TWI528993B - 材料供應裝置之過濾器 - Google Patents

Description

材料供應裝置之過濾器 技術領域

揭露之標的物係有關於一種用於一目標材料供應裝置之過濾器。

背景

超紫外光，例如，具有等於或小於大約50nm之波長(有時亦稱為弱x射線)，且包括在大約13.5nm之波長之光的電磁輻射，可在光刻程序中使用以在例如矽晶圓之基材中產生極小之特徵。

用以產生EUV光之方法包括，但不一定限於，將一材料轉變成一電漿狀態，且該材料具有一元素，例如，氙、鋰或錫，並且該元素具有一在該EUV範圍內之放射線。在一通常被稱為雷射引發電漿(“LPP”)之方法中，所需之電漿可藉由以可被稱為一驅動雷射之一放大光束照射呈一材料之微滴、流或團形式之目標材料產生。就這程序而言，該電漿通常在例如，一真空腔室之一密封槽中產生，且使用各種量測設備監測。

概要

在一般之形態中，一種裝置供應一目標材料至一目標位置。該裝置包括：一容器，其收容一目標混合物，且該目標混合物包括該目標材料及多數非目標粒子；一供 應系統，其收納來自該容器之目標混合物且將該目標混合物供應至該目標位置，該供應系統包括一管及一噴嘴，且該噴嘴界定該目標混合物通過之一孔口；及一過濾器，其在該管內且該目標混合物通過該過濾器。

實施例可包括一或多個以下特徵。例如，該過濾器可以是一燒結過濾器。

該過濾器及該管可配置成使得該目標混合物通過該過濾器。該過濾器可包括該目標材料通過之多數孔隙。在該過濾器內之該等孔隙之尺寸可藉由該噴嘴及孔口之尺寸決定。該噴嘴及該孔口之尺寸可藉由該目標材料之尺寸決定。

該等過濾器孔隙可具有均一尺寸或非均一尺寸。該管可以是一毛細管。

該裝置可包括在該供應系統上游之另一過濾器。該過濾器可具有一比另一過濾器粗之孔隙結構。該過濾器可具有一比另一過濾器細之孔隙結構。該另一過濾器可以是一燒結過濾器。

該過濾器、該管及該噴嘴中之一或多個可由玻璃構成。該玻璃可以是熔融矽石或熔融石英。

該過濾器可與該管形成一體。該過濾器可以與該管之內壁結合。該過濾器可放在該管內且與該噴嘴相鄰。

該過濾器可以是一多孔燒結過濾器。該過濾器可由一不與該目標混合物產生化學反應之材料構成。該過濾器可由陶瓷構成。

在另一個一般形態中，使用一種方法將一目標材料供應至一目標位置。該方法包括加熱一目標混合物之一塊物質直到該塊物質變成該目標混合物之一流體為止，且該目標混合物包括目標材料及多數非目標粒子；使該目標混合物流體通過一供應系統之一噴嘴管；將該目標混合物流體收容在一容器內；當該目標混合物流體通過該供應系統噴嘴管時，過濾至少某些來自該目標混合物流體之非目標粒子；及供應該經過濾之目標混合物流體至該目標位置，包括使該經過濾之目標混合物通過一界定在該噴嘴管之端部之一噴嘴的一孔口。

在另一個一般形態中，一種裝置係組配成供應一目標材料至一目標位置。該裝置包括：一供應系統，其係組配成收納來自一容器之一目標混合物且供應該目標混合物至一目標位置。該供應系統包括界定一內部通道之一毛細管及在該毛細管之一端的一噴嘴。該噴嘴界定一孔口。該裝置亦包括一過濾器，且該過濾器在該毛細管之內部通道內且與該毛細管形成一體使得該目標混合物在移動通過該毛細管時必須通過在該過濾器內之多數孔隙。

100‧‧‧光源

105‧‧‧目標位置

107‧‧‧內部

110‧‧‧放大光束

114‧‧‧目標混合物

115‧‧‧雷射系統

120‧‧‧光束傳輸系統

122‧‧‧聚焦總成

124‧‧‧量測系統

125‧‧‧目標材料傳送系統

126‧‧‧目標材料傳送控制系統

127‧‧‧目標材料供應裝置

130‧‧‧腔室

135‧‧‧聚光鏡

140‧‧‧孔

145‧‧‧中間位置

150‧‧‧具開口端之中空錐形罩

155‧‧‧主控制器

156‧‧‧微滴位置偵測回饋系統

157‧‧‧雷射控制系統

158‧‧‧光束控制系統

160‧‧‧目標或微滴成像器

165‧‧‧光源偵測器

175‧‧‧引導雷射

200‧‧‧第一腔室

202,207‧‧‧壓力控制器

205‧‧‧第二腔室

210‧‧‧管

214‧‧‧微滴

215,220‧‧‧液位感測器

225‧‧‧塊物質

227‧‧‧目標材料供應裝置

230‧‧‧目標混合物

235‧‧‧第二過濾器

240‧‧‧過濾器

245‧‧‧供應系統

247‧‧‧管

250‧‧‧噴嘴

255‧‧‧孔口

260‧‧‧調節或引導組件

500‧‧‧程序

505,510,515,520,525,530,535,540‧‧‧步驟

630‧‧‧目標混合物

640‧‧‧過濾器

641‧‧‧空間

647‧‧‧管

740,840‧‧‧過濾器

F_h‧‧‧高度

圖式說明

圖1是一雷射引發電漿(LPP)超紫外(EUV)光源之方塊圖；圖2是圖1之光源之一示範目標材料供應裝置之示意橫截面圖； 圖3A是圖2之裝置之一示範供應系統之示意橫截面圖；圖3B是沿截面3B-3B截取之圖3A之供應系統之一示範管之圖；圖4是圖1之光源之一示範目標材料供應裝置之示意橫截面圖；圖5是在操作圖2與4之目標材料供應裝置時實施之程序；圖6A是圖2之裝置之一示範供應系統之示意橫截面圖；圖6B是沿截面6B-6B截取之圖6A之供應系統之一示範管之圖；圖7是沿截面3B-3B截取之圖3A之供應系統之一示範管之圖；圖8是沿截面6B-6B截取之圖6A之供應系統之一示範管之圖；及圖9是圖1之光源之一示範目標材料供應裝置之示意橫截面圖。

說明

這說明係有關於使用一過濾器及在一目標材料傳送系統之一供應一系統之一中空管內過濾以去除在一目標混合物內之雜質(例如非目標粒子)的一方法。該供應系統係在一儲存該目標混合物之一容器之輸出部使得該供應系統收納該目標混合物且以微滴之形式將該目標混合物供應至一目標位置以產生一LPP EUV光源。在說明該目標材料 傳送系統之前，一LPP EUV光源之組分之說明將先作為背景說明。

請參閱圖1，一LPP EUV光源100係藉由以沿一光束路徑向一目標混合物114移動之一放大光束110照射在一目標位置105之該目標混合物114而形成。亦被稱為照射位置之目標位置105係在一真空腔室130之一內部107。當該放大光束110撞擊該目標混合物114時，在該目標混合物114內之一目標材料被轉變成一電漿狀態，且該目標材料具有一元素，並且該元素具有一在該EUV範圍中之放射線。所產生之電漿具有取決於該目標混合物114內之目標材料之組成的某些特性。這些特性可包括由該電漿所產生之EUV光之波長及由該電漿釋放之碎片之種類及量。

該光源100亦包括一目標材料傳送系統125，且該目標材料傳送系統125以多數液體微滴、一液體流、多數固體粒子或團、包含在多數液體微滴內之多數固體粒子或包含在一液體流內之多數固體粒子的形式傳送、控制及引導該目標混合物114。該目標混合物114包括該目標材料，例如，水、錫、鋰、氙或當轉變成一電漿狀態時在該EUV範圍內具有一放射線之任何材料。例如，該元素錫可作成一純矽(Sn)；一錫化合物，例如，SnBr₄、SnBr₂、SnH₄；一錫合金，例如，錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金、或這些合金之任一組合來使用。該目標混合物114亦可包括雜質，例如非目標粒子。因此，在沒有雜質之情形中，該目標混合物114係只由該目標材料構成。該目標混合物114係 藉由該目標材料傳送系統125傳送至該腔室130之內部107中且到達該目標位置105。

該光源100包括一驅動雷射系統115，且由於該雷射系統115之一或多數增益介質內之粒子數反轉，該驅動雷射系統115產生該放大光束110。該光源100包括一在該雷射系統115與該目標位置105之間的光束傳送系統，且該光束傳送系統包括一光束傳輸系統120及一聚焦總成122。該光束傳輸系統120由該雷射系統115接收該放大光束110，且依需要操控並且修改該放大光束110並將該放大光束110輸出至聚焦總成122。該聚焦總成122接收該放大光束110且將該光束110聚焦至該目標位置105。

在某些實施例中，該雷射系統115可包括一或多個用以提供一或多個主脈衝且，在某些情形中，一或多個預脈衝之光學放大器、雷射及/或燈。各光學放大器包括一可以一高增益光學放大所欲波長之增益介質，一激發源，及內部光學件。該光學放大器可具有或沒有形成一雷射共振腔之雷射鏡或其他回饋裝置。因此，即使沒有雷射共振腔，由於在該雷射放大器之增益介質中之粒子數反轉，該雷射系統115亦產生一放大光束110。此外，如果有一雷射共振腔，該雷射系統115可產生為一同調雷射光束之一放大光束110以對該雷射系統115提供足夠回饋。該用語“放大光束”包含：只被放大但不一定是一同調雷射振盪之來自該雷射系統115之光及被放大且亦是一同調雷射振盪之來自該雷射系統115之光中的一或多數光。

在該雷射系統115中之光學放大器可包括一包括CO₂之填充氣體作為一增益介質且可在大約9100至大約11000nm之間，且特別在大約10600nm的波長，以一大於或等於1000之增益放大光。適用於該雷射系統115中之放大器及雷射可包括一脈衝雷射裝置，例如，一脈衝式氣體放電CO₂雷射裝置，其係以在例如等於或高於10kW之非常高功率及例如等於或大於50kHz之高脈衝重覆速度操作之DC或RF激發產生在例如大約9300nm或大約10600nm之輻射。在該雷射系統115中之光學放大器亦可包括一例如水之冷卻系統，且該冷卻系統可在該雷射系統115以較高功率操作時使用。

該光源100包括一聚光鏡135，且該聚光鏡135具有一容許該放大光束110通過且到達該目標位置105之孔140。該聚光鏡135可為，例如，一橢球面鏡，且該橢球面鏡在該目標位置105具有一第一焦點且在該EUV光可由該光源100輸出且可輸入至例如一積體電路微影工具(未圖示)之一中間位置145(亦稱為一中間焦點)具有一第二焦點。該光源100亦可包括一由該聚光鏡135向該目標位置105漸縮之具開口端之中空錐形罩150(例如，一氣體錐)，以減少進入該聚焦總成122及/或該光束傳輸系統120之電漿產生碎片同時容許該放大光束110到達該目標位置105。為達此目的，可在該罩中提供一導向該目標位置105之氣流。

該光源100亦可包括一主控制器155，且該主控制器155與一微滴位置偵測回饋系統156、一雷射控制系統157 及一光束控制系統158連接。該光源100可包括一或多個目標或微滴成像器160，且該等目標或微滴成像器160提供表示相對於該目標位置105之例如一微滴之位置之輸出且提供這輸出至該微滴位置偵測回饋系統156，且該微滴位置偵測回饋系統156可，例如，計算一微滴位置及軌跡，並且由此可以一逐滴方式或平均地計算一微滴位置誤差。因此該微滴位置偵測回饋系統156提供該微滴位置誤差作為一輸出至該主控制器155。該主控制器155可因此提供一雷射位置、方向及計時修正信號，例如，至該雷射控制系統157且可用以，例如，控制該雷射計時電路及/或至該光束控制系統158以控制該光束傳輸系統120之放大光束位置及形狀以便改變在該腔室130內之光束焦點之位置及/或聚焦功率。

該目標材料傳送系統125包括一目標材料傳送控制系統126，且該目標材料傳送控制系統126可依據來自該主控制器155之一信號操作，例如，以在由一目標材料供應裝置127釋放時修改該等微滴之釋放點以便修正到達該所欲目標位置105之微滴中的誤差。

此外，該光源100可包括一光源偵測器165，且該光源偵測器165測量一或多個EUV光參數，包括但不限於，脈衝能量、隨著波長而變之能量分布、在一特定波長頻帶內之能量、在一特定波長頻帶外之能量及EUV強度及/或平均功率之角分布。該光源偵測器165產生一供該主控制器155使用之回饋信號。該回饋信號可，例如，表示在例如該等雷射脈衝之計時及聚焦之參數中誤差以在正確位置及時 間適當地阻斷該等微滴，以便有效地及有效率地產生EUV光。

該光源100亦可包括一引導雷射175，且該引導雷射175可用以對齊該光源100之各種不同區段或協助操控該放大光束110至該目標位置105。關於引導雷射175，該光源100包括一量測系統124，且該量測系統124係放在該聚焦總成122內以取樣來自該引導雷射175及該放大光束110之光的一部份。在其他實施例中，該量測系統124係放在該光束傳輸系統120內。該量測系統124可包括一取樣或重新引導一子組光之光學元件，且該光學元件係由可耐受該引導雷射光束及該放大光束110之功率之任一材料製成。由於該主控制器155分析來自該引導雷射175取樣光且使用這資訊透過該光束控制系統158來調整在該聚焦總成122內之組件，故一光束分析系統係由該量測系統124及該主控制器155形成。

因此，總之，該光源100產生一沿該光束路徑引導之放大光束110以照射在該目標位置105之目標混合物114以便將在該混合物114內之目標材料轉變成在該EUV範圍中發射光之電漿。該放大光束110在一特定波長(亦被稱為一源波長)操作，且該特定波長係依據該雷射系統115之設計及性質決定。此外，當該目標材料提供足夠回饋回到該雷射系統115中以產生同調雷射光時或如果該雷射系統115包括適當光學回饋以形成一雷射共振腔，則該放大光束110可以是一雷射光束。

請參閱圖2，在一示範實施例中，一目標材料供應裝置227包括兩腔室，即一第一腔室200(亦被稱為一塊材料腔室或容器)及一第二腔室205(亦被稱為一槽)，且該第二腔室205係藉由一管210與該第一腔室200流體地耦合，並且該管210可裝設一閥以控制在該第一腔室200與該第二腔室205之間之材料的流動。該等第一與第二腔室200、205可以是具有獨立、主動壓力控制器202、207之氣密地密封的容室。該等第一與第二腔室200、205及該管210可以與一或多個控制該等第一與第二腔室200、205及管210之溫度的加熱器熱耦合。此外，該裝置227亦可包括一或多個偵測在各個腔室200、205內之物質量的液位感測器215、220。該等液位感測器215、220之輸出可送至該控制系統126，且該控制系統126亦與該等壓力控制器202、207連接。

該第一腔室200包括塊物質225，且該塊物質225變成可為一液體、一氣體或一電漿之一流體；所得之流體被稱為一目標混合物230。該目標混合物230包括該目標材料加上其他非目標粒子。

該裝置227亦包括一在該第二腔室205之輸出的供應系統245。該供應系統245收納已通過該等腔室200、205之目標混合物230且以微滴214之形式將該目標混合物230供應至該目標位置105。為達此目的，該供應系統245可包括一中空管247及界定一孔口255之一噴嘴250，且該目標混合物230通過該孔口255排出以形成該目標混合物之微滴214。該等微滴214之輸出可藉由例如一壓電致動器之一致 動器控制。此外，該供應系統245可包括在該噴嘴250下游之其他調節或引導組件260。該噴嘴250及/或該引導組件260將該等微滴214(已經過濾以包括該目標材料及非常少雜質之目標混合物230)引導至該目標位置105。

該裝置227包括一或多個過濾器240，且該過濾器240係放在由該塊物質225至該供應系統245之該目標混合物230之流動路徑中。這些過濾器240中之至少一過濾器係放在該供應系統245之管247內。該過濾器240由該目標混合物230移除例如該等非目標粒子之雜質。

如圖2所示，如果在該等腔室200、205之內非目標粒子之污染程度實質足夠低到不需要該過濾器240上游之另一過濾器(例如，在如圖4所示之腔室200、205中之一腔室內)，則該單一過濾器240可作為在裝置227中之主要過濾器。

請參閱圖3A與3B，該過濾器240與該管247形成一體使得該目標混合物230向該噴嘴250移動通過該管247時，它通過或流過在該過濾器240內之孔隙。該目標混合物230被實質地防止環繞該過濾器240之邊緣或在該過濾器240與該管247之內表面之間流動。特別地，該過濾器240係與該管247形成一體使得該過濾器240結合或黏著在該管247之內表面上。

有不同之方式可達成這一體化。一種方式是將一預製過濾器插入該管247中且接著使用一黏接劑(例如膠水)將該過濾器結合或黏著在該管247之內表面上。該過濾器 240之材料應與該黏接劑及該管247之表面相容。

該預製過濾器240可以是一燒結過濾器或一篩網過濾器。在這情形下，該過濾器包括多數孔隙或孔洞，且該等孔隙或孔洞之橫截面尺寸可非均一使得該等孔洞之尺寸沿一分布在一低尺寸及高尺寸之間變化。該橫截面尺寸是沿垂直於該流體通過該過濾器之大致流動方向之平面所截取之孔隙的尺寸。此外，橫截面尺寸之分布不必相對該平均孔隙尺寸對稱。例如，在一實施例中，如果該過濾器240之一孔隙之平均橫截面尺寸是大約0.2μm，該孔隙尺寸分布範圍可由大約0.1μm至大約1.0μm。

或者，該預製過濾器240可以是一非燒結、非篩網過濾器的一過濾器，且包括至少一組形成在相對平坦表面之間的均一尺寸貫穿孔。在這情形下，該等過濾器貫穿孔係形成在一塊物質中且由面向該第二腔室205之一平坦表面延伸至面向該噴嘴250之一平坦表面使得該等孔洞在一第一端與收容該目標混合物230之第二腔室205流體地耦合，且在一第二端與該噴嘴250之孔口255流體地耦合。在某些實施例中，該過濾器240之所有孔洞均可為貫穿孔使得該目標材料可完全通過該過濾器240之每一個孔洞同時該等孔洞係小到足以阻擋該等非目標粒子。

另一種達成在該過濾器240與該管247之內表面之間之一體化的方式是將一先質材料插入該管247中，且接著一起加工該先質材料及該管247以形成一與該管247形成一體之多孔質過濾器240。例如，該管247可由玻璃(包括例 如石英或矽石之物質)構成且可以是一毛細管，且該毛細管相對於內孔之尺寸具有厚壁。該過濾器240之先質材料可以是多數玻璃珠，且該等玻璃珠被插入該毛細管之內孔，接著與該毛細管247一起被加熱以形成一與該毛細管247形成一體之燒結玻璃過濾器。在這實施例中，該過濾器240之孔隙具有分布成大約一平均孔隙尺寸之一橫截面尺寸，且該等孔隙尺寸是非均一的。

在一特定例子中，該管247之內徑是大約200至500μm，該過濾器240之外徑與該管247之內徑相同(因為它們互相形成一體，該過濾器240之高度F_h(沿該目標混合物230之大致流動路徑所取之距離)是大約1至3mm，且該管247之全長是大約1至4cm。在該過濾器240內之孔隙之尺寸部份取決於該目標混合物230及該等非目標粒子與該目標材料兩者之尺寸，該孔口255及管247之尺寸，及該目標混合物230之流速。對一為錫之目標材料而言，在該過濾器240中孔隙可具有大約0.1至0.5μm之示範橫截面尺寸。

請亦參閱圖4，在另一實施例中，該目標材料供應裝置227包括一在該過濾器240上游之第二過濾器235。該第二過濾器235可以在該第一腔室200、該管210或該第二腔室205之任一者內。在這例子中，該第二過濾器235是在該第二腔室205內。

該第二過濾器235可以是一燒結過濾器或一篩網過濾器。在其他實施例中，該第二過濾器235可以藉由切削或蝕刻一塊物質以形成至少一組均一尺寸貫穿孔來設計， 如在2011年5月20日申請之美國專利申請案第13/112,784號中所述，且該專利申請案在此全部加入作為參考。

通常，該過濾器240可由一第一材料構成且該第二過濾器235可由一與該第一材料不同之第二材料構成。依此方式，如果該第二材料未由該目標混合物230適當地移除該等非目標粒子或如果目標材料使該第二材料由該第二過濾器235濾出進入該目標混合物230，則該第一材料可被選擇成與該第二材料不同以提供未由該第二材料適當地提供之好處。因此，該第一材料可被選擇成由該目標混合物230移除該濾出之第二材料或由該目標混合物230更適當地移除其他非目標粒子。例如，如果該第二材料是鈦，則該第一材料可為鎢或玻璃。

此外，該過濾器240之孔洞可具有與該第二過濾器235之孔洞之一橫截面寬度不同的一橫截面寬度。因此，在一實施例中，該過濾器240之孔洞或孔隙具有一比該第二過濾器235之孔洞或孔隙之橫截面寬度小的橫截面寬度。依此方式，該過濾器240將設計成用以移除比該第二過濾器235更小之在該目標混合物230中之非目標粒子。在其他實施例中，該過濾器240之孔洞或孔隙具有等於該第二過濾器235之孔洞或孔隙之一橫截面寬度的一橫截面寬度。依此方式，該過濾器240可設計成用以移除由該第二過濾器235導入該目標混合物230中之非目標粒子。

請參閱圖5，該目標材料供應裝置127依據一程序500操作如下。一操作者以一塊物質225填充該第一腔室 200(步驟505)，且使用與該第一腔室200熱耦合之加熱器加熱該物質225直到該塊物質225變成一流體為止(步驟510)。所得之流體可以是一液體、一氣體或一電漿且它可被稱為包括該目標材料加上其他非目標粒子之目標混合物230。在步驟510，該管210及該第二腔室205亦可藉由其各自之加熱器加熱以維持該目標混合物230在整個供應裝置127中均為一流體。

該控制系統126接收來自該等液位感測器215、220之輸入，且控制該等加熱器以熔化一給定量之物質225。該控制系統126亦控制在各腔室200、205中之壓力且開啟及關閉在該管210之閥。該等第一與第二腔室200、205之一示範配置的說明可在美國專利第7,122,816號中找到，且該美國專利在此全部加入作為參考。

該目標混合物230流過該管210，且進入該第二腔室205，且它被儲存在該第二腔室205中以供該供應系統245使用(步驟515)。如果該供應裝置227在該第二腔室205內包括該第二過濾器235，則在該目標混合物230中之至少某些雜質(即，該等非目標粒子)在該第二腔室205內被該第二過濾器235移除(步驟520)。

該目標混合物230流入該管247(步驟525)，其中如果供應裝置227內包括一第二過濾器235則可包括在該第二過濾器235產生之材料的非目標粒子係藉被該過濾器240阻擋或移除(步驟530)。

該目標混合物230離開該過濾器240，且非目標粒 子比進入該過濾器240之目標混合物230中存在的少。離開該過濾器240之目標混合物230以微滴214之形式通過該孔口255離開(步驟235)。藉由例如一壓電致動器之一致動器或藉由該孔口255之尺寸與形狀可至少部份地控制該等微滴214輸出之速度及該等微滴214之尺寸與形狀。該噴嘴250及該等引導組件260將該等微滴214引導至該目標位置105(步驟540)。

放在該管247內之過濾器240減少在該孔口255內之非目標粒子之累積，該等非目標粒子會造成該等微滴之不穩定或由該孔口255輸出之微滴之流動的損失。此外，當在一第二過濾器235下游使用該過濾器240時，該過濾器240係設置成用以減少由通過該第二過濾器235而到達該塊物質225之非目標粒子的數目。因為該過濾器240係由一不與該目標混合物230產生化學反應之材料構成，故在該過濾器240產生較少另外的非目標粒子以進一步減少在該孔口255之堵塞。

請亦參閱圖6A與6B，在另一實施例中，該過濾器640是一固體材料且未與該管647形成一體。在這實施例中，該過濾器640被插入該管647內，且在幾何形狀上組配成可容許該目標混合物630之目標材料通過一在該過濾器640與該管647之間的空間641，使得該等非目標粒子太大而無法嵌入通過在該過濾器640與該管647之間的空間641。在這例子中，該過濾器640具有一矩形橫截面幾何形狀使得該目標材料通過之該空間641是在該過濾器640之平坦外表面 與該管647之內圓形表面之間的空間。

該供應系統245之管247可具有任一適當橫截面幾何形狀；且該管247之橫截面幾何形狀不限於圖3B與6B中所示之圓形。例如，請亦參閱圖7與8，該供應系統245之管可具有一橢圓形幾何形狀之橫截面。在圖7之例子中，該過濾器740之橫截面形狀亦具有一橢圓形幾何形狀且在圖8之例子中，該過濾器840之橫截面形狀具有一多邊形(例如，矩形)形狀。

請參閱圖9，在一示範實施例中，一目標材料供應裝置227只包括一個收納該塊物質225之腔室205，且該塊物質225變成一流體目標混合物230，並且該流體目標混合物230被保持在該第二腔室205內直到該供應系統245需要另外之目標混合物230為止。在其他實施例中，該目標材料供應裝置227可包括兩個以上之腔室。

在一預製過濾器240被插入該管247中且接著結合或黏著在該管247之內表面上的另一實施例中，該預製過濾器240可以是一微結構光纖，且該微結構光纖具有該目標混合物230通過之多數氣孔或心部。例如，該光纖可以是一光子晶體光纖或多孔纖維，且該光晶纖維或多孔纖維包括在一矽石纖維中之多數六角形格狀氣孔，且在中心具有或沒有一實心或中空心部；多數不規則格狀之氣孔；或多數同心環之空氣間隙。該微結構光纖可由例如石英或矽石之玻璃構成。

其他實施例係在以下申請專利範圍之範疇內。

200‧‧‧第一腔室

202,207‧‧‧壓力控制器

205‧‧‧第二腔室

210‧‧‧管

214‧‧‧微滴

215,220‧‧‧液位感測器

225‧‧‧塊物質

227‧‧‧目標材料供應裝置

230‧‧‧目標混合物

240‧‧‧過濾器

245‧‧‧供應系統

247‧‧‧管

250‧‧‧噴嘴

255‧‧‧孔口

260‧‧‧調節或引導組件

Claims (23)

1. 一種用以供應一目標材料至一目標位置之裝置，該裝置包含：一容器(reservoir)，其收容一目標混合物，且該目標混合物包括該目標材料及複數個非目標粒子；一供應系統，其收納來自該容器之該目標混合物且將該目標混合物供應至該目標位置，該供應系統包含：一毛細管，及位於該毛細管之一輸出部之一噴嘴，且該噴嘴界定該目標混合物通過之一孔口(orifice)；及一過濾器，其在該毛細管內且該目標混合物通過該過濾器。
2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該過濾器是一燒結過濾器。
3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該過濾器及該毛細管係配置成使得該目標混合物通過該過濾器。
4. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中該過濾器包括該目標材料通過之複數個孔隙。
5. 如申請專利範圍第4項之裝置，其中在該過濾器內之該等孔隙之尺寸係藉由該噴嘴及孔口之尺寸決定。
6. 如申請專利範圍第5項之裝置，其中該噴嘴及該孔口之尺寸係藉由該目標材料之尺寸決定。
7. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中該等過濾器孔隙具有均一尺寸。
8. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中該等過濾器孔隙具有非均一尺寸。
9. 如申請專利範圍第1項之裝置，更包含一在該供應系統上游之第二過濾器。
10. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中該過濾器具有一比該第二過濾器粗之孔隙結構。
11. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中該過濾器具有一比該第二過濾器細之孔隙結構。
12. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中該第二過濾器是一燒結過濾器。
13. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該過濾器、該毛細管及該噴嘴中之一或多個係由玻璃構成。
14. 如申請專利範圍第13項之裝置，其中該玻璃是熔融矽石或熔融石英。
15. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該過濾器係與該毛細管形成一體。
16. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該過濾器係與該毛細管之內壁結合。
17. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該過濾器是一多孔燒結過濾器。
18. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該過濾器係放在該毛細管內且與該噴嘴相鄰。
19. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該過濾器係由一不與該目標混合物產生化學反應之材料構成(made of)。
20. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該過濾器係由陶瓷構成。
21. 一種用以供應一目標材料至一目標位置之方法，該方法包含：加熱一目標混合物之一塊物質(bulk substance)直到該塊物質變成該目標混合物之一流體為止，且該目標混合物包括該目標材料及複數個非目標粒子；將該目標混合物流體收容在一容器內；使該目標混合物流體通過一供應系統之一噴嘴毛細管；當該目標混合物流體通過該供應系統噴嘴毛細管時，過濾至少某些來自該目標混合物流體之該等非目標粒子；及供應該經過濾之目標混合物流體至該目標位置，包括使該經過濾之目標混合物通過界定在該噴嘴毛細管之端部之一噴嘴的一孔口。
22. 一種用以供應一目標材料至一目標位置之裝置，該裝置包含：一供應系統，其係組配成收納來自一容器之一目標混合物且供應該目標混合物至一目標位置，且該供應系統包括界定一內部通道之一毛細管及在該毛細管之一端的一噴嘴，並且該噴嘴界定一孔口；及一過濾器，其係在該毛細管之內部通道內且與該毛細管形成一體使得該目標材料在移動通過該毛細管時 通過在該過濾器內之複數個孔隙(pores)。
23. 一種極紫外光系統，其包含：一裝置，其用於供應一目標材料至一目標位置，該裝置包含：一容器，其收容一目標混合物，且該目標混合物包括該目標材料及複數個非目標粒子；一供應系統，其收納來自該容器之該目標混合物且將該目標混合物供應至該目標位置，該供應系統包括一毛細管及位於該毛細管之一輸出部之一噴嘴，且該噴嘴界定該目標混合物通過之一孔口；及一過濾器，其在該毛細管內且該目標混合物通過該過濾器；一光源，其供應一放大光束；及一位於該光源之輸出部之光束傳送系統，其用於將該放大光束沿著一光束路徑引導朝向該目標位置而以該放大光束照射經供應之該目標材料，以產生極紫外光。