TWI497043B - 用於校準高溫計的設備 - Google Patents
用於校準高溫計的設備 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI497043B TWI497043B TW103103572A TW103103572A TWI497043B TW I497043 B TWI497043 B TW I497043B TW 103103572 A TW103103572 A TW 103103572A TW 103103572 A TW103103572 A TW 103103572A TW I497043 B TWI497043 B TW I497043B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light output
- output wall
- cover
- wall
- calibrating
- Prior art date
Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 35
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 27
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K15/00—Testing or calibrating of thermometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0887—Integrating cavities mimicking black bodies, wherein the heat propagation between the black body and the measuring element does not occur within a solid; Use of bodies placed inside the fluid stream for measurement of the temperature of gases; Use of the reemission from a surface, e.g. reflective surface; Emissivity enhancement by multiple reflections
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
- G01J5/0007—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter of wafers or semiconductor substrates, e.g. using Rapid Thermal Processing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/52—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using comparison with reference sources, e.g. disappearing-filament pyrometer
- G01J5/53—Reference sources, e.g. standard lamps; Black bodies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Description
本發明涉及一種校準設備(calibrating apparatus),其用於除去高溫計(pyrometer)的測量偏差,且更特定來說,涉及一種用於校準高溫計的設備,所述設備校準參考值用以除去以非接觸(non-contact)方式測得的溫度中的偏差。
在相對於基板執行熱處理過程的熱處理設備中,使用例如鹵素燈(halogen lamp)等加熱燈(heating lamp)將熱供應到矽基板,且通過光學探針(optical probe)測量基板的溫度,且將基板的測得溫度回饋到加熱控制器,用以控制加熱燈。
圖1是說明低溫熱處理設備的示意圖。如圖1中說明,在其中基板20安裝於處理腔室10中的邊緣環(edge ring)30處的狀態中,通過多個加熱燈61實行熱處理,且以非接觸方式通過低溫測量高溫計40測量基板20的溫度。也就是說,溫度測量高溫計40用於通過透鏡41將具有近似5μm的輻射能量強度集中為近似20μm,所述輻射能量具有近似600℃或以下的低溫並且是從基板20輻射的,且隨後基於黑體輻射(blackbody radiation)溫度
關係以非接觸方式計算基板的溫度。由溫度測量高溫計40計算的溫度通過加熱控制器50回饋到加熱部分60,用以控制所述多個加熱燈61的溫度。
同時,當溫度測量高溫計40首次組裝到熱處理設備時,應當校準溫度測量高溫計40的參考值,用以在溫度測量高溫計40暴露於來自受熱基板的輻射能量時計算正確溫度。此外,當溫度測量高溫計40長時間使用時,由溫度測量高溫計40檢測到的溫度可能不正確,且必須週期性地重新校準溫度測量高溫計40。舉例來說,當在基板加熱期間從基板輻射的光所穿過的區域受到污染時,測得溫度可能不正確,且因此需要對應的重新校準操作。
相對於溫度測量高溫計的參考值的校準是由使用黑體的校準設備通過近似±1℃的偏差校準來執行。
圖2是說明一狀態的視圖,在所述狀態中,校準設備與溫度測量高溫計接觸,用以使用校準設備校準溫度測量高溫計。校準設備1在其中具有黑體110,且從黑體110中的輻射空間S輻射的輻射能量是通過光輸出埠釋放到外部。因此,通過光輸出埠釋放到外部的輻射能量可發射到在光輸出埠處佈置的溫度測量高溫計40處所提供的透鏡41。因此,當校準設備中的黑體110設定於某一溫度(例如,近似600℃)時,對應輻射能量發射到溫度測量高溫計40,且執行對溫度測量高溫計40的溫度校正以對應於黑體110的溫度(即,近似600℃)。舉例來說,如果在近似600℃的輻射能量實際上從黑體110的輻射空間S釋放的情形中,由溫
度測量高溫計40計算的溫度為近似598℃,那麼用於計算溫度測量高溫計40中的溫度的參考值經校準以對應於近似600℃的溫度。
同時,校準設備1必須將安置於其中的黑體110的溫度增加到所要的某一溫度(例如,近似600℃),之後執行溫度校正操作。然而,根據測試結果,在常規校準設備的情況下,當黑體110的溫度增加到所要高溫時,要花費太多時間。這是因為由於光輸出埠的小尺寸,幾乎沒有與黑體外部的熱交換。
此外,如果光輸出埠被透明阻擋板(transparent blocking plate)(未圖示)阻擋用以防止外來物質的引入,那麼由於透明阻擋板的阻擋作用,黑體110的溫度會更緩慢地增加。當光輸出埠打開而沒有透明阻擋板時,黑體110的溫度至少緩慢地增加,但當提供透明阻擋板以使得黑體110的輻射空間S完全密封時,黑體110的溫度幾乎不增加。
這是因為校準設備1的內部通過透明阻擋板完全與其外部隔離,且因此不產生對流,因而難以快速地增加黑體110的溫度。也就是說,因為黑體110由於與外部隔離而具有隔熱作用,因此黑體110的溫度不會快速地改變。
此外,這是因為透明阻擋板是由石英或藍寶石製成,所述石英或藍寶石並不透射具有近似600℃或以下的低溫的長波長能量。
本發明提供一種用於校準高溫計的設備,其校準溫度測量高溫計的溫度偏差。
本發明還提供一種用於校準高溫計的設備,其加熱安置於其中的黑體且因此減少黑體達到參考溫度所需的時間。
本發明還提供一種用於校準高溫計的設備,其最小化外來物質到黑體中的引入且還盡可能快地穩定黑體的溫度。
根據示範性實施例,一種用於校準高溫計的設備包含:黑體,其包含輻射能量從其輻射的輻射空間;主體外殼,其經配置以在其中接納所述黑體,且包含光輸出壁,所述光輸出壁具有與所述輻射空間連接的光輸出埠;光輸出壁保護蓋,其經配置以與所述主體外殼的所述光輸出壁耦合,用以界定將所述主體外殼的所述光輸出壁與外部環境進行連接的通道;以及固定部件,其經配置以將所述光輸出壁保護蓋固定到所述主體外殼的所述光輸出壁。
光輸出壁保護蓋可與主體外殼的光輸出壁間隔開且耦合到所述光輸出壁。
光輸出壁保護蓋可包含:蓋板,其包含與所述主體外殼的所述光輸出壁相對的內表面,以及位於所述內表面的相對側的外表面;蓋通孔,其經配置以在與所述光輸出埠相對的位置處穿過所述內表面和所述外表面;分隔部件,其經配置以在所述內表面上突出,用以使得其突出表面能夠與所述主體外殼的所述光輸
出壁接觸;以及蓋固定孔,其經配置以穿過所述分隔部件的所述突出表面和所述外表面。
透明阻擋板耦合部分(transparent blocking plate coupling portion)可為貫穿部分(through-portion),其從外表面突出且包含與蓋通孔連接的中心孔和阻擋中心孔的透明阻擋板。
所述內表面的邊緣可包含第一傾斜表面,其經配置以使得所述蓋板的厚度朝向所述蓋板的遠端變得越來越薄。
所述主體外殼的所述光輸出壁的邊緣可包含第二傾斜表面,所述第二傾斜表面經配置以與所述第一傾斜表面相對,用以在所述第一傾斜表面與第二傾斜表面之間具有均勻分隔空間。
主體外殼的光輸出壁可包含:中心光輸出壁(central light output wall),其經配置以被與其間隔開且與其耦合的所述光輸出壁保護蓋覆蓋;以及邊緣光輸出壁(edge light output wall),其經配置以不被所述光輸出壁保護蓋覆蓋,且其中所述中心光輸出壁和所述邊緣光輸出壁可具有厚度差,使得所述中心光輸出壁的厚度小於所述邊緣光輸出壁的厚度。
所述中心光輸出壁可具有包含內圓周和外圓周的圓環形狀,且所述中心光輸出壁的所述內圓周與所述光輸出埠接觸。
所述光輸出壁保護蓋的直徑小於所述外圓周的直徑,且所述光輸出壁保護蓋在所述中心光輸出壁的所述外圓周中與所述中心光輸出壁間隔開且耦合到所述中心光輸出壁。
透明阻擋板耦合部分可包含:第一圓周貫穿部分,其包
含第一內圓周和經配置以從所述蓋通孔的所述外表面突出的第一圓周突出表面;第二圓周貫穿部分,其包含第二內圓周,所述第二內圓周的直徑大於所述第一內圓周的直徑,以及經配置以在所述第二內圓周的內表面中界定的第二圓周螺紋;所述透明阻擋板,其經配置以具有內表面和外表面,所述內表面經固定到所述第一圓周突出表面;以及圓周環,其經配置以與所述透明阻擋板的所述外表面接觸,沿著所述第二圓周螺紋耦合,且將所述透明阻擋板固定到所述第一圓周突出表面。
所述分隔部件可以多個部件提供,所述多個部件安置於所述內表面的圓周上,用以以規則間隔彼此間隔開。
所述主體外殼的所述光輸出壁可包含蓋緊固凹槽(cover tightening groove),所述蓋緊固凹槽經配置以在與界定於所述分隔部件中的所述蓋固定孔相對的位置處界定。
所述固定部件可穿過所述蓋固定孔且可螺紋耦合到所述蓋緊固凹槽。
所述透明阻擋板可由透射近似5μm到近似20μm的長波長的材料製成。
所述透明阻擋板由BaF2
、CaF2
和Ge化合物中的一者製成。
所述透明阻擋板可體現為以下各項中的一者:凸透鏡、凹透鏡、所述凸透鏡的組合件、所述凹透鏡的組合件,以及所述凸透鏡和凹透鏡的組合件。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
1‧‧‧校準設備
10‧‧‧處理腔室
20‧‧‧基板
30‧‧‧邊緣環
40‧‧‧高溫計
41‧‧‧透鏡
50‧‧‧加熱控制器
60‧‧‧加熱部分
61‧‧‧加熱燈
100‧‧‧主體外殼
100a、100b‧‧‧側壁
100c‧‧‧光輸出壁
100cb‧‧‧邊緣光輸出壁
100ca‧‧‧中心光輸出壁
102、102a、102b、102c、102d‧‧‧蓋緊固凹槽
110‧‧‧黑體
200‧‧‧光輸出壁保護蓋
201、201a、201b、201c、201d‧‧‧蓋固定孔/螺紋凹槽
210‧‧‧透明阻擋板
220‧‧‧圓周環
230‧‧‧透明阻擋板耦合部分
230a‧‧‧第一圓周貫穿部分
230b‧‧‧第二圓周貫穿部分
231‧‧‧第一圓周突出表面
240‧‧‧蓋板
240a‧‧‧內表面
240b‧‧‧外表面
250、250a、250b、250c、250d‧‧‧分隔部件
300、300a、300b、300c、300d‧‧‧固定部件
500‧‧‧加熱器
501‧‧‧熱導體
B1‧‧‧傾斜表面/第一傾斜表面
B2‧‧‧第二傾斜表面
A‧‧‧蓋通孔
C‧‧‧光輸出埠
S‧‧‧輻射空間
圖1是說明熱處理設備的示意圖。
圖2是說明一狀態的視圖,在所述狀態中,校準設備與石英棒接觸,以使用校準設備校準溫度測量高溫計。
圖3是根據示範性實施例的校準設備的橫截面圖。
圖4是說明根據示範性實施例的與主體外殼的一個側壁間隔開且耦合到所述側壁的光輸出壁保護蓋的內表面的視圖。
圖5是說明根據示範性實施例的光輸出壁保護蓋的外表面的視圖。
圖6是說明根據示範性實施例的在耦合到主體外殼的光輸出壁之前的光輸出壁保護蓋的視圖。
圖7是說明根據示範性實施例的在耦合到主體外殼的光輸出壁之後的光輸出壁保護蓋的視圖。
圖8是說明根據示範性實施例的校準設備的橫截面圖,其中光輸出壁保護蓋與主體外殼的光輸出壁的僅一部分間隔開且耦合到所述部分。
圖9是說明根據示範性實施例的在耦合到主體外殼的光輸出壁的所述部分之前的光輸出壁保護蓋的視圖。
圖10是說明根據示範性實施例的在耦合到主體外殼的光
輸出壁的所述部分之後的光輸出壁保護蓋的視圖。
圖11是說明在常規校準設備中增加黑體的溫度的過程的曲線圖。
圖12是說明根據示範性實施例的在校準設備中增加黑體的溫度的過程的曲線圖。
下文中,將參考附圖詳細描述特定實施例。然而本發明可以不同形式體現,且不應解釋為限於本文陳述的實施例。而是,提供這些實施例以使得本發明將為詳盡且完整的,且將本發明的範圍完全傳達給所屬領域的技術人員。在圖中,相同參考標號始終指代相同元件。
下文中,溫度測量高溫計表示一種非接觸型溫度測量裝置,其通過測量輻射能量來測量溫度,且更特定來說,表示一種使用低溫輻射能量以非接觸方式測量溫度的裝置。
圖3是根據示範性實施例的校準設備的橫截面圖,圖4是說明根據示範性實施例的與一主體的一個側壁間隔開且耦合到所述側壁的光輸出壁保護蓋的內表面的視圖,圖5是說明根據示範性實施例的光輸出壁保護蓋的外表面的視圖,圖6是說明根據示範性實施例的在耦合到主體外殼的光輸出壁之前的光輸出壁保護蓋的視圖,且圖7是說明根據示範性實施例的在耦合到主體外殼的光輸出壁之後的光輸出壁保護蓋的視圖。
校準設備1包含吸收和輻射光的黑體110、在其中接納黑體110和加熱器500的主體外殼100、與作為主體外殼100的側壁的光輸出壁100c間隔開且耦合到光輸出壁100c的光輸出壁保護蓋200,以及將光輸出壁保護蓋200固定到光輸出壁100c的固定部件300。加熱黑體110的加熱器500可安置於主體外殼100中。或者,加熱黑體110的加熱器500可安置於主體外殼100外部。
黑體110具有輻射空間S,所述輻射空間凹入到黑體110的一個端表面中用以輻射輻射能量。因此,黑體110的輻射能量是從輻射空間S輻射的。舉例來說,當黑體110被加熱到近似600℃時,黑體110從其輻射空間S輻射輻射能量。
為了參考,在黑體110的簡要描述中,還被稱為完全黑體(complete blackbody)的黑體110是具有近似1(即,近似100%)的吸收能力的物體。完全吸收體實際上是不存在的,但存在許多類似的物體,例如鉑黑(platinum black)。此外,已知來自黑體的輻射稱為黑體輻射,且在黑體輻射的性質(波長和能量強度)與黑體的溫度之間建立簡單關係。因此,如果黑體的溫度經確定,那麼黑體的性質也經確定,且因此可從黑體的性質獲得黑體的溫度。舉例來說,由於太陽可視為黑體,因此通過測量來自太陽的能量可估計太陽的溫度。
因此,黑體是理想上完全吸收體和輻射體,即,理想物體,其吸收所有入射輻射且絕對不會發生反射且還在所有波長下連續產生輻射能量。
為了參考,根據普朗克定律提供黑體的輻射率的基本公式,如下:
在公式1中,輻射能量W是波長和溫度的函數,且因此如果具有特定波長λ的輻射能量的強度是已知的,那麼有可能知道物體的溫度。然而,公式1可僅應用於理想黑體,且實際上,必須考慮發射率(emissivity)的影響。
發射率ε是從黑體輻射的輻射能量與能量之間的比率,且具有發射率的值,其中0<ε<1。此處,黑體的發射率為1。舉例來說,在矽晶片的情況下,其發射率大體上為近似0.7,且可根據環境而具有近似0.1到近似0.8的各種值(其中λ=950mm)。且對發射率的變化具有影響的因素包含基板的溫度、其表面粗糙度、沉積於其待測量表面上的物質的種類和厚度、其背面反射物的存在、表面的幾何形狀、腔室的形狀、石英棒與基板之間的距離、石英的形狀和厚度、中心頻率等等。
主體外殼100在其中接納黑體110,且具有光輸出壁100c,所述光輸出壁具有與其輻射空間S連通的光輸出埠C。主體外殼100是柱形主體,其包含:一個側壁,其作為光輸出壁100c;另一側壁100a,其經配置以在長度方向上與光輸出壁100c相對;以及側壁100b,其經配置以連接光輸出壁100c和另一側壁100a,
且黑體110安置於其中。此時,主體外殼100的與黑體110在輻射空間S中開放的一個端表面相對的一個側壁被稱為光輸出壁100c。作為通孔的光輸出埠C界定於光輸出壁100c中,用以連接黑體110的輻射空間S與其外部。主體外殼100可由各種材料製成,所述材料可使黑體110絕緣而無法與其外部進行熱傳遞。
作為用於加熱黑體110的構件的加熱器500可以例如電阻型(resistive type)和熱傳遞型(heat transfer type)等各種眾所周知的方式加熱黑體110。加熱器500可安置於主體外殼100中用以通過熱導體501加熱黑體110,或可安置於主體外殼100外部用以通過單獨的傳導媒介向黑體110傳遞熱且因此加熱黑體110。
固定部件300(300a、300b、300c和300d)用於將光輸出壁保護蓋200固定到主體外殼100的光輸出壁100c。如圖6中說明,固定部件300可為螺栓。如果固定部件300是螺栓,那麼固定部件300可穿過光輸出壁保護蓋200的蓋固定孔201(201a、201b、201c和201d)且隨後可旋入耦合到主體外殼100的光輸出壁100c的螺紋凹槽201(201a、201b、201c和201d),使得光輸出壁保護蓋200與主體外殼100的光輸出壁100c間隔開且固定地耦合到所述光輸出壁。
具有安置於與光輸出埠C相對的位置處的透明阻擋板210的光輸出壁保護蓋200是蓋,所述蓋耦合到主體外殼100的光輸出壁100c用以界定將主體外殼100的光輸出埠C與其外部進行連接的通道。此外,光輸出壁保護蓋200可具有安置於與光輸出
埠C相對的位置處的透明阻擋板210。
所述通道可通過在光輸出壁保護蓋200的側表面中提供通孔或在光輸出壁保護蓋200與光輸出壁100c之間提供分隔距離來界定。下文中,將描述其中光輸出壁保護蓋200與光輸出壁100c間隔開且耦合到光輸出壁100c的實例,但光輸出壁保護蓋200可應用於其中通過在光輸出壁保護蓋200的側表面中提供通孔來界定通道的情況。
當光輸出壁保護蓋200與主體外殼100的光輸出壁100c間隔開且耦合到所述光輸出壁時,在光輸出壁保護蓋200與主體外殼100的光輸出壁100c之間可界定分隔空間,用以通過所述分隔空間與外部連通,且因此外部環境大氣(例如,對流)可通過分隔空間引入,且隨後通過界定於光輸出壁100c中的光輸出埠C引入到黑體110的輻射空間S中。與此相反,黑體110的輻射空間S中的內部環境大氣可通過光輸出埠C排放。因此,因為黑體110的輻射空間S由於分隔空間而未被隔離,因此有可能快速地增加黑體110的溫度。
光輸出壁保護蓋200與主體外殼100的光輸出壁100c之間的分隔空間可以各種方式設計。在如圖4中說明的示範性實施例中,至少一個或一個以上分隔部件250(250a、250b、250c和250d)在光輸出壁保護蓋200的內表面240a(與主體外殼100的光輸出壁100c相對)上突出,使得分隔部件250的突出表面與主體外殼100的光輸出壁100c接觸,且因此界定對應於分隔部件250
中的每一者的突出高度的分隔空間。然而,分隔空間不限於此示範性實施例,且可以各種方式界定。舉例來說,在固定部件包含螺栓和螺母用以將光輸出壁保護蓋200耦合到光輸出壁100c的情況下,螺母可安置於光輸出壁保護蓋200與主體外殼100的光輸出壁100c之間,且因此可界定對應於螺母中的每一者的厚度的分隔空間。
下文中,將描述示範性實施例,在所述示範性實施例中,至少一個或一個以上分隔部件250在光輸出壁保護蓋200的內表面240a上突出,使得分隔部件250的突出表面與主體外殼100的光輸出壁100c接觸,且因此界定對應於分隔部件250中的每一者的突出高度的分隔空間。
光輸出壁保護蓋200包含蓋板240、蓋通孔A、透明阻擋板耦合部分230、分隔部件250,以及蓋固定孔201。
參見圖4和圖5,蓋板240包含與主體外殼100的光輸出壁100c相對的內表面240a,以及位於內表面240a的相對側處的外表面240b。此處,內表面240a表示與主體外殼100的光輸出壁100c相對的表面,且外表面240b表示與內表面240a相對的將與外部環境接觸的表面。蓋板240的形狀對應於主體外殼100的光輸出壁100c的形狀。舉例來說,如果光輸出壁100c具有圓周表面形狀,那麼蓋板240也可具有與光輸出壁100c的圓周表面形狀相同的圓周表面形狀。
在蓋板240的內表面240a的邊緣處可提供傾斜表面B1
(下文中,稱為“第一傾斜表面”)以朝向邊緣的一端傾斜。傾斜表面B1具有傾斜部分,所述傾斜部分的厚度朝向邊緣的所述末端變得越來越薄。外表面240b不具有傾斜部分,且僅內表面240a具有將朝向邊緣的末端傾斜的傾斜部分。因此,外部空氣可容易地通過由傾斜表面B1的傾斜部分界定的分隔空間被引入。
此外,如圖3中說明,在主體外殼100的光輸出壁100c的邊緣處界定第二傾斜表面B2用以與第一傾斜表面B1相對且因此提供分隔空間。也就是說,在光輸出壁100c的邊緣處界定第二傾斜表面B2,用以在同一方向上具有與第一傾斜表面B1的傾斜度相同的傾斜度,使得主體外殼100的光輸出壁100c與蓋板240的內表面240a之間的分隔空間具有均勻的間隔。因此,第一傾斜表面B1和第二傾斜表面B2彼此相對以在同一方向上具有相同傾斜度,且因此可有效地引入外部空氣。
在與光輸出埠C相對的位置處界定穿過蓋板240的第一傾斜表面B1和第二傾斜表面B2的蓋通孔A,用以具有與光輸出埠C類似的直徑。因此,從光輸出埠C發出的輻射能量可平穩地通過蓋通孔A。
透明阻擋板耦合部分230是貫穿部分,其從外表面240b突出且具有與蓋通孔A連接的中心孔和阻擋中心孔的透明阻擋板210。透明阻擋板210經安裝成與中心孔的內徑接觸且因此阻擋中心孔而與外部環境隔離。
如圖3中說明,透明阻擋板耦合部分230包含第一圓周
貫穿部分230a、第二圓周貫穿部分230b、透明阻擋板210和圓周環220。
在透明阻擋板耦合部分230中,具有彼此不同直徑的第一圓周貫穿部分230a和第二圓周貫穿部分230b彼此連接以具有階梯狀結構。第一圓周貫穿部分230a具有具預定直徑的內圓周(下文中稱為“第一內圓周”),以及在蓋通孔A的遠端處界定凸緣表面(flange surface)的第一圓周突出表面231。第二圓周貫穿部分230b具有第二內圓周,第二內圓周的直徑大於第一內圓周的直徑以及在第二內圓周的內表面中界定的螺紋(下文中稱為“第二圓周螺紋”)。因此,第一圓周貫穿部分230a和第二圓周貫穿部分230b通過第一圓周突出表面231彼此連接用以具有階梯狀結構。
透明阻擋板210的直徑小於第二圓周貫穿部分230b的第二內圓周的直徑,且因此可螺紋耦合到第二圓周貫穿部分230b的中心孔且插入所述中心孔中。此時,可安裝具有內表面和外表面的透明阻擋板210,使得透明阻擋板210的內表面與第一圓周突出表面231接觸。在透明阻擋板210插入到第二圓周貫穿部分230b中以使得透明阻擋板210的內表面與第一圓周突出表面231接觸的狀態中,具有在圓周環220的外圓周表面中界定的螺紋的圓周環220以螺紋耦合方式插入到第二圓周貫穿部分230b的第二內圓周中。因此,圓周環220可沿著第二圓周螺紋旋轉且緊固到第二圓周貫穿部分230b,且最終與第一圓周突出表面231固定地緊密接觸。因此,通過圓周環220的螺紋耦合,透明阻擋板210可耦
合且固定到第二圓周貫穿部分230b的內部部分。
透明阻擋板210用於防止外來物質引入到黑體中且在示範性實施例中尤其用於透射具有近似600℃或以下的低溫的輻射能量。一般來說,具有近似600℃或以下的低溫的物體輻射具有近似5μm到近似20μm的波長的輻射能量。因此,在校準低溫測量高溫計的過程中使用的黑體110也輻射具有近似600℃或以下的低溫的輻射能量,且黑體110的透明阻擋板210必須透射具有近似5μm到近似20μm的波長的低溫輻射能量。為此,在示範性實施例中,透明阻擋板210可由可透射近似5μm到近似20μm的長波長的材料製成。可透射長波長的材料可為包含BaF2
、CaF2
和Ge中的其中一種或一種以上的材料。通過使用由可透射長波長的材料製成的透明阻擋板210,可透射低溫輻射能量,同時阻擋外來物質。為了參考,在由石英或藍寶石製成的透明阻擋板的情況下,有可能阻擋外來物質,但不透射具有近似5μm到近似20μm的波長的低溫輻射能量(近似600℃或以下)。
此外,由可透射具有近似5μm到近似20μm的波長的低溫輻射能量的材料製成的透明阻擋板210可體現為凸透鏡和凹透鏡中的其中一種。透明阻擋板210體現為凸透鏡和凹透鏡中的一者的原因在於,有可能精確地將黑體110的某一點的溫度傳遞到外部高溫計。此外,由可透射具有近似5μm到近似20μm的波長的低溫輻射能量的材料製成的透明阻擋板210可體現為多個凸透鏡的組合件、多個凹透鏡的組合件,以及多個凸透鏡和凹透鏡的
組合件。這些透鏡組合件結構可體現所要的焦點集中(focus concentration),且因此可將黑體110的精確溫度傳遞到外部高溫計。(同時,通過在光輸出壁保護蓋200的內表面240a上突出的一個或一個以上分隔部件250,可在光輸出壁保護蓋200與主體外殼100的光輸出壁100c之間提供分隔空間。如圖4中說明,分隔部件250具有在蓋板240的內表面240a上突出的結構且用於使得分隔部件250的突出表面能夠與主體外殼100的光輸出壁100c接觸。因此,當光輸出壁保護蓋200耦合到主體外殼100的光輸出壁100c時,光輸出壁保護蓋200的蓋板240的內表面240a不與光輸出壁100c直接接觸,但在蓋板240的內表面240a上突出的分隔部件250的突出表面可與光輸出壁100c接觸且隨後固定地耦合到所述光輸出壁。
可在光輸出壁保護蓋200的蓋板240的內表面240a上提供所述至少一個或一個以上分隔部件250。當提供多個分隔部件250時,分隔部件250可安置於蓋板240的內表面240a上而以規則間隔彼此間隔開。分隔部件250具有分別穿過分隔部件250的蓋固定孔201。螺紋在蓋固定孔201中的每一者的內圓周表面中形成,且因此穿過蓋固定孔201的固定部件300中的每一者可螺紋耦合到蓋固定孔201中的每一者的內圓周表面。為了參考,作為具有直徑大於蓋固定孔201中的每一者的直徑的凹槽的止擋件(stopper)形成於蓋固定孔201中的每一者處,用以在所述止擋件與蓋固定孔201中的每一者之間提供階梯狀表面。因此,通過
階梯狀表面,固定部件300可不完全穿過蓋固定孔201,但可與光輸出壁保護蓋200的外表面240b緊密接觸,且因此可緊固光輸出壁保護蓋200。
如圖6中說明,具有在蓋緊固凹槽102的內圓周表面中界定的螺紋的蓋緊固凹槽102提供於主體外殼100的光輸出壁100c中,用以對應於在分隔部件250中界定的蓋固定孔201。因此,當固定部件300(例如,螺栓)中的每一者穿過蓋固定孔201中的每一者時,固定部件300中的每一者的遠端插入到蓋緊固凹槽102中的每一者中且螺紋耦合到所述每一者,且因此光輸出壁保護蓋200可以螺紋耦合方式固定到主體外殼100的光輸出壁100c。
同時,圖3到圖7說明其中光輸出壁保護蓋200與主體外殼100的整個光輸出壁100c間隔開且耦合到所述光輸出壁的示範性實施例。圖8到圖10說明光輸出壁保護蓋200的另一示範性實施例。將省略對應於以上實施例中的部分的詳細描述。
圖8是根據示範性實施例的校準設備的橫截面圖,其中光輸出壁保護蓋與主體外殼的光輸出壁的僅一部分間隔開且耦合到所述部分,圖9是說明根據示範性實施例的在耦合到主體外殼的光輸出壁的所述部分之前的光輸出壁保護蓋的視圖,且圖10是說明根據示範性實施例的在耦合到主體外殼的光輸出壁的所述部分之後的光輸出壁保護蓋的視圖。
光輸出壁保護蓋200與主體外殼100的光輸出壁100c的
僅一部分間隔開且耦合到所述部分。為此,主體外殼100的光輸出壁100c包含:中心光輸出壁100ca,其被與其間隔開且與其耦合的光輸出壁保護蓋200覆蓋;以及邊緣光輸出壁100cb,其不被光輸出壁保護蓋200覆蓋。中心光輸出壁100ca表示在其中具有居中的光輸出埠C用以封閉光輸出埠C的一部分,且邊緣光輸出壁100cb表示封圍中心光輸出壁100ca的一部分。
中心光輸出壁100ca的厚度不同於邊緣光輸出壁100cb的厚度。特定來說,中心光輸出壁100ca的厚度小於邊緣光輸出壁100cb的厚度。因此,當在朝向主體外殼100的光輸出壁100c的方向上觀看時,中心光輸出壁100ca和邊緣光輸出壁100cb由於其間的厚度差而具有階梯狀結構,使得中心光輸出壁100ca與邊緣光輸出壁100cb相比向內凹入。
在中心光輸出壁100ca的結構中,中心光輸出壁100ca具有具內圓周和外圓周的環形形狀(donut shape),且中心光輸出壁100ca的內圓周與在內圓周中居中的光輸出埠C接觸。此外,光輸出壁保護蓋200的直徑小於外圓周的直徑,且因此光輸出壁保護蓋200可與中心光輸出壁100ca的區域間隔開且耦合於所述區域中。也就是說,光輸出壁保護蓋200僅位於中心光輸出壁100ca的所述區域中,但不在邊緣光輸出壁100cb外部。
耦合到中心光輸出壁100ca的光輸出壁保護蓋200通過在光輸出壁保護蓋200的內表面上突出的多個分隔部件250的突出表面而與中心光輸出壁100ca接觸,且因此與中心光輸出壁
100ca間隔開。黑體110的輻射空間可通過分隔空間與外部連通。
同時,圖11是說明在常規校準設備中增加黑體的溫度的過程的曲線圖,且圖12是說明根據示範性實施例的在校準設備中增加黑體的溫度的過程的曲線圖。
參見圖11,在常規校準設備中,可理解,當將黑體加熱到近似639℃時,黑體達到近似600℃花費近似5小時(近似300分鐘)。然而,與在示範性實施例中一樣,在其中具有透明阻擋板的蓋經安裝成具有分隔空間的校準設備的情況下,可理解,將黑體加熱到近似639℃,黑體達到近似600℃僅花費50分鐘。
根據示範性實施例,因為作為黑體的內部空間與外部環境之間的通道的分隔空間提供於校準設備中,因此有可能增強與外部環境的熱交換效應。因此,由於熱交換效率有所增強,所以有可能減少黑體達到參考溫度的時間週期。此外,根據示範性實施例,由於提供了透明阻擋板,因此有可能最小化外來物質的引入,且還快速地穩定黑體的溫度。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧校準設備
100‧‧‧主體外殼
100a、100b‧‧‧側壁
100c‧‧‧光輸出壁
110‧‧‧黑體
200‧‧‧光輸出壁保護蓋
201‧‧‧蓋固定孔/螺紋凹槽
210‧‧‧透明阻擋板
220‧‧‧圓周環
230‧‧‧透明阻擋板耦合部分
230a‧‧‧第一圓周貫穿部分
230b‧‧‧第二圓周貫穿部分
231‧‧‧第一圓周突出表面
250‧‧‧分隔部件
300‧‧‧固定部件
500‧‧‧加熱器
501‧‧‧熱導體
B1‧‧‧傾斜表面/第一傾斜表面
B2‧‧‧第二傾斜表面
A‧‧‧蓋通孔
C‧‧‧光輸出埠
S‧‧‧輻射空間
Claims (15)
- 一種用於校準高溫計的設備,包括:黑體,其包括輻射空間,輻射能量從所述輻射空間輻射;主體外殼,其經配置以在其中接納所述黑體,且包括光輸出壁,所述光輸出壁具有與所述輻射空間連接的光輸出埠;光輸出壁保護蓋,其經配置以與所述主體外殼的所述光輸出壁耦合,用以界定將所述主體外殼的所述光輸出壁與外部環境進行連接的通道;以及固定部件,其經配置以將所述光輸出壁保護蓋固定到所述主體外殼的所述光輸出壁,其中所述光輸出壁保護蓋與所述主體外殼的所述光輸出壁間隔開且耦合到所述主體外殼的所述光輸出壁。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述光輸出壁保護蓋包括:蓋板,其包括與所述主體外殼的所述光輸出壁相對的內表面,以及位於所述內表面的相對側的外表面;蓋通孔,其經配置以在與所述光輸出埠相對的位置處穿過所述內表面和所述外表面;分隔部件,其經配置以在所述內表面上突出用以使得其突出表面能夠與所述主體外殼的所述光輸出壁接觸;以及蓋固定孔,其經配置以穿過所述分隔部件的所述突出表面和所述外表面。
- 如申請專利範圍第2項所述的用於校準高溫計的設備,其中透明阻擋板耦合部分是貫穿部分,其從所述外表面突出且包括與所述蓋通孔連接的中心孔和阻擋所述中心孔的透明阻擋板。
- 如申請專利範圍第2或3項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述內表面的邊緣包括第一傾斜表面,所述第一傾斜表面經配置以使得所述蓋板的厚度朝向所述蓋板的遠端變得越來越薄。
- 如申請專利範圍第4項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述主體外殼的所述光輸出壁的邊緣包括第二傾斜表面,所述第二傾斜表面經配置以與所述第一傾斜表面相對用以在所述第一傾斜表面與第二傾斜表面之間具有均勻分隔空間。
- 如申請專利範圍第2或3項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述主體外殼的所述光輸出壁包括:中心光輸出壁,其經配置以被與其間隔開且與其耦合的所述光輸出壁保護蓋覆蓋;以及邊緣光輸出壁,其經配置以不被所述光輸出壁保護蓋覆蓋,且其中所述中心光輸出壁和所述邊緣光輸出壁具有厚度差,使得所述中心光輸出壁的厚度小於所述邊緣光輸出壁的厚度。
- 如申請專利範圍第6項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述中心光輸出壁具有包括內圓周和外圓周的環形形狀,且所述中心光輸出壁的所述內圓周與所述光輸出埠接觸。
- 如申請專利範圍第7項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述光輸出壁保護蓋的直徑小於所述外圓周的直徑,且所述光輸出壁保護蓋在所述中心光輸出壁的所述外圓周中與所述中心光輸出壁間隔開且耦合到所述中心光輸出壁。
- 如申請專利範圍第3項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述透明阻擋板耦合部分包括:第一圓周貫穿部分,其包括第一內圓周和經配置以從所述蓋通孔的所述外表面突出的第一圓周突出表面;第二圓周貫穿部分,其包括第二內圓周,所述第二內圓周的直徑大於所述第一內圓周的直徑,以及經配置以在所述第二內圓周的內表面中界定的第二圓周螺紋;所述透明阻擋板,其經配置以具有內表面和外表面,所述內表面經固定到所述第一圓周突出表面;以及圓周環,其經配置以與所述透明阻擋板的所述外表面接觸、沿著所述第二圓周螺紋耦合,且將所述透明阻擋板固定到所述第一圓周突出表面。
- 如申請專利範圍第6項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述分隔部件以多個部件提供,所述多個部件安置於所述內表面的圓周上,用以以規則間隔彼此間隔開。
- 如申請專利範圍第6項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述主體外殼的所述光輸出壁包括蓋緊固凹槽,所述蓋緊固凹槽經配置以在與界定於所述分隔部件中的所述蓋固定孔相對的 位置處界定。
- 如申請專利範圍第11項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述固定部件穿過所述蓋固定孔且螺紋耦合到所述蓋緊固凹槽。
- 如申請專利範圍第3項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述透明阻擋板是由透射範圍介於5μm到20μm的長波長的材料製成。
- 如申請專利範圍第13項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述透明阻擋板是由BaF2 、CaF2 和Ge化合物中的一者製成。
- 如申請專利範圍第3項所述的用於校準高溫計的設備,其中所述透明阻擋板體現為以下各項中的一者:凸透鏡、凹透鏡、所述凸透鏡的組合件、所述凹透鏡的組合件,以及所述凸透鏡和凹透鏡的組合件。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130012766A KR101432159B1 (ko) | 2013-02-05 | 2013-02-05 | 온도측정 파이로미터의 교정 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201432232A TW201432232A (zh) | 2014-08-16 |
TWI497043B true TWI497043B (zh) | 2015-08-21 |
Family
ID=51238732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103103572A TWI497043B (zh) | 2013-02-05 | 2014-01-29 | 用於校準高溫計的設備 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9500530B2 (zh) |
JP (1) | JP5781643B2 (zh) |
KR (1) | KR101432159B1 (zh) |
CN (1) | CN103968951B (zh) |
TW (1) | TWI497043B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101389003B1 (ko) * | 2013-02-05 | 2014-04-24 | 에이피시스템 주식회사 | 온도측정 파이로미터의 교정 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1008401B (zh) * | 1985-11-14 | 1990-06-13 | 联合工艺公司 | 校正反射辐射量的光学高温计 |
TW269726B (en) * | 1995-04-13 | 1996-02-01 | Ind Tech Res Inst | Calibrating device for optical pyrometer |
US5820261A (en) * | 1995-07-26 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a rapid thermal processing system |
TW523845B (en) * | 1999-05-03 | 2003-03-11 | Steag Rtp Systems Inc | System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers |
US20100290500A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Laytec Gmbh | Method for calibrating a pyrometer, method for determining the temperature of a semiconducting wafer and system for determining the temperature of a semiconducting wafer |
US20120170609A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Veeco Instruments Inc. | Methods and systems for in-situ pyrometer calibration |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60118735A (ja) | 1983-12-01 | 1985-06-26 | Ube Ind Ltd | ポリアミド・ポリオレフィン組成物 |
JPS60118735U (ja) * | 1984-01-21 | 1985-08-10 | 株式会社チノー | 熱遮蔽装置 |
JPS63247587A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-14 | 株式会社チノー | 温度発生装置 |
JPH01183620A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-21 | Nippon Steel Corp | 光ファイバ用プローブ |
US5408100A (en) * | 1991-12-24 | 1995-04-18 | Hughes Missile Systems Company | Chromatic radiance attenuator |
US5466943A (en) * | 1993-09-16 | 1995-11-14 | Hughes Aircraft Company | Evacuated testing device having calibrated infrared source |
JP3204605B2 (ja) * | 1995-09-12 | 2001-09-04 | 日本鋼管株式会社 | 光ファイバー温度計の校正方法 |
US6144031A (en) * | 1997-04-21 | 2000-11-07 | Inframetrics Inc. | Infrared video camera system with uncooled focal plane array and radiation shield |
US6447160B1 (en) * | 1999-11-02 | 2002-09-10 | Advanced Monitors Corp. | Blackbody cavity for calibration of infrared thermometers |
JP3404531B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2003-05-12 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 温度校正方法および装置 |
US6940073B1 (en) * | 2002-11-08 | 2005-09-06 | Georgia Tech Research Corporation | Method for determining the concentration of hydrogen peroxide in a process stream and a spectrophotometric system for the same |
JP4618705B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2011-01-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
WO2005092051A2 (en) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Advanced Biophotonics, Inc. | Integrated black body and lens cap assembly and methods for calibration of infrared cameras using same |
US7148450B2 (en) * | 2004-10-20 | 2006-12-12 | Industrial Technology Research Institute | Portable blackbody furnace |
JP4565159B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2010-10-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 温度定点セル、温度定点装置および温度計校正方法 |
JP4639383B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-02-23 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 温度定点セル、温度定点装置及び温度計校正方法 |
KR100805911B1 (ko) * | 2006-09-26 | 2008-02-21 | 한국표준과학연구원 | 귀 체온계 교정을 위한 고정밀 미니 흑체 |
US7598506B2 (en) * | 2006-12-22 | 2009-10-06 | The Boeing Company | Low-temperature adjustable blackbody apparatus |
TWI312861B (en) * | 2007-02-13 | 2009-08-01 | Ind Tech Res Inst | Standard radiation source |
TWI346199B (en) * | 2007-11-30 | 2011-08-01 | Ind Tech Res Inst | Radiation apparatus with capability of preventing heat convection |
WO2010125745A1 (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-04 | 株式会社日立製作所 | ヘッド位置制御方法及びディスク装置 |
CN101666684B (zh) * | 2009-09-28 | 2011-02-02 | 北京航空航天大学 | 一种双圆锥腔体串联结构的毫米波黑体辐射定标源 |
KR101144778B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2012-05-11 | 한국기초과학지원연구원 | 진공 흑체 챔버 |
WO2011072115A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Bristow Cynthia L | Ldl quantitation and methods of use |
CN101873728B (zh) * | 2010-05-05 | 2012-01-04 | 中国计量学院 | 黑体空腔辐射源 |
CN202013242U (zh) * | 2010-12-22 | 2011-10-19 | 中国计量科学研究院 | 一种带校准附件的黑体辐射源腔体装置 |
EP2538187A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-26 | Jyoti Goda | An immersion type sensor for measuring temperature of molten metals and the like |
KR101389003B1 (ko) * | 2013-02-05 | 2014-04-24 | 에이피시스템 주식회사 | 온도측정 파이로미터의 교정 장치 |
-
2013
- 2013-02-05 KR KR1020130012766A patent/KR101432159B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-01-29 CN CN201410043522.XA patent/CN103968951B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-01-29 TW TW103103572A patent/TWI497043B/zh active
- 2014-02-03 JP JP2014018696A patent/JP5781643B2/ja active Active
- 2014-02-05 US US14/173,793 patent/US9500530B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1008401B (zh) * | 1985-11-14 | 1990-06-13 | 联合工艺公司 | 校正反射辐射量的光学高温计 |
TW269726B (en) * | 1995-04-13 | 1996-02-01 | Ind Tech Res Inst | Calibrating device for optical pyrometer |
US5820261A (en) * | 1995-07-26 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a rapid thermal processing system |
TW523845B (en) * | 1999-05-03 | 2003-03-11 | Steag Rtp Systems Inc | System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers |
US20100290500A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Laytec Gmbh | Method for calibrating a pyrometer, method for determining the temperature of a semiconducting wafer and system for determining the temperature of a semiconducting wafer |
US20120170609A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Veeco Instruments Inc. | Methods and systems for in-situ pyrometer calibration |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140219309A1 (en) | 2014-08-07 |
TW201432232A (zh) | 2014-08-16 |
CN103968951A (zh) | 2014-08-06 |
JP5781643B2 (ja) | 2015-09-24 |
US9500530B2 (en) | 2016-11-22 |
KR20140100047A (ko) | 2014-08-14 |
CN103968951B (zh) | 2017-04-12 |
KR101432159B1 (ko) | 2014-08-20 |
JP2014153356A (ja) | 2014-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI497042B (zh) | 用於校準高溫計的設備 | |
KR101389004B1 (ko) | 온도 검출 장치 및 온도 검출 방법 및 기판 처리 장치 | |
CN102265125A (zh) | 具有杂散辐射屏蔽的非接触式医用温度计 | |
TWI497043B (zh) | 用於校準高溫計的設備 | |
Pfänder et al. | Infrared temperature measurements on solar trough absorber tubes | |
KR101303599B1 (ko) | 적외선 광학계 보정용 진공 흑체 챔버 장치 | |
JP6473196B2 (ja) | 医療温度計および医療温度計の使用方法 | |
KR101144778B1 (ko) | 진공 흑체 챔버 | |
US6084213A (en) | Method and apparatus for increasing temperature uniformity of heated wafers | |
CA2734960A1 (en) | Calibration load | |
GB1602171A (en) | Headlamps for vehicles | |
CN104089704B (zh) | 半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法 | |
CN114144643A (zh) | 监测辐射的方法和设备 | |
Mekhontsev et al. | NIST radiance temperature and infrared spectral radiance scales at near-ambient temperatures | |
US5921680A (en) | Sensor for radiation pyrometric temperature measurement at high ambient temperature | |
KR100337109B1 (ko) | 급속 열처리 장치 | |
JP2006046926A (ja) | 放射温度測定装置 | |
Mekhontsev et al. | Emissivity evaluation of fixed-point blackbodies | |
RU1774193C (ru) | "Печь типа "абсолютно черное тело" | |
Zundong et al. | Precision photoelectric pyrometer and its calibration | |
JPH11260748A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JPH0458569B2 (zh) | ||
KR19990062884A (ko) | 광학 방사 측정 장치 | |
Cárdenas-García | Utilizing size of source effect to determine minimum sample size in radiation measurement with a Fourier transform infrared spectrometer | |
Hartmann et al. | The PriTeRa facility of PTB for spectral radiance and irradiance calibrations and radiation thermometry in the range from-170 C up to 3200 C and from 200 nm up to 50 µm |