TWI491751B - 鍍膜件及其製備方法 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種鍍膜件及該鍍膜件的製備方法。
透明導電薄膜由於具有良好的導電性和可見光透過率,在太陽能電池和液晶顯示器等領域有著廣泛的應用。氧化銦錫(ITO)薄膜係目前研究和應用最廣泛的透明導電薄膜。由於Sn4+可以替換晶格中In3+的位置,產生自由電子,故ITO薄膜具有較高的電導率。由於ITO薄膜含有貴金屬銦,成本較高,研究者開始尋求另外的替代產品。
氧化鋅原料豐富,價格便宜,無毒且穩定性高,因此摻鋁氧化鋅(AZO)薄膜係目前最有開發潛力的薄膜材料之一。ZnO薄膜摻入Al後,Al3+離子佔據晶格中Zn2+離子的位置,形成一個一價正電荷中心和一個多餘的價電子,這個價電子掙脫束縛而成為導電電子。因此摻雜Al導致淨電子的增加,ZnO薄膜的電導率增大。然鍍覆有AZO薄膜的鍍膜件在使用較長時間後,AZO薄膜的導電性會不穩定,從而導致AZO薄膜失效,極大縮短了鍍膜件的使用壽命。
有鑒於此,有必要提供一種有效解決上述問題的鍍膜件。
另外,還有必要提供一種製備上述鍍膜件的方法。
一種鍍膜件,包括基材及形成於基材表面的透明導電薄膜,該透明導電薄膜為Me摻雜的摻鋁氧化鋅薄膜,其中Me為鉍、鉭及鈮中的兩種或兩種以上。
一種鍍膜件的製備方法,其包括如下步驟:提供基材;在基材表面形成透明導電薄膜,該透明導電薄膜為Me摻雜的摻鋁氧化鋅薄膜,其中Me為鉍、鉭及鈮中的兩種或兩種以上。
本發明所述鍍膜件在基材的表面沉積透明導電薄膜,該透明導電薄膜藉由在摻鋁氧化鋅薄膜中引入錫、鉍、銻、鉭及鈮中的兩種或兩種以上,藉由高價態Sn4+、Bi3+、Sb5+、Ta5+及Nb5+中的兩種或兩種以上取代部分Zn2+,從而產生自由電子,獲得較高的導電率。該透明導電薄膜具有良好的穩定性,可有效地提高鍍膜件的使用壽命。另外該透明導電薄膜還具有高透光性。
10‧‧‧鍍膜件
11‧‧‧基材
13‧‧‧透明導電薄膜
圖1為本發明一較佳實施例鍍膜件的剖視圖。
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖與實施例對本發明進行進一步詳細說明。
請參閱圖1,本發明一較佳實施方式鍍膜件10包括基材11、形成於基材11表面的透明導電薄膜13。
該基材11可為玻璃或陶瓷。
該透明導電薄膜13為Me摻雜的摻鋁氧化鋅(AZO)薄膜,其中Me可
為錫(Sn)、鉍(Bi)、銻(Sb)、鉭(Ta)及鈮(Nb)中的兩種或兩種以上,其中Al的質量百分含量可為1~5%,摻雜的Sn的質量百分含量可為1~4%,摻雜的Sb的質量百分含量可為1~2%,摻雜的Bi的質量百分含量可為1~3%,摻雜的Nb的質量百分含量可為1~2%,摻雜的Ta的質量百分含量可為1~2%。
該透明導電薄膜13可以磁控濺射或蒸鍍的方式形成。該透明導電薄膜13的厚度可為300~800nm。
本發明一較佳實施方式的鍍膜件10的製備方法,其包括以下步驟:
提供一基材11,該基材11可為玻璃或陶瓷。
將基材11放入無水乙醇中進行超聲波清洗,以去除基材11表面的污漬,清洗時間可為5~10min。
對經上述處理後的基材11的表面進行氬氣電漿清洗,以進一步去除基材11表面的油污,以及改善基材11表面與後續塗層的結合力。該電漿清洗的具體操作及工藝參數可為:將基材11放入一磁控濺射鍍膜機(圖未示)的鍍膜室內,將該鍍膜室抽真空至1.0~2.0×10-5Torr,然後向鍍膜室內通入流量為100~300sccm(標準狀態毫升/分鐘)的氬氣(純度為99.999%),並施加-100~-300V的偏壓於基材11,對基材11表面進行氬氣電漿清洗,清洗時間為10~20min。
採用磁控濺射法在經氬氣電漿清洗後的基材11上濺鍍一透明導電薄膜13,該透明導電薄膜13可為Me摻雜的AZO薄膜,其中Me可為Sn、Bi、Sb、Ta及Nb中的兩種或兩種以上。濺鍍該透明導電薄膜
13在所述磁控濺射鍍膜機中進行。使用Sn、Bi、Sb、Ta及Nb中的兩種或兩種以上組成的合金靶、Al靶及Zn靶為靶材,以氧氣為反應氣體,氧氣流量可為50~200sccm,以氬氣為工作氣體,氬氣流量可為100~300sccm。濺鍍時對基材施加-100~-300V的偏壓,並加熱所述鍍膜室使基材11的溫度為200~350℃,鍍膜時間可為30~60min。該透明導電薄膜13的厚度可為300~800nm。
本發明較佳實施方式鍍膜件10在基材11的表面沉積透明導電薄膜13,該透明導電薄膜13藉由在摻Al的ZnO薄膜中引入Sn、Bi、Sb、Ta及Nb的兩種或兩種以上,藉由高價態的Sn4+、Bi3+、Sb5+、Nb5+及Ta5+中的兩種或兩種以上取代部分Zn2+,從而產生自由電子,獲得較高的導電率。該透明導電薄膜13具有良好的穩定性,可有效地提高鍍膜件10的使用壽命。另外,該透明導電薄膜13還具有高透光性。
綜上所述,本發明符合發明專利要件,爰依法提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施方式,舉凡熟悉本案技藝之人士,於爰依本發明精神所作之等效修飾或變化,皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。
10‧‧‧鍍膜件
11‧‧‧基材
13‧‧‧透明導電薄膜
Claims (9)
- 一種鍍膜件,包括基材及形成於基材表面的透明導電薄膜,其改良在於:該透明導電薄膜為Me摻雜的摻鋁氧化鋅薄膜,其中Me為鉍、鉭及鈮中的兩種或兩種以上。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述基材為玻璃或陶瓷。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述透明導電薄膜中鋁的質量百分含量為1~5%。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述透明導電薄膜中摻雜的鉍的質量百分含量為1~3%。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述透明導電薄膜中摻雜的鈮的質量百分含量為1~2%。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述透明導電薄膜中摻雜的鉭的質量百分含量為1~2%。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述透明導電薄膜以磁控濺射或蒸鍍的方式形成,其厚度為300~800nm。
- 一種鍍膜件的製備方法,其包括如下步驟:提供基材;在基材表面形成透明導電薄膜,該透明導電薄膜為Me摻雜的摻鋁氧化鋅薄膜,其中Me為鉍、鉭及鈮中的兩種或兩種以上。
- 如申請專利範圍第8項所述之鍍膜件的製備方法,其中所述形成透明導電薄膜的步驟採用如下方式實現:採用磁控濺射法,使用鉍、鉭及鈮中的兩種或兩種以上組成的合金靶、鋁靶及鋅靶為靶材,以氧氣為反應氣體,氧氣流量為50~200sccm,以氬氣為工作氣體,氬氣流量為100~ 300sccm,基材偏壓為-100~-300V,加熱使基材的溫度為200~350℃,鍍膜時間為30~60min。
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TW200535090A (en) * | 2004-02-24 | 2005-11-01 | Ulvac Inc | Dispersion liquid for forming transparent conductive film, method for forming transparent conductive film and transparent electrode |
CN101285164A (zh) * | 2007-04-11 | 2008-10-15 | 北京京东方光电科技有限公司 | 透明导电薄膜制备所用的靶材及导电薄膜和电极制造方法 |
TW200933746A (en) * | 2008-01-22 | 2009-08-01 | Univ Nat Chunghsing | Method for improving the properties of the transparent conducting film and the product thereof |
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- 2010-10-29 TW TW099137076A patent/TWI491751B/zh not_active IP Right Cessation
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