TWI532220B - 發光二極體封裝及其發光二極體支架 - Google Patents

Description

發光二極體封裝及其發光二極體支架

本發明係有關於一種發光二極體支架，特別係有關於一種應用於發光二極體封裝之發光二極體支架。

在習知發光二極體封裝的覆晶製程中，若要提升製程良率，則製程使用的基板需要一定的平整度，目前常見的基板為陶瓷基板，由於陶瓷基板使用刮刀成形、高溫燒結以及研磨等製程，平整性相當高，其缺點為成本較高。

然，若以較便宜的塑料射出支架作為覆晶製程平台，礙於塑料射出支架其金屬(電極支架)與塑料間存在高低差，將導致覆晶製程良率大幅下降。

本發明即為了欲解決習知技術之問題而提供之一種發光二極體支架，包括一殼體、一第一電極支架、一第二電極支架以及一絕緣間隔區塊。第一電極支架嵌設於該殼體之中，該第一電極支架包括一第一上表面。第二電極支架相對於該第一電極支架嵌設於該殼體之中，該第二電極支架包括一第二上表面。絕緣間隔區塊形成於該第一電極支架以及該第二電極支架之間，且該絕緣間隔區塊頂端表面具有一溝槽。

在本發明之實施例中，由於在絕緣間隔區塊頂端表面形成溝槽，因此，該絕緣間隔區塊的塑料並不會凸出於該第一上表面以及該第二上表面之上，也不會與發光晶片造成干涉。因此可大幅提高製程良率。本發明可使用價格較低的塑料射出支架作為覆晶製程平台。有效解決金屬(電極支架)與塑料間的高低差問題，提昇製程良率。

1‧‧‧發光二極體支架

10‧‧‧第一電極支架

11‧‧‧第一上表面

20‧‧‧第二電極支架

21‧‧‧第二上表面

30‧‧‧殼體

31‧‧‧反射杯體

40‧‧‧絕緣間隔區塊

41‧‧‧溝槽

42‧‧‧頂端

43‧‧‧底端

50‧‧‧發光晶片

61‧‧‧導電墊高層

62‧‧‧反射層

第1A圖係顯示本發明實施例之發光二極體支架的俯視圖；第1B圖係顯示本發明實施例之發光二極體支架的仰視圖；第2圖係顯示本發明實施例之發光二極體支架的細部結構；第3圖係顯示本發明另一實施例之發光二極體支架的細部結構。

參照第1A、1B圖，其係顯示本發明實施例之發光二極體支架1，包括一殼體30、一第一電極支架10、一第二電極支架20以及一絕緣間隔區塊40。第一電極支架10嵌設於該殼體30之中，該第一電極支架10包括一第一上表面11。第二電極支架20相對於該第一電極支架10嵌設於該殼體30之中，該第二電極支架20包括一第二上表面21。絕緣間隔區塊40形成於該第一電極支架10以及該第二電極支架20之間，且該絕緣間隔區塊40頂端表面具有一溝槽41。

參照第2圖，在發光二極體封裝的覆晶製程中，發光晶片50連接於該第一上表面11以及該第二上表面12，並且耦接該第一電極支架10以及該第二電極支架20。在本發明 之實施例中，由於在絕緣間隔區塊40頂端表面形成溝槽41，因此，該絕緣間隔區塊40的塑料並不會凸出於該第一上表面11以及該第二上表面12之上，也不會與發光晶片50造成干涉。因此可大幅提高製程良率。本發明可使用價格較低的塑料射出支架作為覆晶製程平台。有效解決金屬(電極支架)與塑料間的高低差問題，提昇製程良率。

參照第2圖，在一實施例中，一膠體70可覆蓋該發光晶片50以及部分該第一上表面11以及該第二上表面12，以提供固晶以及導熱等功能。

再參照第1A、1B圖，該殼體30包覆該第一電極支架10且露出部分該第一上表面11，該殼體30亦包覆該第二電極支架20，並露出部分第二上表面21。藉此設計，可提供良好的結構支撐並使發光二極體支架的體積縮小。

參照第2圖，在此實施例中，該溝槽41具有一頂端42，該頂端42低於該第一上表面11以及該第二上表面12。藉此可進一步改善金屬(電極支架)與塑料間的高低差問題。該溝槽41更具有一底端43，該底端43低於該頂端42，該底端43相對該第一上表面11以及該第二上表面12的深度d1約介於50~150μm。

參照第1B圖，在一實施例中，該絕緣間隔區塊40之寬度d2約介於100~200μm，藉此可以較小的間隔距離提供良好的絕緣效果。

在一實施例中，該第一上表面11以及該第二上表面21為同平面。藉此可進一步提高平整度，改善製程良率。

參照第1A、2圖，該殼體30更包括一反射杯體31，該反射杯體31環繞於露出的部分該第一上表面11與部分該第二上表面21。藉此可調整光路並提高光線的使用率。該殼體30的材質可包括一塑料。

參照第3圖，在一實施例中，該發光二極體支架1 可更包括一導電墊高層61以及一反射層62，導電墊高層61設置於該第一上表面11與該第二上表面12之上，反射層62設置於該導電墊高層61上。該反射層62可以為鋁或銀。藉此可進一步改善金屬(電極支架)與塑料間的高低差問題。在此實施例中，該溝槽41具有一頂端42，且該頂端42低於該反射層62。

雖然本發明已以具體之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，仍可作些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧第一電極支架

11‧‧‧第一上表面

20‧‧‧第二電極支架

21‧‧‧第二上表面

31‧‧‧反射杯體

40‧‧‧絕緣間隔區塊

41‧‧‧溝槽

42‧‧‧頂端

43‧‧‧底端

50‧‧‧發光晶片

Claims (15)

1. 一種發光二極體支架，包括：一殼體；一第一電極支架，嵌設於該殼體之中，該第一電極支架包括一第一上表面；一第二電極支架，相對於該第一電極支架嵌設於該殼體之中，該第二電極支架包括一第二上表面，以及一絕緣間隔區塊，形成於該第一電極支架以及該第二電極支架之間，且該絕緣間隔區塊頂端表面具有一溝槽。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體支架，其中，該殼體包覆該第一電極支架且露出部分該第一上表面，該殼體亦包覆該第二電極支架，並露出部分第二上表面。
3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體支架，該殼體更包括一反射杯體，該反射杯體環繞於露出的部分該第一上表面與部分該第二上表面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體支架，其中，該殼體的材質包括一塑料。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體支架，更包括一導電墊高層設置於該第一上表面與該第二上表面之上。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體支架，更包括一反射層設置於該導電墊高層上。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體支架，其中，該反射層為鋁或銀。
8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體支架，其中，該溝槽具有一頂端，且該頂端低於該反射層。
9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體支架，其中，該溝槽具有一頂端，該頂端低於該第一上表面以及該第二上表面。
10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體支架，其中，該溝槽具有一底端，該底端低於該頂端。
11. 如申請專利範圍第10項所述之發光二極體支架，其中，該底端相對該第一上表面以及該第二上表面的深度約為50~150μm。
12. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體支架，其中，該絕緣間隔區塊之寬度約為100~200μm。
13. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體支架，其中，該第一上表面以及該第二上表面為同平面。
14. 一種發光二極體封裝，包括：一如申請專利範圍第1項至第13項所述之任一發光二極體支架；以及一發光晶片，設置於該第一上表面以及該第二上表面，並且耦接該第一電極支架以及該第二電極支架。
15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝，其中，更包含一膠體，用以覆蓋該發光晶片以及部分該第一上表面以及該第二上表面。