CN102683380A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
有机发光显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102683380A CN102683380A CN2011103048263A CN201110304826A CN102683380A CN 102683380 A CN102683380 A CN 102683380A CN 2011103048263 A CN2011103048263 A CN 2011103048263A CN 201110304826 A CN201110304826 A CN 201110304826A CN 102683380 A CN102683380 A CN 102683380A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- separator
- substrate
- display device
- organic light
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 201
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 93
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 54
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 54
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- -1 poly-allylat thing Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括:下基底;上基底,面向下基底;分隔件,形成在下基底和上基底之间的密封空间中,并且将所述空间划分为两个或更多的部分,其中,在所述分隔件中形成气孔,所述气孔允许气体在所述空间的所述部分之间流动。
Description
本申请参照于2011年3月15日较早提交到韩国知识产权局并因此适时地被分配序号为10-2011-0022953的申请,将该申请包含于此并且要求该申请的所有权益。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法,更具体地讲,本发明涉及这样一种有机发光显示装置及其制造方法,在该有机发光显示装置中,可以将在将偏振膜附于基底的工艺中对基底和/或分隔件的损坏最小化。
背景技术
信息技术(IT)产业的快速发展正在急剧增加显示装置的使用。近来,已经出现了对重量轻且薄、功耗低并且提供高分辨率的显示装置的需求。为了满足这些需求,正在开发液晶显示器或者利用有机发光特性的有机发光显示器。
在有机发光元件中,当从外部源注入的空穴和电子消失时,空穴和电子在发射层中结合在一起形成激子。当激子从激发态跃迁到基态时,激子将能量传输到发射层的荧光分子。因此,荧光分子发射光,从而形成图像。
有机发光显示器根据光发射的方向分为顶部发射有机发光显示器和底部发射有机发光显示器。通过将分隔件和密封剂放置在上基底和下基底之间并且将上基底和下基底结合在一起来制造有机发光显示器。
为了改善图像特性,在将上基底和下基底结合在一起之后,可以另外执行将偏振膜附于上基底和/或下基底的工艺。在该工艺中,将偏振膜与基底的侧部对齐,然后通过利用压力辊沿着预定方向将偏振膜向着基底的表面压紧而将偏振膜附于基底的表面。
关于这一点,由于在向基底的表面施加压力的同时移动压力辊,所以在下基底和上基底之间的空间中的压力沿着压力辊移动的方向增大。
在包封工艺之后,下基底和上基底之间的空间填充有大约5000Pa的氮气。因此,随着压力辊移动,在该空间中的氮气沿着压力辊移动的方向聚集,从而显著增大该空间中的压力。特别是在大尺寸的显示装置中,由于增加的内部压力导致的应力增加比较明显。
最后,在将偏振膜附于基底的工艺过程中,在压力辊的前部的内部压力急剧增加到这样的程度,即,处于运动中的压力辊的前部的密封剂、上基底或下基底变得不能承受增大的压力,结果,密封剂、上基底或下基底被损坏。
发明内容
本发明提供了一种有机发光显示装置及其制造方法,其中,即使在压力辊向着下基底或上基底压紧偏振膜以将偏振膜附于下基底或上基底时,也能通过将下基底和上基底之间的密封空间中的压力保持恒定来防止对密封剂或者对下基底或上基底的损坏。
然而,本发明的方面不限于这里提出的内容。通过参考下面给出的对本发明的详细描述,本发明的以上和其它方面对于本发明所属领域的普通技术人员来说将变得更加清楚。
根据本发明的一方面,一种有机发光显示装置包括:下基底;上基底,面向下基底;分隔件,形成在下基底和上基底之间的密封空间中,并且将所述空间划分为两个或更多的部分,其中,在所述两个或更多个分隔件中形成气孔,所述气孔允许气体在所述空间的所述部分之间流动。
根据本发明的另一方面,一种有机发光显示装置包括:下基底;薄膜晶体管,形成在下基底的表面上;像素部分,由像素限定层限定,并且具有当从薄膜晶体管接收驱动电压时发射光的有机层;分隔件,以线形形状形成在像素限定层上;上基底,紧密地附于所述分隔件,并且面向下基底,在下基底和上基底之间具有预定间隙,其中,在所述分隔件中形成气孔,所述气孔允许气体穿过所述分隔件流动。
根据本发明的另一方面,一种制造有机发光显示装置的方法包括以下步骤:在下基底的表面上形成薄膜晶体管;在薄膜晶体管上形成像素限定层;通过蚀刻像素限定层形成像素部分;在像素限定层上形成分隔件;沿着与所述分隔件的长度方向垂直的方向在所述分隔件中形成凹槽;在所述分隔件上设置上基底。
根据本发明的另一方面,一种制造有机发光显示装置的方法包括以下步骤:在下基底上形成分隔件;沿着与所述分隔件的长度方向垂直的方向在所述分隔件中形成凹槽;在所述分隔件上设置上基底;将偏振膜附于上基底的表面;利用辊子对上基底施加压力。
附图说明
当结合附图考虑时,通过参照下面的详细描述,本发明的更完整的理解以及许多附加的优点将变得容易清楚并且更好理解,在附图中,相同的标号表示相同或相似的组件,在附图中:
图1是示出根据本发明示例性实施例的有机发光显示装置的面板的内部结构的平面图;
图2是示出图1中的有机发光显示装置的整体堆叠结构的剖视图;
图3A和图3B是示出包括在图2中的有机发光显示装置中的分隔件的结构的剖视图;
图4A和图4B是示出可以设置在图2中的有机发光显示装置的分隔件中的气孔的各种形式的剖视图;
图5是示出根据本发明示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法的流程图;
图6是示出根据本发明另一示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法的流程图;
图7A至图8C是顺序示出包括在图6中的制造方法中的将偏振膜附于基底的工艺的视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图描述本发明的示例性实施例。
图1是示出根据本发明示例性实施例的有机发光显示装置的面板的内部结构的平面图,图2是示出图1中的有机发光显示装置的整个堆叠结构的剖视图。
根据当前示例性实施例的有机发光显示装置包括:下基底10;薄膜晶体管(TFT),形成在下基底10的表面上;像素部分12,通过像素限定层16限定,并且具有当从TFT接收驱动电压时发射光的有机层;分隔件18,以线的形状形成在像素限定层16上;上基底22,紧密地附于分隔件18并且面向下基底10,上基底22和下基底10之间具有预定间隙。在分隔件18中形成气孔20,以允许气体穿过分隔件18流动。
参照图1,在根据当前示例性实施例的有机发光显示装置中,多条布线在下基底10上彼此交叉,以形成每个像素。在一个像素中,形成一个或多个TFT、电容器以及具有暴露的像素电极的像素部分12。
如随后将描述的,通过像素限定层16限定像素部分12。像素限定层16形成在除了像素部分12之外的下基底10的整个表面上,从而暴露像素部分12中的像素电极。然后,在像素部分12中形成包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层和空穴注入层的有机层。在这种情况下,如果在阴极和像素电极之间产生电场,则有机层发射光。
具体地,参照图2,缓冲层102、有源层104、栅极绝缘膜106、栅极108、层间绝缘膜110和源极/漏极112顺序形成在下基底10上,并且像素限定层16堆叠在所得结构上。
下基底10可以由包SiO2作为主要成分的透明玻璃材料制成。然而,形成下基底10的材料不限于透明玻璃材料。下基底10也可以由透明塑料材料制成。在有机层发射的光穿过下基底10出射的底部发射有机发光显示装置的情况下,为了不阻挡光,下基底10应该由透明材料制成。然而,在顶部发射有机发光显示装置的情况下,下基底10可以不必由透明材料制成。
形成下基底10的塑料材料可以为从由聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)组成的组中选择的绝缘有机材料。
如图2中所示,缓冲层102、有源层104、栅极绝缘膜106、栅极108、层间绝缘膜110和源极/漏极112可以形成在下基底10上。上述组件可以设置在下基底10的整个表面上,或者可以设置在下基底10的表面的一部分上,以形成TFT或者电容器。
缓冲层102可以形成在下基底10上,以使下基底10平坦化并且防止杂质渗透到下基底10中。缓冲层102可以为SiOx、SiNx或SiONx的单层或者这些材料的多层。
有源层104可以形成在缓冲层102上。有源层104可以为半导体层。例如,有源层104可以包含硅(Si)。具体地讲,有源层104可以为非晶硅(a-Si)层或者多晶硅(p-Si)层。此外,有源层104可以由Ge、GaP、GaAs或AlAs制成,但是不限于此。
可以通过用P型杂质或N型杂质掺杂半导体层的一部分来形成有源层104。在一些实施例中,可以用杂质部分地掺杂构成TFT的有源层104,以使有源层104具有半导体性质,可以用杂质完全掺杂构成电容器的有源层104,以形成电极。
栅极绝缘膜106可以形成在有源层104上,以覆盖有源层104并且将有源层104与栅极108绝缘。与缓冲层102类似,栅极绝缘膜106可以SiO2、SiNx或SiONx的单层或者这些材料的多层。栅极绝缘膜106可以由与缓冲层102的材料相同或不同的材料制成。
栅极108可以形成在栅极绝缘膜106上。栅极108传输栅极信号,以控制每个像素的光发射。栅极108可以为Al或Al合金(例如,Cr-Al、Mo-Al或Al-Nd)的单层或者Cr或Mo合金与堆叠在Cr或Mo合金上的Al合金的多层。另外,栅极108可以包含ITO、Mo和Al中的一种或多种。
层间绝缘膜110可以形成在栅极108上。层间绝缘膜110将栅极108与源极/漏极112电绝缘。与缓冲层102类似,层间绝缘膜110可以是SiO2、SiNx或SiONx的单层或者这些材料的多层。在层间绝缘膜110中可形成用于形成源极/漏极112的接触孔。
源极/漏极112可以形成在层间绝缘膜110上,并且可以通过接触孔电连接到有源层104。源极/漏极112可以由从Mo、Cr、W、MoW、Al、Al-Nd、Ti、TiN、Cu、Mo合金、Al合金和Cu合金中选择的任何一种材料制成。源极/漏极112也可以形成为Mo-Al-Mo的三层。
在下基底10上形成源极/漏极112之后,最后形成像素限定层16以限定像素部分12(为开口),以暴露像素电极(阳极)。
像素限定层16设置在源极/漏极112上,从而覆盖源极/漏极112并且保护内部组件不受外部环境影响。像素限定层16形成暴露所有像素电极或者部分像素电极的像素部分12。
如上所述,包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层和空穴注入层的有机层形成在像素部分12中的像素电极上。
像素限定层16可以由包含从感光聚酰亚胺(PSPI)材料、丙烯酸材料、硅氧烷材料和酚醛清漆材料中选择的一种或多种材料的有机材料制成,或者可以由例如SiOx或SiNx的无机材料制成。
线形分隔件18形成在像素限定层16上。分隔件18保持上基底22和下基底10之间的预定间隙。
如果分隔件的上端紧密地附于上基底并且如果分隔件的下端紧密地附于像素限定层,则气体难以在由分隔件分开的分区的部分之间流动。因此,当压力辊在上基底或下基底(多个分隔件位于上基底和下基底之间)上移动以附着偏振膜时,上基底和下基底之间的空间内的压力会集中在一侧。然而,根据当前示例性实施例的分隔件18不仅支持上基底22和下基底10以及将上基底22和下基底10分隔开,而且也包括允许气体在被分隔件18分开的部分之间交换的气孔20,其中,分隔件18分别形成在上基底22和下基底10之间的空间中。随后将更详细地描述分隔件18。
上基底22面向下基底10,并且上基底22可以由与下基底10的材料基本相同的材料制成。
尽管图中未示出,但是根据当前示例性实施例的有机发光显示装置还可以包括附于下基底10和上基底22中的至少一个的表面的偏振膜。如果偏振膜附于下基底10,则偏振膜可以附于下基底10的下表面。如果偏振膜附于上基底22,则偏振膜可以附于上基底22的上表面。即,偏振膜可以附于显示面板的外表面。
现在将更详细地描述根据本发明示例性实施例的分隔件。
图3A和图3B是示出包括在图2的有机发光显示装置中的分隔件的结构的剖视图。更具体地讲,图3A和图3B是沿着垂直于图2的剖面的方向截取的图2中的分隔件18的剖面。
根据当前示例性实施例的分隔件18形成在像素限定层16上并且分隔件18为线形形状,即,分隔件18沿着一定方向延伸到远处。气孔20形成在分隔件18的预定区域中。因此,分别填充密封在一起的上基底22和下基底10之间的空间的气体(具体地为氮气)可以在面板的整个区域循环。
分隔件18可以由PSPI制成,并且可以由与位于分隔件18下面的像素限定层16的材料相同的材料形成。
分隔件18的高度和像素限定层16的高度的总和可以为4μm至8μm。
气孔20可以形成在分隔件18的位于上基底22一侧的表面中,并且气孔20可以沿着与分隔件18的长度方向垂直的方向穿透分隔件18。
因此,尽管如图3B中所示分隔件18形成在像素限定层16上并且上基底22结合到分隔件18,但是由于面板内部的气体可以穿过分隔件18的气孔20流动,因此面板内部的压力可以保持均匀。具体地讲,如后面将描述的,即使为了将偏振膜附于基底,压力辊向基底的整个表面施加压力,气孔20也可以防止面板内部的压力在一侧急剧增加。
图4A和图4B是示出可以设置在图2中的有机发光显示装置的分隔件中的气孔的各种形式的剖视图。更具体讲,图4A和图4B示出了形成在图2中的分隔件18中的气孔20的各种形式。
对形成在根据当前示例性实施例的有机发光显示装置的分隔件18中的气孔20的形状、位置和数量没有限制。
例如,如图4A中所示,气孔20可以形成在分隔件18的中间区域中,从而穿透分隔件18,或者如图4B中所示,气孔20可以形成在分隔件18的下面区域中,从而穿透分隔件18。
另外,尽管图4A和图4B中示出的气孔20是方形的,但是气孔20也可以具有例如圆形或椭圆形的各种形状,只要面板内部的氮气可以穿过分隔件18流动。
在图4A和图4B中,气孔20以规则的间隔形成。然而,本发明不限于此,气孔20也可以以不规则的间隔形成。
在根据当前示例性实施例的上述有机发光显示装置中,形成在分隔件18中的气孔20能够使气体沿着与压力辊100移动的方向相反的方向向回流动。因此,可以在面板内部保持恒定的压力。
包括在根据当前示例性实施例的有机发光显示装置中的上述组件仅是示例。在其它实施例中,有机发光显示装置可以包括具有气孔的分隔件之外的不同组件。
即,根据本发明另一示例性实施例的有机发光显示装置可以包括下基底、面向下基底的上基底以及设置在下基底和上基底之间的密封空间中并且将所述空间划分成两个或更多部分的分隔件。关于这一点,在分隔件中形成气孔,并且气体穿过气孔在密封空间的所述部分之间流动。
在另一实施例中,不同的组件可以包括在下基底和上基底之间,有机发光显示装置可以为底部发射型或顶部发射型。另外,如在上面的示例性实施例中,气孔可以形成在分隔件的位于上基底一侧的端部中,并且气孔可以穿过分隔件的侧表面。
在下文中,将参照图5来描述根据本发明示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法。
图5是示出根据本发明示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法的流程图。
根据当前示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法包括以下步骤:在下基底的表面上形成TFT(操作S110);在TFT上形成像素限定层(操作S120);通过蚀刻像素限定层来形成像素部分(操作S130);在像素限定层上形成分隔件(操作S140);沿着与分隔件的长度方向垂直的方向在分隔件中形成凹槽(操作S150);在分隔件上设置上基底(S160)。
具体地讲,在下基底的表面上形成TFT(操作S110)。TFT可以包括执行半导体功能的有源层、保护有源层的栅极绝缘膜、形成在栅极绝缘膜上的栅极、保护栅极的层间绝缘膜以及设置在层间绝缘膜上并且连接到有源层的源极/漏极。然而,本发明不限于此,而是可以实施各种改变的示例。
接下来,形成像素限定层(操作S120),通过蚀刻像素限定层来形成像素部分(操作S130)。
像素限定层设置在源极/漏极上,以覆盖源极/漏极并且保护内部组件不受外部环境影响。像素限定层形成暴露所有像素电极或部分像素电极的像素部分。包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层和空穴注入层的有机层可以形成在像素部分中的像素电极上。
如上所述,像素限定层可以由包括从PSPI材料、丙烯酸材料、硅氧烷材料和酚醛清漆材料中选择的一种或多种材料的有机材料制成,或者可以由例如SiOx或SiNx的无机材料制成。
接下来,在像素限定层上形成分隔件(操作S140)。分隔件可以以线形形状形成在像素限定层上。分隔件保持上基底和下基底之间的预定间隙并且保护内部组件。
分隔件可以由与像素限定层的材料相同的材料制成。可选地,分隔件可以被像素限定层的向上突出的部分代替。即,当蚀刻像素限定层时,像素限定层的一部分可以与像素限定层的其它部分不同地蚀刻。因此,像素限定层的所述部分比像素限定层的所述其它部分高,并且像素限定层的所述部分可以用作分隔件。
接下来,沿着与分隔件的长度方向垂直的方向在分隔件中形成凹槽(操作S150)。所述凹槽允许位于上基底和下基底之间的空间中的气体在所述空间的被分隔件分开的部分之间流动,从而在所述空间内保持恒定的压力。
分隔件可以由PSPI制成,并且可以由与位于分隔件下面的像素限定层的材料相同的材料制成。分隔件的高度和像素限定层的高度之和可以为4μm至8μm。
凹槽可以形成在分隔件中的任意位置,并且可以沿与分隔件的长度方向垂直的方向穿透分隔件。
凹槽可以形成在任何位置并且可以形成为任何深度,部分像素限定层可以被凹槽暴露。即,分隔件可以被凹槽分成多个区域。
凹槽可以被切割成分隔件的上表面(即,分隔件的位于上基底一侧的表面)。
可以利用掩模通过蚀刻方法形成凹槽。然而,本发明不限于此。也可以利用光刻中使用的曝光工具通过使分隔件的上表面的一部分强烈曝光来形成凹槽。
例如,如果分隔件由PSPI制成,则可以利用曝光工具形成槽。另外,如果按照与曝光工具的分辨率的预定比例(例如,30%至60%)对应的分辨率使分隔件的部分曝光,则由于分辨率与曝光范围之间的不同导致可能形成具有轻微轮廓的凹槽。
例如,当曝光装置的分辨率是3μm至4μm时,分隔件的所述部分可以以1μm至2μm的分辨率曝光,以形成轻微的凹槽。
在具有凹槽的分隔件上设置上基底(操作S160),从而完成了有机发光显示装置。
在下文中,将参照图6来描述根据本发明另一示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法。
图6是示出根据本发明另一示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法的流程图。
根据当前示例性实施例的制造有机发光显示装置的方法包括以下步骤:在下基底上形成分隔件(操作S210);沿着与分隔件的长度方向垂直的方向形成凹槽(操作S220);在分隔件上设置上基底(操作S230);将偏振膜附于上基底的表面(操作S240);利用辊子向上基底施加压力(操作S250)。
除了根据当前示例性实施例的制造方法还包括将偏振膜附于上基底的表面(操作S240)和利用辊子向上基底施加压力(操作S250)之外,根据当前示例性实施例的制造方法与根据前一示例性实施例的制造方法类似。
即,将偏振膜与上基底的侧部对齐,然后利用辊子通过从上基底的侧部向着上基底压紧偏振膜来将偏振膜紧固地附于上基底的整个表面。
关于这一点,形成在上基底和下基底之间的分隔件以长线的形状沿着一定方向延伸。当辊子沿着垂直于分隔件的长度方向的方向移动时,辊子向着上基底压紧偏振膜,从而将偏振膜附于上基底。
尽管辊子向着上基底压紧偏振膜,但是由于形成在分隔件中的凹槽,所以在辊子移动的方向上,上基底和下基底之间的空间中的压力没有增大。凹槽允许气体在与辊子移动的方向相反的方向向回流动,从而保持内部压力均匀。
因此,即使通过压力辊将偏振膜和上基底彼此相对地压紧以使偏振膜附于上基底,也可以保持密封在一起的上基底和下基底之间的空间中的压力恒定。因此,可以防止对密封剂或上基底的损坏。
在下文中,将参照图7A至图7C描述包括在图6中的制造方法中的将偏振膜附于基底的工艺。
图7A至图7C是顺序示出包括在图6中的制造方法中的将偏振膜附于基底的工艺的视图。
根据当前示例性实施例的附于有机发光显示装置的基底的偏振膜24可以附于上基底22或下基底10的表面,并且可以抑制由外部光的反射引起的显示装置的镜像效应。
即,如果外部光穿过基底进入有机发光显示装置,接着被反射之后出射,则发生镜像效应,导致在有机发光显示装置上显示的信息或图像的可读性下降。为了防止这种问题,将偏振膜24附于基底。偏振膜24可以通过防止在有机发光显示装置内部反射的外部光射出显示装置来抑制镜像效应。
偏振膜24可以附于出射表面,即,在顶部发射有机发光显示装置的情况下附于上基底22上或者在底部发射有机发光显示装置的情况下附于下基底10上。
现在将描述将偏振膜24附于基底的工艺。在图7A至图7C中,偏振膜24附于上基底22。然而,通过分别将上基底22和下基底10结合在一起形成的面板可以旋转180度,然后偏振膜24可以附于下基底10。为了便于描述,下面将偏振膜24附于上基底22上的情况作为示例进行描述。
参照图7A,将偏振膜24的端部与上基底22的侧部对齐,并将压力辊100放置在偏振膜24的一端上。压力辊100利用一个辊子表面向着上基底22压紧偏振膜24。另外,压力辊100可以包括一对辊子并且可以利用滚动方法将偏振膜24附于上基底22。
参照图7B和图7C,随着压力辊100从上基底22的一侧向上基底22的另一侧移动,压力辊100将偏振膜24附于上基底22的整个表面。
在传统技术中,因为压力辊在向基底的表面施加压力的同时移动,所以上基底和下基底之间的空间中的压力沿着压力辊移动的方向增大。即,所述空间中的气体沿着压力辊移动的方向聚集,从而显著增大内部压力。增大的压力损坏处于运动的压力辊前方的密封剂、分隔件或者上基底或下基底。
然而,在根据当前示例性实施例的有机发光显示装置中,由于在支撑下基底10和上基底22的每个分隔件18中分别形成气孔20,所以气体可以分别在下基底10和上基底22之间的空间被分隔件18分成的多个部分之间自由流动。即,可以防止分别位于下基底10和上基底22之间的空间中的气体沿着压力辊100移动的方向聚集而增加一些区域中的内部压力。
将参照图8A至图8C给出上述工艺的更详细的描述。
图8A至图8C是示出将偏振膜附于上基底22的上表面的工艺的平面图。
当压力辊100沿着如图8A中的箭头所示的方向移动时,压力辊100将偏振膜向着上基底22压紧。这里,形成在每个线形分隔件18中的气孔20防止面板内部的气体沿着压力辊100移动的方向聚集。由于内部气体可以沿着与压力辊100移动的方向相反的方向向回流动,所以分散了面板内部的压力,并因此保持面板内部的压力均匀。另外,可以防止密封剂、分隔件18或者上基底22或下基底10在将偏振模附于上基底22的工艺中被损坏。
在对详细描述进行总结时,本领域技术人员将理解的是,在基本不脱离本发明的原理的情况下,可以对优选实施例进行许多修改和改进。因此,以一般和描述性的意义使用本发明的所公开的优选实施例,而不是出于限制的目的。
Claims (17)
1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
下基底;
上基底,面向下基底;
分隔件,形成在下基底和上基底之间的密封空间中,用于将密封空间划分为至少两个部分,
其中,在所述分隔件中形成气孔,所述气孔允许气体在所述密封空间的所述至少两个部分之间流动。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,气孔形成在所述分隔件的位于上基底一侧的端部中。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述气孔穿透所述分隔件的侧表面。
4.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
下基底;
薄膜晶体管,形成在下基底的表面上;
像素部分,由像素限定层限定,并且具有当从薄膜晶体管接收驱动电压时发射光的有机层;
分隔件,以线形形状形成在像素限定层上;
上基底,紧密地附于所述分隔件,并且面向下基底,在下基底和上基底之间具有预定间隙,
其中,在所述分隔件中形成气孔,所述气孔允许气体穿过所述分隔件流动。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述气孔形成在所述分隔件的位于上基底一侧的表面中,并且所述气孔沿着与所述分隔件的长度方向垂直的方向穿过所述分隔件。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述分隔件由与像素限定层的材料相同的材料制成。
7.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述分隔件是像素限定层的向上突出的部分。
8.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述气孔沿着与所述分隔件的长度方向垂直的方向穿过所述分隔件,从而暴露部分像素限定层。
9.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括以下步骤:
在下基底的表面上形成薄膜晶体管;
在薄膜晶体管上形成像素限定层;
通过蚀刻像素限定层形成像素部分;
在像素限定层上形成分隔件;
沿着与所述分隔件的长度方向垂直的方向在所述分隔件中形成凹槽;
在所述分隔件上设置上基底。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述分隔件由与像素限定层的材料相同的材料制成。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,形成所述分隔件的步骤包括使像素限定层的一部分向上突出。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,形成所述凹槽的步骤包括通过所述凹槽暴露部分像素限定层。
13.根据权利要求9所述的方法,其中,形成所述凹槽的步骤包括以与曝光工具的分辨率的30%至60%对应的分辨率使部分分隔件曝光。
14.根据权利要求9所述的方法,其中,形成所述凹槽的步骤包括以1μm至2μm范围内的分辨率使部分分隔件曝光。
15.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括以下步骤:
在下基底上形成分隔件;
沿着与所述分隔件的长度方向垂直的方向在所述分隔件中形成凹槽;
在所述分隔件上设置上基底;
将偏振膜附于上基底的表面;
利用辊子对上基底施加压力。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,沿着与所述分隔件的长度方向垂直的方向执行利用辊子施加压力的步骤。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,利用辊子对上基底施加压力的步骤包括利用所述凹槽,以允许气体在与辊子移动的方向相反的方向向回流动,从而均匀地分布内部压力。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110022953A KR20120105254A (ko) | 2011-03-15 | 2011-03-15 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR10-2011-0022953 | 2011-03-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102683380A true CN102683380A (zh) | 2012-09-19 |
CN102683380B CN102683380B (zh) | 2016-10-26 |
Family
ID=46815055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110304826.3A Active CN102683380B (zh) | 2011-03-15 | 2011-09-30 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8648344B2 (zh) |
KR (1) | KR20120105254A (zh) |
CN (1) | CN102683380B (zh) |
TW (1) | TWI502615B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140044103A (ko) * | 2012-10-04 | 2014-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5218177A (en) * | 1991-12-10 | 1993-06-08 | Lexmark International, Inc. | Screened pattern causing gaps around keyboard membrane spacer hole to increase venting and reduced bounce |
US20050117093A1 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Color filter on thin film transistor type liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US20080003380A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Color filter substrate for liquid crystal display device and method for fabricating the same |
CN101504950A (zh) * | 2008-02-08 | 2009-08-12 | 精工爱普生株式会社 | 有机el装置及其制造方法 |
US20100242629A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa - Recherche Et Developpement | Roll-to-roll compatible pressure sensitive event sensing label |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101160833B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2012-06-28 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 장치 |
KR20070033111A (ko) | 2005-09-20 | 2007-03-26 | 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 | 전계방출표시장치 |
KR100761161B1 (ko) | 2005-12-22 | 2007-09-21 | 엘지전자 주식회사 | 듀얼형 전계 발광 소자 |
KR100914784B1 (ko) * | 2006-05-17 | 2009-08-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
KR100840117B1 (ko) * | 2007-09-05 | 2008-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100889682B1 (ko) * | 2008-01-30 | 2009-03-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101378439B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2014-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100978667B1 (ko) | 2008-11-13 | 2010-08-30 | 삼성전기주식회사 | 전기영동 디스플레이 장치 및 전기영동 디스플레이 장치용 스페이서 제조방법 |
-
2011
- 2011-03-15 KR KR1020110022953A patent/KR20120105254A/ko active Search and Examination
- 2011-08-12 US US13/208,509 patent/US8648344B2/en active Active
- 2011-09-14 TW TW100133104A patent/TWI502615B/zh active
- 2011-09-30 CN CN201110304826.3A patent/CN102683380B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5218177A (en) * | 1991-12-10 | 1993-06-08 | Lexmark International, Inc. | Screened pattern causing gaps around keyboard membrane spacer hole to increase venting and reduced bounce |
US20050117093A1 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Color filter on thin film transistor type liquid crystal display device and method of fabricating the same |
US20080003380A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Color filter substrate for liquid crystal display device and method for fabricating the same |
CN101504950A (zh) * | 2008-02-08 | 2009-08-12 | 精工爱普生株式会社 | 有机el装置及其制造方法 |
US20100242629A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa - Recherche Et Developpement | Roll-to-roll compatible pressure sensitive event sensing label |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120105254A (ko) | 2012-09-25 |
US8648344B2 (en) | 2014-02-11 |
CN102683380B (zh) | 2016-10-26 |
TW201237914A (en) | 2012-09-16 |
US20120235146A1 (en) | 2012-09-20 |
TWI502615B (zh) | 2015-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10014491B2 (en) | Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof | |
US10483401B2 (en) | Thin-film transistor having oxide semiconductor channel layer vertically exending along lateral sides of source electrode, separation layer, and drain electrode and array substrate including same | |
JP2022044772A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 | |
US7518147B2 (en) | Organic electro luminescence device and fabrication method thereof | |
CN101154346B (zh) | 影像显示系统及其制造方法 | |
US7531833B2 (en) | Organic electro luminescence device and fabrication method thereof | |
CN103366638B (zh) | 平板显示装置 | |
US20050184927A1 (en) | Flat panel display | |
US10451940B2 (en) | Flexible display device which can be folded or rolled | |
US8008857B2 (en) | Organic light emitting display with reflective electrode | |
US20120319123A1 (en) | Display Device and Method of Manufacturing the Same | |
CN105280679A (zh) | 有机电致发光装置 | |
US20180247991A1 (en) | Thin film transistor substrate for organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof | |
CN105633101A (zh) | Tft阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
CN107302016B (zh) | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法 | |
EP3096358B1 (en) | Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material | |
CN103035663B (zh) | 显示器件 | |
EP3896736B1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
CN100435380C (zh) | 带支撑板的有机电致发光器件及其制作方法 | |
US11670198B2 (en) | Flexible display panel and rollable display device | |
US11063105B2 (en) | Display panel and fabrication method, and display device | |
JP6802653B2 (ja) | 表示装置 | |
CN112447764A (zh) | 用于显示设备的氢陷阱层及显示设备 | |
CN102683380A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN103247661A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20121115 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121115 Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin Applicant after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |
|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |