TWI496676B - 延伸薄膜及其製造方法 - Google Patents

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Description

延伸薄膜及其製造方法
本揭露係關於一種延伸薄膜，詳言之，係關於一種由聚乳酸以及嵌段共聚物製成之延伸薄膜。
環境污染與尋求石化替代材料長久以來一直為人類所面臨的重大課題，尤其在地球氣候異常加劇與石油價格高漲的雙重因素推升下，近年來世界各國更是投入大量資源針對上述議題尋求解套的方法。
聚乳酸是一種具有良好生物分解性的脂肪族聚酯，由於其製造來源可為天然的澱粉而不需仰賴傳統的石化原料，故不會造成環境污染，可取代傳統石化塑膠，因此聚乳酸材料一直是研究發展的環保概念材料。近年來由於國際大廠的大量投入生產，聚乳酸材料價格已降至70至110 NTD/Kg，在成本上較其他生質塑膠材料具有優勢，有利於取代傳統石化塑膠材料。然而，聚乳酸材料雖然具有上述優點，但由於聚乳酸本身結構仍有結晶速度慢、耐熱性低及熔融加工過程易產生水解現象等物化性需要改善的問題。
為了改善聚乳酸的透光性與機械性質，已知有藉由熔融混煉左旋聚乳酸(PLLA)與右旋聚乳酸(PDLA)後，再進行擠壓而獲得之聚乳酸薄膜，且於製備過程復可摻混聚苯乙烯或環氧樹脂顆粒等摻混物。惟，此製備聚乳酸之方法需要改變PLLA與PDLA的熔融摻重量比例，且需要添加異構 物PDLA與晶核劑。亦知有藉由一嵌段共聚物作為聚乳酸的相容助劑以製得之聚乳酸薄膜。惟，此嵌段共聚物僅係用以提升聚合物組份間之相容性，對於改善聚乳酸的透光性與機械性質並無特別說明。
因此，如何提升聚乳酸的耐熱性、透光性與機械性質，將有助於包裝材料的應用。
本揭露提供一種延伸薄膜，包括：聚乳酸；以及嵌段共聚物，包含：第一嵌段，係具有苯乙烯系重複單元構成之鏈段；第二嵌段，係具有選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種重複單元構成之鏈段；以及第三嵌段，係具有包含環氧基之乙烯系重複單元構成之鏈段，其中，該第一嵌段、第二嵌段和第三嵌段係藉由化學鍵結合。
本揭露復提供一種製造延伸薄膜之方法，包括下列步驟：混合聚乳酸及嵌段共聚物以形成混合物；押出該混合物以形成板體；以及延伸該板體以形成延伸薄膜。
本揭露之延伸薄膜係透過在聚乳酸中添加嵌段共聚物，以解決聚乳酸在加工過程易產生水解現象，且在經延伸加工步驟後，更能有效提升聚乳酸高分子鏈排列順向性與規則性，明顯改善聚乳酸的耐熱性、透光率與機械性質。
以下係藉由特定的具體實施例說明本揭露之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地 瞭解本揭露之優點及功效。本揭露亦可藉由其它不同之實施方式加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本揭露所揭示之精神下賦予不同之修飾與變更。
須知，本說明書中所記載之“第一”、“第二”及“第三”之用語，僅用以配合說明書所揭露之內容，以供熟悉此技術領域之技術人員瞭解與閱讀，並非用以限定本揭露可實施之限定條件或順序，故不具技術上之實質意義，且其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本揭露可實施之範疇。
在一具體實施例中，本揭露提供一種延伸薄膜，包括聚乳酸以及嵌段共聚物，該嵌段共聚物包含第一嵌段，係具有苯乙烯系重複單元構成之鏈段；第二嵌段，係具有選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種重複單元構成之鏈段；以及第三嵌段，係具有包含環氧基之乙烯系重複單元構成之鏈段，其中，該第一嵌段、第二嵌段和第三嵌段係藉由化學鍵結合。
本揭露所述之嵌段共聚物是指單體的聚合產物，亦即由第一嵌段、第二嵌段及第三嵌段聚合而成之聚合物，該單體包括苯乙烯系單體、丙烯酸酯系單體、甲基丙烯酸酯系單體以及具有包含環氧基之乙烯系單體。具體而言，可先合成第一嵌段，並準備第二嵌段及第三嵌段，接著可選擇令第一嵌段依序與第二嵌段及第三嵌段聚合，或令第一嵌段依序與第三嵌段及第二嵌段聚合。
本揭露所述之「苯乙烯系重複單元構成之鏈段」是指由複數個苯乙烯單體聚合形成之鏈段，是以，該第一嵌段包含該鏈段。
本揭露所述之「選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種重複單元構成之鏈段」是指由複數個丙烯酸酯單體或複數個甲基丙烯酸酯單體或包括複數個此等可聚合的基團之單體聚合形成之鏈段。
本揭露所述之「環氧基之乙烯系重複單元構成之鏈段」是指由複數個具有環氧基之乙烯系單體聚合形成之鏈段。
於一具體實施例中，該嵌段共聚物具有式(I)表示之結構：
式中，R1 表示C1 -C8 烷基，R2 表示C2 -C6 伸烷基，X表示苯乙烯系重複單元，Y表示選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種單元，Z表示包含環氧基之乙烯系重複單元，n表示10至30之整數，m表示10至100之整數，以及p表示10至100之整數。
於另一具體實施例中，該嵌段共聚物具有式(II)表示之結構：
式中，R1 表示C1 -C8 烷基，R2 表示C2 -C6 伸烷基，X表示苯乙烯系重複單元，Y表示選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種單元，Z表示包含環氧基之乙烯系重複單元，n表示10至30之整數，m表示10至100之整數，以及p表示10至100之整數。
該C1 -C8 烷基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、庚基與辛基。該C2 -C6 伸烷基之具體實例包含伸乙基、伸丙基及伸丁基。
於一例示性實例中，該苯乙烯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：如苯乙烯(styrene)、α-甲基苯乙烯(α-methylstyrene)、間甲基苯乙烯(m-methylstyrene)、鄰甲基苯乙烯(o-methylstyrene)、對甲基苯乙烯(p-methylstyrene)、鄰乙基苯乙烯(o-ethylstyrene)、對乙基苯乙烯(pethylstyrene)、及對第三丁基苯乙烯(p-t-butylstyrene)；該丙烯酸酯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：丙烯酸甲酯(methyl acrylate)、丙烯酸乙酯(ethyl acrylate)、丙烯酸正丙酯(n-propylacrylate)、丙烯酸正丁酯(n-butyl acrylate)、丙烯酸第三丁酯(t-butyl acrylate)、丙烯酸正己酯(n-hexyl acrylate)、丙烯酸環己酯(cyclohexyl acrylate)、丙烯酸2-乙基己酯(2-ethylhexyl acrylate)、丙烯酸月桂酯(lauryl acrylate)、丙烯酸異冰片酯(isobornyl acrylate)、丙烯酸環十二烷酯(cyclododecyl acrylate)、丙烯酸氯甲酯(chloromethyl acrylate)、丙烯酸2-氯甲酯(2-chloroethyl acrylate)、丙烯酸2-羥基乙酯(2-hydroxyethyl acrylate)、丙烯酸3-羥基丙酯(3-hydroxypropyl acrylate)、丙烯酸2,3,4,5,6-五羥基己酯(2,3,4,5,6-pentahydroxyhexyl acrylate)、丙烯酸2,3,4,5-四羥基戊酯(2,3,4,5-tetrahydroxypentyl acrylate)；該甲基丙烯酸酯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸環十二烷酯、甲基丙烯酸氯甲酯、甲基丙烯酸2-氯甲酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸3-羥基丙酯、甲基丙烯酸2,3,4,5,6-五羥基己酯、甲基丙烯酸2,3,4,5-四羥基戊酯；以及該包含環氧基之乙烯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：丙烯酸環氧丙酯(Glycidyl acrylate，GA)、甲基丙烯酸環氧丙酯(Glycidyl methacrylate，GMA)、乙基丙烯酸環氧丙酯(glycidyl ethacrylate)及衣康酸環氧丙酯(glycidyl itaconate)。
於再一具體實施例中，該嵌段共聚物係具有式(III)表示之結構：
式中，n表示10至30之整數，m表示10至100之整數，以及p表示10至100之整數。
一般而言，聚乳酸的玻璃轉移溫度(Tg)約為60℃。經本實施例之測試結果，該延伸薄膜具有90至112℃之玻璃轉移溫度，具有高耐熱性。於本實施例之另一測試結果，該延伸薄膜之全光線透過率約介於90至93%之間。
於本揭露之實施例中，製造延伸薄膜之方法包括下列步驟：混合聚乳酸及本揭露之嵌段共聚物以形成混合物；押出該混合物以形成板體；以及延伸該板體以形成延伸薄膜，其中，該嵌段共聚物包含具有苯乙烯系重複單元構成之鏈段之第一嵌段；具有選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種重複單元構成之鏈段之第二嵌段；以及具有包含環氧基之乙烯系重複單元構成之鏈段之第三嵌段，且該第一嵌段、第二嵌段和第三嵌段係藉由化學鍵結合。
在混合聚乳酸及嵌段共聚物之步驟中，以該聚乳酸與嵌段共聚物的總重量為基準計，該嵌段共聚物之添加量係介於0.5至5重量%。
於一實施例中，係使聚乳酸及嵌段共聚物之混合物押出成具有厚度約0.1至10 mm間之板體。
在延伸該板體以形成延伸薄膜之步驟中，可利用單軸延伸或雙軸延伸之拉伸程序，或者，可利用單軸二次延伸或雙軸同步延伸之拉伸程序來延伸該板體。一般而言，可使板體的長度及寬度各自被延伸1至10倍。於一具體實施例中，係在60至90℃之延伸溫度以及10至70公分/秒之延伸速率形成延伸薄膜。
至於嵌段共聚物，可形成具有式(I)表示之結構之嵌段共聚物： 或者，可形成具有式(II)表示之結構之嵌段共聚物：
式(I)及式(II)中，R1 表示C1 -C8 烷基，R2 表示C2 -C6 伸烷基，X表示苯乙烯系重複單元，Y表示選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種單元，Z表示包含環氧基之乙烯系重複單元，n表示10至30之整數，m表示10至100之整數，以及p表示10至100之整數，其中，該C1 -C8 烷基例如為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、庚基與辛基，該C2 -C6 伸烷基例 如為伸乙基、伸丙基及伸丁基。
舉例而言，該苯乙烯系重複單元可由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成(但不限於)：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、鄰乙基苯乙烯、對乙基苯乙烯及對第三丁基苯乙烯；該丙烯酸酯系重複單元可由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成(但不限於)：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸環十二烷酯、丙烯酸氯甲酯、丙烯酸2-氯甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸3-羥基丙酯、丙烯酸2,3,4,5,6-五羥基己酯、丙烯酸2,3,4,5-四羥基戊酯；該甲基丙烯酸酯系重複單元可由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成(但不限於)：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸環十二烷酯、甲基丙烯酸氯甲酯、甲基丙烯酸2-氯甲酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸3-羥基丙酯、甲基丙烯酸2,3,4,5,6-五羥基己酯、甲基丙烯酸2,3,4,5-四羥基戊酯；以及該包含環氧基之乙烯系重複單元可由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成(但不限於)：丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、乙基丙烯酸環氧丙酯及衣康酸環氧丙酯。
於本揭露之製造延伸薄膜之一實施例中，係使用具有式(III)表示之結構之嵌段共聚物做例示說明：
式中，n表示10至30之整數，m表示10至100之整數，以及p表示10至100之整數。
本揭露係利用在聚乳酸中添加嵌段共聚物並經由延伸加工程序，以提升該聚乳酸之耐熱性、透光性與機械性質，且所製得的聚乳酸延伸薄膜具有高耐熱性與高透光性，可作為取代傳統一次性包裝材料的應用，例如應用於耐熱性封裝材料或拋棄收縮膜材料。
以下係藉由特定之具體實施例進一步說明本揭露之特點與功效，但非用於限制本揭露之範疇。
實施例 製備例1 合成式(III)所示之嵌段共聚物
首先，在反應器中加入1000毫升純化過的甲苯，開始攪拌並將400克純化後的苯乙烯經由注射器加到反應器內，將溫度增高到40℃，接著加入110毫升的正丁基鋰/正己烷起始劑溶液，此時活性反應混合物為鮮紅色，在40℃下進行反應2小時後，接著加入20毫升的環硫乙烷，此時活性反應混合物轉變為淡黃色，接著在40℃進行反應2小時後，注入10重量%的鹽酸水溶液以終止反應，此為 嵌段共聚物的第一嵌段部分，所得之產物為末端帶有硫醇基的聚苯乙烯，Mn=2,900 g/mol，Mw=3,100 g/mol，PDI=1.08(GPC)。
接著，經由文獻(Journal of Polymer Science：Part A：Polymer Chemistry,42,4976,2004.)所述聚合方法，取上述嵌段共聚物的第一嵌段部分產物，分別於第一階段聚合加入640克的甲基丙烯酸甲酯單體反應，第二階段聚合加入600克的甲基丙烯酸環氧丙酯反應，得到如本揭露式(III)所示結構的嵌段共聚物產物，Mn=23,100，Mw=45,840，PDI=1.92。該嵌段共聚物產物藉由1 HNMR分析(如第1圖所示)可知，聚苯乙烯(n=27)/甲基丙烯酸甲酯(m=72.6)/甲基丙烯酸環氧丙酯(p=64)嵌段共聚物的莫耳比為1：2.69：2.37，環氧當量為301 g/mol。
製備例2 製造延伸薄膜
於乾燥後的聚乳酸(Nature works 4032D)樹脂粒內，添加1重量%之製備例1合成的嵌段共聚物，均勻混合後，經由押出機(型號：coperion ZSK 26，Coperion Werner & Pfleiderer，Germany)熔融混煉押出成厚度為1 mm透明均勻的聚乳酸薄板。該押出機之操作條件設定為：螺桿轉速：500 rpm，操作溫度：170至210℃。
接著，將該聚乳酸薄板利用延伸機(Bruckner KARO Ⅳ)作不同的加熱延伸程序，以製備不同加熱延伸程序之延伸薄膜。可在加熱延伸溫度為70℃進行單軸逐步延伸與雙軸 同步延伸，延伸速率為100%/sec，延伸倍率分為100%、200%與300%。下文中，係將經以單軸逐步延伸所製得之延伸薄膜分別以(3×1)、(3×2)與(3×3)表示，即先單軸延伸300%(MD方向)，接著再單軸延伸100%、200%與300%(TD)方向；將經以雙軸同步延伸所製得之延伸薄膜則分別以(2×2)與(3×3)表示雙軸同步延伸200%與300%。
比較例1
除了比較例1之聚乳酸薄板係未添加本揭露之嵌段共聚物外，進行如製備例2之相同程序。
下文中，將比較例1之未添加嵌段共聚物之聚乳酸薄板定義為PLA(4032D Mw=52,000 g/mol)，添加1重量%之嵌段共聚物之本揭露之聚乳酸薄板定義為PLA-CE(Mn=23,100 g/mole，Mw=45,840，PDI=1.92)。
測試例1 測試延伸薄膜之機械性質
將製得之薄膜分別利用拉力測試機(Tensile)與動態機械分析儀(DMA)分析其機械性質。拉力測試機(Tensile)之操作條件為室溫下，拉伸速率為500 mm/min。動態機械分析儀(DMA)之操作條件為應變控制模式(control strain mode)(0.1%)，固定頻率1 HZ，升溫速率3℃/min，由0℃至140℃。第2至3圖係分別顯示利用單軸逐步延伸及雙軸同步延伸所製得之PLA延伸薄膜及PLA-CE延伸薄膜，其拉力測試應力(stress)和應變(strain)曲線圖。
下表一係整理在不同延伸倍率下，經由單軸逐步延伸與雙軸同步延伸製得的延伸薄膜所量測之機械性質。
a.動態機械分析儀(DMA)量測結果
b.拉力測試機(Tensile)量測結果
由表一測試結果可知，相較於未添加嵌段共聚物之PLA薄板，本揭露之PLA-CE薄板，在經以單軸逐步延伸或雙軸同步延伸之延伸程序後，其儲存模數、玻璃轉移溫度(Tg)、降伏強度、斷裂強度及延伸速率皆明顯改善。
測試例2
將製得之延伸薄膜分別利用微分掃瞄熱分析儀(DSC)分析其結晶度與熱性質，以及利用霧度計分析其全光線透過率(TT)，其測試結果係整於下表二。
由表二結果可知，相較於未添加嵌段共聚物所製得之PLA薄膜，本揭露之PLA-CE薄膜之結晶度(熔融溫度)、熱 性(結晶度)均較佳。至於全光線透過率(TT)部分，本揭露之PLA-CE薄膜之全光線透過率皆大於90%，具有高透光的性質。
此外，利用單軸逐步延伸程序，在延伸速度100%/sec下經不同延伸倍率(3×1、3×2及3×3)製得之PLA延伸薄膜及PLA-CE延伸薄膜在不同溫度下之等溫結晶條件下的DSC升溫曲線係顯示於第4圖；以及利用雙軸同步延伸程序，在延伸速度100%/sec下經不同延伸倍率(3×2及3×3)製得之PLA延伸薄膜及PLA-CE延伸薄膜在不同溫度下之等溫結晶條件下的DSC升溫曲線係顯示於第5圖。由第4圖發現，當延伸倍率較低(3×1)時，冷結晶的波峰面積較小，這是因為薄膜若以單一方向進行延伸，在固定的空間中，分子鏈段受到擠壓會形成一個有序的排列；相反的，當延伸倍率較高(3×3)時，冷結晶的波峰面積較大，表示分子在延伸過程中可能有緩慢鬆弛之行為，如此亦會導致成品延伸薄膜之機械強度相對較低。
上述實施例僅例示性說明本揭露之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本揭露之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本揭露所揭示之精神與技術思想下所完成之一切等效修飾或改變，仍應由後述之申請專利範圍所涵蓋。
第1圖係顯示合成本揭露之嵌段共聚物之1 HNMR分析 結果圖示；第2圖係顯示利用單軸逐步延伸製得之PLA延伸薄膜及PLA-CE延伸薄膜，其應力和應變曲線圖；第3圖係顯示利用雙軸同步延伸製得之PLA延伸薄膜及PLA-CE延伸薄膜，其應力和應變曲線圖；第4圖係顯示利用單軸逐步延伸製得之PLA延伸薄膜及PLA-CE延伸薄膜在不同溫度下之等溫結晶條件下的DSC升溫曲線；以及第5圖係顯示利用雙軸同步延伸製得之PLA延伸薄膜及PLA-CE延伸薄膜在不同溫度下之等溫結晶條件下的DSC升溫曲線。

Claims (15)

  1. 一種延伸薄膜，包括：聚乳酸；以及嵌段共聚物，包含：第一嵌段，係具有苯乙烯系重複單元構成之鏈段；第二嵌段，係具有選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種重複單元構成之鏈段；以及第三嵌段，係具有包含環氧基之乙烯系重複單元構成之鏈段，其中，該第一嵌段、第二嵌段和第三嵌段係藉由化學鍵結合，其中，該嵌段共聚物具有式(I)或式(II)表示之結構： 式(I)及式(II)中，R1 表示C1 -C8 烷基，R2 表示C2 -C6 伸烷基，X表示苯乙烯系重複單元，Y表示選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種重複單元，Z表示包含環氧基之乙烯系重複單元，n表示10至30之整數， m表示10至100之整數，以及p表示10至100之整數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之延伸薄膜，其中，該苯乙烯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、鄰乙基苯乙烯、對乙基苯乙烯及對第三丁基苯乙烯；該丙烯酸酯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸環十二烷酯、丙烯酸氯甲酯、丙烯酸2-氯甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸3-羥基丙酯、丙烯酸2,3,4,5,6-五羥基己酯及丙烯酸2,3,4,5-四羥基戊酯；該甲基丙烯酸酯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸環十二烷酯、甲基丙烯酸氯甲酯、甲基丙烯酸2-氯甲酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸3-羥基丙酯、甲基丙烯酸2,3,4,5,6-五羥基己酯及甲基丙烯酸2,3,4,5-四羥基 戊酯；以及該包含環氧基之乙烯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、乙基丙烯酸環氧丙酯及衣康酸環氧丙酯。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之延伸薄膜，其中，該嵌段共聚物具有式(III)表示之結構： 式中，n表示10至30之整數，m表示10至100之整數，以及p表示10至100之整數。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之延伸薄膜，其中，該延伸薄膜具有90至112℃之玻璃轉移溫度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之延伸薄膜，其中，該延伸薄膜具有90至93%之透光率。
  6. 一種製造延伸薄膜之方法，包括下列步驟：混合聚乳酸及嵌段共聚物，以形成混合物；押出該混合物以形成板體；以及延伸該板體以形成延伸薄膜，其中，該嵌段共聚物包含具有苯乙烯系重複單元構成之鏈段之第一嵌段；具有選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種重複單元構成之鏈段 之第二嵌段；以及具有包含環氧基之乙烯系重複單元構成之鏈段之第三嵌段，且該第一嵌段、第二嵌段和第三嵌段係藉由化學鍵結合，其中，該嵌段共聚物具有式(I)或式(II)表示之結構： 式(I)及式(II)中，R1 表示C1 -C8 烷基，R2 表示C2 -C6 伸烷基，X表示苯乙烯系重複單元，Y表示選自丙烯酸酯系重複單元及甲基丙烯酸酯系重複單元所組成群組之至少一種重複單元，Z表示包含環氧基之乙烯系重複單元，n表示10至30之整數，m表示10至100之整數，以及p表示10至100之整數。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，以該混合物的總重量為基準計，該嵌段共聚物之含量係介於0.5至5重量%。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其係藉由單軸延伸或雙軸延伸延伸該板體。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其係藉由單軸二次延伸或雙軸同步延伸延伸該板體。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該板體的 長度及寬度各自被延伸1至10倍。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之方法，係以60至90℃之延伸溫度形成該延伸薄膜。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之方法，係以10至70公分/秒之延伸速率形成該延伸薄膜。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該板體之厚度係介於0.1至10mm間。
  14. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該苯乙烯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、鄰乙基苯乙烯、對乙基苯乙烯及對第三丁基苯乙烯；該丙烯酸酯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸環十二烷酯、丙烯酸氯甲酯、丙烯酸2-氯甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸3-羥基丙酯、丙烯酸2,3,4,5,6-五羥基己酯及丙烯酸2,3,4,5-四羥基戊酯；該甲基丙烯酸酯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸正己酯、甲基丙烯 酸環己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸環十二烷酯、甲基丙烯酸氯甲酯、甲基丙烯酸2-氯甲酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸3-羥基丙酯、甲基丙烯酸2,3,4,5,6-五羥基己酯及甲基丙烯酸2,3,4,5-四羥基戊酯；以及該包含環氧基之乙烯系重複單元係由選自下列所組成群組的至少一種單體所形成：丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、乙基丙烯酸環氧丙酯及衣康酸環氧丙酯。
  15. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該嵌段共聚物具有式(III)表示之結構： 式中，n表示10至30之整數，m表示10至100之整數，以及p表示10至100之整數。
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