CN105610320A - 同相时延升压电路 - Google Patents

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方镜清
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only

Abstract

本发明针对芯片集成电路的升压需求，提出一种同相时延升压电路，其特征在于：包括PMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3、NMOS管Q4和滤波电容C1、C2，所述PMOS管Q1与NMOS管Q2串联连接于第一电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至电路的输入端；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4串联连接于第二电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至所述PMOS管Q1与NMOS管Q2的串联结点，该串联结点处设置有所述的滤波电容C1；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4的串联结点连接至电路的输出端，且于电路的输出端处设置有所述的滤波电容C2；所述第二电源端的电压大于第一电源端的电压。本发明可为芯片集成电路提供来稳的升压，满足对后续电路的驱动力需求，其结构简单，驱动力平稳，且具有体积小、耐压性能优秀等特点。

Description

同相时延升压电路
技术领域
本发明涉及一种应用于芯片集成电路中的同相时延升压电路。
背景技术
芯片集成电路当中常用到升压功能，将低电平电压升级转换成所需高电平电压输出，以满足驱动力的要求。普通电路中常用的升压手段是反激式升压电路，由开关件、电感和电容等元件组成，而电感元件应用于芯片当中会增加电路设计的难度，一是电感体积较大，，二是振荡电动势容易损坏芯片电路。实际上，芯片集成电路需要的是平稳的升压，其输出电压也不需在很高。
发明内容
针对芯片集成电路的升压需求，本发明提出一种同相时延升压电路，其具体技术方案如下：
一种同相时延升压电路，包括PMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3、NMOS管Q4和滤波电容C1、C2，所述PMOS管Q1与NMOS管Q2串联连接于第一电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至电路的输入端；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4串联连接于第二电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至所述PMOS管Q1与NMOS管Q2的串联结点，该串联结点处设置有所述的滤波电容C1；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4的串联结点连接至电路的输出端，且于电路的输出端处设置有所述的滤波电容C2；所述第二电源端的电压大于第一电源端的电压。
于本发明的一个或多个实施例当中，所述PMOS管Q1的源极连接所述第一电源端，其漏极连接所述NMOS管Q2的源极，所述NMOS管Q2的漏极连接地端；所述PMOS管Q3的源极连接所述第二电源端，其漏极连接所述NMOS管Q4的源极，所述NMOS管Q4的漏极连接地端。
于本发明的一个或多个实施例当中，所述第一电源端的电压为+5V，所述第二电源端的电压为+10V至+25V。
本发明可为芯片集成电路提供平稳的升压，满足对后续电路的驱动力需求，其电路结构简单，驱动力平稳，且具有体积小、耐压性能优秀等特点。
附图说明
图1为本发明的同相时延升压电路的电路原理图。
具体实施方式
如下结合附图1，对本申请方案作进一步描述：
一种同相时延升压电路，包括PMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3、NMOS管Q4和滤波电容C1、C2，所述PMOS管Q1与NMOS管Q2串联连接于第一电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至电路的输入端；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4串联连接于第二电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至所述PMOS管Q1与NMOS管Q2的串联结点，该串联结点处设置有所述的滤波电容C1；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4的串联结点连接至电路的输出端，且于电路的输出端处设置有所述的滤波电容C2；所述第二电源端的电压大于第一电源端的电压。
所述PMOS管Q1的源极连接所述第一电源端，其漏极连接所述NMOS管Q2的源极，所述NMOS管Q2的漏极连接地端；所述PMOS管Q3的源极连接所述第二电源端，其漏极连接所述NMOS管Q4的源极，所述NMOS管Q4的漏极连接地端。
所述第一电源端的电压为+5V，所述第二电源端的电压为+15V。
上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。

Claims (3)

1.一种同相时延升压电路，其特征在于：包括PMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3、NMOS管Q4和滤波电容C1、C2，所述PMOS管Q1与NMOS管Q2串联连接于第一电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至电路的输入端；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4串联连接于第二电源端与地端之间，二者的栅极共同连接至所述PMOS管Q1与NMOS管Q2的串联结点，该串联结点处设置有所述的滤波电容C1；所述PMOS管Q3与NMOS管Q4的串联结点连接至电路的输出端，且于电路的输出端处设置有所述的滤波电容C2；所述第二电源端的电压大于第一电源端的电压。
2.根据权利要求1所述的同相时延升压电路，其特征在于：所述PMOS管Q1的源极连接所述第一电源端，其漏极连接所述NMOS管Q2的源极，所述NMOS管Q2的漏极连接地端；所述PMOS管Q3的源极连接所述第二电源端，其漏极连接所述NMOS管Q4的源极，所述NMOS管Q4的漏极连接地端。
3.根据权利要求2所述的同相时延升压电路，其特征在于：所述第一电源端的电压为+5V，所述第二电源端的电压为+10V至+25V。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758743A (en) * 1986-09-26 1988-07-19 Motorola, Inc. Output buffer with improved di/dt
US4797579A (en) * 1987-07-27 1989-01-10 Raytheon Company CMOS VLSI output driver with controlled rise and fall times
US4958086A (en) * 1989-05-08 1990-09-18 Motorola, Inc. Low di/dt output buffer with improved speed
US5397940A (en) * 1992-07-14 1995-03-14 U.S. Philips Corporation Buffer system with reduced interference
US5500610A (en) * 1993-10-08 1996-03-19 Standard Microsystems Corp. Very high current integrated circuit output buffer with short circuit protection and reduced power bus spikes
EP1143451A1 (en) * 2000-03-29 2001-10-10 STMicroelectronics S.r.l. Low-consumption charge pump for a nonvolatile memory
CN101053157A (zh) * 2004-09-08 2007-10-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有输入滞后的快速开关电路
CN103051161A (zh) * 2011-10-12 2013-04-17 昂宝电子（上海）有限公司 用于驱动具有高阈值电压的晶体管的系统和方法
CN103795396A (zh) * 2014-02-24 2014-05-14 中山芯达电子科技有限公司 用于消除短路电流的电路结构
CN203813657U (zh) * 2014-03-24 2014-09-03 上海智浦欣微电子有限公司 一种电源自适应的电荷泵装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758743A (en) * 1986-09-26 1988-07-19 Motorola, Inc. Output buffer with improved di/dt
US4797579A (en) * 1987-07-27 1989-01-10 Raytheon Company CMOS VLSI output driver with controlled rise and fall times
US4958086A (en) * 1989-05-08 1990-09-18 Motorola, Inc. Low di/dt output buffer with improved speed
US5397940A (en) * 1992-07-14 1995-03-14 U.S. Philips Corporation Buffer system with reduced interference
US5500610A (en) * 1993-10-08 1996-03-19 Standard Microsystems Corp. Very high current integrated circuit output buffer with short circuit protection and reduced power bus spikes
EP1143451A1 (en) * 2000-03-29 2001-10-10 STMicroelectronics S.r.l. Low-consumption charge pump for a nonvolatile memory
CN101053157A (zh) * 2004-09-08 2007-10-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有输入滞后的快速开关电路
CN103051161A (zh) * 2011-10-12 2013-04-17 昂宝电子（上海）有限公司 用于驱动具有高阈值电压的晶体管的系统和方法
CN103795396A (zh) * 2014-02-24 2014-05-14 中山芯达电子科技有限公司 用于消除短路电流的电路结构
CN203813657U (zh) * 2014-03-24 2014-09-03 上海智浦欣微电子有限公司 一种电源自适应的电荷泵装置

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