TWI475675B - 固態影像拾取設備，用以製造該設備之方法，及電子裝置 - Google Patents

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Description

固態影像拾取設備，用以製造該設備之方法，及電子裝置
本發明係關於一種固態影像拾取設備、一種用於製造該設備之方法、一種設計方法及一種電子裝置，且特定言之係關於一種由同一晶片上混合之一微機電系統(MEMS)元件形成之固態影像拾取設備、一種用於製造該設備之方法及一種電子裝置。
舉例而言，電子裝置(諸如數位視訊電子裝置、數位靜態電子裝置及類似物)具有一固態影像拾取設備(諸如一電荷耦合裝置(CCD)影像感測器或一互補金屬氧化矽(CMOS)電晶體影像感測器)。
舉例而言，日本專利特許公開案第2004-153503號(下文中被稱為專利文獻1)揭示一種具有併入上述之一現有固態影像拾取設備中之一角速度感測器部分之相機模組。特定言之，該相機模組具有其中一角速度感測器部分係安裝於一影像拾取系統部分之一外罩/外殼上之一構造。
在專利文獻1之相機模組中，該影像拾取系統部分及該角速度感測器部分彼此整合為一相機模組，但是並非提供於同一晶片上。因此，一安裝面積及一安裝體積增加，且難以減小該裝置之大小。
舉例而言，日本專利特許公開案第2009-139202號(下文中被稱為專利文獻2)揭示一種具有整合於同一晶片上之一CMOS電路及一電容類型MEMS元件之半導體裝置。雖然一CMOS電路及一電容類型MEMS元件係整合於同一晶片上，但是此構造並非係具有整合於同一晶片上之一固態影像拾取設備及一MEMS元件之一構造。
舉例而言，日本專利特許公開案第2001-4658號(下文中被稱為專利文獻3)展示一種構造，其中由一MEMS元件形成之一雙軸半導體加速度感測器係藉由晶圓層壓產生。
舉例而言，在專利文獻3中，一種用於製造一雙軸半導體加速度感測器之方法在一半導體基板之背表面及一支撐基板之主表面之至少一者中形成一凹陷，且隨後使該半導體基板之背表面側及該支撐基板之主表面側彼此層壓。接著，蝕刻該半導體基板以形成由該半導體基板之一部分製成之一支撐部分、一重量部分、一樑及一固定電極。
可藉由相對簡單的製造程序(諸如於一半導體基板或一支撐基板中形成一凹陷之一程序、使該半導體基板及該支撐基板彼此層壓之一程序、蝕刻該半導體基板之一程序及類似物)提供具有高靈敏度之一雙軸半導體加速度感測器。
雖然藉由晶圓層壓形成由一MEMS元件形成之一雙軸半導體加速度感測器，但是此構造並非係具有整合於同一晶片上之一固態影像拾取設備及一MEMS元件之一構造。
本文所揭示的係在與一固態影像拾取設備相同之一晶片上提供一MEMS元件之一或多個揭示內容。因此可藉由在與該固態影像拾取設備相同之晶片上提供該MEMS元件微型化一裝置。
根據一實施例，一固態影像拾取設備包含一基板、一固態影像拾取裝置及一微機電系統(MEMS)裝置。該固態影像拾取裝置及該MEMS裝置係經組態以形成於相同基板上。
根據一實施例，一電子裝置包含一固態影像拾取設備及處理藉由該固態影像拾取裝置產生之信號之一電路。該固態影像拾取設備包含(i)一基板、(ii)一固態影像拾取裝置及(iii)一微機電系統(MEMS)裝置。該固態影像拾取裝置及該MEMS裝置係形成於相同基板上。
根據一實施例，製造一固態影像拾取裝置之一方法包含在一裝置基板上指定至少一微機電系統(MEMS)裝置區域及一固態影像拾取區域。於該MEMS裝置區域上形成一MEMS裝置。此外，於該固態影像拾取區域上形成一固態影像拾取裝置，同時形成該MEMS裝置。
根據一實施例，製造一固態影像拾取裝置之一方法包含在一裝置基板上指定至少一微機電系統(MEMS)裝置區域及一固態影像拾取區域。於該裝置基板上形成一絕緣層。於該MEMS裝置區域上形成一MEMS裝置。在該固態影像拾取區域中形成一固態影像拾取裝置，同時形成該MEMS裝置。在該絕緣層中形成一間隙以暴露該MEMS裝置之一部分。於該MEMS裝置區域及該固態影像裝置區域上方固定一支撐基板。此外，形成於該MEMS裝置區域中並曝露該MEMS裝置之一部分之該間隙保留在該絕緣層中。
下文將描述具體實施本發明(本文被稱為實施例)之原理之裝置及構造。該描述將以下列順序實施。
1.　第一實施例(在相同晶片上具有作為MEMS元件之XY軸位置感測器之固態影像拾取設備)
2.　第二實施例(在相同晶片上具有作為MEMS元件之Z軸位置感測器之固態影像拾取設備)
3.　第三實施例(在相同晶片上具有作為MEMS元件之麥克風之固態影像拾取設備)
4.　修改之第一實例
5.　修改之第二實例
6.　第四實施例(應用於電子裝置)
<第一實施例> [固態影像拾取設備之構造]
根據本實施例之一固態影像拾取設備係在同一晶片上具有作為MEMS元件之XY軸位置感測器之一固態影像拾取設備。
一微機電系統(MEMS)元件係一微小機電元件，且大致上亦被稱為一微型機器。舉例而言，一MEMS元件具有一可移動部分(諸如一樑、一膜或類似物)，其位置係可根據一慣性力、振動或類似物而變化，且可形成藉由電偵測該樑或該膜之位置感測該慣性力或該振動之一感測器。
舉例而言，一MEMS元件可形成相對於一慣性力偵測XY軸之一位置感測器、相對於一慣性力偵測一Z軸之一位置感測器或感測空氣振動之一麥克風。
本實施例具有作為如上所述之一MEMS元件之一XY軸位置感測器。
圖1A係根據該第一實施例之固態影像拾取設備之一平面圖。圖1B係根據該第一實施例之固態影像拾取設備之一示意截面圖。
舉例而言，由一矽基板及一支撐基板20製成之一裝置基板10係用氧化矽之一絕緣膜15或類似物彼此層壓。藉此形成一半導體基板。
舉例而言，該半導體基板係被分隔為一MEMS元件區域R1、一引線電極區域R2、一襯墊電極區域R3、一周邊電路區域R4及一固態影像拾取元件區域R5。
舉例而言，該MEMS元件區域R1包含一振動電極區域R11及一固定電極區域R12。
舉例而言，由一第一導電層16a及一第二導電層17a形成之一振動電極係被嵌入該振動電極區域R11中。
由一第一導電層16b及一第二導電層17b形成之一固定電極係被嵌入該固定電極區域R12中。該振動電極及該固定電極形成一平行板型電容元件。
在此情況中，舉例而言，該振動電極具有此一形狀使其以一樑之形式突出於一隔膜DF結構之一中空部分中。稍後將描述此結構。
舉例而言，在該裝置基板10之絕緣膜15側上之一表面中形成一淺溝渠隔離(STI)元件隔離絕緣膜11，其使該襯墊電極區域R3、該周邊電路區域R4、該固態影像拾取元件區域R5及類似物彼此分隔。進一步言之，在該裝置基板10之必要區域中形成一導電雜質擴散層12。
舉例而言，在該裝置基板10之該絕緣膜15側上形成一閘極電極13，其中一閘極絕緣膜(該等圖式中未展示)係插入於該周邊電路區域R4、該固態影像拾取元件區域R5及類似物之該裝置基板10與該閘極電極13之間。在該閘極電極13之兩側上皆形成一側壁絕緣膜14。
此外，在該裝置基板10中於形成該側壁絕緣膜14之區域處及該側壁絕緣膜14之兩側部分形成一源極及一汲極(該等圖式中未展示)。如上所述形成金屬氧化物半導體(MOS)電晶體。
舉例而言，在該固態影像拾取元件區域R5中，形成光電二極體(該等圖式中未展示)以於與該絕緣膜15相對之一側上之該裝置基板10之一表面中以逐像素為基礎分隔。藉由配置包含以一矩陣之形式之該等光電二極體之像素形成一光接收表面。
舉例而言，在該裝置基板10之該光接收表面側上之表面上(不包括該等像素之入射光區域)形成一遮光膜21。按所需在該等像素之入射光區域對每一像素形成紅色、綠色及藍色之色彩濾光器22。
舉例而言，於該等色彩濾光器22上形成由一光學透明樹脂製成之一晶片上透鏡23a，且於該遮光膜21上形成由形成該晶片上透鏡23a之材料製成之一樹脂層23。
舉例而言，在該襯墊電極區域R3、該周邊電路區域R4及該固態影像拾取元件區域R5中，形成連接至該等MOS電晶體之閘極電極之上層佈線16及一襯墊電極17及類似物以使其等嵌入該絕緣膜15中。
形成一襯墊開口部分P以曝露該襯墊電極區域R3中之該襯墊電極17。
此外，以類似於該襯墊開口部分P之一方式在該振動電極區域R11中形成一開口部分，藉此形成一隔膜結構。
圖2A係展示根據本實施例之該固態影像拾取設備中提供之MEMS元件之細節之一平面圖。圖2B至圖2E分別係沿圖2A中之線B-B'、C-C'、D-D'及E-E'取得之示意截面圖。
用插入於該裝置基板10與該支撐基板20之間之絕緣膜15使該裝置基板10與該支撐基板20彼此層壓。
形成一板狀振動電極之該第一導電層16a及該第二導電層17a及形成一固定電極之該板狀第一導電層16b及該第二導電層17b係交替地配置成彼此並行。雖然該等圖式展示三個固定電極及配置於該三個固定電極之間之兩個振動電極，但是本發明並不限於此。
該等固定電極及該等振動電極係各自嵌入該絕緣膜15中。在該等固定電極及該等振動電極之區域中，自該裝置基板10側至該支撐基板20之表面形成開口部分，藉此形成一薄膜結構DF。
在此情況中，如圖2B及圖2D所示，形成一空氣間隙15v以與在該等振動電極之支撐基板20側上形成該薄膜結構DF之一空氣間隙連通。該等振動電極藉此具有位置可根據一慣性力、振動或類似物變化之一樑狀結構。
該等固定電極之支撐基板20側上並不存在該上述空氣間隙15v。該等固定電極因此被充分固定至該支撐基板20。
該等振動電極及該等固定電極形成一平行板型電容元件。該等振動電極之位置係可根據一慣性力、振動或類似物變化。因此，藉由偵測該電容元件之電容感測該等振動電極之位移，使得可量測該慣性力或該振動。
在本實施例中，該MEMS元件形成一XY軸位置感測器。
舉例而言，經由一浮動擴散或類似物將藉由該上述固態影像拾取元件區域R5中之每一像素之光電二極體接收光獲得之一光信號轉換為一電壓信號或類似物。該電壓信號穿過一相關雙取樣(CDS)電路或類似物，且接著輸出為一像素信號。自每一像素輸出之該像素信號構建影像資料。
按照需要在該周邊電路區域R4中形成各種影像處理電路使得由如上述獲得之該等像素信號組成之該影像資料可經歷影像處理。
根據上述本實施例之該固態影像拾取設備使該MEMS元件被提供於與該固態影像拾取設備相同之晶片上。因此可藉由減小該裝置之安裝面積小型化該裝置。
接著將描述製造根據該第一實施例之該固態影像拾取設備之一方法。
圖3A至圖3N係表示用於製造根據本實施例之固態影像拾取設備之方法之製造程序之示意截面圖。
首先，舉例而言，如圖3A所示，形成一STI元件隔離絕緣膜11以分隔該襯墊電極區域R3、該周邊電路區域R4、該固態影像拾取元件區域R5及該裝置基板10之類似物。STI元件隔離之凹槽之深度係約0.2微米至0.5微米。該STI元件隔離絕緣膜11係藉由一化學氣相沈積(CVD)方法或類似方法嵌入氧化矽或類似物而形成。
接著，如圖3B所示，在該裝置基板10之必要區域，例如該MEMS元件區域R1(該振動電極區域R11及該固定電極區域R12)、該固態影像拾取元件區域R5及類似物中形成一導電雜質擴散層12。舉例而言，執行像素形成、周邊電路形成及振動電極形成之離子植入。
在此情況中，為減小程序，一振動電極之離子植入可能為像素形成及周邊電路形成之離子植入之兩倍。然而，僅具有相同極性之一雜質被離子植入該振動電極。
在此情況中，該導電雜質可為一N型或一P型。然而，期望選擇一導電雜質使得離子植入係在儘可能高濃度下執行。
接著，舉例而言，如圖3C所示，在該周邊電路區域R4、該固態影像拾取元件區域R5及類似物中形成一閘極絕緣膜(圖式中並未展示)及一閘極電極13。用該閘極電極13離子植入一導電雜質作為一遮罩以形成圖式中並未展示之一延伸區域。
接著，在該閘極電極13之兩側部分上形成一側壁絕緣膜14。用該側壁絕緣膜14離子植入一導電雜質作為一遮罩以形成源極-汲極區域。
按照需要適當地執行一雜質活化程序(諸如一快速熱退火(RTA)程序或類似物)。如上所述形成MOS電晶體。
接著，舉例而言，如圖3D所示，在一整個表面上方形成氧化矽之一絕緣膜15a或類似物以遮蓋該等MOS電晶體。
上層佈線16係在該襯墊電極區域R3、該周邊電路區域R4及該固態影像拾取元件區域R5中按適當地嵌入該絕緣膜15中。形成一襯墊電極17以連接至該上層佈線16。
此外，以類似於形成該上層佈線之程序之方式在該振動電極區域R11及該固定電極區域R12中形成第一導電層16a及16b，且以類似於形成該襯墊電極17之程序之方式形成第二導電層17a及17b。
在上文中，該等第一導電層16a及16b以及該等第二導電層17a及17b係經佈局以形成如圖2A至圖2E所示之一平行板型電容元件之電極。
接著，舉例而言，如圖3E所示，在該襯墊電極17及該等第二導電層17a及17b上方形成氧化矽或類似物。在圖3E中，該氧化矽或類似物係展示為用該上述絕緣膜15a整合之一絕緣膜15b。
接著，舉例而言，藉由一化學機械拋光(CMP)程序平面化該絕緣膜15b之上表面。
接著，如圖3F所示，舉例而言，在該振動電極區域R11中圖案化形成具有一開口之一光阻膜PR1，且以該光阻膜PR1作為一遮罩來執行一異向性蝕刻程序(諸如反應離子蝕刻(RIE)或類似物)。藉此形成曝露該第二導電層17a之上部分之一空氣間隙15v。
上述蝕刻之總量係足以在該裝置基板與該支撐基板接合在一起時防止該振動電極之上部分接合之一總量。
接著，如圖3G所示，舉例而言，使分開製備之支撐基板20層壓至該絕緣膜15b之上表面。表面經平面化之氧化矽之一絕緣膜15c係預先形成為該支撐基板20之層壓表面。
接著，如圖3H所示，舉例而言，在室溫至400℃之一範圍中執行一電漿接合程序以使該絕緣膜15b與該絕緣膜15c彼此整合。在圖3H中，該絕緣膜15b與該絕緣膜15c係彼此整合，且係展示為絕緣膜15。在一溫度範圍中執行該電漿接合程序使得佈線並不承受諸如熔融或類似物之損害。
在此程序中，該上述空氣間隙15v保留在該絕緣膜15b與該絕緣膜15c之間之一介面部分處。
接著，如圖3I所示，舉例而言，自與該絕緣膜15相對之一側上之該裝置基板10之一表面執行拋光及蝕刻或類似物以減小具有為一影像感測器之一必要及充分膜厚度之約700微米至800微米至約2微米至4微米之一板厚度之該裝置基板10之厚度。
繼圖3J之後之圖式係相對於一直到圖3I之該等圖式垂直顛倒。
接著，如圖3J所示，舉例而言，藉由濺鍍或類似物在與該絕緣膜15相對之側上之該裝置基板10之表面上沈積W、Al或類似物形成一遮光膜21。
接著，舉例而言，圖案化形成具有保護保留為遮光膜之一區域之一圖案之一光阻膜PR2，且以該光阻膜PR2作為一遮罩來執行蝕刻處理，藉此圖案化處理該遮光膜21。
此情況中，該遮光膜21之圖案具有在該固態影像拾取元件區域R5中之像素之入射光區域中的一開口。
舉例而言，該遮光膜21之圖案亦具有在該襯墊電極區域R3中的一開口。該遮光膜21之圖案亦具有在該振動電極區域R11中之該振動電極之兩側上之區域中的一開口。
接著，如圖3K所示，移除該光阻膜PR2，且舉例而言，針對像素之入射光區域中之每一像素形成紅色、綠色及藍色之色彩濾光器22，其中在該固態影像拾取元件區域R5中自該等像素區域移除該遮光膜。該等色彩濾光器22係藉由例如施加色彩濾光器材料及執行圖案曝露形成為一預定之圖案。
接著，如圖3L所示，舉例而言，施加一光學透明樹脂層23並形成用於晶片上透鏡形成之一光阻膜PR3。
可藉由(例如)形成一普通的光阻膜形成該光阻膜PR3，隨後圖案化處理該光阻膜以保留一晶片上透鏡區域，並藉由熱處理熔融該光阻膜以使該光阻膜由於表面張力而具有一球形表面。
接著，如圖3M所示，藉由一乾蝕刻程序回蝕整個表面，且將該光阻膜PR3之形狀轉印至該樹脂層23之表面，藉此形成一晶片上透鏡23a。
接著，如圖3N所示，圖案化形成在一襯墊開口部分中具有一開口之一圖案之一光阻膜PR4，且藉由執行一乾蝕刻程序形成該襯墊開口P以曝露該襯墊電極17。
在此情況中，該光阻膜PR4係在該振動電極區域R11中之該振動電極之兩側上之區域中具有一開口之一圖案。藉此，該上述蝕刻程序形成與該振動電極區域R11中之空氣間隙15v連通之開口部分，並因此形成一隔膜結構DF。
執行該上述蝕刻以不用移除該襯墊電極。執行該蝕刻以到達與該振動電極相關聯之該空氣間隙15v。
針對該襯墊開口移除該光阻膜PR4。
以類似於製造一典型的固態影像拾取設備之一方法之一方式執行後續製造。
因此，如圖1B所示，可製造具有混合於相同基板上之該MEMS元件之固態影像拾取設備。
根據製造根據該第一實施例之固態影像拾取設備之方法，可易於在與該固態影像拾取設備相同之晶片上形成該MEMS元件，且可藉由減小該裝置之安裝面積小型化該裝置。
舉例而言，在專利文獻1之構造之一相機模組中，一固態影像拾取設備與一MEMS元件(諸如一位置感測器或類似物)係彼此分開地產生，且該相機模組係藉由安裝該固態影像拾取設備及該MEMS元件之各者而產生。因此當安裝每一晶片時發生產量之一降低。此外，需要提供彼此分開之位置感測器之一位置控制電路及該固態影像拾取設備之影像處理之一電路。因此，每一晶片之晶片面積增加，且製造成本增加。
當根據該固態影像拾取設備產生之影像資料及該位置感測器產生之位置資訊執行該相機模組之手部動作模糊修正之位置控制時，對傳輸該固態影像拾取設備與該位置感測器之間的資訊之佈線係必要的，使得製造該模組之成本增加。
根據本實施例之固態影像拾取設備具有在與該固態影像拾取裝置相同之晶片上形成或組合之MEMS元件，且與該固態影像拾取設備及該MEMS元件(諸如該位置感測器或類似物)係經彼此分開地產生且藉由安裝形成為一模組之情況相比因此可抑制產量之降低。
此外，製造成本可藉由減小晶片面積降低。
此外，對傳輸該固態影像拾取設備與作為位置感測器之該MEMS元件之間的資訊之佈線可被容置於相同晶片內，使得製造成本可減小。
<第二實施例> [固態影像拾取設備之構造]
根據該第二實施例之一固態影像拾取設備係在同一晶片上具有作為一MEMS元件之一Z軸位置感測器之一固態影像拾取設備。
根據該第二實施例之固態影像拾取設備基本上具有類似於該第一實施例之該固態影像拾取設備之一構造，但與該第一實施例不同之處在於該MEMS元件係一Z軸位置感測器。
圖4係根據該第二實施例之固態影像拾取設備之一示意截面圖。
舉例而言，由一矽基板製成之一裝置基板10與一支撐基板20係用插入於該裝置基板10與該支撐基板20之間的氧化矽之一絕緣膜15或類似物彼此層壓。藉此形成一半導體基板。
舉例而言，該半導體基板係被分隔為一MEMS元件區域R1、一引線電極區域R2、一襯墊電極區域R3、一周邊電路區域R4及一固態影像拾取元件區域R5。
舉例而言，在該MEMS元件區域R1中嵌入一振動電極17c及一固定電極18a使其與該等基板平行。
該振動電極17c及該固定電極18a形成一平行板型電容元件。
在該引線電極區域R2中，在該絕緣膜15中嵌入連接至該振動電極17c之一導電層16c。
在此情況中，舉例而言，該振動電極17c具有一形狀使其以一樑之形式突出於一隔膜DF結構之一中空部分中。
圖5A係展示根據該第二實施例之固態影像拾取設備中提供之MEMS元件之細節之一平面圖。圖5B係沿圖5A中之一線F-F'取得之一示意截面圖。
在層壓該裝置基板及該支撐基板之絕緣膜15中嵌入該振動電極17c及該固定電極18a。自該振動電極17c之側至該固定電極18a附近形成一開口部分，藉此形成一隔膜結構DF。
在此情況中，如圖5B所示，在該振動電極17c與該固定電極18a之間形成一空氣間隙15v以與該隔膜結構DF連通。該振動電極17c藉此具有一樑狀結構，該樑狀結構之位置係可根據一慣性力、振動或類似物而變化。
藉由佈線或類似物可作出自該振動電極17c之側至該固定電極18a之一連接。
該振動電極及該固定電極形成一平行板型電容元件。該振動電極之位置係可根據一慣性力、振動或類似物而變化。因此，藉由偵測該電容元件之電容感測該振動電極之位移，使得可量測該慣性力或該振動。
在本實施例中，該MEMS元件形成一Z軸位置感測器。
上述之該固態影像拾取設備使該MEMS元件被提供於與該固態影像拾取設備相同之晶片上。因此可藉由減小該裝置之安裝面積小型化該裝置。
接著將描述製造根據該第二實施例之固態影像拾取設備之一方法。
圖6A至圖6R係表示用於製造根據該第二實施例之該固態影像拾取設備之方法之製造程序之示意截面圖。
首先，以類似於該第一實施例之方式之一方式執行一直到圖6A之程序。
然而，一振動電極17c係形成於該MEMS元件區域R1中，且連接至該振動電極17c之一導電層16c係形成於該引線電極區域R2中。
接著，如圖6B所示，舉例而言，在一襯墊電極17及該振動電極17c上方形成氧化矽或類似物。在圖6B中，該氧化矽或類似物係展示為用圖6A中之一絕緣膜15a整合之一絕緣膜15b。
接著，舉例而言，藉由一化學機械拋光(CMP)程序平面化該絕緣膜15b之上表面。
接著，如圖6C所示，舉例而言，圖案化形成具有在該MEMS元件區域R1中之一開口之一光阻膜PR5，且以該光阻膜PR5作為一遮罩執行一異向性蝕刻程序(諸如反應離子蝕刻(RIE)或類似物)。藉此形成曝露該振動電極17c之上部分之一空氣間隙15v1。
此外，藉由在並未形成該振動電極17c之MEMS元件區域R1之一部分中形成一開口類似地形成一空氣間隙15v2。形成空氣間隙15v2以與下文描述之一空氣間隙15v3對準。
上述蝕刻之總量係足以在該裝置基板與該支撐基板接合在一起時防止該振動電極之上部分接合之一總量。
同時，分開地製備該支撐基板。
舉例而言，如圖6D所示，藉由一CVD方法或類似物在該支撐基板20上沈積氧化矽而形成一絕緣膜15d。
接著，如圖6E所示，藉由一濺鍍方法在該絕緣膜15d上形成Al、AlSi、AiCu或類似物之一導電層18。
接著，如圖6F所示，舉例而言，圖案化形成具有保護保留作為一固定電極之一區域之一圖案之一光阻膜PR6，且圖案化處理該導電層18，藉此形成固定電極18a。
接著，如圖6G所示，舉例而言，在該固定電極18a上方形成氧化矽或類似物。在圖6G中，該氧化矽或類似物係展示為用圖6F中之該絕緣膜15d整合之一絕緣膜15c。
接著，如圖6H所示，舉例而言，藉由一CMP程序平面化該絕緣膜15c之上表面。
接著，如圖6I所示，舉例而言，圖案化形成在與該上述空氣間隙15v2對準之一位置中具有一開口之一光阻膜PR7，且以該光阻膜PR7作為一遮罩執行一異向性蝕刻程序(諸如反應離子蝕刻(RIE)或類似物)。藉此形成曝露該固定電極18a之上部分之一空氣間隙15v3。
接著，如圖6J所示，移除該光阻膜PR7。
接著，如圖6K所示，舉例而言，自該絕緣膜15c之側至該絕緣膜15b之上表面層壓該上述支撐基板20。
接著，如圖6L所示，舉例而言，在室溫至400℃之一範圍中執行一電漿接合程序以使該絕緣膜15b與該絕緣膜15c彼此整合。在圖6L中，該絕緣膜15b與該絕緣膜15c係彼此整合，且係展示為絕緣膜15。在一溫度範圍中執行該電漿接合程序使得佈線並不承受諸如熔融或類似物之損害。
在此程序中，該上述空氣間隙15v1保留在該絕緣膜15b與該絕緣膜15c之間之一介面部分處。此外，經形成以彼此對準之該空氣間隙15v2及該空氣間隙15v3係整合為一空氣間隙15v2。
接著，如圖6M所示，舉例而言，自與該絕緣膜15相對之一側上之該裝置基板10之一表面執行拋光及蝕刻或類似物以減小具有為一影像感測器之一必要及充分膜厚度之約700微米至800微米至約2微米至4微米之一板厚度之該裝置基板10之厚度。
繼6N之後之圖式係相對於一直到圖6M之該等圖式垂直顛倒。
接著，如圖6N所示，舉例而言，藉由濺鍍或類似物在與該絕緣膜15相對之側上之該裝置基板10之表面上沈積W、Al或類似物以形成一遮光膜21。
接著，舉例而言，圖案化形成具有保護保留作為遮光膜之一區域之一圖案之一光阻膜PR2，且以該光阻膜PR2作為一遮罩執行蝕刻處理，藉此圖案化處理該遮光膜21。
此情況中，遮光膜21之圖案具有在該固態影像拾取元件區域R5中之像素之入射光區域中的一開口。
舉例而言，該遮光膜21之圖案亦具有在該襯墊電極區域R3中的一開口。該遮光膜21之圖案亦具有在該振動電極17c之區域中及在該MEMS元件區域R1中之空氣間隙15v2之區域中的一開口。
接著，如圖6O所示，移除該光阻膜PR2，且舉例而言，針對像素之入射光區域中之每一像素形成紅色、綠色及藍色之色彩濾光器22，其中在該固態影像拾取元件區域R5中自該等像素區域移除該遮光膜。舉例而言，該等色彩濾光器22係藉由施加色彩濾光器材料及執行圖案曝露形成為一預定之圖案。
接著，如圖6P所示，舉例而言，施加一光學透明樹脂層23並形成用於晶片上透鏡形成之一光阻膜PR3。
可藉由(例如)形成一普通的光阻膜形成該光阻膜PR3，隨後圖案化處理該光阻膜以保留一晶片上透鏡區域，並藉由熱處理熔融該光阻膜以使該光阻膜由於表面張力而具有一球形表面。
接著，如圖6Q所示，藉由一乾蝕刻程序回蝕整個表面，且將該光阻膜PR3之形狀轉印至該樹脂層23之表面，藉此形成一晶片上透鏡23a。
接著，如圖6R所示，圖案化形成在一襯墊開口部分中具有一開口之一圖案之一光阻膜PR8，且藉由執行一乾蝕刻程序形成襯墊開口部分P1以曝露該襯墊電極17。
在此情況中，該光阻膜PR8係在該振動電極之區域中及在該MEMS元件區域R1中之空氣間隙15v2之區域中具有一開口之一圖案。藉此，該上述蝕刻程序形成與該MEMS元件區域R1中之空氣間隙15v1連通之一開口部分，並因此形成一隔膜結構DF。
此外，對該固定電極18a形成一襯墊開口部分P2，該襯墊開口部分P2到達該空氣間隙15v2。
執行該上述蝕刻以不用移除該襯墊電極17或該振動電極17c，以到達該等空氣間隙15v1及15v2。
對該襯墊開口移除該光阻膜PR8。
以類似於製造一普通的固態影像拾取設備之一方法之一方式執行後續製造。
因此，如圖4所示，可製造具有在與該固態影像拾取裝置相同之基板上形成或組合之MEMS元件之該固態影像拾取設備。
根據製造根據該第二實施例之固態影像拾取設備之方法，可易於在與該固態影像拾取設備相同之晶片上形成該MEMS元件，且可藉由減小該裝置之安裝面積小型化該裝置。
<第三實施例> [固態影像拾取設備之構造]
根據該第三實施例之一固態影像拾取設備係在一相同晶片上具有作為一MEMS元件之一麥克風之一固態影像拾取設備。
根據該第三實施例之該固態影像拾取設備基本上具有類似於該第一實施例之該固態影像拾取設備之一構造，但與第一實施例不同之處在於該MEMS元件係一麥克風。
圖7係根據該第三實施例之固態影像拾取設備之一示意截面圖。
舉例而言，由一矽基板製成之一裝置基板10與一支撐基板20係用插入於該裝置基板10與該支撐基板20之間的氧化矽之一絕緣膜15或類似物彼此層壓。藉此形成一半導體基板。
舉例而言，該半導體基板係被分隔為一MEMS元件區域R1、一引線電極區域R2、一襯墊電極區域R3、一周邊電路區域R4及一固態影像拾取元件區域R5。
舉例而言，在該MEMS元件區域R1中嵌入一振動電極17c及一固定電極18a使其與該等基板平行。
該振動電極17c及該固定電極18a形成一平行板型電容元件。
在該引線電極區域R2中，在該絕緣膜15中嵌入連接至該振動電極17c之一導電層16c。
在此情況中，舉例而言，該振動電極17c係由延伸具有來自一隔膜DF結構之一中空部分之一底部分之一間隙之一膜形成。
圖8A係展示根據該第三實施例之固態影像拾取設備中提供之MEMS元件之細節之一平面圖。圖8B係沿圖8A中之一線G-G'取得之一示意截面圖。
在層壓該裝置基板及該支撐基板之絕緣膜15中嵌入該振動電極17c及該固定電極18a。自該振動電極17c之側至該固定電極18a附近形成一開口部分，藉此形成一隔膜結構DF。
在此情況中，如圖8B所示，舉例而言，在該振動電極17c之一部分中形成一圓形開口17d，且在該振動電極17c與該固定電極18a之間形成一空氣間隙15v以與該隔膜結構DF連通。該振動電極17c藉此具有一膜狀結構，該膜狀結構之位置係可根據振動或類似物而變化。
藉由佈線或類似物可作出自該振動電極17c之側至該固定電極18a之一連接。
該振動電極及該固定電極形成一平行板型電容元件。該振動電極之位置係可根據振動或類似物而變化。因此，藉由偵測該電容元件之電容感測該振動電極之位移，使得可量測空氣之振動。
如上述實施例所述，該MEMS元件形成一麥克風。
上述之該固態影像拾取設備使該MEMS元件被提供於與該固態影像拾取設備相同之晶片上。因此可藉由減小該裝置之安裝面積小型化該裝置。
接著將描述製造該固態影像拾取設備之一方法。
圖9A至圖9D係表示用於製造根據該第三實施例之固態影像拾取設備之方法之製造程序之示意截面圖。
首先，以類似於該第一實施例之程序之一方式執行一直到圖9A之程序。
然而，一振動電極17c係形成於該MEMS元件區域R1中，且連接至該振動電極17c之一導電層16c係形成於該引線電極區域R2中。
接著，如圖9B所示，舉例而言，在一襯墊電極17及該振動電極17c上方形成氧化矽或類似物。在圖9B中，該氧化矽或類似物係展示為用圖9A中之一絕緣膜15a整合之一絕緣膜15b。
接著，舉例而言，藉由一化學機械拋光(CMP)程序平面化該絕緣膜15b之上表面。
接著，舉例而言，圖案化形成在該MEMS元件區域R1中具有一開口之一光阻膜PR5，且以該光阻膜PR5作為一遮罩執行一異向性蝕刻程序(諸如反應離子蝕刻(RIE)或類似物)。藉此形成曝露該振動電極17c之上部分之一空氣間隙15v1。
此外，藉由在並未形成該振動電極17c之MEMS元件區域R1部分之一部分中形成一開口類似地形成一空氣間隙15v2。形成空氣間隙15v2以與下文描述之一空氣間隙15v3對準。
上述蝕刻之總量係足以在該裝置基板與該支撐基板接合在一起時防止該振動電極之上部分接合之一總量。
同時，如該第二實施例中，在本實施例中分開地製備該支撐基板20。
舉例而言，在該支撐基板20上形成一絕緣膜，在該絕緣膜中嵌入一固定電極18a，且在該絕緣膜中形成另一空氣間隙15v3。
接著，如圖9C所示，舉例而言，自該絕緣膜15c之側至該絕緣膜15b之上表面層壓該上述支撐基板20，在室溫至400℃之一範圍中執行一電漿接合程序以使該絕緣膜15b與該絕緣膜15c整合為一絕緣膜15。經形成彼此對準之空隙間隙15v2及空氣間隙15v3係整合為一空氣間隙15v2。
進一步言之，舉例而言，自與該絕緣膜15相對之一側上之裝置基板10之一表面減小該裝置基板10之厚度，且藉由在與該絕緣膜15相對之側上之該裝置基板10之表面上沈積W、Al或類似物圖案化形成一遮光膜21。接著，形成一色彩濾光器22及一晶片上透鏡23a。
接著，如圖9D所示，圖案化形成在一襯墊開口部分中具有一開口之一圖案之一光阻膜PR8，且藉由執行一乾蝕刻程序形成該襯墊開口部分P1以曝露該襯墊電極17。
在此情況中，該光阻膜PR8係在該振動電極17c之區域中及在該MEMS元件區域R1中之空氣間隙15v2之區域中具有一開口之一圖案。藉此，該上述蝕刻程序形成與該MEMS元件區域R1中之空氣間隙15v1連通之一開口部分，並因此形成一隔膜結構DF。
此外，對該固定電極18a形成一襯墊開口部分P2，該襯墊開口部分P2到達該空氣間隙15v2。
執行該上述蝕刻以不移除該襯墊電極17或該振動電極17c，且到達該等空氣間隙15v1及15v2。
對該襯墊開口移除該光阻膜PR8。
以類似於製造一普通的固態影像拾取設備之一方法之一方式執行後續製造。
因此，可製造具有在如圖7所示之相同基板上形成或組合之MEMS元件之該固態影像拾取設備。
根據製造該固態影像拾取設備之方法，可易於在與該固態影像拾取設備相同之晶片上形成該MEMS元件，且可藉由減小該裝置之安裝面積小型化該裝置。
<修改之第一實例> [固態影像拾取設備之構造]
圖10係根據修改之一第一實例之一固態影像拾取設備之一示意截面圖。
根據本實施例之固態影像拾取設備具有類似於根據該第一實施例之固態影像拾取設備之構造之一構造。然而，到達一襯墊電極之一接觸孔CH係形成以代替一襯墊開口部分，在該接觸孔CH內嵌入一插塞24，且上層佈線25係連接至該插塞24。
上述該第一實施例至該第三實施例中該襯墊開口部分P並非必需。可在製造該接觸孔CH之程序之同時形成一MEMS元件之隔膜結構。
除上文之外，可形成一介層孔代替該接觸孔。
<修改之第二實例> [固態影像拾取設備之構造]
圖11A及圖11B係根據修改之一第二實例之一固態影像拾取設備之示意截面圖。
根據本實施例之固態影像拾取設備具有類似於根據該第一實施例之固態影像拾取設備之構造之一構造。然而，一MEMS元件並非係一平行板型電容元件，但係一壓電元件或一MOS型位置感測器。
圖11A中展示之一MEMS元件使用一壓電膜16x作為一振動電極。
圖11A對應於該第一實施例中之圖2D之截面。該振動電極之位置係可根據一慣性力、振動或類似物而變化。因此，當該振動電極16x振動時在該壓電膜中發生一電動勢。該振動電極之位移係藉由一偵測電路26偵測該電動勢而感測，使得可量測該慣性力或該振動。
在圖11B展示之一MEMS元件中，在一支撐基板20之振動電極側上之一表面中形成一源極27S及一汲極27D。形成具有一振動電極作為一閘極電極之一MOS電晶體。
圖11B對應於該第一實施例中之圖2D之截面。該振動電極之位置係可根據一慣性力、振動或類似物而變化。因此，當該振動電極16a振動時該MOS電晶體之汲極電流改變。該振動電極之位移係藉由一偵測電路28偵測該汲極電流而感測，使得可量測該慣性力或該振動。
<第四實施例> [應用於電子裝置]
圖12係如根據本實施例之一電子裝置之一電子裝置之一示意方塊圖。根據本實施例之電子裝置係可攝影一靜態影像或攝影一移動影像之一視訊電子裝置之一實例。
根據本實施例之電子裝置具有一影像感測器(固態影像拾取設備)50、一光學系統51、一信號處理電路53及類似物。
在本實施例中，根據該前述第一實施例之固態影像拾取設備係被併入作為該上述影像感測器50。
該影像感測器50自一標的物形成影像光(入射光)之一影像於該影像感測器50之影像拾取表面上。藉此在某一週期中於該影像感測器50內累積一對應的信號電荷。該累積之信號電荷係被擷取為一輸出信號Vout。
一快門裝置用光控制該影像感測器50之一輻射週期及遮蔽該影像感測器50免受光照之一週期。
該影像處理區段供應用於控制該影像感測器50之傳送操作及該快門裝置之快門操作之一驅動信號。根據自該影像處理區段供應之該驅動信號(時序信號)執行該影像感測器50之信號傳送。該信號處理電路53使該影像感測器50之輸出信號Vout經歷各種信號處理，且接著將結果輸出為一視訊信號。由該信號處理產生之視訊信號係儲存於一儲存媒體(諸如一記憶體或類似物)上或輸出至一監視器。
根據根據上述之該實施例之電子裝置，可能減小一光接收表面上之入射光之光干涉強度之變化並抑制具有拾取(特定言之，例如)3微米或更小之一單元間距之產生之一色彩影像之一固態影像拾取設備之一電子裝置中之色彩不均勻性。
已採用應用該影像感測器50之一情況作為一實例描述該前述實施例，其中用於感測對應於一數量之可見光之一信號電荷為一物理量之單元像素係配置成一矩陣之形式。然而，本發明並不限於該影像感測器50之應用。本發明一般可應用於一行系統的固態影像拾取設備，其中該行系統裝置係由針對一像素陣列區段之每一像素行配置之行電路形成。
此外，本發明並不限於感測入射可見光總量之一分佈並拾取該分佈作為一影像之固態影像拾取設備之應用。本發明可應用於拾取紅外線、X光線或入射粒子之量或類似物之一分佈之固態影像拾取設備，且就廣義而言，一般而言，可應用於諸如指紋偵測感測器或感測另一物理量(諸如壓力、電容或類似物)之一分佈並拾取該分佈作為一影像之類似物之固態影像拾取設備(物理量分佈感測裝置)。
此外，本發明並不限於應用於固態影像拾取設備，但可應用於(例如)數位靜態電子裝置、視訊電子裝置及具有一影像拾取功能之電子裝置(諸如可攜式電話及類似物)。順便提及，可能存在安裝於一電子裝置中之該上述模組之形式(即，一電子裝置模組)被視為一影像拾取裝置之情況。
根據上述該實施例之影像感測器50可用作視訊電子裝置、數位靜態電子裝置及用於行動裝置(諸如可攜式電話及類似物)之電子裝置模組的固態影像拾取設備。
根據該等前述實施例之各者之固態影像拾取設備及用於製造該固態影像拾取設備之方法具有下列優點。
藉由在該晶片上整合一影像感測器及一位置感測器/麥克風而非彼此分開地產生影像感測器及位置感測器/麥克風，將一感測器晶片安裝於一相機模組中之次數係自2或3減小為1，並因此減小安裝時產量之一降低。
可共用一位置感測器之位置控制電路或一麥克風之音訊轉換電路及處理一影像感測器之影像之一電路共有之一模組。因此，一晶片面積小於彼此分開地製造影像感測器及位置感測器/麥克風之情況中之晶片面積，且可減小該模組之成本。
藉由在一晶片上整合一影像感測器及一位置感測器或一麥克風，可對一相機模組添加一手部動作模糊防止功能、一頂部及底部判定功能、一音訊記錄功能及類似物而僅稍微增加安裝面積及安裝體積。藉此可能促成使提供有一影像拾取功能之可攜式裝置更薄且更緊密。
當一影像感測器及一位置感測器係整合為一晶片時，可在該一晶片內處理藉由該影像感測器獲得之一影像及該位置感測器之資訊。藉此可能執行用於防止手部動作模糊之位置控制，該控制在不增加佈線成本之情況下以低成本使用該影像感測器之影像資訊及該位置感測器之資訊。
本發明並不限於上述描述。
舉例而言，本發明可應用於作為固態影像拾取設備之CMOS影像感測器及CCD影像感測器兩者。
此外，本發明並不限於一背照型之固態影像拾取設備，但是亦可應用於一普通前照型之固態影像拾取設備。
而且，可在不脫離本發明之精神下作出各種改變。習知此項技術者應瞭解可取決於隨附申請專利範圍或其相等物之範疇內之設計需要及其他因素發生各種修改、組合、替代組合及變更。
本發明含有關於2010年5月20日在日本專利局申請之日本優先權專利申請案JP 2010-116461中揭示之標的物，該專利申請案之全部內容以引用併入本文。
習知此項技術者應瞭解可取決於該等附加申請專利範圍或其等相等物之範疇內之設計需要及其他因素發生各種修改、組合、子組合及變更。
10．．．裝置基板
11．．．淺溝渠隔離(STI)元件隔離絕緣膜
12．．．導電雜質擴散層
13．．．閘極電極
14．．．側壁絕緣膜
15．．．絕緣膜
15a．．．絕緣膜
15b．．．絕緣膜
15c．．．絕緣膜
15d．．．絕緣膜
15v．．．空氣間隙
15v1．．．空氣間隙
15v2．．．空氣間隙
15v3．．．空氣間隙
16．．．上層佈線
16a．．．第一導電層
16b．．．板狀第一導電層
16c．．．導電層
16x．．．壓電膜
17．．．襯墊電極
17a．．．第二導電層
17b．．．第二導電層
17c．．．振動電極
18．．．固定電極
18a．．．固定電極
20．．．支撐基板
21．．．遮光膜
22．．．色彩濾光器
23．．．樹脂層
23a．．．晶片上透鏡
24．．．插塞
25．．．上層佈線
26．．．偵測電路
27D．．．汲極
27S．．．源極
28．．．偵測電路
50．．．影像感測器
51．．．光學系統
53．．．信號處理電路
CH．．．接觸孔
DF．．．隔膜結構
MEMS．．．微機電系統
P．．．襯墊開口部分
P1．．．襯墊開口部分
P2．．．襯墊開口部分
PR1．．．光阻膜
PR2．．．光阻膜
PR3．．．光阻膜
PR4．．．光阻膜
PR5．．．光阻膜
PR6．．．光阻膜
PR7．．．光阻膜
PR8．．．光阻膜
R1．．．微機電系統(MEMS)元件區域
R2．．．引線電極區域
R3．．．襯墊電極區域
R4．．．周邊電路區域
R5．．．固態影像拾取元件區域
R11．．．振動電極區域
R12．．．固定電極區域
VIDEO SIGNAL．．．視訊信號
圖1A係根據一第一實施例之一固態影像拾取設備之一平面圖，且圖1B係一示意截面圖；
圖2A係展示根據該第一實施例之該固態影像拾取設備中提供之一MEMS元件之細節之一平面圖，且圖2B至圖2E分別係沿圖2A中之線B-B'、C-C'、D-D'及E-E'取得之示意截面圖；
圖3A至圖3N係表示用於製造根據該第一實施例之該固態影像拾取設備之一方法之製造程序之示意截面圖；
圖4係根據一第二實施例之一固態影像拾取設備之一示意截面圖；
圖5A係展示根據該第二實施例之該固態影像拾取設備中提供之一MEMS元件之細節之一平面圖，且圖5B係沿圖5A中之一線F-F'取得之一示意截面圖；
圖6A至圖6R係表示用於製造根據該第二實施例之該固態影像拾取設備之一方法之製造程序之示意截面圖；
圖7係根據一第三實施例之一固態影像拾取設備之一示意截面圖；
圖8A係展示根據該第三實施例之該固態影像拾取設備中提供之一MEMS元件之細節之一平面圖，且圖8B係沿圖8A中之一線G-G'取得之一示意截面圖；
圖9A至圖9D係表示用於製造根據該第三實施例之該固態影像拾取設備之一方法之製造程序之示意截面圖；
圖10係根據修改之一第一實例之一固態影像拾取設備之一示意截面圖；
圖11A及圖11B係根據修改之一第二實例之一固態影像拾取設備之示意截面圖；及
圖12係根據一第四實施例之一電子裝置之一示意方塊圖。
10．．．裝置基板
11．．．淺溝渠隔離(STI)元件隔離絕緣膜
12．．．導電雜質擴散層
13．．．閘極電極
14．．．側壁絕緣膜
15．．．絕緣膜
16．．．上層佈線
16a．．．第一導電層
16b．．．板狀第一導電層
17．．．襯墊電極
17a．．．第二導電層
17b．．．第二導電層
20．．．支撐基板
21．．．遮光膜
22．．．色彩濾光器
23．．．樹脂層
23a．．．晶片上透鏡
DF．．．隔膜結構
MEMS．．．微機電系統
P．．．襯墊開口部分
R3．．．襯墊電極區域
R4．．．周邊電路區域
R5．．．固態影像拾取元件區域
R11．．．振動電極區域
R12．．．固定電極區域

Claims (12)

  1. 一種固態影像拾取設備，其包括：一基板；一固態影像拾取裝置；及一微機電系統(MEMS)裝置，其中該固態影像拾取裝置及該MEMS裝置係形成於相同基板上，該固態影像拾取裝置之一光接收側提供於該基板之一第一側上，及該MEMS裝置之一平行板電容元件提供於該基板之一第二側上。
  2. 如請求項1之固態影像拾取設備，其中該平行板電容元件包含一振動電極及一固定電極。
  3. 一種電子裝置，其包括：(a)一固態影像拾取設備，其包含：(i)一基板；(ii)一固態影像拾取裝置；及(iii)一微機電系統(MEMS)裝置；及(b)處理藉由該固態影像拾取裝置產生之信號之一電路，其中該固態影像拾取裝置及該MEMS裝置係形成於相同基板上，該固態影像拾取設備包含電連接至該固態影像拾取裝置之一襯墊電極，且該基板包含曝露該襯墊電極之一部分之一開口。
  4. 一種電子裝置，其包括： (a)一固態影像拾取設備，其包含：(i)一基板；(ii)一固態影像拾取裝置；及(iii)一微機電系統(MEMS)裝置；及(b)處理藉由該固態影像拾取裝置產生之信號之一電路，其中該固態影像拾取裝置及該MEMS裝置係形成於相同基板上，及該MEMS裝置包含一振動電極及一固定電極，該基板具有在該振動電極與該固定電極之間的一開口。
  5. 一種電子裝置，其包括：(a)一固態影像拾取設備，其包含：(i)一基板；(ii)一固態影像拾取裝置；及(iii)一微機電系統(MEMS)裝置；及(b)處理藉由該固態影像拾取裝置產生之信號之一電路，及固定至該MEMS裝置及該固態影像拾取裝置之一支撐基板，其中該固態影像拾取裝置及該MEMS裝置係形成於相同基板上，及該MEMS裝置包含該基板與該支撐基板之間的一空氣間隙。
  6. 如請求項5之電子裝置，其中該基板包含與該空氣間隙連通之開口。
  7. 如請求項5之電子裝置，其進一步包括： 該基板與該支撐基板之間的一絕緣膜，其中該空氣間隙係形成於該絕緣膜中。
  8. 如請求項7之電子裝置，其進一步包括：嵌入該絕緣膜中之一振動電極，其中該振動電極係在該空氣間隙與該基板之間。
  9. 一種製造一固態影像拾取裝置之方法，該方法包括：在一裝置基板上指定至少一微機電系統(MEMS)裝置區域及一固態影像拾取區域；在該MEMS裝置區域上形成一MEMS裝置；在形成該MEMS裝置的同時在該固態影像拾取區域上形成一固態影像拾取裝置；在該裝置基板上形成一絕緣膜；在該絕緣膜中對該MEMS裝置形成一電極；在該絕緣膜中形成一間隙以曝露該電極之一部分；及在該MEMS裝置區域及該固態影像拾取區域中之該絕緣膜上方固定一支撐基板。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包括：在該裝置基板中形成開口，該等開口係與該間隙連通以形成該電極之一隔膜結構，其中該電極係一振動電極。
  11. 如請求項9之方法，其進一步包括：在該裝置基板上形成一襯墊電極，該襯墊電極係電連接至該固態影像拾取裝置；及在該裝置基板中形成一開口，該開口曝露該襯墊電極 之一部分。
  12. 一種製造一固態影像拾取裝置之方法，該方法包括：在一裝置基板上指定至少一微機電系統(MEMS)裝置區域及一固態影像拾取區域；在該裝置基板上形成一絕緣膜；在該MEMS裝置區域上形成一MEMS裝置；在形成該MEMS裝置的同時在該固態影像拾取區域中形成一固態影像拾取裝置；在絕緣層中形成一間隙以曝露該MEMS裝置之一部分；及在該MEMS裝置區域及該固態影像拾取區域上方固定一支撐基板，其中形成於該MEMS裝置區域中並曝露該MEMS裝置之一部分之該間隙保留在該絕緣層中。
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