TWI480641B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI480641B
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Pi Ying Chuang
Chuan Chung Wang
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Description

顯示裝置
本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種選擇性地反射具有特定頻譜峰值之光線的顯示裝置。
近年來，液晶顯示器已經廣泛應用於電子產品的顯示螢幕。液晶顯示器有許多不同的形式，包括扭轉向列(twister nematic)，超扭曲向列(super twisted nematic,STN)，平面切換(in-plane switching,IPS)，多區域垂直排列(multi-domain vertical alignment,MVA)等。當施加電壓時可以控制液晶分子的旋轉方向，並調變光的偏振方向，進而影響光通過量而造成亮態及暗態之反差作為顯示結果。
為了控制液晶分子方向，傳統使用向列型液晶(nematic liquid crystal)之形式的顯示器，常將基板之表面配向處理以控制液晶分子的配向，例如進行摩擦(rubbing)處理，用布材摩擦與液晶接觸之基板表面上所塗佈之配向膜表面，不但使製程成本升高且容易降低顯示品質。且前述使用向列(nematic)液晶的顯示器，其應答時間過長，不利於色序法之動態圖像顯示的應用，需要設置彩色濾光片薄膜來呈現彩色的顯示效果。
因此，具有快速反應速度的藍相液晶成為目前業界的研究重點之一。藍相液晶顯示裝置具有反應速度更快、對比度高、視角更廣的優點。然而，藍相液晶所需要的驅動電壓較高，成為發展藍相液晶顯示裝置所需要克服的問題之一。
本發明係有關於一種顯示裝置，且特別是一種利用藍相液晶層選擇性地反射一特定頻譜峰值之光線，以降低驅動電壓。
根據本發明之第一方面，提出一種顯示裝置，包括第一基板、第二基板、藍相液晶層及光學元件。第一基板具有一顯示區。第一與第二基板相對而設。藍相液晶層設於第一與第二基板間並選擇性地反射一光線，光線的頻譜峰值位於一交叉區間內，且交叉區間為光波長介於480nm至520nm之間的區間。光學元件至少具有調整光線之相位之功能及吸收光線之功能兩者之一。
根據本發明之第二方面，提出一種顯示裝置，包括第一基板、第二基板、藍相液晶層及光學元件。第一基板具有一顯示區。第一與第二基板相對而設。藍相液晶層設於第一與第二基板間並選擇性地反射一光線，光線的頻譜峰值位於一交叉區間內，且交叉區間為光波長介於560nm至600nm之間的區間。光學元件至少具有調整光線之相位之功能及執行吸收光線之功能兩者之一。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
以下說明發明人所知悉的藍相液晶高操作偏壓的問題與解決方式，以及應用此解決方式所研發出的顯示裝置。
藍相液晶顯示器係利用施加偏壓以產生電場時，使得藍相液晶之等效折射率橢球變成非等向，產生雙折射(birefringence)效應，雙折射率的公式為⊿n=λKE2 ，其中，λ為光波長，K係克爾係數，E為施加偏壓產生的電場。因此，若希望降低施加的偏壓，可以從提高克爾係數K著手。克爾係數的公式如下：K Δn ‧Δε，其中，K係克爾係數，⊿n係雙折射率，⊿ε是介電異向性(dielectric anisotropy)，k是彈性係數，P是螺旋軸距(Pitch)。
由於藍相液晶的操作溫度範圍較為狹窄，可以使用高分子提供網狀結構以安定藍相液晶，進而提高藍相液晶的作用溫度範圍。高分子安定化之藍相液晶(Polymer Stabilized Blue Phase Liquid Crystal,PSBPLC)通常包括液晶主體、旋光物質摻雜及高分子，PSBPLC不會改變藍相液晶之高速應答性，不過需要提高偏壓以控制藍相液晶的亮暗態。而且，於藍相液晶中摻雜的旋光物質越多，會使得液晶的澄清點(clearing point)下降，使得液晶在高溫環境的顯示效果失常。減少旋光物質於藍相液晶中的摻雜，不但避免澄清點下降的問題，還可以提升克爾係數K以降低施加偏壓。
然而，提高螺旋軸距(pitch)，也會改變藍相液晶所反射的光線之波長。根據布拉格反射定理(Bragg’s law)，當光線的波長與藍相液晶的晶格大小相近時，會產生光的建設性干涉，使得特定波長的光會被藍相液晶反射。根據布拉格反射的公式，可以設計藍相液晶反射的光線的波長峰值，反射光的波長峰值λpeak =，其中，n係平均折射率，P是螺旋軸距，h、k、l係液晶晶格的米勒指數。由於減少旋光物質的摻雜會提高藍相液晶的螺旋軸距P，而提高反射光的波長峰值λpeak ，使得反射光的波長峰值λpeak 位移至可見光(波長380nm～780nm)的範圍，在明亮的環境下，顯示器容易產生很強烈的反光。因此，需要設計一種顯示裝置在不影響發光效率的前提下，減少對環境反射光之程度。
請參考第1A～1B圖，其繪示依照本發明一實施例之顯示裝置10的示意圖。第1A圖所示之顯示裝置10，係以第1B圖之顯示裝置10於切線2-2之剖面作繪示。如第1A圖所示，顯示裝置10，包括第一基板100、第二基板120及藍相液晶層140，藍相液晶層140設置於第一基板100與第二基板120之間。第一基板100具有一走線區A1及一顯示區A2，且第一基板100包括基材102、開關元件S1、電容C1及電極結構L1。電容C1及電極結構L1之間的延伸區段係省略以斷面表示。開關元件S1及電容C1設於走線區A1，電極結構L1設於顯示區A2。電極結構L1可作為一畫素電極及一共同電極至少一者。開關元件S1係電性連接電極結構L1。
於此實施例中，電極結構L1例如係矩形且由複合層堆疊而成。當然，電極結構L1亦可以係單一層所形成，並不作限制。複合層所堆疊而成之電極結構L1可以包括氧化層106、主動層108a、蝕刻阻擋層110、介電層117、保護層113b及導電層114，亦可以僅包括蝕刻阻擋層110及導電層114。較佳地，導電層114覆蓋於其他複合層的上方，然而，導電層114亦可以設置於電極結構L1的其他位置，並不作限制。此外，電極結構L1之各個材料層的高度及寬度可以不相同，並不作限制。
於一實施例中，介電層117係選擇自氧化物、矽化物、氮化物、氮氧化物、樹脂及其組合所構成之群組，導電層114係選擇自金屬、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物及其組合所構成之群組。電極結構L1的高度係2μm(微米)至10μm，且電極結構L1的最大寬度係2μm至20μm。
於一實施例中，開關元件S1例如係一薄膜電晶體元件，包括金屬層104、氧化層106、主動層108a、摻雜層108b、蝕刻阻擋層110、金屬層112、保護層113a、介電層116及間隙控制層118。保護層113a設置於部份之金屬層112上，用以保護金屬層112。介電層116例如係包括遮光層或/及保護層。值得注意的是，於製程過程中，電極結構L1之蝕刻阻擋層110與開關元件S1之蝕刻阻擋層110可以係以相同材料同時形成，而且，電極結構L1之保護層113b與開關元件S1之保護層113a可以係以相同材料同時形成。因此，可以在不增加製程繁複度的前提下，提高電極結構L1的高度。於此實施例中電極結構L1相較於傳統較薄之單層電極層，在施加相同的電壓下，可以提供較大的水平電場強度，因而可應用在需要較大電場才可以驅動高分子安定化藍相液晶顯示裝置中。
如第1A圖所示，顯示裝置10更可以包括光學元件160及光學元件180，分別設置於第一基板100及第二基板120的外側，光學元件160可以包括偏光板162及四分之一波板(quarter wave plate)164，光學元件180可以包括偏光板182及四分之一波板184。四分之一波板164及四分之一波板184，可以調整通過之光線的相位。偏光板162及偏光板182分別設置於四分之一波板164及四分之一波板184的外側。
第1B圖係繪示如第1A圖之顯示裝置10的上視圖。值得注意的是，第1B圖僅繪示一種電極結構L1的俯視圖排列形式，並非用以限定電極結構的形式。電極結構亦可以為鋸齒狀、輻射狀、梳狀等對稱或不對稱的其他形狀排列。請參考第2A～2C圖，其繪示如第1B圖之電極結構L1的其他形式之上視示意圖。
請參考第2A圖，電極結構之電極L11及電極L12，係包括以J軸方向排列及K軸方向排列之形式。當偏光板162及偏光板182(繪示於第1A圖)的偏振方向分別為0度(A軸方向)及90度(P軸方向)時，電極L11及電極L12中，J軸方向排列之分支電極係與A軸夾θ1角，K軸方向排列之分支電極係與A軸夾θ2角，J軸方向排列之分支電極係與P軸夾θ3角，K軸方向排列之分支電極與P軸夾θ4角。於此實施例中，θ1實質上為45度，θ2實質上為135度，θ3實質上為135度，θ4實質上為45度。因此，各個領域中的電場方向分別與偏光板的偏振方向夾約45度及135度角。
第3A圖係繪示依照本發明一實施例之顯示裝置消除環境反射光的機制之示意圖。於此為方便說明，係簡化顯示裝置10的細部構造，僅繪示藍相液晶層140及光學元件180，且光學元件180包括偏光板182及四分之一波板184。外在環境光SL包括n1軸及n2軸方向的光，且n1軸及n2軸互相垂直。偏光板182之偏振方向沿n1軸排列，且偏光板182之偏振方向與四分之一波板184之慢軸(未繪示)的夾角實質上為45度。
當外在環境光SL通過偏光板182時，僅n1軸方向的光線可以繼續通過，並由四分之一波板184進行第一次的相位調整為一旋光K1(例如係一右旋光)後入射至藍相液晶層140，受到藍相液晶層140的反射後轉換為另一旋光K2(例如係一左旋光)，再次通過四分之一波板184並經過第二次的相位調整後成為n2軸方向的線性光。由於兩次的相位調整剛好使得入射之環境光SL由n1軸方向旋轉90度至n2軸方向，所以會被偏光板182所吸收，如此一來，可以解決反光過強的問題。
於此實施例中，背光模組BL係設置於偏光板162之外側。背光模組BL可以係一藍光發光二極體(LED)與黃色磷光體所組成的白光光源，或是藍光LED、藍光LED加上綠色磷光體及藍光LED加上紅色磷光體所組成的白光光源。當然，亦可以係藍光LED、紅光LED及綠光LED所組成的白光光源，並不作限制。於一實施例中，可以不需要四分之一波板164及四分之一波板184，直接以一染料層，例如係一有機染料層，用以吸收特定波段之光線，達到吸收藍相液晶層140所反射光之光的效果，避免反射光太強的問題。有機染料之光學元件亦可以混在藍相液晶層140中，或是混設於偏光板182中。
第3B圖係繪示依照本發明一實施例之顯示裝置之背光模組BL受到光學元件吸收的機制之示意圖。於此為方便說明，係簡化顯示裝置10(會適於第1A圖)的細部構造，僅繪示藍相液晶層140及光學元件160，且光學元件160包括偏光板162及四分之一波板164。外在環境光SL包括n1及n2方向的光，且n1及n2互相垂直。偏光板162之偏振方向與四分之一波板164之慢軸(未繪示)的夾角實質上為45度。
於此實施例中，背光模組BL所發出的光，同樣包括n1軸方向及n2軸方向的光線。在通過偏光板162後僅n1軸方向的光線可以繼續通過至四分之一波板164，以進行第一次的相位調整為一旋光K1(例如係一右旋光)後入射至藍相液晶層140，受到藍相液晶層140的反射後轉換為另一旋光K2(例如係一左旋光)，再次通過四分之一波板164並經過第二次的相位調整後成為n2軸方向的線性光。由於兩次的相位調整剛好使背光模組BL所發出的光由n1軸方向旋轉90度至n2軸方向，所以會被偏光板162所吸收，因此，若受到藍相液晶層140反射而被偏光板162吸收的光線波段若未經過選擇，則會造成顯示裝置的發光效率不佳。
請參考第4圖，其繪示依照本發明另一實施例之顯示裝置20的示意圖。如第4圖所示，顯示裝置20包括第一基板200、第二基板220及藍相液晶層240。第一基板200具有一走線區A1及一顯示區A2，且第一基板200包括一基材202、一開關元件S2及一電極結構L2，開關元件S2係設於走線區A1，電極結構L2係設於顯示區A2。於製程過程中，電極結構L2之蝕刻阻擋層210與開關元件S2之蝕刻阻擋層210可以係以相同材料同時形成。電極結構L2之保護層213b與開關元件S2之保護層213a可以係以相同材料同時形成。顯示裝置20與顯示裝置10所對應的元件、製程材料及製程方式可以相同，差異僅在於顯示裝置20的電極結構L2係梯形。於其他實施例中，電極結構可為不對稱堆疊之凸起電極，只要電極結構之下層寬度相對大於或等於上一層之寬度即可，堆疊層數亦不限制。
顯示裝置20之外在環境光SL與背光模組BL與光學元件260及280之間的作用機制，係與前述之顯示裝置10的外在環境光SL與背光模組BL與光學元件160及180之間的作用機制相同，於此不再贅述。換句話說，不論顯示 裝置10或顯示裝置20，可以設計藍相液晶層140及藍相液晶層240所選擇反射之光的光波長於一特定波段，以避免發光效率降低的問題。藍相液晶層140及藍相液晶層240所反射光之光波長的選擇，將詳細說明於後。
第5圖係繪示一實施例之背光模組BL之光頻譜圖。橫軸係表示波長(nm)，縱軸表示發光的相對光強度，發光的相對光強度係一相對定義值而故以任意單位(Arbitrary Unit)表示。如第5圖所示，以藍光LED與黃色磷光體所組成的光源之頻譜，在接近490nm~500nm的區間內有相對較小的光強度。藍光LED與黃色磷光體所組成的光源，必須要配合彩色濾光片的使用才可以顯示出不同色彩的色像。
請接著參考第6~8圖係繪示依照本發明不同實施例之背光模組BL之光頻譜圖。第6圖繪示藍光LED與黃色磷光體所組成的背光模組BL在通過兩種不同之彩色濾光片後的光穿透率頻譜圖。於此實施例中，彩色濾光片(未繪示出)可以採設於陣列基板上(Color Filter On Array，COA)的形式設置於第一基板100上。
如第6圖所示，曲線1係繪示第一種彩色濾光片的光穿透率頻譜，曲線2係繪示第二種彩色濾光片的光穿透率頻譜。曲線3係繪示如第5圖之藍光LED與黃色磷光體光源通過第一種彩色濾光片的光穿透率頻譜，曲線4係繪示如第5圖之藍光LED與黃色磷光體光源通過第二種彩色濾光片的光穿透率頻譜。於此實施例中，曲線3及曲線4的兩個波谷很接近，分別是490nm及580nm。表示通過彩色濾光片後的光源在490nm及580nm的波長有最小光強度。並且，通過彩色濾光片後的光源之頻譜在接近470nm～510nm的區間與接近560nm～590nm的區間內有相對最小的光強度。
請參考第7圖，其繪示藍光LED加上綠色磷光體及紅色磷光體所組成的背光模組BL之光頻譜圖。其不同之曲線代表不同背光模組之光頻譜圖，BL1～BL3分別為藍光LED加上綠色磷光體及紅色磷光體所組成的背光模組。藍光LED加上綠色磷光體及紅色磷光體所組成的光源，可以應用於場色序法(Field Sequential Color，FSC)點亮，而不需要彩色濾光片的設置。如第7圖所示，以藍光LED加上綠色磷光體及紅色磷光體所組成的光源之頻譜具有兩個波谷，分別位於495nm及590nm，且在470nm～520nm的區間內及570nm～610nm的區間內有相對較小的光強度。
請接著參考第8圖，其繪示藍光LED加上綠色磷光體及紅色磷光體所組成的背光模組BL在通過彩色濾光片後的光穿透率頻譜圖。第8圖之組合1～組合4的曲線係代表任選4種不同之彩色濾光片搭配不同之背光模組的組合1～4之光頻譜圖。如第8圖所示，通過彩色濾光片後的光源需要考慮到彩色濾光片的穿透率影響，因此光源之頻譜的兩個波谷有些許改變，分別是接近495nm及接近580nm。並且，通過彩色濾光片後的光源之頻譜在接近475nm～515nm的區間與接近560nm～590nm的區間內有相對最小的光強度。
第9圖之光頻譜圖係根據400nm至700nm之間的CIE 1931標準色度觀察者XYZ函數所繪示。X刺激值貢獻給人眼主要為紅色色覺加上些微藍色色覺，Y刺激值貢獻給人眼主要為綠色色覺，而Z刺激值貢獻給人眼主要為藍色色覺。如第9圖所示，Z刺激值與Y刺激值具有一交叉點，對應至接近500nm的波長值。Z刺激值與Y刺激值的交叉點加減20nm係定義為一交叉區間，實質上介於480nm至520nm之間，且較佳地介於490nm至510nm之間。Y刺激值與X刺激值具有一交叉點，對應至接近580nm的波長值。並且，Y刺激值與X刺激值的交叉點加減20nm係定義為另一交叉區間，實質上介於560nm至600nm之間，且較佳地介於570nm至590nm之間。
為了降低藍相液晶層的選擇性反射現象，本發明上述實施例的顯示裝置10及顯示裝置20，其分別受到藍相液晶層140及藍相液晶層240反射之光線的頻譜峰值定義在上述的交叉區間內。從前述第6及8圖的說明可得知，即便藍相液晶層140及藍相液晶層240選擇性地反射交叉區間內之波長的光線，光源通過彩色濾光片後落於該交叉區間範圍內的光線之穿透率亦較差，故其損失的光強度仍然較低，因而可以維持顯示裝置10及顯示裝置20的發光效率。亦即，本發明上述之實施例將藍相液晶層選擇性反射光線之波長設計於交叉區間內，當藍相液晶層反射環境光之光線落於此交叉區間內時，被藍相液晶層反射之環境光會被消除。而且從第5～8圖可知，此交叉區間內之穿透率本就較差，若藍相液晶層反射來自背光模組的光線也落於此交叉區間內，表示穿過藍相液晶層的光線只損失落於此交叉區間內波長之光線，故而損失較小，因而可維持顯示裝置之發光效率。
綜上所述，不論背光模組的光源是否需要配合彩色濾光片作應用，本發明上述實施例之顯示裝置，藉由將藍相液晶層所選擇反射之反射光的頻譜峰值定義於交叉區間內，由於交叉區間內光線之光強度以及穿過彩色濾光片的穿透率都為相對低點，即便光線受到偏光板或是有機染料的吸收，其損失的光強度仍然較低，因而可以維持顯示裝置的發光效率。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、20．．．顯示裝置
100、120、200、220．．．板
102、202．．．基材
104、112．．．金屬層
106．．．氧化層
108a．．．主動層
108b．．．摻雜層
110、210．．．蝕刻阻擋層
113a、113b、213a、213b．．．保護層
114．．．導電層
116．．．介電層
118．．．間隙控制層
140、240．．．藍相液晶層
160、180、260、280．．．光學元件
162、182、262、282．．．偏光板
164、184、264、284．．．四分之一波板
2-2‧‧‧切線
A1、A2‧‧‧區
A、P、J、K、n1、n2‧‧‧軸方向
C1‧‧‧電容
BL‧‧‧背光模組
L1‧‧‧電極結構
L11、L12‧‧‧電極
K1、K2‧‧‧旋光
S1‧‧‧開關元件
SL‧‧‧外在環境光
V‧‧‧開口
第1A圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。
第1B圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的上視圖。
第2A～2C圖係繪示依照本發明一實施例之電極結構的其他形式示意圖。
第3A圖係繪示依照本發明一實施例之顯示裝置消除環境反射光的機制之示意圖。
第3B圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置之背光模組受到光學元件吸收的機制之示意圖。
第4圖繪示依照本發明一實施例之顯示裝置的示意圖。
請參考第5～8圖係繪示依照本發明不同實施例之背光模組之光頻譜圖。
第9圖係繪示一Z刺激值、一Y刺激值與一X刺激值的光頻譜圖。
10．．．顯示裝置
100、120．．．板
102．．．基材
104、112．．．金屬層
106．．．氧化層
108a．．．主動層
108b．．．摻雜層
110．．．蝕刻阻擋層
113a、113b．．．保護層
114．．．導電層
116．．．介電層
118．．．間隙控制層
140．．．藍相液晶層
160、180．．．光學元件
162、182．．．偏光板
164、184．．．四分之一波板
A1、A2．．．區
C1．．．電容
BL．．．背光模組
L1．．．電極結構
S1．．．開關元件
SL．．．外在環境光
V．．．開口

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包括：一第一基板，具有一顯示區；一第二基板，與該第一基板相對而設；一藍相液晶層，設置於該第一基板與該第二基板之間，該藍相液晶層係選擇性地反射一光線，該光線的頻譜峰值係位於一交叉區間內，且該交叉區間係為光波長介於480nm至520nm之間的區間；以及一光學元件，至少具有調整該光線之相位之功能及吸收該光線之功能兩者之一，該光學元件至少設於該藍相液晶層之一側。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該交叉區間係對應至一刺激值頻譜與一另一刺激值頻譜的交點，且該交叉區間係為光波長介於490nm至510nm之間的區間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該光學元件至少設於該藍相液晶層之一側。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包括一背光模組，用以提供一背光，該背光模組包括至少一藍光發光二極體及至少一磷光體，該磷光體包括一黃色磷光體、一綠色磷光體及一紅色磷光體至少一者。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該光學元件係包括一四分之一波板。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該光學元件係包括一吸光染料，該吸光染料係混合於該藍相 液晶層中。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一基板包括：一基材；複數個電極結構，設於該基材上；以及複數個開關元件，設於該基材上且電性連接至對應之該電極結構，其中各該電極結構係層狀、梯形狀、T型狀或不對稱凸起狀之電極。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中各該電極結構包括一導電層及一蝕刻阻擋層，該導電層覆蓋該蝕刻阻擋層，且各該開關元件具有一另一蝕刻阻擋層，該蝕刻阻擋層與該另一蝕刻阻擋層的材料相同且係同時形成。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該電極結構更包括一介電層，該介電層係選擇自氧化物、矽化物、氮化物、氮氧化物、樹脂及其組合所構成之群組。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該光學元件更包括一偏光板，設置於該四分之一波板之一側，該偏光板之偏光軸與該四分之一波板之慢軸的夾角實質上為45度。
  11. 一種顯示裝置，包括：一第一基板，具有一顯示區；一第二基板，與該第一基板相對而設；一藍相液晶層，設置於該第一基板與該第二基板之間，該藍相液晶層係選擇性地反射一光線，該光線的頻譜 峰值係位於一交叉區間，且該交叉區間為光波長介於560nm至600nm之間的區間；以及一光學元件，至少具有調整該光線之相位之功能及執行吸收該光線之功能兩者之一，該光學元件至少設於該藍相液晶層之一側。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該交叉區間係對應至一刺激值頻譜與一另一刺激值頻譜的交點，且該交叉區間係為光波長介於570nm至590nm之間的區間。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該光學元件至少設於該藍相液晶層之一側。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，更包括一背光模組，用以提供一背光，該背光模組包括至少一藍光發光二極體及至少一磷光體，該磷光體包括一黃色磷光體、一綠色磷光體及一紅色磷光體至少一者。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該光學元件包括一四分之一波板。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該光學元件包括一吸光染料，該吸光染料係混合於該藍相液晶層中。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該第一基板包括：一基材；複數個電極結構，設於該基材上；以及複數個開關元件，設於該基材上且電性連接至對應之 該電極結構，其中各該電極結構係層狀、梯形狀、T型狀或不對稱凸起狀之電極。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中各該電極結構包括一導電層及一蝕刻阻擋層，該導電層覆蓋該蝕刻阻擋層，且各該開關元件具有一另一蝕刻阻擋層，該蝕刻阻擋層與該另一蝕刻阻擋層的材料相同且係同時形成。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，其中該電極結構更包括一介電層，該介電層係選擇自氧化物、矽化物、氮化物、氮氧化物、樹脂及其組合所構成之群組。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中該光學元件更包括一偏光板，設置於該四分之一波板之一側，該偏光板之偏光軸與該四分之一波板之慢軸的夾角實質上為45度。
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