TWI485984B - And a system and method for driving a transistor having a high threshold voltage - Google Patents

And a system and method for driving a transistor having a high threshold voltage Download PDF

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Description

用於驅動具有高閾值電壓的電晶體的系統和方法
本發明涉及積體電路。更具體而言，本發明提供了用於驅動電晶體的系統及方法。僅做為示例，本發明已應用於驅動具有高閾值電壓的電晶體。但是將理解到，本發明具有更廣泛的應用範圍。
在高電壓應用中，功率場效應電晶體(FET)通常應具有高的汲極-源極擊穿電壓(例如，100V)。這樣的功率FET通常具有3-4V的閾值電壓。使用具有低輸出電壓(例如，5V)的閘極驅動器來驅動功率FET常常導致功率FET的高導通電阻或者不完全導通。因此，常常需要具有大於5V的較高輸出電壓(例如，輸出電壓為8-10V)的閘極驅動器。
第1圖是表示用於驅動電晶體104之系統100的簡化傳統示意圖。閘極驅動系統100包括閘極驅動器102及電晶體104。閘極驅動器102包括電源122以及四個反相器124、126、128及130。反相器124包括彼此相連的電晶體106及114，並且反相器126包括彼此相連的電晶體108及116。另外，反相器128包括彼此相連的電晶體110及118，並且反相器130包括彼此相連的電晶體112及120。這四個反相器124、126、128及130以串列方式相連。例如，電晶體106、108、110及112是P通道FET，並且電晶體114、116、118及120是N通道FET。在另一示例中，電晶體104是功率FET。電源122向串列連接的反相器124、126、128及130的每一個提供低位準偏置電壓132(例如，GND)及高位準偏置電壓134(例如，VDD )。
輸入信號136(例如，GATE_IN)由串列連接的反相器124、126、128及130接收，並且做為響應，閘極驅動器102產生用於驅動電晶體104的輸出信號138。具體而言，在操作中，反相器124接收輸入信號136(例如，GATE_IN)，並且產生第一反相信號140。反相器126接收該第一反相信號140，並且產生由反相器128接收的第二反相信號142。反相器128隨後產生由反相器130接收的第三反相信號144。反相器130最後產生用於驅動電晶體104的輸出信號138。例如，如果輸入信號136為邏輯高位準，則電晶體106截止並且電晶體114導通。於是第一反相信號140被產生為約等於低位準偏置電壓132(例如，GND)。反相器126接收第一反相信號140，並且電晶體108導通而電晶體116截止。第二反相信號142被產生為約等於高位準偏置電壓134(例如，VDD )。進而，第三反相信號144約等於低位準偏置電壓132(例如，GND)，並且輸出信號138約等於高位準偏置電壓134(例如，VDD )。於是，如果電晶體104是N通道FET，則輸出信號138使電晶體104導通。在另一示例中，當輸入信號136為邏輯低位準時，則如果電晶體104是N通道FET，則輸出信號138使電晶體104截止。
通常，閘極驅動器102中的電晶體(例如，電晶體106等)是製造成本常常較高的高電壓元件。此外，這些電晶體通常每單位面積具有低的驅動能力並且具有高的導通電阻。因此，為了驅動相同負載，閘極驅動器102中的電晶體常常要使用較低電壓元件大得多的面積。
為了提高每單位面積的驅動能力，自舉結構(bootstrap structure)及低電壓元件常被用在閘極驅動器中。第2圖是表示具有用於驅動電晶體204之自舉結構的閘極驅動系統200的簡化傳統示意圖。該閘極驅動系統200包括閘極驅動器202及電晶體204。閘極驅動器202包括低壓側驅動器206、高壓側驅動器208及電源210。閘極驅動器202還包括自舉端子248(例如，BS)。低壓側驅動器206包括反相器212、214、216及218以及電晶體220。高壓側驅動器208包括反相器222、224、226及228、位準移位器230、電晶體232、升壓電容器234以及二極體236。反相器212、214、216及218以串列方式相連接，並且反相器222、224、226及228以串列方式相連接。例如，電晶體220及232是橫向擴散MOSFET(LDMOS)，例如橫向擴散N通道MOSFET。在另一示例中，電晶體204是功率FET。
電源210向低壓側驅動器206中的每一個反相器提供高位準偏置電壓238(例如，VDD )及低位準偏置電壓246(例如，GND)。輸入信號240(例如，GATE_IN)被提供給低壓側驅動器206及高壓側驅動器208二者，並且閘極驅動器202做為響應產生用於驅動電晶體204的輸出信號242。具體而言，在操作中，在低壓側驅動器206中，反相器212接收輸入信號240(例如，GATE_IN)，並且產生第一反相信號260。反相器214接收第一反相信號260，並且產生由反相器216接收的第二反相信號262。反相器216然後產生由反相器218接收的第三反相信號264。反相器218產生用於驅動電晶體220的信號244。如果信號244使電晶體220導通同時電晶體232截止，則輸出信號242(例如，GATE_OUT)變得約等於低位準偏置電壓246(例如，GND)。例如，高位準偏置電壓238(例如，VDD )為5 V。
另一方面，輸入信號240也由位準移位器230接收，並且做為響應，位準移位器230產生信號256。串列連接的反相器222、224、226及228接收信號256，並且產生用於驅動電晶體232的信號258。高位準偏置電壓252(例如，Vcc )被提供給電晶體232。如果信號258使電晶體232導通，同時電晶體220截止，則輸出信號242(例如，GATE_OUT)變得約等於高位準偏置電壓252(例如，Vcc )。例如，偏置電壓252(例如，Vcc )為10 V。
操作升壓電容器234以將自舉端子248(例如，BS)的電壓增加為在大小上比輸出信號242(例如，GATE_OUT)大了一預定電壓，並且為高壓側驅動器208提供電壓250以進行操作。操作二極體236以對從電源210流到二極體236的電流254進行整流，來防止當自舉端子248(例如，BS)的電壓變得大於由電源210提供的偏置電壓238(例如，VDD )時，電流從高壓側驅動器208流向電源210。
傳統的閘極驅動器202通常使用包括升壓電容器234及自舉端子248(例如，BS)的自舉結構來為高壓側驅動器208提供合適的工作電壓。然而，升壓電容器234常常具有幾十或幾百nF的電容，因此可能不易被包括在積體電路(IC)晶片中。此外，如果端子(例如，接腳)在IC晶片上受到限制，則自舉端子248是不合適的。另外，閘極驅動器202通常需要二極體236來對電流254整流。如果二極體236是通常具有良好整流性能的肖特基二極體，則製造成本可能增加。
因此，開發出用於驅動具有高閾值電壓之電晶體的技術變得非常重要。
本發明涉及積體電路。更具體而言，本發明提供了用於驅動電晶體的系統及方法。僅僅做為示例，本發明已應用於驅動具有高閾值電壓的電晶體。但是將認識到，本發明具有更廣泛的應用範圍。
根據一個實施例，一種用於驅動電晶體的系統包括浮動電壓產生器、第一驅動電路以及第二驅動電路。浮動電壓產生器被配置以接收第一偏置電壓並產生浮動電壓，浮動電壓產生器還被配置以當第一偏置電壓改變時改變浮動電壓，並且維持浮動電壓的大小比第一偏置電壓低了第一預定值。第一驅動電路被配置以接收輸入信號、第一偏置電壓及浮動電壓。第二驅動電路被配置以接收輸入信號、第二偏置電壓及第三偏置電壓，第一驅動電路及第二驅動電路被配置以產生用以驅動電晶體的輸出信號。另外，第一驅動電路包括第一驅動電晶體，該第一驅動電晶體被配置以接收第一偏置電壓及第一閘極信號，該第一閘極信號至少與輸入信號、第一偏置電壓及浮動電壓相關聯。第二驅動電路包括第二驅動電晶體，第二驅動電晶體被配置以接收第三偏置電壓及第二閘極信號，該第二閘極信號至少與輸入信號、第二偏置電壓及第三偏置電壓相關聯。第一驅動電晶體及第二驅動電晶體還被配置以產生輸出信號。此外，如果第一閘極信號使第一驅動電晶體導通，則第二閘極信號使第二驅動電晶體截止。如果第一閘極信號使第一驅動電晶體截止，則第二閘極信號使第二驅動電晶體導通。
根據另一實施例，一種用於驅動電晶體的方法包括：接收第一偏置電壓，處理與第一偏置電壓相關聯的資訊，並且至少根據與第一偏置電壓相關聯的資訊產生浮動電壓。該方法還包括：接收輸入信號、第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及浮動電壓；處理與輸入信號、第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及浮動電壓相關聯的資訊；並且至少根據與輸入信號、第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及浮動電壓相關聯的資訊產生用以驅動電晶體的輸出信號。另外，用於至少根據與第一偏置電壓相關聯的資訊產生浮動電壓的處理包括：當第一偏置電壓改變時改變浮動電壓；並且維持浮動電壓的大小比第一偏置電壓低了第一預定值。
根據另一實施例，一種用於驅動電晶體的系統包括第一驅動電路以及第二驅動電路。第一驅動電路被配置以接收輸入信號、第一偏置電壓及第二偏置電壓，該第一驅動電路包括電流鏡電路、開關及電流槽。第二驅動電路被配置以接收輸入信號及第二偏置電壓，第一驅動電路及第二驅動電路被配置以產生用以驅動電晶體的輸出信號。另外，開關被配置以接收輸入信號。電流槽被配置以產生第一電流。電流鏡電路透過開關被耦合到電流槽，並被配置以根據第一電流產生第二電流。此外，輸出信號至少是根據與第二電流相關聯的資訊產生的。
根據另一實施例，一種用於驅動電晶體的方法包括：接收輸入信號、第一偏置電壓及第二偏置電壓；處理與輸入信號、第一偏置電壓及第二偏置電壓相關聯的資訊；並且至少根據與輸入信號、第一偏置電壓及第二偏置電壓相關聯的資訊產生第一電流。該方法還包括：處理與第一電流相關聯的資訊；至少根據與第一電流相關聯的資訊產生第二電流；並且處理與第二電流相關聯的資訊。另外，該方法包括：至少根據與第二電流相關聯的資訊產生用以驅動電晶體的輸出信號。此外，第二電流的大小與第一電流成比例。
相較於傳統技術，透過本發明可以獲得許多益處。本發明的某些實施例使用吸收電流的低壓降穩壓器(LDO)來提供用於驅動電晶體的適當工作電壓，而不使用傳統的高電壓元件閘極驅動結構或自舉結構。本發明的一些實施例在不使用升壓電容器或自舉端子的情況下提供用於驅動電晶體的適當工作電壓。本發明的某些實施例使用低電壓元件來構建閘極驅動結構，並且提供用於驅動電晶體的高成本效益解決方案。
取決於實施例，可以獲得一個或多個益處。參考以下的詳細描述及所附圖式可以全面地理解本發明的這些益處以及各個另外的目的、特徵及優點。
本發明涉及積體電路。更具體而言，本發明提供了用於驅動電晶體的系統及方法。僅做為示例，本發明已應用於驅動具有高閾值電壓的電晶體。但是將理解到，本發明具有更廣泛的應用範圍。
第3圖是表示根據本發明實施例用於驅動電晶體之系統300的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，其不應當不當地限制申請專利範圍的範圍。本領域技術人員將認識到許多變體、替換及修改。
閘極驅動系統300包括閘極驅動器302以及電晶體304。閘極驅動器302包括低壓側驅動器306、高壓側驅動器308以及二個電源310及312。低壓側驅動器306包括反相器314、316、318及320以及電晶體322。高壓側驅動器308包括反相器324、326、328及330、位準移位器332、電晶體334以及浮動接地元件336。例如，反相器314、316、318及320以串列方式相連。在另一示例中，反相器324、326、328及330以串列方式相連。在另一示例中，電晶體304是功率FET。在另一示例中，電晶體322是N通道FET。在另一示例中，電晶體334是P通道FET。
根據一個實施例，電源312向低壓側驅動器306提供高位準偏置電壓340(例如，VDD )和低位準偏置電壓342(例如，GND)。例如，電源310向高壓側驅動器308提供高位準偏置電壓338(例如，VCC )。在另一示例中，高位準偏置電壓340(例如，VDD )為5 V。在另一示例中，高位準偏置電壓338(例如，VCC )為10 V。
根據另一實施例，輸入信號344(例如，GATE_IN)被提供給低壓側驅動器306和高壓側驅動器308二者。例如，做為響應，閘極驅動器302產生用於驅動電晶體304的輸出信號346(例如，GATE_OUT)。在另一示例中，在操作時，在低壓側驅動器306中，反相器314接收輸入信號344(例如，GATE IN)，並且產生第一反相信號356。在另一示例中，反相器316接收第一反相信號356，並且產生由反相器318接收的第二反相信號358。在另一示例中，反相器318然後產生由反相器320接收的第三反相信號360。在另一示例中，反相器320產生用以驅動電晶體322的信號348。在另一示例中，如果高壓側驅動器308中的電晶體334截止，則信號348使電晶體322導通。在另一示例中，輸出信號346(例如，GATE_OUT)變得約等於低位準偏置電壓342(例如，GND)。
根據另一實施例，位準移位器332接收輸入信號344(例如，GATE_IN)，並且做為響應產生信號352。例如，串列連接的反相器324、326、328及330接收該信號352，並且產生用以驅動電晶體334的信號354。在另一示例中，如果信號348使電晶體322截止，則信號354使電晶體334導通。在另一示例中，輸出信號346(例如，GATE_OUT)變得約等於高位準偏置電壓338(例如，VCC )。
根據另一實施例，浮動接地元件336接收高位準偏置電壓338(例如，VCC )，並且做為響應產生浮動接地信號350(例如，HS_GND)。例如，浮動接地元件336自動地追蹤高位準偏置電壓338(例如，VCC )以產生浮動接地信號350(例如，HS_GND)。在另一示例中，如果高位準偏置電壓338(例如，VCC )的大小連續地改變，則浮動接地元件336自動地連續改變浮動接地信號350(例如，HS_GND)的大小，以跟隨高位準偏置電壓338(例如，VCC )。在另一示例中，使浮動接地信號350(例如，HS_GND)的大小維持比高位準偏置電壓338(例如，VCC )低了一預定電壓V0 。在另一示例中，浮動接地信號350(例如，HS_GND)做為偏置電壓被提供給串列連接的反相器324、326、328及330以及位準移位器332。在另一示例中，高壓側驅動器308的工作電壓不大於高位準偏置電壓338(例如，VCC )與浮動接地信號350(例如，HS_GND)之差，例如不大於預定電壓V0 。在另一示例中，預定電壓V0 為5V。
第4圖是表示根據本發明實施例用於產生浮動接地信號之浮動接地元件400的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，其不應當不當地限制申請專利範圍的範圍。本領域技術人員將認識到許多變體、替換及修改。浮動接地元件400包括參考電壓產生器402、電流槽404、二個電阻器406和408以及電容器410。例如，浮動接地元件400與做為閘極驅動系統300一部分的浮動接地元件336相同。
根據一個實施例，電阻器408和電容器410並聯地彼此相耦合。例如，電阻器408和電容器410被耦合到電流槽404和參考電壓產生器402。在另一示例中，電阻器406被耦合到參考電壓產生器402和電流槽404。在另一示例中，電流槽404是源極隨耦器。在另一示例中，電流槽404是射極隨耦器。
根據另一實施例，高位準偏置電壓412(例如，VCC )被提供給參考電壓產生器402、電阻器408及電容器410。例如，參考電壓產生器402做為響應產生參考電壓信號414(例如，VZ )。在另一示例中，如果高位準偏置電壓412(例如，VCC )改變，則參考電壓產生器402改變參考電壓信號414(例如，VZ )。在另一示例中，電阻器406及電流槽404接收參考電壓信號414(例如，VZ )。在另一示例中，電流槽404及電阻器406還接收低位準偏置電壓418(例如，GND)。在另一示例中，由浮動接地元件400產生浮動接地信號416(例如，HS_GND)。在另一示例中，可以透過適當地調節參考電壓信號414(例如，VZ )及電流槽404的電壓，來將高位準偏置電壓412(例如，VCC )與浮動接地信號416(例如，HS_GND)之差保持為不大於預定電壓V1 。在另一示例中，浮動接地信號416(例如，HS_GND)低於高位準偏置電壓412(例如，VCC )。在另一示例中，浮動接地信號416(例如，HS_GND)與浮動接地信號350相同。在另一示例中，一起操作電流槽404(例如，源極隨耦器或射極隨耦器)與電阻器408以吸收電流並且將浮動接地信號416(例如，HS_GND)的大小約保持在所想要的位準。在另一示例中，高位準偏置電壓412(例如，VCC )為10 V。在另一示例中，預定電壓V1 為5 V。在另一示例中，使參考電壓信號414(例如，VZ )的大小維持比高位準偏置電壓412(例如，VCC )低了一預定值Vr 。在另一示例中，預定值Vr 不同於預定電壓V1 。
第5圖是表示根據本發明一個實施例用於產生浮動接地信號之浮動接地元件500的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，其不應當不當地限制申請專利範圍的範圍。本領域技術人員將認識到許多變體、替換及修改。
浮動接地元件500包括參考電壓產生器502、電流槽504、二個電阻器506和508以及電晶體510。參考電壓產生器502包括電阻器520、二極體522以及電晶體524。電流槽504包括二個電晶體526及528。例如，浮動接地元件500與做為閘極驅動系統300一部分的浮動接地元件336相同。在另一示例中，浮動接地元件500與浮動接地元件400相同。在另一示例中，二極體522是齊納二極體。在另一示例中，電晶體524是N-P-N雙極結型電晶體(BJT)。在另一示例中，電晶體526及528是達靈頓連接式P-N-P BJT。在另一示例中，電晶體510是P通道FET。
根據一個實施例，電晶體510的源極和汲極被耦合在一起。例如，電阻器508和電晶體510彼此相耦合。在另一示例中，電阻器508和電晶體510被耦合到電流槽504和參考電壓產生器502。在另一示例中，電阻器506被耦合到參考電壓產生器502和電流槽504。
根據另一實施例，高位準偏置電壓512(例如，VCC )被提供給參考電壓產生器502、電阻器508及電晶體510。例如，參考電壓產生器502做為響應產生參考電壓信號514(例如，VZ )。在另一示例中，電阻器506及電流槽504接收參考電壓信號514(例如，VZ )。在另一示例中，電流槽504及電阻器506還接收低位準偏置電壓518(例如，GND)。在另一示例中，由浮動接地元件500產生浮動接地信號516(例如，HS_GND)。在另一示例中，可以透過適當地調節參考電壓信號514(例如，VZ )及電流槽504的電壓，來將高位準偏置電壓512(例如，VCC )與浮動接地信號516(例如，HS_GND)之差保持為不大於預定電壓V2 。在另一示例中，浮動接地信號516(例如，HS_GND)低於高位準偏置電壓512(例如，VCC )。在另一示例中，浮動接地信號516(例如，HS_GND)與浮動接地信號350或浮動接地信號416相同。在另一示例中，高位準偏置電壓512(例如，VCC )為10 V。在另一示例中，預定電壓V2 為5 V。
根據另一實施例，操作電阻器520以調節高位準偏置電壓512(例如，VCC )與浮動接地信號516(例如，HS_GND)之差。例如，一起操作電晶體526和528及電阻器508以吸收電流並且將浮動接地信號516(例如，HS_GND)的大小約保持在所想要的位準。在另一示例中，電晶體510做為電容器操作以阻止高位準偏置電壓512(例如，VCC )與浮動接地信號516(例如，HS_GND)之差大幅地改變。在另一示例中，操作電晶體524以減少電晶體526的基極-射極電壓對浮動接地信號516(例如，HS_GND)的影響。在另一示例中，操作電阻器506以為二極體522及電晶體526提供直流路徑。
根據另一實施例，高位準偏置電壓512(例如，VCC )與浮動接地信號516(例如，HS_GND)之差可以根據以下等式來確定：
V CC -V HS_GND =I b ×R 1 +V bk_zener +V BE 1 -V BE 2 -V BE 3 　(等式1)
其中，VCC 表示高位準偏置電壓512，並且VHS_GND 表示浮動接地信號516。另外，Ib 表示二極體522的反向擊穿電流，Vbk_zener 表示二極體522的反向擊穿電壓，並且R1 表示電阻器520的電阻。此外，VBE1 表示電晶體524的基極-射極電壓，VBE2 表示電晶體526的基極-射極電壓，並且VBE3 表示電晶體528的基極-射極電壓。
例如，根據等式1，電阻器520的電阻(例如，R1 )可以根據二極體522的某些元件特性(例如，二極體522的反向擊穿電壓與反向擊穿電流的特定關係)而被適當地設置以保持高位準偏置電壓512與浮動接地信號516之差不大於預定電壓V2 。在另一示例中，二極體522的反向擊穿電壓(例如，Vbk_zener )等於6 V，電晶體524的基極-射極電壓(例如，VBE1 )及電晶體526的基極-射極電壓(例如，VBE2 )都等於它們各自的二極體的正向電壓，例如0.65 V，並且電晶體528的基極-射極電壓(例如，VBE3 )等於其本身的二極體的另一正向電壓，例如0.8 V。根據某些實施例，於是，可以根據等式1確定高位準偏置電壓512與浮動接地信號516之差等於5.2 V。在另一示例中，電阻器520的電阻(例如，R1 )可被適當地調節以減小因隨機製造誤差引起的浮動接地信號516的偏差。
根據另一實施例，電晶體526及528是達林頓連接式P-N-PBJT，並且接收電壓信號514(例如，VZ )。例如，一起操作電晶體526及528與電阻器508以形成做為電流槽的射極隨耦器。
第6圖是表示根據本發明另一實施例用於產生浮動接地信號之浮動接地元件600的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，其不應當不當地限制申請專利範圍的範圍。本領域技術人員將認識到許多變體、替換及修改。
浮動接地元件600包括參考電壓產生器602、電流槽604、二個電阻器606和608以及電晶體610。參考電壓產生器602包括電阻器620、二極體622及電晶體624。電流槽604包括電晶體626。例如，浮動接地元件600與做為閘極驅動系統300一部分的浮動接地元件336相同。在另一示例中，浮動接地元件600與浮動接地元件400相同。在另一示例中，二極體622是齊納二極體。在另一示例中，電晶體624是N-P-N雙極結型電晶體(BJT)。在另一示例中，電晶體626是P通道FET。在另一示例中，電晶體610是P通道FET。
根據一個實施例，電晶體610的源極和汲極被耦合在一起。例如，電阻器608和電晶體610彼此相耦合。在另一示例中，電阻器608和電晶體610被耦合到電流槽604和參考電壓產生器602。在另一示例中，電阻器606被耦合到參考電壓產生器602和電流槽604。
根據另一實施例，高位準偏置電壓612(例如，VCC )被提供給參考電壓產生器602、電阻器608及電晶體610。例如，參考電壓產生器602做為響應產生參考電壓信號614(例如，VZ )。在另一示例中，電阻器606及電流槽604接收參考電壓信號614(例如，VZ )。在另一示例中，電流槽604及電阻器606還接收低位準偏置電壓618(例如，GND)。在另一示例中，由浮動接地元件600產生浮動接地信號616(例如，HS_GND)。在另一示例中，可以透過適當調節參考電壓信號614(例如，VZ )及電流槽604的電壓，來將高位準偏置電壓612(例如，VCC )與浮動接地信號616(例如，HS_GND)之差保持為不大於預定電壓V3 。在另一示例中，浮動接地信號616(例如，HS_GND)低於高位準偏置電壓612(例如，VCC )。在另一示例中，浮動接地信號616(例如，HS_GND)與浮動接地信號350或浮動接地信號416相同。在另一示例中，高位準偏置電壓612(例如，VCC )為10 V。在另一示例中，預定電壓V3 為5 V。
根據另一實施例，操作電阻器620與電晶體624以調節高位準偏置電壓612(例如，VCC )與浮動接地信號616(例如，HS_GND)之差。例如，一起操作電晶體626與電阻器608以吸收電流並且將浮動接地信號616(例如，HS_GND)的大小約保持在所想要的位準。在另一示例中，電晶體610做為電容器操作以阻止高位準偏置電壓612(例如，VCC )與浮動接地信號616(例如，HS_GND)之差大幅地改變。在另一示例中，電晶體626接收電壓信號614(例如，VZ )，並且與電阻器608一起操作以形成做為電流槽的源極隨耦器。
第7圖是表示根據本發明另一實施例用於產生浮動接地信號之浮動接地元件700的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，其不應當不當地限制申請專利範圍的範圍。本領域技術人員將認識到許多變體、替換及修改。
浮動接地元件700包括參考電壓產生器702、電流槽704、二個電阻器706和708以及電容器710。參考電壓產生器702包括電阻器720。電流槽704包括電晶體726。例如，浮動接地元件700與做為閘極驅動系統300一部分的浮動接地元件336相同。在另一示例中，浮動接地元件700與浮動接地元件400相同。在另一示例中，電晶體726是P通道FET。
根據一個實施例，電阻器708和電容器710並聯地彼此相耦合。在另一示例中，電阻器708和電容器710被耦合到電流槽704和參考電壓產生器702。在另一示例中，電阻器706被耦合到參考電壓產生器702和電流槽704。
根據另一實施例，高位準偏置電壓712(例如，VCC )被提供給參考電壓產生器702、電阻器708及電容器710。例如，參考電壓產生器702做為響應產生參考電壓信號714(例如，VREF )。在另一示例中，如果高位準偏置電壓712(例如，VCC )的大小恆定，則參考電壓信號714(例如，VREF )根據電阻器720與706的分壓而產生。在另一示例中，電阻器706及電流槽704接收參考電壓信號714(例如，VREF )。在另一示例中，電流槽704及電阻器706還接收低位準偏置電壓718(例如，GND)。在另一示例中，由浮動接地元件700產生浮動接地信號716(例如，HS_GND)。在另一示例中，可以透過適當地調節參考電壓信號714(例如，VREF )及電流槽704的電壓，來將高位準偏置電壓712(例如，VCC )與浮動接地信號716(例如，HS_GND)之差保持為不大於預定電壓V4 。在另一示例中，浮動接地信號716(例如，HS_GND)低於高位準偏置電壓712(例如，VCC )。在另一示例中，浮動接地信號716(例如，HS_GND)與浮動接地信號350或浮動接地信號416相同。在另一示例中，高位準偏置電壓712(例如，VCC )為10 V。在另一示例中，預定電壓V4 為5 V。在另一示例中，可調節電阻器720及706的電阻以輸出具有合適大小的浮動接地信號716。在另一示例中，電晶體726接收電壓信號714，並且與電阻器708一起操作來形成做為電流槽的源極隨耦器。
第8圖是表示根據本發明另一實施例的用於驅動電晶體的系統800的簡化示意圖。該示意圖僅是示例，其不應當不當地限制申請專利範圍的範圍。本領域技術人員將認識到許多變體、替換及修改。
閘極驅動系統800包括閘極驅動器802以及電晶體804。閘極驅動器802包括低壓側驅動器806及高壓側驅動器808。低壓側驅動器806包括低壓側驅動元件816及電晶體820。高壓側驅動器808包括二個電晶體812和814、電阻器818、二極體822、開關810及電流槽826。例如，二極體822是齊納二極體。在另一示例中，電晶體812及814是P通道FET，並被包括在電流鏡電路中。在另一示例中，開關810是N通道FET。在另一示例中，電晶體820是N通道FET。在另一示例中，低位準偏置電壓828(例如，GND)被提供給低壓側驅動器806。在另一示例中，高位準偏置電壓830(例如，VCC )被提供給高壓側驅動器808。在另一示例中，偏置電壓830(例如，VCC )為10 V。
根據一個實施例，輸入信號824(例如，GATE_IN)被提供給低壓側驅動器806和高壓側驅動器808二者。例如，做為響應，閘極驅動器802產生用以驅動電晶體804的輸出信號832(例如，GATE_OUT)。在另一示例中，在操作時，低壓側驅動元件816接收輸入信號824(例如，GATE_IN)，並且做為響應產生用以驅動電晶體820的信號838。在另一示例中，如果輸入信號824(例如，GATE_IN)為邏輯高位準，則信號838為邏輯低位準，並且電晶體820截止。在另一示例中，輸入信號824(例如，GATE_IN)被直接提供給低壓側驅動元件816，而不經過開關810。
根據另一實施例，高壓側驅動器808在開關810處接收輸入信號824(例如，GATE_IN)。例如，如果輸入信號824(例如，GATE_IN)為邏輯高位準，則開關810閉合(例如，導通)。在另一示例中，電流槽826產生流經開關810及電晶體812的電流834。在另一示例中，電流834被電晶體814以預定比率鏡像反映，以產生流經電晶體814的電流836。因此，根據某些實施例，輸出信號832的大小增大。例如，電流834以及電晶體812及814的物理性質可被適當地調節以控制電流836。在另一示例中，操作電阻器818及二極體822以使電晶體812及814適當地工作。
根據另一實施例，一種用於驅動電晶體的系統包括浮動電壓產生器、第一驅動電路以及第二驅動電路。浮動電壓產生器被配置以接收第一偏置電壓並產生浮動電壓，浮動電壓產生器還被配置以當第一偏置電壓改變時改變浮動電壓，並且維持浮動電壓的大小比第一偏置電壓低了一第一預定值。第一驅動電路被配置以接收輸入信號、第一偏置電壓及浮動電壓。第二驅動電路被配置以接收輸入信號、第二偏置電壓及第三偏置電壓，第一驅動電路及第二驅動電路被配置以產生用以驅動電晶體的輸出信號。另外，第一驅動電路包括第一驅動電晶體，該第一驅動電晶體被配置以接收第一偏置電壓及第一閘極信號，該第一閘極信號至少與輸入信號、第一偏置電壓及浮動電壓相關聯。第二驅動電路包括第二驅動電晶體，第二驅動電晶體被配置以接收第三偏置電壓及第二閘極信號，該第二閘極信號至少與輸入信號、第二偏置電壓及第三偏置電壓相關聯。第一驅動電晶體及第二驅動電晶體還被配置以產生輸出信號。此外，如果第一閘極信號使第一驅動電晶體導通，則第二閘極信號使第二驅動電晶體截止。如果第一閘極信號使第一驅動電晶體截止，則第二閘極信號使第二驅動電晶體導通。例如，該系統至少根據第3圖、第4圖、第5圖、第6圖及/或第7圖來實現。
在一個實施例中，一種用於驅動電晶體的方法包括：接收第一偏置電壓，處理與第一偏置電壓相關聯的資訊，並且至少根據與第一偏置電壓相關聯的資訊產生浮動電壓。該方法還包括：接收輸入信號、第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及浮動電壓；處理與輸入信號、第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及浮動電壓相關聯的資訊；並且至少根據與輸入信號、第一偏置電壓、第二偏置電壓、第三偏置電壓及浮動電壓相關聯的資訊產生用以驅動電晶體的輸出信號。另外，用於至少根據與第一偏置電壓相關聯的資訊產生浮動電壓的處理包括：當第一偏置電壓改變時改變浮動電壓；並且維持浮動電壓的大小比第一偏置電壓低了第一預定值。例如，該方法至少根據第3圖、第4圖、第5圖、第6圖及/或第7圖來實現。
根據另一實施例，一種用於驅動電晶體的系統包括第一驅動電路以及第二驅動電路。第一驅動電路被配置以接收輸入信號、第一偏置電壓及第二偏置電壓，該第一驅動電路包括電流鏡電路、開關及電流槽。第二驅動電路被配置以接收輸入信號及第二偏置電壓，第一驅動電路及第二驅動電路被配置以產生用以驅動電晶體的輸出信號。另外，開關被配置以接收輸入信號。電流槽被配置以產生第一電流。電流鏡電路透過開關被耦合到電流槽，並被配置以根據第一電流產生第二電流。此外，輸出信號至少是根據與第二電流相關聯的資訊產生的。例如，該系統至少根據第8圖來實現。
根據另一實施例，一種用於驅動電晶體的方法包括：接收輸入信號、第一偏置電壓及第二偏置電壓；處理與輸入信號、第一偏置電壓及第二偏置電壓相關聯的資訊；並且至少根據與輸入信號、第一偏置電壓及第二偏置電壓相關聯的資訊產生第一電流。該方法還包括：處理與第一電流相關聯的資訊；至少根據與第一電流相關聯的資訊產生第二電流；並且處理與第二電流相關聯的資訊。另外，該方法包括：至少根據與第二電流相關聯的資訊產生用以驅動電晶體的輸出信號。此外，第二電流的大小與第一電流成比例。例如，該方法至少根據第8圖來實現。
例如，本發明各個實施例中的一些或所有元件單獨地及/或與至少另一元件相組合地是利用一個或多個軟體元件、一個或多個硬體元件及/或軟體與硬體元件的一種或多種組合來實現的。在另一示例中，本發明各個實施例中的一些或所有元件單獨地及/或與至少另一元件相組合地在一個或多個電路中實現，例如在一個或多個類比電路及/或一個或多個數位電路中實現。在另一示例中，本發明的各個實施例及/或示例可以相組合。
雖然已描述了本發明的具體實施例，然而本領域技術人員將明白，還存在與所述實施例等同的其它實施例。因此，將明白，本發明不受所示具體實施例的限制，而是僅由申請專利範圍的範圍來限定。
100．．．閘極驅動系統
102．．．閘極驅動器
104．．．電晶體
106．．．電晶體
108．．．電晶體
110．．．電晶體
112．．．電晶體
114．．．電晶體
116．．．電晶體
118．．．電晶體
120．．．電晶體
122．．．電源
124．．．反相器
126．．．反相器
128．．．反相器
130．．．反相器
132．．．低位準偏置電壓
134．．．高位準偏置電壓
136．．．輸入信號
138．．．輸出信號
140．．．第一反相信號
142．．．第二反相信號
144．．．第三反相信號
200．．．閘極驅動系統
202．．．閘極驅動器
204．．．電晶體
206．．．低壓側驅動器
208．．．高壓側驅動器
210．．．電源
212．．．反相器
214．．．反相器
216．．．反相器
218．．．反相器
220．．．電晶體
222．．．反相器
224．．．反相器
226．．．反相器
228．．．反相器
230．．．位準移位器
232．．．電晶體
234．．．升壓電容器
236．．．二極體
238．．．高位準偏置電壓
240．．．輸入信號
242．．．輸出信號
244．．．信號
246．．．低位準偏置電壓
248．．．自舉端子
250．．．電壓
252．．．高位準偏置電壓
254．．．電流
256．．．信號
258．．．信號
260．．．第一反相信號
262．．．第二反相信號
264．．．第三反相信號
300．．．閘極驅動系統
302．．．閘極驅動器
304．．．電晶體
306．．．低壓側驅動器
308．．．高壓側驅動器
310．．．電源
312．．．電源
314．．．反相器
316．．．反相器
318．．．反相器
320．．．反相器
322．．．電晶體
324．．．反相器
326．．．反相器
328．．．反相器
330．．．反相器
332．．．位準移位器
334．．．電晶體
336．．．浮動接地元件
338．．．高位準偏置電壓
340．．．高位準偏置電壓
342．．．低位準偏置電壓
344．．．輸入信號
346．．．輸出信號
348．．．信號
350．．．浮動接地信號
352．．．信號
354．．．信號
356．．．第一反相信號
358．．．第二反相信號
360．．．第三反相信號
400．．．浮動接地元件
402．．．參考電壓產生器
404．．．電流槽
406．．．電阻器
408．．．電阻器
410．．．電容器
412．．．高位準偏置電壓
414．．．參考電壓信號
416．．．浮動接地信號
418．．．低位準偏置電壓
500．．．浮動接地元件
502．．．參考電壓產生器
504．．．電流槽
506．．．電阻器
508．．．電阻器
510．．．電晶體
512．．．高位準偏置電壓
514．．．參考電壓信號
516．．．浮動接地信號
518．．．低位準偏置電壓
520．．．電阻器
522．．．二極體
524．．．電晶體
526．．．電晶體
528．．．電晶體
600．．．浮動接地元件
602．．．參考電壓產生器
604．．．電流槽
606．．．電阻器
608．．．電阻器
610．．．電晶體
612．．．高位準偏置電壓
614．．．參考電壓信號
616．．．浮動接地信號
618．．．低位準偏置電壓
620．．．電阻器
622．．．二極體
624．．．電晶體
626．．．電晶體
700．．．浮動接地元件
702．．．參考電壓產生器
704．．．電流槽
706．．．電阻器
708．．．電阻器
710．．．電容器
712．．．高位準偏置電壓
714．．．參考電壓信號
716．．．浮動接地信號
718．．．低位準偏置電壓
720．．．電阻器
726．．．電晶體
800．．．閘極驅動系統
802．．．閘極驅動器
804．．．電晶體
806．．．低壓側驅動器
808．．．高壓側驅動器
810．．．開關
812．．．電晶體
814．．．電晶體
816．．．低壓側驅動元件
818．．．電阻器
820．．．電晶體
822．．．二極體
824．．．輸入信號
826．．．電流槽
828．．．低位準偏置電壓
830．．．高位準偏置電壓
832．．．輸出信號
834．．．電流
836．．．電流
838．．．信號
第1圖是表示用於驅動電晶體之系統的簡化傳統示意圖；
第2圖是表示具有用於驅動電晶體的自舉結構之系統的簡化傳統示意圖；
第3圖是表示根據本發明實施例用於驅動電晶體之系統的簡化示意圖；
第4圖是表示根據本發明實施例用於產生浮動接地信號之浮動接地元件的簡化示意圖；
第5圖是表示根據本發明實施例用於產生浮動接地信號之浮動接地元件的簡化示意圖；
第6圖是表示根據本發明另一實施例用於產生浮動接地信號之浮動接地元件的簡化示意圖；
第7圖是表示根據本發明另一實施例用於產生浮動接地信號之浮動接地元件的簡化示意圖；以及
第8圖是表示根據本發明另一實施例用於驅動電晶體之系統的簡化示意圖。
300．．．閘極驅動系統
302．．．閘極驅動器
304．．．電晶體
306．．．低壓側驅動器
308．．．高壓側驅動器
310．．．電源
312．．．電源
314．．．反相器
316．．．反相器
318．．．反相器
320．．．反相器
322．．．電晶體
324．．．反相器
326．．．反相器
328．．．反相器
330．．．反相器
332．．．位準移位器
334．．．電晶體
336．．．浮動接地元件
338．．．高位準偏置電壓
340．．．高位準偏置電壓
342．．．低位準偏置電壓
344．．．輸入信號
346．．．輸出信號
348．．．信號
350．．．浮動接地信號
352．．．信號
354．．．信號
356．．．第一反相信號
358．．．第二反相信號
360．．．第三反相信號

Claims (28)

  1. 一種用於驅動電晶體的系統，該系統包括：一浮動電壓產生器，包括一參考電壓產生器及一電流吸收元件，被配置以接收一第一偏置電壓並產生一浮動電壓，該浮動電壓產生器還被配置以當該第一偏置電壓改變時改變該浮動電壓，並且維持該浮動電壓的大小比該第一偏置電壓低了一第一預定值；一第一驅動電路，被配置以接收一輸入信號、該第一偏置電壓及該浮動電壓；一第二驅動電路，被配置以接收該輸入信號、一第二偏置電壓及一第三偏置電壓，該第一驅動電路及該第二驅動電路被配置以產生用以驅動該電晶體的一輸出信號；其中：該第一驅動電路包括一第一驅動電晶體，該第一驅動電晶體被配置以接收該第一偏置電壓及一第一閘極信號，該第一閘極信號至少與該輸入信號、該第一偏置電壓及該浮動電壓相關聯；該第二驅動電路包括一第二驅動電晶體，該第二驅動電晶體被配置以接收該第三偏置電壓及一第二閘極信號，該第二閘極信號至少與該輸入信號、該第二偏置電壓及該第三偏置電壓相關聯；以及該第一驅動電晶體及該第二驅動電晶體還被配置以產生該輸出信號；其中：如果該第一閘極信號使該第一驅動電晶體導通，則該第二閘極信號使該第二驅動電晶體截止；以及如果該第一閘極信號使該第一驅動電晶體截止，則該第二閘極信號使該第二驅動電晶體導通；其中：該參考電壓產生器被配置以接收該第一偏置電壓並且產生一參考電壓；以及該電流吸收元件被配置以接收該參考電壓並且產生該浮動電壓；其中：該浮動電壓產生器還包括一第一電阻器、一第二電阻器及一電容 器，該第一電阻器包括一第一電阻器端子及一第二電阻器端子，該第二電阻器包括一第三電阻器端子及一第四電阻器端子，該電容器包括一第一電容器端子及一第二電容器端子；其中：該第一電阻器在該第一電阻器端子處被耦合到該參考電壓產生器與該電流吸收元件，並被配置以在該第二電阻器端子處接收一第四偏置電壓；該第二電阻器在該第三電阻器端子處被耦合到該參考電壓產生器，並且在該第四電阻器端子處被耦合到該電流吸收元件；以及該電容器在該第一電容器端子處被耦合到該參考電壓產生器，並且在該第二電容器端子處被耦合到該電流吸收元件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該參考電壓產生器還被配置以當該第一偏置電壓改變時改變該參考電壓，並且維持該參考電壓的大小比該第一偏置電壓低了一第二預定值。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該第二預定值不同於該第一預定值。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該電流吸收元件還被配置以吸收一個或多個電流。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該電容器包括第一電晶體，該第一電晶體包括第一電晶體端子、第二電晶體端子及第三電晶體端子，該第一電晶體端子及該第二電晶體端子彼此相耦合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中：該參考電壓產生器包括一電阻器、一二極體及一第一電晶體，該電阻器包括一第一電阻器端子及一第二電阻器端子，該二極體包括一第一二極體端子及一第二二極體端子，該第一電晶體包括一第一電晶體端子、一第二電晶體端子及一第三電晶體端子；其中：該第一電阻器端子被耦合到該第一二極體端子；該第二二極體端子被耦合到該第一電晶體端子；以及該第二電晶體端子被耦合到該第一電晶體端子。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該電流吸收 元件包括一射極隨耦器。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該電流吸收元件包括一源極隨耦器。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該電流吸收元件包括一第二電晶體及一第三電晶體，該第二電晶體包括一第四電晶體端子、一第五電晶體端子及一第六電晶體端子，該第三電晶體包括一第七電晶體端子、一第八電晶體端子及一第九電晶體端子；其中：該第四電晶體端子被耦合到該第三電晶體端子；該第五電晶體端子被耦合到該第七電晶體端子；以及該第六電晶體端子及該第九電晶體端子被偏置到一第四偏置電壓。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該第四偏置電壓是一接地電壓。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該電流吸收元件包括一第二電晶體，該第二電晶體包括一第四電晶體端子、一第五電晶體端子及一第六電晶體端子；其中：該第四電晶體端子被耦合到該第三電晶體端子；該第六電晶體端子被偏置到一第四偏置電壓。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該二極體是齊納二極體。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中：該浮動電壓產生器還包括第一電阻器，該第一電阻器包括一第一電阻器端子及一第二電阻器端子；以及該參考電壓產生器包括一第二電阻器，該第二電阻器包括一第三電阻器端子及一第四電阻器端子；其中：該第二電阻器被配置以在該第三電阻器端子處接收該第一偏置電壓；該第四電阻器端子被耦合到該第一電阻器端子；以及 該第一電阻器被配置以在該第二電阻器端子處接收一第四偏置電壓。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該電流吸收元件包括一第一電晶體，該第一電晶體包括一第一電晶體端子、一第二電晶體端子及一第三電晶體端子；其中：該第一電晶體端子被耦合到該第一電阻器端子；以及該第二電晶體端子被偏置到該第四偏置電壓。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該第一驅動電路及該第二驅動電路還被配置以將該輸出信號從該第三偏置電壓改變為該第一偏置電壓以及將該輸出信號從該第一偏置電壓改變為該第三偏置電壓。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該第三偏置電壓是一接地電壓。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該第一驅動電晶體是一P通道場效應電晶體。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該第二驅動電晶體是一N通道場效應電晶體。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該第一驅動電路包括串列連接的多個反相器。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該第二驅動電路包括串列連接的多個反相器。
  21. 一種用於驅動電晶體的系統，該系統包括：一第一驅動電路，被配置以接收一輸入信號、一第一偏置電壓及一第二偏置電壓，該第一驅動電路包括一電流鏡電路、一開關及一電流槽；以及一第二驅動電路，被配置以接收該輸入信號及該第二偏置電壓，該第一驅動電路及該第二驅動電路被配置以產生用以驅動該電晶體的一輸出信號；其中：該開關被配置以接收該輸入信號； 該電流槽被配置以產生一第一電流；該電流鏡電路透過該開關被耦合到該電流槽，並被配置以根據該第一電流產生一第二電流；以及該輸出信號至少是根據與該第二電流相關聯的資訊產生的。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之用於驅動電晶體的系統，其中該第一驅動電路及該第二驅動電路還被配置以將該輸出信號從該第二偏置電壓改變為該第一偏置電壓以及將該輸出信號從該第一偏置電壓改變為該第二偏置電壓。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之用於驅動電晶體的系統，其中：該電流鏡電路包括一第一電晶體及一第二電晶體；該第一電晶體包括一第一電晶體端子、一第二電晶體端子及一第三電晶體端子；該第二電晶體包括一第四電晶體端子、一第五電晶體端子及一第六電晶體端子；該第一電晶體端子及該第四電晶體端子被偏置到該第一偏置電壓；該第二電晶體端子被耦合到該第五電晶體端子；以及該第二電晶體端子被耦合到該第三電晶體端子；其中：該第二電晶體被配置以透過以預定比率鏡像反映該第一電流來產生該第二電流。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之用於驅動電晶體的系統，其中：該第一驅動電路還包括一電阻器及一二極體，該電阻器包括一第一電阻器端子及一第二電阻器端子，該二極體包括一第一二極體端子及一第二二極體端子；該第一電阻器端子被耦合到該第一二極體端子；該第二電阻器端子被耦合到該第二二極體端子；該第一電阻器端子被耦合到該第一電晶體端子；以及該第二電阻器端子被耦合到該第二電晶體端子。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之用於驅動電晶體的系統，其中：該第二驅動電路包括一第三電晶體，該第三電晶體包括一第七電晶體端子、一第八電晶體端子及一第九電晶體端子； 該第七電晶體端子被耦合到該第六電晶體端子；以及該第九電晶體端子被偏置到該第二偏置電壓。
  26. 如申請專利範圍第21項所述之用於驅動電晶體的系統，其中，該開關是一電晶體。
  27. 一種用於驅動電晶體的方法，該方法包括：接收一輸入信號、一第一偏置電壓及一第二偏置電壓；處理與該輸入信號、該第一偏置電壓及該第二偏置電壓相關聯的資訊；至少根據與該輸入信號、該第一偏置電壓及該第二偏置電壓相關聯的資訊產生一第一電流；處理與該第一電流相關聯的資訊；至少根據與該第一電流相關聯的資訊產生一第二電流；處理與該第二電流相關聯的資訊；以及至少根據與該第二電流相關聯的資訊產生用以驅動該電晶體的一輸出信號；其中：該第二電流的大小與該第一電流成比例。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之用於驅動電晶體的方法，其中用於至少根據與該第二電流相關聯的資訊產生用以驅動電晶體的輸出信號的處理包括：將該輸出信號從該第二偏置電壓改變為該第一偏置電壓；以及將該輸出信號從該第一偏置電壓改變為該第二偏置電壓。
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