JP2015095588A - Ledパッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】LEDパッケージから発生する熱の放熱性を高めるようにしたLEDパッケージを提供する。【解決手段】基板と、基板上に実装されたLEDチップと、基板上に設けられてLEDチップを覆うケース部材と、ケース部材内に封入された液体状部材とを備え、基板上の液体状部材に接する部分に、複数の山構造を設けている。これにより、LEDパッケージ内部の液体状部材の乱流が引き起こされ、高い冷却効果を奏することが可能となる。【選択図】図1
Description
本発明は、LEDパッケージに関し、特に内部に液体を封止したLEDパッケージに関する。
発光ダイオードは、基板上に搭載された発光ダイオード(LED)チップを樹脂で封止してパッケージ化されていることが一般的である。
また、特許文献1には、ケース内を封止する部材として、樹脂に代えて液状の冷媒を用いた技術が開示されている。図2は、特許文献1のLEDパッケージの構造を示した図であり、全体の構造としては、プリント基板10にLEDチップ20を実装し、LEDチップ20の周囲をケース部材30で封止した構造とされている。
また、特許文献1には、ケース内を封止する部材として、樹脂に代えて液状の冷媒を用いた技術が開示されている。図2は、特許文献1のLEDパッケージの構造を示した図であり、全体の構造としては、プリント基板10にLEDチップ20を実装し、LEDチップ20の周囲をケース部材30で封止した構造とされている。
LEDチップ20は、半導体基板21とその一面側に形成された発光素子層22から形成されており、半導体基板21は例えばサファイア基板、窒化ガリウム基板等から形成されており、発光素子層22はn型、p型の半導体層を複数積層して構成されている。また、発光素子層22の半導体基板21の反対側の面には電極23とチップ側バンプ24が形成されている。
LEDチップ20は、プリント基板10上にフリップチップ実装されており、チップ側バンプ24を介して、電極23とプリント基板10における表面側ランド12とが電気的に接続されている。LEDチップ20はチップ側バンプ24の高さの分だけプリント基板10から浮いて実装されている。
ケース部材30は、ダム部31と窓板部32とから構成されており、ダム部31はLEDチップの外周を覆うように、LEDチップ20よりも高さが高くなるように形成されており、例えばダム印刷によって形成されている。ダム部31は例えばシリコーン(登録商標)を用いて形成されている。
ダム部31の上側を覆う窓板部32は、LEDチップ20からの発光を透過可能なものであることが好ましく、さらに放熱特性を備えるために熱伝導性を有するものが好ましいため、蛍光体膜、ガラス、インジウム、スズ酸化物膜を順番に積層した板状体を使用することが好ましい。
ダム部31の上側を覆う窓板部32は、LEDチップ20からの発光を透過可能なものであることが好ましく、さらに放熱特性を備えるために熱伝導性を有するものが好ましいため、蛍光体膜、ガラス、インジウム、スズ酸化物膜を順番に積層した板状体を使用することが好ましい。
ケース部材30の内部は液状の冷媒Rで充填されている。冷媒Rとしては、住友スリーエム(株)製「フロリナート(登録商標)」、ソレベイソレクシス(株)製「ガルデン(登録商標)」等の不燃性のフッ素系不活性液が使用できる。
また、冷媒R内部には蛍光体Pの粒子が分散されている。蛍光体Pの材料としては、YAG系の蛍光体が用いられている。
また、冷媒R内部には蛍光体Pの粒子が分散されている。蛍光体Pの材料としては、YAG系の蛍光体が用いられている。
近年、発光ダイオードのパワーが向上したことにより単位面積あたりの発熱量が増加している。ここで、従来技術の樹脂で封止されたLEDパッケージは、樹脂の熱伝導性の関係で、発生した熱が放熱されずに蓄積してしまい、チップと基板との接続部分にクラック
等が発生してしまうおそれがある。
等が発生してしまうおそれがある。
特許文献1に開示されている技術は、ケース部材の内部に樹脂に代えて冷媒が封入されているため、LEDパッケージで発生した熱の外部への放熱性は樹脂の場合と比較して向上しているものの、内部に封入された冷媒の移動性が低いため、所望の放熱が行われないおそれがあった。
本発明の目的は、LEDパッケージから発生する熱の放熱性を高めるようにしたLEDパッケージを提供することである。
本発明に係るLEDパッケージは、基板と、基板上に実装されたLEDチップと、基板上に設けられてLEDチップを覆うケース部材と、ケース部材内に封入された液体状部材とを備え、基板上の液体状部材に接する部分に、山構造を設けたことを特徴とする。
本発明に係るLEDパッケージは、山構造が基板から離れる方向に、幅が単調減少する形状であることが好ましい。
本発明に係るLEDパッケージは、山構造が基板から離れる方向に、幅が単調減少する形状であることが好ましい。
本発明に係るLEDパッケージは、複数の山構造によってフレネルレンズを形成することが好ましい。
本発明によれば、LEDパッケージから発生する熱の放熱性を高めるようにしたLEDパッケージを提供することができる。
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
図1は、本実施形態のLEDパッケージの構造を示した図である。本実施形態のLEDパッケージは、実装面60の上にプリント基板10が設けられており、プリント基板10の上にLEDチップ20がフリップチップ実装されている。LEDチップ20は、従来と同様に、半導体基板上に形成された発光素子層から形成されており、半導体基板はサファイア基板、窒化ガリウム基板から形成されており、発光素子層はn型、p型の半導体層を複数積層して構成されている。また、図1においては、LEDチップ20を基板10上にフリップチップ実装しているが、フリップチップ実装に代えてワイヤー実装としてもよい。
図1は、本実施形態のLEDパッケージの構造を示した図である。本実施形態のLEDパッケージは、実装面60の上にプリント基板10が設けられており、プリント基板10の上にLEDチップ20がフリップチップ実装されている。LEDチップ20は、従来と同様に、半導体基板上に形成された発光素子層から形成されており、半導体基板はサファイア基板、窒化ガリウム基板から形成されており、発光素子層はn型、p型の半導体層を複数積層して構成されている。また、図1においては、LEDチップ20を基板10上にフリップチップ実装しているが、フリップチップ実装に代えてワイヤー実装としてもよい。
また、プリント基板10上にはLEDチップ20を覆うようにケース部材30が設けられている。ケース部材30はガラス等から形成されているが、従来技術と同様に、蛍光体膜、ガラス、インジウム、スズ酸化物膜を順番に積層した板状体を使用することも可能であるし、側面部と上面部とを別部材で形成し、側面部のみシリコン等で形成することも可能である。
ケース部材30内部には、液状の冷媒Rが封入されている。冷媒Rとしては、光で劣化しない透光性の物質が好ましく、フッ素系不活性液や、純水が用いられる。また、冷媒Rとともに、蛍光体を合わせて封入することもできる。
また、プリント基板10上の冷媒Rと接触する箇所には、複数の山構造52が形成されている。山構造52は、図1に示されているように、先端部が尖った断面三角形状の山構造が連続した構造とされている。
山構造52としては、種々の形状を用いることが可能であるが、断面三角形状以外の形状としては、断面台形形状の山構造が連続していたり、断面半円形形状の山構造が連続していたりといったような形状が挙げられる。山構造とは、基板から離れる方向において山の幅が連続的に減少し、かつ上方から山の底部に山の頂部を投影した時に、山の頂部が山の底部の内側に投影され、山の頂部よりも山の底部の方が面積の広い形状と定義する。なお、山の頂部とは、基板上に形成されたそれぞれの山において最も高い位置にある面、辺、点のいずれかである。また、山の底部とは山の幅が連続的な減少を開始する面である。すなわち、直方体や円錐のような山の頂部と山の底部が同一である凸構造や、水平面に対し1つの面が鋭角を形成するような凸構造は本実施形態における山構造とは異なる。
このような形状にすることにより、基板上の表面積が増えて冷媒Rとの熱交換量が増えると共に、冷媒Rの乱流が発生するためLEDパッケージの放熱性が向上する。また、基板上に直方体の凸構造や、水平面に対し鋭角となるような面を有する凸構造と比較して、山構造と山構造の間や山構造の近傍で冷媒Rが停滞することがなくスムーズに乱流が引き起こされるようになり、LEDパッケージの放熱性が向上する。なお、山構造52は、基板から離れる方向に向かうに従って幅が単調減少することが好ましい。こうすることで、山構造を複雑な形にすることに対し、冷媒Rと山構造52の間の摩擦を低く抑えることができるためである。
ここで、プリント基板10にLEDチップ20を実装する前に複数の山構造52を基板全面に形成すると、表面の凹凸によってLEDチップ20の実装時の固定性が悪くなるおそれがあるため、プリント基板10上にLEDチップ20を実装した後に、LEDチップ20の実装部以外の箇所に山構造52を形成するか、予め定めておいたLEDチップ実装面以外に山形構造52を形成するのが好ましい。つまり、本実施例では、プリント基板10のLEDチップ実装面には山構造52が形成されず、他の表面にのみ山構造52が形成される。このときこの山構造52は、必ずしもプリント基板10表面の全面に形成される必要はなく、冷媒Rの乱流を起こし得る箇所(例えばLEDチップ20とケース部材30の中間位置)に必要な数だけ形成すれば良い。
なお、本実施形態においては、山構造52は複数として説明してきたが、山構造52は一つでも良い。また、山構造52は幅、高さに制限のあるものではなく、山構造52を環状にしたり、基板上に細長い山構造52を複数平行に配置して基板上を波状構造としても良い。
この山構造52は、表面研磨処理することによって形成することができる。表面研磨処理については、従来から行われている一般的な表面研磨処理を用いることが可能である。
また、変形例としては、プリント基板10上に形成された山構造52において、表面研磨処理と基板表面への反射率の高い部材による鏡面反射面を形成し、LEDチップ20を同心円の中心とする複数の山構造52であって、LEDチップからの距離が離れるに従って高さの高くするとともに、各山構造52の光の当たる角度を制御することによって配光制御を行うフレネルレンズ形状とすることもできる。このような形状にすることによって高い放熱性を維持しながらLEDパッケージの高さを抑えつつ基板方向へ飛んだ光をケース上面方向へ効果的に反射して制御を行うことができるため、LEDパッケージから取り出せる光の量が向上する。
本実施形態及び変形例においては、プリント基板10上には1つのLEDチップ20が実装されるものであったが、2つ以上のLEDチップ20をケース部材30内に封入するような構成とすることもできる。
10 プリント基板
11 絶縁層
12 表面側ランド
13 ビアホール
14 バンプ
20 LEDチップ
21 半導体基板
22 発光素子層
30 ケース部材
31 ダム部
32 窓板部
52 山構造
60 実装面
R 冷媒
11 絶縁層
12 表面側ランド
13 ビアホール
14 バンプ
20 LEDチップ
21 半導体基板
22 発光素子層
30 ケース部材
31 ダム部
32 窓板部
52 山構造
60 実装面
R 冷媒
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に実装されたLEDチップと、
前記基板上に設けられ、前記LEDチップを覆うケース部材と、
前記ケース部材内に封入された液体状部材と、を備えたLEDパッケージであって、
前記基板上の前記液体状部材に接する部分に、基板表面から離れる頂部の方向に向けて大きさが連続的に減少する山構造を設けたことを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記山構造は、山構造が基板から離れる方向に、幅が単調減少する形状であることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
- 前記山構造は、複数であることを特徴とする請求項1又は2に記載のLEDパッケージ。
- 前記山構造によってフレネルレンズを形成することを特徴とする請求項3に記載のLEDパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013234981A JP2015095588A (ja) | 2013-11-13 | 2013-11-13 | Ledパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013234981A JP2015095588A (ja) | 2013-11-13 | 2013-11-13 | Ledパッケージ |
Publications (1)
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JP2015095588A true JP2015095588A (ja) | 2015-05-18 |
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Family Applications (1)
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JP2013234981A Pending JP2015095588A (ja) | 2013-11-13 | 2013-11-13 | Ledパッケージ |
Country Status (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2013
- 2013-11-13 JP JP2013234981A patent/JP2015095588A/ja active Pending
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