TWI491756B - 濺鍍製程之隔壓系統 - Google Patents

Description

濺鍍製程之隔壓系統

本揭露係有關於一種濺鍍製程之隔壓系統，尤指一種可保持製程腔室真空度之隔壓系統。

習知一種濺鍍製程，係將寬幅基材(寬度約1公尺)直接由大氣環境進入真空腔體內進行鍍膜，最後於大氣環境下進行保護用覆膜及收料工作。該習知濺鍍製程設計的最大關鍵技術在於，由於將基材由大氣環境直接送入真空腔體內，因此大氣環境與真空腔體之間的閥門設計非常重要，如何設計空隙讓基材及鍍好之膜剛好可通過而不刮傷鍍膜及基材，且又不會使外氣吸入真空環境中，其在實際的結構設計上存在相當的難度。

習知濺鍍隔壓的方式有許多種，例如可於真空隔壓腔體內前後端各裝置一個隔壓板或隔壓閥門進行隔壓，利用驅動開關控制隔壓板或隔壓閥門開關。但是該方式的隔壓效果差，製程腔室內氣體分子多，不易維持高真空度，且隔壓板或隔壓閥門容易與基板摩擦，於基材正面與背面造成刮痕。另一種習知的隔壓方式，係於真空隔壓腔體內前端裝置一個C型隔壓門進行隔壓，該C型隔壓門的隔壓效果也不理想，且C型隔壓門與基材正面留有縫隙，會增加氣體分子流入真空隔壓腔體，導致隔壓腔體氣漏嚴重，使製程腔室抽氣負載大。而無論採用隔壓板、隔壓閥門或C型隔壓門，當被濺鍍基材尺寸改變(例如不同寬度或是不 同厚度)時，都必須變更隔壓板、隔壓閥門或C型隔壓門，造成設備投資增加與使用的不便。

本揭露提出一種濺鍍製程之隔壓系統，可保持製程腔室真空度。

於一實施例中，本揭露提出一種濺鍍製程之隔壓系統，其包含一供料端、一製程段、一隔壓段及一收料端，供料端係用以提供一基材；製程段與供料端連接，製程段內具有至少一製程壓力值，製程壓力值係低於一大氣壓力值，基材由供料端被送進製程段，由製程段對基材進行一處理製程；隔壓段與製程段連接，隔壓段內具有至少一隔壓段壓力值，隔壓段壓力值係介於製程壓力值與大氣壓力值之間，於隔壓段與製程段連接處設有一第一開口以及一第一隔壓裝置，第一隔壓裝置係用以阻隔隔壓段內之氣體分子流入製程段，基材於製程段完成處理製程後，係通過第一開口以及第一隔壓裝置進入隔壓段；收料端與隔壓段連接，收料端內具有之壓力係低於隔壓腔體內之隔壓段壓力值，例如為大氣壓力值，於收料端與隔壓段連接處設有一第二開口以及一第二隔壓裝置，第二隔壓裝置係用以阻隔該收料端內之氣體分子流入隔壓段，基材通過隔壓段後，係通過第二開口以及第二隔壓裝置進入收料端。

以下將參照隨附之圖式來描述本揭露為達成目的所使 用的技術手段與功效，而以下圖式所列舉之實施例僅為輔助說明，以利 貴審查委員瞭解，但本案之技術手段並不限於所列舉圖式。

請參閱第一圖所示實施例，該隔壓系統包含一供料端10、一製程段20、一隔壓段30以及一收料端40。

供料端10包括一供料腔室11，於供料腔室11設有一供料捲軸12，供料捲軸12捲繞有基材13，可由供料端10提供基材13送入製程段20。基材13之種類係依製程不同而改變，例如濺鍍製程採用的基材可為金屬材質或塑膠材質。供料腔室11內具有一供料壓力值。

製程段20係與供料端10連接，製程段20包括一製程腔室21，該製程腔室21內具有一製程壓力值，該製程壓力值係低於一大氣壓力值，基材13由供料端10被送進該製程腔室21，並且於製程腔室21內進行所需之處理製程，例如濺鍍製程。

隔壓段30係與製程段20連接，於本實施例中，隔壓段30包括一腔體單元，該腔體單元係由一第一隔板31、一隔壓腔體32以及一第一隔壓裝置50構成之模組化結構。第一隔板31具有相對二面311、312，第一隔板31之其中一面311係連接該製程段20，隔壓腔體32係設置於第一隔板31相對於連接該製程段20之一面312，於第一隔板31設有一第一開口313，第一開口313係容許基材13通過，第一隔壓裝置50係設置於該隔壓腔體32內且相對應於該第一開口313處。基材13於製程段20完成製程後，係過第一開口313以及第一隔壓裝置50進入該隔壓段30。 該隔壓腔體32內具有一隔壓段壓力值，該隔壓段壓力值係位於製程腔室21之製程壓力值與大氣壓力值之間。請參閱第二圖所示，在一實施例中，於隔壓腔體32頂部所設之貫穿部321係為了設置其他裝置，當連接其他裝置之後，隔壓腔體32頂部係呈現封閉狀態。

收料端40係與隔壓段30連接，收料端40包括一收料腔室41，收料腔室41係位於大氣環境中，因此該收料腔室41所具有之壓力係低於隔壓腔體32內之隔壓段壓力值，例如為大氣壓力值。於收料端40與隔壓段30連接處設有一第二隔板42，於第二隔板42設有一第二開口421以及一第二隔壓裝置60，第二開口421係容許基材13通過，第二隔壓裝置60係用以阻隔該收料端40內之氣體分子流入隔壓段30，收料腔室41與隔壓腔體32相連通，基材13於通過隔壓段30後，係通過第二開口421以及第二隔壓裝置60進入收料端40，於收料端40設有一收料捲軸43，收料捲軸43係用以捲繞由隔壓段30進入收料端40之基材13。

本揭露之第一隔壓裝置50與第二隔壓裝置60可採用相同結構，請參閱第一圖至第四圖所示實施例，該第一隔壓裝置50係由一板體51、一第一座體52、一第二座體53、一第一滾軸54以及一第二滾軸55構成。

於板體51設有一透空部511，該透空部511具有一長度，透空部511之長度係容許基材13通過，透空部511沿其長度方向具有相對之二端，以本實施例而言，透空部511係水平延伸其長度方向。板體51係用以設置於第一隔板 31相對於連接該製程段20之一面312，該透空部511係對應於第一隔板31之第一開口313。

第一座體52與第二座體53係對稱設置於板體51且位於該透空部511相對二端之二側。就第一座體52而言，其係由一固定座521、一活動座522以及一調整栓523構成，固定座521係藉由螺栓56固設於板體51，於固定座521設有一凹部524，活動座522係設置於凹部524內，活動座522之尺寸小於該凹部524之尺寸，亦即該活動座522與凹部524呈鬆配合，凹部524可提供活動座522移動的空間。該調整栓523具有一軸心方向，以第四圖而言，調整栓523之軸心方向係一垂直方向，調整栓523係穿設於活動座522以及固定座521，調整栓523與活動座522分別設有外螺紋525以及內螺紋526相互螺合，調整栓523朝向固定座521之一軸向端係抵靠於該固定座521。同理，第二座體53係由一固定座531、一活動座532以及一調整栓533構成，固定座531也是藉由螺栓56固設於板體51，於本實例中，第一座體52與第二座體53之結構係相互對稱。

本實施例之第一滾軸54與第二滾軸55之結構相同，第一滾軸54具有一中心軸541，於中心軸541外層披覆有緩衝層542，第二滾軸55具有一中心軸551，於中心軸551外層披覆有緩衝層552，中心軸541、551係採用具有剛性之材料，例如鋼材，以提高第一滾軸54與第二滾軸55之強度，緩衝層542、552係具有可壓縮及彈性恢復特性之材料，例如矽膠。第一滾軸54之軸向二端部係分別藉由軸承 57樞設於第一座體52與第二座體53之固定座521、531。第二滾軸55之軸向二端部係分別藉由軸承57樞設於第一座體52與第二座體53之活動座522、532，第一滾軸54與第二滾軸55朝向板體51之一面係與板體51相貼靠，該透空部511之長度方向係平行於第一滾軸54與第二滾軸55之軸向，且透空部511係對應於該第一滾軸54與第二滾軸55相互貼靠之面之間。

請參閱第四圖至第六圖所示，第一滾軸54與第二滾軸55之軸向相互平行，調整栓523、533之軸心方向係一垂直方向，調整栓523、533之軸心方向係垂直於第一滾軸54與第二滾軸55之軸向，當旋轉該調整栓523、533時，由於固定座521、531係固設於板體51，因此調整栓523、533可帶動活動座522、532與第二滾軸55平行該調整栓523、533之軸向移動(亦即上下運動)，藉此可調整第一滾軸54與第二滾軸55之間距，亦即可調整第一滾軸54與第二滾軸55對基材13產生之夾持力之強度。

請參閱第一圖及第七圖所示，說明本揭露所提供之隔壓系統輸送基材及隔壓作用，該製程段20之製程壓力值低於大氣壓力值，隔壓段30之隔壓段壓力值位於製程段20之製程壓力值與大氣壓力值之間，收料端40之壓力係低於隔壓腔體32內之隔壓段壓力值，例如為大氣壓力值。基材13由製程腔室21通過第一開口313與透空部511進入隔壓段30之隔壓腔體32，當基材13通過第一隔壓裝置50之第一滾軸54與第二滾軸55之間時，藉由緩衝層542、552所具有之可壓縮及彈性恢復特性，可避免刮傷基材 13，並可確保第一滾軸54與第二滾軸55緊密夾合於基材13二面，且第一滾軸54與第二滾軸55朝向板體51之一面係與板體51相貼靠，因此可確實封閉透空部511與第一開口313，使製程段20與隔壓段30仍形成隔絕狀態，避免隔壓段30之氣體分子進入製程段20，不致影響製程段20內之製程壓力值，而第一滾軸54與第二滾軸55之中心軸541、551可保持第一滾軸54與第二滾軸55具有一定的剛性。同理，基材13由隔壓腔體32通過第二開口421與透空部611進入收料腔室41，當基材13通過第二隔壓裝置60之第一滾軸64與第二滾軸65之間時，藉由緩衝層642、652所具有之可壓縮及彈性恢復特性，可避免刮傷基材13，並可確保第一滾軸64與第二滾軸65緊密夾合於基材13二面，使隔壓段30與收料端40形成隔絕狀態，避免收料端40內之氣體分子流入隔壓段30，而第一滾軸64與第二滾軸65之中心軸641、651可保持第一滾軸64與第二滾軸65具有一定的剛性。因此可以保持製程腔室21的真空度不受收料端40之不同氣壓(例如為大氣環境)的影響，使基材13於製程段20保持在真空操作下，並使製程腔室21能在真空環境與非真空環境之收料端40(例如為大氣壓力)的連接下完成連續式製程操作。

至於製程段20之製程壓力值與隔壓段30之隔壓段壓力值係依實際所需而設定，以濺鍍製程為例，若製程壓力值為2.6x10^-2 ~2.9x10^-2 托(Torr)時，隔壓段壓力值可為1.1x10⁰ ~3.5x10¹ 托(Torr)，若製程壓力值為2.4x10^-5 ~4.4x10^-4 托(Torr)時，隔壓段壓力值可為 7.2x10^-2 ~3.0x10¹ 托(Torr)。可於製程腔室21與隔壓腔體32分別連接一幫浦裝置(圖中未示出)，由幫浦裝置對製程腔室21與隔壓腔體32抽氣，以保持所需之製程壓力值及隔壓段壓力值。

請參閱第八圖及第九圖所示本揭露之腔體單元另一實施例組合結構，該腔體單元係由一第一隔板31、一隔壓腔體32、一第三隔板33以及一第一隔壓裝置50構成之模組化結構，該第三隔板33係設置於隔壓腔體32相對於設有第一隔板31之一端，於第三隔板33設有一第三開口331，第三隔板33係用以與第二隔板42相互貼靠，第三開口331係對應於第二開口421，於第二隔板42與第三隔板33之間設有一墊圈34，該墊圈34係環繞於第二開口421以及第三開口331之外圍，藉此可以使第二隔板42與第三隔板33確實密合，避免大氣氣體分子進入隔壓腔體32。

此外，於製程腔室21連接第一隔板31之一端設有一第四隔板22，第四隔板22具有一第四開口221，第四隔板22與第一隔板31相互貼靠，第四開口221係對應於第一開口313，於第一隔板31與第四隔板22之間設有一墊圈23，墊圈23係環繞於第一開口313以及第四開口221之外圍，藉此可以使第一隔板31與第四隔板22確實密合，避免大氣氣體分子進入製程腔室21與隔壓腔體32內。

請參閱第十圖所示本揭露隔壓系統另一實施例架構，該隔壓系統包含一供料端10A、一製程段20A、一隔壓段30A以及一收料端40A。製程段20A包括串聯之複數製程腔室21A~21D，該串聯之複數製程腔室21A~21D之相對二端 之製程腔室21A、21D係分別連接供料端10A以及隔壓段30A，每一製程腔室21A~21D具有一製程壓力值，每一製程腔室21A~21D係用以對基材13進行不同製程，例如濺鍍製程，製程腔室21A可為清潔腔，製程腔室21B~21D可為不同鍍膜腔，該複數製程腔室21A~21D具有至少二種製程壓力值，係依實際處理製程而定。此外，隔壓段30A包括串聯之複數腔體單元，其係由複數之隔壓腔體32A~32D與第一隔板31A~31D、第三隔板33A~33D間隔串聯構成，於每一隔壓腔體32A~32D內設有一第一隔壓裝置50A~50D，相對二端之隔壓腔體32A、32D係分別連接該製程段20A以及該收料端40A，於製程腔室21D連接第一隔板31A之一端設有一第四隔板22A，於收料端40A與隔壓段30A連接處設有一第二隔板42A，於收料端40A設有一第二隔壓裝置60A。每一該腔體單元(亦即隔壓腔體32A~32D)具有一隔壓段壓力值，該隔壓段壓力值係由連接該製程段20A之該腔體單元遞增至連接該收料端40A之該腔體單元，亦即隔壓段30A之隔壓段壓力值係由隔壓腔體32A遞增至隔壓腔體32D。可於每一隔壓腔體32A~32D連接一幫浦裝置(圖中未示出)，用以對隔壓腔體32A~32D抽氣，使每一隔壓腔體32A~32D具有不同之隔壓段壓力值，且該不同之隔壓段壓力值均為負壓，連接該製程段20A之隔壓腔體32A之隔壓段壓力值之負壓最高。基材13由供料端10A依序通過製程段20A之製程腔室21A~21D、隔壓段30A之隔壓腔體32A~32D最後進入該收料端40A，藉由第一隔壓裝置50A~50D及第二隔壓裝置60A，可以保持製程段20A的真空 度不受大氣環境(收料端40A)的影響，使基材13於製程段20A保持在真空操作下，使製程段20A能在真空環境與非真空環境之收料端(例如為大氣壓力)的連接下完成連續式製程操作。本實施例說明，本揭露隔壓系統之製程段及隔壓段可依實際所需設置具有複數製程腔室及隔壓腔體，但不限於第十圖所示四個製程腔室、四個隔壓腔體。而本揭露設計隔壓段可由一個或多個模組化結構之腔體單元，也有利於組裝或維修。

此外，於第一圖及第十圖所示實施例之收料端40、40A可設置一覆膜裝置，該覆膜裝置係可於基材13表面披覆一層保護膜，再將披覆有保護膜之基材13捲繞成捲。

惟以上所述者，僅為本揭露之實施例而已，當不能以之限定本揭露所實施之範圍。即大凡依本揭露申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應仍屬於本揭露專利涵蓋之範圍內，謹請 貴審查委員明鑑，並祈惠准，是所至禱。

10、10A‧‧‧供料端

11‧‧‧供料腔室

12‧‧‧供料捲軸

13‧‧‧基材

20、20A‧‧‧製程段

21、21A~21D‧‧‧製程腔室

22、22A‧‧‧第四隔板

221‧‧‧第四開口

23‧‧‧墊圈

30、30A‧‧‧隔壓段

31、31A~31D‧‧‧第一隔板

311、312‧‧‧第一隔板相對二面

313‧‧‧第一開口

32、32A~32D‧‧‧隔壓腔體

33、33A~33D‧‧‧第三隔板

331‧‧‧第三開口

34‧‧‧墊圈

40、40A‧‧‧收料端

41‧‧‧收料腔室

42、42A‧‧‧第二隔板

421‧‧‧第二開口

43‧‧‧收料捲軸

50、50A~50D‧‧‧第一隔壓裝置

51‧‧‧板體

511‧‧‧透空部

52‧‧‧第一座體

521‧‧‧固定座

522‧‧‧活動座

523‧‧‧調整栓

524‧‧‧凹部

525‧‧‧外螺紋

526‧‧‧內螺紋

53‧‧‧第二座體

531‧‧‧固定座

532‧‧‧活動座

533‧‧‧調整栓

54‧‧‧第一滾軸

541‧‧‧中心軸

542‧‧‧緩衝層

55‧‧‧第二滾軸

551‧‧‧中心軸

552‧‧‧緩衝層

56‧‧‧螺栓

57‧‧‧軸承

60、60A‧‧‧第二隔壓裝置

61‧‧‧第二隔壓裝置之板體

611‧‧‧第二隔壓裝置之透空部

64‧‧‧第二隔壓裝置之第一滾軸

65‧‧‧第二隔壓裝置之第二滾軸

642、652‧‧‧第二隔壓裝置之緩衝層

第一圖係本揭露濺鍍製程之隔壓系統之一實施例架構示意圖。

第二圖係本揭露之腔體單元之一實施例組合結構示意圖。

第三圖係第二圖實施例之分解結構示意圖。

第四圖係本揭露之隔壓裝置實施例之分解結構示意圖。

第五圖及第六圖係本揭露隔壓裝置調整滾軸間距之剖 面結構示意圖。

第七圖係第二圖A-A剖面搭配基材之結構示意圖。

第八圖係本揭露之腔體單元另一實施例組合結構示意圖。

第九圖係第八圖實施例搭配製程端與收料端另一實施例之剖面結構示意圖。

第十圖係本揭露濺鍍製程之隔壓系統另一實施例架構示意圖。

10‧‧‧供料端

11‧‧‧供料腔室

12‧‧‧供料捲軸

13‧‧‧基材

20‧‧‧製程段

21‧‧‧製程腔室

30‧‧‧隔壓段

31‧‧‧第一隔板

311、312‧‧‧第一隔板相對二面

313‧‧‧第一開口

32‧‧‧隔壓腔體

40‧‧‧收料端

41‧‧‧收料腔室

42‧‧‧第二隔板

421‧‧‧第二開口

43‧‧‧收料捲軸

50‧‧‧第一隔壓裝置

60‧‧‧第二隔壓裝置

Claims (16)

1. 一種濺鍍製程之隔壓系統，包含：一供料端，係用以提供一基材；一製程段，係與該供料端連接，該製程段內具有至少一製程壓力值，該製程壓力值係低於一大氣壓力值，該基材係由該供料端被送進該製程段，該製程段係用以對該基材進行一處理製程；一隔壓段，係與該製程段連接，該隔壓段內具有至少一隔壓段壓力值，該隔壓段壓力值係介於該製程壓力值與該大氣壓力值之間，於該隔壓段與該製程段連接處設有一第一開口以及一第一隔壓裝置，該第一隔壓裝置係用以阻隔該隔壓段內之氣體分子流入該製程段，該基材於該製程段完成該處理製程後，係通過該第一開口以及該第一隔壓裝置進入該隔壓段；以及一收料端，係與該隔壓段連接，該收料端內具有之壓力係低於該隔壓段壓力值，於該收料端與該隔壓段連接處設有一第二開口以及一第二隔壓裝置，該第二隔壓裝置係用以阻隔該收料端內之氣體分子流入該隔壓段，該基材通過該隔壓段後，係通過該第二開口以及該第二隔壓裝置進入該收料端。
2. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該製程段包括至少一製程腔室，該隔壓段包括至少一隔壓腔體，於該製程腔室與該隔壓腔體之間設有一第一隔板，於該第一隔板設有該第一開口，該第一隔壓裝置係設置於該隔壓腔體內，該收料端與該隔壓腔體之間設 有一第二隔板，於該第二隔板設有該第二開口，該第二隔壓裝置係設置於該收料端內。
3. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該第一隔壓裝置包括：二滾軸，該二滾軸之軸向相互平行且該二滾軸係相互貼靠，每一該滾軸之表面係為具有可壓縮及彈性恢復特性之材料；一板體，於該板體設有一透空部，該透空部具有一長度，該透空部沿其長度方向具有相對之二端，該板體係設置於該第一隔板，該透空部係對應於該第一開口，該透空部係容許該基材通過；一第一座體，係設置於該板體且位於該透空部其中一端之一側；以及一第二座體，係設置於該板體且位於該透空部另外一端之一側，該二滾軸係樞設於該第一座體與該第二座體之間，該二滾軸朝向該板體之一面係與該板體相貼靠，該透空部之長度長度係平行於該二滾軸之軸向，該透空部係對應於該二滾軸相互貼靠之面之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該第一座體與該第二座體係對稱設置，該第一座體與該第二座體分別係由一固定座、一活動座以及一調整栓構成，其中：該固定座係固設於該板體，於該固定座設有一凹部；該活動座係設置於該凹部內，該活動座之尺寸小於該凹部之尺寸； 該二滾軸包括一第一滾軸以及一第二滾軸，該第一滾軸之軸向二端部係分別樞設於該第一座體與該第二座體之該固定座，該第二滾軸之軸向二端部係分別樞設於該第一座體與該第二座體之該活動座；以及該調整栓具有一軸心方向，該軸心方向係垂直於該滾軸之軸向，該調整栓係穿設於該活動座以及該固定座，該調整栓係鬆配合穿設於活動座，該調整栓與該活動座係以螺紋相互螺合，該調整栓朝向該固定座之一軸向端係抵靠於該固定座，當旋轉該調整栓時，可帶動該活動座平行該調整栓之軸向移動，藉此調整該第一滾軸與該第二滾軸之間距。
5. 如申請專利範圍第4項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該每一該滾軸包括一中心軸，於該中心軸外層披覆有緩衝層，該中心軸係為具有剛性之材料，該緩衝層係為具有可壓縮及彈性恢復特性之材料。
6. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該第二隔壓裝置之結構與該第一隔壓裝置之結構相同。
7. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該隔壓段包括至少一腔體單元，該腔體單元係由該隔壓腔體、該第一隔板以及該第一隔壓裝置構成之模組化結構。
8. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該隔壓腔體相對於設有該第一隔板之一端設有一第三隔板，於該第三隔板設有一第三開口，該第三隔板與該 第二隔板相互貼靠，該第三開口係對應於該第二開口，於該第二隔板與該第三隔板之間設有一墊圈，該墊圈係環繞於該第二開口以及該第三開口之外圍。
9. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該製程段連接該第一隔板之一端設有一第四隔板，該第四隔板具有一第四開口，該第四隔板與該第一隔板相互貼靠，該第四開口係對應於該第一開口，於該第一隔板與該第四隔板之間設有一墊圈，該墊圈係環繞於該第一開口以及該第四開口之外圍。
10. 如申請專利範圍第7項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該隔壓腔體相對於設有該第一隔板之一端設有一第三隔板，於該第三隔板設有一第三開口，該第三隔板與該第二隔板相互貼靠，該第三開口係對應於該第二開口，於該第二隔板與該第三隔板之間設有一墊圈，該墊圈係環繞於該第二開口以及該第三開口之外圍。
11. 如申請專利範圍第7項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該製程段連接該第一隔板之一端設有一第四隔板，該第四隔板具有一第四開口，該第四隔板與該第一隔板相互貼靠，該第四開口係對應於該第一開口，於該第一隔板與該第四隔板之間設有一墊圈，該墊圈係環繞於該第一開口以及該第四開口之外圍。
12. 如申請專利範圍第7項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該隔壓段包括串聯之複數腔體單元，該串聯之該複數腔體單元之相對二端之該腔體單元係分別連接該製程段以及該收料端，每一該腔體單元具有一隔壓段壓力值， 該複數腔體單元之隔壓段壓力值係由連接該製程段之該腔體單元遞增至連接該收料端之該腔體單元。
13. 如申請專利範圍第12項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中每一該腔體單元係連接一幫浦裝置，該幫浦裝置係用以對該隔壓腔體抽氣，使每一該隔壓腔體具有不同之隔壓段壓力值。
14. 如申請專利範圍第13項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該不同之隔壓段壓力值均為負壓。
15. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該製程段包括串聯之複數製程腔室，該串聯之該複數製程腔室之相對二端之該製程腔室係分別連接該供料端以及該隔壓段，每一該製程腔室具有一製程壓力值，該複數製程腔室具有至少二種製程壓力值。
16. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍製程之隔壓系統，其中該收料端之壓力係為大氣壓力值。