TWI507567B - 圓柱幾何體中電鍍的方法及裝置 - Google Patents

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Description

圓柱幾何體中電鍍的方法及裝置
本發明係關於一種在可撓性金屬基板上電鍍導體及半導體化合物的技術領域。
光伏面板,特別是稱為涉及薄層的「平板」的生產,需要來自週期表的第11、12、13、14以及16行(column)的化合物的電鍍方法,舉例而言,例如那些基於銅(Cu)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銦(In)、鎵(Ga)、鋁(Al)、硒(Se)和硫(S)的化合物以及基於硒化物、碲化物或硫化物的化合物。這些電鍍按照慣例由兩種類型的技術完成:與剛性基板相關的稱為「分批」的工藝,或者那些結合有在整個生產線上展開的可撓性基板的稱為「卷對卷」的工藝。
從工業的角度來看,卷對卷工藝相比較於分批工藝具有降低面板塊和提高生產速度的優點,從而降低了生產成本。然而,從分批方法到卷對卷方法的過渡需要性能確認步驟。
目前,在卷對卷技術沒有得到像分批技術一樣很好的管理,這使得涉及可撓性基板的裝置失去了精確、經濟以及可靠的生產方法。
文檔US 6406610提出了一電解槽,此電解槽中浸沒有經過一附近陽極可移動的一可撓性基板。文獻DE 19751021還提出了使用卷對卷 方法的一電解裝置,此電解裝置透過在容納有一陽極的槽中卷動一可撓性基板而作業。
然而,在這些文件中提出的技術使用儲箱,儲箱的幾何形狀不能夠最優化電解槽中溶液的均勻化。此外,這些儲箱可從意在減少電鍍所需溶液量的優化中受益。
更多有利的幾何形狀可在分批方法中所知。特別地,如在US 5628884文件所述,使用一圓柱幾何體,透過在本身為圓柱形的儲箱中容納的電化學槽中圍繞一剛性圓柱形基板的軸線旋轉這個圓柱形基板,可有利地使用流體控制。
因此,有必要優化用於處理可撓性基板的電鍍技術,以便能夠從所知技術及分批方法中使用的技術兩者中的優點中獲益,同時能夠從卷對卷技術的節省製造成本及速度中獲益。
為此,本發明提供了一種透過電化學在可撓性基板上電鍍薄層的方法,包含以下步驟:- 在一電解槽中,提供一第一封閉的圓筒於一第二中空的圓柱體內部;- 將可撓性基板提供於第一圓筒的外表面與第二圓柱體的內表面的一個,可撓性基板形成一第一電極,- 在電解槽中,提供至少一個第二電極,以及- 在第一電極與第二電極之間提供一電勢差以電鍍可撓性基板上的薄層。
特別地具有兩種用於定位基板的設置。基板能夠放置於封閉的圓筒的外表面上或者放置於中空的圓柱體的內表面上。有利地,基板形成一陰極。第二電極有利地形成一陽極且可位於電解槽中放置的一第三圓柱體上,或者可再次放置於電解槽中存在的其他圓柱表面上或者甚至為浸沒於電解槽中的一大致的扁平電極。
此方法具有允許節省所使用電解溶液體積的優點。事實上,在一圓柱幾何體中,電解溶液容納於形成一儲箱的封閉圓筒的外表面與中空的圓柱體的內表面之間。圓柱幾何體電解反應器不需要使用攪拌系統以均化溶液。因此,從儲箱中分離陰極的距離小,並且可能節省電解溶液。
另外,這種幾何形狀特別適合於可撓性基板,因為這些基板相比較於具有平行六面體的幾何形狀的電解槽能夠在較小體積的圓柱體上將大量彎曲表面匯集到一起。
使用電鍍可撓性基板的圓柱幾何體,可精確地控制用於在基板上電鍍化學元素的這些參數。特別地,電鍍速度或電鍍的組成可至少透過使用幾個不同的參數,例如溶液中電活性物質的濃度、兩個電極之間的電流循環、所提供的電勢以及旋轉速度來得到控制。
第一電極與第二電極之間應用電位差,可透過在兩個電極之間提供電流或者透過在這些電極之間提供電壓來完成。
第一電極為一陰極而第二電極為一陽極。可提供一輔助的參考電極。
可執行額外的步驟以改善電鍍的方法。
因此,在電鍍期間可繞軸線旋轉的第一圓筒。
伴隨這種旋轉,可省去用於均勻化電解溶液的攪拌系統。此外,通過控制旋轉速度,可以選擇不同的運行狀況:在層流,或具有或不具有渦流的紊流中電鍍。這些可能性有助於提高電鍍質量的控制。特別地,有利的是選擇層流狀態用以從均質溶液中受益,並且允許一化學元素電鍍產生具有較少的表面不規則性的層。
有利地,第二電極旋轉。旋轉第二電極可用以均勻化溶液或者甚至透過電解溶液中的混合將其放置在特定的流體動力區域中。另一個優點是,在第二電極不位於兩個圓柱幾何體中的一個表面上的情況下,將不一直使得基板的同一區域保持面對第二電極。因此,有利地,第二電極回轉封閉的圓筒還能夠自身回轉,特別是當第二電極的幾何形狀由於這種旋轉使得它能夠混合電解溶液時,例如,當第二電極位於兩個圓柱體的一個之上時。在其中第二電極和陰極位於具有大致平行、不同軸線的圓柱體上的特定實施例中,第二電極和陰極可在電解槽中除圍繞它們各自軸線回轉之外,還能夠互相圍繞轉動。
有利地,此方法可提供與第二中空的圓柱體同軸的第一封閉的圓筒。由第二中空的圓柱體形成的儲箱中具有第一封閉圓筒的設置,當圓柱體的一個或兩個圍繞它們的共同相應的軸轉動時用以支持一層流區。
在一些實施例中,不需要在儲箱中添加一第二電極。實際上,第一圓筒的外表面與第二圓柱體的內表面之中的另一表面可確定為第二電極。
這種配置特別有利的是,至少對於彼此面對的導電部分,可從電解槽中第二電極與陰極之間形成的一恆定距離中受益。因此,第二電極與陰極之間陽離子的循環在電解槽中更均勻地發生。在本實施例中,第二電極有利的是形成陽極的一反電極。
一些電鍍的執行可透過在電解槽中逐步溶解一第二可溶性電極來完成。舉例而言,可包含硫酸銅溶液中一銅的第二電極。當一電流在第二電極與陰極之間提供時,基板上陽離子的鍍層引起的銅原子的釋放,銅原子從可溶的第二電極轉變成陽離子。在這種方式下,電鍍可繼續,直到第二電極的完全消耗完。
因此,第二電極可較佳選擇為與溶液中的離子相同的性質,因為第二電極用作連續地再生在工業應用方面提供甚至更好的靈活性的此種溶液。
為了便於能夠將承載基板的封閉的圓筒移動一距離,本方法當可撓性基板提供於封閉的第一圓筒的外表面時,可提供用於連接到第一圓筒的一可移動搬送臂。搬送臂用以圍繞電解槽外部的一軸線轉動,並且平行於第一圓筒的軸線而平移。搬送臂還可用以進行徑向位移。
使用上述的搬送臂,可實現將第一圓筒從第二圓柱體中的儲箱位移至一第三圓柱體中的至少一個儲箱。在這種方式下,本方法可包含特別適合於工業方法的幾個不同的連續電鍍的步驟。
因為搬送臂從一個儲箱移動到另一儲箱,因此本方法可具有比電鍍步驟更豐富的步驟。特別地,本方法可包括朝向退火外殼移動第一圓筒。退火步驟對於製造光敏器件如光電池特別有用。
除了上述的電鍍方法以外,本發明還關於在本方法期間使用的圓柱形反應器幾何體。
因此,本發明還關於一種在可撓性基板上電化學電鍍至少一個薄層的裝置,包含:- 一第一封閉的圓筒,設置於一第二中空的圓柱體內部;- 一可撓性基板,提供於第一圓筒的外表面與第二圓柱體的內表面的一個上,可撓性基板形成一第一電極,- 一第二電極。
此裝置提出與可撓性基板結合使用一圓柱幾何體反應器。使用這樣的組合相比較於執行電鍍的平行六面體幾何體,可從電解溶液的較小量之中獲益,並且由於混合封閉的圓筒與中空的圓柱體之間容納的一溶液更具有吸引力的可能性,因此可在更均勻的溶液中執行電鍍。
使用這種裝置還可對基板選擇兩個位置。基板可放置在封閉的圓筒的外表面上或放置於形成電解槽的中空圓柱體的內表面上。
這種裝置也可想像到多種配置。
更特別地,在第一圓筒的外表面與用於第二電極的第二圓柱體的內表面之中可能具有另一表面。
根據這樣的結構,也可從受益於第二電極相對的第一電極排列且這兩個電極之間具有恆定距離。這種配置對於這兩個電極覆蓋第一圓筒及第二圓柱體的全部表面,其中這兩個電極分別放置於第一圓筒及第二圓柱體上的情況特別有利。
承載基板的圓柱體的運動可以受控的方式遠程進行,特別 使用連接到第一圓筒的搬送臂來完成。因此,用於將第一圓筒連接至搬送臂的裝置可設置在第一圓筒上。當基板不在第一圓筒上承載時,搬送臂可透過執行圓筒圍繞圓筒軸的一可控旋轉且可能透過在電解槽中平移圓筒來混合電解溶液。
使用上述裝置的電鍍可有利地使用幾個步驟。因此,本發明還涉及包含如上所述的裝置的設備。
根據一實施例,如此的設備進一步包含:- 一可移動的搬送臂,連接至封閉的圓筒,以及,- 至少一個退火外殼。
這些項目特別適用於光電池的電鍍。實際上,透過使用搬送臂,有利地安裝在一封閉的圓筒上的基板可從一個儲箱到另一個儲箱。此外,有利的是提供形成蓋的一套環,此蓋剛性連接到搬送臂,以密封設備的系列儲槽。
還原退火及例如超過400℃的高溫,使用退火外殼能夠執行氣相沉積步驟。
較佳地,搬送臂可包含用來封閉閉第二圓柱體的一套環。此套環可形成一頂蓋以封閉這個設備中的不同儲箱,例如電解槽以及退火外殼。這樣,有可能:- 注入一惰性氣體於儲箱中,以避免任何氧化現象,- 避免電解溶液飛濺出儲箱之外或者- 將退火外殼從設備的其他部分隔離開,以避免將儲箱暴露於高溫下,其中基板是在此外殼中暴露於高溫。
1‧‧‧圓筒
2‧‧‧儲箱
3‧‧‧基板
4‧‧‧參考電極
5‧‧‧馬達
6‧‧‧空心軸
7‧‧‧第二電極
8‧‧‧第一電極
9‧‧‧電源
10‧‧‧帶齒的圓盤
11‧‧‧蓋
60‧‧‧搬送臂
201‧‧‧退火外殼
220‧‧‧儲箱
230‧‧‧儲箱
I‧‧‧電流
ω‧‧‧角速度
z‧‧‧平移
θ‧‧‧旋轉
r‧‧‧徑向平移
本發明主體的方法將透過閱讀說明書且參考以下的圖式得到更好的理解,這些圖式中:第1圖為源自本發明主體的方法的具有圓柱幾何體的一樣本電鍍裝置;第2圖為本發明主體的電鍍方法的四個主要步驟;第3a圖為根據一實施例的圓柱幾何體的電鍍設備的示意透視圖;第3b圖為根據第3a圖中所示的實施例的圓柱幾何體的電鍍設備的示意圖;第4圖為在平行六面體和圓柱形的電解槽中三種不同基板尺寸使用的電解溶液體積(升)的圖式;第5圖為根據一實施例中製造可撓性基板上光伏面板的16個步驟。
如第1圖所示,本發明利用一圓柱幾何體電鍍裝置,此圓柱幾何體電鍍裝置包含一大致的圓柱形儲箱2,圓柱形儲箱2中插入有一封閉的圓筒1。如第1圖所示,封閉的圓筒1在其外表面的一部份上包含一可撓性基板3。此基板連接至一電源9以形成第一電極8,第一電極8有利地形成為一陰極。如第1圖所示,儲箱2也連接至電源9以形成第二電極7,第二電極有利地為一反電極或陽極7。作為一獨立電勢的探針的一參考電極4也可提供於封閉的圓筒1與儲箱2之間的電解槽中。
在第一步驟中,由儲箱2分隔的電解槽填充有一電解溶液,電解溶液的濃度C根據特定的電鍍參數而選擇。透過在基板與參考電極之間提供一電流I或一電壓,或甚至在陽極7與陰極8之間在基板和由電源9 產生的陽極之間施加電壓而開始電鍍。然後封閉的圓筒1利用驅動一臂6的馬達5以角速度ω旋轉。角速度ω隨後將指定為在儲箱2中圍繞封閉圓筒1的軸線旋轉的圓筒1的旋轉速度。
本發明的電鍍方法包含第2圖所示的四個主要步驟。第一步驟S1,包含將可撓性基板3放置於一圓筒上。可能會出現兩種顯著的情況。
在一第一實施例中,有利地,將基板3放置於封閉的圓筒1的外表面上。基板可利用帶齒的圓盤10,或用於將一可撓性基板附裝於圓筒形表面上的任何附裝裝置,例如應用黏合劑、通過基板3下的減壓而保持或甚至利用在化學溶液中具有惰性的一機械爪而保持到位。在基板提供了一個緊密的密封且不允許電解溶液進入圓筒1內部的狀態下,封閉的圓筒1的彎曲表面可進一步為基板3本身。當基板3不是封閉的圓筒1的一固有部分時,封閉的圓筒1可具有一電絕緣性的外表面,以避免在基板3以外的區域上電鍍。在相反的情況下,一電絕緣材料能夠應用於暴露封閉的圓筒1的一導電表面的基板3以外的區域。
一替代實施例為將可撓性基板3放置於儲箱2的內表面上。在本實施例中,封閉的圓筒1可導電且形成一第二電極,第二電極可以是一反電極或陽極7。封閉的圓筒1也可至少部分地覆蓋有一導電材料以形成第二電極、反電極或陽極7。儲箱2可有利地電絕緣,或者在相反的情況下,暴露的導電區域可覆蓋有一電絕緣材料。
第三替代實施例可為將基板3放置於封閉的圓筒1的外表面上且將一第二,大致上為圓柱形的電極7放置於大致的圓筒形儲箱2中。 第二電極7可為一封閉的圓筒且至少部分地覆蓋有連接到電源9的一導電元件。這兩個圓筒可繞各自的軸線旋轉並移動在儲箱2中移動,以便在電鍍方法過程中混合電解溶液。
在將可撓性基板3安裝於一圓筒上的第一步驟S1之後,在步驟S2中把封閉的圓筒1在中空的圓筒形儲箱2中放置到位。此放置到位可有利地使得封閉的圓筒1與儲箱2基本上是同軸的。透過將封閉的圓筒1放置於儲箱2中,以使得這兩個圓筒是同軸的,因此能夠從特定流體力學中受益以均質化電解溶液。
有利地,電解槽在以下的步驟S3中準備。準備包含在位於封閉的圓筒1與儲箱2之間的體積中澆注一液體電解質溶液。還包含應用電觸點將基板3連接至一電源9且還將反電極7(可為儲箱2)連接至同樣的電源9。有利的是,在位於陽極7與陰極8之間的空間中設置一參考電極4,參考電極4作為一獨立的電勢探針。覆蓋有一金屬層,例如鉬的可撓性基板3可以與一銅條電連接。為了避免在此條上沉積元素,此條的暴露表面可覆蓋有電絕緣材料。
另外,也可顛倒步驟S2及S3。
根據一有利的實施例,儲箱2不是第二電極7,並且第二電極7是可溶於電解溶液且由傾向於在基板3上電鍍的材料製成。
嚴格而言,電鍍從一旦透過兩個電極7與8之間,例如陽極7與陰極8之間的電源提供的一電流I開始。這個電流在步驟S4中提供。因為這個電流,陽離子,例如電解質溶液中存在的來自第11、12、13、14以及16行的至少一種元素,從第二電極,例如陽極7移動至形成陰極8的 基板3。當反電極7為可溶時,電流的應用將陽極7逐步溶解在電解槽中。例如,陽極7可為浸沒在硫酸銅或硝酸的電解溶液中的銅。在電鍍期間,利用溶液中離子的減少在基板3上電鍍銅伴隨著從陽極7溶解相同量的銅。
有利地,此種方法包含相對於中空的圓柱形儲箱2旋轉封閉的圓筒1的附加步驟。利用這個旋轉,可能在電解溶液中產生特定的流體動力學以便均質化溶液,且因此保證在基板3上化學元素的更均勻的電鍍。
此外,可以想像到儲箱2繞其軸線旋轉,而不是封閉的圓筒1繞其軸線旋轉。所得到的均勻化的效果是相同的。
在可撓性基板3上的電鍍因此由三個參數控制:在電解溶液中的陽離子濃度C、由電源9或基板與參考電極4之間的電鍍電勢V提供的電流的強度I、以及在儲箱2中封閉的圓筒1繞其軸的角速度ω。
通過精密確定這三個參數,可能保證電化學電鍍在組成和厚度上的控制。
有利地,電化學電鍍是在一個以上的步驟中執行的,以建立一複雜的裝置,例如可撓性基板3上的一感光板。根據作為本發明的主題的方法,生產這種面板涉及的裝置表示於第3a圖及第3b圖中。生產如此一面板有利地包含若干連續的液相電鍍。首先,可電鍍銅、銦以及鎵。然後所得到的層能夠有利地在退火外殼201中在氣相下經受還原退火。為了實現這一點,包含可撓性基板3的封閉的圓筒1可使用一搬送臂60移動,搬送臂60用以執行沿著圓筒之軸線的一平移及圍繞大致平行於封閉的圓筒1之軸線且位於儲箱2之外部的軸線的旋轉。這樣,可能在圓柱形儲箱2、 220、230中圍繞搬送臂60的一圓有利地設置的幾個電解槽。然後承載有可撓性基板3的封閉的圓筒1可透過搬送臂60的平移z及旋轉θ從一個電解槽移動到另一個電解槽中。此外,連同上述的兩種運動模式,搬送臂60還可有利地透過徑向平移r移動,由此允許在三個空間方向上運動。
例如在氫氣環境下,還原退火的步驟能夠在一退火外殼201中執行,其中在退火外殼201中,可撓性基板3透過熱氣體推動經受熱處理,如同在專利FR 2975223和FR 2975107中所述。有利地,然後搬送臂60包含一套環,此套環形成安裝於封閉的圓筒1之上方且適合於封閉電解槽的儲箱2、220、230以及還原外殼201的蓋11。封閉還原外殼201特別有利的是要考慮到氫氣的存在可與存在於空氣中的氧氣接觸起反應。透過封閉儲箱2、220、230,可能產生一基本的真空或向這些儲箱中注入一惰性氣體,以避免除了浸沒在電解溶液中之外,那些不浸漬於電解溶液中的電極及圓筒壁的氧化。
還原退火步驟可有利地之後跟接著在同一退火外殼201中,在氣相且超過400℃的溫度下的一硒化或硫化步驟。
隨後,得到的例如包含一Cu(In、Ga)Se2 型吸收層的裝置,經過液相的兩個其他電鍍。這些電鍍可以是:透過化學過程的一第一硫化鎘(CdS)電鍍形成一緩衝層,以及一第二氧化鋅(ZnO)電鍍,形成對應於感光板的頂電觸點的一透明導電層,其中,可撓性基板3的初始金屬層,例如鉬,形成後觸點。
除了電鍍方法之外,本發明還涉及一種用於可撓性基板3的圓柱幾何體的電鍍裝置。
相比較於平行六面體幾何形狀的電鍍裝置,使用圓柱幾何體的電鍍裝置可能節省大量的電解溶液。實際上,電解溶液包含於一方面由封閉的圓筒1另一方面由儲箱2限定的容積中。因此,似乎圓柱幾何體使得能夠減少由封閉的圓筒1之尺寸增加所使用的電解溶液量。基板3的尺寸越大-並且因此封閉的圓筒1的外表面越大-則溶液的體積節省越大。第4圖為表示不同電解槽的一圖表,其中一些電解槽具有平行六面體的幾何形狀且其他電解槽具有圓柱幾何形狀,並且基板3具有三種不同尺寸:10×10平方厘米、15×15平方厘米以及30×60平方厘米。此圖表表明,對於較大的基板3的表面利用一圓柱幾何體的電化學裝置具有優點。事實上,為了對具有30×60平方厘米一表面面積的基板3的電鍍,相比較於平行六面體幾何形狀的電解槽大約200L,圓柱幾何體需要大約55L。在本實例中,使用圓柱幾何體,可實現節省使用的電解溶液大約4倍的因子。
本發明主體的電鍍裝置,例如,第1圖中所示的電鍍裝置,有利地包含一中空的圓柱形基板載體,透過兩個帶齒的圓盤10在兩端封閉。從電源9連接至形成為陰極8的基板3的電觸點透過有利地設置在封閉的圓筒1上方的一空心軸6而選擇路徑。因此用於陰極的電觸點能夠跟隨基板3的旋轉而不扭曲。較佳地,涉及一轉動的電觸點。有利地,空心軸6可包含位於封閉的圓筒1頂部的一套環,此套環形成用以封閉儲箱2頂部的一蓋11。這使得可能在電鍍相期間避免電解溶液的蒸發或者避免或者可發生的飛濺。此外,如上所述,形成一蓋的套環11的存在用以密封儲箱2且將一惰性氣體注入於其中,用以限制蓋與溶液高度之間包含的外部大氣中存在的氧氣進入至電解溶液中。這樣能夠避免浸沒的部分與非浸沒 下部分兩者同時氧化。
儲箱2、220、230可包含開口,通過此開口連續地或在選定的時間間隔注入電解溶液。特別地,可能提供一個開口作為添加電解溶液或漂洗液的入口及一第二開口作為排出電解溶液或漂洗液的出口。使用這些開口,儲箱可重複使用於要求不同組合的電解溶液的不同化學元素的電鍍。
在其外表面上,可撓性基板3包含一金屬導體,此金屬導體可例如為鉬、鈦、鋁、銅或通常用作電解槽中的一導電金屬的任何其他材料。電鍍可有利地包含電鍍不同化學元素的幾個步驟。通常,在感光板的製造中,期望製造不同材料的薄膜層的層疊,例如包含:銅、銦、鎵、硒、硫化鎘以及氧化鋅的層疊。
製造層的堆疊要求一個以上的電鍍步驟。此外,不同材質的電鍍可包含容納電解槽的幾個儲箱,以及適合於電鍍的每一材料的退火外殼。因此,本發明還涉及一種用於在可撓性基板3上電鍍的設備,例如在第3a圖及第3b圖中所示。
如第3a圖所示,封閉的圓筒1剛性地連接到一搬送臂60,搬送臂60具有位於儲箱2外部且大致與第一及第二圓柱體1及2軸線相平行的一旋轉軸。搬送臂60附裝至封閉的圓筒1能夠使用不同的連接裝置來完成,舉例而言,如螺紋連接、焊接或夾持。如上所示,搬送臂60有利地在圓筒1上方具有一套環11,套環11形成用以封閉電解儲箱2、201、220、230的頂端的一蓋。儲箱2、220、230以及退火外殼201的設置有利地為圓形,從而使得搬送臂60的移動更加容易,並減少了設備佔用的空間。
搬送臂60可圍繞儲箱2、220、230外部的一軸線轉動,沿搬送臂的旋轉軸平移z以及相對於此旋轉軸徑向移動。使用這樣的搬送臂60的位移的系統,可能將基板3搬運到設備中的任何一點。
如第3a圖及第3b圖中所示的設備具有顯著減少用於生產感光裝置中的設備佔地面積的優點。舉例而言,為了在30×60、30×120或甚至60×120平方厘米的基板上製造一面板,儲箱2可通常具有一34厘米的半徑。假設兩個電解儲箱安裝於同一直徑的搬送臂60的行程上,則這兩個反應器的區域將接近70厘米。為了給搬送臂60及設備的操作者留有空間,有利的是,採取這個尺寸的四倍,或大約3米。具有設備這樣的尺寸,甚至可以考慮銅、銦以及鎵電鍍及還原退火之間,且還考慮硫化鎘電鍍與氧化鋅電鍍之間的清洗反應器的存在。
還可設想到在水平位置而不是垂直位置設置一電鍍裝置或甚至一設備。有利地,還可能一個儲箱堆疊於另一個儲箱之上且沿著垂直軸移動搬送臂60以將基板3從一個儲箱移動至另一個儲箱。這樣的結構具有的優點是透過一向上的佈局優化地面空間。
實施的實例
第5圖表示16個步驟的本發明具體實施例。
在一第一步驟S500期間,包含一50μm厚鉬塗層的可撓性基板放置於10cm的半徑及150厘米高的封閉圓筒1中。
在步驟S501中,一可溶性銅陽極放置於一34厘米的半徑及150厘米高的電絕緣的儲箱2中。一參考電極4也要求放置於儲箱2中。
在步驟S502中,封閉的圓筒1放置於圓柱形儲箱2中,以 使得這兩個圓柱體基本上同軸。電觸點用以將電源9連接至形成為一陰極的可撓性基板3,還連接至形成一陽極的反電極7。
在步驟S503中,含有1摩爾/升(mol/L)硫酸銅的0.25摩爾/升濃度的硫酸電解溶液注入於儲箱2中。
在步驟S504中,相對於基準電位為1伏特(V)的電勢或450毫安(mA)的電流I提供於陽極7與陰極8之間。
在以下的步驟S505中,封閉的圓筒1繞其軸線以10RPM的速度旋轉15分鐘。
在此步驟結束時,溶液中存在的銅覆蓋可撓性基板3,並由此形成銅層。
因為溶液中的銅離子濃度的發展,銅陽極7得以溶解,並且由此導致精密調節濃度的溶液。
然後進行儲箱2的一清洗步驟S506。
在這個清洗步驟之後,在步驟S507中,一新的銦陽極7放置於填充有硫酸及硫酸銦的電解槽中。
在步驟S508期間,然後執行如前所述的一銦的電鍍。
類似於上面所述,在步驟S509中,在儲箱2中執行清洗。之後在步驟S510中引入一可溶性的鎵陽極7,在步驟S511中進行鎵電鍍。
接著,使用搬送臂60將封閉的圓筒1移動至還原退火外殼201。在步驟S512中,在氫氣環境下完成一高溫的還原退火。
此步驟之後,在步驟S513中,在與前一步驟相同的外殼201中進行高溫硒化。
接著,在步驟S514中,封閉的圓筒1移動到執行使用硫化鎘(CdS)的化學電鍍的儲箱220。
最後,封閉的圓筒1移動到一電解儲箱230中,其中在電解儲箱230中通過氧化鋅(ZnO)層的電鍍製成感光板。
本發明並不限於上述的實施例,並且可包含等同的實施例。
舉例而言,可使用非圓形截面的大致圓筒狀的儲箱。另外,透過動態改變電流I、電勢V、角速度ω以及陽離子濃度C,也可在製程期間變化電鍍參數。
裝置及設備的不同元件的佈局可與上述的不相同,特別是為了增加設備的人機工程學。另外,也可使用一搬送臂60透過沿著三個空間方向平移來移動基板3。
也可想到在相反方向上或在相同的方向同時旋轉儲箱2、220、230以及封閉的圓筒1。當反電極不是封閉的圓筒1或儲箱2、220、230時,可在電解槽中圍繞基板3和繞其軸線旋轉反電極7。
儲箱的充填速率可從一種電鍍到另一種電鍍而不同。因此,可能只部分地使用電解溶液填充儲箱,或者可完全填充。
1‧‧‧圓筒
2‧‧‧儲箱
3‧‧‧基板
4‧‧‧參考電極
5‧‧‧馬達
6‧‧‧空心軸
7‧‧‧第二電極
8‧‧‧第一電極
9‧‧‧電源
10‧‧‧帶齒的圓盤
11‧‧‧蓋
ω‧‧‧角速度

Claims (16)

  1. 一種透過電化學在可撓性基板上電鍍薄層的方法,包含以下步驟:- 在一電解槽中,提供一封閉的第一圓筒於一中空的第二圓柱體內部;- 將該可撓性基板提供於該第一圓筒的外表面與該第二圓柱體的內表面的一個上,該可撓性基板形成一第一電極,- 在該電解槽中,提供至少一個第二電極,以及- 在該第一電極與該第二電極之間提供一電勢差以電鍍該可撓性基板上的該薄層。
  2. 如請求項1所述之透過電化學在可撓性基板上電鍍薄層的方法,包含在電鍍期間,該第一圓筒圍繞自身的軸線旋轉。
  3. 如請求項1或2所述之透過電化學在可撓性基板上電鍍薄層的方法,提供該第二電極的旋轉。
  4. 如請求項1或2所述之透過電化學在可撓性基板上電鍍薄層的方法,提供與該中空的第二圓柱體同軸的一第一封閉的圓筒。
  5. 如請求項1或2所述之透過電化學在可撓性基板上電鍍薄層的方法,其中該第一圓筒的該外表面與該第二圓柱體的該內表面之中的另一表面為該第二電極。
  6. 如請求項1或2中的任意一項所述之透過電化學在可撓性 基板上電鍍薄層的方法,提供一第二可溶性電極。
  7. 如請求項1或2所述之透過電化學在可撓性基板上電鍍薄層的方法,其中該可撓性基板提供於該第一圓筒的該外表面上,以及提供連接至該第一圓筒的一可移動的搬送臂。
  8. 如請求項7所述之透過電化學在可撓性基板上電鍍薄層的方法,包含該第一圓筒從該第二圓柱體中的該電解槽平移至一第三圓柱體中的至少一個儲箱。
  9. 如請求項7所述之透過電化學在可撓性基板上電鍍薄層的方法,包含該第一圓筒朝向一退火外殼移動。
  10. 一種在可撓性基板上電化學電鍍至少一個薄層的裝置,包含:- 一封閉的第一圓筒,設置於一中空的第二圓柱體內部;- 一可撓性基板,提供於該第一圓筒的外表面與該第二圓柱體的內表面的一個上,該可撓性基板形成一第一電極,- 一第二電極。
  11. 如請求項10所述之在可撓性基板上電化學電鍍至少一個薄層的裝置,其中該第一圓筒的該外表面與該第二圓柱體的該內表面之中的另一表面為該第二電極。
  12. 如請求項10所述之在可撓性基板上電化學電鍍至少一個薄層的裝置,其中該第二電極為可溶性的。
  13. 如請求項10至12中的一項所述之在可撓性基板上電化學電鍍至少一個薄層的裝置,其中該第一圓筒包含用於連接至一搬送臂的裝置。
  14. 一種在可撓性基板上電鍍堆疊薄層之設備,包含根據請求項10至13的一項所述之在可撓性基板上電化學電鍍至少一個薄層的裝置。
  15. 如請求項14所述之在可撓性基板上電鍍堆疊薄層之設備,進一步包含:- 一可移動的搬送臂,連接至封閉的該第一圓筒,以及,- 至少一個退火外殼。
  16. 如請求項14或15所述之在可撓性基板上電鍍堆疊薄層之設備,其中該搬送臂包含用以封閉該第二圓柱體的一套環。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109423686B (zh) * 2017-09-01 2021-03-02 泉州市同兴反光材料有限公司 一种圆电镀槽
KR102225379B1 (ko) * 2018-11-27 2021-03-10 한국에너지기술연구원 연속 반응기 타입의 코어-쉘 촉매 전극 제조장치 및 그 제조방법
CN110438537B (zh) * 2019-08-09 2021-10-01 常州大学 一种高通量换热管及其制备方法和应用
CN110592645B (zh) * 2019-09-23 2021-08-17 徐州徐工液压件有限公司 一种新型油缸内壁电镀挂具
CN110644023B (zh) * 2019-09-27 2021-04-27 江苏澳光电子有限公司 一种缠绕增强式柱形体电镀工艺及其电镀结构
CN113549982B (zh) * 2021-07-26 2022-12-13 成都飞机工业(集团)有限责任公司 一种圆柱形零件电镀装置及电镀方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0143868A2 (de) * 1983-12-01 1985-06-12 Carl August Heinz Glashüttenwerke GmbH & Co. KG Behandlungsvorrichtung zur Behandlung von Gegenständen
JP2009120935A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Samsung Electro Mech Co Ltd 円形めっき槽

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US902892A (en) * 1908-06-27 1908-11-03 American Circular Loom Co Method of and apparatus for electroplating.
US4102770A (en) * 1977-07-18 1978-07-25 American Chemical And Refining Company Incorporated Electroplating test cell
JPS5881990A (ja) * 1981-11-11 1983-05-17 Fujitsu Ltd 電気めつき処理方法
JPH0632366B2 (ja) * 1985-07-19 1994-04-27 日立電線株式会社 フレキシブル印刷配線板への電気めつき方法
JPH0222499A (ja) * 1988-07-12 1990-01-25 Yamaha Corp メッキ装置
DE19751021C2 (de) 1997-11-18 2000-04-27 Bolta Werke Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Kobaltfolie
JP2000002598A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Yamamoto Mekki Shikenki:Kk 高速電気めっきの内部応力試験装置
US6162333A (en) * 1999-01-22 2000-12-19 Renovare International, Inc. Electrochemical cell for removal of metals from solutions
US6139711A (en) * 1999-02-17 2000-10-31 Lucent Technologies Inc. Hydrodynamically controlled hull cell and method of use
GB2360235B (en) 2000-03-10 2002-02-06 Platarg Engineering Ltd Workpiece ejector for transfer press
US7189647B2 (en) * 2001-04-05 2007-03-13 Novellus Systems, Inc. Sequential station tool for wet processing of semiconductor wafers
FR2975223B1 (fr) 2011-05-10 2016-12-23 Electricite De France Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur.
FR2975107B1 (fr) 2011-05-10 2014-01-10 Electricite De France Traitement d'un precurseur par injection d'un element reactif en phase vapeur.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0143868A2 (de) * 1983-12-01 1985-06-12 Carl August Heinz Glashüttenwerke GmbH & Co. KG Behandlungsvorrichtung zur Behandlung von Gegenständen
JP2009120935A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Samsung Electro Mech Co Ltd 円形めっき槽

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