TWI514438B - A fluorescent lamp for emitting ultraviolet light and a method for manufacturing the same - Google Patents
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Description
本發明係關於放射紫外領域之光的螢光燈及螢光燈之製造方法。
近來,在光觸媒或廣義的樹脂硬化、除菌、美容、醫療等用途中已利用波長300nm附近的紫外光。以如上所示之光的光源而言,係使用在波長250~380nm附近具有強度峰值的螢光體被塗佈在發光管內面之放射紫外線的螢光燈。
在如上所示之放射紫外光的螢光燈中,係藉由獲得用以藉由放電而使螢光體激發之較短波長(例如200nm以下)的紫外光,將該紫外光照射在螢光體而使螢光體激發,使藉由轉換成預定波長領域的光所得的紫外光透過螢光體層及發光管而進行放射者,在原理上與獲得可見光者相同。
以螢光燈之發光管而言,一般而言係適於使用鈉玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃等所謂的硬質玻璃。
但是,在使例如波長250~380nm附近的紫外光放射的螢光燈中,當將上述硬質玻璃用在發光管時,由於產生紫外線的吸收,會形成為紫外光透過率低、效率差的燈。因此,以構成發光管的玻璃而言,以紫外光透過率為更高者為佳。
因此,鑑於如上所示之情形,在發光管使用石英玻璃的螢光燈已被揭示於例如專利文獻1、2等。如該等文獻所記載的技術所示,若在發光管使用石英玻璃而構成,可使紫外光的透過率高,且可有效率地取出光。
(專利文獻1)日本特表2008-503046號公報
(專利文獻2)日本特表2007-534128號公報
但是,一般而言在螢光燈中,係在其製造工程中具備有:升溫至構成發光管之基材的玻璃的軟化點附近,以固接螢光體的工程。但是,由於石英玻璃的軟化點在1600℃附近,因此若如上所示加熱至高溫度區域時,會有發生螢光體劣化,且無法獲得預定的光的問題。
有鑑於此,當使螢光體的燒成溫度降低至在發光特性不會造成問題的溫度區域、例如900℃以下而進行燒成時,會變得未得石英玻璃的軟化,螢光體層由管壁剝離而掉落,而無法獲得預定的配光分布。
因此,本發明之目的在提供一種在放射紫外線的螢光燈中,藉由在發光管配備石英玻璃,而獲得紫外光透過率高且效率佳的螢光燈,並且不會有螢光體剝離、掉落等問題,可靠性高的螢光燈。
因此,本發明之螢光燈係放射紫外線的螢光燈,其特徵為具備有:由石英玻璃所構成的發光管;由軟化點比石英玻璃為更低的玻璃所構成,形成在前述發光管中之放電空間側之表面上的玻璃層;及形成在該玻璃層的表面上,藉由被激發而放射紫外光的螢光體層。
此外,前述玻璃層包含有硼矽酸玻璃及鋁矽酸玻璃之任一者即可。
此外,前述玻璃層的平均厚度為1~30μm為佳。
此外,本發明之螢光燈之製造方法,係放射紫外線之螢光燈之製造方法,其特徵為:在由石英玻璃所構成的管預先形成軟化點比石英玻璃為更低的玻璃的層,在前述玻璃的層之上塗佈混合有螢光體與黏結劑之螢光體的懸濁液,而將該螢光體進行燒成。
此外,軟化點比前述石英玻璃為更低的玻璃係包含有硼矽酸玻璃及鋁矽酸玻璃之任一者即可。
藉由本發明之螢光燈,在石英玻璃製發光管與螢光體層之間形成有由軟化點比石英玻璃的軟化點為更低的玻璃所構成的玻璃層,因此無須將螢光體加熱至1000℃以上的溫度即可進行燒成,而形成為螢光體的劣化少且對於紫外光的轉換效率良好的螢光燈,並且介在於螢光體層與發光管之間的玻璃會軟化,因此可使螢光體層與發光管的結合更為強固,可形成為不會有螢光體層剝離、脫落且不會有發生照度不均的情形的螢光燈。而且,由於發光管由石英玻璃所構成,因此可獲得紫外光透過率良好且紫外光放射效率高的螢光燈。
接著,前述玻璃層含有硼矽酸玻璃(Si-B-O系玻璃)及鋁矽酸玻璃(Si-Al-O系玻璃)中至少任一者之玻璃,而使耐熱衝擊性良好,因此可十分耐於作為螢光燈加以使用時的溫度變化,不會發生該玻璃層剝落或與螢光體層的結合降低的問題,而可確實地保持螢光體層。
此外,由於前述玻璃層的平均厚度為1~30μm,可確實地保持螢光體層,並且可形成為無損及紫外線的透過性而效率良好的螢光燈。
此外,藉由本發明之螢光燈之製造方法,在石英玻璃製發光管與螢光體層之間形成由軟化點比石英玻璃的軟化點為更低的玻璃所構成的玻璃層,之後形成螢光體層,因此可將螢光體的燒成溫度設定為比較低,且形成為螢光體的劣化少且對於紫外光的轉換效率良好的螢光燈,並且由於該玻璃會軟化,使螢光體層與發光管的結合變得更為強固,可形成為不會有螢光體層剝離、脫落的情形,且不會發生照度不均的情形的螢光燈。結果,可簡單且確實地獲得發光管由石英玻璃所構成且紫外光透過率良好且紫外光放射效率高的螢光燈。
針對本發明之實施形態,參照第1圖至第4圖加以說明。第1圖係說明該螢光燈之製造工程的流程圖,第2圖係作為燈之發光管用材料的玻璃管,第3圖係說明發光管之製造工程之對管軸呈垂直地作切斷的剖面圖及將主要部位放大的放大剖面圖,此外,第4圖係顯示本發明之螢光燈全體的說明用剖面。由第2圖至第4圖可知,第1實施形態之螢光燈的發光管11係具有將內側管111與外側管112配置成大致同軸,藉由分別封裝有兩端部11A、11B而在內部形成有圓筒狀放電空間S而成之形態者。此外,在本實施形態中,發光管11構成用玻璃管80係熔融石英玻璃製。
以下按照第1圖之流程圖,一面參照第2圖至第4圖,一面說明本發明之螢光燈之製造方法。
1.製作用以構成玻璃層的玻璃粉末經分散的漿體(步驟1)。
微細弄碎玻璃層構成用的塊狀玻璃,且施加於球磨機。將經粉碎後的玻璃粉末舖在篩網,藉此將粒徑作分類,製作出平均粒徑為0.5~10μm(最好為1~5μm)的玻璃粉末。
將該玻璃粉末與硝化纖維素(nitrocellulose)、乙酸丁酯液以重量比1:4的比例加以混合。將混合液連同氧化鋁球一起施放在球磨機充分研磨,製作出玻璃粉末經分散的漿體。以下將使該玻璃粉末分散的漿體稱為「玻璃漿體」。
構成玻璃層的玻璃係具有軟化點比作為發光管基材之石英玻璃的軟化點(1600℃)為更低的玻璃。最好係軟化點在螢光體之燒成溫度(400~900℃)範圍的玻璃,更好係耐熱衝擊性良好的硬質玻璃。
其中,以硼矽酸玻璃(Si-B-O系玻璃、軟化點:約800℃)、鋁矽酸玻璃(Si-Al-O系玻璃、軟化點:約900℃)為佳,如上所示之硬質玻璃係可單獨使用,亦可以適當比例混合使用。
2.接著,將玻璃漿體塗佈在發光管構成用之玻璃管的內表面(步驟2)。
在本實施形態中,發光管構成用玻璃管80係如第2圖所示以使放電空間形狀成為圓筒狀的方式具備有內側管81與外側管82,在發光管構成用玻璃管80(以下亦將之簡稱為「玻璃管80」)之長度方向中之兩方端部形成有與外部相連通的排氣管83A、83B。垂直保持發光管構成用玻璃管80,在充滿玻璃漿體的容器液面放入排氣管的其中一方的例如83B,由其中一方排氣管83A進行抽吸,將玻璃漿體上吸,在玻璃管80內部填充玻璃漿體,之後,由另一方排氣管83B抽出而進行塗佈。藉由調整玻璃漿體的黏度或塗佈次數,可改變最後所得的玻璃層厚度。此時,以玻璃漿體厚度被形成在1~30μm的範圍為佳。其中,由於針對預定的紫外光獲得較高的透過率,因此玻璃層厚度係以在可保持在後工程中所形成的螢光體的範圍內儘可能為小為宜。
3.使玻璃漿體乾燥(步驟3)。
由發光管構成用玻璃管80的其中一方排氣管83A朝向另一方排氣管83B流通乾燥氮氣,藉此使玻璃漿體所含有的乙酸丁酯蒸發。結果,在玻璃管80的內表面上形成有已沈積厚度為1~30μm之玻璃粉末的層。用在乾燥的氣體亦可為乾燥空氣。
4.將玻璃管加熱,將玻璃粉末的層進行燒成(步驟4)。
燒成條件係在大氣中約500~1000℃,以時間而言,若以最高溫度下的保持時間表示時,為0.2~1小時。若使用上述硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃時,係以600~900℃進行為佳。藉由該燒成工程使粒子同士相結合,並且熔著在玻璃管,玻璃層會強力固結在基材。
其中,玻璃層由於不會升溫至熔融溫度,因此一般係維持粉末狀的形態,但是形成為更加提高溫度而使其熔融的狀態亦可。
5.將玻璃管冷卻至常溫(步驟5),將調製完畢之螢光體的漿體藉由上吸法塗佈在發光管內(步驟6)。
螢光體的塗佈方法係與之前在2.中所說明的順序相同,垂直保持發光管構成用玻璃管80,在充滿螢光體漿體的容器液面放入排氣管其中一方的例如83B,由其中一方排氣管83A進行抽吸,在上吸管80內部填充螢光體漿體,之後,由另一方排氣管83B抽出而進行塗佈。
可適用在本發明之螢光燈的螢光體係例如銪賦活硼酸鍶(Sr-B-O:Eu(以下稱為SBE)、中心波長368nm)螢光體、鈰賦活鋁酸鎂鑭(La-Mg-Al-O:Ce(以下稱之為LAM)、中心波長338nm(但為broad))螢光體、釓、鐠賦活磷酸鑭(La-P-O:Gd、Pr(以下稱為LAP:Pr、Gd,中心波長311nm)螢光體等。該等螢光體係吸收均為未達波長250nm之區域的紫外光,轉換成分別所具有的中心波長區域的紫外線且進行放射。
6.使螢光體漿體的水分飛濺而乾燥(步驟7)。
由發光管構成用玻璃管80的其中一方排氣管83A朝向另一方排氣管83B流通乾燥氮氣,藉此使螢光體漿體所含有的乙酸丁酯蒸發。用在乾燥的氣體亦可為乾燥空氣。
7.將螢光體進行燒成(步驟8)。
將發光管用玻璃管放入爐內且進行燒成。燒成條件係在大氣環境中約為500~800℃,形成為在最高溫度下的保持時間,加熱0.2~1小時。在該燒成工程中,在螢光體層與玻璃層的交界面發生玻璃軟化而使螢光體結著在玻璃層,結果獲得強固的結合狀態。
結果,如第3圖所示,獲得在由石英玻璃所構成的發光管構成用玻璃管80的內表面上,依序層積有由低軟化點玻璃粉末所構成的玻璃層14、螢光體層15的狀態。
其中,若為在大氣中的劣化激烈的螢光體,係升溫至硝化纖維素在大氣中燃燒的溫度之後,藉由形成為非氧化雰圍氣或還原雰圍氣,而可進行至約800度程度的加熱。
8.將玻璃管冷卻至常溫(步驟9),在該玻璃管內部封入稀有氣體而以氣密式予以密封(步驟10)。
更具體而言,在將附著在排氣管83A、83B內面的螢光體層15及玻璃層14去除後,將其中一方排氣管83A進行加熱密封,由另一方排氣管83B進行排氣,封入預定的稀有氣體(封入物)而作氣密密封(tip-off)。結果,獲得如第4圖所示之形成有圓筒狀氣密放電空間S的螢光燈用發光管11。所封入的稀有氣體例如為氙(Xe)、氪(Kr)、氬(Ar)、氖(Ne),可單獨使用,亦可以適當組合混合使用。其中,藉由該等稀有氣體的放電所得的波長係氙160-190nm、氪124、140-160nm、氬107-165nm、氖80-90nm。
9.接著,沿著內側管的內周面配置內側電極,沿著外側管的外周面配置外側電極(步驟11)。
在步驟10中所得的發光管11配置由內側電極12與外側電極13所構成的一對外部電極,而完成準分子燈10。內側電極12係使例如剖面C型的金屬板2枚相對向配置,沿著內側管111的內周面予以配置。外側電極13係由例如網狀電極所構成,配置成被覆在外側管112的外表面上全域。
以上說明的螢光燈係一對電極均位於放電空間之外部的位置者,惟並非限定於如上所述之例,即使為例如至少其中一方電極被配置在內部者,亦可適用。其中,若在放電空間內配置電極,則在發光管密封工程(步驟8)之前
安裝電極即可。
針對如上所示所得的螢光燈的最終製品的尺寸列舉具體數值例,如下所示。
發光管(11)的全長:約300~2000mm、內側管(111)的壁厚:1~2mm、外側管(112)的壁厚:2~3mm。此外,螢光體層(15)的平均厚度:10~20μm,形成在螢光體層(15)與發光管(11)之間之由低軟化點玻璃所構成的玻璃層(14)的厚度:1~30μm。
在第4圖所示之螢光燈中,內側電極12與外側電極13在介在於內側管111、外側管112及放電空間S的狀態下相對向配置。在內側電極12與外側電極13係連接有引腳線W11、W12,而連接有電源裝置16,若由電源裝置16被施加高頻電壓時,在電極12、13間介在介電質(111、112等)而形成放電,藉由屬於放電氣體的例如氙氣(Xe)的發光而發生波長172nm的紫外光。在此所得之紫外光係螢光體激發用的發光,由於該波長172nm的紫外光照射螢光體層15,因此螢光體被激發,例如選擇螢光體種類,而放射波長250~380nm的紫外光。如此所得之波長250~380nm的紫外光係依序透過螢光體層15、玻璃層14、發光管11、外側電極13(空隙部)而放射至外部。
玻璃層14的紫外光透過率比石英玻璃更差,但是該玻璃層14的厚度最大以30μm程度以下即可。因此,波長250~380nm的紫外光吸收較少,大部分會透過而被放射至外部。結果,相較於以低軟化點的玻璃形成發光管全體者,可以特別高的效率來放射所希望的波長區域的紫外光。
其中,藉由氙氣的放電所發生的波長172nm的真空紫外光係使用在玻璃層的硼矽酸玻璃或鋁矽酸玻璃的吸收端為200nm級,幾乎無法透過。因此,不需要的短波長的紫外光不會有被放射至外部的情形。
以下針對本發明之實施例加以說明,惟本發明並非限定於如下所述。
將硼矽酸玻璃(Si-B-O系玻璃)及鋁矽酸玻璃(Si-Al-O系玻璃)以1:1的比例加以混合而成的玻璃在微細粉碎後,另外施放於球磨機,調製成平均粒徑為1~5μm的粒度。
將該混合玻璃粉末以重量比1:4的比例混合在乙酸丁酯、硝化纖維素的混合液,另外施放在球磨機予以攪拌,製作出玻璃粉末經分散的漿體。其中,關於該玻璃粉末經分散的漿體,係稱之為「玻璃漿體A」。
接著,按照第4圖之構成,製作出實施例1之稀有氣體螢光燈。其中,關於之前在實施形態中所說明的構成,係省略詳細說明。
在由發光管構成用的熔融石英玻璃所構成的玻璃管的內表面上,藉由上吸法塗佈玻璃漿體A且使其乾燥。之後,藉由以700℃保持1小時來進行燒成。在燒成後,確認出在玻璃管的內表面上,粉末玻璃適度熔解而在熔著於發光管內表面的狀態下予以固定。
接著,使用LAP:Pr、Gd作為螢光體而調製螢光體漿體,將該漿體液上吸,藉由自然落下法,塗佈在形成有玻璃層之狀態之玻璃管的內表面上。在使螢光體漿體乾燥後,以500℃加熱1小時而燒成螢光體。然後,在密封玻璃管的單端部後,以靜壓27kPa(200Torr)封入稀有氣體(Xe氣體(氙氣)),另一端亦作氣密密封,形成放電空間S,製作成發光管11。
發光管11中之外側管112的外徑為Φ30mm,內徑為Φ28mm(壁厚2mm),內側管111係外徑Φ20mmm、內徑18mm(壁厚1mm)。
在發光管氣密密封後,在外側管中的外周面上配置網狀電極,並且在內側管的內表面上配置鋁製的箔狀電極。
除了不使用玻璃漿體液而在石英玻璃管直接塗佈螢光體漿體以外,與實施例1相同地製作出比較例1-1的稀有氣體螢光燈。其中,螢光體的燒成條件係在500℃下加熱1小時。
未使用玻璃漿體液而直接在石英玻璃管塗佈螢光體漿體,並且將螢光體的燒成條件設為1000℃、1小時,除此之外以與實施例1相同的構成及順序,製作出比較例1-2的稀有氣體螢光燈。
在將硼矽酸玻璃(Si-B-O系玻璃)微細粉碎後,另外施放在球磨機,調製成平均粒徑為1~5μm的粒度。
將該硼矽酸玻璃粉末以重量比1:4的比例混合在乙酸丁酯、硝化纖維素的混合液,另外施放在球磨機加以攪拌,製作成玻璃粉末經分散的漿體。其中,關於該玻璃粉末經分散的漿體,係稱之為「玻璃漿體B」。
使用玻璃漿體B,製作出第5圖所示之形狀的外部電極型的稀有氣體螢光燈(20)。其中,該圖(a)係對管軸呈垂直地予以切斷的剖面圖,(b)係(a)中的A-A切斷後的管軸長度方向的剖面圖。以下詳加說明之。
發光管(21)用的玻璃管為外徑Φ10mm、內徑Φ9mm(壁厚0.5mm)、全長1500mm,為熔融石英玻璃製。在該玻璃管藉由上吸、自然落下法來塗佈玻璃漿體B,且使液體乾燥。之後,藉由在600℃下保持1小時來進行燒成。燒成後的玻璃管係粉末玻璃適度融熔而熔著在玻璃管內表面而被加以固定。
在少量的硝化纖維素與乙酸丁酯的混合溶液混合適量的螢光體粉末,以黏度成為20mPa‧s的方式調製出螢光物質經分散的懸濁液。其中,在此係使用LAM作為螢光體。螢光體漿體係乳濁色的分散溶液。
藉由上吸、自然落下法而將該螢光體漿體塗佈在內表面形成有預定玻璃層之狀態的玻璃管。將螢光體漿體乾燥後,在500℃下加熱1小時而燒成螢光體。
在將玻璃管的單端部密封後,以靜壓21kPa(160Torr)封入稀有氣體,獲得在發光管21的內表面上依序層積有由比石英玻璃更為低軟化點的玻璃所構成的玻璃層24、螢光體層25的發光管21。在該發光管21的外表面上,以寬幅2mm、長度1450mm的尺寸塗佈、形成銀膏,在發光管21的外表面上形成朝管的長度方向延伸的一對外部電極22、23,製作出實施例2的稀有氣體螢光燈20。接著,在其中一方與另一方電極22、23連接引腳線W21、W22,並且連接於稀有氣體螢光燈20用的預定電源26。
除了在未使用上述玻璃漿體液的情形下直接在石英玻璃管塗佈螢光體漿體以外,與實施例2相同地製作稀有氣體螢光燈,製作出比較例2-1之稀有氣體螢光燈。其中,螢光體的燒成條件係成為在600℃下加熱1小時。
在未使用上述玻璃漿體液的情形下直接在石英玻璃管塗佈螢光體漿體,並且將螢光體的燒成條件形成為1000℃、1小時,除此之外與實施例2相同地製作出比較例2-2之稀有氣體螢光燈。
在以上之實施例1、2中,係針對使用氙氣(Xe)作為放電氣體,藉由介在有介電質的放電,獲得波長172nm的發光,且將其藉由螢光體而轉換成300nm以上之波長區域之紫外光之例加以說明。本發明並非限定於該等稀有氣體螢光燈,亦可適用於低壓水銀燈。以下針對其他實施例加以說明。
接著,按照第6圖的構成,製作出參考例1之內部電極型的低壓水銀螢光燈。
用以構成發光管的玻璃管為熔融石英玻璃。在該玻璃管的內部,藉由上吸法,塗佈藉由與上述實施例1相同的方法所得之玻璃漿體A,在乾燥後,以700℃燒成1小時。
之後,以螢光體而言,使用SBE來調製螢光體漿體,將螢光體漿體與上述相同地藉由上吸、自然落下法進行塗佈,在螢光體漿體乾燥後,以500℃燒成1小時,藉此
使螢光體固接在玻璃管。
然後,在發光管的端部配設將(Ba、Sr、Ca)O對三碳酸鹽進行活性處理所得的燈絲構造物(32、33)。在玻璃管內部封入稀有氣體的氬4kPa(30Torr)、及水銀10mg/cm3
而作氣密密封,藉此在最後獲得第6圖所示之低壓水銀螢光燈。其中,在本實施例中,係使用水銀作為放電物質,因此獲得185nm、254nm、320-370nm等波長區域的紫外線。但是,在參考例1之低壓水銀燈中,185nm與254nm之波長的能量佔有輻射的大部分,因此並無法過於期待300nm級的光的放射。使用螢光體而將波長185nm及波長254nm的光轉換成波長300nm級的光時,相較於僅利用通常僅以水銀放電所得之波長320-370nm附近的光,可特別效率佳地放射波長300nm級的光。
在此,參照第6圖,說明低壓水銀螢光燈之構成。
在本實施例中,發光管31係外徑10mm、內徑8.8mm(壁厚0.6mm)、全長1200mm。由燈絲構造物(mount)所構成的內部電極32、33係藉由密封用構件37、38而被支持於發光管31而作相對向配置。在該等內部電極32、33連接引腳線W31、W32,且連接於預定的電源裝置(未圖示)。
其中,在發光管31的內表面上所形成的玻璃層34及螢光體層35係平均厚度分別為10μm、15μm。
除了在未使用玻璃漿體液的情形下直接在石英玻璃管塗佈螢光體漿體以外,與實施例3相同地製作出比較例3-1之內部電極型螢光燈。其中,螢光體的燒成條件係以與實施例3相同的700℃加熱1小時。
在未使用玻璃漿體液的情形下直接在石英玻璃管塗佈螢光體漿體,並且將螢光體的燒成溫度設為1000℃、1小時,除此之外與實施例3相同地製作出比較例3-2之內部電極型螢光燈。
使用適於各螢光燈的亮燈電源而使燈亮燈,來測定出紫外線照度。紫外線照度係使用分光器(牛尾電機公司(USHIO Inc.)製,USR40),配置在燈的長度中心位置,亦即受光器係配置在離發光管管壁20mm分開的位置來進行測定。將實施例1、2、3之螢光燈的紫外線照度設為100,以相對值來表示比較例之燈的紫外線照度。該結果顯示於表1中的「紫外線照度」欄位。
此外,關於上述實施例1~3之螢光燈與比較例1-1~3-2之螢光燈,針對螢光體的密接性進行評估。螢光體層密接性的評估係在使燈由木製板上5cm落下時,以簡單地全部剝落:×,一部分剝落:△,完全未剝落:○來加以評估。
該結果顯示於下述表1中的「密接性」欄位。
可知實施例1、2、3的燈在紫外線照度、密接性之雙方面均佳。在比較例1-1、2-1、3-1之燈中,由於未具備有玻璃層,因此紫外光透過率比實施例的燈較為良好,但是螢光體層的密接性較差。在燈亮燈中亦產生剝離、掉落的結果,會有未得到所預期照度者。另一方面,將燒成溫度設定在石英玻璃之軟化點附近的1000℃附近的比較例2-2、3-2的各燈,關於螢光體層的密接性雖己足夠,但是並未得到螢光體的激發狀態,結果,未獲得所希望的紫外光,而形成為紫外線照度為最低的燈。其中,比較例1-2的燈與其他比較例2-2、3-2相比較為設定在較低溫度800℃,因此螢光體的密接性亦不佳。
以上之實施例僅就實施本案發明方面列舉一例,當然可作適當變更。
例如,在上述實施例1~3中,係以分別單獨使用SBE(Sr-B-O:Eu)、LAM(La-Mg-Al-O:Ce)、LAP:Pr、Gd(La-P-O:Gd、Pr)之例作為螢光體加以說明,但在各實施例之構成的燈中,可使用該等螢光體中任何螢光體,亦可以適當比例混合該等螢光體而加以使用。當然,若藉由發光所得之放射光與轉換後的紫外光的波長適當,亦可使用其他螢光體,而非限定於如上所述。
10...稀有氣體螢光燈
11...發光管
11A、11B...兩端部
12...內側電極
13...外側電極
14...低軟化點玻璃層
15...螢光體層
16...電源
20...稀有氣體螢光燈
21...發光管
22...其中一方電極
23...另一方電極
24...低軟化點玻璃層
25...螢光體層
26...電源
30...低壓水銀螢光燈
31...發光管
32...其中一方電極
33...另一方電極
34...低軟化點玻璃層
35...螢光體層
37...密封構件
38...密封構件
80...玻璃管
81...內側管
82...外側管
83A、83B...排氣管
111...內側管
112...外側管
W11、W12...引腳線
W21、W22...引腳線
W31、W32...引腳線
S...放電空間
第1圖係說明本發明之螢光燈之製造工程的流程圖。
第2圖係發光管的管軸方向剖面圖。
第3圖係垂直於本發明之螢光燈用發光管之管軸之方向的剖面圖。
第4圖係將本發明之螢光燈用發光管沿著管軸予以切斷的說明用剖面圖。
第5圖係本發明之外部電極型螢光燈的(a)管軸方向剖面圖、(b)在與管軸垂直的方向予以切斷的剖面圖。
第6圖係作為本發明之實施例之內部電極型之水銀螢光燈的管軸方向剖面圖。
10...稀有氣體螢光燈
11...發光管
11A、11B...兩端部
12...內側電極
13...外側電極
14...低軟化點玻璃層
15...螢光體層
16...電源
111...內側管
112...外側管
W11、W12...引腳線
S...放電空間
Claims (5)
- 一種放射紫外線的螢光燈,其特徵為:具備有:發光管,其係由石英玻璃所構成;介在介電質所配置之一方及另一方電極;稀有氣體,其係被封入在發光管之內部;玻璃層,其係藉由使軟化點位於400至900℃的範圍的玻璃粉末沈積在前述發光管中之放電空間側之表面上且進行燒成所形成;及螢光體層,其係形成在該玻璃層的表面上,且以藉由使介電質介在於前述一方及另一方電極間的放電所形成的真空紫外光被激發,藉此放射紫外光。
- 如申請專利範圍第1項之放射紫外線的螢光燈,其中,前述玻璃層包含有硼矽酸玻璃及鋁矽酸玻璃之任一者的玻璃粉末。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之放射紫外線的螢光燈,其中,前述玻璃層的平均厚度為1~30μm。
- 一種放射紫外線之螢光燈之製造方法,其特徵為:準備由石英玻璃所構成的管作為發光管,在前述石英玻璃管預先形成使由軟化點位於400至900℃的範圍的玻璃所構成的粉末沈積、燒成而形成的玻璃層,在前述玻璃層之上塗佈螢光體的懸濁液,而將前述石英玻璃管、前述玻璃層、及前述螢光體進行燒成。
- 如申請專利範圍第4項之放射紫外線的螢光燈之製造方法,其中,前述軟化點位於400至900℃的範圍的玻璃粉末係包含有硼矽酸玻璃及鋁矽酸玻璃之任一者。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008221645A JP5644039B2 (ja) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | 紫外線を放射する蛍光ランプおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201009883A TW201009883A (en) | 2010-03-01 |
TWI514438B true TWI514438B (zh) | 2015-12-21 |
Family
ID=42071688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098120647A TWI514438B (zh) | 2008-08-29 | 2009-06-19 | A fluorescent lamp for emitting ultraviolet light and a method for manufacturing the same |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5644039B2 (zh) |
KR (1) | KR101285893B1 (zh) |
TW (1) | TWI514438B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011204408A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Ushio Inc | 蛍光ランプ |
CN102214545A (zh) * | 2010-04-01 | 2011-10-12 | 优志旺电机株式会社 | 荧光灯 |
JP5712588B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2015-05-07 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光ランプおよびその製造方法 |
JP5387626B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2014-01-15 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光ランプ |
JP5397455B2 (ja) * | 2011-11-22 | 2014-01-22 | ウシオ電機株式会社 | 希ガス蛍光ランプ |
JP6202332B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-09-27 | 株式会社Gsユアサ | 紫外線ランプ |
US9947526B2 (en) * | 2015-02-03 | 2018-04-17 | Shikoh Tech Llc | Gas discharge device and flat light source using the same, and driving method therefor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5273939A (en) * | 1975-12-16 | 1977-06-21 | Matsushita Electronics Corp | Method of electrostatic painting fluorescent lamp |
TWI223829B (en) * | 2001-06-14 | 2004-11-11 | Photoscience Japan Corp | Discharge lamp, ultraviolet ray irradiation apparatus and method of using the apparatus |
TW200733174A (en) * | 2005-12-26 | 2007-09-01 | Dms Co Ltd | Fluorescent lamp and manufacturing method thereof |
WO2007116331A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-18 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Discharge lamp comprising uv-phosphor |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62268042A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体表示板 |
JPS63955A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 蛍光ランプ |
JPS63119153A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 蛍光ランプ |
US5461277A (en) * | 1992-07-13 | 1995-10-24 | U.S. Philips Corporation | High-pressure gas discharge lamp having a seal with a cylindrical crack about the electrode rod |
JPH07192690A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-28 | Ushio Inc | 蛍光管とその製造方法 |
KR19990061719A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 손욱 | 방전램프 |
JP2000331643A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Matsushita Electronics Industry Corp | 蛍光ランプ |
JP4071813B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2008-04-02 | 松下電器産業株式会社 | 蛍光ランプ、バックライトユニットおよび蛍光ランプの製造方法 |
JP2006179464A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-07-06 | Keiji Iimura | 放電発光装置と放電発光装置の製造方法 |
US7550911B2 (en) | 2005-05-13 | 2009-06-23 | Panasonic Corporation | Fluorescent lamp for use in a backlight unit and liquid crystal display device |
KR20070009425A (ko) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 외부 전극을 구비한 방전램프 및 그 제조방법, 당해방전램프를 구비한 백라이트 유닛 및 액정표시장치 |
JP4922624B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-04-25 | スタンレー電気株式会社 | 放電ランプおよびその製造方法 |
JP2007227248A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Harison Toshiba Lighting Corp | 蛍光ランプ及びその製造方法 |
JP2008098022A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Ushio Inc | 二重管型希ガス放電ランプ |
-
2008
- 2008-08-29 JP JP2008221645A patent/JP5644039B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-19 TW TW098120647A patent/TWI514438B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-07-20 KR KR1020090065879A patent/KR101285893B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5273939A (en) * | 1975-12-16 | 1977-06-21 | Matsushita Electronics Corp | Method of electrostatic painting fluorescent lamp |
TWI223829B (en) * | 2001-06-14 | 2004-11-11 | Photoscience Japan Corp | Discharge lamp, ultraviolet ray irradiation apparatus and method of using the apparatus |
TW200733174A (en) * | 2005-12-26 | 2007-09-01 | Dms Co Ltd | Fluorescent lamp and manufacturing method thereof |
WO2007116331A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-18 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Discharge lamp comprising uv-phosphor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100026971A (ko) | 2010-03-10 |
TW201009883A (en) | 2010-03-01 |
JP2010056007A (ja) | 2010-03-11 |
JP5644039B2 (ja) | 2014-12-24 |
KR101285893B1 (ko) | 2013-07-12 |
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