TWI485585B - 複合層結構及具有其之觸控顯示裝置 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種複合層結構及具有其之顯示裝置,且特別是有關於一種以非導電金屬層與透明導電層形成一抗蝕刻痕之複合層結構及具有其之顯示裝置。
隨著科技的進步,生活中已經充斥著各式各樣的顯示器產品。不論是液晶顯示器、有機發光二極體顯示器、電子書或是觸控式顯示器都需要有電極結構,使得電壓得以施加於電極結構以形成一電路。當電極結構設置在顯示器的可視區(Active Area,AA)時,通常會選擇透明的導電材料作為電極,如第1A圖所示,一透明導電層12設置於一基板10上,透明導電層12之光穿透率及光反射率與基板10之光穿透率及光反射率係不相同。
因此,當可視區之透明導電層12的大小並非涵蓋到整個基板10的範圍時,觀測者在可視區會同時看到具有透明導電層12的區域及不具有透明導電層12的區域(例如係暴露出的基板10),造成觀測者在可視區會察覺具有電極結構之區域(透明導電層12)及不具有電極結構之區域(基板10)的差異,也就是本發明所屬領域之人所知的蝕刻痕可視性問題。
本發明係有關於一種改善透明導電層蝕刻痕的複合層結構及具有此結構的顯示裝置。藉由非導電金屬層與透明導電層形成之複合層結構取代傳統之透明導電層以達到抗蝕刻痕之效果,使得具有此種複合層結構之顯示裝置之可視區的蝕刻痕問題獲得改善。
根據本發明之第一方面,提出一種複合層結構,用於一觸控顯示裝置,複合層結構包括一基材、一非導電金屬層及一透明導電層。非導電金屬層設置於基材上。透明導電層與非導電金屬層相疊而設。
根據本發明之第二方面,提出一種觸控顯示裝置,具有一可視區及一非可視區,觸控顯示裝置包括一第一基板、一第一非導電金屬層及一第一圖案化透明導電層。第一非導電金屬層設置於第一基板之一側且位於可視區。第一圖案化透明導電層,與第一非導電金屬層相疊而設。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:
以下先舉例說明本申請案之發明人所知悉的改善蝕刻痕之方法。接著會說明由發明人所知悉之改善蝕刻痕方法的缺點及問題,以及為了改善問題而研發出的改善蝕刻痕之複合層結構,以及具有此種複合層結構之顯示裝置。
請參考第1B圖,其繪示發明人所知悉之改善透明導電層設置於基板上產生蝕刻痕的結構示意圖。如第1B圖所示,於一基板10上形成一調整層14,再形成透明導電層12。藉由控制調整層14的材料及膜厚,使僅具有調整層14區域與具有調整層14及透明導電層區域的反射率接近,可以改善傳統之蝕刻痕可視性問題。
調整層14的材質係陶瓷介電材料或有機高分子複合材料,然而,上述材料在製程上有許多缺點。以陶瓷介電材料來說,所形成的調整層14係以反應式乾式成膜的方式形成,製程耗時且穩定性控制不易,且疊構設計複雜導致良率較低,又陶瓷材質硬且脆不利於可撓式顯示器之應用。另外,以有機高分子複合材料來說,所形成的調整層14係以濕式塗佈的方式成膜,因此,不易與透明導電層12之乾式成膜製程整合,且不易達到光學等級的平整成膜,有機高分子複合材料之材料選擇性少,製程良率不佳且塗佈模具價格昂貴。
請參考第2A~2B圖,其繪示複合層結構L1之形成方法。如第2A圖所示,提供一基材20,依序形成一非導電金屬層24及一透明導電層22。非導電金屬層24之厚度係小於10奈米(nm),非導電金屬層24之材質係選擇自銦(In)、錫(Sn)、銦錫合金、銦合金、錫合金、鉭(Ta)、或者其他面阻值大於106
歐姆/平方(Ω/sq)之非導電金屬材料及其組合所組成之群組。由於非導電金屬層24具有很高的阻抗,因此不會影響透明導電層22之電訊號的傳輸,也不會有信號短路的問題。
於此實施例中,非導電金屬層24例如係以非導電真空金屬鍍膜技術(Non Conductive Vacuum Metalization,NCVM)而形成,即為乾式成膜的方式之一。透明導電層22例如係由銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide,IZO)或氧化鋅(Zinc Oxide,ZnO)以乾式成膜的方式形成於非導電金屬層24上。乾式成膜法可為物理蒸鍍方式或化學蒸鍍方式,例如,化學蒸鍍方式可為電漿增強式化學氣相沈積法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)、低壓化學氣相沈積法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)或高分子聚合化學氣相沈積法(Polymer Polymerization Chemical Vapor Deposition,PPCVD)。
請接著參考第2B圖,以微影製程圖案化透明導電層22(繪示於第2A圖),以形成圖案化透明導電層22’。如第2B圖所示,複合層結構L1包括基材20、圖案化透明導電層22’及非導電金屬層24,且複合層結構L1可以分為第一區A1及第二區A2。當觀測者於複合層結構L1之側朝向基材20看的時候,觀測者於第一區A1看到的是圖案化透明導電層22’,於第二區A2看到的是非導電金屬層24。
於第一區A1中,圖案化透明導電層22’及非導電金屬層24的複合結構具有一第一光穿透率及一第一光反射率。於第二區A2中,非導電金屬層24具有一第二光穿透率及一第二光反射率。以下係以銦為材質製成之非導電金屬層24為例,將非導電金屬層24的厚度、第一及第二光反射率之差異,以及第一及第二光穿透率差異的實驗結果列於表一。
請同時參考第2B圖及表一,當未設置非導電金屬層24(非導電金屬層24的厚度為0)時,第一光反射率及第二光反射率之差異及第一及第二光穿透率差異的絕對值都大於2。分別形成1nm、1.5nm及2nm之厚度的非導電金屬層24於基材10及圖案化透明導電層22’之間後,第一及第二光反射率之差異以及第一及第二光穿透率差異都有明顯的下降。表示第一及第二光穿透率係非常接近,且第一及第二光反射率係非常接近,因此,視覺上人眼幾乎無法分辨非導電金屬層24及圖案化透明導電層22’。
值得注意的是,於表一僅列舉1nm、1.5nm及2nm之厚度的非導電金屬層24之實驗結果,實際上,只要非導電金屬層24之厚度實質上小於10nm即可以達到降低蝕刻痕效果。考慮到製程公差的因素,厚度的大小係涵蓋到本領域習知技藝者所可以理解的誤差範圍。
請參考第3A~3B圖,其繪示複合層結構L2之形成方法。如第3A圖所示,提供一基材30,形成一圖案化透明導電層32於基材30上。接著,如第3B圖所示,形成一非導電金屬層34於圖案化透明導電層32及基材30上上。非導電金屬層34之厚度係小於10奈米(nm),且非導電金屬層34之材質及形成方式係與第一實施例之非導電金屬層24相同,因此不會影響圖案化透明導電層32之電訊號的傳輸,也不會有信號短路的問題。此外,圖案化透明導電層32之材質及形成方式係與第一實施例之透明導電層22相同,差異僅在於此實施例中,係先形成圖案化透明導電層32於基材30上,再形成非導電金屬層34覆蓋於圖案化透明導電層32及基材30上。
請接著參考第3B圖,複合層結構L2包括基材30、圖案化透明導電層32及非導電金屬層34,且複合層結構L2可以分為第一區A1及第二區A2。當觀測者於複合層結構L2之側朝向基材30觀看的時候,觀測者於第一區A1及第二區A2看到的皆是非導電金屬層34。於第一區A1中,非導電金屬層34及圖案化透明導電層32具有一第三光穿透率及一第三光反射率。於第二區A2中,非導電金屬層34具有一第四光穿透率及一第四光反射率。於此實施例中,以銦為材質之非導電金屬層34的厚度、第三及第四光反射率之差異以及第三及第四光穿透率差異的實驗結果係列舉於表二。
請同時參考第3B圖及表二,當未設置非導電金屬層34(非導電金屬層34的厚度為0)時,第三及第四光反射率之差異係接近2,且第三及第四光穿透率差異的絕對值係大於2。分別形成1nm、2nm及4nm之厚度的非導電金屬層34於基材30上及圖案化透明導電層34上後,第三及第四光反射率之差異以及第三及第四光穿透率差異都有明顯的下降。表示第三及第四光穿透率係非常接近,且第三及第四光反射率係非常接近,因此,視覺上人眼幾乎無法分辨非導電金屬層34及圖案化透明導電層32。
此外,於表二僅列舉1nm、2nm及4nm之厚度的非導電金屬層34之實驗結果,實際上,只要非導電金屬層34之厚度實質上小於10nm即可以達到降低蝕刻痕效果,考慮到製程公差的因素,厚度的大小係涵蓋到本領域習知技藝者所可以理解的誤差範圍。
請參考第4圖,其繪示依照本發明一實施例之複合層結構應用於一觸控顯示裝置4之上視圖。於此係簡化觸控式顯示裝置4之金屬層及絕緣層等結構,僅繪示觸控顯示裝置4之可視區AA的電極42及電極44的堆疊結構以方
便說明。
如第4圖所示,觸控顯示裝置4具有可視區AA及非可視區NA。可視區AA係設置有兩種不同方向的圖案化透明導電層結構,例如係以銦錫氧化物、銦鋅氧化物或氧化鋅以乾式成膜的方式所形成之複數條電極42以及複數條電極44,電極44係以x方向排列,電極42係以y方向排列,且電極42及電極44係電性絕緣。
第5A~5B圖係繪示觸控顯示裝置4-1之剖面示意圖。觸控顯示裝置4-1係第4圖之觸控顯示裝置4於切線2-2之剖面示意圖。請參考第5A圖,觸控顯示裝置4-1包括基板40-1、非導電金屬層41-1及電極42-1。於此實施例中,基板40-1例如係由乙烯對苯二甲酸酯(PET)所製成之一塑膠基板。電極42-1例如係第4圖之電極42的一種實施態樣。基板40-1、非導電金屬層41-1及電極42-1例如係以第一實施例之複合層結構L1(繪示於第2B圖)的形式,設置於基板40-1上對應至可視區AA的區域。於此實施例中,可視區AA(繪示於第4圖)更包括第一區P1及與第一區P1相鄰而設之第二區P2。非導電金屬層41-1及電極42-1對應至第一區P1,且於第一區P1中電極42-1與非導電金屬層41-1相疊而設。此外,非導電金屬層41-1之單一結構係對應至第二區P2。
請參考第5B圖,觸控顯示裝置4-2的元件係與第5A圖之觸控顯示裝置4-1所對應之元件相同,差異在於觸控顯示裝置4-2之基板40-2、非導電金屬層41-2及電極42-2係如第二實施例之複合層結構L2(繪示於第3B圖)的形式。於此實施例中,電極42-2例如係第4圖之電極42的另一種實施態樣。可視區AA(繪示於第4圖)包括第一區P1及第二區P2。非導電金屬層41-2及電極42-2對應於第一區P1,第一區P1之電極42-2與非導電金屬層41-2相疊而設。此外,非導電金屬層41-2之單一結構係對應至第二區P2。
請參考第6A~6C圖,其繪示如第4圖之觸控顯示裝置4以切線2-2切割之剖面圖的另一種實施態樣。第6A圖之觸控顯示裝置5-1,包括基板50-1、非導電金屬層51-1、電極52-1及非導電金屬層53-1及電極54-1。
如第6A圖所示,觸控顯示裝置5-1之電極52-1及非導電金屬層51-1係以第一實施例之複合層結構L1去除基材的形式設置於基板50-1之一側上。電極54-1及非導電金屬層53-1,可以選擇使用第一實施例之複合層結構L1或第二實施例之複合層結構L2去除基材的形式設置於基板50-1的另一側上,並不作限制。非導電金屬層51-1及電極52-1係對應於第一區P1,第一區P1之電極52-1與非導電金屬層51-1相疊而設。此外,非導電金屬層51-1之單一結構係對應於第二區P2。
第6B圖之觸控顯示裝置5-2,包括基板50-2、非導電金屬層51-2、電極52-2、非導電金屬層53-2及電極54-2。觸控顯示裝置5-2與觸控顯示裝置5-1所對應之元件相同,差異僅在於觸控顯示裝置5-2之電極52-2及非導電金屬層51-2係以第二實施例之複合層結構L2去除基材的形式,設置於基板50-2之一側上。電極54-2及非導電金屬層53-2,可以選擇以第一實施例之複合層結構L1或第二實施例之複合層結構L2去除基材的形式,設置於基板50-2之另一側上,並不作限制。非導電金屬層51-2及電極52-2係對應於第一區P1,第一區P1之電極52-2與非導電金屬層51-2相疊而設。此外,非導電金屬層51-2之單一結構係對應於第二區P2。
值得注意的是,於第6A~6B圖中,係繪示非導電金屬層53-1於電極54-1及基板50-1之間,且繪示非導電金屬層53-2於電極54-2及基板50-2之間。然而,亦可以將電極54-1設置於非導電金屬層53-1及基板50-1之間,且將電極54-2設置於非導電金屬層53-2及基板50-2之間,並不作限制。
第6C圖之觸控顯示裝置5-3,包括基板50-3、非導電金屬層51-3、電極52-3及電極54-3。觸控顯示裝置5-3與觸控顯示裝置5-1、5-2所對應之元件相同,差異僅在於觸控顯示裝置5-3之電極54-3並無非導電金屬層與其相疊而設。
第7A~7C圖繪示第4圖之觸控顯示裝置4於切線2-2之剖面的又另一種實施態樣之示意圖。請參考第7A圖,觸控顯示裝置6-1包括一基板60-1、非導電金屬層61-1、電極62-1、電極64-1、非導電金屬層63-1及基板65-1。於此實施例中,非導電金屬層61-1及電極62-1係使用第一實施例去除基材之方式,形成於基板60-1上。非導電金屬層63-1及電極64-1可以選擇使用第一實施例或第二實施例去除基材之方式形成於基板65-1上。非導電金屬層61-1及電極62-1係對應於第一區P1,第一區P1之電極62-1與非導電金屬層61-1相疊而設。此外,非導電金屬層61-1之單一結構係對應於第二區P2。
請參考第7B圖,觸控顯示裝置6-2包括一基板60-2、非導電金屬層61-2、電極62-2、電極64-2、非導電金屬層63-2及基板65-2。於此實施例中,非導電金屬層61-2及電極62-2係使用第二實施例去除基材之方式,形成於基板60-2之一側上。非導電金屬層63-2及電極64-2係可以選擇以第一實施例或第二實施例去除基材之方式設置於基板65-2之一側上。非導電金屬層61-2及電極62-2係對應於第一區P1,第一區P1之電極62-2與非導電金屬層61-2相疊而設。非導電金屬層61-2之單一結構係對應於第二區P2。
值得注意的是,於第7A~7B圖中,係將非導電金屬層63-1繪示於電極64-1及基板65-1之間,且將非導電金屬層63-2繪示於電極64-2及基板65-2之間。當然,亦可以依照製程或設計的需求,將電極64-1設置於非導電金屬層63-1及基板65-1之間,且將電極64-2設置於非導電金屬層63-2及基板65-2之間,並不作限制。
第7C圖之觸控顯示裝置6-3,包括基板60-3、基板65-3、非導電金屬層61-3、電極62-3及電極64-3。觸控顯示裝置6。3與觸控顯示裝置6-1、6-2所對應之元件相同,差異僅在於觸控顯示裝置6-3之電極64-3並無非導電金屬層與其相疊而設。
第8圖係繪示依照本發明一實施例之複合層結構應用於一觸控顯示裝置7之示意圖。如第8圖所示,觸控顯示裝置7包括觸控面板75、顯示面板76及蓋板78。觸控面板75包括基板70、非導線金屬層72及圖案化透明導電層74。顯示面板76例如係液晶面板、有機發光二極體(OLED)面板或發光二極體面板。於此實施例中,觸控面板75之非導線金屬層72及圖案化透明導電層74,例如係依照本發明之第一實施例或第二實施例之複合層結構L1及複合層結構L2去除基材的形成方式設置於基板70上。
綜上所述,本發明上述實施例之複合層結構具有以下優點:
1. 藉由非導電金屬層與透明導電層形成之複合層結構取代傳統之透明導電層以達到抗蝕刻痕之效果,使得具有此種複合層結構之顯示裝置之可視區的蝕刻痕問題獲得改善。
2.非導電金屬層之製程簡單且穩定,僅需使用蒸鍍或濺鍍的方式即可以成膜。使用蒸鍍或濺鍍的鍍膜方式可以快速、平整且均勻地形成膜厚為奈米等級之非導電金屬薄膜,且非導電金屬層所使用之非導電金屬材料之延展性及撓曲性皆佳。
3. 使用非導電金屬材料形成於透明導電層之鄰側,由於非導電金屬材料的阻抗高,不會發生電性短路的問題。
4. 非導電金屬層與透明導電層皆可以使用乾式成膜的方式形成,故可以整合非導電金屬層與透明導電層之製程,提高良率並縮短製程時間。
2-2...切線
4、4-1、4-2、5-1、5-2、5-3、6-1、6-2、6-3、7...顯示裝置
10、40-1、40-2、50-1、50-2、50-3、60-1、60-2、60-3、65-1、65-2、65-3、70...基板
12、22、22’、32、74...透明導電層
14...調整層
20、30...基材
24、34、41-1、41-2、51-1、51-2、51-3、53-1、53-2、61-1、61-2、61-3、63-1、63-2...非導電金屬層
42、44、42-1、42-2、52-1、52-2、52-3、54-1、54-2、54-3、62-1、62-2、62-3、64-1、64-2、64-3...電極
75...觸控面板
76...顯示面板
78...蓋板
AA...可視區
A1、A2、P1、P2...區
L1、L2...複合層結構
NA...非可視區
第1A圖繪示習知之透明導電層設置於基板上的示意圖。
第1B圖繪示發明人所知悉之改善透明導電層設置於基板上產生蝕刻痕的結構之示意圖。
第2A~2B圖繪示依照本發明一實施例之複合層結構的製造流程圖。
第3A~3B圖繪示依照本發明另一實施例之複合層結構的製造流程圖。
第4圖繪示應用本發明一實施例之觸控顯示裝置之上視圖。
第5A~5B圖係繪示第4圖之觸控顯示裝置於切線2-2之剖面的一種實施態樣之示意圖。
第6A~6C圖繪示如第4圖之觸控顯示裝置以切線2-2切割之剖面的另一種實施態樣之示意圖。
第7A~7C圖繪示如第4圖之觸控顯示裝置以切線2-2切割之剖面的另一種實施態樣之示意圖。
第8圖係繪示依照本發明一實施例之複合層結構應用於一觸控顯示裝置的示意圖。
20...基材
22’...圖案化透明導電層
24...非導電金屬層
L1...複合層結構
A1、A2...區
Claims (22)
- 一種複合層結構,用於一觸控顯示裝置,該複合層結構包括:一基材;一非導電金屬層,設置於該基材上;以及一透明導電層,與該非導電金屬層相疊而設,其中該觸控顯示裝置包括一可視區及一非可視區,該複合層結構對應至該可視區。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合層結構,其中該透明導電層係為一圖案化透明導電層。
- 如申請專利範圍第2項所述之複合層結構,其中該非導電金屬層之面積係大於該圖案化透明導電層之面積。
- 如申請專利範圍第2項所述之複合層結構,其中該複合層包括一第一區及一第二區,該第一區具有該非導電金屬層及該圖案化透明導電層,該第二區具有該非導電金屬層。
- 如申請專利範圍第4項所述之複合層結構,其中該第一區具有一第一光穿透率及一第一光反射率,該第二區具有一第二光穿透率及一第二光反射率,該第一光穿透率及該第二光穿透率的差係小於2.01,該第一光反射率及該第二光反射率的差係小於1.63。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合層結構,其中該非導電金屬層之材質的面阻值係大於106 歐姆/平方(Ω/sq)。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合層結構,其中該非導電金屬層之材質係選擇自銦(In)、錫(Sn)、銦錫合金、銦合金、錫合金、鉭(Ta)或其組合所組成。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合層結構,其中該非導電金屬層之厚度係小於10奈米(nm)。
- 一種觸控顯示裝置,具有一可視區及一非可視區,該觸控顯示裝置包括:一第一基板;一第一非導電金屬層,設置於該第一基板之一側且位於該可視區;以及一第一圖案化透明導電層,與該第一非導電金屬層相疊而設。
- 如申請專利範圍第9項所述之觸控顯示裝置,其中該第一圖案化透明導電層包括複數個第一電極,該些第一電極係以一第一方向排列。
- 如申請專利範圍第10項所述之觸控顯示裝置,更包括一第二圖案化透明導電層,設置於該可視區,其中該第二圖案化透明導電層包括複數個第二電極,該些第二電極係以一第二方向排列,該第一方向與該第二方向係不相同。
- 如申請專利範圍第11項所述之觸控顯示裝置,更包括一第二非導電金屬層,與該第二圖案化透明導電相疊而設。
- 如申請專利範圍第11項所述之觸控顯示裝置, 其中該第二圖案化透明導電層係設置於該第一基板之另一側。
- 如申請專利範圍第13項所述之觸控顯示裝置,更包括一第二非導電金屬層,其中該第二非導電金屬層係設置於該第一基板與該第二圖案化透明導電層之間。
- 如申請專利範圍第11項所述之觸控顯示裝置,更包括一第二基板,與該第一基板相對設置,其中該第二圖案化透明導電層係設置於該第二基板之一側。
- 如申請專利範圍第15項所述之觸控顯示裝置,更包括一第二非導電金屬層,其中該第二非導電金屬層係設置於該第二基板與該第二圖案化透明導電層之間。
- 如申請專利範圍第9項所述之觸控顯示裝置,其中該第一非導電金屬層係設置於該第一基板與該第一圖案化透明導電層之間。
- 如申請專利範圍第9項所述之觸控顯示裝置,其中該非導電金屬層之材質的面阻值係大於106 歐姆/平方(Ω/sq)。
- 如申請專利範圍第9項所述之觸控顯示裝置,其中該非導電金屬層之厚度係小於10奈米(nm)。
- 如申請專利範圍第9項所述之觸控顯示裝置,其中該可視區包括一第一區及一第二區,該第一區具有該第一非導電金屬層及該第一圖案化透明導電層,該第一圖案化透明導電層與該第一非導電金屬層相疊而設,該第二區具有該第一非導電金屬層。
- 如申請專利範圍第20項所述之觸控顯示裝置, 其中該第一區具有一第一光穿透率及一第一光反射率,該第二區具有一第二光穿透率及一第二光反射率,該第一光穿透率及該第二光穿透率的差係小於2.01,該第一光反射率及該第二光反射率的差係小於1.63。
- 如申請專利範圍第9項所述之觸控顯示裝置,更包括一顯示面板,與該第一基板相對設置,其中該顯示面板係為液晶面板、有機發光二極體面板或發光二極體面板。
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