TWI509369B - 曝光方法、曝光設備、和製造裝置的方法 - Google Patents

曝光方法、曝光設備、和製造裝置的方法 Download PDF

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TWI509369B
TWI509369B TW102124520A TW102124520A TWI509369B TW I509369 B TWI509369 B TW I509369B TW 102124520 A TW102124520 A TW 102124520A TW 102124520 A TW102124520 A TW 102124520A TW I509369 B TWI509369 B TW I509369B
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Description

曝光方法、曝光設備、和製造裝置的方法
本發明有關曝光方法、曝光設備、及製造裝置之方法。
在一拍射區域中的曝光終止之後，步進及掃描式掃描曝光設備於該非掃描及掃描方向中施行基板載台之步進運動至該下一個拍射區域，該曝光設備曝光用於每一拍射區域之基板。當該掃描曝光設備將該基板載台運動至該下一個拍射區域中之曝光開始的位置時，其曝光該下一個拍射區域，同時於該掃描方向中施行該基板載台之掃描運動。日本專利特許公開申請案第2000-3869號揭示一掃描曝光設備，其在下層抵達曝光位置之前預先測量該下層在該曝光位置的焦點位置。該掃描曝光設備測量待曝光區域之焦點位置、亦即基板在待曝光區域中的曝光之前的表面形狀，以在該待曝光區域抵達該曝光位置之前調整待曝光區域之焦點位置。
該基板載台在該非掃描方向中於步進運動中之驅動僅只需要在該下一個拍射區域中之曝光的開始之前被完成。然而，傳統上，於該Y(掃描)方向中之驅動輪廓被產生，以致該焦點位置之預先測量在完成該X(非掃描)方向中的步進驅動之後開始，如圖2所示。這意指一驅動輪廓被產生，以致該焦點位置之預先測量能在該拍射區域的中心位置於該X(非掃描)方向中被做成。
傳統上，因為於該X(非掃描)方向中之步進運動係在一拍射區域中之曝光的終止直至該焦點位置之預先測量的時期間施行，由此拍射區域中之曝光的終止直至該焦點位置之預先測量的時間，係於一驅動輪廓中在該Y(掃描)方向中被保持長的。譬如，在一拍射區域中之曝光的終止之後，該恆定的速度間隔被設定為長的，或該加速/減速間隔中之加速(減速)速度於該驅動輪廓中在該Y(掃描)方向中被設定為低的。再者，當在一拍射區域中之曝光製程終止時，於該X(非掃描)方向中之步進運動馬上開始。
於該傳統技術中，直至於該X(非掃描)方向中之步進運動終止，用於該下一個拍射區域之焦點位置的預先測量不能被作成，故在該下一個拍射區域中之曝光的開始之前，一長的備用時間被需要。其係因此難以使該傳統技術中之掃描曝光設備獲得高產量。
當一個拍射區域及該下一個拍射區域間之位置關係變化時，該X(非掃描)方向中之位置可改變，而該焦點位置之預先測量係在該位置關係被施行。於此案例中，被預先 製備而代表該焦點位置之偵測誤差的表格不能被使用。當代表該偵測誤差之複數表格型式亦與該焦點位置的預先測量位置中之變化對應地被製備時，表格產生及維護之負擔增加。
本發明提供一能夠改善該準確性及該產量兩者之掃描曝光設備。
本發明於其一態樣中提供一施行基板之掃描曝光的曝光方法，用於每一拍射區域，該基板藉由基板載台被固持在第一方向中，其中曝光區之表面位置係在該曝光區抵達該基板之待以曝光光線照射的一區域之前被預先測量，該基板載台之運動包括第一運動，其中該基板載台沿著一彎曲軌跡運動，及第二運動，其中該基板載台在該第一方向中直線地運動，以便改變一拍射區域至遭受該掃描曝光，及當該基板載台之運動係該第一運動時，該表面位置被預先測量，且拍射區域中之預先測量位置係在複數拍射區域之中共用的。
本發明之進一步特徵將參考所附圖面由示範實施例之以下敘述變得明顯。
1‧‧‧光源
2‧‧‧光學系統
3‧‧‧積分器
4‧‧‧聚光透鏡
5‧‧‧半反射鏡
6‧‧‧狹縫
7‧‧‧成像透鏡
8‧‧‧反射鏡
9‧‧‧罩幕載台
10‧‧‧罩幕
11‧‧‧投射光學系統
12‧‧‧基板
13‧‧‧基板載台
14‧‧‧曝光量偵測器
15‧‧‧曝光量偵測器
16‧‧‧干涉儀
17‧‧‧干涉儀
18‧‧‧焦點感測器
101‧‧‧雷射控制器
102‧‧‧曝光量計算器
103‧‧‧主要控制器
104‧‧‧罩幕載台控制器
105‧‧‧基板載台控制器
106‧‧‧儲存單元
圖1係掃描曝光設備之概要視圖；圖2係曲線圖，顯示該傳統技術中之基板載台的驅動 輪廓；圖3A係曲線圖，說明根據本發明之基板載台的驅動輪廓之範例；圖3B係曲線圖，說明根據本發明之基板載台的軌跡之範例；圖4說明根據本發明之基板載台的驅動輪廓及軌跡之另一範例的曲線圖；及圖5係曲線圖，說明根據本發明之基板載台的驅動輪廓之又另一範例。
 [曝光設備之組構]
圖1概要地顯示根據本發明之實施例的掃描曝光設備之組構。一案例將在此實施例中被敘述，其中脈衝式雷射、諸如準分子雷射被用作曝光光源。藉由用脈衝式雷射所實施的光源1所放射之光束藉由光學系統2被塑形成一預定形狀，且被入射在光學積分器3上，該光學系統將該光束塑造成一形狀。該光學積分器3係藉由譬如複眼透鏡所實施，且靠近其光線出口表面形成複數第二光源，該複眼透鏡係藉由複數微透鏡所形成。藉由該光學積分器3所放射之光束藉由聚光透鏡4照射一具有可變之孔隙形狀的可運動狹縫6。
半反射鏡5被配置於該聚光透鏡4及該可運動狹縫6之間。曝光量(劑量)偵測器14偵測藉由該半反射鏡5所 反射之光束的數量，並將信號輸出至一曝光量計算器102。通過該半反射鏡5及照射該可運動狹縫6的光束經由成像透鏡7及反射鏡8於一狹縫形狀中局部地照射電路圖案，該電路圖案形成在藉由罩幕載台9所固持之罩幕(原件)10上。
已通過該罩幕10的狹縫形光束減少及藉由投射光學系統11將該罩幕10上之電路圖案投射至塗以感光性材料(抗蝕劑)的基板(晶圓)12上。該晶圓12係藉由基板載台13所固持，該基板載台可於該X、Y、及Z方向及傾斜方向中被驅動。曝光量偵測器15被設置在該基板載台13上，其偵測經由該投射光學系統11撞擊在該基板載台13上之曝光光線的曝光量。
在開始曝光操作之前，藉由該曝光量偵測器15所偵測之基板載台13上的曝光量、與藉由該曝光量偵測器14所偵測的曝光量間之相互關係被獲得。該曝光量係於曝光操作期間使用藉由該曝光量偵測器14所偵測之曝光量而被控制。雷射控制器101按照想要之設定曝光量輸出一觸發信號及一充電電壓信號，以控制該光源1之輸出能量及振盪頻率。光衰减單元(未示出)亦可調整來自該光源1的光束之數量。
該罩幕載台9及基板載台13之位置的距離係分別藉由干涉儀16及17所測量。基於藉由該干涉儀16及17所獲得之距離測量結果，罩幕載台控制器104及基板載台控制器105被控制，以致該罩幕載台9及基板載台13於相 反方向中在諸速度下運動，該等速度具有與該投射光學系統11之投射倍率β相同的比率。在此時，於一狹縫形狀中局部地照射該罩幕圖案的狹縫光能連續地施行該晶圓12上之每一拍射區域的掃描曝光，而該罩幕圖案將藉由曝光轉印至該晶圓12上，以將該罩幕圖案轉印至該晶圓12上。
該掃描曝光設備具有一包含焦點感測器(偵測器)18的自動對焦機件，在該曝光區抵達一待以曝光光線照射的區域(曝光狹縫)之前，該焦點感測器在一參考點預先測量曝光區的表面位置。在該投射光學系統11之曝光區的中心或於其附近藉由該焦點感測器18，該自動對焦機件預先測量該曝光區之表面位置，以調整該基板載台13之水平面，以致此表面位置與最佳焦點位置重合。
主要控制器103讀取該罩幕載台9、曝光配方、及該基板載台13之運動條件(輪廓)，其對應於來自一儲存單元106的曝光配方。該主要控制器103發出命令至該罩幕載台控制器104及基板載台控制器105，以基於所讀取之輪廓驅動該罩幕載台9及基板載台13。
在用於該晶圓12上之所有想要的拍射區域的曝光操作終止之後，該晶圓12係在該曝光設備外側由該基板載台13運送經過一晶圓運送系統(未示出)。同時，該下一個晶圓12係經過該晶圓運送系統(未示出)供給至該基板載台13上。在該下一個晶圓12上所形成之圖案及該曝光狹縫接著係藉由對齊系統(未示出)對齊。形成在該晶圓12 上所選擇之複數拍射區域的周邊上之對齊標記的位置被測量，以獲得譬如旋轉之偏置、膨脹/收縮、及該晶圓12之移位，藉此定位該晶圓12上之所有拍射區域。在精細對齊之前，如稍早所敘述，粗略之對齊通常被施行，以偵測該等對齊記號。在每一拍射區域被以此方式定位之後，為每一拍射區域重複一掃描曝光。
[基板載台之運動輪廓]
圖3A顯示步進運動之輪廓，其中用於掃描曝光之目標係在一拍射區域的掃描曝光終止之後被改變至該下一個拍射區域，並掃描該下一個拍射區域之運動。於此實施例中，在該第一方向中之相同位置，一個拍射區域及該下一個拍射區域在垂直於第一方向(Y方向)的第二方向(X方向)中被鄰接配置，如圖3B所示。圖3B顯示當該基板載台13於曝光操作期間相對該固定式曝光狹縫運動時，該曝光狹縫相對該基板載台13的位置中之變化(軌跡)。注意該罩幕載台9係亦與該基板載台13同步地受驅動，且係因此按照與該基板載台13相同的輪廓受驅動。
參考圖3A，Vy(t)代表該基板載台13在時間t於該Y(掃描)方向中之速度輪廓，且Vx(t)代表該基板載台13在時間t於該X(非掃描)方向中之速度輪廓。界定該X及Y方向中之速度輪廓的個別時間亦被表達為： Texpo：掃描曝光之開始時間
Te：掃描曝光之終止時間
Tp：該焦點位置之預先測量的開始時間
To：該Y(掃描)方向中之速度為零的時間
Txs：於該X(非掃描)方向中之步進運動的開始時間
Txe：於該X(非掃描)方向中之步進運動的終止時間
於該拍射區域之掃描曝光期間、亦即在由該時間Texpo直至該時間Te的時期間，該基板載台13在該Y(掃描)方向中直線地運動。由該時間Te直至該時間Txs及由該時間Txe直至該時間Texpo，於步進運動(第二運動)期間，該基板載台13在該Y(掃描)方向中直線地運動。然而，該基板載台13在該X及Y方向兩者中沿著彎曲之軌跡由該時間Txs直至該時間Txe於步進運動(第一運動)期間運動。
用於一掃描曝光之開始時間Texpo，在該X方向中之運動的開始時間Txs被決定。於該X方向中之運動的開始時間Txs被決定為在一拍射區域之掃描曝光的時間Te與標示時間Tin之後，而在該下一個拍射區域之掃描曝光的開始時間Texpo之前。亦即，於該X方向中之運動的開始時間Txs被決定，以滿足：
Txs=Texpo-Tin...(2)
在本發明中，當步進運動係於拍射區域之間以在該X(非掃描)方向中的運動施行時，該下一個拍射區域中之 焦點位置的預先測量位置係在複數拍射區域之中共用的。亦即，該曝光狹縫的中心相對該基板載台13之位置，亦即在預先測量該拍射區域中之焦點位置的開始，該拍射區域保持相同的。亦即，在該焦點位置的預先測量之開始時間Tp，讓(Xp,Yp)為該曝光狹縫的中心之坐標，Xp及Yp係習知的設計值，且被預先設定及儲存於該儲存單元106中。亦於此實施例中，該X及Y方向中之基板載台13的速度輪廓係已知為如在圖3A中所顯示，除了於該X方向中之運動的開始時間Txs以外。
如何獲得該焦點位置之預先測量的開始時間Tp將首先被敘述。該焦點感測器18係於該Y方向中與該曝光狹縫的中心之位置隔開達Yf。然後，該距離被界定為Yf，在由該焦點位置之預先測量的開始時間Tp直至該下一個拍射區域中之掃描曝光的開始時間Texpo之時期間，該基板載台13於該Y方向中運動越過該距離。亦即，我們具有：
於此實施例中，Yf、Texpo、及Vy(t)係已知。其係因此可能由方程式(3)獲得該焦點位置之預先測量的開始時間Tp。
在該焦點位置之預先測量的開始時間Tp，當該焦點位置之預先測量的開始時間Tp被決定時，該基板載台13 之位置的Y坐標Yp被給與為：
在此Yo係該基板載台13在該時間To於該Y方向中之位置，而該Y(掃描)方向中之速度在該時間To為零。
如何於該X(非掃描)方向中使用方程式(3)所決定之Tp來獲得步進運動的開始時間Txs將在下面被敘述。在該X方向中之步進運動的開始時間Txs，當該基板載台13於該X(非掃描)方向中之位置被界定為Xxs時，該基板載台13在該焦點位置之預先測量的開始時間Tp之位置的X坐標Xp被給與為：
注意在該X方向中之步進運動的開始時間Txs，該基板載台13於該X(非掃描)方向中之位置Xxs、Tp、Xp、及Vx(t)的形狀係已知。其係因此可能獲得在該X(非掃描)方向中之步進運動的開始時間Txs，且依序獲得該標示時間Tin。
[基板載台之驅動控制的修改] <第一修改>
於該前述之實施例中，二個拍射區域係於該X方向中 鄰接配置在該Y方向中之相同位置(第一配置)。然而，本發明係亦適用於一案例，其中二個拍射區域被配置在該Y方向中之不同位置(第二配置)。如在圖4之4b中所示，當二個拍射區域被設定在該Y方向中之不同位置時，假設與4a之案例相同的驅動輪廓被使用，其中二個拍射區域係於該X方向中鄰接配置在該Y方向中之相同位置。在二個拍射區域間之步進運動期間，於4b的案例中之Y(掃描)方向中的運動量係大於在4a之案例中者。因此，於4b之案例中比於4a的案例中，由一個拍射區域中之掃描曝光的時間Te直至該下一個拍射區域中之掃描曝光的開始時間Texpo之時間必須被保持較長的。
為滿足此需求，於4b之案例中比於4a的案例中，在該下一個拍射區域中之掃描曝光的開始時間Texpo、及最後該焦點位置之預先測量的開始時間Tp被稍後設定。於此狀態中，該基板載台13在該X方向中之步進運動的開始時間Txs係與於4a的案例同時被決定。然後，如在4b所示，該基板載台13於該X(非掃描)方向中之步進運動業已在該焦點位置之預先測量的開始時間Tp終止。其結果是，於4b的案例中之焦點位置的預先測量位置變得譬如該曝光狹縫的中心，其係由4a的案例中之位置移位。
於二個拍射區域在該Y方向中之分離時，在一個拍射區域的掃描曝光之後，於4c之案例中比於4a的案例中，該Y方向中之恆定的速度間隔被設定為較長。於該X方向中之步進運動的開始時間Txs及終止時間Txe被延遲達 一時期，該Y方向中之恆定的速度間隔在該時期被設定為比於4a的案例中較長。因此，在由該焦點位置之預先測量的開始時間Tp直至該下一個拍射區域中之掃描曝光的開始時間Texpo之時期間，該基板載台13於該X及Y方向中之驅動輪廓在圖4之4a與4c的案例之間保持相同的。這意指該焦點位置之預先測量位置亦於4a與4c的案例之間亦保持相同的。該焦點位置之預先測量的開始時間Tp、及於4c的案例中在該X(非掃描)方向中之步進運動的開始時間Txs可直接地使用該前述實施例中所敘述之方法被獲得。
<第二修改>
當該曝光狹縫與該焦點感測器18之間在該Y(掃描)方向中的距離Yf改變時，該焦點位置之預先測量的開始時間Tp改變。然而，對應於被改變之Yf的焦點位置之預先測量的開始時間Tp能藉由將被改變之Yf代入方程式(3)所獲得。對應於被改變之Yf的而在該X(非掃描)方向中的步進運動之開始時間Txs能藉由將被改變之Tp代入方程式(5)所獲得。該焦點位置之預先測量位置亦能被維持恆定的，甚至當Yf被改變時。
<第三修改>
於該前述之實施例中，在該焦點位置之預先測量的開始時間Tp，為將該基板載台13設定在預定測量位置(Xp, Yp)，於該X方向中的步進運動之開始時間Txs的設定係使用在該X方向中預先決定的驅動輪廓之形狀。然而，在該焦點位置之預先測量的開始時間Tp，為將該基板載台13設定在一預定測量位置(Xp,Yp)，於該X方向中之驅動輪廓Vx(t)亦可使用在該X方向中預先決定的步進運動之開始時間Txs被設定。亦即，Txs係在上面論及實施例中於方程式(5)給與Vx(t)所獲得，同時於該X方向中之驅動輪廓Vx(t)係基於該第三修改中之方程式(3)中的習知Txs所獲得。
圖3A所示前述實施例的X方向中之驅動輪廓Vx(t)被表示為梯形形狀，並於圖5中藉由在從時間Txs直至時間Txe的時期間之虛線所指示。譬如，假設於該X方向中之步進運動的開始時間被預先決定為T’xs。於此案例中，當三角形具有與藉由虛線所指示的梯形(在該X方向中之運動距離)相同之面積時，被表示為藉由該實線所指示之三角形的驅動輪廓V’x(t)可被使用，該三角形具有藉由時間T’xs所界定直至時間T’xe(=Txe)且藉由一實線所指示之底邊。至於該驅動輪廓V’x(t)，基於在該X方向中之步進運動的開始時間T’xs，在由預先測量之開始時間Tp直至一掃描曝光的開始時間Texpo之時期間，該基板載台13於該X及Y方向中之驅動輪廓係相同的。因此，預定焦點位置之預先測量位置亦可使用該驅動輪廓V’x(t)被設定。
於該上面之敘述中，該基板載台13之驅動輪廓被表 示為速度隨著時間之改變。然而，被表示為該基板載台13的加速度或急衝度隨著時間之改變的驅動輪廓能被使用來代替速度之改變。
[製造裝置之方法]
製造裝置(譬如半導體裝置或液晶顯示器裝置)之方法其次將被敘述。半導體裝置係藉由在晶圓形成積體電路之預處理、及完成藉由該預處理而形成在該晶圓上之積體電路的晶片當作一產品的後處理所製成。該預處理包含使用該上面論及的曝光設備將塗以感光劑之晶圓曝露至光線的步驟、及使該晶圓顯影的步驟。該後處理包含一組裝步驟(切丁與接合)及包裝步驟(封裝)。液晶顯示器裝置係藉由形成透明電極之步驟所製成。形成透明電極之步驟包含將感光劑塗至玻璃基板之步驟，而透明的導電薄膜係沈積在該玻璃基板上；使用該前述之曝光設備將塗以感光劑之玻璃基板曝露至光線的步驟；及使該玻璃基板顯影之步驟。依據此實施例製造裝置之方法能製造具有一品質的裝置，該品質高於藉由該傳統技術所製成之裝置的那些品質。雖然本發明之實施例已在上面被敘述，本發明不被限制於這些實施例，且各種修改及變化可被作成，而未由本發明之範圍脫離。
雖然本發明已參考示範實施例被敘述，其將被了解本發明不被限制於所揭示之示範實施例。以下申請專利之範圍將被給與最寬廣之解釋，以便涵括所有此等修改及同等 結構與功能。

Claims (6)

  1. 一種施行基板之掃描曝光的曝光方法，用於每一拍射區域，該基板藉由基板載台被固持在第一方向中，其中曝光區之表面位置係在該曝光區抵達該基板之待以曝光光線照射的一區域之前被預先測量，該基板載台之運動包括第一運動，其中該基板載台沿著一彎曲軌跡運動，及第二運動，其中該基板載台在該第一方向中直線地運動，以便改變一拍射區域至遭受該掃描曝光，及當該基板載台之運動係該第一運動時，該表面位置被預先測量，且拍射區域中之預先測量位置係在複數拍射區域之中共用的。
  2. 如申請專利範圍第1項施行基板之掃描曝光的曝光方法，其中已遭受該掃描曝光的一拍射區域、及下一個遭受掃描曝光的一拍射區域之配置包括第一配置，其中該二拍射區域被配置在該第一方向中之完全相同的位置且在垂直於該第一方向的第二方向中彼此毗連，及第二配置，其中該二拍射區域被配置在該第一方向中之不同位置且在該第二方向中彼此毗連。
  3. 如申請專利範圍第2項施行基板之掃描曝光的曝光方法，其中讓Txs為該基板載台開始在該第二方向中運動的時間，Xxs為該基板載台在該時間Txs於該第二方向中的位置，Tp係該表面位置開始在該下一個拍射區域中被測量之時間，Xp係該基板載台在該時間Tp於該第二方向 中之位置，Texpo係於該下一個拍射區域開始掃描曝光的時間，Yf係於待以該曝光光線照射的區域及開始該表面位置之預先測量的位置間之第一方向中的間隔，且Vy(t)及Vx(t)係該基板載台分別於該第一方向中及該第二方向中之速度，Yf、Texpo、Txs、Vy(t)、Vx(t)、及Xxs被設定滿足： 及
  4. 一種曝光設備，其用於每一拍射區域在第一方向中施行藉由基板載台所固持之基板的掃描曝光，該設備包括：偵測器，被建構成在曝光區抵達該基板之待以曝光光線照射的區域之前預先測量該曝光區之表面位置；及控制器，被建構成按照一界定該基板載台之運動的輪廓控制該基板載台之運動，其中該基板載台之運動包括第一運動，其中該基板載台沿著一彎曲軌跡運動，及第二運動，其中該基板載台在該第一方向中直線地運動，以便改變一拍射區域至遭受該掃描曝光，及該輪廓被設定，以致當該基板載台之運動係該第一運動時，該表面位置被預先測量，且拍射區域中之預先測量 位置係在複數拍射區域之中共用的。
  5. 如申請專利範圍第4項之曝光設備，其中該輪廓被表示為該基板載台之速度、加速度、及急衝度的其中一者隨著時間而變化。
  6. 一種製造裝置之方法，該方法包括：用於每一拍射區域，施行藉由基板載台被固持在第一方向中之基板的掃描曝光；使已遭受該掃描曝光的基板顯影；及處理該已顯影的基板，以製造該裝置，其中於該掃描曝光中，曝光區之表面位置係在該曝光區抵達該基板之待以曝光光線照射的一區域之前被預先測量，該基板載台之運動包括第一運動，其中該基板載台沿著一彎曲軌跡運動，及第二運動，其中該基板載台在該第一方向中直線地運動，以便改變一拍射區域至遭受該掃描曝光，及當該基板載台之運動係該第一運動時，該表面位置被預先測量，且拍射區域中之預先測量位置係在複數拍射區域之中共用的。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019067809A2 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 Rudolph Technologies, Inc. SYSTEM AND METHOD FOR OPTIMIZING LITHOGRAPHIC EXPOSURE METHOD
JP7022611B2 (ja) * 2018-02-06 2022-02-18 キヤノン株式会社 露光装置の制御方法、露光装置、及び物品製造方法
WO2021168359A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Onto Innovation, Inc. System and method for correcting overlay errors in a lithographic process

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007281097A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2008071839A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Canon Inc 表面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2008300579A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3316833B2 (ja) * 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
US6118515A (en) * 1993-12-08 2000-09-12 Nikon Corporation Scanning exposure method
JP3371406B2 (ja) * 1994-08-26 2003-01-27 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH09306833A (ja) * 1996-03-14 1997-11-28 Nikon Corp 露光方法
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
US6090510A (en) * 1997-03-25 2000-07-18 Nikon Corporation Method for scanning exposure
JP2000106340A (ja) * 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JPH11233433A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp 走査型露光装置及び走査露光方法並びにデバイス製造方法
JP2000100721A (ja) * 1998-07-21 2000-04-07 Nikon Corp 走査露光方法および走査型露光装置ならびにデバイスの製造方法
JP3230675B2 (ja) 1999-06-14 2001-11-19 株式会社ニコン 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法
US6381004B1 (en) * 1999-09-29 2002-04-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2001168024A (ja) * 1999-09-29 2001-06-22 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870058B2 (ja) * 2001-10-05 2007-01-17 キヤノン株式会社 スキャン露光装置及び方法並びにデバイスの製造方法
JP4840958B2 (ja) * 2003-10-21 2011-12-21 キヤノン株式会社 走査露光装置及びデバイス製造方法
JP2009295932A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US8488109B2 (en) * 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5498243B2 (ja) * 2010-05-07 2014-05-21 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007281097A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2008071839A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Canon Inc 表面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2008300579A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

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