TWI502615B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法

相關申請案的交互參照

本申請案依35 U.S.C §119之規定主張稍早於2011年3月15日向韓國智慧財產局提出之申請案之優先權效益，該申請案號為10-2011-0022953。

本發明是有關於一種有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置之方法，特別是有關於一種具有降低貼附偏光薄膜過程中對基板及/或間隔物造成之損傷之有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置之方法。

顯示裝置的利用在資訊科技產業的快速發展下急速成長。近來，對於輕量級、薄、低耗能且高解析度的顯示裝置已出現需求。為了達到這些需求，利用有機發光特性的液晶顯示器或有機發光顯示器正在發展中。

在有機發光顯示元件中，從外部發射的電洞和電子在發射層結合，而當電子與電洞消逝時會產生激子。激子在從激發態回到基態時會傳遞能量給發射層的螢光分子，因此螢光分子可發射光從而形成影像。

有機發光顯示器可根據發射光的方向被分類為頂部發射型有機發光顯示器和底部發射型有機發光顯示器。有機發光顯示器可藉由放置間隔物和密封膠於上基板和下基板之間以及將上基板和下基板之間結合來製造。

為了改善影像品質，在上基板和下基板結合之後，另外會有貼附偏光薄膜至上基板及/或下基板的製程。在該製程中，偏光薄膜會先對齊基板的一邊，接著藉由使用滾輪沿著一預定方向移動加壓該偏光薄膜以貼附至基板的表面。

在這種情形下，因為滾輪在施加壓力於基板表面時移動，滾輪在上基板和下基板間空間之壓力會隨著滾輪移動之方向增加。

在封裝製程之後，會有約莫5,000Pa的氮氣充斥在上下基板之間。因此，當滾輪移動時，氮氣會沿著滾輪移動之方向累積，從而大量地增加該空間的壓力。因為內部壓力而增加的壓力很急遽，特別是在大型顯示裝置裡。

最終，在貼附偏光薄膜於基板的製程中，面對滾輪的內部壓力急遽增加，而使密封膠、上基板或下基板滾輪會因為無法承受增加的壓力而損傷。

本發明係揭露一種有機發光顯示裝置及其製造方法，其中即使是在滾輪加壓偏光薄膜於上或下基板以貼附偏光薄膜於上或下基板時，可因上下基板間密封空間的壓力保持恆定，而避免密封膠或上下基板的損傷滾輪。

然而，本發明之態樣不限於此處所記載之態樣。藉由參考下述詳細說明，可使所屬技術領域者更加了解本發明之上述及其他態樣。

根據本發明之一態樣，有機發光顯示裝置包含：下基板、面向下基板之上基板、以及間隔物，其係形成於下基板和上基板之間的密閉空間中，以將密封空間分隔為二個以上區塊。其中複數個氣孔係形成於間隔物內，且使氣體於密封空間之至少二區塊之間流動。

根據本發明之另一態樣，有機發光顯示裝置包含：下基板、形成於下基板之表面之薄膜電晶體、像素部份，其係以像素定義層所定義，且具有有機層，當接受來自薄膜電晶體之驅動電壓時該有機層發射光、以直線形成於像素定義層上之間隔物、以及上基板，其係緊密地貼附於間隔物，且其與下基板之間係依預定間隙面向下基板，其中複數個氣孔係形成於間隔物內，且使氣體流經間隔物。

根據本發明之另一態樣，製造有機發光顯示裝置之方法包含下列步驟：形成薄膜電晶體於下基板之表面上、形成像素定義層於薄膜電晶體上、藉由蝕刻像素定義層形成像素部分、形成間隔物於像素定義層上、以垂直於間隔物之縱長方向的方向形成複數個凹槽、以及提供上基板於間隔物上。

根據本發明之另一態樣，製造有機發光顯示裝置的方法包含下列步驟：形成間隔物於下基板上、以垂直於間隔物之縱長方向的方向形成複數個凹槽於間隔物內、提供上基板於該間隔物上、貼附偏光薄膜於上基板之表面、以及利用滾輪施加壓力於上基板。

12‧‧‧像素部份

W1‧‧‧電線

W2‧‧‧電線

14‧‧‧電容

16‧‧‧像素定義層

22‧‧‧上基板

10‧‧‧下基板

20‧‧‧氣孔

18‧‧‧間隔物

112‧‧‧源極和汲極電極

110‧‧‧層間絕緣膜

108‧‧‧閘極電極

104‧‧‧主動層

106‧‧‧閘極絕緣膜

102‧‧‧緩衝層

100‧‧‧滾輪

24‧‧‧偏光薄膜

S110、S120、S130、S140、S150、S160、S210、S220、S230、S240、S250‧‧‧操作步驟

本發明的更完整評價和許多其隨之而來的優點將參照以下詳細描述並考慮配合附圖時顯而易見的且同樣變得更好瞭解，其中相似的元件符號代表相同或相似之元件，其中： 第1圖 係根據本發明之例示性實施例所述之有機發光顯示裝置之面板內部結構之平面圖；第2圖 係為第1圖所述之有機發光顯示裝置完整堆疊結構之剖面圖；第3A至3B圖 係為第2圖所述之包含於有機發光顯示裝置中之間隔物結構之剖面圖；第4A至4B圖 係為第2圖所述之有機發光顯示裝置中的間隔物可提供之不同形式的氣孔剖面圖；第5圖 係根據本發明之例示性實施例所述之製造有機發光顯示裝置之方法之流程圖；第6圖 係根據本發明之另一例示性實施例所述之製造有機發光顯示裝置之方法之流程圖；以及第7A圖至第8C圖 係為包含於第6圖中製造方法之貼附偏光薄膜至基板之連續製程的示意圖。

以下文中，本發明之例示性實施例將參照附圖與予詳細說明。

第1圖係根據本發明之例示性實施例所述之有機發光顯示裝置之面板內部結構之平面圖，而第2圖則為第1圖所述之有機發光顯示裝置完整堆疊結構之剖面圖。

請參閱第1圖和第2圖，根據此例示性實施例之有機發光顯示裝置包含下基板10、形成於下基板10之表面上之薄膜電晶體(TFT)、像素部分12，其係由像素定義層16所定義且具有有機層，當接受來自薄膜電晶體(TFT)之驅動電壓後該有機層發射光、以直線形狀形成於像素定義層16上之間隔物18、以及上 基板22，其係緊密地貼附於間隔物18且以預定間隙面向下基板10。複數個氣孔20係形成於間隔物18內且使氣體流經間隔物18。

根據此例示性實施例之有機發光顯示裝置，複數個電線W1、W2於下基板10上互相交叉以形成每一像素。在一像素中，會由一或多個薄膜電晶體(TFTs)、電容14和具有暴露像素電極之像素部分12所構成。

像素部份12係藉由將於後文描述之像素定義層16所定義。像素定義層16形成於像素部分12以外之下基板10的整個表面，因而暴露了在像素部分12的像素電極。接著，包含有電子傳輸層、電子注入層、電洞傳輸層和電洞發射層的有機層形成於像素部份12之中。在此狀態中，如果有電場於陰極電極和像素電極之間形成，則有機層發射光。

特別的是，請參照第2圖，緩衝層102、主動層104、閘極絕緣膜106、閘極電極108、層間絕緣膜110及源極/汲極電極112依序形成於下基板10上，且像素定義層16係堆疊於以此產生的結構上。

下基板10是可由包含以二氧化矽(SiO2)為主要成份的透明玻璃材料所製成。然而製成下基板10的材料不僅限於透明玻璃材料。下基板10亦可由透明塑膠材料所製成。在底部發射型有機發光顯示裝置中，由有機層發射之光由下基板射出，因此下基板10應由一透明材料所製成以避免阻礙光。但在頂部發射型有機發光顯示裝置中，下基板10不一定要以一透明材料所製成。

製成下基板10的塑膠材料是可為選自包含有聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲二乙酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、polyallylate、聚亞醯胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維(TAC)和醋酸丙酸纖維素(CAP)之群組的一絕緣有機材料。

如第2圖所示，緩衝層102、主動層104、閘極絕緣膜106、閘極電極108、介層絕緣膜110及源極/汲極電極112可在下基板10上形成。上述組件可在下基板10之整個表面或一部分表面上組成薄膜電晶體(TFT)或電容。

緩衝層102可形成於下基板10上以平坦化下基板10並防止雜質進入下基板10。緩衝層102可為矽氧化物、矽氮化物或矽氧氮化物之單層，亦或是這些材料的多層。

主動層104在緩衝層102上形成。主動層104可為半導體層。例如，主動層104可包含矽(Si)。更特定的說，主動層104可為非晶質矽(a-Si)或多晶矽(p-Si)層。另外，主動層104可由但不侷限於鍺(Ge)、鍺化磷(GaP)、鍺化砷(GaAs)或鋁化砷(AlAs)所製成。

主動層104是係藉由半導體層一部分摻雜了P型雜質或N型雜質所形成。在一些實施例中，構成薄膜電晶體(TFT)之主動層104可部分地參雜雜質以具有半導體之特性，且構成電容之主動層104完全摻雜雜質以形成電極。

閘極絕緣膜106形成於主動層104上以覆蓋主動層104而使主動層104與閘極電極108絕緣。跟緩衝層102一樣，閘極絕緣膜106可為矽氧化物(SiOX)、矽氮化物(SiNX)或矽氧氮化物(SiO2NX)之單層，亦或是這些材料的多層。閘極絕緣膜106亦可為跟緩衝層102相同或不同的材料所製成。

閘極電極108可形成於閘極絕緣膜106上。閘極電極108傳遞了閘極訊號來控制每個像素光的發射。像素電極108可為鋁(Al)、鋁合金如鉻化鋁(Cr-Al)、鉬化鋁(Mo-Al)、鋁化釹(Al-Nd)的單層，亦或是鉻(Cr)或鉬(Mo)合金及堆疊在鉻(Cr)或鉬(Mo)合金上之鋁合金的多層。另外，閘極電極108可包含氧化錫銦(ITO)、鉬(Mo)和鋁(Al)其中之一個或多個。

層間絕緣膜110可形成於閘極電極108上。層間層間絕緣膜110可使閘極電極108與源極/汲極電極112之間電性絕緣。跟緩衝層102一樣，層間絕緣 膜110可為矽氧化物(SiO2)、矽氮化物(SiNX)或矽氮氧化物(SiO2NX)之單層，亦或是這些材料的多層。用以形成源極/汲極電極112的接觸孔可形成於層間絕緣膜110中。

源極/汲極電極112可形成於層間絕緣膜110上並藉由接觸孔電性連接至主動層104。源極/汲極電極112可由選自鉬(Mo)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬化鎢(MoW)、鋁(Al)、鋁化釹(Al-Nd)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、銅(Cu)、鉬合金、鋁合金和銅合金等任何一種材料所製成。源極/汲極電極112亦可係由鉬鋁鉬(Mo-Al-Mo)三層所製成。

在源極/汲極電極112在下基板10上形成後，像素定義層16會形成以定義暴露像素電極(陽極電極)的像素部分12。

像素定義層16係設置於源極/汲極電極112上以覆蓋源極/汲極電極112且隔絕外部環境以保護內部組件。像素定義層16構成了暴露所有或部分像素電極的像素部分12。

如上所述，包含了電子傳輸層、電子注入層、電洞傳輸層和電洞注入層之有機層係形成於像素部分12內的像素電極上。

像素定義層16可由包含有一種或多種選自感光性聚醯亞胺(PSPI)材料、丙烯酸材料、矽氧烷材料和酚醛材料的有機材料或者例如矽氧化物(SiOX)或矽氮化物(SiNX)之無機材料所製成。

直線排列的間隔物18形成於像素定義層16上。間隔物18使上基板22和下基板10之間保持了一預定間隙。

如果間隔物的上端緊密地貼附上基板而下端緊密地貼附像素定義層，氣體很難在被間隔物分隔的限制區塊之間流動。所以當滾輪在具有複數個間隔物於其間之上基板或下基板上移動以貼附偏光薄膜時，在上基板和下基板之間的空間壓力可能會集中於一側。然而，根據此例示性實施例之間隔物18， 不僅支持和分隔上基板22和下基板10，也可包含氣孔20使氣體於被上基板22和下基板10間之間隔物18所分隔的空間裡交流。間隔物18將於後文更詳細的敘述。

上基板22面向下基板10，且可以與下基板10實質上相同材料所製成。

儘管未顯示於圖式中，根據本例示性實施例之有機發光顯示裝置可進一步包含貼附於下基板10和上基板22上至少其一之偏光薄膜。若偏光薄膜貼附於下基板10，其可貼附於下基板10的下表面。若偏光薄膜貼附於上基板22，其可貼附於上基板22的上表面。也就是說，偏光薄膜可貼附於有機發光顯示裝置之外表面。

根據本發明例示性實施例之間隔物18接下來會有更詳細的描述。

第3A圖與第3B圖為第2圖中有機發光顯示裝置中的間隔物之剖面圖。更特定的是指，第3A圖與第3B圖為第2圖之剖面圖之垂直方向所獲得之間隔物之剖面圖。

根據本例示性實施例，間隔物18以直線形狀形成於像素定義層16上，也就是說，它沿著一方向延伸了長距離。氣孔20則形成於間隔物18的預定區域中。於是氣體就可以四處流通於面板的全部區域裡，特別是充斥於被一起密封之上基板22和像素定義層16之間的氮氣。

間隔物18可由感光性聚醯亞胺(PSPI)所製成，亦可與像素定義層16相同之材料所製成。

間隔物18和像素定義層16之總和高度可介於4至8μm。

氣孔20可在形成於間隔物18接近上基板22一側的表面上，且可依照間隔物18縱長方向之垂直方向貫穿間隔物18。

因此，如第3B圖所示，儘管間隔物18形成於像素定義層16上且上基板22連接於間隔物18，由於在面板內的氣體可以在間隔物18內的氣孔20之間 流動，在面板內部的壓力可保持平均。即使特別是之後將詳述的滾輪施加壓力於基板的整個表面以貼附偏光薄膜時，氣孔20可以避免面板內一側的壓力急遽的增加。

第4A圖與4B圖為第2圖之有機發光顯示裝置之間隔物18所提供之各種不同形式氣孔20的剖面圖。更特別地說，第4A圖與4B圖描繪了形成於第2圖之間隔物中之不同形式之氣孔。

根據本例示性實施例之有機發光顯示裝置，形成於間隔物18內的氣孔20的形狀、位置和數量皆不受限制。

舉例來說，氣孔20可如第4A圖所示形成於間隔物18之中間區域以貫穿間隔物18，或者如第4B圖所示，氣孔20可形成於間隔物18之下部區域以貫穿間隔物18。

另外，雖然在第4A圖與第4B圖中的氣孔20為方型，只要在面板內的氮氣可以於間隔物18內流通，氣孔20可有許多形狀，像是圓形和橢圓形。

在第4A圖與第4B圖中，氣孔20可依一定間隔形成。然而本發明並不僅限於此，氣孔20可以依不規則間隔形成。

根據例示性實施例之上述有機發光顯示裝置，形成於間隔物18內的氣孔20使氣體可沿著相反於滾輪移動方向之方向流動。所以在面板內部保持了恆壓。

根據例示性實施例之上述有機發光顯示裝置之組件僅為舉例。在其他實施例中，有機發光顯示裝置可包含有不同的組件，包含了具有氣孔的間隔物。

也就是說，根據本發明另一例示性實施例之有機發光顯示裝置可包含下基板、面對下基板之上基板、以及間隔物。間隔物係設置於上基板和下 基板之間的密封空間並將此空間分隔成二以上區塊。在此情形下，氣孔形成於間隔物內，且氣體透過氣孔於密封空間之不同區塊中流通。

在另外一個實施例中，在上基板和下基板之間可包含不同組件，並且有機發光顯示裝置可以是底部發射型有機發光顯示器或頂部發射型有機發光顯示器。此外如先前之例示性實施例，氣孔可以形成於間隔物靠近上基板之一端中，並貫穿間隔物之一側表面。

在下文中，根據本發明例示性實施例，一種製造有機發光顯示裝置之製造方法將將參照第5圖加以描述。

第5圖是根據本發明例示性實施例之製造有機發光顯示裝置之方法之流程圖。

根據例示性實施例之製造有機發光顯示裝置之方法包含了下列步驟，形成薄膜電晶體(TFT)於下基板之表面上(操作步驟S110)、形成像素定義層於薄膜電晶體(TFT)上(操作步驟S120)、藉由蝕刻像素定義層形成像素部分(操作步驟S130)、形成間隔物於像素定義層上(操作步驟S140)、以垂直於間隔物縱長方向的方向形成複數個凹槽(操作步驟S150)、以及提供上基板於間隔物上(操作步驟S160)。

特別的是，薄膜電晶體(TFT)形成於下基板之表面(操作步驟S110)。薄膜電晶體(TFT)可包含執行半導體功能之主動層、保護主動層之閘極絕緣膜、形成於閘極絕緣膜上之閘極電極、保護閘極電極之層間絕緣膜、以及設置於層間絕緣膜上並連接主動層之源極/汲極電極。然而，本發明不僅限於此，亦可應用於不同形式的修改。

接著形成像素定義層(操作步驟S120)，再藉由蝕刻像素定義層形成像素部分(操作步驟S130)。

像素定義層係設置於源極/汲極電極上以覆蓋源極/汲極電極，如此即可保護內部組件與外部環境隔絕。像素定義層形成暴露全部或部分像素電極的像素部份。包含有電子傳輸層、電子注入層、電洞傳輸層和電洞注入層之有機層可於像素部份裡的像素電極上形成。

如上所述，像素定義層是可由包含一種或多種選自感光性聚醯亞胺(PSPI)材料、丙烯酸材料、矽氧烷材料和酚醛材料的有機材料、或者由例如矽氧化物(SiOx)或矽氮化物(SiNx)之無機材料所製成。

接著，間隔物形成於像素定義層上(操作步驟S140)。間隔物以直線形狀形成於像素定義層上。間隔物保持上基板和下基板之間之預定間隙並且保護內部組件。

間隔物可由與像素定義層相同之材料所製成。此外，間隔物可以用像素定義層向上突出之一部分來取代。也就是說，當像素定義層被蝕刻後，一部分的像素定義層會跟其他部分的像素定義層被有差別性的蝕刻。因此，比其他像素定義層還高的像素定義層部分可作為間隔物之用。

接下來，凹槽以垂直於間隔物之縱長方向的方向形成於間隔物內(操作步驟S150)。凹槽使氣體流動於上下基板間被間隔物分隔的區域之間，因此維持了內部空間的恆壓。

間隔物是可由感光性聚醯亞胺(PSPI)所製成，也可由與像素定義層相同之材料所製成。間隔物高度和像素定義層高度之總和可介於4至8μm。

凹槽以任意位置在間隔物內形成並以垂直於間隔物之縱長方向的方向貫穿間隔物。

凹槽可以在任何位置或任何深度形成，且一部分的像素定義層可由凹槽所暴露。也就是說，間隔物可以被凹槽分隔成複數個區域。

凹槽可以切入間隔物上表面(也就是說，間隔物在上基板一側的表面)。

凹槽可以利用光罩以蝕刻法形成。然而，本發明不僅限於此。凹槽也可以利用光刻技術中的暴露工具集中暴露間隔物上表面之一部分而形成。

舉例來說，如果間隔物由感光性聚醯亞胺(PSPI)所製成，則可以利用暴露工具形成凹槽。此外，如果間隔物之部分以對應於預定比例之解析度，舉例來說，暴露工具30~60%之解析度進行暴露，材質柔軟的凹槽可以因為暴露解析度之差異性而形成。

舉例來說，當暴露裝置的解析度為3至4μm時，間隔物之部份可以介於1至2μm範圍的解析度暴露，從而形成較淺的凹槽。

提供上基板於具有凹槽的間隔物上(操作步驟S160)從而完成有機發光顯示裝置的製造。

在下文中，根據本發明另一例示性實施例之有機發光顯示裝置之製造方法將參照第6圖加以描述。

第6圖是根據本發明另一例示性實施例之有機發光顯示裝置之製造方法之流程圖。

根據本例示性實施例之製造有機發光顯示裝置之方法包含了下列步驟：縱長：形成間隔物於下基板上(操作步驟S210)、以垂直於間隔物之縱長方向的方向形成複數個凹槽於間隔物內(操作步驟S220)、提供上基板於間隔物上(操作步驟S230)、貼附偏光薄膜於上基板之表面(操作步驟S240)、以及利用滾輪施加壓力於上基板(操作步驟S250)。

根據此例示性實施例之製造方法與前述例示性實施例之製造方法相似，除了多了貼附偏光薄膜於上基板之表面(操作步驟S240)和利用滾輪施加壓力於上基板(操作步驟S250)以外。

也就是說，偏光薄膜會對齊上基板的一邊，然後利用滾輪加壓偏光薄膜至上基板上，以牢固地貼附於整個上基板表面。

在此情形下，形成於上基板與下基板間的間隔物是以長直線方向延伸。當滾輪以垂直於間隔物之縱長方向移動時，會施加壓力於偏光膜並將偏光薄膜貼附於上基板。

儘管滾輪貼施壓偏光薄膜至上基板，由於形成於間隔物間的凹槽，在上基板和下基板間空間的壓力並不會沿著滾輪移動的方向增加。凹槽使氣體可以於相反於滾輪移動方向之方向反向流動，使內部壓力保持一致。

因此，即使當偏光薄膜和上基板之間因滾輪貼附偏光薄膜於上基板而互相施壓，互相密封之上基板和下基板間的空間，其壓力也能維持恆定。因此，可避免對於密封膠或上基板的損傷。

在下文中，第6圖之製造方法中貼附偏光薄膜至基板的過程將參照第7A圖至第7C圖加以描述。

第7A圖至第7C圖為第6圖之製造方法中貼附偏光薄膜至基板的過程之示意圖。

根據此例示性實施例，貼附於有機發光顯示裝置之基板的偏光薄膜24可貼附於上基板22和下基板10之表面，且可抑制有機發光顯示裝置因為外來光之反射所產生的鏡像效應。

也就是說，當外來光透過上基板22或下基板10進入有機發光顯示裝置並在反射之後離開時，會產生鏡像效應，並造成有機發光顯示裝置上資訊可讀性或顯示影像之減少。為了避免此一問題，貼附偏光薄膜24於上基板22或下基板10。偏光薄膜24可以利用不讓有機發光顯示裝置內部反射的外來光離開而抑制鏡像效應的產生。

偏光薄膜24可被貼附於出口表面上，也就是說，在頂部有機發光顯示裝置的情況下貼附於上基板22，在底部有機發光顯示裝置的情況下貼附於下基板10。

貼附偏光薄膜24於基板上的過程將於此描述。在第7A圖至第7C圖中，偏光薄膜24被貼附於上基板22。然而，藉由分別黏接上基板22和下基板10所形成的面板，可以翻轉180度，因此偏光薄膜24可被貼附於下基板10。為了便於說明，以下將以偏光薄膜24貼附於上基板22為範例加以描述。

請參照第7A圖，偏光薄膜24的一端對齊上基板22的一邊，且滾輪100放置於偏光薄膜的一端。滾輪100以滾輪表面加壓偏光薄膜24於上基板22。此外，滾輪100可包含一對滾輪且以滾鍛法貼附偏光薄膜24於上基板22上。

請參照第7B圖與第7C圖，滾輪100沿著上基板22之一邊移動至上基板22之另一邊，以貼附偏光薄膜24於上基板22的整個表面。

在先前技術中，當滾輪施加壓力於基板表面時，在上下基板間空間的壓力會沿著滾輪移動的方向而增加。也就是說，在空間中的氣體會沿著滾輪移動的方向累積，從而大幅增加了內部壓力。在滾輪移動之前方增加的壓力對密封膠、間隔物、上或下基板會造成損傷。

然而，根據本例示性實施例之有機發光顯示裝置，因為氣孔20形成於支持下上基板10、22的間隔物18內，氣體可自由在上基板22和下基板10之間被間隔物18分隔的空間裡流動。也就是說，在下基板10和上基板22之間的氣體可避免沿著滾輪100移動的方向累積而增加部分區域的內部壓力。

更多有關上述製程的詳細描述請參照第8A圖至第8C圖。

第8A圖至第8C圖為貼附偏光薄膜於上基板22之上表面之製程的平面示意圖。

滾輪100以如第8圖之箭頭所示之方向移動以加壓偏光薄膜至上基板22。在這裡，形成於每個直線間隔物18中的氣孔20防止了面板內之氣體沿著滾輪100移動方向累積。由於內部氣體可以相反於滾輪100移動方向的方向反向流動，使面板內之壓力平均地分布並保持恆定。此外，密封膠、間隔物18、或上基板22、下基板10可避免於貼附偏光薄膜於上基板22的過程中遭到損傷。

總結其詳細描述，該所屬技術領域之人員將理解的是，任何對於較佳實施例進行之修改或變更均未實質上脫離本發明之範疇。因此本發明所揭露之較佳實施例僅為通用或描述性意義，而非為限制之用。

22‧‧‧上基板

10‧‧‧下基板

12‧‧‧像素部份

20‧‧‧氣孔

18‧‧‧間隔物

112‧‧‧源極/汲極電極

110‧‧‧層間絕緣膜

16‧‧‧像素定義層

14‧‧‧電容

108‧‧‧閘極電極

104‧‧‧主動層

106‧‧‧閘極絕緣膜

102‧‧‧緩衝層

Claims (17)

1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一下基板；一上基板，其係面向該下基板；以及複數個間隔物，其係形成於該下基板和該上基板之間的一密封空間中，分隔該密封空間為複數個區塊，每一該複數個間隔物具有一長方形形狀並橫貫該上基板與該下基板之一整體寬度而每一該複數個區塊位於該複數個間隔物之相鄰間隔物間；其中複數個氣孔係形成於每一該複數個間隔物內，且使氣體於該密封空間之該複數個區塊之相鄰區塊間流動，該複數個氣孔不接觸該上基板與該下基板。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個氣孔形成於該上基板之一側上的該間隔物之一端中。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個氣孔貫穿該間隔物之一側表面。
4. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一下基板；一薄膜電晶體，其係形成於該下基板之一表面；一像素部份，其係以一像素定義層所定義，且具有一有機層，其當接受來自該薄膜電晶體之一驅動電壓時發射光；一間隔物，其係以一六面體狀形成於該像素定義層上；以及 一上基板，其係緊密地貼附於該間隔物，且其與該下基板之間係依一預定間隙面向該下基板；其中複數個氣孔係形成於該間隔物內，且使氣體流經該間隔物，該複數個氣孔不接觸該上基板與該下基板，且該間隔物延伸為該上基板與該下基板之一整體寬度。
5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個氣孔係形成於該上基板一側上的該間隔物之一表面，且以垂直於該間隔物之一縱長方向的一方向貫穿該間隔物。
6. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該間隔物係由與該像素定義層之一相同材料所製成。
7. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該間隔物係為該像素定義層向上突出的一部分。
8. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個氣孔係以一豎直方向貫穿該間隔物，以暴露該像素定義層的一部分。
9. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含下列步驟：形成一薄膜電晶體於一下基板之一表面上；形成一像素定義層於該薄膜電晶體上；藉由蝕刻該像素定義層形成一像素部分；形成一間隔物於該像素定義層上，該間隔物具有一六面體形狀；以垂直於該間隔物之一縱長方向的一方向形成複數個凹槽；以 及提供一上基板於該間隔物上，該間隔物延伸為該上基板之一整體寬度。
10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該間隔物係由與該像素定義層之一相同材料所製成。
11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中形成該間隔物之步驟包含使該像素定義層之一部分向上突出。
12. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中形成該複數個凹槽之步驟包含藉由該些凹槽暴露該像素定義層之一部份。
13. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中形成該複數個凹槽之步驟包含對應於一暴露工具之30~60%解析度之一解析度暴露該間隔物之部分。
14. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中形成該複數個凹槽之步驟包含在介於1至2μm範圍的一解析度暴露該間隔物之部分。
15. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含下列步驟；形成一間隔物於一下基板上，該間隔物具有一六面體形狀且延伸為該下基板之一整體寬度；以垂直於該間隔物之一縱長方向的一方向形成複數個凹槽於該間隔物內；提供一上基板於該間隔物上；貼附一偏光薄膜於該上基板之一表面；以及 利用一滾輪施加壓力於該上基板。
16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中利用該滾輪施加該壓力之步驟係以垂直於該間隔物之該縱長方向之該方向執行。
17. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中利用該滾輪施加該壓力於該上基板之步驟包含利用該複數個凹槽使氣體以相反於該滾輪移動之方向的一方向反向流動，使內部壓力平均地分布。