TWI513508B - 微流體檢測裝置 - Google Patents

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TWI513508B
TWI513508B TW102132268A TW102132268A TWI513508B TW I513508 B TWI513508 B TW I513508B TW 102132268 A TW102132268 A TW 102132268A TW 102132268 A TW102132268 A TW 102132268A TW I513508 B TWI513508 B TW I513508B
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Liang Ju Chien
Chi Han Chiou
Shao Hsing Yeh
Yu Ying Lin
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Ind Tech Res Inst
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Description

微流體檢測裝置
本揭露是有關於一種微流體檢測裝置。
為了因應現在醫療上注重預防醫學、早期診斷與早期治療的的需求,促使對於檢驗環境自動化、定點照護(Point of Care,POC)或近病人端檢驗(Near Patient Testing)與分子診斷之需求提高。根據WHO提出來的理想分子診斷系統準則。在一份2009年全球分子檢測市場報告中,預估2015年至2019年全球分子檢測市場銷售值將分別約為155億美元及425億美元,平均年成長率分別高達11.5%及22.4%。目前已發表於期刊及專利的生物標記及候選生物標記(biomarker candidate)已有數千種,並以每年百種的速度增加。因此,未來醫療照護的發展趨勢將更依賴個人化分子醫學檢驗資料庫,來提供個人化醫療,例如用藥安全篩檢、藥物療效追蹤。
在定點照護的應用中,微流體技術由於其所需樣品少、檢測晶片體積小以及能量消耗低的特性,因而常被使用在應用在體外檢測市場,同時亦常搭配光學檢測裝置來進行大量的樣品檢 測。目前微流體檢測雖蓬勃發展出許多不同的方法,但由於樣本液滴的體積微小不易控制位置,因此對於需要準確定位的光學檢測而言仍有定位上的困難,特別是液滴的高度、光路穿透的路徑和液滴中微粒的干擾皆會直接影響光學檢測的結果。然而,對於疾病或是藥物檢測而言,可靠的檢測方式對於檢測結果是極為重要的,因此如何有效地控制樣本液滴在檢測晶片與微流道中的位置以及降低液滴中微粒對光學檢測的干擾,已成為目前亟待解決的問題之一。
本揭露提供一種微流體檢測裝置,適於檢測包括多個磁性微粒的待測樣品液體,微流體檢測裝置包括一微流體晶片以及一磁力產生模組。微流體晶片包括一基板與形成於基板上的微流道,其中待測樣品液體被承載於基板的一承載面上。磁力產生模組包括一環形中空磁力產生模組以及一周圍磁力產生模組,其中環形中空磁力產生模組配置在承載面的至少其中一側,且環形中空磁力產生模組適於向待測樣品液體提供一定位磁場,周圍磁力產生模組配置於微流體晶片的周圍,且周圍磁力產生模組適於向待測樣品液體提供一周圍磁場。其中,磁力產生模組透過定位磁場配合周圍磁場操控移動待測樣品液體以及改變這些磁性微粒於待測樣品液體內的分布。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉 實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、500‧‧‧微流體檢測裝置
110‧‧‧微流體晶片
120‧‧‧磁力產生模組
120a‧‧‧環形中空磁力產生模組
120b‧‧‧周圍磁力產生模組
112‧‧‧基板
114‧‧‧微流道
122‧‧‧定位磁力產生線圈
124‧‧‧周圍磁力產生線圈
1221、1222、1223、1224、1225‧‧‧環形線圈
1226‧‧‧環型中空線圈
130‧‧‧光學檢測模組
132‧‧‧光源
134‧‧‧檢測器
B‧‧‧檢測光
C‧‧‧腔室
CS‧‧‧承載面
CZ‧‧‧中央區域
D‧‧‧寬度
D1、D2‧‧‧方向
H‧‧‧加熱光
L‧‧‧直徑
LZ‧‧‧雷射加熱源
MP‧‧‧磁性微粒
PM‧‧‧定位磁場
SF‧‧‧待測樣品液體
SM‧‧‧周圍磁場
TM‧‧‧調溫模組
W‧‧‧側壁
Z‧‧‧操作區域
ZE‧‧‧檢測區域
圖1A是本揭露的一實施例中的微流體檢測裝置的側視圖。
圖1B至圖1D繪示出圖1A實施例的另一種實施態樣的示意圖。
圖2A至圖2D是依照圖1A實施例中的微流體檢測裝置的側視示意圖。
圖3是依據本揭露之一實施例中的微流體檢測裝置在周圍磁力產生線圈作用與不作用的情況下所測量出的訊號的光學密度的示意圖。
圖4A是圖1A實施例中的微流體晶片的一種變化的上視圖。
圖4B是圖1A實施例中的微流體晶片的另一種變化的上視圖。
圖5是本揭露之另一實施例中的微流體檢測裝置的示意圖。
圖1A是本揭露的一實施例中的微流體檢測裝置的側視圖,請參照圖1A,在本實施例中,微流體檢測裝置100適於檢測包括多個磁性微粒(magnetic particles,MP)的待測樣品液體(sample fluid,SF)。微流體檢測裝置100可包括一微流體晶片110以及一磁力產生模組120。微流體晶片110包括一基板112與形成於基板 112上的微流道114,其中待測樣品液體SF被承載於基板112的一承載面(Carry surface,CS)上。磁力產生模組120包括一環形中空磁力產生模組120a以及一周圍磁力產生模組120b,其中環形中空磁力產生模組120a配置在承載面CS的至少其中一側,且適於向待測樣品液體SF提供一定位磁場(positioning magnetic field,PM),周圍磁力產生模組120b配置於微流體晶片110的周圍,且周圍磁力產生模組120b適於向待測樣品液體SF提供一周圍磁場(surrounding magnetic field,SM)。磁力產生模組120透過定位磁場PM配合周圍磁場SM操控待測樣品液體SF以及改變這些磁性微粒MP於待測樣品液體SF內的分布。
並且,在本實施例中,為了提供光學檢測,微流體檢測裝置100可更包括光學檢測模組130。光學檢測模組130可被配置於在承載面CS的至少其中一側並包括光源132與檢測器134。在本實施例中光學檢測模組130的光源132可相對微流體晶片110配置於環形中空磁力產生模組120a的異側,且檢測器134相對微流體晶片110配置於環形中空磁力產生模組120a的同側,如圖1A所繪示,在本實施例中的微流體晶片110具有透光性,檢測光(detection beam,B)可通過待測樣品液體SF與微流體晶片110而傳遞到檢測器134。然而,在不同實施例中可光學檢測模組可根據不同的光路設計而可具有不同的實施態樣,例如若微流體晶片為具反射性的鏡面,則光學檢測模組130可僅配置於承載面CS的上側或下側,即光源132與檢測器134可位於微流體晶片110的同 側且與承載面CS同側,且檢測光B可通過待測樣品液體SF、被微流體晶片110反射、從而傳遞到檢測器134,本揭露不以此為限。
詳細而言,在本實施例中,基板112的材質可為玻璃、石英或塑膠等透光材質,本揭露不以此為限,磁性微粒MP事先混合入待測樣品液體SF,或是亦可置於微流體晶片110上,以於待測樣品液體SF滴於微流體晶片110上時直接混合,並且,在本實施例中,磁性微粒MP是以順磁性材料為例,然而本揭露亦不以此為限。
並且,在本實施例中,微流體檢測裝置100中的承載面CS除了待測樣品SF(水溶液)外也包含油性溶液,其作用為防止待測樣品SF在操控時蒸散,另一個目的為提供水溶液等樣品在油性溶液的環境中具表面張力,形成液滴狀而便於檢測。然而本揭露亦不以此為限。
更詳細而言,請繼續參考圖1A,在本實施例中,於操作時,待測樣品液體SF可被滴置於基板112的操作區域(operational zone,Z),並可以進行如混合、加熱等檢測前程序。而後,環形中空磁力產生模組120a可向待測樣品液體SF提供定位磁場PM,定位磁場PM可驅使待測樣品液體SF於微流道114中由基板112的操作區域Z移動到基板112的檢測區域(Zone for examination,ZE)至定位,以準備進行後續的檢測。
換言之,環形中空磁力產生模組120a可透過產生定位磁場PM,透過吸引或排斥磁性微粒MP的方式,以移動及定位待測 樣品液體SF。因此,待測樣品液體SF在微流體晶片110上的位置可準確地控制,進而能夠準確地配合後續的光學檢測,並且可不必透過其他物體的接觸引導即可移動待測樣品液體SF,進而能避免汙染待測樣品液體SF。
同時,在本實施例中,若磁性微粒MP是配置於操作區域Z上,當待測樣品液體SF滴置於操作區域Z與磁性微粒MP接觸後,環形中空磁力產生模組120a亦可以透過對待測樣品液體SF施加均勻的磁場,以使得磁性微粒MP與待測樣品液體SF更均勻地混合,如此有利於後續對待測樣品液體SF的移動,可避免待測樣品液體SF中的磁性微粒MP分布不均勻,而導致在移動待測樣品液體SF時帶有較多磁性微粒MP的樣品液體部份從待測樣品液體SF被單獨分離出來的狀況。
另一方面,請繼續參考圖1A,在本實施例中,當待測樣品液體SF被移動到檢測區域ZE後而將進行檢測時,環形中空磁力產生模組120a中特別是佈置於檢測區域ZE下的環形中空線圈1226(參考圖2a)通入與周圍磁力產生模組120b反向電流,進而可趨使待測液體樣品SF中的磁性微粒MP散開在待測樣品液體SF的周圍(參考圖2c)。藉此,光學檢測模組130可於檢測時,由光源132向待測樣品液體SF提供一檢測光B,佈置於檢測區域ZE下的環型中空線圈1226與周圍磁力產生線圈124可驅使這些磁性微粒MP散開而於待測樣品液體SF中形成沒有這些磁性微粒的中央區域(central zone,CZ),並且檢測光B可通過中央區域CZ而傳遞 到檢測器134。其中,圖1A所繪示的待測樣品液體SF及中央區域CZ的大小,以及周圍磁場SM、定位磁場PM與磁性微粒MP的分布狀態僅作為例示參考,本揭露不以此為限。
因此,檢測光B可在不照射磁性微粒MP的情況下傳遞入待測樣品液體SF內並取得待測樣品液體SF的資訊(如螢光光譜訊號、拉曼光譜訊號等),因此可使得磁性微粒MP所造成的雜訊影響降至最低,因此,不僅可準確地控制待測樣品液體SF的位置,亦可使得光學檢測的準確性有效地提升。
詳細而言,在本實施例中,光源132可以為雷射、發光二極體(light emitting diode,LED)、鹵素燈、汞燈等光源。而偵測器可為互補式金氧半導體感測器(complementary metal-oxide semiconductor sensor,CMOS sensor)、電耦合單元感測器(charge coupled device sensor,CCD sensor)、光譜儀(spectrometer)、光電二極體(photodiode)、光電倍增管(photomultiplier tube)等,本揭露不以此為限。
此外,請繼續參照圖1A,在本實施例中,微流體檢測裝置100可更包括一調溫模組(thermal-modulation module,TM),配置於在承載面CS的至少其中一側,調溫模組TM可選擇性地對待測樣品液體SF進行昇降溫。其中,調溫模組TM可包括各種升溫或降溫的裝置如加熱模組、電致冷模組(thermal electric cooling,TE cooling)等,本揭露不以此為限。舉例而言,在本實施例中,調溫模組TM可包括一雷射加熱源(laser heater,LZ),雷射加熱源 LZ可對待測樣品液體SF提供一加熱光(Heating beam,H)以進行加熱。藉此,本實施例中的微流體檢測裝置100在檢測如去氧核糖核酸(DNA)序列時可於操作區域Z先行對樣品進行加熱使得去氧核醣核酸單股分離,而後可將樣品移動至鄰近的檢測區域ZE進行檢測,藉此可提升整體檢測的效率,亦可減少檢測上的誤差。值得注意的是,在本實施例中的調溫模組TM與雷射加熱源LZ所配置的位置僅用於例示說明本實施例,在其他實施例中可以有其他的實施態樣,本揭露不以此為限。
此外,圖1B至圖1D繪示出圖1A實施例的另一種實施態樣的示意圖,請參照圖1B至圖1D,其中圖1B繪示出當待測樣品液體SF配置於基板112上且周圍無磁場時的情況,此時磁性微粒MP由於重力吸引而會分佈在待測樣品液體SF中較為下方靠近基板112的區域。
當待測樣品液體SF配置於基板112上,且周圍磁力產生模組120b提供周圍磁場SM時,此時磁性微粒MP會受到周圍磁力產生模組120b所提供的周圍磁場SM影響,從而驅使待測樣品液體SF內的磁性微粒MP在待測樣本液體SF內呈複數個柱狀堆疊的型態(如圖1C所繪示)。
進一步而言,當周圍磁力產生模組120b提供周圍磁場SM,且定位磁力產生線圈122提供與周圍磁場SM相反極性的定位磁場PM時,此時待測樣品液體SF內的磁性微粒MP不僅在待測樣本液體SF內呈複數個柱狀堆疊的型態,並且可被排開至待測 樣品液體SF的周圍,藉此,可藉由調整周圍磁場SM以及定位磁場PM之間的強弱極性關係,從而達到操縱待測樣品液體SF內的磁性微粒MP的分布狀態之效果。
圖2A至圖2D是依照圖1A實施例中的微流體檢測裝置的側視示意圖,其中,在圖2A至圖2D中為了易於了解而省略了圖示中的側壁(side walls,W)等構件,請參照圖1A至圖2D,在本實施例中,磁力產生模組120的環形中空磁力產生模組120a可包括配置並排列於微流體晶片110上側或下側的多個定位磁力產生線圈122,而磁力產生模組120的周圍磁力產生模組120b可包括配置於微流體晶片110的檢測區域ZE上側及下側中至少一側的周圍磁力產生線圈124。在本實施立中,如圖2A至圖2D所繪示,即,周圍磁力產生線圈124是配置於該微流體晶片的檢測區域上側及下側兩側,且定位磁力產生線圈122配置並排列於微流體晶片110的下側。其中,定位磁場PM是由這些定位磁力產生線圈122所產生,並且周圍磁場SM是由周圍磁力產生線圈124所產生。
詳細而言,在本實施例中,如圖2A至圖2D所繪示,定位磁力產生線圈122例如包括依序排列的環形線圈1221、1222、1223、1224、1225、1226,當需要將待測樣品液體SF由操作區域Z移動至檢測區域ZE時,這些環形線圈1221、1222、1223、1224、1225、1226可依序地提供定位磁場PM,以移動待測樣品液體SF至定位(如由圖2A的位置移動到圖2B的位置)。在本實施例中,如圖2A至圖2D所繪示,這些環形線圈1221、1222、1223、1224、 1225、1226是以上下交疊與部分重疊的方式排列而成,然而此排列方式與環形線圈的數量僅作為例示說明,本揭露並不以此為限。
接著,請參考圖2C至圖2D,在本實施例中,當待測樣品液體SF被移動到檢測區域ZE後,為了進行光學檢測,周圍磁力產生線圈124可提供周圍磁場SM將待測樣品液體SF中的磁性微粒MP分散以形成讓檢測光B可通過的中央區域CZ,藉此以達到有效控制待測樣品液體SF的定位與增加光學檢測的準確性的效果。
值得注意的是,在本實施例中,操作區域Z可經疏水處理而具有疏水性,檢測區域ZE可經親水處理而具有親水性。舉例而言,可在微流道晶片110上的表面塗佈疏水層,再於預定的檢測區域ZE利用電漿等方式(如施以氧電漿處理)抹除此疏水層並使其產生親水性。在本實施例中,由於常見的待測樣品液體SF為水溶液,因此,使微流道晶片110上的操作區域Z與其他非檢測區域的部份具有疏水性質可防止待測樣品液體SF不必要的附著,另一方面,使檢測區域ZE具有親水性質可使得待測樣品液體SF在定位磁場PM移動到檢測區域ZE時能夠進一步地穩定附著於檢測區域ZE上,藉此定位磁場PM可在待測樣品液體SF移動置定位後降低強度,從而能夠有效地定位與節省能源。
圖3是依據本揭露之一實施例中的微流體檢測裝置在周圍磁力產生線圈作用與不作用的情況下所測量出的訊號的光學密度(optical density)的示意圖,請參考圖1A與圖3,在本實施例 中,方形的數據點代表偵測光B的傳遞路徑上存在磁性微粒MP(即周圍磁力產生線圈124未作用)所測量到的訊號的光學密度,而菱形的數據點代表偵測光B的傳遞路徑上不存在磁性微粒MP(即周圍磁力產生線圈124作用)所測量到的訊號的光學密度。舉例來說,當待測樣品液體SF中的前列腺特異抗原抗體-辣根過氧化物酶(PSA Antibody-HRP concentration)的濃度增加時,由光學檢測模組130所測量到的訊號的光學密度應會呈線性增加。然而,由圖3很明顯地可以看出,當偵測光B的路徑上存在磁性微粒MP的時候,由光學檢測模組130所測量到的訊號的光學密度是呈非線性增加。因此無法準確地由所測量到的訊號的光學密度推知待測樣品液體SF中的前列腺特異抗原抗體-辣根過氧化物酶的濃度。
然而,當周圍磁力產生線圈124和環形中空線圈1226同時作用時,磁性微粒MP散開,而使得偵測光B的路徑上不存在磁性微粒MP時,由光學檢測模組130所測量到的訊號的光學密度是大致呈線性增加。換言之,透過本揭露之實施例中的周圍磁力產生線圈124的作用,可有效地降低磁性微粒MP對光訊號的影響,從而能夠準確地判斷出前列腺特異抗原抗體-辣根過氧化物酶的濃度。值得注意的是,圖3所使用的化合物僅作為例示說明,本揭露不以此為限。
圖4A是圖1A實施例中的微流體晶片的一種變化的上視圖,圖4B是圖1A實施例中的微流體晶片的另一種變化的上視圖,請參照圖1A、圖4A以及圖4B,在本實施例中,微流體晶片110 可包括至少位於微流道114兩旁的側壁(side walls,W),操作區域Z與檢測區域ZE為側壁W所形成之多個腔室(chambers,C),微流道114為這些腔室C之間的狹縫,且操作區域Z與檢測區域ZE的尺寸大於微流道114。藉此,待測樣品液體SF可於這些腔室C之間藉由定位磁場PM的控制通過微流道114而移動,並且可被侷限於這些腔室C中,增加定位的準確性。值得注意的是,圖4A與圖4B所繪示的腔室C的形狀僅作為例示說明本實施例,本揭露不以此為限。
更進一步而言,在本實施例中,操作區域Z與檢測區域ZE兩旁的側壁W之間的寬度D與待測樣品液體SF的直徑(length,L)尺寸可大致相同,藉此,待測樣品液體SF在通過微流道114後可被更穩定地被側壁W侷限於操作區域Z與檢測區域ZE中而不易因外力晃動而改變位置,進而可更穩定、準確地定位於檢測區域ZE。
此外,值得注意的是,在上述各實施例中的磁性微粒MP皆以順磁性材料粒子為例,而定位磁場PM以及周圍磁場SM可例如對磁性微粒MP施予吸引力而能夠以上述之方式控制磁性微粒MP的分布。然而,在其他實施例中,磁性微粒MP亦可以是具有反磁性的材料粒子,而定位磁場PM以及周圍磁場SM可例如對磁性微粒MP施予排斥力,從而亦可藉由相似之方式達成如同順磁性材料粒子實施例中的功效,本揭露不以此為限。
圖5是本揭露之另一實施例中的微流體檢測裝置的示意 圖,請參照圖1A以及圖5,與圖1A實施例中的微流體檢測裝置100相似,然而在本實施例中,微流體檢測裝置500可具有多個檢測區域ZE以及多個操作區域Z的腔室C以及這些腔室C之間的微流道114所形成的陣列,對應地,環形中空磁力產生模組120a可為多個磁力產生線圈所形成的陣列,如此一來,微流體檢測裝置500可依照需求,在同一微流體晶片510上將待測樣品液體SF移動至不同的腔室C以進行多種光學或非光學的檢測(例如圖5中待測樣品液體SF可沿著方向D1或方向D2移動至不同腔室C,本揭露不以此為限),而在多個檢測區域ZE以及多個操作區域Z之間的移動、定位以及改變磁性微粒的分布方式亦可如圖1A實施例中所述透過磁場控制。藉此,透過整合化的微流體檢測裝置500,可在需要極少量樣品的情況下,達到降低訊號干擾、提昇檢測效率與增加檢測項目的功能。
綜上所述,本揭露的實施例中的微流體檢測裝置可利用定位磁場將帶有磁性微粒的待測樣品液體移動到檢測區域,並可再利用周圍磁場將待測樣品液體中的磁性微粒分散於周圍區域,以使得檢測光的傳遞路線上不具有磁性微粒,藉此不僅可有效地控制待測樣品液體的移動與定位,亦可使磁性微粒對光學檢測的影響降至最低。此外,操作區域可具有疏水性,檢測區域可具有親水性,如此有益於待測樣品液體在操作區域的移動與在檢測區域的定位。並且,操作區域與檢測區域可為側壁所形成之多個腔室,且操作區域與檢測區域兩旁的側壁之間的寬度與待測樣品液 體的直徑尺寸可大致相同,即,待測樣品液體可位於腔室中被側壁所穩定地侷限,藉此可增加定位的穩定性,從而能夠增加光學檢測的效率與準確性。
雖然本揭露已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本揭露,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本揭露的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧微流體檢測裝置
110‧‧‧微流體晶片
120‧‧‧磁力產生模組
120a‧‧‧環形中空磁力產生模組
120b‧‧‧周圍磁力產生模組
112‧‧‧基板
114‧‧‧微流道
122‧‧‧定位磁力產生線圈
124‧‧‧周圍磁力產生線圈
130‧‧‧光學檢測模組
132‧‧‧光源
134‧‧‧檢測器
B‧‧‧檢測光
CS‧‧‧承載面
CZ‧‧‧中央區域
H‧‧‧加熱光
LZ‧‧‧雷射加熱源
MP‧‧‧磁性微粒
PM‧‧‧定位磁場
SF‧‧‧待測樣品液體
SM‧‧‧周圍磁場
TM‧‧‧調溫模組
W‧‧‧側壁
Z‧‧‧操作區域
ZE‧‧‧檢測區域

Claims (16)

  1. 一種微流體檢測裝置,適於檢測包括多個磁性微粒的待測樣品液體,該微流體檢測裝置包括:一微流體晶片,包括一基板與形成於基板上的微流道,其中該待測樣品液體被承載於該基板的一承載面上;以及一磁力產生模組,包括一環形中空磁力產生模組以及一周圍磁力產生模組,其中該環形中空磁力產生模組配置在該承載面的至少其中一側,且該環形中空磁力產生模組適於向該待測樣品液體提供一定位磁場,該周圍磁力產生模組配置於該微流體晶片的周圍,且該周圍磁力產生模組適於向該待測樣品液體提供一周圍磁場,其中,該磁力產生模組透過該定位磁場配合該周圍磁場操控移動該待測樣品液體以及改變該些磁性微粒於該待測樣品液體內的分布。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微流體檢測裝置,其中於檢測時,該周圍磁力產生模組向該待測樣品液體提供該周圍磁場,該周圍磁場驅使該待測樣品液體內的該些磁性微粒在該待測樣本液體內呈複數個柱狀堆疊的型態。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的微流體檢測裝置,其中該周圍磁力產生模組包括配置於該微流體晶片的檢測區域上側及下側中至少一側的周圍磁力產生線圈,並且該周圍磁場是由該周圍磁力產生線圈所產生。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的微流體檢測裝置,其中該周圍磁力產生線圈配置於該微流體晶片的檢測區域上側及下側至少一側。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的微流體檢測裝置,其中於操作時,該環形中空磁力產生模組向該待測樣品液體提供該定位磁場,該定位磁場驅使該待測樣品液體於該微流道中由該基板的操作區域移動到該基板的檢測區域至定位。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的微流體檢測裝置,其中該環形中空磁力產生模組包括配置並排列於該微流體晶片下側的多個定位磁力產生線圈,並且該定位磁場是由該些定位磁力產生線圈所產生。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的微流體檢測裝置,其中該環形中空磁力產生模組包括配置並排列於該微流體晶片上側的多個定位磁力產生線圈,並且該定位磁場是由該些定位磁力產生線圈所產生。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的微流體檢測裝置,其中該操作區域具有疏水性。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的微流體檢測裝置,其中該檢測區域具有親水性。
  10. 如申請專利範圍第5項所述的微流體檢測裝置,其中該微流體晶片包括至少位於該微流道兩旁的側壁,該操作區域與該檢測區域為該側壁所形成之多個腔室,其中該微流道為該些腔室 之間的狹縫,且該操作區域與該檢測區域的尺寸大於該微流道。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的微流體檢測裝置,其中該操作區域與該檢測區域兩旁的側壁之間的寬度與該待測樣品液體的液滴的直徑尺寸大致相同。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的微流體檢測裝置,更包括:一光學檢測模組,配置於在該承載面的至少其中一側並包括光源與檢測器,其中,於檢測時,該光源向該待測樣品液體提供一檢測光,該環形中空磁力產生模組與該周圍磁力產生模組驅使該些磁性微粒散開而於該待測樣品液體中形成沒有該些磁性微粒的中央區域,並且該檢測光通過該中央區域而傳遞到該檢測器。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的微流體檢測裝置,其中該光源與該檢測器分別相對該承載面而配置於該微流體晶片的異側,該微流體晶片具有透光性,且該檢測光通過該待測樣品液體與該微流體晶片而傳遞到該檢測器。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的微流體檢測裝置,其中該光源與該檢測器位於該微流體晶片的同側且與該承載面同側,該微流體晶片具有反光性,且該檢測光通過該待測樣品液體、被該微流體晶片反射、從而傳遞到該檢測器。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的微流體檢測裝置,更包括:一調溫模組,配置於在該承載面的至少其中一側,該調溫模組選擇性地對該待測樣品液體進行昇降溫。
  16. 如申請專利範圍第12項所述的微流體檢測裝置,其中該 調溫模組包括一雷射加熱源,該雷射加熱源對該待測樣品液體進行加熱。
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