TWI513583B - 接合體及其製造方法 - Google Patents

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Tomoyuki Ishimatsu
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Description

接合體及其製造方法
本發明係關於接合體及其製造方法。
向來，一般使用將分散導電性粒子的樹脂塗布於剝離膜的帶狀連接材料(例如，異方性導電膜(ACF；Anisotropic Conductive Film))作為連接電子構件的手段。
此異方性導電膜係主要使用於例如以連接電子構件(IC晶片)或撓性印刷基板(flexible printed circuit,FPC)之端子及LCD面板之玻璃基板上所形成的氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)電極的情形，也使用於將各種端子彼此接著，同時作電性連接而製作接合體的情形。
尤其，使用前述異方性導電膜於LCD面板等封裝IC晶片的COG封裝、及使用前述異方性導電膜於LCD面板等封裝，接合具有金屬配線的可撓性帶的IC晶片的COF封裝，伴隨著液晶顯示器之高精細化、薄型化及窄框化而受到注目。
然而，現狀的COG封裝係於施加溫度150℃~250℃下5秒鐘~10秒鐘之熱量而進行連接，有所謂由於IC晶片與面板之熱伸縮差而造成面板翹曲、發生畫面顯示不均的問題。再者，即使現狀之COF封裝，亦同樣地，於施加溫度150℃~250℃下5秒鐘~10秒鐘之熱量而進行連接，有時產生由於與可撓性帶接合的IC晶片之熱伸縮而產生定向偏差、發生連接不良、端子間短路的問題。
作為解決上述問題的手段，業界正集中注目於利用光硬化，施加超音波的各向異性導電連接。
例如，已有人提出包含作為硬化劑之有機過氧化物的異方性導電膜，並施加超音波而進行基板彼此之連接的技術(例如，參照專利文獻1)。
然而，此技術因異方性導電膜會熱硬化，而有依然無法解決熱伸縮所致的問題。
又，有人已提出於電路基板間，塗布紫外線(UV)硬化型樹脂，並將電路基板之端子以超音波接合，紫外線(UV)硬化型樹脂以紫外線(UV)硬化的技術(例如，參照專利文獻2)。
然而，此技術無法獲得充分接合強度，且有所謂連接信賴性低的問題。
再者，也有人已經提出一邊將藉由YAG雷射、氙氣燈、鹵素燈等所產生的光束照射異方性導電膜加以加熱，一邊進行施加超音波的技術(例如，參照專利文獻3)。
然而，此技術使用含有藉由光照射而硬化的光硬化性樹脂的異方性導電膜(例如，參照專利文獻4)時，接合(接著)強度並不充份，再者，有所謂電氣性劣化的問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2010-4067號公報
[專利文獻2]特開2005-209704號公報
[專利文獻3]特開平8-146451號公報
[專利文獻4]特開2010-16388號公報
本發明係以解決習知前述諸問題而達成以下之目的為課題。同時，本發明係以提供電特性優異、抑制翹曲，而可使連接信賴性提升的接合體及其製造方法為目的。
就解決前述課題的手段而言係如下，即，
＜1＞　一種接合體之製造方法，其係第一電路構件與第二電路構件間隔著含有導電性粒子及光硬化性樹脂的異方性導電膜而被電性接合而成的接合體之製造方法，其特徵為包含：依序配置前述第一電路構件、前述異方性導電膜及前述第二電路構件的步驟；將前述第一電路構件與前述第二電路構件間隔著前述異方性導電膜而壓接之際，施加超音波的步驟；施加前述超音波後，一邊使前述第一電路構件與前述第二電路構件間隔著前述異方性導電膜而被壓接，一邊於前述異方性導電膜照射光的步驟。
＜2＞　如前述＜1＞記載之接合體之製造方法，其對異方性導電膜之一側照射超音波，由相對前述異方性導電膜之另一側照射光。
＜3＞　如前述＜1＞至＜2＞項中任一項記載之接合體之製造方法，其中照射的光之波長為200nm~750nm。
＜4＞　如前述＜1＞至＜3＞項中任一項記載之接合體之製造方法，其中光硬化性樹脂至少包含光陽離子硬化性樹脂及光自由基硬化性樹脂任一者。
＜5＞　如前述＜1＞至＜4＞項中任一項記載之接合體之製造方法，其中超音波之施加加時間為0.1秒鐘~2.0秒鐘，光之照射時間為1.0秒鐘~5.0秒鐘。
＜6＞　一種接合體，其特徴為其係藉由前述＜1＞至＜5＞中任一項之製造方法而被製造。
依據本發明，可提供解決向來之前述諸問題，而達成前述目的，且電特性優異、抑制翹曲，而使連接信賴性提升的接合體及其製造方法。
 (接合體)
本發明之接合體至少具有第一電路構件、第二電路構件、異方性導電膜而成，更視必要具有適宜選擇其他構件。
＜第一電路構件及第二電路構件＞
作為前述第一電路構件及第二電路構件並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例配線基板、電子構件、撓性配線基板(FPC)等。
作為前述配線基板並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例LCD基板、PDP基板、有機EL基板等。
作為前述配線基板之材質並未特別限制，可因應目的適宜選擇，於光透過性之觀點，以玻璃、透明塑膠等為較佳。
作為述配線基板之波長200nm~750nm之光的透過率並未特別限制，可因應目的適宜選擇，較佳為50%~100%，更佳為70%~100%。
前述透過率低於50%時，容易發生黏結劑之硬化率低的部位、產生連接不良的情形。另一方面，前述透過率於前述特佳範圍內時，容易獲得全體性均一的硬化狀態，有利於可保持良好的連接狀態。
又，即使存有因玻璃基板上之金屬配線等而部分未透過光的部位(非透光部位)的情形，亦可適當地使用。作為前述非透光部位之基板中的比率，由良好的黏結劑之硬化之觀點，50%以下為較佳，30%以下為更佳。
作為前述電子構件，例如，可舉例IC晶片、搭載IC晶片的TAB帶等。
＜異方性導電膜＞
前述異方性導電膜係至少具有導電層，更視必要具有其他層而成。
本發明之前述異方性導電膜係至少包含膜形成樹脂(熱可塑性樹脂)、光硬化性樹脂、導電性粒子、及硬化劑者為較佳。
-導電層-
前述導電層至少含有導電性粒子及光硬化性樹脂，更視必要可含有硬化劑、熱可塑性樹脂、其他成分。
--導電性粒子--
作為前述導電性粒子並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例焊料、鎳、金、銀、銅等之金屬粒子；經金屬(鎳、金、銀、鈀、鋁、銅等)被覆(鍍敷)的樹脂粒子等之有機填充劑；經金屬(鎳、金、銀、鈀、鋁、銅等)被覆(鍍敷)的玻璃粒子、陶瓷粒子等之無機填充劑等。
作為前述導電性粒子之粒徑並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，體積平均粒徑較佳為2μm~10μm，更佳為2μm~4μm。
前述體積平均粒徑低於2μm時，分級處理及取得有困難，超過10μm時，伴隨接合端子之細間距化，對應該接合端子之狹小化成為困難。
作為前述導電性粒子之比重並未特別限制，可因應目的適宜選擇。
--光硬化性樹脂--
作為前述光硬化性樹脂並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，光自由基硬化性樹脂、光陽離子硬化性樹脂等。
作為前述光自由基硬化性樹脂並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，(甲基)丙烯酸環氧基酯(epoxy(meth)acrylate)類、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯(urethane(meth)acrylate)類、(甲基)丙烯酸酯寡聚物((meth)acrylate oligomer)等。
又，作為前述光自由基硬化性樹脂並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例丙烯酸甲酯(methyl acrylate)、丙烯酸乙酯(ethyl acrylate)、丙烯酸異丙酯(isopropyl acrylate)、丙烯酸異丁酯(isobutyl acrylate)、丙烯酸環氧基酯(epoxy acrylate)、乙二醇二丙烯酸酯(ethylene glycol diacrylate)、二乙二醇二丙烯酸酯(diethylene glycol diacrylate)、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropan triacrylate)、二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯(dimethyloltridecane diacrylate)、四亞甲基二醇四丙烯酸酯(tetramethylene glycol tetraacrylate)、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷(2-hydroxy-1,3-diacryloxypropane)、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基甲氧基)苯基]丙烷(2,2-bis[4-(acyryloxymethoxy)phenyl]propane)、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷(2,2-bis[4-(acyryloxyethoxy)phenyl]propane)、二環戊烯基丙烯酸酯(dicyclopentenyl acrylate)、三環癸烯基丙烯酸酯(tricyclodecenyl acrylate)、三(丙烯醯氧基乙基)三聚異氰酸酯(tris(acyryloxyethoxy)isocyanurate)、胺基甲酸酯丙烯酸酯(urethane acrylate)等。此等可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
再者，作為前述光自由基硬化性樹脂，可將前述丙烯酸酯所舉例作為甲基丙烯酸酯之例，此等可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
作為前述光陽離子硬化性樹脂並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例雙酚A型環氧基樹脂(biphenol A epoxy resin)、雙酚F型環氧基樹脂、酚醛清漆型環氧基樹脂(novolac epoxy resin)、氧雜環丁烷(oxetane)樹脂、脂環式環氧基樹脂、此等之變性環氧基樹脂等。此等可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
又，可將光自由基硬化性樹脂、光陽離子硬化性樹脂混合等，亦可併用。
--硬化劑--
作為前述硬化劑並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例藉由波長領域200nm~750nm之光使活性陽離子種或自由基種發生的硬化劑等。
作為發生陽離子種的光陽離子硬化劑並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例鋶(sulfonium)鹽、鎓(onium)鹽等。此等可使各種環氧基樹脂良好地硬化。
作為發生自由基種的光自由基硬化劑並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例苯烷基酮(alkylphenone)系光聚合開始劑、醯基膦氧化物(acylphosphine oxide)系光聚合開始劑、二茂鈦(titanocene)系聚合開始劑、肟酯(oxime ester)系光聚合開始劑等。此等可使各種丙烯酸酯樹脂良好地硬化。
又，作為藉由前述波長領域200nm~750nm之光使活性陽離子種或自由基種發生的硬化劑，例如，可舉例光自由基硬化劑(商品名：IRGACURE 651，Ciba Specialty Chemicals公司製)、光陽離子硬化劑(商品名：IRGACURE 369，Ciba Specialty Chemicals公司製)等。
又，可混合光自由基硬化劑、光陽離子硬化劑等，亦可併用。
--熱可塑性樹脂(膜形成樹脂)--
作為前述熱可塑性樹脂並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例苯氧基樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚酯樹脂、苯乙烯異戊二烯(styrene isoprene)樹脂、腈丁二烯(nitrile butadiene)樹脂等。
--其他成分--
作為前述其他成分並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，顏料、矽烷偶合劑、無機填充劑、有機填充劑等。
---顏料---
作為前述顏料並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，二氧化鈦、氧化鋅、群青(ultramarine)、鐵丹(bengala)、鋅鋇白(lithopone)、鉛、鎘、鐵、鈷、鋁、鹽酸鹽、硫酸鹽等之無機顏料；偶氮顏料、銅酞花青(phthalocyanine)顏料等之有機顏料等。
---矽烷偶合劑---
就前述矽烷偶合劑而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷(vinyl tris(2-methoxyethoxy)silane)、乙烯基三乙氧基矽烷(vinyl triethoxyl silane)、乙烯基三甲氧基矽烷(vinyl trimethoxyl silane)、3-苯乙烯基三甲氧基矽烷(3-styryltrimethoxy silane)、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(3-methylacyryloxypropyltrimethoxy silane)、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(3-acyryloxypropyltrimethoxy silane)、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(3-glycidoxypropyltrimethoxy silane)、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷(3-glycidoxypropylmethyldiethoxy silane)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxy silane)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷(N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxy silane)、3-胺基丙基三乙氧基矽烷(3-aminopropyltriethoxy silane)、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxy silane)、3-巰基丙基三甲氧基矽烷(3-mercaptopropyltrimethoxy silane)、3-氯丙基三甲氧基矽烷(3-chloropropyltrimethoxy silane)等。
---無機填充劑---
就為前述無機填充劑而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例矽石、氧化鋁、氧化鈦、硫酸鋇、滑石、碳酸鈣、玻璃粉、石英粉等。
---有機填充劑---
就前述有機填充劑而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例胺基甲酸酯粉、丙烯酸粉、矽粉等。
-其他層-
就前述其他層而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例剝離層。
就前述剝離層而言，其形狀、構造、大小、厚度、材料(材質)等並未特別限制，可因應目的適宜選擇，以剝離性良好者或耐熱性高者為較佳，例如，可較佳舉例塗布矽等之剝離劑的透明的剝離PET(聚對苯二甲酸乙二酯)片等。又，亦可使用PTFE(聚四氟乙烯)片。
如第1圖所示，本發明之接合體100具有作為第一電路構件之LCD面板10、作為第二電路構件之IC晶片11、及異方性導電膜12。藉由導通IC晶片11中的端子11a、異方性導電膜12中的導電性粒子12a、及LCD面板10中的端子(圖未顯示)，LCD面板10及IC晶片11被經電性連接。
(接合體之製造方法)
本發明之接合體之製造方法至少包含配置步驟、施加超音波的步驟、及光照射步驟，再者，因應必要包含適宜選擇的其他步驟。
＜配置步驟＞
前述配置步驟係以第一電路構件、異方性導電膜、及第二電路構件的順序所配置的步驟。
＜施加超音波的步驟＞
前述超音波印加步驟係將第一電路構件及第二電路構件間隔著異方性導電膜而壓接之際，施加超音波的步驟。
前述壓接係意指將第一電路構件及第二電路構件間隔著異方性導電膜而導通，即，異方性導電膜中的導電性粒子連接第一電路構件及第二電路構件之連接端子的狀態。
前述壓接係藉由使用例如，加熱工具等之押壓構件(第1圖之20)，將前述第一電路構件及前述第二電路構件任一者押壓來進行，亦可將前述押壓構件及前述第二電路構件之間藉由Teflon(註冊商標)等安裝緩衝材料。藉由安裝前述緩衝材料，能減少押壓誤差的同時可防止弄髒加熱工具。
就前述押壓構件而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，可使用較押壓對象更大面積的押壓構件來進行1次押壓，又，亦可藉由較押壓對象小的面積的押壓構件而分數次進行押壓。
就前述押壓構件之先端形狀而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例平面狀、曲面狀等。又，前述先端形狀為曲面狀的情形，亦可沿著前述曲面狀作押壓。
就前述押壓時之押壓力而言並未特別限制，因應電路構件之種類、目的而有各式各樣，押壓力之範圍可由其中適宜選擇。
維持押壓達到最適的硬化率者為較佳。就前述最適的硬化率而言，依連接材料及電路構件之種類而異，但60%~100%為較佳，70%~100%為更佳。
前述硬化率低於60%的情形，有發生連接不良的情形。
就前述超音波之頻率而言，並未特別限制，可因應目的適宜選擇，10kHz~100kHz為較佳，20kHz~60kHz為更佳。
前述頻率低於10kHz時，押入電路構件的力量不足，有時產生連接不良，一旦超過100kHz，電路構件之接合端子會變形而有時引起短路或連接不良。
就前述超音波之振動方向而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，相對於第一電路構件或第二電路構件之平面可為水平振動亦可為垂直振動任一者。由對第一電路構件或第二電路構件損害降低減的觀點，水平振動為較佳，由防止細節距連接之定位差異的觀點，垂直振動為較佳。
就施加前述超音波的時間而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，0.1秒鐘~2.0秒鐘為較佳，0.5秒鐘~1.0秒鐘為更佳。
一旦施加前述超音的時間低於0.1秒鐘，有發生電路構件之押入不足的情形，超過2.0秒鐘時，電路構件之配線有時會變形。
藉由施加前述超音波，金屬會熔融，例如，可形成導電性粒子中的金與電路構件之接合端子(突起電極(pump))中的金結合、導電性粒子中的金與電路構件之接合端子(突起電極)中的錫結合。
就施加前述超音波的手段而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，例如，可舉例可施加內藏振動子等的超音波的押壓構件(第1圖中的20)等。
＜光照射步驟＞
前述光照射步驟係於施加超音波後，一邊間隔異方性導電膜將第一電路構件及第二電路構件壓接，一邊對異方性導電膜照射光的步驟。
前述壓接意指第一電路構件及第二電路構件間隔異方性導電膜而被導通，即，異方性導電膜中的導電性粒子與第一電路構件及第二電路構件之連接端子連接的狀態。
為了將第一電路構件及第二電路構件間隔異方性導電膜壓接，例如，第一電路構件及第二電路構件之至少一者被押壓。
就前述光而言，只要可將光硬化性樹脂硬化的光即可並未特別限制，可因應目的適宜選擇，波長200nm~750nm之光(紫外線)為較佳。
又，就發出前述光的光源(第1圖中的30)而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例例如，LED光源、UV燈光源等。
就光照射的時機而言，經由押壓及超音波照射，使第一電路構件及第二電路構件間隔著異方性導電膜而被壓接，之後，使光照射。又，光照射之際，超音波之施加被停止。此係因於光硬化的狀態下施加超音波時，接合體有產生裂紋的情形，連接信賴性會降低。
就前述光照射之照射方向而言，並未特別限制，可因應照射效率等而適宜選擇，例如，可相對於照射對象為垂直方向，又亦可相對於前述垂直方向為傾斜的方向。
再者，一邊使第一電路構件及第二電路構件間隔著異方性導電膜壓接而一邊照射光後，再於未將第二電路構件押壓於第一電路構件側下，照射0.5秒鐘以上之光亦可。藉此，可於押入應力減低的狀態下進一步進行硬化，而可進一步提高連接信賴性。
就前述押壓時的押壓力而言並未特別限制，因應電路構件之種類或目的而有各式各樣，押壓力之範圍可由其中適宜選擇。
維持押壓至最適硬化率者為較佳。就前述最適硬化率而言，依連接材料及電路構件之種類而異，但60%~100%為較佳，70%~100%為更佳。
前述硬化率低於60%的情形，有時會發生連接不良。
就前述光照射時間而言並未特別限制，可因應目的適宜選擇，1.0秒鐘~10.0秒鐘為較佳，1.0秒鐘~5.0秒鐘圍更佳。
前述光照射時間低於1.0秒鐘時，有時無法充分光硬化，超過10.0秒鐘時，變的不能短時間連接而增加產距時間，而有成本變高的情形。
施加超音波及光照射係相對於異方性導電膜為相對的方向來進行者為較佳。例如，施加超音波於自電路構件(電子構件或FCP)側之一者進行，光照射自另一電路構件(配線基板)側進行者為較佳。
經由自另一側電路構件進行光照射，用以押壓電路構件一方之押壓構件係未遮光，故可提升光照射效率，可一邊押壓一邊使光硬化。
例如，於進行玻璃配線基板及IC晶片之連接的COG封裝，於玻璃配線基板上配置含紫外線硬化性樹脂的異方性導電膜，並自IC晶片側以超音波使異方性導電膜熔融而將IC晶片押入後，藉由於施加壓力的狀態下自玻璃基板側進行紫外線照射而使硬化，玻璃配線基板與IC晶片之連接並未進行加熱。藉此，可防止由於熱收縮造成的面板翹曲，能夠解決顯示不均的問題。
又，於進行玻璃配線基板與COF之連接的COF封裝，以相同的連接方法可減少由於熱伸縮造成的定位差異，充分的連接面積的確保及端子短路的防止成為可能。
又，於促進異方性導電膜之熔融的目的，可輔助性地外加60℃~100℃的熱來進行封裝。
[實施例]
以下，說明本發明的實施例，但本發明並未限定於下述任一實施例。
(製造例1)
於含苯氧基樹脂(商品名：YP50，東都化成公司製)60質量份、光自由基聚合性樹脂(商品名：EB-600，DAICEL-CYTEC公司製)35質量份、矽烷偶合劑(商品名：KBM-503，信越化學工業公司製)1份、光自由基硬化劑(商品名：IRGACURE 651，Ciba Specialty Chemicals公司製)2份的接著劑中，分散鍍金導電性粒子(商品名：AUL704，積水化學工業公司製)成為粒子密度20,000個/mm2 而獲得厚度20μm的薄膜狀連接材料A。
(製造例2)
於含苯氧基樹脂(商品名：YP50、東都化成公司製)60質量份、光陽離子硬化性樹脂(液狀環氧基樹脂)(商品名：JER-828，日本環氧基樹脂公司製)35質量份、矽烷偶合劑(商品名：KBM-403，信越化學工業公司製)1份、光陽離子硬化劑(商品名：IRGACURE 369，Ciba Specialty Chemicals公司製)2份的接著劑中，分散鍍金導電性粒子(商品名：AUL704，積水化學工業公司製)成為粒子密度20,000個/mm2 而獲得厚度20μm之薄膜狀連接材料B。
(製造例3)
於含苯氧基樹脂(商品名：YP50，東都化成公司製)60質量份、光自由基硬化性樹脂(商品名：EB-600，DAICEL-CYTEC公司製)35質量份、矽烷偶合劑(商品名：KBM-503，信越化學工業公司製)1份、熱自由基硬化劑(商品名：PerbutylO，日油公司製)2份的接著劑中，分散鍍金導電性粒子(商品名：AUL704，積水化學工業公司製)成為粒子密度20,000個/mm2 而獲得厚度20μm的薄膜狀連接材料C。
(製造例4)
於製造例2，除了未分散鍍金導電性粒子之外，與製造例2同樣地進行而獲得薄膜狀連接材料D。
(製造例5)
於製造例2，除了使用鍍銀導電性粒子替代鍍金導電性粒子之外，與製造例2同樣地進行而獲得薄膜狀連接材料E。
(製造例6)
於製造例2，除了使用鍍銅導電性粒子替代鍍金導電性粒子之外，與製造例2同樣地進行而獲得薄膜狀連接材料F。
(製造例7)
於製造例2，除了使用鍍鎳導電性粒子替代鍍金導電性粒子之外，與製造例2同樣地進行而獲得薄膜狀連接材料G。
(製造例8)
於製造例2，除了使用鍍鈀導電性粒子替代鍍金導電性粒子之外，與製造例2同樣地進行而獲得薄膜狀連接材料H。
(實施例1)
於對應IC晶片之圖案的鋁配線圖案玻璃基板(商品名：1737F，Corning公司製，大小：50mm×30mm×0.5mm)上，配置以製造例1製作的薄膜狀連接材料A，並於薄膜狀連接材料A上配置IC晶片(尺寸：1.8mm×20.0mm，厚度：0.5mm，金突起電極大小：30μm×85μm，突起電極高度：15μm，間距：50μm)，IC晶片與鋁配線圖案玻璃基板間隔著薄膜狀連接材料A進行壓接之際，於振動50Hz、振幅2μm、押壓力60MPa之條件下施加超音波1.0秒鐘後，直接保持押壓力於60MPa，自鋁配線圖案玻璃基板側使用金屬鹵化物水銀燈(商品名：MLDS250，岩崎電氣(股)製)照射紫外線5.0秒鐘、光量5,000mJ/cm2 ，而製作接合體1。
(實施例2)
除了使用製造例2製作的薄膜狀連接材料B替代於實施例1之薄膜狀連接材料A之外，與實施例1同樣地進行而製作接合體2。
(實施例3)
除了使用製造例5製作的薄膜狀連接材料E替代於實施例1之薄膜狀連接材料A之外，與實施例1同樣地進行而製作接合體3。
(實施例4)
除了使用製造例6製作的薄膜狀連接材料F替代於實施例1之薄膜狀連接材料A之外，與實施例1同樣地進行而製作接合體4。
(實施例5)
除了使用製造例7製作的薄膜狀連接材料G替代於實施例1之薄膜狀連接材料A之外，與實施例1同樣地進行而製作接合體5。
(實施例6)
除了使用製造例8製作的薄膜狀連接材料H替代於實施例1之薄膜狀連接材料A之外，與實施例1同樣地進行而製作接合體6。
(比較例1)
使用製造例3所製作的薄膜狀連接材料C，將IC晶片(尺寸：1.8mm×20.0mm，厚度：0.5mm，金突起電極大小：30μm×85μm，突起電極高度：15μm，間距：50μm)、及對應IC晶片之圖案的鋁配線圖案玻璃基板(商品名：1737F，Corning公司製，大小：50mm×30mm×0.5mm)，於170℃、80MPa、10.0秒鐘之連接條件下製作接合體7。
(比較例2)
除了使用製造例4製作的薄膜狀連接材料D替代於實施例1之薄膜狀連接材料A之外，與實施例1同樣地進行而製作接合體8。
(比較例3)
除了同時進行施加超音波及紫外線照射1.0秒鐘再僅進行紫外線照射4.0秒鐘來替代於實施例1之施加超音波1.0秒鐘後照射紫外線5.0秒鐘之外，與實施例1同様地進行而製作接合體9。
(比較例4)
除了照射紫外線5.0秒鐘後施加超音波1.0秒鐘來替代於實施例1之施加超音波1.0秒鐘後照射紫外線5.0秒鐘之外，與實施例1同様地進行而製作接合體10。
於實施例1~6及比較例1~4所製作的接合體1~10進行以下的測定。
＜反應率(硬化率)之測定＞
將鋁配線圖案玻璃基板中的鋁配線圖案的內側存在的薄膜狀連接材料之反應率(硬化率)，使用紅外線分光光度計(產品號FT/IR-4100，日本分光公司製)，自封裝前與封裝後之環氧基吸收波長的衰減量(%)或不飽和基之吸收波長的減衰量(%)算出。結果示於表1。
＜翹曲量之測定＞
使用觸針式表面粗度計(商品名：SE-3H，小阪研究所公司製)，自玻璃基板下側掃描，測量IC晶片壓著後之鋁配線圖案玻璃基板面之翹曲量(μm)。結果示於表1。
＜連接電阻之測定＞
使用數位萬用表(digital multi-meter)(商品名：數位萬用表7561，橫河電機(股)公司製)，進行初期之連接電阻(Ω)及環境試驗(85℃/85%/500hr)後之連接電阻(Ω)之測定。結果示於表1。
＜初期接著強度之測定＞
使用模切(die shear)測定機(商品名：Dage 2400，DAGE公司製)，進行初期接著強度(kg/IC)之測定。結果示於表1。
由表1，併用超音波及紫外線而製作接合體時，可不加熱至高溫作連接，因而抑制接合體面板的翹曲，可解決顯示不均的問題。又，因封裝後之接合體之殘留應力小，連接信賴性高。
[產業上之利用可能性]
本發明之接合體之製造方法可適合使用於例如，IC小型晶片、IC卡、記憶卡、平板面板顯示器等之製造。
10．．．LCD面板(電路構件)
11．．．IC晶片(電路構件)
11a．．．端子
12．．．異方性導電膜
12a．．．導電性粒子
20．．．押壓構件
30．．．光源
100．．．接合體
第1圖係顯示本發明之接合體的概略說明圖。
10．．．LCD面板(電路構件)
11．．．IC晶片(電路構件)
11a．．．端子
12．．．異方性導電膜
12a．．．導電性粒子
20．．．押壓構件
30．．．光源
100．．．接合體

Claims (7)

  1. 一種異方性接合體之製造方法，其係將具備端子的第一電路構件及具備配線圖案的第二電路構件間隔著含有導電性粒子及光硬化性樹脂的異方性導電膜，經電氣接合而成的異方性接合體之製造方法，其特徵為包含：依序配置前述第一電路構件、前述異方性導電膜及前述第二電路構件的步驟；將前述第一電路構件及前述第二電路構件間隔著前述異方性導電膜作壓接之際，施加超音波的步驟；及施加前述超音波後，一邊使前述第一電路構件及前述第二電路構件間隔著前述異方性導電膜被壓接，一邊對前述異方性導電膜照射光的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的異方性接合體之製造方法，其中，異方性接合體係第一電路構件之端子與第二電路構件之配線圖案間隔著異方性導電膜而被電性接合而成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的異方性接合體之製造方法，其對於異方性導電膜的一側照射超音波，對相對於前述異方性導電膜的另一側照射光。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的異方性接合體之製造方法，其中照射的光之波長為200nm~750nm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述異方性的接合體之製造方法，其中光硬化性樹脂至少包含為光陽離子硬化性樹脂及光自由基硬化性樹脂任一者。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的異方性接合體之製造方法， 其中超音波之施加時間為0.1秒鐘~2.0秒鐘，光之照射時間為1.0秒鐘~5.0秒鐘。
  7. 一種異方性接合體，其特徵為其係由如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之製造方法所製造。
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