TWI486721B - 基板支架、微影裝置、元件製造方法及製造基板支架之方法 - Google Patents

基板支架、微影裝置、元件製造方法及製造基板支架之方法 Download PDF

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Nina Vladimirovna Dziomkina
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Jacobus Josephus Leijssen
Elisabeth Corinne Rodenburg
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Description

基板支架、微影裝置、元件製造方法及製造基板支架之方法
本發明係關於一種基板支架、一種微影裝置、一種元件製造方法，及一種製造基板支架之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充在投影系統之最終器件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然 而，另一流體可為合適的，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)之流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有較短波長，故此情形之要點係實現較小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有相似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為合適的其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴，及/或水溶液。
在習知微影裝置中，待曝光基板可藉由基板支架支撐，基板支架又係藉由基板台支撐。基板支架常常為在大小及形狀上對應於基板之扁平剛性圓盤(但其可具有不同大小或形狀)。基板支架具有自至少一側突出之突出物(被稱作瘤節或小突起)陣列。在一實施例中，基板支架在兩個對置側上具有突出物陣列。在此狀況下，當基板支架置放於基板台上時，基板支架之主體固持於基板台上方達小距離，而基板支架之一個側上之瘤節之末端位於基板台之表面上。相似地，當基板停置於基板支架之對置側上之瘤節頂部上時，基板係與基板支架之主體隔開。此情形之目的係幫助防止可能存在於基板台或基板支架上之粒子(亦即，諸如粉塵粒子之污染粒子)使基板支架或基板失真。 因為瘤節之總表面積僅為基板或基板支架之總面積之小分率，所以高度地可能的是，任何粒子將位於瘤節之間且粒子之存在將無效應。常常，基板支架及基板容納於基板台中之凹座內，使得基板之上部表面與基板台之上部表面實質上共平面。
歸因於在高產出率微影裝置之使用時由基板所經歷之高加速度，不足夠的是允許基板僅僅停置於基板支架之瘤節上。基板被夾持於適當位置。將基板夾持於適當位置之兩種方法為吾人所知-真空夾持及靜電夾持。在真空夾持中，部分地抽空在基板支架與基板之間及視情況在基板台與基板支架之間的空間，使得基板係藉由在其上方之氣體或液體之較高壓力固持於適當位置。然而，在光束路徑及/或在基板或基板支架附近之環境保持於低或極低壓力下(例如，對於極紫外線(EUV)輻射微影)時，可能不使用真空夾持。在此狀況下，也許沒有可能顯現橫越基板(或基板支架)之足夠大壓力差以夾持基板(或基板支架)。因此，可使用靜電夾持。在靜電夾持中，在基板或電鍍於其下部表面上之電極與提供於基板台及/或基板支架上之電極之間建立電位差。兩個電極表現為大電容器，且可用合理電位差來產生實質夾持力。靜電配置可使得單一電極對(一個電極係在基板台上且一個電極係在基板上)將基板台、基板支架及基板之完整堆疊夾持在一起。在一配置中，一或多個電極可提供於基板支架上，使得將基板支架夾持至基板台且將基板分離地夾持至基板支架。
對基板表面之溫度控制係重要的(尤其是在對歸因於液體(例如，水)蒸發效應之溫度變化敏感之浸沒系統中)。液體自基板之蒸發可將熱負荷施加至基板，從而導致溫度變化。溫度變化在基板中導致熱應力，其最終可促成疊對誤差。為了達成溫度控制之改良型準確度，需要與主動式加熱組合的溫度之即時局域量測。此量測及加熱系統整合至該系統中，亦即，在基板支架(亦即，直接地支撐基板之物件)及/或基板台(鏡面區塊或載物台，亦即，支撐基板支架且提供環繞基板支架之上部表面之物件(諸如，台))中。薄膜堆疊可用以製造可進行量測及加熱兩者之結構。此結構提供整合至基板台或其兩者中之機會。
舉例而言，需要提供一種基板台或基板支架，一或多個電子組件(諸如，一或多個薄膜組件)形成於該基板台或基板支架上。
根據本發明之一態樣，提供一種供一微影裝置中使用之基板支架，該基板支架包含：一主體，其具有一表面；複數個瘤節，其自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面；一平坦化層，其提供於該主體表面之至少部分上；及一薄膜堆疊，其提供於該平坦化層上且形成一電組件。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一支撐結構，其經組態以支撐一圖案化元件；一投影系統，其經配置以將藉由該圖案化元件圖案化之一光束投影至一基板上；及一基板支架，其經配置以固持該基板，該基板支架包含：一主體，其具有一表面；複數個瘤節，其自該 表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面；一平坦化層，其提供於該主體表面之至少部分上；及一薄膜堆疊，其提供於該平坦化層上且形成一電組件。
根據本發明之一態樣，提供一種使用一微影裝置之元件製造方法，該方法包含：將藉由一圖案化元件圖案化之一光束投影至一基板上，同時將該基板固持於一基板支架中，其中該基板支架包含：一主體，其具有一表面；複數個瘤節，其自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面；一平坦化層，其提供於該主體表面之至少部分上；及一薄膜堆疊，其提供於該平坦化層上且形成一電組件。
根據本發明之一態樣，提供一種供一微影裝置中使用之基板支架，該基板支架包含：一主體，其具有一表面；複數個瘤節，其自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面；及一平坦化層，其提供於該主體表面之至少部分上，該平坦化層包含一第一子層及一第二子層，該第二子層相比於該第一子層具有一不同組合物。
根據本發明之一態樣，提供一種製造供一微影裝置中使用之一基板支架之方法，該方法包含：提供具有一表面之一主體及自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面之複數個瘤節；及在該主體表面之至少部分上形成一平坦化層，其中形成該平坦化層包含形成一第一子層及在該第一子層上之一第二子層，該第二子層相比於該第一子層具有一不同組合物。
根據本發明之一態樣，提供一種製造供一微影裝置中使 用之一基板支架之方法，該方法包含：提供具有一表面之一主體及自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面之複數個瘤節；及在該主體表面之至少部分上形成一平坦化層，其中形成平坦化層包含形成一第一子層、烘烤該第一子層以固化該第一子層，及在該第一子層上形成一第二子層。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件。
圖1及圖44示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW。如本文所描述之基板支架可用以將基板W固持於基板台WT上；及-投影系統(例如，折射或反射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型 之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化元件。支撐結構MT以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每 一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於術語「照明系統」，本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其他類型之光學組件，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如圖1所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，如圖44所描繪，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為如下類型：其具有可被稱作雙載物台之兩個或兩個以上台(或載物台或支撐件)，例如，兩個或兩個以上基板台，或一或多個基板台及一或多個感測器或量測台之組合。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額 外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有可以相似於基板、感測器及量測台之方式並行地使用之兩個或兩個以上圖案化元件台(或載物台或支撐件)。
參看圖1及圖44，照明器IL自圖1中之輻射源SO接收輻射光束，或自圖44中之源收集器裝置SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體零件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
用以產生EUV輻射之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所要譜線發射元素之材料之小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器裝置SO可為包括雷射(圖44中未繪示)之EUV輻射系統之零件，雷射用以提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用安置於源收集器裝置中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2 雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器裝置可為分離實體。在此等 狀況下，不認為雷射形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器裝置。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器裝置之整體零件。
照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN、聚光器CO、琢面化場鏡面元件及/或光瞳鏡面元件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之零件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體零件，或可為與微影裝置分離之實體。在後一狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在已橫穿圖案化元件MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF、PS2(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測 器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之零件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之零件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件MA上之情形中，圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至 目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖45更詳細地展示EUV裝置4100，其包括源收集器裝置SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器裝置SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器裝置SO之圍封結構4220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿4210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中創製極熱電漿4210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由(例如)造成至少部分離子化電漿之放電創製極熱電漿4210。為了輻射之有效率產 生，可能需要為(例如)10 Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
藉由熱電漿4210發射之輻射係經由定位於源腔室4211中之開口中或後方之選用氣體障壁或污染物截留器4230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室4211傳遞至收集器腔室4212中。污染物截留器4230可包括通道結構。污染物截留器4230可包括氣體障壁，或氣體障壁及通道結構之組合。如在此項技術中所知，本文進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁4230至少包括通道結構。
收集器腔室4212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側4251及下游輻射收集器側4252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器4240被反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構4220中之開口4221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿4210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面元件422及琢面化光瞳鏡面元件424，琢面化場鏡面元件422及琢面化光瞳鏡面元件424經配置以提供在圖案化元件MA處輻射光束421之所要角分佈，以及在圖案化元件MA處輻射強度之所要均一性。在藉由支撐結構MT固持之圖案化元件MA處輻射光束421之反射後，隨即形成經圖案 化光束426，且藉由投影系統PS將經圖案化光束426經由反射器件428、430而成像至藉由基板台WT固持之基板W上。
比所示器件多之器件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器4240。可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖45所示之反射器件多1至6個的額外反射器件。
如圖45所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器4253、4254及4255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器4253、4254及4255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)予以使用。
或者，源收集器裝置SO可為如圖46所示之LPP輻射系統之零件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而創製具有為數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿4210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射係自電漿發射、藉由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構4220中之開口4221上。
在許多微影裝置中，使用液體供應系統IH將流體(尤其是(例如)浸沒微影裝置之液體)提供於投影系統之最終器件之間以實現較小特徵之成像及/或增加該等裝置之有效 NA。下文參考此浸沒裝置進一步描述本發明之一實施例，但可同樣地以非浸沒裝置來體現該實施例。可將用以在投影系統之最終器件與基板之間提供液體之配置分類成至少兩種通用類別。此等類別為浴類型配置及所謂局域化浸沒系統。在浴類型配置中，基板之實質上全部及(視情況)基板台之部分被浸漬於液體浴中。局域化浸沒系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。在後一類別中，藉由液體填充之空間在平面圖上小於基板之頂部表面，且經填充有液體之區域相對於投影系統保持實質上靜止，而基板在該區域下方移動。本發明之一實施例所針對的另一配置為全濕潤解決方案，在全濕潤解決方案中，液體係未受限制的。在此配置中，基板之實質上整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸沒液體中。覆蓋至少該基板之液體之深度小。液體可為在基板上之液體膜(諸如，液體薄膜)。
圖2至圖5中說明四個不同類型之局域化液體供應系統。圖2至圖5之液體供應元件中任一者可用於未受限制系統中；然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以其他方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。
針對局域化浸沒系統所提議之配置中之一者係使用液體限制系統而使液體供應系統將液體僅提供於基板之局域化區域上，及投影系統之最終器件與基板之間(基板相比於投影系統之最終器件通常具有較大表面積)。PCT專利申請 公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(理想地，沿著基板相對於最終器件之移動方向)，且在已傳遞於投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除。亦即，隨著在-X方向上於器件下方掃描基板，在器件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。
圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口被供應且在器件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口被吸取。基板W上方之箭頭說明液體流動方向，且基板W下方之箭頭說明基板台之移動方向。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終器件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。圍繞最終器件而定位之入口及出口之各種定向及數目係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終器件以規則圖案來提供在任一側上的入口及出口之四個集合。液體供應元件及液體回收元件中之箭頭指示液體流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上之兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。可在中心具有孔之板中配置入口及出口，且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一個側上之一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上之複數個離散出口被移除，從而在投影系統PS與基板W之間造成液體薄膜流動。對將使用入口及出口之哪一組合之選擇可取決於基板W之移動方向(入口及出口之另 一組合係非作用中的)。在圖4之橫截面圖中，箭頭說明進入入口及離開出口之液體流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制部件之液體供應系統，液體限制部件沿著在投影系統之最終器件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。圖5中說明此配置。液體限制部件在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。密封件形成於液體限制件與基板之表面之間。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構與基板之表面之間，且可為諸如氣體密封件之無接觸密封件。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。
圖5示意性地描繪具有流體處置結構12之局域化液體供應系統。流體處置結構沿著在投影系統之最終器件與基板台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。(請注意，另外或在替代例中，除非另有明確陳述，否則在以下本文中對基板W之表面之參考亦指代基板台之表面)。流體處置結構12在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於障壁部件與基板之表面之間，且可為諸如流體密封件(理想地，氣體密封件)之無接觸密封件。
流體處置結構12使在投影系統PS之最終器件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。對基板W之無接觸密封件16可圍繞投影系統之影像場而形成，使得將液體限制 於在基板W之表面與投影系統PS之最終器件之間的空間內。空間係藉由定位於投影系統PS之最終器件下方且環繞投影系統PS之最終器件的流體處置結構12至少部分地形成。藉由液體入口13將液體帶入至在投影系統下方且在流體處置結構12內之空間中。可藉由液體出口13來移除液體。流體處置結構12可延伸至略高於投影系統之最終器件。液體液位上升至高於最終器件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，流體處置結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終器件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此狀況。
在一實施例中，可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於流體處置結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，係藉由N2 或另一惰性氣體形成。在壓力下經由入口15而將氣體密封件中之氣體提供至在流體處置結構12與基板W之間的間隙。經由出口14而萃取氣體。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流16。氣體對在流體處置結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續的或不連續的。氣流16對於使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。
圖5之實例為局域化區域配置，其中在任一時間僅將液體提供至基板W之頂部表面之局域化區域。其他配置係可能的，包括使用如(例如)美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示之單相萃取器或二相萃取器之流體處置系統。
可能的另一配置為基於氣體拖曳原理(gas drag principle)而工作之配置。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2008-0212046號、第US 2009-0279060號及第US 2009-0279062號中已描述所謂氣體拖曳原理。在彼系統中，萃取孔係以理想地具有隅角之形狀而配置。隅角可與步進方向或掃描方向對準。對於在步進方向或掃描方向上之給定速率，相比於在流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於掃描方向的情況，隅角可與步進方向或掃描方向對準的情況縮減對在流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面之力。
US 2008-0212046中亦揭示徑向地定位於主液體擷取特徵外部之氣刀。氣刀截留經過主液體擷取特徵之任何液體。此氣刀可存在於所謂氣體拖曳原理配置(如US 2008-0212046中所揭示)中、存在於單相萃取器配置或二相萃取器配置(諸如美國專利申請公開案第US 2009-0262318號中所揭示)中，或存在於任何其他配置中。
許多其他類型之液體供應系統係可能的。本發明不限於任何特定類型之液體供應系統，亦不限於浸沒微影。本發明可同樣地應用於任何微影中。在EUV微影裝置中，實質 上抽空光束路徑，且不使用上文所描述之浸沒配置。
圖1所示之控制系統500控制微影裝置之總操作，且尤其執行下文進一步所描述之最佳化程序。控制系統500可被體現為經合適程式設計之一般用途電腦，其包含中央處理單元、揮發性儲存構件及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出元件(諸如，鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接件，及至微影裝置之各種零件之一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影裝置之間的一對一關係不係必要的。在本發明之一實施例中，一個電腦可控制多個微影裝置。在本發明之一實施例中，多個網路連接式電腦可用以控制一個微影裝置。控制系統500亦可經組態以控制微影製造單元(lithocell)或叢集(微影裝置形成微影製造單元或叢集之零件)中之一或多個關聯程序元件及基板處置元件。控制系統500亦可經組態為從屬於微影製造單元或叢集之監督控制系統及/或工廠(fab)之總控制系統。
圖6描繪根據本發明之一實施例的基板支架100。基板支架100可固持於基板台WT中之凹座內且支撐基板W。在一實施例中，基板支架之主體100a實質上扁平且在形狀及大小上對應於基板W，例如，平板(例如，圓盤)。至少在一頂側上(在一實施例中是在兩個側上)，基板支架具有通常被稱作瘤節之突出物106。在一實施例中，基板支架為基板台之整體零件，且在下部表面上不具有瘤節。圖6中未按比例展示瘤節。在一實務實施例中，可存在直徑為(例如)200毫米、300毫米或450毫米的橫越基板支架而分佈之 數百個瘤節。瘤節之尖端具有小面積(例如，小於1平方毫米)，使得在基板支架100之一個側上之所有瘤節之總面積小於該基板支架之總表面積之總面積的10%。由於支撐件上之瘤節配置，存在可能位於基板、基板支架或基板台之表面上之任何粒子將落於瘤節之間且因此將不引起基板或基板支架之變形的高機率。可形成圖案之瘤節配置可為規則的，或可在必要時變化以提供在基板及基板台上力之適當分佈。瘤節之平面圖可具有任何形狀，但瘤節通常為圓形。瘤節可貫穿其高度具有相同形狀及尺寸，但通常為楔形。瘤節可自基板支架之主體100a之表面之其餘部分突出自約1微米至約5毫米(理想地為自約5微米至約250微米)之距離。基板支架100之主體100a之厚度可在約1毫米至約50毫米之範圍內，理想地在約5毫米至20毫米之範圍內，通常為10毫米。
在本發明之一實施例中，基板支架100係由剛性材料製成。理想地，該材料具有高熱導率或低熱膨脹係數。合適材料包括SiC(碳化矽)、SiSiC(滲矽碳化矽)、Si3 N4 (亞硝酸矽)、石英，及/或各種其他陶瓷及玻璃-陶瓷(諸如，ZerodurTM 玻璃陶瓷)。可藉由自相關材料之固體圓盤選擇性地移除材料以便留下突出瘤節來製造基板支架100。用以移除材料之合適技術包括放電加工(EDM)、蝕刻、加工及/或雷射切除。此等技術中之一些技術留下粗糙表面，例如，具有大約幾微米之粗糙度值Ra。用此等移除技術可達成之最小粗糙度可自材料屬性及瘤節製造程序導出。舉 例而言，在諸如SiSiC之二相材料之狀況下，可達成之最小粗糙度係藉由二相材料之粒度判定。亦可藉由通過光罩而使瘤節生長來製造基板支架。瘤節具有相同於基座之材料的材料，且可藉由物理氣相沈積程序或濺鍍而生長。
此殘餘粗糙度造成在基板之表面上形成一或多個電組件(諸如，一或多個薄膜組件)時之困難及此等組件之不可靠性。因為粗糙度在塗佈或生長於基板支架上以形成電子組件之薄層中造成間隙及裂痕，所以可出現此等問題。薄膜組件可具有在約2奈米至約100微米之範圍內之層厚度，且可藉由包括化學氣相沈積、物理氣相沈積(例如，濺鍍)、浸塗、旋塗及/或噴塗之程序而形成。在一實施例中，形成於基板支架上之組件包含薄膜堆疊，亦即，包括複數個薄膜層。下文進一步描述此等組件。
待形成於基板台上之電子組件可包括(例如)電極、電阻性加熱器及/或感測器，諸如(在非限制性清單中)，應變感測器、磁性感測器、壓力感測器、電容性感測器或溫度感測器。加熱器及感測器(例如，當包括於電系統或電路中時)可用以局域地控制及/或監視基板支架及/或基板之溫度，以便縮減基板支架或基板中之不當或誘發性所要溫度變化及應力。理想地，加熱器及感測器位於彼此相同之區上、周圍及/或上方。需要控制基板之溫度及/或應力，以便縮減或消除成像誤差，諸如，歸因於基板之局域膨脹或減縮之疊對誤差。舉例而言，在浸沒微影裝置中，基板上之殘餘浸沒液體(例如，水)之蒸發可造成局域化冷卻、可 將熱負荷施加至經定位有液體之表面，且因此造成基板之收縮。相反地，在曝光期間藉由投影光束遞送至基板之能量可造成顯著加熱、將熱負荷施加至基板，且因此造成基板之膨脹。
在一實施例中，待形成組件為用於靜電夾持件之電極。在靜電夾持中，在基板或電鍍於其下部表面上之電極與提供於基板台及/或基板支架上之電極之間建立電位差。兩個電極表現為大電容器，且可用合理電位差來產生實質夾持力。靜電配置可使得單一電極對(一個電極係在基板台上且一個電極係在基板上)將基板台、基板支架及基板之完整堆疊夾持在一起。在一配置中，一或多個電極可提供於基板支架上，使得將基板支架夾持至基板台且將基板分離地夾持至基板支架。
在一實施例中，一或多個局域化加熱器101受到控制器103控制以將所要量之熱提供至基板支架100及基板W以控制基板W之溫度。一或多個溫度感測器102連接至控制器104，控制器104監視基板支架100及/或基板W之溫度。電壓源105在基板W與基板支架100之間及在基板支架100與基板台WT之間產生大約10伏特至5,000伏特之電位差，使得靜電力將基板W、基板支架100及基板台WT夾持在一起。在一實施例中，在基板W之下部表面上之電極與基板台WT中之凹座之底部上之電極之間提供電位差。2010年9月20日申請之同在申請中美國專利申請案第US 61/384,666號中描述使用一或多個加熱器及溫度感測器以局域地控制 基板之溫度之配置，該申請案之文件之全文以引用的方式併入本文中。可修改該申請案中所描述之配置以使用如本文所描述之電阻性加熱器及溫度感測器。
如圖6所示，存在用以將基板支架上之電極或電元件連接至電壓源105之電連接件。若電元件為靜電夾持件，則基板上之電極具有至電壓源105之電連接件。電元件可在基板支撐件之頂部表面上。電連接件之至少部分可傳遞通過基板支撐件之本體，如2011年11月3日申請之美國序列號61/555,359中所描述，其全文據此係以引用的方式併入。
圖7為圖6之基板支架100之零件的放大，其以橫截面展示上部表面107及一些瘤節106。在本發明之一實施例中，平坦化層108在瘤節106之間的至少一些區域中提供於上部表面107上。在一實施例中，可僅在電子組件待形成或橫越基板支架100之實質上整個上部表面時提供平坦化層。圖8展示平坦化層108的另外放大。可看出，平坦化層填充上部表面107之粗糙度，且提供相比於表面107實質上較平滑之上部表面108a。在本發明之一實施例中，表面108a之粗糙度Ra小於約1.5微米，理想地小於約1微米，或理想地小於約0.5微米。在一實施例中，藉由在固化之後拋光瘤節之間的平坦化層108來達成小於0.2微米的表面108a之粗糙度Ra。
在一實施例中，藉由施加複數個(例如，兩個)塗層材料或前驅體材料層來形成平坦化層108。在一實施例中，可 藉由施加單一塗層材料或前驅體材料層來形成平坦化層108。取決於平坦化層之材料，可有可能自經形成塗層之檢測判定已藉由形成多個子層而施加平坦化層。在一實施例中，平坦化層108之多個子層係由相同材料形成。在一實施例中，平坦化層108之多個子層係由不同材料形成。下文論述合適材料。
在一實施例中，平坦化層108係由具有附接至每一Si原子之官能基的以氧化矽或氮化矽為基礎之化合物形成。官能基可選自由氫、甲基、氟基、乙烯基及其類似者組成之群組。在一實施例中，平坦化層108係由Si(CH3 )2 Ox 形成。在一實施例中，平坦化層係由SiOx (例如，SiO2 )形成。在一實施例中，平坦化層係由苯并環丁烯(BCB)形成。在一實施例中，平坦化層係由聚醯亞胺塗層材料形成。美國專利第US 7,524,735號中描述施加此材料之方法，該專利之文件之全文以引用的方式併入本文中。在一實施例中，平坦化層係由Si(CH3 )2 N及Si(CH3 )2 O主鏈組成之聚合物鏈形成。
平坦化層可具有在自約0.2微米至約200微米、理想地自約2微米至約30微米或理想地自約10微米至約20微米之範圍內之厚度。平坦化層理想地足夠厚以填充基板支架之表面之粗糙度的大部分或全部。若平坦化層太厚，則其更可能在固化期間破裂。將平坦化層施加於複數個分離塗層中(如下文所描述)可縮減此破裂之機會且縮減最終層之表面粗糙度。
在一實施例中，藉由使基板支架100塗佈有聚矽氮烷溶 液來施加平坦化層108，聚矽氮烷溶液接著固化以形成以矽為基礎之平坦化層。圖16中展示所涉及之反應。在一實施例中，藉由噴射技術來施加聚矽氮烷溶液。或者或另外，可使用諸如沈積及旋塗之其他技術。圖17至圖19描繪在本發明之一實施例中的可用以形成平坦化層之其他反應。圖17描繪單獨地經由含水介質而進行之反應。圖18描繪在存在熱時在含水介質中進行之反應。圖19描繪在存在熱時在含水介質中進行之另一反應。在圖17至圖19中每一者中，R描繪選自由氫、甲基、氟基組成之群組之官能基。在一實施例中，聚合物層包括來自反應物聚矽氮烷之-Si-N-主鏈及來自反應產物之-Si-O-主鏈的混合物。
平坦化層提供足夠平滑以用於可靠地形成金屬或其他層以形成薄膜組件之表面。詳言之，在用以形成基板支架之一些材料之情況下可能需要的玻璃黏結步驟可為不必要的。
圖9及圖10說明在施加平坦化層108之方法之實施例中的步驟。如圖9所示，橫越基板支架100之上部表面107而噴射聚矽氮烷溶液，且固化聚矽氮烷溶液以形成連續層。此層最初覆蓋瘤節106以及瘤節106之間的空間。在第二步驟(圖10中展示其結果)中，自瘤節106頂部移除平坦化材料。可使用諸如加工(研磨或拋光)、用雷射之化學程序(諸如，蝕刻)及/或化學機械拋光(CMP)之已知技術來執行此移除步驟。此方法具有其快速(涉及僅兩個步驟)之優點。
圖11至圖14說明在施加平坦化層108之方法之另外實施例中的步驟。在此方法中，將光阻110施加至基板支架100 之整個上部表面107。接著選擇性地曝光光阻，且取決於光阻為正型抑或負型，移除經曝光光阻或未經曝光光阻，使得光阻110保持僅覆蓋瘤節106，如圖12所示。接著施加平坦化材料108，如圖13所示。最後，移除剩餘光阻以使平坦化材料108僅留在瘤節106之間的空間中。
在兩種以上方法中，可在多個塗佈步驟中施加平坦化層108，以便縮減表面粗糙度。圖15為根據本發明之一實施例的展示基板支架之四個樣本(被編號為1至4)之平坦化層之粗糙度值Ra(以微米為單位)的曲線圖。基板支架具有SiSiC材料，且如圖15中以A所示，基板支架在任何塗佈或其他處理之前具有2.45微米之表面粗糙度Ra。接著使樣本噴塗有聚矽氮烷溶液(自Clariant Advanced Materials GmbH所獲得之CAG 37)且允許樣本乾燥。在樣本1及3之狀況下，所施加之溶液之量足以達成2.4微米之層厚度。在樣本2及4之狀況下，施加較大量以達成4微米之層厚度。在固化之後，樣本1及3之表面粗糙度Ra被量測為1.04微米，且樣本2及4之表面粗糙度Ra被量測為1.05微米，如圖15中以B所示。
在施加第二層之前，藉由將第一層曝光至空氣電漿達大約1分鐘而使第一層具親水性。若將施加僅單一層或若所施加之材料不具疏水性，則可省略此步驟。變化經施加以形成第二層之材料之量。樣本1及2具有經施加以形成2.4微米之塗層之溶液之量，而樣本3及4具有經施加以形成厚度為4微米之塗層之溶液之量。在第二塗層之固化之後， 樣本1至4之粗糙度Ra值分別被量測為0.37微米、0.46微米、0.63微米及0.44微米，如圖15中以C所示。自此等結果，可藉由兩步驟塗佈技術來達成改良型表面粗糙度，且可能需要使第二塗層之厚度不大於第一經施加塗層之厚度。
表1中展示層厚度及經量測粗糙度：
上文所給出之粗糙度值係使用具有半徑為2微米之鑽石尖端之Taylor Hobson探針式輪廓儀(stylus profiler)予以獲得，Taylor Hobson探針式輪廓儀係遍及層進行掃描以量測其輪廓，且Ra係自等高線圖予以估計。可代替地使用其他等效器具及方法。
如圖20所示，本發明之一實施例涉及按以下一般次序在瘤節106之間的基板支架100之(SiSiC)表面上沈積形成薄膜堆疊200之不同層，即，1)平坦化層108、2)隔離層201(在必要時)、3)金屬線202，及4)頂部隔離層203。在本發明之一實施例中，薄層堆疊可形成於由其他材料(如上文所描述)形成之基板支架上或由相似材料形成之基板台上。
一般而言，平坦化層108係如上文所描述，但可使用其他形式之層及形成該層之方法。在一實施例中，平坦化層具有大於10微米之厚度。SiSiC基板台具有在瘤節之間的 粗糙表面(具有大約4微米之高Ra及大約43微米之峰至谷值)。此粗糙度不允許圖案化薄金屬電極線(例如，厚度為20奈米至200奈米)。為了縮減粗糙度，將溶解於合適溶劑中之聚合物噴射於粗糙SiSiC表面上。液體層填滿存在於瘤節之間的經EDM修整之粗糙SiSiC上之谷底。固化液體以使溶劑蒸發且形成平滑聚合物層或平坦化層。可在此經平坦化表面上圖案化金屬電極線。若平坦化層足夠厚且覆蓋所有尖銳SiSiC頂峰，則其亦可在SiSiC與經圖案化金屬電極線之間提供電隔離。可一齊噴射平坦化層，或藉由重複噴射薄層、固化及噴射下一層等等之循環直至達成所要層厚度為止而將平坦化層建置於堆疊中。平坦化層可單獨地由BCB(溶解於1,3,5-三甲基苯中之40%雙-苯并環丁烯)之經噴射層組成，或由該經噴射層結合NN 120(二丁基醚中之20%全氫聚矽氮烷)之經噴射層組成。在一實施例中，SiSiC表面具有所施加之約10微米BCB層，其提供約0.8微米之平均Ra及約4.1微米之平均峰至谷值。在一實施例中，SiSiC表面具有所施加之約20微米BCB層，其提供約1.5微米之平均Ra及約8.5微米之平均峰至谷值。
平坦化層適於促進金屬電極圖案化，但可能不覆蓋所有SiSiC頂峰。PE CVD(電漿增強型化學氣相沈積)SiOx 薄層(隔離層)可沈積於平坦化層頂部上以在必要時在SiSiC頂峰與金屬電極線之間提供電隔離。若藉由隔離層提供之電隔離不足夠，則可將平坦化層包夾於兩個隔離層之間，且堆疊遵循如下序列：第一隔離層(PE CVD SiOx )，接著為平 坦化層及第二隔離層(PE CVD SiOx )。隔離層201理想地具有大於0.1微米之厚度。理想地，其具有小於10微米之厚度。在一實施例中，隔離層具有5微米之厚度。
在隔離層頂部上，藉由光微影或金屬沈積及經由硬式光罩之蝕刻來沈積金屬導電路徑(例如，線202)。金屬線202理想地具有大於20微米之寬度。金屬線之最大寬度係藉由其功能及可用空間判定；其可為數十毫米。可使用形成金屬線之其他方法。在加熱器及/或感測器之狀況下，寬金屬線(例如，約1500微米)可用作加熱器件，且窄金屬線(例如，約100微米)可用作感測器器件。對於靜電夾持件，可沈積彼此分離達大約500微米的連續金屬膜之兩個半部(但與瘤節頂部隔離)以形成靜電夾持件之正電性元素及負電性元素。金屬線202理想地具有大於約20奈米(理想地大於約40奈米)之層厚度。金屬線202理想地具有小於或等於約1微米(理想地小於約500奈米，理想地小於約200奈米)之層厚度。
對於加熱器及/或感測器開發，經圖案化金屬線可由(例如)鈦(Ti)及鉑(Pt)(Ti-Pt)之多個金屬層組成。在一實施例中，該線具有累積厚度為10奈米之一或多個鈦層以用於存在於一或多個薄膜層中之大約250奈米厚鉑之改良型黏接。每一金屬線可具有變化寬度。可使用一或多個光阻沈積步驟、用於金屬膜沈積之PVD及起離程序之組合來達成金屬(例如，Ti/Pt)之圖案化。單獨地對於加熱器，可藉由鉻(Cr)膜沈積(PVD)來沈積寬Cr線(~1500微米)。可藉由使 用硬式光罩而自瘤節頂部進行選擇性Cr蝕刻來形成加熱器之圖案。靜電夾持件之金屬電極可由鋁或鉻或任何其他導電材料組成。可藉由PVD或濺鍍來形成金屬電極。可使用以任何合適組合之此等金屬之合金。
需要使經沈積金屬線自上方電隔離，且保護其免於粒子沈積、刮擦及氧化。因此，如上文所提及，頂部或最外部(其中經形成有金屬線之層不朝上)隔離層可形成(例如，沈積)於經圖案化電極上。對於加熱器或感測器，可藉由如先前所描述之BCB及/或NN 120之噴射塗層或SiOx 或經噴射層及SiOx 之組合來沈積隔離層。在靜電夾持件之狀況下，頂部隔離層亦提供介電強度，使得在層堆疊與基板之間的夾持壓力及間隙可調諧至所要值。在一實施例中，用於靜電夾持件之頂部隔離層單獨地由BCB、NN 120之經噴塗聚合物層(或此兩種經噴射材料之組合)或SiOx 組成，或由經噴射聚合物層及SiOx 之組合組成，或單獨地由聚對二甲苯基(CVD)組成。頂部隔離層203理想地具有大於約0.1微米(理想地大於約1微米)之層厚度。對於加熱器或感測器，頂部隔離層203理想地具有小於約10微米(理想地小於約3微米)之層厚度。對於靜電夾持件，頂部隔離層理想地具有小於約100微米(理想地小於約20微米)之層厚度。在一實施例中，厚度係在自約10微米至約60微米之範圍內。
表2展示用於薄膜堆疊之每一組成層之合適材料的實例。每一層可由所列出材料中之一者或所列出材料中之兩者或兩者以上之組合形成。
表3展示針對應用的每層之特定功能及要求之實例。
對於加熱器及/或感測器開發，薄膜技術提供疊對改良 及成本有效解決方案。可容易地修改金屬圖案設計(藉由修改光罩設計)。在靜電夾持件中，層堆疊可避免用於當前基板夾持製造程序中之臨界玻璃黏結步驟。因為夾持件可建置於瘤節之間，所以有可能具有SiSiC瘤節。此情形對於耐磨損係有益的。若使用鉑(Pt)金屬層，則可首先施加鈦黏附層以改良Pt層之黏接。對於靜電夾持件，可使用具有低電阻之任何合適金屬。
在一實施例中，將平坦化層及薄膜堆疊沈積於扁平基座上。藉由經由光罩或光阻而蝕刻平坦化層及薄膜堆疊而留下或創製用於瘤節之孔。接著使瘤節在孔中生長。
圖21為圖20之基板支架100的平面圖。可看到瘤節106及經圖案化金屬(例如，Cr)線。圖22為展示加熱器線202a及感測器線202b的放大圖。
可藉由噴塗、旋塗及PE CVD技術來沈積介電層。噴塗特別適於沈積以聚合物為基礎之層(溶解於有機溶劑中)，諸如，BCB及/或NN 120層。此聚合物層可用以藉由填滿谷底來平坦化瘤節之間的SiSiC表面。但，若沈積太厚層，則第一經噴射層可遭受諸如針孔(由於局域雜質)及裂痕(最可能由於該等層中所誘發之應力)之表面缺陷。有可能藉由組合不同沈積程序來縮減此等表面瑕疵之效應。在本發明之一實施例中，可使用噴墨或噴泡印刷技術來施加層。此情形允許層厚度之局域控制，其可有用於校正待形成有薄膜元件之表面(例如，基板支架)之表面等高線或表面粗糙度的局域變化。此等技術中之一或多者使能夠使用 導電墨水來圖案化導電層。不同材料及/或層形成技術之組合可為理想的，此係因為一個層中之缺陷可藉由另一層消除。
圖23中展示本發明之一實施例，其為基板支架100之零件之橫截面。在基板支架100之粗糙表面頂部上，藉由以下層來形成平坦化層108。形成第一層600，例如，藉由如上文所描述之噴塗方法。在噴塗程序之後，可將第二層601沈積為PE CVD SiOx 層。第二層覆蓋存在於第一層中之可能針孔及粒子。在PE CVD SiOx 層之後，噴射第三BCB層602以填充SiOx 中之可能針孔。藉由具有兩個不同特性程序，縮減或最小化針孔及粒子之效應。噴塗將填充間隙，且CVD程序覆蓋粒子。可重複薄層之此堆疊(噴射及PE CVD)以增加對針孔及粒子之強度及穩固性。在本發明之一實施例中，藉由(例如)PE CVD來沈積第一層600，且藉由噴塗或旋塗來形成第二層601。在本發明之一實施例中，可按所要次序使用三個或三個以上不同層類型，例如，不同組合物或不同施加方法。形成電組件之薄膜堆疊(圖中未繪示)提供於平坦化層108頂部上。
圖24中展示本發明之一實施例，其為基板支架100之零件之橫截面。此實施例具有用改良對針孔及粒子之穩固性之中間固化步驟而由兩個經噴塗BCB層603、604形成的平坦化層108。此堆疊將由第一經噴塗層603組成，第一經噴塗層603用以填充基板之粗糙度及表面瑕疵(相似於先前實施例)。固化瘤節之間的層以獲得所要介電屬性。當噴射 及固化第二BCB層604時，填充第一層中之可能針孔。有可能重複此程序以縮減針孔之機會。形成電組件之薄膜堆疊(圖中未繪示)提供於平坦化層108頂部上。
對於程序特性化，執行用Si基板上之40微米BCB層(其係用中間烘烤步驟而自兩個20微米厚BCB層予以建置)之電壓崩潰測試。對於此堆疊式40微米BCB層，量測展示超過7 KV之高電壓崩潰強度。
圖25中展示本發明之一實施例，其為基板支架100之零件之橫截面。此實施例具有可藉由上文所描述之方法中任一者形成之平坦化層108。薄膜堆疊200形成於平坦化層108上方，薄膜堆疊200在平坦化層108上方按次序包含第一隔離層201、第一金屬層(例如，金屬線)202、第二隔離層203、第二金屬層(例如，金屬線)204及第三隔離層205。此等層中每一者可藉由如上文所描述之合適方法形成。亦可提供另外金屬層及另外隔離層。在此實施例中，使用兩個或兩個以上堆疊式金屬層會允許形成兩個或兩個以上堆疊式組件(例如，感測器)。堆疊式感測器可提供與雜訊之增加隔離。在一實施例中，一或多個金屬層可充當其他層中之一或多個信號線之屏蔽。
圖26中展示本發明之一實施例，其為基板支架100之零件之橫截面。此實施例具有可藉由上文所描述之方法中任一者形成之平坦化層108。薄膜堆疊200包含第一隔離層201及第二隔離層203。電子組件206、207係在第一隔離層201與第二隔離層203之間，例如，包夾於第一隔離層201 與第二隔離層203之間。多個組件可形成於基板上之單一層中。在一實施例中，組件206、207中每一者係藉由複數個層形成，例如，藉由參考用於每一層之材料：金屬、非晶矽、金屬。在一實施例中，組件206、207中之一或多者形成電晶體或其他邏輯元件。此等邏輯元件可用以控制橫越基板支架之表面而安置之加熱器陣列，而不需要至每一加熱器之個別連接件。電晶體可配置於字線及位元線之相交點處且各自連接至關聯加熱器以形成主動式矩陣。
圖27A至圖27E示意性地說明根據本發明之一實施例的感測器。以溫度感測器300之最簡單形式，溫度感測器300包含安置於基板支架上之導電迴路。圖27A中展示此形式，其中導電迴路302被展示為連接至連接器301。導電迴路302可由具有正溫度電阻率係數之材料(例如，鉑)或具有負溫度電阻率係數之材料形成。隨著基板支架之溫度變化，導體302之電阻亦變化。可(例如)使用惠斯登(Wheatstone)電橋來量測此電阻，且藉此可判定在感測器302之地域中基板支架之溫度。
在圖27A所示之配置中，導電迴路302涵蓋藉由陰影指示之顯著區域。因此，導電迴路302將拾取將在量測信號中產生雜訊且可混淆溫度量測之干擾。在一實務實施例中，基板支架之環境很可能歸因於用以定位基板台之大功率電磁馬達之存在而電磁地有雜訊。電磁場可具有<10 kHz之頻率，其難以屏蔽。需要偵測極小溫度改變(例如，約50 μK)，此情形涉及偵測小信號。因此，用以限制雜訊拾取 及/或濾出雜訊拾取之一或多種措施係理想的。
在圖27B所描繪之實施例中，導體係以雙U形而配置，其中外部導體303及內部導體304分離達小距離。理想地，在外部導體303與內部導體304之間的距離不大於或等於500微米，理想地小於或等於200微米，或理想地小於或等於100微米。內部導體304及外部導體303兩者位於實質上同一平面中，且在一個末端處連接以形成連續導電路徑。相比於圖27A之實施例，圖27B之導體圍封較小區域(在圖27B中藉由陰影指示)，且因此拾取較小電磁雜訊。
「雙絞線(twist)」或跨接叉線306可提供至圖27B之感測器，如圖27C所示。在跨接叉線306處，感測器300之向外導體及返回導體越過彼此，但不進行電接觸。因此，感測器劃分成兩個片段305、307，片段305、307實際上係在相反指向上捲繞。因此，給定改變場在兩個片段中誘發相反電流。若藉由兩個片段圍封之區域p、q(在該圖中藉由陰影指示)中之場經歷相同改變，則將消除誘發性雜訊。若干擾場顯著地非均一，則可提供多個跨接叉線306以改良雜訊消除。理想地，跨接叉線之數目為奇數，使得存在偶數個片段，一半係在每一指向上捲繞。理想地，藉由一個指向之導電片段圍封之總區域實質上等於藉由另一方向之導電片段圍封之區域。理想地，鄰近導電片段圍封實質上相等區域。
可使用包含安置於基板支架上之兩個實質上平行層中之導體的感測器來達成雜訊縮減。圖27D及圖27E中展示實 例。在圖27D之實施例中，感測器300包含第一導體308，第一導體308引向遠離連接器301且安置於實質上平行於基板支架之表面之第一層中。此第一導體連接至垂直導體或導通孔309，垂直導體或導通孔309連接至第二導體310，第二導體310形成U形且安置於實質上平行於基板支架之平面之第二層中。第二U形導體310之第一直立部經安置成實質上平行於及重疊於第一導體308。第二垂直導體或導通孔311將U形導體310之另一末端連接至第三導體312，第三導體312與第一導體308安置於實質上同一層中。第三導體312完成返回至連接器301之導電路徑。圖27D之配置在消除來自實質上垂直於基板支架之平面之場的干擾方面係有效的。理想地，在第二U形導體310內之區域q(在圖27D中藉由陰影指示)實質上等於在第一導體308與第三導體312之間的區域p(在圖27D中藉由陰影指示)。
圖27E中描繪有效的另外配置，其中干擾場實質上平行於基板支架之平面。在此實施例中，感測器300包含安置於基板支架上之垂直隔開層中之兩個實質上重疊U形導體313、315。每一導體之一個末端連接至連接器301，其他末端係藉由垂直導體或導通孔314而接合。由區域p中之場改變造成之雜訊電流將藉由區域q中之場改變造成之雜訊電流至少部分地消除。
圖28A至圖28D中展示在垂直於基板支架之平面的平面中上文所描述之感測器之橫截面。橫截面之位置係藉由線A-A指示。圖28A展示通過圖27A之感測器之導體302之一 個臂的橫截面。將看出，導體302安置於基板支架主體100上方之平坦化層108上且經覆蓋有隔離層203。圖28B為通過圖27B之感測器之導體303、304的橫截面，其展示此等導體並排地安置於基板支架上之單一層中。通過圖27C之感測器之一個臂的橫截面係相似的。
圖28C中展示通過圖27D之兩層感測器結構的橫截面。圖28D中展示通過兩個臂的圖27E之兩層感測器結構的橫截面。自其可看出，兩個層之導體安置於重疊配置中、囊封於隔離層203中且係藉由隔離層203分離。
圖28E至圖28H展示包括屏蔽層316以提供與電磁誘發性雜訊電流之另外隔離的感測器。屏蔽件316可應用於上文所描述之感測器形式中任一者，如圖28E至圖28H所說明。屏蔽件316以法拉第籠(Faraday cage)之方式起作用以縮減或消除其內之電磁場。該效應等效於同軸電纜中之屏蔽之效應。理想地，屏蔽件316完全地環繞感測器300之實質上全部。在一實施例中，屏蔽件316係(例如)經由連接器301而連接至地面。在一實施例中，屏蔽件316用作電加熱器以藉由使電流傳遞通過基板支架而局域地控制基板支架之溫度。
圖29中展示可用於本發明之一實施例中的另外感測器。此感測器包含兩個感測器片段317、318，該兩個感測器片段中每一者包含單一導體，該單一導體自連接器301出發、遵循包括多個轉彎或Z字形路線之迴旋路徑，且接著經由實質上平行但稍微偏移之路徑而返回至連接器301。 該兩個導體在基板支架上之單一層中靠攏但不交叉。將看出，導體317圍封具有多個轉彎及反轉之複雜捲繞形狀之區域317a(在圖29中藉由右斜影線指示)。第二導體318相似地圍封主要地位於第一導體317之轉彎內的採用相似複雜或迴旋形式之區域318a(在圖29中藉由左斜影線指示)。
在連接器301內，導體317、318中每一者之一個末端連接至各別接觸焊墊319、321。另外導體320圍繞接觸焊墊319而循環以將導體319、318之其他末端連接在一起。額外迴路導體322用以實現在接觸焊墊321與導體318之間的連接。迴路導體320及322之配置係使得縮減或最小化連接器內之誘發性雜訊，且幫助確保導體317、318在相反指向上連接。此意謂給定場改變將在導體317及318中誘發相反電流。因為區域317a、318a實質上相等、靠攏且纏結，所以將極幾乎確切地消除導體317、318中所誘發之雜訊電流。
圖30描繪可用於本發明之一實施例中的感測器系統。藉由迴旋導電軌道形成之感測器300a形成於基板支架上。感測器300a係藉由扁平可撓性互連件323而連接至感測器電路。感測器300a具有兩個電極330、329，該兩個電極具有迴旋形式且交錯，如圖31所示。電極329中之一者連接至經配置以量測其電阻之惠斯登電橋325。輸出信號係藉由放大器326放大且供應至加法器328之正輸入。另一電極330連接至可變放大器324，可變放大器324輸出振幅匹配於放大器326之輸出之振幅的信號。放大器324之輸出連接 至加法器328之負輸入。實際上，電極330僅拾取雜訊信號，雜訊信號接著自電極229所產生之信號被減去以留下僅指示溫度改變之信號。
對於感測器300a之每一端子，可撓性連接器323被說明為具有直導體之扁平電纜。然而，多個軌道、屏蔽及/或雙絞線可應用於可撓性連接器323以縮減或最小化電磁雜訊之拾取。取決於應用，可撓性連接器323之長度可介於50毫米與1500毫米之間。在一實施例中，藉由將導電軌道印刷於可撓性基板上而形成可撓性連接器323。
圖32說明用於本發明之一實施例中的量測電路400。DC或AC電壓源401橫越由感測器電阻器300及參考電阻器402、403、405形成之惠斯登電橋而施加電壓。橫越電橋中間之信號係藉由放大器406放大(例如，以約100之增益)，且藉由類比轉數位轉換器407數位化。ADC 407之輸出供應至與裝置500之總控制系統通信之介面408。
圖33中說明本發明之一實施例的更詳細配置。在基板100之一個表面上，在瘤節106之間提供電阻性加熱器件250。加熱器件250劃分成個別地可控制以便局域地控制基板支架及被固持於基板支架上之基板之溫度的片段。加熱器件250具有曲折路徑，圖33中僅展示曲折路徑之部分。包含如上文所描述之兩個交錯導電迴路之溫度感測器300安置於加熱器件250之轉彎內。
可微調感測器結構300以縮減或最小化電磁雜訊之拾取。圖34中說明此情形，圖34展示意欲在磁場之梯度位於 藉由箭頭△H指示之方向上之情形中使用的感測器300b。在感測器300b中，調整導體329、330之最內部轉彎329a及330a之位置以幫助確保藉由每一導體圍封之區域之區域中心位於所要位置中，例如，位於線B-B'上。
圖35中展示可用於本發明之一實施例中的量測電路。橫越具有相同標稱電阻之一個感測器導體329及參考電阻器332之串聯組合經由開關409而施加DC參考電壓源401，開關409藉由控制器410交替地施加具有交替極性之參考電壓。橫越用以調整電路之另一感測器導體330及可調整電阻器331之並聯組合而施加參考電壓之一半。運算或器具放大器406之高阻抗輸入406a、406b連接至各別導體329、330之一個末端。運算放大器406之輸出接著提供至已知形式之同步偵測器，其縮減或消除雜訊。同步偵測器可以硬體或軟體予以實施。亦可提供類比轉數位轉換器以產生用於控制器500之數位信號。
圖36更詳細地展示圖35之電路之實施，其使用可撓性連接器323以將遠端電路連接至提供於基板支架上之感測器導體329、330。除了可撓性連接器323之引入以外，圖36之電路拓撲地等效於圖35之電路。藉由電阻器411、412形成之分壓器提供Vref/2。
圖37中展示測試結構之輸出信號，其中X軸表示時間(以任意單位)，且Y軸表示信號輸出(以任意單位)。可容易地看到所存在之相對高雜訊位準。在曲線圖之中間部分中，施加小電壓改變以模擬感測器之1毫克耳文溫度改變之效 應。相比於使用恆定DC電壓且不使用同步偵測之上部(細)線，此改變更易於可在表示來自使用交流電壓及同步偵測之配置之結果的下部(粗)線中偵測。可添加類比低通濾波器以進一步縮減雜訊位準。
圖38A及圖38B說明可用於本發明之一實施例中的兩種形式之可撓性連接器。在圖38A所示之可撓性連接器323中，每一導電路徑被形成為安置於可撓性基板323c上之導電材料323a、323b之單一連續區域。在圖38B中，每一導電路徑劃分成數個分離條帶323d，該等分離條帶交錯且在末端處連接在一起。圖39A及圖39B分別說明用於拾取圖38A及圖38B所示之導體之電磁輻射的有效區域。將看出，圖38B之多軌道交錯連接器呈現有效較小區域，且因此拾取較少電磁雜訊。
圖40及圖41說明在可用於本發明之一實施例中之兩個不同感測器配置中所誘發之雜訊電流的頻譜。在圖40中，兩個感測器結構同相地連接(如在圖43中)，而在圖41中，兩個感測器結構反相地連接(如在圖42中)。將看出，圖40中之雜訊頻譜在基本頻率及其諧波下具有自局域電力供應所導出之峰值，以及在出於使用線圈之實驗目的而故意地施加之特定頻率下的峰值。在圖41中，可看出，局域電力供應誘發性雜訊電流及故意誘發性雜訊兩者被有效地抑制。
在本發明之一實施例中，感測器電路可經配置以增加或最大抑制電磁干擾或最佳化增益。圖42及圖43中分別展示合適電路。在兩個此等圖中，電壓源401提供交流電壓以 補償塞貝克效應(Seebeck effect)、1/f雜訊及漂移。在圖42及圖43之兩個電路中，放大器、類比轉數位轉換器及其他介面電路連接至所示之斷開端子。
在圖42中，藉由相等電阻器453、454形成之分壓器及運算放大器452提供處於電壓源401之輸出之一半的參考電壓。可變電阻器455用以調整藉由感測器導體330提供之雜訊信號之位準，其藉此提供雜訊參考信號。第一感測器導體329及參考電阻器451橫越電壓源401串聯地連接。藉此，在第一感測器329及參考電阻器451之接面處之電壓與浮動參考電壓之間所採取的輸出信號提供雜訊縮減信號。電磁雜訊在兩個輸出端子處誘發相同改變，且因此得以消除。
在圖43中，在具有參考電阻器456、457之惠斯登電橋配置中，第一感測器導體329及第二感測器導體330經定位成彼此對角地對置。橫越電橋中間而提供之輸出信號藉此具有雙重增益，但相似地，雜訊誘發性電壓加倍。
在上文所描述之實施例中，以實質上直角隅角來佈置感測器導體。在一實施例中，可使用銳角隅角及鈍角隅角。可以彎曲配置來佈置導體。在上文所描述之實施例中，在類比域中組合來自兩個感測器之信號以縮減或最小化電磁干擾。有可能分離地數位化來自兩個感測器電極之信號，且以軟體來移除電磁干擾。
應瞭解，上文所描述之特徵中任一者可與任何其他特徵一起使用，且其不僅僅為本申請案中所涵蓋的明確地描述 之彼等組合。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米、126奈米、13.5奈米或6.5奈米之波長)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，至少在如本文所描述之裝置之操作方法的形式上，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，至少 在裝置之操作方法的形式上，本發明之實施例可採取如下形式：一或多個電腦程式，其含有描述操作如上文所揭示之裝置之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文所描述之任何控制器可各自或組合地為可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於操作上文所描述之裝置之方法的機器可讀指令之電腦程式之一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此等媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
本發明可應用於直徑為300毫米、450毫米或任何其他大小之基板。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸沒微影裝置，尤其(但不獨佔式地)是上文所提及之彼等類型，且不管浸沒液體係以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，抑或在基板及/或基板台上未受限制。在未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表 面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒液體或其可能提供浸沒液體限制之比例，但未提供浸沒液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋本文所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至在投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間之一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率或任何其他特徵之一或多個器件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11‧‧‧空間
12‧‧‧流體處置結構
13‧‧‧液體入口/液體出口
14‧‧‧出口
15‧‧‧氣體入口
16‧‧‧無接觸密封件/氣體密封件/氣流
100‧‧‧基板支架
100a‧‧‧基板支架之主體
101‧‧‧局域化加熱器
102‧‧‧溫度感測器
103‧‧‧控制器
104‧‧‧控制器
105‧‧‧電壓源
106‧‧‧突出物/瘤節
107‧‧‧上部表面
108‧‧‧平坦化層/平坦化材料
108a‧‧‧上部表面
110‧‧‧光阻
200‧‧‧薄膜堆疊
201‧‧‧第一隔離層
202‧‧‧金屬線/第一金屬層
202a‧‧‧加熱器線
202b‧‧‧感測器線
203‧‧‧頂部隔離層/第二隔離層
204‧‧‧第二金屬層
205‧‧‧第三隔離層
206‧‧‧電子組件
207‧‧‧電子組件
250‧‧‧電阻性加熱器件
300‧‧‧溫度感測器/感測器電阻器
300a‧‧‧感測器
300b‧‧‧感測器
301‧‧‧連接器
302‧‧‧導電迴路/導體
303‧‧‧外部導體
304‧‧‧內部導體
305‧‧‧片段
306‧‧‧「雙絞線」/跨接叉線
307‧‧‧片段
308‧‧‧第一導體
309‧‧‧垂直導體/導通孔
310‧‧‧第二U形導體
311‧‧‧第二垂直導體/導通孔
312‧‧‧第三導體
313‧‧‧U形導體
314‧‧‧垂直導體/導通孔
315‧‧‧U形導體
316‧‧‧屏蔽層/屏蔽件
317‧‧‧感測器片段/第一導體
317a‧‧‧區域
318‧‧‧感測器片段/第二導體
318a‧‧‧區域
319‧‧‧接觸焊墊
320‧‧‧迴路導體
321‧‧‧接觸焊墊
322‧‧‧迴路導體
323‧‧‧可撓性互連件/可撓性連接器
323a‧‧‧導電材料
323b‧‧‧導電材料
323c‧‧‧可撓性基板
323d‧‧‧分離條帶
324‧‧‧可變放大器
325‧‧‧惠斯登電橋
326‧‧‧放大器
328‧‧‧加法器
329‧‧‧電極/第一感測器導體
329a‧‧‧最內部轉彎
330‧‧‧電極/第二感測器導體
330a‧‧‧最內部轉彎
331‧‧‧可調整電阻器
332‧‧‧參考電阻器
400‧‧‧量測電路
401‧‧‧DC或AC電壓源/DC參考電壓源
402‧‧‧參考電阻器
403‧‧‧參考電阻器
405‧‧‧參考電阻器
406‧‧‧運算放大器/器具放大器
406a‧‧‧高阻抗輸入
406b‧‧‧高阻抗輸入
407‧‧‧類比轉數位轉換器
408‧‧‧介面
409‧‧‧開關
410‧‧‧控制器
411‧‧‧電阻器
412‧‧‧電阻器
421‧‧‧輻射光束
422‧‧‧琢面化場鏡面元件
424‧‧‧琢面化光瞳鏡面元件
426‧‧‧經圖案化光束
428‧‧‧反射器件
430‧‧‧反射器件
451‧‧‧參考電阻器
452‧‧‧運算放大器
453‧‧‧電阻器
454‧‧‧電阻器
455‧‧‧可變電阻器
456‧‧‧參考電阻器
457‧‧‧參考電阻器
500‧‧‧控制系統/控制器
4100‧‧‧EUV裝置
4210‧‧‧EUV輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
4211‧‧‧源腔室
4212‧‧‧收集器腔室
4220‧‧‧圍封結構
4221‧‧‧開口
4230‧‧‧氣體障壁/污染物截留器/污染物障壁
4240‧‧‧光柵光譜濾光器
4251‧‧‧上游輻射收集器側
4252‧‧‧下游輻射收集器側
4253‧‧‧掠入射反射器
4254‧‧‧掠入射反射器
4255‧‧‧掠入射反射器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器/輻射收集器/近正入射收集器光學件
IF‧‧‧位置感測器(圖1)/虛擬源點(圖45)/中間焦點(圖45)
IH‧‧‧液體供應系統
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
p‧‧‧區域
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
q‧‧‧區域
SO‧‧‧輻射源/源收集器裝置
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2及圖3描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；圖4描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖5以橫截面描繪可在本發明之一實施例中用作浸沒液體供應系統之障壁部件； 圖6以橫截面描繪根據本發明之一實施例的基板台及基板支架；圖7為圖6之基板支架之零件的放大圖；圖8為圖6及圖7之基板支架之零件的另外放大圖；圖9及圖10描繪根據本發明之一實施例的製造基板支架之方法中之步驟；圖11至圖14描繪根據本發明之一實施例的製造基板支架之方法中之步驟；圖15為描繪本發明之一實施例之一些實例之表面粗糙度的曲線圖；圖16至圖19描繪在本發明之一實施例中的在平坦化層之形成中之化學反應；圖20以橫截面描繪根據本發明之一實施例的基板支架；圖21以平面圖描繪圖20之基板支架；圖22為圖20之基板支架之零件的放大平面圖；圖23以橫截面描繪根據本發明之一實施例的基板支架；圖24以橫截面描繪根據本發明之一實施例的基板支架；圖25以橫截面描繪根據本發明之一實施例的基板支架；圖26以橫截面描繪根據本發明之一實施例的基板支架；圖27A至圖27E描繪可用於本發明之一實施例中的感測器之配置；圖28A至圖28H以橫截面描繪可用於本發明之一實施例中的感測器之配置；圖29以平面圖描繪可用於本發明之一實施例中的感測 器；圖30描繪可用於本發明之一實施例中的感測電路；圖31為圖30之電路之感測器及連接器的放大圖；圖32描繪可用於本發明之一實施例中的量測電路；圖33描繪可用於本發明之一實施例中的感測器及加熱器之配置；圖34以平面圖描繪可用於本發明之一實施例中的感測器；圖35描繪可用於本發明之一實施例中的量測電路；圖36描繪可用於本發明之一實施例中的量測電路；圖37描繪在本發明之一實施例中所獲得的模擬信號；圖38(包括圖38A至圖38B)描繪可用於本發明之一實施例中的連接器；圖39(包括圖39A至圖39B)描繪圖38之連接器之有效區域差異；圖40及圖41分別描繪同相及異相連接之感測器中之雜訊；圖42描繪可用於本發明之一實施例中的量測電路；圖43描繪可用於本發明之一實施例中的量測電路；圖44描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖45為圖44之裝置的更詳細視圖；及圖46為圖44及圖45之裝置之源收集器的更詳細視圖。
100‧‧‧基板支架
106‧‧‧突出物/瘤節
108‧‧‧平坦化層/平坦化材料
200‧‧‧薄膜堆疊
201‧‧‧第一隔離層
202‧‧‧金屬線/第一金屬層
203‧‧‧頂部隔離層/第二隔離層

Claims (23)

  1. 一種供一微影裝置中使用之基板支架，該基板支架包含：一主體，其具有一表面；複數個瘤節(burls)，其自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面；一平坦化層，其提供於該主體之該表面介於該等瘤節之間的至少部分上；及一薄膜堆疊，其提供於該平坦化層上且形成一電子組件，其中該平坦化層包括一第一子層及在該第一子層上之一第二子層，該第二子層相比於該第一子層具有一不同組合物(composition)。
  2. 如請求項1之基板支架，其中該薄膜堆疊包括一導電層，及/或其中該導電層係由一金屬形成，諸如，選自由以下各者組成之群組之一金屬：Cr；Al；Pt；及其合金。
  3. 如請求項2之基板支架，其中該薄膜堆疊包括提供於最遠離該平坦化層的該導電層之表面上的一隔離層，及/或該薄膜堆疊包括在該導電層與該平坦化層之間的一隔離層。
  4. 如請求項3之基板支架，其中該隔離層或一隔離層係由選自由以下各者組成之群組之一材料或一材料組合形成：苯并環丁烯；全氫聚矽氮烷；SiOx ；聚對二甲苯 基；及聚醯亞胺。
  5. 如請求項3之基板支架，其中該隔離層或一隔離層具有在自約0.1微米至約100微米之範圍內之一厚度，或在自約0.1微米至約10微米之範圍內之一厚度，理想地在自約1微米至約3微米之範圍內之一厚度，或在自約20微米至約100微米之範圍內之一厚度，理想地在自約40微米至約60微米之範圍內之一厚度。
  6. 如請求項1至5中任一項之基板支架，其中該薄膜堆疊形成複數個電子組件。
  7. 如請求項6之基板支架，其中該複數個電子組件中之一第一電子組件及一第二電子組件配置於該薄膜堆疊之一單一層中或配置於該薄膜堆疊之兩個分離層中。
  8. 如請求項1至5中任一項之基板支架，其中該電子組件為選自由以下各者組成之群組之一組件：一電極；一加熱器；一感測器；一電晶體；及一邏輯元件。
  9. 如請求項8之基板支架，其中該電極在使用時為一靜電夾持件之一電極，或其中該感測器包含經配置以縮減或最小化電磁干擾之拾取之一導體。
  10. 如請求項9之基板支架，其中該導體包含藉由實質上平行且分隔一距離之兩個分支(branches)所形成之一導電迴路，該兩個分支位於相同平面上且一端相互連接(connected at one end)以形成一連續導電路徑，且該兩個分支所載電流朝相反方向流動，其中該距離小於或等於約500微米、小於或等於約200微米或小於或等於約 100微米，及/或其中該導體包括一跨接叉線(crossover)。
  11. 如請求項9之基板支架，其中該導體包含一跨接叉線，該跨接叉線將該感測器劃分成兩個片段，該兩個片段實際上係在相反指向上捲繞(wound in opposite senses)，使得在一電磁部分中之一給定改變(a given change in an electromagnetic part)在兩個片段中誘發相反電流。
  12. 如請求項9之基板支架，其中該感測器包含複數個導體，該複數個導體設置在該基板支架上的兩個實質上平行且在空間上相間隔(space-apart)的層，該複數個導體之一第一導體具有一第一末端與一第二末端，該複數個導體之一第二導體具有一第一末端與一第二末端，以及該複數個導體之一第三導體具有一第一末端與一第二末端，該第一導體與該第三導體設置於該兩個層之一第一層中，且該第二導體設置於該兩個層之一第二層中，且該第一導體及第三導體與該第二導體重疊，且該第一導體之該第二末端與該第二導體之該第一末端經由一第一垂直導體相互連接，且該第二導體之該第二末端與該第三導體之該第二末端經由一第二垂直導體相互連接，以形成一連續導電路徑。
  13. 如請求項9之基板支架，其中該感測器包含兩個導體，該兩個導體設置在該基板支架上的兩個平行且在空間上垂直地相間隔(vertically space-apart)的層，該兩個 導體之一第一導體具有一第一末端與一第二末端，該兩個導體之一第二導體具有一第一末端與一第二末端，該第一導體設置於該兩個層之一第一層中，且該第二導體設置於該兩個層之一第二層中，且該第一導體與該第二導體重疊，且該第一導體之該第二末端與該第二導體之該第二末端經由一垂直導體相互連接，以形成一連續導電路徑。
  14. 如請求項9之基板支架，其中該感測器包含提供於該基板支架上之兩個實質上平行層中之導體，該等導體係遍及至少兩個實質上重疊區域而在相反指向上捲繞，及/或其中該感測器包括異相地連接之兩個電極。
  15. 如請求項14之基板支架，其中該兩個電極安置於該基板支架上之迴旋且交錯之路徑中。
  16. 一種微影裝置，其包含：一支撐結構，其經組態以支撐一圖案化元件；一投影系統，其經配置以將藉由該圖案化元件圖案化之一光束投影至一基板上；及一基板支架，其經配置以固持該基板，該基板支架係如請求項1至15中任一項所述者。
  17. 如請求項16之微影裝置，其進一步包含一基板台，且其中該基板支架整合至該基板台中。
  18. 一種使用一微影裝置之元件製造方法，該方法包含：將藉由一圖案化元件圖案化之一光束投影至一基板上，同時將該基板固持於一基板支架中， 其中該基板支架包含：一主體，其具有一表面；複數個瘤節，其自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面；一平坦化層，其提供於該主體之該表面之至少部分上；及一薄膜堆疊，其提供於該平坦化層上且形成一電子組件。
  19. 一種供一微影裝置中使用之基板支架，該基板支架包含：一主體，其具有一表面；複數個瘤節，其自該主體之該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面；及一平坦化層，其提供於該主體之該表面之至少部分上，該平坦化層包含一第一子層及一第二子層，該第二子層相比於該第一子層具有一不同組合物。
  20. 一種製造供一微影裝置中使用之一基板支架之方法，該方法包含：提供具有一表面之一主體及自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面之複數個瘤節；及在該主體之該表面之至少部分上形成一平坦化層，其中形成該平坦化層包含形成一第一子層及在該第一子層上之一第二子層，該第二子層相比於該第一子層具有一不同組合物。
  21. 如請求項20之方法，其中形成該平坦化層進一步包含在該第二子層上形成一第三子層。
  22. 如請求項20或21之方法，其中形成該第一子層或形成該第二子層或形成該第一子層及該第二子層包含噴射一聚 合物或聚合物-前驅體之一溶液，及/或其中形成該第一子層或形成該第二子層或形成該第一子層及該第二子層包含一化學氣相沈積(CVD)程序，理想地為一電漿增強型化學氣相沈積(PE CVD)程序。
  23. 一種製造供一微影裝置中使用之一基板支架之方法，該方法包含：提供具有一表面之一主體及自該表面突出且具有用以支撐一基板之末端表面之複數個瘤節；及在該主體之該表面之至少部分上形成一平坦化層，其中形成平坦化層包含形成一第一子層、烘烤該第一子層以固化該第一子層，及在該第一子層上形成一第二子層。
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