TWI487283B - 驅動電路 - Google Patents

Description

驅動電路

本揭示內容是有關於一種電路驅動技術，且特別是有關於一種驅動電路。

電子產品已經成為現代人生活中不可或缺的一部份。在各式各樣的電子裝置中，需要可應用在這些裝置中的半導體組件。半導體組件的特性主要是由製備該組件的製程來決定。由於半導體組件通常較複雜，則其製程亦變化較多。半導體組件中需要多種具有不同特性(特別是不同的操作電壓)的電晶體。高壓電晶體即是為了滿足能在高壓操作的環境而設計出的元件。

一般來說，高壓電晶體所能承受的電壓可高達10伏特以上，與一般電晶體承受的3.3伏特或5伏特有極大的不同。為了面積及元件速度上的考量，部份技術已將高壓電晶體設計為僅源極與汲極可承受高壓，而閘極則承受一般電晶體所能承受的電壓(如5伏特)。然而，在這樣的設計下，單純用以驅動一般低壓電晶體及單純用以驅動高壓電晶體的驅動電路，將因而無法以適當的電壓來驅動上述之高壓電晶體元件。

因此，如何設計一個新的驅動電路，以驅動上述的高壓電晶體元件，乃為此一業界亟待解決的問題。

因此，本揭示內容之一態樣是在提供一種驅動電路，用以驅動功率金氧半(metal-oxide semiconductor；MOS)電晶體，包含：第一驅動支路以及第二驅動支路。第一動支路包含：第一開關N型金氧半電晶體、電流源以及第一箝位(clamping)P型金氧半電晶體。第一開關N型金氧半電晶體具有第一開關閘極，用以接收開關訊號。第一箝位P型金氧半電晶體具有第一箝位閘極，用以接收參考電壓，其中第一箝位P型金氧半電晶體之第一箝位汲極連接於第一開關N型金氧半電晶體之第一開關汲極，第一箝位P型金氧半電晶體之第一箝位源極連接於電流源。第二驅動支路包含：第二開關N型金氧半電晶體、電流供應P型金氧半電晶體以及第二箝位P型金氧半電晶體。第二開關N型金氧半電晶體具有第二開關閘極，用以接收反相之開關訊號。電流供應P型金氧半電晶體具有連接於第一箝位源極之電流供應閘極以及連接於第一電位之電流供應源極。第二箝位P型金氧半電晶體具有第二箝位閘極，用以接收參考電壓，其中第二箝位P型金氧半電晶體之第二箝位汲極連接於第二開關N型金氧半電晶體之第二開關汲極，第二箝位P型金氧半電晶體之第二箝位源極連接於電流供應P型金氧半電晶體之電流供應汲極。其中第二箝位源極輸出驅動電壓至功率金氧半電晶體之功率閘極。

依據本揭示內容一實施例，其中第一電位為正電位。

依據本揭示內容另一實施例，其中功率金氧半電晶體為高壓金氧半電晶體(high voltage MOS；HVMOS)。驅動電壓與第一電位之電壓差小於特定電壓值。驅動電壓之最 小值為參考電壓及第二箝位P型金氧半電晶體之閾值(threshold)電壓之和。

依據本揭示內容又一實施例，其中參考電壓為第一電位與功率閘極之最高耐壓值之差。

依據本揭示內容再一實施例，當控制訊號為第一狀態，係使第一開關N型金氧半電晶體導通以及使第二開關N型金氧半電晶體關閉，進一步使第二箝位P型金氧半電晶體導通以及使驅動電壓上升以關閉功率金氧半電晶體。當控制訊號為第二狀態，係使第一開關N型金氧半電晶體關閉以及使第二開關N型金氧半電晶體導通，進一步使第二箝位P型金氧半電晶體關閉以及該驅動電壓下降以導通功率金氧半電晶體。

本揭示內容之另一態樣是在提供一種驅動電路，用以驅動功率金氧半電晶體，包含：第一驅動支路以及第二驅動支路。第一驅動支路包含：第一開關P型金氧半電晶體、電流源以及第一箝位N型金氧半電晶體。第一開關P型金氧半電晶體具有第一開關閘極，用以接收開關訊號。第一箝位N型金氧半電晶體具有第一箝位閘極，用以接收參考電壓，其中第一箝位N型金氧半電晶體之第一箝位汲極連接於第一開關N型金氧半電晶體之第一開關汲極，第一箝位N型金氧半電晶體之第一箝位源極連接於電流源。第二驅動支路包含：第二開關P型金氧半電晶體、電流供應N型金氧半電晶體以及第二箝位N型金氧半電晶體。第二開關P型金氧半電晶體具有第二開關閘極，用以接收反相之開關訊號。電流供應N型金氧半電晶體具有連接於第一箝 位源極之電流供應閘極以及連接於第一電位之電流供應源極。第二箝位N型金氧半電晶體具有第二箝位閘極，用以接收參考電壓，其中第二箝位N型金氧半電晶體之第二箝位汲極連接於第二開關P型金氧半電晶體之第二開關汲極，第二箝位N型金氧半電晶體之第二箝位源極連接於電流供應N型金氧半電晶體之電流供應汲極。其中第二箝位源極輸出驅動電壓至功率金氧半電晶體之功率閘極。

依據本揭示內容一實施例，其中第一電位為負電位。

依據本揭示內容另一實施例，其中功率金氧半電晶體為高壓金氧半電晶體(high voltage MOS；HVMOS)。驅動電壓與第一電位之電壓差小於特定電壓值。驅動電壓之最大值為參考電壓及第二箝位P型金氧半電晶體之閾值(threshold)電壓之差。

依據本揭示內容又一實施例，其中參考電壓為第一電位與功率閘極之最高耐壓值之和。

依據本揭示內容再一實施例，當控制訊號為第一狀態，係使第一開關P型金氧半電晶體導通以及使第二開關P型金氧半電晶體關閉，進一步使第二箝位N型金氧半電晶體導通以及使驅動電壓下降以關閉功率金氧半電晶體。當控制訊號為第二狀態，係使第一開關P型金氧半電晶體關閉以及使第二開關P型金氧半電晶體導通，進一步使第二箝位N型金氧半電晶體關閉以及使驅動電壓上升以導通功率金氧半電晶體。

應用本揭示內容之優點係在於藉由驅動電路的設計，可將用以驅動功率金氧半電晶體的驅動電壓予以限制，避 免其超過功率金氧半電晶體所能承受的範圍，而輕易地達到上述之目的。

請參照第1圖。第1圖為本揭示內容一實施例中，一種驅動電路1之電路圖。驅動電路1用以驅動功率金氧半(metal-oxide semiconductor；MOS)電晶體MP0。

於本實施例中，功率金氧半電晶體MP0為P型高壓金氧半電晶體。高壓金氧半電晶體(high voltage MOS；HVMOS)為可承受高電壓的電晶體，於一實施例中，是指可承受至約10伏特或以上的高壓，有別於一般常見的耐壓(如3.3伏特或5伏特)。於一些半導體製造技術中，可製造出具有可承受高壓的源極與汲極，而閘極僅能承受較小電壓(如5伏特)的功率金氧半電晶體。以此方式設計的功率金氧半電晶體，將可在面積較小的情形下，達到使功率金氧半電晶體導通阻值(RDs(on))變小，進一步達到使功率金氧半電晶體之傳遞延遲減小與上升時間(rising time)及下降時間(falling time)變小的效果。為使上述類型的功率金氧半電晶體可以在驅動時避免驅動的電壓超過閘極所能負荷的電壓，需設計能夠限制驅動電壓的範圍的驅動電路，以符合此類型之功率金氧半電晶體的需求。

驅動電路1包含：第一驅動支路10以及第二驅動支路12。第一驅動支路10包含：第一開關N型金氧半電晶體MN1、電流源100以及第一箝位(clamping)P型金氧半電晶體MP1。

第一開關N型金氧半電晶體MN1具有第一開關閘極G11，用以接收開關訊號IN 。第一開關N型金氧半電晶體MN1更具有第一開關源極S11，以連接至第二電位VSS。

第一箝位P型金氧半電晶體MP1具有第一箝位閘極G12，用以接收參考電壓Vm。其中，第一箝位P型金氧半電晶體MP1之第一箝位汲極D12連接於第一開關N型金氧半電晶體MN1之第一開關汲極D11，而第一箝位P型金氧半電晶體MP1之第一箝位源極S12連接於電流源100。

第二驅動支路12包含：第二開關N型金氧半電晶體MN2、第二箝位P型金氧半電晶體MP2以及電流供應P型金氧半電晶體MP3。第二開關N型金氧半電晶體MN2具有第二開關閘極G21，用以接收反相之開關訊號。

電流供應P型金氧半電晶體MP3具有連接於第一箝位源極S12之電流供應閘極G3以及連接於第一電位VGH之電流供應源極S3。第二箝位P型金氧半電晶體MP2具有第二箝位閘極G22，用以接收參考電壓Vm。其中第二箝位P型金氧半電晶體MP2之第二箝位汲極D22連接於第二開關N型金氧半電晶體MN2之第二開關汲極D22，而第二箝位P型金氧半電晶體MP2之第二箝位源極S22則連接於電流供應P型金氧半電晶體MP3之電流供應汲極D3。其中，第二箝位源極S22輸出驅動電壓Vp至功率金氧半電晶體MP0之功率閘極G0。

於一實施例中，上述之第一電位VGH為正電位，而第二電位VSS為小於第一電位VGH之電位。於一實施例中，第二電位VSS可為接地電位。

因此，當控制訊號IN為高態時，將使第一開關N型金氧半電晶體MN1導通以及使第二開關N型金氧半電晶體MN2關閉。第一開關N型金氧半電晶體MN1的導通將使汲取電流源100產生的電流，且其汲取電流的能力將大於電流源100產生的電流量。因此，第一箝位P型金氧半電晶體MP1之第一箝位源極S12的電壓，亦即控制第二箝位P型金氧半電晶體MP3的電流供應閘極G3的電壓將隨之被拉低，進一步使第二箝位P型金氧半電晶體MP3導通。

另一方面，第二開關N型金氧半電晶體MN2關閉後，由於第二箝位P型金氧半電晶體MP3導通將提供電流至電流供應汲極D3，因此電流供應汲極D3的電壓將逐漸上升。由於電流供應汲極D3即為第二箝位P型金氧半電晶體MP2的第二箝位源極S22，因此電流供應汲極D3的電壓將使第二箝位P型金氧半電晶體MP2導通。而電流供應汲極D3的電壓同時亦為控制功率金氧半電晶體MP0的功率閘極G0的驅動電壓Vp，因此功率金氧半電晶體MP0將在電流供應汲極D3的電壓上升下關閉。

而當控制訊號IN為低態時，將使第一開關N型金氧半電晶體MN1關閉以及使第二開關N型金氧半電晶體MN2導通。第一開關N型金氧半電晶體MN1的關閉將停止對電流源100的汲取，因此將使第一箝位P型金氧半電晶體MP1之第一箝位源極S12的電壓，亦即控制第二箝位P型金氧半電晶體MP3的電流供應閘極G3的電壓將隨之被拉升，進一步使第二箝位P型金氧半電晶體MP3關閉。

另一方面，第二開關N型金氧半電晶體MN2導通後， 由於第二箝位P型金氧半電晶體MP3關閉，第二開關N型金氧半電晶體MN2將汲取原本由第二箝位P型金氧半電晶體MP3提供至電流供應汲極D3的電流，因此電流供應汲極D3的電壓將逐漸下降。由於電流供應汲極D3即為第二箝位P型金氧半電晶體MP2的第二箝位源極S22，因此最終電流供應汲極D3的電壓將使第二箝位P型金氧半電晶體MP2無法再導通而關閉。

然而需注意的是，如第二箝位P型金氧半電晶體MP2的閾值電壓為Vth，由於其第二箝位閘極G22所接受的電壓為參考電壓Vm，則電流供應汲極D3的電壓在降至參考電壓Vm及第二箝位P型金氧半電晶體之閾值電壓Vth之和(即Vm+Vth)時，將使第二箝位P型金氧半電晶體MP2關閉，進一步使第二開關N型金氧半電晶體MN2無法再汲取電流。因此，電流供應汲極D3的電壓最低僅會降至Vm+Vth即無法再下降。

電流供應汲極D3的電壓同時亦為控制功率金氧半電晶體MP0的功率閘極G0的驅動電壓Vp，因此功率金氧半電晶體MP0將在電流供應汲極D3的電壓下降下導通。由於電流供應汲極D3的電壓最低僅會降至Vm+Vth，因此驅動電壓Vp與第一電位VGH之電壓差將小於一個特定電壓值。於本實施例中，此特定電壓值為VGH-(Vm+Vth)。

於一實施例中，參考電壓Vm之值可設定為第一電位VGH與功率閘極G0的最高耐壓值之差。如功率閘極G0的最高耐壓值為5伏特，則參考電壓Vm之值可設定為VGH-5。因此，驅動電壓Vp與第一電位VGH之電壓差所 小於的特定電壓值將為VGH-(VGH-5+Vth)=5-Vth。驅動電壓Vp的值可由驅動電路1的設計而被箝位至5伏特以下。

因此，本揭示內容中用以驅動功率金氧半電晶體MP0的驅動電路1可以確保驅動電壓Vp的值被限制在功率金氧半電晶體MP0的功率閘極G0所能承受的電壓範圍中，而使功率金氧半電晶體MP0能在驅動電路1的驅動下維持正常的運作。

請參照第2圖。第2圖為本揭示內容另一實施例中，一種驅動電路2之電路圖。驅動電路2用以驅動功率金氧半電晶體MN0。類似地，於本實施例中，功率金氧半電晶體MN0為N型高壓金氧半電晶體。

驅動電路2包含：第一驅動支路20以及第二驅動支路22。第一驅動支路20包含：第一開關P型金氧半電晶體MP1、電流源200以及第一箝位P型金氧半電晶體MN1。

第一開關P型金氧半電晶體MP1具有第一開關閘極G11，用以接收開關訊號IN 。第一開關P型金氧半電晶體MP1更具有第一開關源極S11，以連接至第二電位VDD。

第一箝位N型金氧半電晶體MN1具有第一箝位閘極G12，用以接收參考電壓Vm。其中，第一箝位N型金氧半電晶體MN1之第一箝位汲極D12連接於第一開關P型金氧半電晶體MP1之第一開關汲極D11，而第一箝位N型金氧半電晶體MN1之第一箝位源極S12連接於電流源200。

第二驅動支路22包含：第二開關P型金氧半電晶體MP2、第二箝位N型金氧半電晶體MN2以及電流供應N型金氧半電晶體MN3。第二開關P型金氧半電晶體MP2 具有第二開關閘極G21，用以接收反相之開關訊號。

電流供應N型金氧半電晶體MN3具有連接於第一箝位源極S12之電流供應閘極G3以及連接於第一電位VGL之電流供應源極S3。第二箝位N型金氧半電晶體MN2具有第二箝位閘極G22，用以接收參考電壓Vm。其中第二箝位N型金氧半電晶體MN2之第二箝位汲極D22連接於第二開關P型金氧半電晶體MP2之第二開關汲極D22，而第二箝位N型金氧半電晶體MN2之第二箝位源極S22則連接於電流供應P型金氧半電晶體MN3之電流供應汲極D3。其中，第二箝位源極S22輸出驅動電壓Vp至功率金氧半電晶體MN0之功率閘極G0。

於一實施例中，上述之第一電位VGL為負電位，而第二電位VDD為大於第一電位VGL之電位。

因此，當控制訊號IN為低態時，將使第一開關P型金氧半電晶體MP1導通以及使第二開關P型金氧半電晶體MP2關閉。第一開關P型金氧半電晶體MP1的導通將提供大電流，且其提供電流的能力將大於電流源200汲取的電流量。因此，第一箝位N型金氧半電晶體MN1之第一箝位源極S12的電壓，亦即控制第二箝位N型金氧半電晶體MN3的電流供應閘極G3的電壓將隨之被拉升，進一步使第二箝位N型金氧半電晶體MN3導通。

另一方面，第二開關P型金氧半電晶體MP2關閉後，由於第二箝位N型金氧半電晶體MN3導通將對電流供應汲極D3汲取電流，因此電流供應汲極D3的電壓將逐漸下降。由於電流供應汲極D3即為第二箝位N型金氧半電晶 體MN2的第二箝位源極S22，因此電流供應汲極D3的電壓將使第二箝位N型金氧半電晶體MN2導通。而電流供應汲極D3的電壓同時亦為控制功率金氧半電晶體MN0的功率閘極G0的驅動電壓Vp，因此功率金氧半電晶體MN0將在電流供應汲極D3的電壓下降下關閉。

而當控制訊號IN為高態時，將使第一開關P型金氧半電晶體MP1關閉以及使第二開關P型金氧半電晶體MP2導通。第一開關P型金氧半電晶體MP1的關閉將停止供應電流，而使電流源100持續汲取電流，因此將使第一箝位N型金氧半電晶體MN1之第一箝位源極S12的電壓，亦即控制第二箝位N型金氧半電晶體MN3的電流供應閘極G3的電壓將隨之被拉低，進一步使第二箝位N型金氧半電晶體MP3關閉。

另一方面，第二開關P型金氧半電晶體MP2導通後，由於第二箝位N型金氧半電晶體MN3關閉，第二開關P型金氧半電晶體MP2將提供電流至供應汲極D3，因此電流供應汲極D3的電壓將逐漸上升。由於電流供應汲極D3即為第二箝位N型金氧半電晶體MN2的第二箝位源極S22，因此最終電流供應汲極D3的電壓將使第二箝位N型金氧半電晶體MN2無法再導通而關閉。

然而需注意的是，如第二箝位N型金氧半電晶體MN2的閾值電壓為Vth，由於其第二箝位閘極G22所接受的電壓為參考電壓Vm，則電流供應汲極D3的電壓在升至參考電壓Vm及第二箝位P型金氧半電晶體之閾值電壓Vth之差(即Vm-Vth)時，將使第二箝位P型金氧半電晶體MN2 關閉，進一步使第二開關N型金氧半電晶體MP2無法再提供電流至電流供應汲極D3。因此，電流供應汲極D3的電壓最高僅會升至Vm-Vth即無法再上升。

電流供應汲極D3的電壓同時亦為控制功率金氧半電晶體MN0的功率閘極G0的驅動電壓Vp，因此功率金氧半電晶體MN0將在電流供應汲極D3的電壓上升下導通。由於電流供應汲極D3的電壓最高僅會升至Vm-Vth，因此驅動電壓Vp與第一電位VGH之電壓差將小於一個特定電壓值。於本實施例中，此特定電壓值為(Vm-Vth)-VGL。

於一實施例中，參考電壓Vm之值可設定為第一電位VGL與功率閘極G0的最高耐壓值之和。如功率閘極G0的最高耐壓值為5伏特，則參考電壓Vm之值可設定為VGL+5。因此，驅動電壓Vp與第一電位VGH之電壓差所小於的特定電壓值將為(VGL+5-Vth)-VGL=5-Vth。驅動電壓Vp的值可由驅動電路1的設計而被箝位至5伏特以下。

因此，本揭示內容中用以驅動功率金氧半電晶體MN0的驅動電路2可以確保驅動電壓Vp的值被限制在功率金氧半電晶體MN0的功率閘極G0所能承受的電壓範圍中，而使功率金氧半電晶體MN0能在驅動電路2的驅動下維持正常的運作。

雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1、2‧‧‧驅動電路

10、20‧‧‧第一驅動支路

100、200‧‧‧電流源

12、22‧‧‧第二驅動支路

為讓本揭示內容之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖為本揭示內容一實施例中，一種驅動電路之電路圖；以及第2圖為本揭示內容另一實施例中，一種驅動電路之電路圖。

1‧‧‧驅動電路

10‧‧‧第一驅動支路

100‧‧‧電流源

12‧‧‧第二驅動支路

Claims (16)

1. 一種驅動電路，用以驅動一功率金氧半(metal-oxide semiconductor；MOS)電晶體，包含：一第一驅動支路，包含：一第一開關N型金氧半電晶體，具有一第一開關閘極，用以接收一開關訊號；一電流源；以及一第一箝位(clamping)P型金氧半電晶體，具有一第一箝位閘極，用以接收一參考電壓，其中該第一箝位P型金氧半電晶體之一第一箝位汲極連接於該第一開關N型金氧半電晶體之一第一開關汲極，該第一箝位P型金氧半電晶體之一第一箝位源極連接於該電流源；以及一第二驅動支路，包含：一第二開關N型金氧半電晶體，具有一第二開關閘極，用以接收反相之該開關訊號；一電流供應P型金氧半電晶體，具有連接於該第一箝位源極之一電流供應閘極以及連接於一第一電位之一電流供應源極；以及一第二箝位P型金氧半電晶體，具有一第二箝位閘極，用以接收該參考電壓，其中該第二箝位P型金氧半電晶體之一第二箝位汲極連接於該第二開關N型金氧半電晶體之一第二開關汲極，該第二箝位P型金氧半電晶體之一第二箝位源極連接於該電流供應P型金氧半電晶體之一電流供應汲極； 其中該第二箝位源極輸出一驅動電壓至該功率金氧半電晶體之一功率閘極。
2. 如請求項1所述之驅動電路，其中該第一電位為一正電位。
3. 如請求項1所述之驅動電路，其中該功率金氧半電晶體為一高壓金氧半電晶體(high voltage MOS；HVMOS)。
4. 如請求項3所述之驅動電路，其中該驅動電壓與該第一電位之一電壓差小於一特定電壓值。
5. 如請求項4所述之驅動電路，其中該驅動電壓之一最小值為該參考電壓及該第二箝位P型金氧半電晶體之一閾值(threshold)電壓之和。
6. 如請求項5所述之驅動電路，其中該參考電壓為該第一電位與該功率閘極之一最高耐壓值之差。
7. 如請求項1所述之驅動電路，其中當該控制訊號為一第一狀態，係使該第一開關N型金氧半電晶體導通以及使該第二開關N型金氧半電晶體關閉，進一步使該第二箝位P型金氧半電晶體導通以及使該驅動電壓上升以關閉 該功率金氧半電晶體。
8. 如請求項7所述之驅動電路，其中當該控制訊號為一第二狀態，係使該第一開關N型金氧半電晶體關閉以及使該第二開關N型金氧半電晶體導通，進一步使該第二箝位P型金氧半電晶體關閉以及使該驅動電壓下降以導通該功率金氧半電晶體。
9. 一種驅動電路，用以驅動一功率金氧半電晶體，包含：一第一驅動支路，包含：一第一開關P型金氧半電晶體，具有一第一開關閘極，用以接收一開關訊號；一電流源；以及一第一箝位N型金氧半電晶體，具有一第一箝位閘極，用以接收一參考電壓，其中該第一箝位N型金氧半電晶體之一第一箝位汲極連接於該第一開關P型金氧半電晶體之一第一開關汲極，該第一箝位N型金氧半電晶體之一第一箝位源極連接於該電流源；以及一第二驅動支路，包含：一第二開關P型金氧半電晶體，具有一第二開關閘極，用以接收反相之該開關訊號；一電流供應N型金氧半電晶體，具有連接於該第一箝位源極之一電流供應閘極以及連接於一第一電位之一電流供應源極；以及 一第二箝位N型金氧半電晶體，具有一第二箝位閘極，用以接收該參考電壓，其中該第二箝位N型金氧半電晶體之一第二箝位汲極連接於該第二開關P型金氧半電晶體之一第二開關汲極，該第二箝位N型金氧半電晶體之一第二箝位源極連接於該電流供應N型金氧半電晶體之一電流供應汲極；其中該第二箝位源極輸出一驅動電壓至該功率金氧半電晶體之一功率閘極。
10. 如請求項9所述之驅動電路，其中該第一電位為一負電位。
11. 如請求項9所述之驅動電路，其中該功率金氧半電晶體為一高壓金氧半電晶體。
12. 如請求項11所述之驅動電路，其中該驅動電壓與該第一電位之一電壓差小於一特定電壓值。
13. 如請求項12所述之驅動電路，其中該驅動電壓之一最大值為該參考電壓及該第二箝位N型金氧半電晶體之一閾值電壓之差。
14. 如請求項13所述之驅動電路，其中該參考電壓為該第一電位與該功率閘極之一最高耐壓值之和。
15. 如請求項9所述之驅動電路，其中當該控制訊號為一第一狀態，係使該第一開關P型金氧半電晶體導通以及使該第二開關P型金氧半電晶體關閉，進一步使該第二箝位N型金氧半電晶體導通以及使該驅動電壓下降以關閉該功率金氧半電晶體。
16. 如請求項15所述之驅動電路，其中當該控制訊號為一第二狀態，係使該第一開關P型金氧半電晶體關閉以及使該第二開關P型金氧半電晶體導通，進一步使該第二箝位N型金氧半電晶體關閉以及使該驅動電壓上升以導通該功率金氧半電晶體。