKTM II)加熱坩堝。以厚度監視器監視化合物1a自坩堝之昇華。藉由調整經過加熱器線圈之功率來維持恆定昇華速率。如由位置2中之晶體監視器(見圖8)所監測，對於此測試，將速率設定為0.07 Å/s(基板位置處之計算速率)。在停止實驗之前，使化合物1a昇華歷時130小時。在前64小時期間，維持恆定昇華速率之所需溫度增加速率為0.19℃/h。在此130小時之實驗期間，坩堝中之消耗速率為0.016 g/h。64小時之後，中斷實驗，且在檢測後，在化合物1a之表面觀察到變色，表明長期昇華 時間可能使材料分解。
實例1
將5.39 g金屬網填料條帶(Pro-PakTM ，0.16 in2 ，蒙乃爾合金)裝載至昇華坩堝(Luxel Alumina RADAKTM II P/N 20300-1)中。添加5.70 g化合物1a以覆蓋金屬網填料。如圖7中所示，攪動坩堝以混合化合物1a與金屬網填料。將坩堝裝載至高真空腔室中且將腔室抽空至小於10-6 托之真空度。接著以環繞坩堝側面之線圈加熱器(Luxel RADAKTM II)加熱坩堝。以厚度監視器監視化合物1a自坩堝之昇華。藉由調整經過加熱器線圈之功率維持恆定昇華速率。如由位置2中之晶體監視器(見圖8)所監測，對於此測試，將速率設定為0.08 Å/s(基板位置處之計算速率)。在停止實驗之前，使化合物1a連續昇華61小時。在前34小時期間，維持恆定沈積速率不需要坩堝之溫度增加。在34小時之後，維持恆定昇華速率之所需溫度增加速率為0.05℃/h(61小時內維持恆定昇華速率所需的平均溫度速率增加為0.02℃/h)。在此實驗期間，坩堝中之消耗速率為0.017 g/h。在61小時之後，停止坩堝之加熱。因此，與比較實 例1相比，維持相當昇華速率需要較慢的溫度增加速率。另外，在檢測坩堝後，與比較實例1中所獲得之結果相比，表面存在顯著較少之變色。
比較實例2
向氧化鋁坩堝(Luxel Alumina RADAKTM II P/N 20300-1)中填充1.00 g化合物1a。將坩堝裝載至高真空腔室中且將腔室抽空至小於10-6 托之真空度。接著以環繞坩堝側面之線圈加熱器(Luxel RADAKTM II)加熱坩堝。以厚度監視器監視化合物1a自坩堝之昇華。藉由調整經過加熱器線圈之功率維持恆定昇華速率。如由位置2中之晶體監視器(見圖8)所監測，對於此測試，將速率設定為0.25 Å/s(基板位置處之計算速率)。在停止實驗之前，使化合物1a昇華4.8小時。在該實驗期間，維持恆定昇華速率之所需溫度增加速率為1.04℃/h。在此4.8小時之實驗期間，坩堝中之消耗速率為0.081 g/h。4.8小時後，停止實驗。檢測坩堝後，表面已變色，類似於對比較實例1所獲得之結果。
實例2
將6.35 g金屬網填料條帶(Pro-PakTM ，0.16 in2 ，蒙乃爾合金)裝載至空昇華坩堝(Luxel Alumina RADAKTM II P/N 20300-1)中。添加5.98 g化合物1a以覆蓋填料。攪動坩堝以混合化合物1a與金屬網填料。將坩堝裝載至高真空腔室中且將腔室抽空至小於10-6 托之真空度。接著以環繞坩堝側面之線圈加熱器(Luxel RADAK IITM )加熱坩堝。以厚度監視器監視化合物1a自坩堝之昇華。藉由調整通過加熱器 線圈之功率維持恆定昇華速率。如由位置1中之晶體監視器(見圖8)所監測，對於此測試，將速率設定為0.2 Å/s(基板位置處之計算速率)。在停止實驗之前，使化合物1a連續昇華64小時。在64小時之操作時間內，維持恆定昇華速率之所需溫度增加速率為0.19℃/h。在此實驗期間，坩堝中之消耗速率為0.07 g/h。64小時後，停止坩堝之加熱。在將坩堝自真空腔室中移除之後檢測坩堝後，與比較實例2中所獲得之結果相比，表面存在顯著較少之變色。
比較實例3
向氧化鋁坩堝(Luxel Alumina RADAKTM II P/N 20300-1)中填充1.00 g化合物1a。將坩堝裝載至高真空腔室中且將腔室抽空至小於10-6 托之真空度。接著以環繞坩堝側面之線圈加熱器(Luxel RADAKTM II)加熱坩堝。以厚度監視器監視化合物1a自坩堝之昇華。藉由調整通過加熱器線圈之功率維持恆定昇華速率。如由位置2中之晶體監視器(見圖8)所監測，對於此測試，將速率設定為0.50 Å/s(基板位置處之計算速率)。在停止實驗之前，使化合物1a昇華5.3小時。在該實驗期間，維持恆定昇華速率之所需溫度增加速率為1.92℃/h。在此5.3小時之實驗期間，坩堝中之消耗速率為0.110 g/h。5.3小時後，停止實驗。
實例3
將6.11 g金屬網填料條帶(Pro-PakTM ，0.16 in2 ，蒙乃爾合金)裝載至空昇華坩堝(Luxel Alumina RADAKTM II P/N 20300-1)中。添加5.57 g化合物1a以覆蓋填料。攪動坩堝 以混合化合物1a與金屬網填料。將坩堝裝載至高真空腔室中且將腔室抽空至小於10-6 托之真空度。接著以環繞坩堝側面之線圈加熱器(Luxel RADAKTM II)加熱坩堝。以厚度監視器監視化合物1a自坩堝之昇華。藉由調整經過加熱器線圈之功率維持恆定昇華速率。如由位置1中之晶體監視器(見圖8)所監測，對於此測試，將速率設定為0.53 Å/s(基板位置處之計算速率)。在停止實驗之前，使化合物1a連續昇華17小時。在17小時之操作時間內，維持恆定昇華速率之所需溫度增加速率為0.65℃/h。在此實驗期間，坩堝中之消耗速率為0.175 g/h。16小時後，停止坩堝之加熱。檢測坩堝後，與比較實例3中所獲得之結果相比，表面存在顯著較少之變色。
圖9展示上述實例中在化合物1a昇華期間所觀察到的作為化合物1a消耗速率之函數的溫度上升之曲線圖。下列表1概括自上述實例中所獲得之昇華資料。此資料證明本發明之方法可允許較慢溫度增加速率來維持相當昇華速率。
闡述上述描述及實例僅為說明本發明且不欲施加限制。可單獨或結合本發明之其他態樣、實施例及變體考慮本發明所揭示之態樣及實施例中之每一者。熟習此項技術者可對併有本發明之精神及實質的所揭示實施例進行修改且該等修改在本發明之範疇內。
10‧‧‧金屬網
20‧‧‧金屬網
30‧‧‧框架
32‧‧‧基座
34‧‧‧主幹
36‧‧‧分枝
38‧‧‧填料單元
50‧‧‧裝置
52‧‧‧加熱元件
54‧‧‧攪拌器
56‧‧‧旋轉軸
60‧‧‧裝置
62‧‧‧線圈加熱元件
64‧‧‧攪拌棒
66‧‧‧磁性攪拌器基座
圖1A及圖1B展示個別Pro-Pak單元(0.16 in2 ，蒙乃爾合金(Monel ))。
圖2展示如何計算空隙度之示例。
圖3A展示用於固持填料單元以形成結構化填料總成之框架。圖3B展示圖3A之附著有填料單元之框架。
圖4展示具有交叉波紋狀薄片結構之結構化填料總成。
圖5A展示可用於本發明中之機械攪動裝置之透視、透明視圖。圖5B展示圖5A之裝置之剖視圖。
圖6展示可用於本發明中之另一機械攪動裝置之透視、透明視圖。
圖7展示含有與複數個填料單元混合之化合物1a之塊體的昇華坩堝。
圖8展示用於實例1中之高真空腔室內部的坩堝及晶體監視器幾何形狀。
圖9展示在化合物1a之昇華期間所觀察到的作為化合物1a之消耗速率之函數的溫度上升之曲線圖。
(無元件符號說明)

Claims (42)

  1. 一種蒸發材料之方法，其包含將呈鬆散粉末形式之該材料之塊體與複數個填料單元混合，其中該等填料單元中之每一者包含惰性材料，且其中該等填料單元中之每一者或該等填料單元之聚集體的結構包含複數個不平滑之特徵；及使該材料之該塊體之至少一部分蒸發，其中在材料於蒸發步驟下沈時，該等填料單元中至少一者係穿過該材料之該塊體之曝露表面而突出。
  2. 如請求項1之方法，其中該等不平滑之特徵包含邊緣、轉角或突出物。
  3. 如請求項2之方法，其中該等不平滑之特徵係尖銳的。
  4. 如請求項1之方法，其中該等不平滑之特徵包含網狀結構。
  5. 如請求項1之方法，其中該等不平滑之特徵包含複數個穿孔。
  6. 如請求項1之方法，其中該等不平滑之特徵包含波紋或凹槽。
  7. 如請求項1之方法，其中該等填料單元中之該惰性材料具有1W/m．K或大於1W/m．K之熱導率。
  8. 如請求項7之方法，其中該等填料單元中之該惰性材料具有30W/m．K或大於30W/m．K之熱導率。
  9. 如請求項8之方法，其中該等填料單元中之該惰性材料具有50W/m．K或大於50W/m．K之熱導率。
  10. 如請求項1之方法，其中該蒸發步驟包含使該材料昇華。
  11. 如請求項1之方法，其中該蒸發步驟包含加熱該材料之該塊體。
  12. 如請求項1之方法，其中該蒸發步驟係在10托(torr)或小於10托之環境壓力下進行。
  13. 如請求項12之方法，其中該環境壓力為1托或小於1托。
  14. 如請求項13之方法，其中該環境壓力為10-2托或小於10-2托。
  15. 如請求項14之方法，其中該環境壓力為10-5托或小於10-5托。
  16. 如請求項1之方法，其中該等填料單元中之該惰性材料包含原子序大於21之非放射性金屬。
  17. 如請求項16之方法，其中該非放射性金屬具有大於40之原子序。
  18. 如請求項16之方法，其中該非放射性金屬係選自由以下各物組成之群：Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu及Au。
  19. 如請求項17之方法，其中該等填料單元中之該惰性材料為合金。
  20. 如請求項1之方法，其中被蒸發之該材料包含有機金屬錯合物。
  21. 如請求項20之方法，其中該有機金屬錯合物為磷光有機金屬錯合物。
  22. 如請求項20或21之方法，其中該等填料單元與有機金屬錯合物塊體的混合物之空隙度為至少10%。
  23. 如請求項22之方法，其中該等填料單元與該有機金屬錯合物塊體的該混合物之該空隙度為至少20%。
  24. 如請求項23之方法，其中該等填料單元與該有機金屬錯合物塊體的該混合物之該空隙度為至少30%。
  25. 如請求項24之方法，其中該等填料單元與該有機金屬錯合物塊體的該混合物之該空隙度為至少40%。
  26. 如請求項25之方法，其中該等填料單元與該有機金屬錯合物塊體的該混合物之該空隙度為至少50%。
  27. 如請求項1之方法，其中該等填料單元在該混合物中係隨機配置。
  28. 如請求項1之方法，其中將該等填料單元組裝成一結構化填料總成。
  29. 如請求項28之方法，其中該結構化填料總成包括一框架，且其中將該等填料單元連接至該框架。
  30. 如請求項29之方法，其中該框架具有一垂直軸，且其中該框架之一垂直位準處之該等填料單元係配置於相對於該框架之一鄰近垂直位準處之該等填料單元的一偏移位置中。
  31. 如請求項28之方法，其中使該等填料單元中之至少一者與另一填料單元融合。
  32. 如請求項28之方法，其中該結構化填料總成形成波紋狀薄片。
  33. 如請求項1之方法，其進一步包含在該蒸發之至少一部分期間機械攪動該等填料單元與該材料之該塊體之混合物。
  34. 如請求項1之方法，其進一步包含在製造一有機薄膜裝置期間藉由以下方式使用該蒸發之材料：提供一安置於一基板上方之電極；及藉由將該蒸發之材料沈積於該電極上或上方之一表面上而在該表面上形成一層。
  35. 如請求項32之方法，其中該有機薄膜裝置為一有機發光裝置，且其中該層為一電致發光層。
  36. 如請求項32之方法，其中該有機薄膜裝置為一有機發光裝置，且其中該層為一電荷傳輸層或阻擋層。
  37. 一種製造一有機薄膜裝置之方法，其包含：將呈鬆散粉末形式之材料塊體沈積於複數個填料單元上，其中該等填料單元中之每一者包含惰性材料，且其中該等填料單元中之每一者或該等填料單元之聚集體的結構包含複數個不平滑之特徵；蒸發位於該等填料單元上之該材料之該塊體的至少一部分，其中在材料於蒸發步驟下沈時，該等填料單元中至少一者係穿過該材料之該塊體之曝露表面而突出；提供一安置於一基板上方之電極；及藉由將該蒸發之材料沈積於該電極上或上方之一表面上而在該表面上形成一層。
  38. 如請求項37之方法，其中該有機薄膜裝置為有機發光裝 置，且其中該層為電致發光層。
  39. 如請求項37之方法，其中該有機薄膜裝置為有機發光裝置，且其中該層為電荷傳輸層或阻擋層。
  40. 如請求項37之方法，其中藉由使該材料結晶於該等填料單元上來執行該沈積該材料之該塊體的步驟。
  41. 如請求項37之方法，其中藉由蒸發該材料且使該蒸發之材料沈積於該等填料單元上來執行該沈積該材料之該塊體的步驟。
  42. 如請求項37之方法，其中該材料包含有機金屬錯合物。
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