TWI517772B - 沉積導電聚合物層進入印刷電路板之貫穿孔與導通孔之方法 - Google Patents

沉積導電聚合物層進入印刷電路板之貫穿孔與導通孔之方法 Download PDF

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TWI517772B
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Description

沉積導電聚合物層進入印刷電路板之貫穿孔與導通孔之方法
本發明關於一種於貫穿孔(through-hole)或導通孔(via-hole)內壁上之樹脂上形成一導電聚合物層之方法，其中該孔洞係經由印刷電路板之電腦數值控制(computer numerical control,CNC)鑽孔或雷射鑽孔程序形成，以及特別地關於一種於貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上形成作為一導電層之一導電聚合物層以電鍍一金屬之方法。
印刷電路板係使用印刷、鍍膜或蝕刻於絕緣基板上形成互連圖案之一基板，並可根據該互連圖案形成之結構歸類為單面印刷電路版、雙面印刷電路版或多層印刷電路板。於該多層印刷電路板中，藉由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔程序形成貫穿孔或導通孔，以連結不同層上之互連圖案，且多種方法被用來於貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上形成一導電材料。
傳統於貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上形成一導電材料之方法，係使用無電鍍銅(electroless copper plating)與使用碳粒子之一程序。該無電鍍銅係已被長時間廣泛使用，並使用福馬林(formalin)作為還原劑之一技術。然而，福馬林係一致癌物質，且因此依據環保法規將在2014年開始禁止其使用。因此，製藥公司嘗試研發應用替代材料之無福馬林無電鍍銅藥劑，但福馬林之替代品至今仍未被研發。此外，使用如碳黑或石墨之碳粒子提供貫穿孔或導通孔導電 性之方法，當必須製造一高密度基板時，由於碳粒子之尺寸該方法係受限制的，由於該碳粒子的表面粗糙度，於所得到的電鍍銅層之表面形成非均勻粗糙，並且由於碳粒子脫落導致鍍覆溶液的污染縮短該鍍覆溶液之壽命。據此，作為無電鍍銅與使用碳粒子之方法的替代方案，試圖使用一導電聚合物。
使用一導電聚合物於一貫穿孔內壁上形成一導電材料之先前技術包含：日本專利特許公開第1995-321461號及美國專利第6007866號，然而這些技術會遭遇到困難，例如：其難以確保一導電聚合物具有如同銅之足夠的導電性、該導電聚合物無法均勻的塗佈於該貫穿孔內，導致後續的電鍍銅程序難以在一小直徑貫穿孔上進行以及於一大直徑貫穿孔上進行電鍍銅的期間於孔洞中產生空隙，導致可重複性的降低。
Blasberg等人，藉由摻雜一過錳酸氧化劑至一玻璃環氧基板(FR-4基板)形成具有4000Ω/cm或更高電阻之一聚伸乙二氧噻吩(polyethylenedioxythiophene,PEDOT)導電層，並將該摻雜基板浸入包含：3,4-伸乙二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene,EDOT)、聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulfonic acid,PSSA)及一乳化劑之組合溶液，但在後續的直接金屬化程序中，由於相對高的電阻，難以於貫穿孔之內壁上均勻鍍膜。
Atotech等人，均勻且可再現的包覆小直徑貫穿孔之內壁，其係藉由使用具有10g/L濃度(高於Blasberg等人使用之濃度)之一過錳酸氧化劑摻雜一玻璃環氧基板，並將該摻雜基板浸入包含：伸乙二氧噻吩、甲烷磺酸(methane sulfonic acid)、及一界面活性劑之組合溶液，以減少該聚伸乙二氧噻吩之電阻至2000Ω(美國專利申請公開第2004-0112755號)，但相較於傳統無電鍍銅方法導電聚合物層之電阻太高且金屬生長速率非常的慢，因此其難以得到均勻的厚度並得到量產。
Omecon等人，藉由一種添加一極性溶劑(例如：N-甲基吡咯烷 酮，N-methyl pyrrolidone,NMP)至包含微量聚苯胺(polyaniline)之一聚伸乙二氧噻吩溶液之方法，顯著的增加導電聚合物之導電性，但使用旋轉塗佈該導電聚合物並不均勻的形成於一小貫穿孔的內壁上(美國專利申請公開第2010-0297337號)。
本發明關於一種於貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上形成一導電聚合物層之方法，其中該孔洞係經由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔程序形成，具有接近金屬之低電阻、低電阻偏差、無燒焦現象(burnt phenomenon)以及提高的生產力。
本發明關於一種使用一形成導電聚合物層之方法之印刷電路板製造方法。
本發明關於一種根據該印刷電路板製造方法製造之印刷電路板。
根據本發明之一態樣，提供一種於一貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上形成一導電聚合物層之方法，包含：提供作為印刷電路板之一基板，其具有藉由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔程序形成之一貫穿孔或導通孔；使用包含一第一氧化劑之一溶液於該貫穿孔或導通孔內壁上形成一氧化層；以及使用包含一第二氧化劑與一導電聚合物單體之一溶液於該氧化層上形成一導電聚合物層。
根據本發明之一示例性實施例，該第二氧化劑可為一金屬鹽或過硫酸鹽。
根據本發明之另一示例性實施例，該金屬鹽可為一三價鐵鹽或一二價銅鹽。
根據本發明之又另一示例性實施例，該導電聚合物單體可為伸 乙二氧噻吩。
根據本發明之再另一示例性實施例，該第二氧化劑可為硫酸鐵(ferric sulfate,Fe2(SO4)3)，該導電聚合物單體可為伸乙二氧噻吩，該硫酸鐵之濃度可為100至600mg/L，以及該伸乙二氧噻吩之濃度可為0.15至1.0wt%。
根據本發明之再另一示例性實施例，該包含第二氧化劑與導電聚合物單體之溶液可進一步包含一有機酸。
根據本發明之另一態樣，提供一種印刷電路板之製造方法，包含：提供作為印刷電路板之一基板，其具有藉由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔程序形成之一貫穿孔或導通孔；使用包含一第一氧化劑之一溶液於該貫穿孔或導通孔內壁上形成一氧化層；使用包含一第二氧化劑與一導電聚合物層單體之一溶液於該氧化層上形成一導電聚合物層；以及於該導電聚合物層上使用電鍍形成一金屬。
根據本發明之又另一態樣，提供一種印刷電路板，其係藉由該印刷電路板之製造方法製造。
S1‧‧‧步驟一
S2‧‧‧步驟二
S3‧‧‧步驟三
S4‧‧‧步驟四
S5‧‧‧步驟五
S6‧‧‧步驟六
S7‧‧‧步驟七
第1圖 係說明根據本發明之一示例性實施例之印刷電路板製造程序的流程圖。
藉由詳細描述示例性實施例並參照所附之圖式，該技術領域具有通常知識之人將更加清楚本發明上述與其他之目的、特徵與優點。
本發明之示例性實施例將參照所附之圖式在下文中被詳細地描述。雖然已示出並描述本發明與示例性實施例之連結，對於該技術領域具有通 常知識之人顯而易知的是，可以進行多種改變而不背離本發明之精神與範疇。
根據本發明之一示例性實施例之一種於一貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上形成一導電聚合物層之方法，其中該孔洞係經由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔程序形成，包含：提供作為印刷電路板之一基板，其具有一貫穿孔或導通孔；使用包含一第一氧化劑之一溶液於該貫穿孔或導通孔內壁上形成一氧化層；以及使用包含一第二氧化劑與一導電聚合物單體之一溶液於該氧化層上形成一導電聚合物層。
根據本發明，於該用於製造印刷電路板之基板上，一導電聚合物層於貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上形成，其中該孔洞係經由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔程序形成，一導電材料於貫穿孔或導通孔內壁上形成，以進行電鍍銅。
第1圖係說明根據本發明之一示例性實施例之印刷電路板製造程序的流程圖。參照第1圖根據一示例性實施例之一種於一貫穿孔或導通孔內壁上形成一導電聚合物層之方法將被詳細描述，其中該孔洞係經由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔程序形成。
首先，將該作為印刷電路板之一基板進行潤脹(swelling)，其中該基板具有藉由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔程序形成之一貫穿孔或導通孔(S1)。該潤脹可使用包含N-甲基吡咯烷酮之一溶液在55℃下進行10分鐘。隨後，蝕刻該經潤脹處理之基板(S2)。可使用包含過錳酸之蝕刻溶液，作為一蝕刻溶液，且該蝕刻可在80℃下進行10分鐘。隨後，中和該經蝕刻之基板(S3)。於中和時，可使用硫酸與含氧水之組合溶液。
隨後，氧化該經過上述程序去膠渣(desmear)之基板(S4)。為進行氧化，可使用一過錳酸鹽溶液，且該溶液可為中性或為pH值6至7之微酸性。該過錳酸鹽溶液可為過錳酸鉀(KMnO4)溶液或過錳酸鈉(NaMnO4)溶液，且該氧 化可使用濃度5至11wt%之過錳酸鉀溶液在75至98℃下進行5至20分鐘，較佳使用濃度7至9wt%之過錳酸鉀溶液在80至95℃下進行7至15分鐘，以及更佳使用濃度7.5至8.5wt%之過錳酸鉀溶液在90℃下進行10分鐘。如上述氧化錳(MnO2)形成之氧化層，在下列程序中作為錨，提供一可供導電聚合物附著之層。
隨後，藉由使用包含3,4-伸乙二氧噻吩之一溶液處理該基板，以形成一導電聚合物層，其中該基板具有一形成於貫穿孔或導通孔內壁上之氧化層(S5)。該用於形成導電聚合物層之溶液可包含一導電聚合物單體、一第二氧化劑及一有機酸。該導電聚合物單體可經由聚合反應形成一導電聚合物，該導電聚合物單體可為3,4-伸乙二氧噻吩或其衍生物，以及藉此形成之導電聚合物係為聚伸乙二氧噻吩。該第二氧化劑可為一金屬鹽、過硫酸鹽或過氧硫酸鹽(peroxysulfate)，該金屬鹽可為一三價鐵鹽或一二價銅鹽，該三價鐵鹽可為氯化鐵(FeCl3)、過氯化鐵(iron(II)perchlorate,Fe(ClO4)2)或硫酸鐵，該二價銅鹽可為二氯化銅，該過硫酸鹽可為過硫酸銨(ammonium persulfate)，以及該過氧硫酸鹽可為過氧硫酸銨(ammonium peroxydisulfate)。該有機酸可用於增加聚合反應之速率，並穩定經聚合之聚合物，以及可為聚丙烯酸(polyacrylic acid)、聚甲基丙烯酸(polymethacrylic acid)或聚羧酸系列之聚馬來酸(polymaleic acid)或聚磺酸系列之聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulfonic acid,PSSA)或聚乙烯基磺酸(polyvinyl sulfonic acid)。用於形成一導電聚合物層之溶液可包含濃度100至1000mg/L之硫酸鐵，較佳濃度為130至800mg/L，以及更佳為200至600mg/L。用於形成一導電聚合物層之溶液可包含0.1至1.1wt%之伸乙二氧噻吩，較佳為0.2至0.5wt%，以及更佳為0.22至0.40wt%。使用0.1至1.1wt%伸乙二氧噻吩溶液處理該導電聚合物層之時間可為5或更多分鐘，較佳使用0.2至0.5wt%伸乙二氧噻吩溶液處理7或更多分鐘，以及更佳使用0.22至0.40wt%伸乙二氧噻吩溶液處 理10或更多分鐘。用於形成導電聚合物層之溶液中，第二氧化劑之濃度與該導電聚合物之電阻均勻度以及燒焦現象之抑制相關。當硫酸鐵之濃度低於100mg/L時，厚實的附著在氧化錳層上之伸乙二氧噻吩並未完全藉由聚苯乙烯磺酸固定為聚伸乙二氧噻吩，並因此出現不一致的色澤，舉例來說，混合深綠色與深藍色，以及測量根據不同區域之樣品，電阻值有大幅度的變化。另一方面，當硫酸鐵之濃度高於600mg/L時，伸乙二氧噻吩厚實的附著在氧化錳層上，因而促進過度氧化，並因此於聚伸乙二氧噻吩之表面發生燒焦現象。此外，根據本發明之一示例性實施例，為預防導電聚合物層因乳化劑造成之導電度下降，該用於形成導電聚合物層之溶液中可不包含乳化劑。
隨後，使用電鍍銅方式於作為印刷電路板之一基板之具有導電聚合物層的貫穿孔或導通孔內壁上鍍上銅(S6)，以及乾燥(S7)。雖然沒有在個別處理程序說明中描述，於進行如第1圖所示之操作後，可包含清洗該基板之一程序。
在經由上述程序所製造之印刷電路板中，於該貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上佈上該導電材料，其中該孔洞係經由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔程序形成。在此，該導電材料係由形成於該貫穿孔或導通孔內壁上之一導電聚合物層與鍍於該導電聚合物層上之一金屬鍍層所構成。
下文中，將參照實施例與比較實施例描述本發明之示例性實施例。
實施例1(基板的前處理)
使用一N-甲基吡咯烷酮溶液在55℃下潤脹一FR-4基板10分鐘，使用一過錳酸蝕刻溶液在80℃下蝕刻10分鐘，以及接著使用一硫酸/含氧水溶液中和。
實施例2(氧化層的形成)
藉由使用濃度80g/L之過錳酸鉀溶液在90℃下處理於實施例1中描述經前處理之基板10分鐘，於該貫穿孔或導通孔之內壁上形成一氧化層。
實施例3-1(導電聚合物層的形成)
使用具有0.24wt%伸乙二氧噻吩、50mg/L硫酸鐵及0.36wt%聚苯乙烯磺酸之水溶液，在室溫下處理於實施例1或實施例2中描述的具有形成於貫穿孔或導通孔內壁上之氧化層的基板10分鐘，藉此於氧化層上形成導電聚合物層。
實施例3-2(導電聚合物層的形成)
藉由如實施例3-1中描述之相同方法形成一導電聚合物層，除了硫酸鐵的濃度為250mg/L。
實施例3-3(導電聚合物層的形成)
藉由如實施例3-1中描述之相同方法形成一導電聚合物層，除了硫酸鐵的濃度為500mg/L。
實施例3-4(導電聚合物層的形成)
藉由如實施例3-1中描述之相同方法形成一導電聚合物層，除了硫酸鐵的濃度為750mg/L。
比較實施例3-1(導電聚合物層的形成)
使用具有0.24wt%伸乙二氧噻吩及0.36wt%聚苯乙烯磺酸之水溶液，在室溫下處理於實施例1或實施例2中描述的具有形成於貫穿孔或導通孔內壁上之氧化層的基板10分鐘，藉此於氧化層上形成導電聚合物層。
比較實施例3-2(導電聚合物層的形成)
使用具有0.24wt%伸乙二氧噻吩、作為一均勻劑(leveler)之100mg/L十二烷基磺酸鈉(sodium dodecyl sulfate)及0.36wt%聚苯乙烯磺酸之水溶液，在室溫下處理於實施例1或實施例2中描述的具有形成於貫穿孔或導通孔 內壁上之氧化層的基板10分鐘，藉此於氧化層上形成導電聚合物層。
比較實施例3-3(導電聚合物層的形成)
使用具有0.24wt%伸乙二氧噻吩、50mg/L兒茶酚(catechol)及0.36wt%聚苯乙烯磺酸之水溶液，在室溫下處理於實施例1或實施例2中描述的具有形成於貫穿孔或導通孔內壁上之氧化層的基板10分鐘，藉此於氧化層上形成導電聚合物層。
評量實施例(電阻值與燒焦現象發生的評量)
於實施例與比較實施例中描述之基板的導電聚合物層(聚伸乙二氧噻吩)的電阻值係使用四點探針測量，並評量燒焦現象之發生。該燒焦現象之發生係根據一膠帶剝離測試，於該導電聚合物層之表面貼附與撕除一膠帶後，藉由該膠帶上殘留的導電聚合物數量評量。該結果於表1中彙整。
參照表1，根據實施例3-2與3-3製造之基板，電阻值被測量為200至270Ω、非常高的電阻值均一性、沒有燒焦現象以及重複製造樣品中非常好的電阻值維持。考量燒焦現象，根據實施例3-1製造之基板稍有改善，但具有相對非均勻的外觀及稍高的電阻值偏差。根據實施例3-4製造之基板，電阻值相對較高，舉例來說，300至350Ω，並觀察到一些燒焦現象。根據比較實施例3-1、比較實施例3-2及比較實施例3-3製造之基板電阻值低，但電阻值均一性與燒焦現象等特性差。
根據上述趨勢，當添加硫酸鐵作為一第二氧化劑至一伸乙二氧噻吩單體溶液中時，電阻值不顯著的增加，但改變聚伸乙二氧噻吩成為一均勻深綠色的導電層，以及在燒焦現象之評量中該導電聚合物之表面不殘留於一撕除之膠帶上，以及於該膠帶去除後評量該電阻值係維持的。雖然十二烷基磺酸鹽促進該伸乙二氧噻吩單體之溶解及改變該聚伸乙二氧噻吩之表面為非常均勻，但其誘發了燒焦現象的發生及移除膠帶後電阻值之增加。雖然兒茶酚使得聚伸乙二氧噻吩具有均一的電阻值，以及一定程度上的預防燒焦現象，但該等特性不如硫酸鐵。
根據伸乙二氧噻吩濃度改變之評量實施例
濃度0.15至0.60%之伸乙二氧噻吩溶液200mL之成分比例如表2所示，使用一去膠渣/氧化劑處理之6個FR-4樣品在室溫下被浸入上述溶液中10分鐘，並評量根據伸乙二氧噻吩濃度之導電聚合物層特性。
參照表2，當伸乙二氧噻吩之濃度為0.48wt%或更高，樣本重複於同一伸乙二氧噻吩溶液中製造時，持續維持低電阻值。然而，由於相對高的伸乙二氧噻吩濃度，大量的伸乙二氧噻吩自發的與附著於FR-4之氧化錳錨反應，且部分伸乙二氧噻吩不藉由聚苯乙烯磺酸轉變為聚伸乙二氧噻吩，因此於該伸乙二氧噻吩未被完全脫附之處造成燒焦現象，導致後續程序中黏著強度的下降。然而，雖然當伸乙二氧噻吩之濃度為0.2wt%或更低時，並未產生嚴重的燒焦現象，但當樣品重複於同一浴液中製造時電阻值顯著的增加，因此該溶液之維持係困難的。
根據第一氧化劑濃度改變之評量實施例
改變第一氧化劑濃度之FR-4樣本測量之電阻值如表3所示，該結果於表3中彙整。
參照表3，當該第一氧化劑過錳酸鉀濃度低時，其容易溶解，但聚伸乙二氧噻吩之電阻值高，以及當該第一氧化劑過錳酸鉀濃度高時，聚伸乙二氧噻吩之電阻值顯著的下降，但為完全溶解該氧化劑需要額外加熱。此外，當過錳酸鉀的濃度為80g/L或更高時，同一樣本中不同區域的電阻值變化範圍減少，但電阻值並未顯著的降低。這是因為，難以使上述材料之衍生物聚伸乙二氧噻吩的電阻值低於聚噻吩之特定電阻值150Ω。
根據界面活性劑添加之評量實施例
為估量使用於該去膠渣程序之中和溶液組成成分，以及包含於伸乙二氧噻吩溶液中之界面活性劑對於聚伸乙二氧噻吩導電度的影響，製備具有彙整於表4之濃度的1L中和溶液，並使用其處理FR-4樣本，且分析其結果。
參照表4，聚伸乙二氧噻吩之電阻值並未根據該中和溶液中硫酸與含氧水的濃度顯著的改變，但當於該伸乙二氧噻吩溶液包含非極性界面活性劑時，聚伸乙二氧噻吩之電阻值微幅上升。這是因為一低還原劑，一過氧化氫(H2O2)溶液，於清洗程序中被充分的洗去，也因此不會顯著的影響使用於後續程序中之氧化劑，過錳酸鉀，但該界面活性劑抑制伸乙二氧噻吩過量附著於FR-4。據此，當環保的聚伸乙二氧噻吩替代傳統的無電鍍銅，形成一導電聚合物層於藉由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔加工之貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上時，使用於傳統無電鍍銅生產線之一去膠渣程序可被照常使用，因此在設備上無須單獨投資。
根據浸入聚伸乙二氧噻吩溶液時間之評量實施例
為估量浸入第一氧化劑與伸乙二氧噻吩溶液中的時間對於形成一聚伸乙二氧噻吩導電層的影響，在表5中所列的條件下於一FR-4樣本上形成一導電層，以及評量其特性。
參照表5，隨著浸入第一氧化劑與伸乙二氧噻吩溶液中時間的增加，降低該聚伸乙二氧噻吩導電層的電阻值，以及隨著浸入伸乙二氧噻吩溶液中時間的增加，改善表面均勻度。然而，隨著浸入時間的增加，發生於聚伸乙二氧噻吩表面的燒焦現象變糟，更多聚伸乙二氧噻吩殘留於膠帶測試後的膠帶上，以及於移除膠帶後，該電阻值再次上升。
根據一示例性實施例之一種形成一導電聚合物層於藉由電腦數值控制鑽孔或雷射鑽孔加工之貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上之方法，一種使用該方法製造印刷電路板之方法以及一種印刷電路板，具有下列功效：
1.在進行於貫穿孔或導通孔內壁上之樹脂上形成之氧化層上形成導電聚合物膜時，藉由使用第二氧化劑作為輔助氧化劑穩固的附著該導電聚合物層於該氧化層上，該導電聚合物層之電阻值可被降低至200Ω或更低，其係為傳統電阻值的1/10。
2.減少該導電聚合物層的電阻值與電阻值偏差，因此後續的程序中，電鍍銅可被快速與均勻的進行，且直接的金屬化亦可於小直徑貫穿孔內部無空隙的進行。
3.由於不使用調整製程，可大幅減少於印刷電路板的製造中，設備投資、藥劑使用量的開銷以及產生的廢水。
4.根據本發明之方法，可替代傳統的無電鍍銅製程，藉此可提供低成本與高效率的生產，並不使用於廢水處理中難以處置的致癌性福馬林或乙二胺四乙酸(ethylenediamine tetraacetic acid,EDTA)，因此可實現卷對卷(roll-to-roll)大量生產。
對於該技術領域具有通常知識者顯而易知的是，可對上述本發明之示例性實施例進行多種改變，而不背離本發明之精神或範疇。因此，這意味著，本發明涵蓋落入所附申請專利範圍及其均等範圍之範疇中的所有該等改 變。
S1‧‧‧步驟一
S2‧‧‧步驟二
S3‧‧‧步驟三
S4‧‧‧步驟四
S5‧‧‧步驟五
S6‧‧‧步驟六
S7‧‧‧步驟七

Claims (5)

  1. 一種於貫穿孔或導通孔中形成一導電聚合物層的方法，包含：提供作為印刷電路板之一基板，其具有一貫穿孔或導通孔；使用包含N-甲基吡咯烷酮之一溶液潤脹該基板；使用包含過錳酸之蝕刻溶液蝕刻該經潤脹處理之基板；使用硫酸與含氧水之組合溶液中和該經蝕刻之基板；使用包含一第一氧化劑之一溶液於該貫穿孔或導通孔內形成一氧化層；以及使用包含一第二氧化劑與一導電聚合物單體之一溶液於該氧化層上形成一導電聚合物層；其中該第二氧化劑係一金屬鹽或過硫酸鹽；其中該金屬鹽係一三價鐵鹽或一二價銅鹽；其中該導電聚合物單體係為伸乙二氧噻吩。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二氧化劑係為硫酸鐵，該硫酸鐵之濃度係為100至1000mg/L，該伸乙二氧噻吩之濃度係為0.1至1.1wt%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該包含第二氧化劑與導電聚合物單體之溶液進一步包含一有機酸。
  4. 一種印刷電路板之製造方法，包含：提供作為印刷電路板之一基板，其具有一貫穿孔或導通孔；使用包含N-甲基吡咯烷酮之一溶液潤脹該基板；使用包含過錳酸之蝕刻溶液蝕刻該經潤脹處理之基板；使用硫酸與含氧水之組合溶液中和該經蝕刻之基板；使用包含一第一氧化劑之一溶液於該貫穿孔或導通孔內壁上形成一氧化層； 使用包含一第二氧化劑與一導電聚合物單體之一溶液於該氧化層上形成一導電聚合物層；其中該第二氧化劑係一金屬鹽或過硫酸鹽；其中該金屬鹽係一三價鐵鹽或一二價銅鹽；其中該導電聚合物單體係為伸乙二氧噻吩；以及於該導電聚合物層上使用電鍍鍍上一金屬。
  5. 一種印刷電路板，其係藉由如申請專利範圍第4項所述之印刷電路板之製造方法製造。
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