TWI500735B - Radiation hardening type wafer cutting adhesive tape - Google Patents

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Description

放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶
本發明係有關一種為使半導體晶圓等予以元件小片化而進行切割(dicing)時，於固定該半導體晶圓等之被切割物時所使用的黏著膠帶。
習知的半導體裝置係使設置於基板上之半導體晶片藉由線焊(wire bonding)導電接合而製造。近年來，對應於使機器更進一步小型化‧薄型化‧輕量化的要求，亦同樣地要求有關以使用於此等機器內部之半導體裝置為始的電子零件。為使電子零件小型化時，例如提案層合半導體晶片以實現高密度實裝的三次元實裝技術(例如參照專利文獻1)。此外，進行三次元實裝技術之方法，例如提案形成貫通晶片之電極(貫通電極)，且經由該電極層合有稱為插入物(interposer)之實裝用晶片的半導體封裝構造(例如參照專利文獻2)。
檢討使形成有貫通電極之晶圓切割成元件小片(半導體晶片)(切割(dicing)步驟)，及進行此等半導體晶片之取晶步驟(取晶(pick-up)步驟)時，係使用具有放射線硬化型 黏著層之晶圓切割加工用黏著膠帶。
使用具有放射線硬化型黏著層之晶圓切割用黏著膠帶時，於切割步驟時必須充分地保持晶圓。然而，設置有貫通電極之晶圓，通常在一面或兩面上具有3~數十μm高度之貫通電極的突起部。因此，即使貼合習知的切割加工用黏著膠帶，仍無法追隨該突起部，大多數無法保持晶圓。另外，該結果會導致在貫通電極之突起周邊部產生空隙。通常，於切割步驟時藉由稱為刀片之回轉刀予以個片化成晶片。在黏著劑層與貫通電極的突起周邊部之間具有空隙而無法充分地保持時，因切削時之衝擊而使晶片振動且引起刀片與晶片之衝突，產生晶片缺陷(破裂)而降低晶片之處理性。
為解決切割步驟時之問題時，提案使黏著劑層之凝膠分率及10℃之貯藏彈性率為特定範圍內之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶(例如參照專利文獻3)。專利文獻3之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，係藉由具有特定範圍內之凝膠分率與貯藏彈性率之黏著劑層，來解決切割步驟時之上述問題。
[習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-50738號公報
[專利文獻2]日本特開2005-236245號公報
[專利文獻3]日本特開2006-202926號公報
然而，上述專利文獻3之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，於進行切割後，因對黏著劑層照射放射線予以硬化而降低黏著力時，由於黏著劑層硬化收縮，使黏著劑層包住貫通電極等之晶圓表面的突起，導致無法良好地拾取經切割的半導體晶片之問題。上述專利文獻3之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，係使用含有因刺激而產生氣體的氣體產生劑之黏著劑。然而，在黏著劑中產生氣體的機構中，由於黏著劑變脆，恐會產生黏著劑碎屑附著於晶片(黏著劑殘留)，並降低處理性的問題。
因此，本發明以提供一種即使是對設置有貫通電極之半導體晶片等而言，於取晶步驟中不會產生黏著劑殘留的情形，可容易地進行取晶的放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶為目的。
為解決上述課題時，本發明之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，其係在基材片上設置有放射線硬化型黏著劑層之放射線硬化型黏著膠帶，其特徵為作為放射線硬化後之楊氏率對放射線硬化前之楊氏率的比例為1.0~1.8。
上述之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，以前述黏著劑層於放射線硬化前之貯藏彈性率G’為1.8×104 ~4.7×104 Pa較佳。
而且，上述之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，以前述黏著劑層於放射線硬化前之損失係數tanδ為0.20~0.35較佳。
此外，上述之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，以於切割半導體晶圓時使用為宜。
另外，上述之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，以前述半導體晶圓使用在貼合於前述黏著劑層之面上具有突起物或段差為宜。
藉由本發明，可減低切割步驟之破裂，且即使是對設置有貫通電極之半導體晶片而言，於取晶步驟中不會產生黏著劑殘留的情形，可容易地進行取晶。
[為實施發明之形態]
於下述中，詳細說明有關本發明之實施形態。
本發明之實施形態的放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1，係在基材片2之至少一面上形成至少1層的黏著劑層3。第1圖係表示本發明之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1之較佳實施形態的簡略截面圖，放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1，具有基材片2，在基材片2上形成黏著劑層3。
本發明之實施形態的放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1，其係作為放射線硬化後之楊氏率對放射線硬化前之楊氏率而言的比例(放射線硬化後之楊氏率/放射線硬化前之楊氏率)為1.0~1.8。
將在放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1上貼合黏著 劑層3之面上具有突起物或段差之晶圓貼合於放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1時，以突起物或段差幾乎完全埋入於黏著劑層3中較佳。在突起物或段差、與放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1之間具有空隙時，因切割步驟時之回轉刀(刀片)振動而導致晶片被大為振動，引起與刀片或相鄰的晶片接觸，產生晶片破裂的問題。
此外，突起物或段差幾乎完全埋入黏著劑層3時，可減低因回轉刀振動的影響，惟在構成黏著劑層3之黏著劑中使用放射線硬化型黏著劑組成時，由於黏著劑層3在密接於突起物或段差的狀態下硬化，於取晶步驟時黏著劑層3覆蓋突起物或段差，而產生無法取晶的問題。
此處，放射線硬化型黏著劑係指至少含有在分子內末端具有碳-碳不飽和鍵之化合物(a)、及稱為起始劑之受到放射線而產生自由基的化合物之黏著組成物。藉由照射放射線，使起始劑活性化且藉由所產生的自由基連接末端之碳-碳不飽和鍵予以活性化，與繼後的化合物(a)鍵結，在化合物(a)彼此間形成交聯。
於交聯形成前，由於藉由使分散於黏著劑中之複數個化合物(a)交聯而集合且鍵結，黏著劑於交聯後較交聯前變得更硬。在密接於突起物或段差的狀態下，引起該交聯反應時，由於變硬的黏著劑覆蓋突起物或段差而阻害平順地剝離。特別是於具有貫通電極之晶圓中，為貫通晶圓內部，形成突起物時，導致晶片強度顯著減弱並阻害剝離時，容易引起晶片破裂的情形。因該黏著劑硬化而覆蓋突 起物或段差時，可藉由調整黏著劑之硬化程度予以抑制。
以放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1之拉伸彈性率作為黏著劑之硬化程度的指標。放射線硬化前之拉伸彈性率與硬化後之拉伸彈性率的比例(放射線硬化後之拉伸彈性/硬化前之拉伸彈性率)大約接近1時，係指交聯形成前後的硬度變化小之意。放射線硬化型之黏著劑層3，如上所述因藉由照射放射線而產生硬化反應，通常上述之比例大於1。該比例為1.8以下時，產生覆蓋突起物或段差之情形少，可容易地進行取晶。大於1.8時，產生覆蓋突起物或段差的情形，於取晶步驟之突起時施加於晶片之應力變大，無法取晶且同時產生晶片破損情形。
而且，此處之拉伸彈性率係依照JIS K 7127：1999為基準所得的值。此外，一般而言基材片2較黏著劑層3之厚度更厚，且剛性更高，惟藉由放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1之拉伸彈性率的比例，可比較僅黏著劑層3之拉伸彈性率。
此處，放射線之照射量沒有特別的限制，例如為紫外線時，以100~1000mJ/cm2 較佳，以200~500mJ/cm2 更佳。
為防止半導體晶片破裂時，以放射線硬化前之黏著劑層3的貯藏彈性率G’為1.8×104 ~4.7×104 Pa較佳，以2.0×104 ~4.7×104 更佳。G’小於1.8×104 Pa時，可使黏著劑層3充分地密接於突起物或段差，惟由於黏著劑層3過於柔軟，無法抑制切割步驟時因回轉刀而振動，產生破裂 的情形。而且，大於4.7×104 Pa時，無法使黏著劑層3充分地密接於突起物或段差而導致空隙，最終因切割步驟之回轉刀振動而產生破裂的情形。
此外，為維持黏著劑層3充分地密接於突起物或段差之狀態時，放射線硬化前之黏著劑層3的損失係數tanδ以0.20~0.35較佳，以0.25~0.35更佳。損失係數tanδ係以貯藏彈性率G’與損失彈性率G”之比例(G”/G’)表示。tanδ過小時，即使是黏著劑層3可充分地密接於突起物或段差，由於反發能力大而不易維持密接的狀態。tanδ過大時，由於反發能力小，於個片化後取晶時變得不易傳達來自下方之突起工具的應力。黏著劑層3之損失係數tanδ小於0.20時，無法維持密接的狀態，在晶圓與黏著膠帶之間產生空隙，恐會因上述之機構而使破裂惡化的問題。黏著劑層3之損失係數tanδ大於0.35時，由於個片化後取晶時不易傳達來自下方之突起工具的應力，變得無法提高突起高度，恐會提高晶片破損的情形。
於下述中，詳細說明有關本實施形態之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1之各構成要素。
(基材片2)
有關構成基材片2之樹脂，沒有特別的限制，可使用可形成片狀之樹脂。例如，亦可使用聚丙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯‧丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二 烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-氯乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚胺基甲酸乙酯、聚醯胺、離子聚合物、腈橡膠、丁基橡膠、苯乙烯異戊烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、天然橡膠及其加水物或改質物等。此等之樹脂可單獨或2種以上混合使用，此外，亦可為2層以上之複數層構成。
基材片2之厚度，沒有特別的限制，過薄時不易處理，過厚時，由於不易傳達取晶步驟時突起工具之應力，故以50~150μm較佳，以70~100μm更佳。
為提高密接性時，亦可對基材片2連接黏著劑層3之面實施電暈處理，且實施底層等之處理。
(黏著劑層3)
構成黏著劑層3之黏著劑組成物，例如使用特開平7-135189號公報等所記載者較佳，惟不受此等所限制，相對於橡膠系或丙烯酸系之基體聚合物而言，可使用摻合分子中具有至少2個放射線聚合性碳-碳雙鍵之化合物(以下稱為光聚合性化合物)及光聚合起始劑而成者，或在丙烯酸系之基體聚合物中加成具有碳-碳雙鍵之化合物而成者。
在丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵之方法，沒有特 別的限制，例如藉由使用具有官能基之單體作為共聚合性單體予以共聚合，調製含有官能基之丙烯酸系聚合物後，使具有與含官能基之丙烯酸系聚合物中之官能基反應而得的官能基及碳-碳雙鍵之化合物，在維持碳-碳雙鍵之放射線硬化性(放射線聚合性)的狀態下，與含有官能基之丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應，調製分子內具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物的方法等。
上述橡膠系或丙烯酸系之基體聚合物，係使用天然橡膠、各種合成橡膠等之橡膠系聚合物、或聚(甲基)丙烯酸烷酯、(甲基)丙烯酸烷酯、(甲基)丙烯酸烷酯及可與其共聚合的不飽和單體之共聚物等之丙烯酸系聚合物。使用丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲氧基乙酯作為構成基體聚合物之單體時，由於可更為提高取晶性時，故較佳。
光聚合性化合物，例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸與多元醇之酯化物；酯丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基-二-3-丁烯基氰酸酯等之具有含碳-碳雙鍵之基的氰酸酯系化合物；參(2-丙烯氧基乙基)異氰酸酯、參(2-甲基丙烯氧基乙基)異氰酸酯、2-羥基乙基雙(2-丙烯氧基乙基)異氰酸酯、雙(2-丙烯氧基乙基)2-[(5-丙烯氧基己基)-氧]乙基異氰酸酯、參(1,3-二丙烯氧基-2-丙基-氧化羰基胺基-n-己基)異氰酸酯、參(1-丙烯氧基乙基-3-甲 基丙烯氧基-2-丙基-氧化羰基胺基-n-己基)異氰酸酯、參(4-丙烯氧基-n-丁基)異氰酸酯等之具有含碳-碳雙鍵之基的異氰酸酯系化合物等。此等之光聚合性化合物，可單獨或2種以上組合使用。
放射線硬化前後之拉伸楊氏率的比例為1.8以下時，一分子中之碳-碳雙鍵數沒有特別的限制，以一分子中之碳-碳雙鍵數為2~6個較佳。而且，有關光聚合性化合物之摻合量亦沒有特別的限制，黏著劑相對於前述基體聚合物100質量份而言，以10~90質量份較佳，以20~70質量份更佳，以20~60質量份最佳。
放射線硬化型黏著劑，可藉由在黏著劑中混入光聚合起始劑，藉由放射線照射而產生聚合硬化反應。該光聚合起始劑，例如苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因丙醚、苯偶因異丙醚、苯偶因異丁醚等之苯偶因烷醚系起始劑；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯基二苯甲酮等之二苯甲酮系起始劑；α-羥基環己基苯酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等之芳香族酮系起始劑；苯甲基二甲基縮酮等之芳香族縮酮系起始劑；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、2-十二烷基噻噸酮，2,4-二氯噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等之噻噸酮 系起始劑、苯甲基等之苯甲基系起始劑、苯偶因等之苯偶因系起始劑、以及α-縮醛系化合物(2-甲基-2-羥基苯丙酮等)、芳香族氯化磺醯基系化合物(2-萘氯化磺醯基等)、光活性肟系化合物(1-苯酮-1,1-丙烷二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等)、樟腦酮、鹵化酮、醯基氧化膦、醯基膦酸酯等。光聚合起始劑可單獨或2種以上組合使用。
光聚合起始劑之摻合量，沒有特別的限制，相對於黏著劑之前述基體聚合物100質量份而言，較佳者為1~10質量份，更佳者為2~7質量份。
此外，於上述黏著劑中，視其所需可摻合異氰酸酯系硬化劑。具體而言，異氰酸酯系硬化劑使用多價異氰酸酯系化合物，例如2,4-甲次苯基二異氰酸酯、2,6-甲次苯基二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、賴胺酸異氰酸酯等。
硬化劑之摻合量沒有特別的限制，黏著劑相對於前述基體聚合物100質量份而言，較佳者為0.01~10質量份，更佳者為0.1~5質量份。
為形成放射線硬化型黏著劑時之黏著劑組成物中，視其所需例如亦可含有黏著附予劑、抗老化劑、填充劑、著色劑、難燃劑、抗靜電劑、軟化劑、紫外線吸收劑、抗氧 化劑、可塑劑、界面活性劑等之習知的添加劑等。
本發明之黏著劑層3，係可利用習知的黏著劑層3之型成方法形成。例如將上述黏著劑組成物塗佈於基材片2之指定面上予以形成的方法，或藉由將黏著劑組成物塗佈於隔板(例如塗佈有脫模劑之塑膠製薄膜或薄片等)上，形成黏著劑層3後，將該黏著劑層3轉印於基材片2之指定面上的方法，在基材片2上形成黏著劑層3。黏著劑層3之厚度，只要是較突起物或段差更高者即可，沒有特別的限制。
而且，第1圖係表示黏著劑層3為具有單層形態之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1，亦可具有層合有複數層之黏著劑層3的形態。層合有複數層之黏著劑層3時，於切割時具有貼合晶圓的面之黏著劑層3為放射線硬化型黏著劑層3，以放射線硬化前之貯藏彈性率G’為1.8×104 ~4.7×104 Pa，放射線硬化前之損失係數tanδ為0.20~0.35較佳。
另外，視其所需直至實際使用之間，為保護黏著劑層3時，通常可將作為隔板所使用的合成樹脂薄膜貼附於黏著劑層3側。合成樹脂薄膜之構成材料，例如聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等之合成樹脂薄膜或紙等。為提高自黏著劑層3之剝離性時，視其所需對合成樹脂薄膜之表面實施聚矽氧烷處理、長鏈烷基處理、氟處理等之剝離處理。合成樹脂薄膜之厚度，通常約為10~100μm，較佳者約為25~50μm。
<使用方法>
其次，說明有關本發明之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1之使用方法。
本發明之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1，於貼附於被切斷物之半導體零件的安裝步驟後，依照常法進行切割，再移至放射線照射、取晶步驟。半導體零件例如矽半導體、化合物半導體、半導體封裝、玻璃、陶瓷等，放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1，可適合於切割具有貫通電極之半導體晶圓時使用。
通常，安裝步驟係重疊被切斷物與放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶1，藉由使用壓附輥之押壓手段等之習知的押壓手段進行押壓，且同時貼附被切斷物與黏著膠帶。與被切斷物之密接性不充分時，亦可採用使被切斷物加熱的方法。
切割步驟係使刀片予以高速回轉，將被切斷物切斷成指定的尺寸。切割時可採用直至切入部分切割膠帶之稱為全切割(full cut)的切斷方式等。
於切割後，藉由照射紫外線，使黏著劑層3硬化以降低黏著性。藉由紫外線照射，可使黏著劑層3之黏著性藉由硬化而降低，使剝離容易化。此處，紫外線之照射量沒有特別的限制，以100~1000mJ/cm2 較佳，以200~500mJ/cm2 更佳。
於紫外線照射後，進行取晶步驟。於取晶步驟時，可 設置擴大步驟。取晶方法沒有特別的限制，可採用習知的各種取晶方法。例如將各切斷片藉由針等之工具，自切割膠帶突起，將被突起的切斷片藉由取晶裝置進行取晶的方法等。
1‧‧‧放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶
2‧‧‧基材片
3‧‧‧黏著劑層
4‧‧‧晶片
5‧‧‧球狀突起物
[第1圖]係表示本發明之實施形態的放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶之構造的典型截面圖。
[第2圖]係表示使用本發明之實施例的放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶所切斷的晶片之構造的典型平面圖。
於下述中，依照實施例為基準更詳細地說明本發明，惟本發明不受此等實施例所限制。
<構成黏著劑層之樹脂組成物>
調製下述之A~H作為構成黏著劑層之樹脂組成物。
(黏著劑組成物A)
相對於丙烯酸系聚合物(由丙烯酸乙酯：23mol%、丙烯酸丁酯：56mol%、丙烯酸甲氧基乙酯：21mol%而成的丙烯酸系共聚物(重量平均分子量90萬))100質量份而言，加入聚異氰酸酯化合物(日本聚胺基甲酸酯工業股份有限公司製、商品名CORONATE L)2質量份、作為光聚合性化 合物之四羥甲基甲烷四丙烯酸酯30質量份、及光聚合起始劑(BASF公司製、商品名IRGACURE 184)2質量份並予以混合，調製放射線硬化性之黏著劑組成物A。
(黏著劑組成物B)
除光聚合性化合物使用季戊四醇三丙烯酸酯60質量份以外，與黏著劑組成物A相同地，調製黏著劑組成物B。
(黏著劑組成物C)
除丙烯酸系聚合物使用由2-乙基己基丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、2-羥基乙基丙烯酸酯而成的共聚物(重量平均分子量50萬)以外，與黏著劑組成物A相同地，調製黏著劑組成物C。
(黏著劑組成物D)
除光聚合性化合物使用二季戊四醇六丙烯酸酯，且摻合量為20質量份以外，與黏著劑組成物C相同地，調製黏著劑組成物D。
(黏著劑組成物E)
除光聚合性化合物之摻用量為50質量份以外，與黏著劑組成物D相同地，調製黏著劑組成物E。
(黏著劑組成物F)
除光聚合性化合物之摻合量為80質量份以外，與黏著劑組成物D相同地，調製黏著劑組成物F。
(黏著劑組成物G)
使由2-乙基己基丙烯酸酯、甲基丙烯酸、2-羥基乙基丙烯酸酯而成的丙烯酸系共聚物100質量份，與作為具有光聚合性碳-碳雙鍵及官能基之化合物的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(昭和電工股份有限公司製、商品名KARENZ MOI)0.2質量份反應，製得對主鏈之重複單位而言鍵結有具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基的丙烯酸系單體部之殘基的聚合物(重量平均分子量60萬)。相對於上述聚合物100質量份而言，加入聚異氰酸酯化合物(日本聚胺基甲酸酯工業股份有限公司製、商品名CORONATE L)1質量份、及光聚合起始劑(BASF公司製、商品名IRGACURE 184)2質量份並予以混合，調製放射線硬化性之黏著劑組成物G。
(黏著劑組成物H)
除聚異氰酸酯化合物之摻合量為0.5質量份以外，與黏著劑組成物G相同地，調製黏著劑組成物H。
(黏著劑組成物I)
除使與丙烯酸系共聚物反應的2-甲基丙烯醯氧基乙基 異氰酸酯之摻合量為0.6質量份以外，與黏著劑組成物G相同地，調製黏著劑組成物I。
<基材片>
準備下述之J~L作為基材片。
(基材片J)
以2軸混練機、在約200℃下，使乙烯-甲基丙烯酸-(丙烯酸2-甲基-丙基)-Zn++離子聚合物樹脂(Mitsui‧DuPont PolyChemicals股份有限公司製、商品名High Milan AM7316)薄膜押出成形，並製造厚度100μm之基材片J。
(基材片K)
以2軸混練機、在約200℃下，使乙烯-醋酸乙烯共聚物(Nippon Unicar股份有限公司製、商品名NUC-3758)薄膜押出成形，並製造厚度100μm之基材片K。
(基材片L)
準備含有相對於聚氯乙烯樹脂100質量份而言為30質量份之苯二甲酸二辛酯之聚氯乙烯片(厚度100μm)。
<放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶之製作>
如表1及表2所示，以各乾燥後之厚度為20μm之方 式，將上述黏著劑組成物A~I各塗佈於各基材片J~L，形成黏著劑層，並製造實施例1、3~9、比較例1、2之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶。而且，以乾燥後之厚度為25μm之方式，塗佈黏著組成物A，形成黏著劑層，並製造實施例2之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶。
<黏著膠帶之楊氏率的比例>
使用實施例1~9及比較例1、2之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，依照JIS K7127/2/300為基準，製作試驗片並實施拉伸試驗，求得紫外線照射前之楊氏率。而且，自黏著膠帶試驗試料之基材片側照射200mJ/mm2 之紫外線，使黏著劑層硬化後，實施相同的試驗，且求得紫外線照射後之楊氏率。任一試驗之試驗結果皆為測定數n=5之平均值。由此等之結果求得楊氏率之比例((紫外線照射後)/(紫外線照射前))。其結果如表1及表2所示。
<黏著劑層之黏彈性>
以乾燥後之厚度為20μm之方式，將黏著劑組成物A~I各塗佈於脫模薄膜上，形成黏著劑層後，自脫模薄膜剝離黏著劑層，以總厚度約為2mm的方式重疊，製作試驗試料。將該試驗試料穿孔成直徑8mm之圓盤狀，以平行刀片夾住，使用黏彈性測定裝置(TA Instruments公司製、商品名ARES)，以下述條件進行測定。自所取得的數據記錄貯藏彈性率G’之最大值及最小值、及損失係數 tanδ之最小值。結果如表1及表2所示。
(測定條件)
測定溫度：23~80℃
昇溫速度：5℃/min
測定頻率：0.15Hz
<放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶之評估>
直徑10μm之球狀突起物5(參照第2圖)，係準備以100μm間隔形成的8吋、厚度30μm之Si晶圓。然後，同時將實施例1~8及比較例1、2之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶貼合於環狀薄膜。
(埋入性評估)
以目視自貼合後之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶面的上方觀察在球狀突起物周圍是否有氣泡情形。沒有氣泡時為◎，氣泡大小為10μm以下時為○，氣泡大小大於10μm時為×。結果如表1及表2所示。
(貼合後之經時變化評估)
於貼合後，在切割卡匣上放置1小時後，實施與評估埋入性相同的評估。埋入性評估後沒有變化時為○，氣泡尺寸之擴大寬度為5μm以下時為△，氣泡尺寸之擴大寬度大於5μm時為×。結果如表1及表2所示。
然後，使用切割裝置(DISCO股份有限公司製、商品名DAD-340)，如第2圖所示，以晶片4之尺寸為10mm見方的方式，以下述條件實施切割。而且，球狀突起物5如第2圖形成，沒有形成於切割線上。
(切割條件)
刀片：DISCO股份有限公司製「27HECC」
刀片回轉數：40000rpm
切割速度：50mm/sec
切割深度：25μm
切割型式：向下切割
(取晶性評估)
自放射線硬化型切割用黏著膠帶之基材片側照射200mJ/mm2 之紫外線，使黏著劑層硬化後，將個片化的晶片使用鑄模撿出裝置(Canon Machinery股份有限公司製、商品名CAP-300II)進行取晶。將任意的50個晶片以下述條件A及條件B進行取晶，計算成功取晶的晶片數，成功地拾取全部50個晶片時為○，成功地拾取45~49個半導體晶片時為△，除此以外者為×，進行評估取晶性。結果如表1及表2所示。而且，取晶失敗係指無法剝離時、及在被拾取的晶片上有破裂的情形。
(取晶條件A)
針數：5條
針之間隔：7.8×7.8mm
針前端之彎曲率：0.25mm
針之突起量：0.30mm
(取晶條件B)
針數：5條
針之間隔：7.8×7.8mm
針前端之彎曲率：0.25mm
針之突起量：0.40mm
(破裂性評估)
以光學顯微鏡觀察30片以破裂性評估所採取的晶片之裏面，測定破裂的大小。自晶片前端至破裂最深處的距離，係5μm以下時為○，6~15μm時為△，大於15μm時為×。結果如表1及表2所示。
如表1及表2所示，實施例1~9之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，由於放射線硬化後之楊氏率對放射線硬化前之楊氏率的比為1.0~1.8，條件B之取晶性較佳。特別是實施例1~4，由於使用丙烯酸乙二酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲氧基乙酯作為構成基體聚合物之單體，即使是針之突起量小、取晶性較為困難的條件A，取晶性亦佳。實施例5~9由於沒有使用丙烯酸乙二酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲氧基乙酯作為構成基體聚合物之單體，條件A產生取晶失敗的晶片，惟在容許範圍之產生比例內。相對於此而言，比較例1、2之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，由於放射線硬化後之楊氏率對放射線硬化前之楊氏率的比大於1.8，條件A、B皆無法良好地進行取晶。
另外，實施例1~6之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，係黏著劑層於放射線硬化前之貯藏彈性率G’為1.8×104 ~4.7×104 Pa，由於黏著劑層之放射線硬化前的損失係數tanδ為0.25~0.35，埋入性、破裂性、貼合後之經 時變化皆佳。相對於此而言，實施例7之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，由於黏著劑層於放射線硬化前之貯藏彈性率G’為4.7×104 Pa，與實施例1~6之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶相比，埋入性不佳且破裂性降低，惟在容許範圍內。另外，實施例8之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，由於黏著劑層於放射線硬化前之貯藏彈性率G’為1.8×104 ，與實施例1~6之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶相比，破裂性不佳，惟在容許範圍內。此外，實施例9之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，由於黏著劑層於放射線硬化前之損失係數tanδ為0.20，與實施例1~6之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶相比，貼合後因經時變化而產生晶圓浮出的情形且破裂性降低，惟在容許範圍內。
1‧‧‧放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶
2‧‧‧基材片
3‧‧‧黏著劑層

Claims (5)

  1. 一種放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，其係在基材片上設置有放射線硬化型黏著劑層之放射線硬化型黏著膠帶，其特徵為作為放射線硬化後之楊氏率對於放射線硬化前之楊氏率而言的比例之放射線硬化後之楊氏率/放射線硬化前之楊氏率為1.0~1.8。
  2. 如請求項1之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，其中前述黏著劑層於放射線硬化前之貯藏彈性率G’為1.8×104 ~4.7×104 Pa。
  3. 如請求項1或2之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，其中前述黏著劑層於放射線硬化前之損失係數tanδ為0.20~0.35。
  4. 如請求項1或2之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，其係於切割半導體晶圓時使用。
  5. 如請求項4之放射線硬化型晶圓切割用黏著膠帶，其中前述半導體晶圓係在貼合於前述黏著劑層之面上具有突起物或段差。
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