TWI475235B

TWI475235B - 決定系統內之資料有效視窗及測試積體電路裝置之方法

Info

Publication number: TWI475235B
Application number: TW100129447A
Authority: TW
Inventors: Bosco Chun Sang Lai; Sunny Lai-Ming Chang; Lawrence Wai Cheung Ho
Original assignee: Kingtiger Technology Canada Inc
Priority date: 2010-08-18
Filing date: 2011-08-17
Publication date: 2015-03-01
Also published as: KR20120017409A; US8918686B2; US20120047411A1; TW201224481A

Description

決定系統內之資料有效視窗及測試積體電路裝置之方法

所描述之實施例係關於一種用於測試積體電路裝置(諸如記憶體裝置)之系統及方法。更特定言之，所描述之實施例係關於識別一受測試積體電路裝置之一資料有效窗之特性之輸出參數之產生。

積體電路裝置在出售或投入其預期用途前通常經歷嚴格測試。特定言之，測試各積體電路裝置以決定(舉例而言)如製造商所決定及設定之該類型之裝置之特定規格是否得到滿足。

可藉由執行功能測試、應用特定測試或兩者而測試一積體電路裝置。功能測試係關於積體電路裝置內所發現之硬體是否無缺陷及滿足製造商規格。舉例而言，若積體電路裝置為或包括一記憶體組件(諸如一記憶體裝置)，則功能測試係關於無關於記憶體裝置如何實施寫入至記憶體之一單元之一數位值(例如「1」或「0」)隨後將是否無錯誤地擷取。

功能測試亦關於積體電路裝置之特定關鍵操作特性是否落在可允許值範圍內。這些關鍵操作特性可包含諸如功率消耗、備用電流、洩漏電流、電壓位準及存取時間之特性。可允許範圍同樣可由裝置製造商或適當標準設定。

功能測試通常旨在發現一受測試積體電路裝置在其預期用途或應用期間是否可能發生故障。其涉及測試積體電路裝置以在測試程序期間驗證其等如何執行專為特定用途或應用設計之一組功能。

在應用特定測試期間，積體電路裝置可能經歷其等系統行為之一測試以偵測其等行為故障。一行為故障為當一積體電路裝置操作於一實際應用系統內時發生之故障類型。舉例而言，其可為因正常PC操作中所發現的對一記憶體裝置之一特定命令或存取順序而發生之一故障。

功能測試不一定能偵測行為故障，因為在功能測試期間受測試積體電路裝置之操作不一定指示裝置在其預期應用期間會如何表現。因此，除功能測試外，一積體電路裝置之完整及全面測試可能還需要應用特定測試。

積體電路裝置之測試可能涉及測試向量型樣之使用。特定言之，測試向量型樣可由一適當測試向量產生器產生且隨後由一測試器跨一通信通道傳輸至一受測試裝置。受測試裝置隨後發送一回應信號至測試器。可比較回應信號中所含之位元型樣與測試器所儲存之所傳輸測試向量型樣之一複本，以決定受測試裝置是否已產生一預期結果。

為更好地理解本文所述之系統及方法之實施例及更清楚地展示其等如何執行，舉例而言參考隨附圖式。

資料位元區及資料有效窗

如上所述，積體電路裝置之測試可能涉及測試向量型樣的使用。一測試向量型樣可藉由一適當測試向量產生器產生且隨後由測試器跨一通信通道傳輸至一受測試裝置。受測試裝置隨後發送一回應信號至測試器。本文中此回應信號亦稱作一回應資料信號。可比較回應資料信號中所含之位元型樣(本文中亦稱作「回應位元型樣」)與測試器所儲存之所傳輸測試向量型樣之一複本，以決定受測試裝置是否已產生一預期結果。

當回應資料信號到達測試器時，取得回應資料信號之樣本以決定受測試裝置所產生之位元型樣之值。可採用一取樣時脈信號(在一些實例中其產生在測試器上)以促進在測試器上所執行之此取樣。除採用測試器上所產生之取樣時脈信號外，亦可使用一資料選通信號執行取樣。

即使在受測試裝置所產生之回應資料信號與測試器之取樣時脈信號或與資料選通信號對準之情況中，當回應資料信號到達測試器時，仍可在回應資料信號與資料選通信號之間引入微小相位差。亦可在亦接收自多個受測試裝置之不同回應資料信號之間引入相位差。舉例而言，相位差之量值可能取決於回應資料信號必須在受測試裝置與測試器之間行進之距離。因此，為使測試器可更準確地取得回應資料信號之樣本而不管這些微小相位差，預期一「合格」記憶體裝置產生一回應資料信號，該回應資料信號針對將從回應資料信號讀取之各個別位元(「1」或「0」)在可能取得一樣本之特定時間週期內提供該個別位元之一穩定值且該時間週期應符合經定義標準。

在此方面，可針對一給定積體電路裝置識別一「資料有效窗」以用於決定積體電路裝置是否滿足該類型之積體電路裝置之規格要求。舉例而言，資料有效窗可定義一時間週期，期間可預期從一給定資料信號(諸如藉由一測試器從積體電路裝置接收之回應資料信號)之一給定資料位元區內取得一有效樣本。其中一單個位元之值(即「1」或「0」)被確證使得可從給定資料信號讀取該位元之給定資料信號之各部分構成一資料位元區。

舉例而言，考慮圖1所示之例示性資料位元圖。在「理想資料位元圖」中，圖解說明一系列資料位元區。考慮以點「a」至「f」為界限之例示性資料位元區。當一裝置將輸出一邏輯「1」值時，在緊隨T₁ 達一特定時間(其中信號可仍在經歷至「1」值之轉變)後，資料信號之電壓理想地達到最大電壓值V_Max (例如1.5 V)並在點「b」與「c」之間保持穩定在該值上。相反地，當一裝置將輸出一邏輯「0」值時，在緊隨T₁ 達一特定時間(其中信號可仍在經歷至「0」值之轉變)後，資料信號之電壓理想地達到最小電壓值V_Min (例如0 V)且在點「d」與「e」之間保持穩定在該值上。通常V_Min 及V_Max 之值將定義一範圍，一些參考電壓V_Ref (例如750 mV)在其中點。

如圖1所示之間隔[T₁ ,T₂ ]亦可稱作一「資料位元持續時間」，其代表一個別資料位元區在時間維度上之分量。如圖1所示之間隔[V_Min ,V_Max ]亦可稱作一「資料位元振幅」，其代表一個別資料位元區在電壓維度上之分量。

試圖決定資料有效窗之特性之一測試工程師可發送一測試型樣至受測試裝置(例如一記憶體裝置)使得「1」及「0」以交替方式被寫入至記憶體且隨後從回應資料信號讀回。在此情況中，讀取(取樣)自回應資料信號之從「1」至「0」或從「0」至「1」之信號轉變可產生一給定資料位元區之自然界限。

當回應資料信號到達測試器時，許多因素(例如時間維度上的抖動及電壓維度上的信號衰減)可能使信號劣化且吾人可能不再預期對應於一個別位元(「1」或「0」)之一特定輸出位準在整個理想時間長度內及在對應理想電壓下保持穩定使得可預期在如理想資料位元圖所示之資料位元區內之所有點上取得一有效樣本。

因此，圖1所示之「讀取資料位元圖」圖解說明在實務中一資料位元區在時間維度上(即資料位元持續時間)之理想大小內存在預期可取得一有效樣本之一較短時間週期。這可能暗指資料位元區在時間維度上的有效長度將縮小(例如見間隔[t₁ ,t₂ ])。此外，在實務中，與資料位元區在電壓維度上(即資料位元振幅)之理想大小相比，對應於實際所接收之資料信號之邏輯「1」之電壓位準與對應於邏輯「0」之電壓位準之間之範圍亦可能更窄。在決定一資料有效窗時可考慮在(例如藉由一測試器)實際接收資料信號時資料信號之這些性質。

決定一受測試裝置之資料有效窗以關於一個別資料位元區識別接收自受測試裝置之一回應資料信號(例如在時間維度及/或電壓維度上)之分量，其中總可預期資料信號穩定且不會經歷從「1」至「0」之轉變或反之亦然。將不保證資料有效窗外取得之任何樣本包含有效資料。舉例而言，資料有效窗不僅可說明與資料傳播相關聯之延遲而且說明歸因於溫度及電壓之與記憶體存取、時脈歪斜及變動相關聯之延遲。

在圖1之實例中，可預期回應資料信號穩定之時間週期係藉由間隔[t₃ ,t₄ ]展示且可預期回應資料信號穩定之電壓值之範圍係藉由間隔[V_Lo ,V_Hi ]展示。這些間隔之長度及定義此等間隔之界限之特定值係一受測試裝置之一資料有效窗之特性之實例，測試工程師可能希望決定該等特性並將其與規定要求相比較。

使用一相位經調整之第二時脈信號決定一資料有效窗之一已知方法之一實例

根據一已知方法，決定與一積體電路裝置相關聯之一資料有效窗之「界限」或特性可能涉及一測試器重複傳輸一特定測試向量型樣至一受測試裝置。隨後回應於相同測試向量型樣之各重複傳輸而從受測試裝置接收一回應資料信號之一實例。由於回應所有資料信號將與相同時脈信號(例如測試器所產生之具有固定相位之一第一時脈信號)同步，測試器上回應於相同測試向量型樣之重複傳輸而從受測試裝置接收之各回應資料信號應大致相同。

但是，在上述已知方法中，為決定資料有效窗之特性，在接收到各回應資料信號前增量地調整測試器處所產生之一第二時脈信號之相位(其與第一時脈信號不同)，使得可藉由分析所接收之回應資料信號之多個實例識別受測試裝置在回應資料信號之一給定資料位元區內之不同時間點上之預期回應。因此，可在相對於第一時脈信號之一時間點上取得回應於特定測試向量型樣之一第一傳輸所接收之一第一回應資料信號之一資料位元區內之一樣本；可在相對於相同第一時脈信號之一不同時間點上取得回應於相同測試向量型樣之一第二傳輸所接收之一第二回應資料信號之對應資料位元區內之一樣本；可在相對於相同第一時脈信號之另一不同時間點上取得回應於相同測試向量型樣之一第三傳輸所接收之一第三回應資料信號之對應資料位元區內之一樣本；及等等。

當第二時脈信號之相位改變時，測試過程將顯露從一特定資料信號獲得之樣本僅在特定相位下有效(即從資料信號獲得一穩定值且其與預期值匹配)，而在其他相位下從資料信號獲得之樣本將無效(即在給定相位階躍下獲得之信號值並不總是與預期值匹配)。

在已知方法中，透過重複傳輸一測試向量型樣至受測試裝置、在涵蓋一個別資料位元區之多個預定義相位階躍之一範圍內調整測試器之第二時脈信號之相位及分析回應於重複傳輸相同測試向量型樣至受測試裝置而在測試器上接收及使用相位經調整之第二時脈信號取樣之不同回應資料信號之樣本之組合，可決定受測試裝置在哪個時間點預期產生或不產生穩定值。

特定言之，在一記憶體裝置受測試為「合格」之情況下，預期可在第二取樣時脈之有限數量之連續相位階躍內取得接收自記憶體裝置之特定回應資料信號之一有效樣本，前提條件係相位階躍應足夠小。使用此資訊，舉例而言，測試工程師或測試程式將能夠識別期間預期可從源自記憶體裝置之特定資料信號之一給定資料位元區取得一有效樣本之一對應時間週期。如上所述，可針對該特定記憶體裝置可將此時間週期在概念上定義為與該記憶體裝置相關聯之一「資料有效窗」。舉例而言，隨後可比較資料有效窗之特性(例如期間預期可從一給定資料位元區取得一有效樣本之時間週期之長度及資料有效窗何時開始及何時終止)與規格要求。

與已知方法之實例之比較

如使用上述已知方法，本文所述之至少一些實施例亦大致關於一種識別一受測試裝置(諸如一記憶體裝置)之一資料有效窗之特性之方法。

但是，與上述已知方法不同，本文所述之實施例不要求將相同測試向量型樣重複傳輸至受測試裝置，亦不要求對回應於相同測試向量型樣之重複傳輸而從自受測試裝置接收之多個回應資料信號進行取樣。

在本文所述之至少一例示性實施例中，利用額外測試組件以允許回應於一測試向量型樣至受測試裝置之一給定傳輸而在測試器上接收之一回應資料信號之一單個實例之一個別資料位元區取得多個樣本以決定受測試裝置之一資料有效窗。可同時取得多個樣本。額外測試組件之使用可能提高測試硬體要求，但是相對於可能需要對回應於相同測試向量型樣之重複傳輸而接收之多個回應資料信號進行分析之一系統可縮短測試過程。

本文所述之至少一些實施例亦允許決定具有多個維度之一資料有效窗。

本文所揭示之實施例大致係關於一種用於測試一積體電路裝置(諸如一記憶體裝置)之系統及方法。

在一廣義態樣中，提供一種測試一積體電路裝置之方法，該方法包括：產生複數個測試向量型樣；針對複數個測試向量型樣之各測試向量型樣：傳輸包括測試向量型樣之一第一資料信號至積體電路裝置；回應於傳輸而從積體電路裝置接收一第二資料信號；針對第二資料信號之一或多個資料位元區之各個別資料位元區，在複數個點上對個別資料位元區進行取樣以產生第二資料信號之複數個取樣值；及針對複數個取樣值之各取樣值，決定取樣值是否與對應於取樣值之一預期位元型樣值匹配；若針對複數個取樣值之每一者及針對複數個測試向量型樣之每一者，決定各取樣值與對應於取樣值之預期位元型樣值匹配，則決定定義預期可從積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區取得一有效樣本之條件之一資料有效窗之一或多個特性；及基於資料有效窗之一或多個特性輸出一測試結果。

在另一廣義態樣中，可同時在個別資料位元區之複數個點上對第二資料信號進行取樣。

在另一廣義態樣中，可同時針對所有複數個取樣值執行複數個取樣值之各取樣值是否與預期位元型樣值匹配之決定。

在另一廣義態樣中，該方法進一步包括：比較資料有效窗之一或多個特性與積體電路裝置之規格要求；其中該測試結果指示資料有效窗之一或多個特性是否滿足規格要求。

在另一廣義態樣中，在複數個點上對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣包括在複數個時間點上對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣，且其中資料有效窗定義期間預期可從積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區取得有效樣本之時間週期。

在另一廣義態樣中，該方法進一步包括：識別積體電路裝置之規格要求；及在識別規格要求後但在取樣前定義複數個時間點。

在另一廣義態樣中，在複數個點上對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣包括在複數個電壓位準下對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣，且其中資料有效窗定義預期可從積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區取得有效樣本之一電壓範圍。

在另一廣義態樣中，該方法進一步包括：識別積體電路裝置之規格要求；及在識別規格要求後但在取樣前定義複數個電壓位準。

在另一廣義態樣中，在複數個點上對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣包括在複數個電壓位準之各一者下在複數個時間點上對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣，且其中資料有效窗針對積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區之一電壓範圍內之各電壓位準定義期間預期可從該給定資料位元區取得有效樣本之一時間週期。

在另一廣義態樣中，該方法進一步包括：識別積體電路裝置之規格要求；及在識別規格要求後但在取樣前定義複數個時間點及複數個電壓位準。

在另一廣義態樣中，在複數個點上對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣包括：針對複數個可變測試參數之各可變測試參數，在可變測試參數之不同值下對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣，其中資料有效窗定義預期可從積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區取得有效樣本之可變測試參數之值之一範圍。

在另一廣義態樣中，該方法進一步包括：識別積體電路裝置之規格要求；及針對複數個可變測試參數之各可變測試參數，在識別規格要求後但在取樣前定義可變測試參數之不同值。

在另一廣義態樣中，複數個可變測試參數包括至少三個不同可變測試參數。

在另一廣義態樣中，測試向量型樣被寫入至積體電路裝置中，第二資料信號包括回應於傳輸而從積體電路裝置讀取之一位元型樣。

在另一廣義態樣中，積體電路裝置利用伴隨積體電路裝置所傳輸之資料信號之一資料選通信號。

在另一廣義態樣中，在對第二資料信號進行取樣時採用資料選通信號。

在另一廣義態樣中，該方法進一步包括產生一取樣時脈信號，且在對第二資料信號進行取樣時採用取樣時脈信號。

在另一廣義態樣中，積體電路裝置包括至少一記憶體裝置。

在另一廣義態樣中，提供一種用於測試一積體電路裝置之測試系統，該系統包括：一處理器；一程式記憶體；及一控制器；其中該系統經組態以：產生複數個測試向量型樣；針對複數個測試向量型樣之各測試向量型樣：傳輸包括測試向量型樣之一第一資料信號至積體電路裝置；回應於第一資料信號之一傳輸而從積體電路裝置接收一第二資料信號；針對第二資料信號之一或多個資料位元區之各個別資料位元區在複數個點上對個別資料位元區進行取樣以產生複數個取樣值；及針對複數個取樣值之各取樣值，決定取樣值是否與對應於取樣值之一預期位元型樣值匹配；若針對複數個取樣值之每一者及針對複數個測試向量型樣之每一者，決定各取樣值與對應於取樣值之預期位元型樣值匹配，則決定定義預期可從積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區取得一有效樣本之條件之一資料有效窗之一或多個特性；及基於所識別之資料有效窗之一或多個特性輸出一測試結果。

在另一廣義態樣中，系統經組態以同時在個別資料位元區之複數個點上對第二資料信號進行取樣。

在另一廣義態樣中，系統經組態以決定複數個取樣值之各取樣值是否同時與所有複數個取樣值之預期位元型樣值匹配。

在另一廣義態樣中，系統係進一步經組態以：比較輸出參數中所識別之資料有效窗之一或多個特性與積體電路裝置之規格要求；其中該測試結果指示資料有效窗之一或多個特性是否滿足規格要求。

在另一廣義態樣中，控制器包括經組態以接收第二資料信號使得在複數個時間點上對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣之複數個延遲元件，且資料有效窗定義期間預期可從積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區中取得有效樣本之一時間週期。

在另一廣義態樣中，控制器包括經組態以接收第二資料信號使得在複數個電壓位準下對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣之複數個電壓比較器，且資料有效窗定義預期可從積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區取得有效樣本之一電壓範圍。

在另一廣義態樣中，控制器包括經組態以接收第二資料信號使得在複數個電壓位準之各一者下在複數個時間點上對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣之複數個延遲元件及複數個電壓比較器兩者，且資料有效窗針對積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區之一電壓範圍內之各電壓位準定義期間預期可從該給定資料位元區取得有效樣本之一時間週期。

在另一廣義態樣中，針對複數個可變測試參數之各可變測試參數：控制器包括經組態以接收第二資料信號使得在可變測試參數之不同值下對第二資料信號之個別資料位元區進行取樣之複數個電路元件，且資料有效窗定義預期可從積體電路裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區取得有效樣本之可變測試參數之值之一範圍。

在另一廣義態樣中，積體電路裝置利用伴隨積體電路裝置所傳輸之資料信號之一資料選通信號，且控制器經組態以採用資料選通信號對第二資料信號進行取樣。

在另一廣義態樣中，控制器包括一開關，其中當開關處於一第一位置時，控制器採用資料選通信號對第二資料信號進行取樣，且其中當開關處於一第二位置時，控制器採用系統所提供之一取樣時脈信號對第二資料信號進行取樣。

在另一廣義態樣中，積體電路裝置包括至少一記憶體裝置，且系統包括從中獲得預期位元型樣之至少一參考記憶體裝置。

在另一廣義態樣中，系統進一步包括：用於產生複數個測試向量型樣之一測試向量型樣產生器，及用於決定取樣值是否與對應於取樣值之一預期位元型樣值匹配之至少一比較器。

下文更詳細地描述這些及其他態樣及許多例示性實施例之特徵。

例示性實施例之進一步細節

參考圖2，圖解說明包括用於測試一積體電路裝置之一測試器10之一測試系統2。本文中所測試之積體電路裝置20亦通常稱作一受測試裝置(DUT)。為簡明起見及舉例而言，本文中將所測試之積體電路裝置20描述為包括一單個記憶體裝置22。但是，應瞭解在一些實施例中，DUT 20可包括複數個記憶體裝置(例如在一或多個記憶體模組中)。可添加額外組件[未展示]及/或對所圖解說明之組件進行修飾以促進複數個記憶體裝置之各者之連續測試。或者，可平行地執行複數個記憶體裝置之測試。舉例而言，可實施控制器14之多個實例以促進複數個記憶體裝置之平行測試。此外，在一變體實施例中，DUT 20可包括除記憶體裝置以外之一或多個裝置。

測試器10經由一通信通道6傳輸信號至受測試裝置(DUT)20及從受測試裝置(DUT)20接收信號。

測試器10之組件之一些係藉由實例圖解說明在圖2中且如下文所述。熟習此項技術者應瞭解在變體實施例中，測試器10可包括與圖式所示之組件不同之組件。此外，應瞭解測試器10可包括為便於闡述未明確參考圖式描述之組件。

在一實施例中，測試器10包括程式記憶體12、一控制器14、一微處理器16、一測試向量型樣產生器(TVPG)18及包括至少一比較器之一比較器區塊19。在DUT 20包括至少一記憶體裝置22的情況下，測試器10亦可包括一參考記憶體裝置15。測試器10之各種組件之間之一些電連接係藉由實例圖解說明在圖2中。下列段落描述測試器10之一些操作。

在執行DUT 20之測試時，微處理器16從程式記憶體12擷取一指令或諸指令。回應於該指令，微處理器16指示TVPG 18產生一測試向量型樣之一數位表示，TVPG 18隨後將此數位表示發送至控制器14。控制器14經由一通信通道6與DUT 20通信。在接收TVPG 18所產生之測試向量型樣後，控制器14將測試向量型樣轉換為一電波形，控制器14隨後經由通信通道6將該電波形輸出至DUT 20。TVPG 18亦發送測試向量型樣之一數位表示至參考記憶體裝置15用於臨時儲存並在一隨後測試階段中使用。在變體實施例中，可採用包括多個記憶體裝置之一參考記憶體模組取代一參考記憶體裝置15，舉例而言，特別係在DUT 20包括多個記憶體裝置的情況下。

控制器14所輸出之測試向量型樣係跨通信通道6電傳輸至DUT 20，其中該測試向量型樣被取樣回數位形式。在已將測試向量型樣傳輸至DUT 20後的某點上，DUT 20跨通信通道電傳輸含有DUT 20之各記憶體裝置(即本實例中之記憶體裝置22)之一回應位元型樣之一回應資料信號。測試器10之控制器14隨後將經由通信通道6接收之回應資料信號轉換為數位形式，回應資料信號包含取決於先前由測試器10傳輸至記憶體裝置22之測試向量型樣之記憶體裝置22所產生之回應資料信號。

測試器10及DUT 20兩者均基於測試向量型樣之數位表示操作。但是，跨通信通道6傳輸的是代表測試向量型樣之電波形。一測試向量型樣之電形式與數位形式之間之轉換通常發生在測試器10及DUT 20兩者之輸入及/或輸出埠上。在測試器10之情況中，在本例示性實施例中，由控制器14執行轉換。在DUT 20之情況中，一適當組件或其上之模組[未展示]可經組態以執行轉換。

在控制器14經由通信通道6從DUT 20之記憶體裝置22接收一回應資料信號並將回應資料信號轉換為數位形式後，其將來自記憶體裝置22之經轉換回應資料信號中繼至比較器區塊19。在比較器區塊19上，比較來自記憶體裝置22之回應資料信號與一參考信號(即控制器14預期從發送回應資料信號之記憶體裝置22接收之信號)之一數位形式(即一參考位元型樣，亦通常稱作一期望位元型樣)。在一實施例中，藉由參考記憶體裝置15將先前儲存之參考信號傳輸至比較器區塊19。比較器區塊19數位地決定回應資料信號是否一致地與對應參考信號匹配並輸出該邏輯決定至微處理器16。

若比較器區塊19決定兩個相比較信號(即回應資料信號與對應參考信號)之間之一致匹配，則至少在該特定測試向量型樣之背景下所測試之對應記憶體裝置22已產生有效資料。但在相比較之兩個信號不一致的情況下，則記憶體裝置22可能已經歷一些類型之故障。在測試期間未決定記憶體裝置22經歷任何故障的，且決定記憶體裝置22滿足任何必要規格的情況下，則DUT 20可視為一「合格」記憶體裝置。

在DUT 20包括記憶體裝置22的情況下，參考信號通常為如TVPG 18所產生之測試向量型樣之數位表示，因為寫入至一記憶體單元及從一記憶體單元讀取之過程通常不涉及數位邏輯。因此，無以資料變換作為測試過程之部分之預期。從參考記憶體裝置15發送至比較器區塊19之數位測試向量型樣被延遲直至控制器14對返回波形進行取樣，延遲的目的係為了對準時序。參考記憶體裝置15傳輸一參考信號至比較器區塊19以與接收自DUT 20之記憶體裝置22之一回應資料信號相比較，回應資料信號係由控制器14傳輸至比較器區塊19。

如上所述，須在DUT 20或測試器10上將跨通信通道6電發送之測試向量型樣及回應資料信號分別轉換回數位信號。當DUT 20從測試器10接收一測試信號時，DUT 20隨後藉由對所接收之信號進行取樣而執行轉換。類似地，當測試器10從DUT 20接收一回應資料信號時，測試器10之控制器14隨後可藉由對所接收之資料信號進行取樣而執行轉換。

考慮藉由測試器10而從DUT 20之一給定記憶體裝置22接收之一回應資料信號。為使測試器10決定來自記憶體裝置22之回應是否如預期，測試器10將需對回應資料信號進行取樣。測試器上所產生之一取樣時脈信號可用於回應資料信號之取樣。

在一些測試器中，可根據與取樣時脈信號同步之一時序將資料發送至一記憶體裝置及從記憶體裝置捕捉資料。舉例而言，在一例示性測試方法中，測試前初步決定將用於測試記憶體裝置22之一組預定測試向量型樣。如上所述，在測試期間，從該組預定測試向量型樣產生一測試向量型樣。包括對應於所產生之測試向量型樣之一測試向量波形之一資料信號連同與測試向量波形同步之由測試器10產生之一伴隨第一時脈信號一起傳輸至記憶體裝置22。根據受測試裝置之規格使第一時脈信號與測試向量波形同步使得受測試裝置可使用第一時脈信號以從測試向量波形適當地讀取。特定言之，在將資料寫入至記憶體裝置22後，可藉由測試器10從記憶體裝置22讀取資料。藉由測試器10接收讀取自記憶體裝置22之資料且一旦將資料從一電信號轉換為數位形式，則可比較資料與先前儲存之參考(例如預期)位元型樣。

在一個別資料位元區內可在不同時間點上取得一回應資料信號之一樣本。在不同時間點上對一回應資料信號之一資料位元區進行取樣之能力允許測試器10用於一測試過程，其中識別記憶體裝置22之一資料有效窗。測試器10可經組態以在個別資料位元區內決定回應資料信號在哪個時間點上維持一特定預期位元值。記憶體裝置製造商可使用針對一記憶體裝置所識別之資料有效窗作為一分析工具。

在本描述之前述已知方法中，需要回應資料信號之多個實例之取樣(在一資料位元區內)。但是，已知方法可能費時。此外，僅識別資料有效窗之時間特性。

通常，一資料有效窗可定義預期可從一積體電路裝置(諸如一記憶體裝置)所傳輸之一給定資料信號之一給定資料位元區內取得一有效樣本之條件。這些條件可藉由所關注之任何特定可變測試參數之值之一範圍表示。

一資料位元區及一對應資料有效窗不必限於二維。舉例而言，在一些實施例中，可僅關注與一單個可變測試參數相關聯之一維度(例如僅時間或電壓)。在一維之情況中，一資料位元區可替代地更具體地稱作一資料位元持續時間(例如其中維度為時間)、稱作一資料位元振幅(例如，其中維度為電壓)或更一般而言稱作一資料位元大小。因此，在所關注之單個可變測試參數為時間之情況中，資料有效窗可定義期間預期可從一給定資料信號之一給定資料位元持續時間內取得一有效樣本之一時間週期。在所關注之單個可變測試參數為電壓之情況中，資料有效窗可定義期間預期可從一給定資料信號之一給定資料位元振幅內取得一有效樣本之一電壓範圍。

若資料有效窗定義所關注之一單個可變測試參數之值之一範圍，則可將該資料有效窗視為「一維」。或者，可考慮兩個可變測試參數之一組合且因此可識別「二維」資料有效窗。更一般而言，可考慮兩個或兩個以上可變測試參數之一組合且因此可識別一「多維」資料有效窗。

因此，可藉由值之多個範圍表示預期可從一積體電路裝置所傳輸之一給定資料信號之一給定資料位元區取得之一有效樣本之條件，各範圍係與一不同可變測試參數相關聯。通常，一資料有效窗可定義一或多個可變測試參數(舉例而言諸如時間、電壓、記憶體操作頻率及/或溫度)之任何組合之值之一範圍。亦可考慮其他參數。

僅舉例而言及為方便闡述，下文主要參考二維資料有效窗提供本文所述之實施例之進一步細節。

圖3圖解說明針對一受測試裝置(諸如圖2之記憶體裝置22)所決定之二維資料有效窗之一實例。資料有效窗100針對一給定資料信號(例如一測試器上所接收之來自記憶體裝置22之一回應資料信號)之一給定資料位元區之電壓值之一範圍內之各電壓位準定義期間預期可從給定資料信號之給定資料位元區取得一有效樣本之一時間週期。藉由在一資料有效窗100外之一點所表示之條件下取得之一樣本可能不含有效資料。不同記憶體裝置可能具有不同的相關聯資料有效窗。預期針對一記憶體裝置所識別之一資料有效窗滿足該類型之記憶體裝置之規格要求。大致上，記憶體裝置製造商可將多維資料有效窗用作分析工具以分析(舉例而言)記憶體效能。

藉由在一範圍(例如從V_{Ref_Min} 至V_{Ref_Max} )內之電壓值之多個增量下及在一範圍(例如從DQS_{shift_Min} 至DQS_{shift_Max} 之相位調整)內之多個時序值下對一給定回應資料信號進行取樣及決定代表其中獲得一預期值之一樣本之所有點，可從所決定之點識別一資料有效窗100。舉例而言，可取決於受測試裝置之類型進行從0度至360度或從0度至180度之相位調整。可決定資料有效窗為在時間維度上具有一大小，通常為(舉例而言)資料位元區之資料位元持續時間之1/2至2/3。類似地，可決定資料有效窗為在電壓維度上具有一大小，通常為(舉例而言)資料位元區之資料位元振幅之1/3至2/3。

在識別一資料有效窗100時，需選擇表明該等界限內之所有點代表其中可獲得一預期值之樣本之界限(但是可能存在代表其中可獲得一預期值之樣本之界限外之其他點)。舉例而言，一維資料有效窗100之長度預期為鄰接且二維資料有效窗100(或其他多維資料有效窗)之區域預期具有無「孔」之一區域。

出於分析之目的，可使用一特定數量之維度之一資料有效窗識別較少維度之另一資料有效窗。舉例而言，可「切割」已識別之二維資料有效窗以獲得一維資料有效窗，且可(舉例而言)分析所得之一維資料有效窗之特性。推而廣之，可「切割」三維資料有效「窗」以獲得二維資料有效窗等等。

圖4圖解說明與圖3中藉由實例所提供之資料有效窗100相關聯之四個角隅。展示對應於資料有效窗100之角隅之四個端點101至104。四個點101至104係代表從一給定資料信號之一個別資料位元區取得之樣本之一四點格柵之角隅，其中決定取樣資料有效(即其與一預期值匹配)。四個點101至104具有(V_{Ref_Hi} ,DQS_{shift_Lo} )、(V_{Ref_Hi} ,DQS_{shift_Hi} )、(V_{Ref_Lo} ,DQS_{shift_Lo} )及(V_{Ref_Lo} ,DQS_{shift_Hi} )之各自座標，其中V_{Ref_Hi} <V_{Ref_Max} 、V_{Ref_Lo} >V_{Ref_Min} 、DQS_{shift_Lo} >DQS_{shift_Min} ，且DQS_{shift_Hi} <DQS_{shift_Max} 。

在一實施例中，至少僅測試四點格柵之角隅以加速測試過程。假設四個角隅內未展示之所有內部點代表有效資料(例如在所識別之時間及電壓值之範圍內)。

角隅所定義之格柵代表二維資料有效窗100。為了識別資料有效窗100之角隅，可首先針對特定裝置(例如記憶體裝置)識別規格要求。隨後，在識別規格要求之後但在對給定資料信號進行取樣之前，可定義與資料有效窗100之角隅(例如四個點101至104)相關聯之可變測試參數值。隨後在將可變測試參數設定為與資料有效窗100之角隅相關聯之定義值之條件下執行測試。隨後可藉由證實至少所識別之角隅代表其中獲得一預期值之樣本而確認角隅所定義之格柵確實為符合所識別之規格要求之一資料有效窗。

在一變體實施例中，取代在特定角隅上進行測試，可分析所關注之可變測試參數之寬範圍內及代表其中獲得一預期值之樣本之點集合內之所有點以決定在所有可行資料有效窗之間被視為最大者之形狀及尺寸以定義實際資料有效窗。舉例而言，這在未將資料選通信號用於測試之實施方案中可行。

如前所述，雖然圖3及圖4所示之實例描繪二維資料有效窗，但是熟習此項技術者應瞭解本文教示亦可應用於識別三個或三個以上維度之資料有效窗。亦可在變體實施例中識別一維資料有效窗。

圖5係圖解說明一例示性實施例中圖2之測試系統2中之一控制器14之組件之一方塊圖120。在本實例中，控制器14經組態以藉由驗證代表二維資料有效窗之角隅之四個預識別點係與其中獲得預期資料值之一給定資料信號之一個別資料位元區之樣本相關聯而識別二維資料有效窗。

在本實施例中，控制器14包括兩個電壓比較器31、32；兩個延遲元件33、34；及四個捕捉區塊35至38。熟習此項技術者應瞭解控制器14可包括為方便闡述而未在圖5中明確展示之額外元件。

在操作中，在藉由測試器10(圖2)將一「讀取」命令發送至DUT 20後，藉由控制器14從DUT 20接收呈一回應資料信號之形式之對命令之一回應。在本例示性實施例中，回應資料信號包括一資料信號DQ，及一伴隨資料選通信號DQS兩者。但是，資料信號DQ可能未伴隨有一資料選通信號DQS或一資料選通信號可能伴隨資料信號但是在變體實施例中取而代之可使用替代取樣時脈信號。

DQ信號穿過兩個電壓比較器31、32，而DQS信號穿過兩個延遲元件33、34。電壓比較器31、32之兩個參考電壓V_{Ref_Hi} 、V_{Ref_Lo} 不同，且因此電壓比較器31之輸出(DQ₁ 、DQ₂ )與電壓比較器32之輸出(DQ₃ 、DQ₄ )不同。延遲元件33、34之各者所實施之各自延遲(例如delay_min及delay_max，如圖4所示，其等值可設定為與DQS_{shift_Lo} 及DQS_{shift_Hi} 對應)彼此不同且因此延遲元件33之輸出(DQS₁ 、DQS₃ )與延遲元件34之輸出(DQS₂ 、DQS₄ )不同。

因此，如圖5所示，所圖解說明之組態導致兩個不同延遲及兩個不同電壓比較器之四個不同組合且一不同資料/時脈信號對係用作至捕捉區塊35至38之各者之輸入。這四個組合之各者對應於圖4所示之資料有效窗100中之一單獨角隅101至104所代表之一捕捉值。

在一變體實施例中，比較器14可包括一開關39，該開關39允許將除伴隨資料信號DQ之資料選通信號DQS外之一替代時脈信號用於資料取樣。基於開關39之位置(其可處於其中使用資料選通信號DQS之至少一第一位置及其中使用替代時脈信號之一第二位置)決定將用於資料取樣之信號。這可賦予測試工程師更大靈活性，但是應瞭解可能需要替代時脈信號之額外測試以確保測試系統適當操作。亦可能需要資料選通信號DQS之額外測試以確保DUT 20被適當測試。

圖6係圖解說明一實施例中一例示性捕捉區塊(例如圖5之捕捉區塊35)之組件之一方塊圖130。雖然圖6藉由實例圖解說明捕捉區塊35之組件，但是應瞭解圖5之捕捉區塊36至38之各者將具有類似組件，但是如圖5所示將以不同輸入操作。

捕捉區塊35包括一第一暫存器92及一第二暫存器94。捕捉區塊35接收接收自一記憶體裝置之一回應資料信號96及一伴隨的資料選通信號98。資料信號96及資料選通信號98係輸入至第一暫存器92，而資料信號96及反轉形式之資料選通信號98係輸入至第二暫存器94。

在本實例中，受測試裝置(例如圖2之記憶體裝置22)為經設計以利用一資料選通信號之一記憶體裝置。資料選通信號可伴隨輸入及輸出資料信號兩者。對於一給定記憶體裝置，此資料選通信號可視為饋送至記憶體裝置或接收自記憶體裝置之一似時脈、振盪信號。可以促進記憶體裝置上或藉由另一資料接收器(例如母板上之一晶片組之一組件)之資料信號之捕捉之一方式將資料選通信號與對應輸入或輸出資料信號對準。經設計以利用一資料選通信號，且可根據本文教示測試之記憶體裝置之一些實例包含(但不限於)雙倍資料速率同步動態隨機存取記憶體(DDR SDRAM)、第二代雙倍資料速率同步動態隨機存取記憶體(DDR2 SDRAM)，及第三代雙倍資料速率同步動態隨機存取記憶體(DDR3 SDRAM)。

這些記憶體裝置所利用之資料選通信號促進稱為資料信號之源同步捕捉，因為資料信號之接收器可使用記憶體裝置所提供之似時脈振盪資料選通信號以決定何時可有效讀取記憶體裝置所提供之資料信號。類似地，可藉由傳輸一伴隨資料信號之一裝置(例如一資料傳輸器(諸如傳輸資料信號至記憶體裝置之一晶片組中之一組件))提供記憶體裝置上所接收之一資料選通信號以決定何時可有效捕捉提供至記憶體裝置之伴隨資料信號並將其寫入至記憶體裝置。可取決於所執行之特定操作(例如，從記憶體裝置讀取之一操作、或寫入至記憶體裝置之一操作)不同地將資料信號與一對應資料選通信號對準。

在採用資料信號之源同步捕捉之一例示性系統中，當從記憶體裝置讀取資料時，資料選通信號98(在藉由已穿過圖5之延遲元件33、34而相移後)將移位以偏離一資料位元區之中心(例如，如圖7B及圖7C所示，其中圖7A圖解說明相移前之一資料選通信號)。藉由延遲元件33及34從資料位元區之「起點」開始及相對於至資料位元區之「中心」之典型移位執行之資料選通信號之適當移位而定義圖4之資料有效窗之角隅。

在本實例中，第一暫存器92將從接收自記憶體裝置之資料信號捕捉使資料信號之資料位元持續時間之中心與資料選通信號98之上升邊緣對準之資料之部分。資料之該部分(Q_EVEN )係提供在輸出95上。第二暫存器94將從接收自記憶體裝置之資料信號捕捉使資料信號之資料位元持續時間之中心與資料選通信號98之下降邊緣對準之資料之部分。資料之該部分(Q_ODD )係提供在輸出97上。測試工程師可設計測試系統以平行比較輸出Q_EVEN 及Q_ODD ，但是在一些實施方案中，在藉由經組態以組合輸出之一些邏輯單元[未展示]進一步處理後可使用一單個輸出信號將其等連續作比較。

為進一步圖解說明在藉由測試器10(圖2及圖5)之控制器14從DUT 20之一記憶體裝置22接收資料選通信號及資料信號時可如何將資料選通信號與資料信號對準，參考圖7A至圖7C之例示性時序圖。

在圖7A中，藉由測試器從DUT接收一資料信號DQ 152及一伴隨資料選通信號DQS 151。圖7A圖解說明當從一例示性記憶體裝置傳輸信號時可如何將資料選通信號與資料信號對準。DQS 151係藉由一方波表示，其中上升邊緣及下降邊緣係大致與DQ 152之兩個或兩個以上連續資料位元持續時間之各者之開端對準。因此，發送自記憶體裝置之DQS 152係與一資料位元持續時間邊緣對準。資料選通信號促進從記憶體裝置讀取多個位元之資料(例如8位元)及寫入多個位元之資料至記憶體裝置。資料選通信號相對於資料信號之相位可取決於所執行之特定操作(例如寫入或讀取)。

測試器所接收之資料信號之取樣係與一取樣時脈信號同步，其可在一測試循環中之一系列相位階躍之一者下操作。取樣時脈信號可藉由一方波表示，其中上升邊緣觸發資料信號之取樣。應理解在特定測試方法中，舉例而言，資料信號之取樣或可發生在時脈信號之各下降邊緣上或取樣時脈信號之上升及下降邊緣兩者上。如先前所述，接收自受測試裝置之資料選通信號(DQS)可用作取樣時脈信號。或者，可採用一不同時脈信號，其可與資料選通信號對準，或或者必須適當地組態測試器之延遲元件。

根據其中一資料選通信號係用於在測試器上捕捉信號之一實施例，可藉由施加一相位延遲至所接收之資料選通信號而產生一取樣時脈信號。舉例而言，可將一相位延遲施加至DQS 151，導致相移之資料選通信號。在圖7B及圖7C中，DQS 151係展示為(舉例而言)向右移位達預定義之時間間隔，諸如如圖5所示之最小延遲(delay_min)及最大延遲(delay_max)。

延遲可由測試工程師事先設定且可取決於基於規格要求資料有效窗相對於一給定資料位元區必須達到多寬。舉例而言，若一資料有效窗在一給定維度上之長度需為一資料位元區(例如資料位元持續時間)之對應分量之大小之50%，則delay_min可設定為25%且delay_max可設定為75%。若資料有效窗在一給定維度上之長度需為資料位元區(例如資料位元持續時間)之對應分量之大小之66%，則delay_min可設定為17%且delay_max可設定為83%。這些值僅提供作為實例且應瞭解在變體實施例中可採用不同值。

所產生之相移資料選通信號DQS 153及DQS 155係分別展示在圖7B及圖7C中。如圖7B及圖7C分別所示，即使DQS 151移位，資料信號DQ 154及DQ 156通常將不會相對於圖7A之DQ 152移位，因為所有資料信號152、154及156通常將與具有一固定相位之DQS 151同步。此外，一資料選通信號通常與數個(例如8個)資料位元信號相關聯，且使一個一位元信號(即資料選通信號)移位可比使一個多位元信號移位簡單。

因此，當藉由各延遲元件使DQS 151移位及(在DQS信號153、155之上升邊緣及下降邊緣上)取得各資料信號DQ 154、DQ 156之一樣本時，應瞭解取決於delay_min之長度，DQS 153之上升邊緣及下降邊緣可能會或不會與從中取得一有效樣本之DQ 154之一部分對準。類似地，取決於delay_max之長度，DQS 155之上升邊緣及下降邊緣可能會或不會與從中取得一有效樣本之DQ 156之一部分對準。應瞭解，針對任何給定資料信號DQ，當伴隨資料選通信號DQS之上升及下降邊緣與資料信號DQ之一給定資料位元持續時間之一部分(其中資料信號DQ不會經歷從一信號位準至另一信號位準之轉變)對準時，預期僅可在該給定資料位元持續時間內取得一有效樣本。期間預期資料信號DQ穩定之時間週期可識別且表示從中接收資料信號DQ之記憶體裝置(在時間維度上)之資料有效窗。

參考圖7B，假設delay_min夠大，使得資料選通信號153之上升及下降邊緣大致與資料信號154之兩個或兩個以上連續資料位元持續時間之各者之前部對準。因此，發送至控制器之捕捉區塊(例如圖5中之控制器14之捕捉區塊35、37)之資料選通信號153係展示為與資料位元持續時間之一前部對準。

參考圖7C，假設delay_max夠小，使得資料選通信號155之上升及下降邊緣大致與資料信號156之兩個或兩個以上連續資料位元持續時間之各者之後部對準。因此，發送至控制器之捕捉區塊(例如圖5中之控制器14之捕捉區塊36、38)之資料選通信號155係展示為與資料位元持續時間之一後部對準。

應瞭解delay_min將通常小於delay_max，且測試工程師可選擇兩個延遲值之間之差異(差異代表資料有效窗在時間維度上之寬度)(例如圖4之界限101與102或角隅103與104之間之距離)以至少滿足特定規格要求。

圖8A係圖解說明一實施例中圖5之控制器14之電壓比較器31、32之一方塊圖。

各電壓比較器31、32經組態以接受至少兩個電壓信號(一者在「+」輸入終端上且另一者在「-」輸入終端上)作為輸入並輸出能夠驅動一「高」電壓位準或一「低」電壓位準(分別對應於「1」及「0」電壓位準)之一電壓信號(DQ_OUT )。若「+」輸入終端上之電壓信號大於一給定電壓比較器之「-」輸入終端上之電壓信號，則電壓比較器所輸出之電壓信號驅動「1」電壓位準。或者，若「+」輸入終端上之電壓信號小於一給定電壓比較器之「-」輸入終端上之電壓信號，則電壓比較器所輸出之電壓信號驅動「0」電壓位準。

為闡釋此理念，圖8B中所圖解說明之信號波形描繪電壓比較器31之「+」輸入終端上之一可變DQ_IN 信號62及電壓比較器31之「-」輸入終端上之一固定V_{Ref_Hi} 信號61。來自電壓比較器31之輸出係藉由DQ_OUT 信號63展示。

類似地，圖8C中所圖解說明之信號波形描繪輸入電壓比較器31之「+」輸入終端上之相同可變DQ_IN 信號62及電壓比較器之「-」輸入終端上之一固定V_{Ref_Hi} 信號64(值低於圖8B之V_{Ref_Hi} 信號61)。在本情況中，來自電壓比較器31之輸出係藉由DQ_OUT 信號66展示。

在上文主要參考圖4及圖5而描述之實例中，提供經組態以識別二維資料有效窗之一控制器之細節。控制器驗證代表二維資料有效窗之角隅之四個預識別點係與其中獲得一預期資料值之一給定資料信號之一個別資料位元區之樣本相關聯。在至少一實施例中，同時執行所有四個點之驗證。

在一些實施例中，遭受驗證之位於電壓值之範圍內及時序值之範圍內(或取決於特定實施例之視情況之其他可變測試參數範圍)之預識別點之數量可從四個點增至更大數量之點之任意者。這可提高資料有效窗之決定之準確度。在至少一實施例中，同時執行所有四個點之驗證。

舉例而言，關於時間維度上之額外點之測試，若一記憶體裝置已「通過」特定測試(delay_min及delay_max設定為特定值)，則可修飾延遲元件33及34(圖5)所執行之延遲。隨後可執行進一步測試。延遲可設定為超過規格要求所規定之最低要求。若一記憶體裝置最初「未通過」測試，則亦可修飾延遲以測試較小資料有效窗之角隅以查看受測試裝置在哪個(些)點上未通過及差多少。應瞭解在本文所述之至少一實施例中，測試系統之延遲元件所執行之延遲非永久性固定，但是可程式化。

作為另一實例，圖9係圖解說明另一實施例中與圖3之資料有效窗100相關聯之九個點之一示意圖。展示對應於資料有效窗100之角隅之四個端點101至104。四個點101至104係位於代表取自一給定資料信號之一個別資料位元區之樣本(其中取樣資料決定為有效(即其與一預期值匹配))之一格柵之角隅上。四個點101至104具有(V_{Ref_Hi} ,DQS_{shift_Lo} )、(V_{Ref_Hi} ,DQS_{shift_Hi} )、(V_{Ref_Lo} ,DQS_{shift_Lo} )及(V_{Ref_Lo} ,DQS_{shift_Hi} )之各自座標，其中V_{Ref_Hi} <V_{Ref_Max} 、V_{Ref_Lo} >V_{Ref_Min} 、DQS_{shift_Lo} >DQS_{shift_Min} ，且DQS_{shift_Hi} <DQS_{shift_Max} 。亦展示對應於格柵之界限上或格柵之內部上之點之五個額外點105至109。藉由定義一中間電壓位準V_{Ref_Mid} 及一中間相位調整DQS_{shift_Mid} 而獲得這些點，可在這些點上取得進一步樣本並進行決定以驗證取樣資料是否有效。五個額外點105至109具有(V_{Ref_Hi} ,DQS_{shift_Mid} )、(V_{Ref_Mid} ,DQS_{shift_Lo} )、(V_{Ref_Mid} ,DQS_{shift_Mid} )、(V_{Ref_Mid} ,DQS_{shift_Hi} )及(V_{Ref_Lo} ,DQS_{shift_Mid} )之各自座標，其中V_{Ref_Lo} <V_{Ref_Mid} <V_{Ref_Hi} ，且DQS_{shift_Lo} <DQS_{shift_Mid} <DQS_{shift_Hi} 。

圖10係圖解說明另一實施例中圖2之測試系統2中之一控制器14之組件之一方塊圖140。控制器14經組態以藉由驗證代表二維資料有效窗之界限上或內部上之點(見圖9)之九個預識別點係與其中獲得一預期資料值之一給定資料信號之一個別資料位元區之樣本相關聯而識別二維資料有效窗。在一實施例中，測試九個點且若決定九個點係與針對其獲得一預期資料值之一給定資料信號之一個別資料位元區之樣本相關聯，則假設資料有效窗所代表之電壓及時間值之整個範圍代表預期可從給定資料信號之一給定資料位元區取得有效資料之樣本之條件。在至少一實施例中，同時執行所有九個點之驗證。

在本實施例中，控制器14包括三個電壓比較器71至73、三個延遲元件74至76，及九個捕捉區塊77至85。熟習此項技術者應瞭解控制器14可包括為方便闡述而未在圖10中明確展示之額外元件。

在操作中，在藉由測試器10(圖2)將一「讀取」命令發送至DUT 20後，藉由控制器14從DUT 20接收對命令之一回應。在本例示性實施例中，回應包括一資料信號DQ，及一伴隨資料選通信號DQS兩者。但是，如上所述，資料信號DQ可能未伴隨有一資料選通信號DQS或一資料選通信號可能伴隨資料信號但是在變體實施例中取而代之可使用替代取樣時脈信號。

資料信號DQ穿過三個電壓比較器71至73，而資料選通信號DQS穿過三個延遲元件74至76。電壓比較器71至73之三個參考電壓V_{Ref_Hi} 、V_{Ref_Mid} 、V_{Ref_Lo} 均不同，且因此電壓比較器71之輸出(DQ₁ 、DQ₂ 、DQ₃ )與電壓比較器72之輸出(DQ₄ 、DQ₅ 、DQ₆ )不同，電壓比較器72之輸出(DQ₄ 、DQ₅ 、DQ₆ )繼而與電壓比較器73之輸出(DQ₇ 、DQ₈ 、DQ₉ )不同。

延遲元件74至76之各者所實施之各自延遲(例如delay_min、delay_mid及delay_max，如圖9所示，其等值可設定為與DQS_{shift_Lo} 、DQS_{shift_Mid} 及DQS_{shift_Hi} 對應)亦彼此不同且因此延遲元件74之輸出(DQS₁ 、DQS₄ 、DQS₇ )與延遲元件75之輸出(DQS₂ 、DQS₅ 、DQS₈ )不同，延遲元件75之輸出(DQS₂ 、DQS₅ 、DQS₈ )繼而與延遲元件76之輸出(DQS₃ 、DQS₆ 、DQS₉ )不同。

因此，如圖10所示，所圖解說明之組態導致三個不同延遲及三個不同電壓比較器之九個不同組合且一不同資料/時脈信號對係用作至捕捉區塊77至85之各者之輸入。這九個組合之各者對應於圖9之資料有效窗100中之一單獨點101至109所代表之一捕捉值。

在一變體實施例中，比較器14可包括一開關88，該開關88允許將除伴隨資料信號DQ之資料選通信號DQS外之一替代時脈信號用於資料取樣。基於開關88之位置(其可處於其中使用資料選通信號DQS之至少一第一位置及其中使用替代時脈信號之一第二位置)決定將用於資料取樣之信號。這可賦予測試工程師更大靈活性，但是應瞭解可能需要替代時脈信號之額外測試以確保測試系統適當操作。亦可能需要資料選通信號DQS之額外測試以確保DUT 20得到適當測試。

在變體實施例中，藉由一測試器從一受測試裝置接收之資料信號可能未伴隨有一資料選通信號，且測試系統可使用另一時脈信號，諸如測試器上所產生之一時脈信號以促進資料取樣。應瞭解可能需要時脈信號之額外測試以確保測試系統適當操作。

在變體實施例中，即使藉由一測試器而從一受測試裝置接收之資料信號伴隨有資料選通信號，測試系統仍可經設計以總是將除資料選通信號外之一替代時脈信號用於資料取樣。在這些實施方案中無需在控制器中提供一開關。

雖然上述實例圖解說明使用2x2或3x3格柵點識別二維資料有效窗，但是應瞭解在變體實施例中可使用不同數量之點(例如10x10、20x20、50x50或100x100網格點)進行二維資料有效窗之識別。為了更大的確定性，第一維度上之點之數量無需與第二維度上之點之數量相同(即可測試任意N x M網格點，其中M及N均大於或等於1，且其中M可能等於或可能不等於N)。

此外，在變體實施例中亦藉由在更大標度上採用本文教示而進行具有多於兩個維度之一資料有效窗之識別。針對實務目的，在這些變體實施例之至少一些中，維度之一者通常為時間。

上述實例圖解說明可決定點如何與一資料有效窗100相關聯，其中點代表從一給定資料信號之一個別資料位元區取得之樣本。應瞭解可藉由僅分析給定資料信號之一個別資料位元區(其代表單個位元值，「1」或「0」)及確認取樣值有效而決定資料有效窗100之這些點。但是，在至少一實施例中，為了更大的準確度，隨後接著針對(舉例而言)與其他位元相關聯之給定資料信號之額外資料位元區(例如多個連續資料位元區)重複這些點之測試。

舉例而言，給定資料信號可代表來自一記憶體裝置對先前傳輸至記憶體裝置之一特定測試向量型樣之一回應且因此含有一對應回應位元型樣(例如10101010)。在至少一實施例中，在資料信號之相關聯資料位元區上針對資料信號中所含之回應位元型樣之各連續位元執行測試。這是為了更好地確保基於資料信號之一資料位元區而決定之資料有效窗100上之點所代表之取樣值將有效，而無關於所測試之資料信號之特定資料位元區。此外，採用一交替位元型樣(例如10101010)幫助界定各資料位元區之界限，因為臨近資料位元區將含有相反邏輯值(即「1」及「0」)。

為了甚至更大的準確度，不僅針對回應於傳輸一測試向量型樣至記憶體裝置而藉由測試器接收之一回應資料信號之多個資料位元區而且針對回應於傳輸多個不同測試向量型樣至記憶體裝置而接收之多個回應資料信號重複與資料有效窗100相關聯之點之測試。

現參考圖11，圖解說明根據至少一實施例測試一積體電路裝置(諸如一記憶體裝置)之一方法中之動作之一流程圖係整體展示為200。可能已在上文中參考先前圖式描述與方法200相關聯之特徵之一些，且讀者可參考上文描述獲得進一步細節。

在一些實施例中，除資料信號外，記憶體裝置可利用促進資料之源同步捕捉之一資料選通信號。

在本文所述之例示性實施例中，藉由一測試器模組(例如測試器10)執行方法200之動作。但是，在變體實施例中，這些動作之一些可代理至耦合至測試器模組之一不同模組。

在202中定義用於測試記憶體裝置(例如圖2中DUT 20之記憶體裝置22)之有限組之測試向量型樣。

在204中，從202中所定義之該組測試向量型樣產生一測試向量型樣。在至少一實施例中，藉由一測試模組(例如圖2之測試器10)產生測試向量型樣。舉例而言，在如本描述先前所述係藉由圖2之測試器10產生測試向量型樣的情況下，藉由微處理器(例如圖2之16)從程式記憶體(例如圖2之12)提取一指令。回應於該指令，微處理器指示一測試向量型樣產生器(例如圖2之TVPG 18)產生一測試向量型樣之一數位表示，該數位表示隨後被發送至一控制器(例如圖2之14)。控制器將測試向量型樣轉換為一電信號(一「測試向量波形」)以傳輸至受測試裝置(例如圖2之DUT 20)，即本實例中所測試之記憶體裝置(例如圖2之22)。

在206中，跨一通信通道(例如圖2之6)將包括對應於204中所產生之測試向量型樣之一測試向量波形之一資料信號傳輸至記憶體裝置。在一實施例中，測試向量波形含有具有對應資料選通信號之適當資料信號，使得可在資料選通信號之協助下執行藉由記憶體裝置之資料捕捉。除資料選通信號外亦可傳輸其他時脈信號。

在操作中，傳輸至記憶體裝置之測試向量型樣係用於測試記憶體裝置。舉例而言，測試向量型樣在記憶體裝置上被轉換回數位形式後，可寫入至記憶體裝置中。測試器之控制器隨後將可經由一「讀取」操作跨通信通道擷取所儲存之數位資料。在(例如藉由圖2之比較器區塊19)與一預期位元型樣相比較時，一微處理器(例如圖2之微處理器16)可關於該測試向量型樣數位地決定所測試之記憶體裝置之操作是否準確符合規格。

在208中，(例如回應於一「讀取操作」)跨通信通道接收包括記憶體裝置所傳輸之一位元型樣波形之一回應資料信號。位元型樣波形係接收為測試器上之一電信號且對應於記憶體裝置回應於206中所傳輸之測試向量型樣而產生之一數位信號。

在210中，在回應資料信號之一個別資料位元區內之複數個點上對208中所接收之回應資料信號進行取樣以產生個別資料位元區之第二資料信號之複數個取樣值。在至少一實施例中，同時在個別資料位元區之複數個點上對第二資料信號進行取樣。

在一些實施例中，可額外地在一個別資料位元區外之複數個點上對回應資料信號進行取樣；但是在212中採用一交替位元型樣(例如10101010)會在這些點上產生一錯誤，且因此免於將該等點包含在資料有效窗內。

舉例而言，如圖5及圖10所示，可藉由採用經適當校準或計算之延遲元件在不同時間點上取得回應資料信號之個別資料位元區之多個樣本。此外，舉例而言，如圖5及圖10所示可藉由採用經適當校準或計算之電壓比較器在不同電壓位準下取得回應資料信號之個別資料位元區之多個樣本。

讀者可參考先前圖式及其對應描述以獲得動作210之額外細節。

因此，在決定記憶體裝置之一資料有效窗時可使用回應資料信號之一單個實例從回應資料信號之一個別資料位元區取得回應資料信號之多個樣本。在至少一實施例中，可同時取得多個樣本。如特定已知方法中無需從相同回應資料信號之多個實例取得樣本以估計其中預期可從一記憶體裝置所傳輸之資料信號之一給定資料位元區取得一有效樣本之一特定可變測試參數之範圍。這可改良測試過程之速度，可能作為使用額外硬體之取捨。

在212中，對於在210中針對一個別資料位元區而決定之複數個取樣值之各取樣值，做出取樣值是否與對應於取樣值之一預期位元型樣值匹配之一決定。

在至少一實施例中，同時執行在212中所執行之決定。

在一變體實施例中，若在獲得所有取樣值之前偵測到一錯誤(例如若在個別資料位元區之界限外取得一樣本)，則無需在210中對所有複數個點進行取樣。

若在多個時脈循環中重複在210中在一個別資料位元區內之多個點上進行取樣，則將對多個資料位元區進行取樣且發現藉由取樣過程所決定之一位元型樣。在該等實施例中，因為整體如箭頭218所示回應資料信號之多個資料位元區之各個別資料位元區之取樣值係在210中獲得，故可(舉例而言)「即時」執行比較。或者，整體如箭頭211所示，在於212中比較針對不同資料位元區(例如針對回應資料信號中所含之一整個位元型樣)獲得之多個樣本與預期位元型樣值前可將多個樣本積累。

一預期位元型樣可為204中所產生之測試向量型樣波形之位元型樣之數位表示。在一例示性實施例中，測試器模組之一控制器(例如圖2之14)發送作為位元型樣之取樣輸入波形至(例如圖2之比較器區塊19之)一或多個比較器，一或多個比較器比較源自接收自受測試記憶體裝置之資料回應信號之波形之位元型樣與藉由一參考記憶體裝置(例如圖2之15)傳輸至一或多個比較器之先前所儲存之參考位元型樣。

因此，執行決定214，可能的結果215及217係如圖11所示。如215中所示，若在212中所執行之比較之至少一者產生一數位不匹配，則決定214導致取自接收自記憶體裝置之回應資料信號之樣本之至少一者無效之決定。在至少一實施例中，此資訊(並非所有樣本均係決定為有效)係藉由測試器儲存供日後(例如藉由記憶體儲存中之圖2之微處理器16)使用。在216中，方法可在偵測到一錯誤時結束或或者測試可繼續(例如在222中)使得可做出記憶體裝置之哪些記憶體單元未通過及哪些測試型樣導致(諸)未通過之一更全面決定。

另一方面，如217中所示，若212中所執行之比較未產生任何數位不匹配，則決定214導致接收自記憶體裝置之回應資料信號之樣本有效之決定。在至少一實施例中，此資訊(樣本係決定為有效)係藉由測試器儲存供日後使用。

在222中，決定是否存在經傳輸以測試記憶體裝置之更多測試向量型樣。若是，則決定222可導致方法200之流程返回以重複從204開始之方法200之動作以從202中所定義之該組測試向量型樣產生另一測試向量型樣。若不再有傳輸至受測試積體電路裝置之測試向量型樣，則方法200之流程繼續至224。

在224中，如與210中所驗證之資料回應信號之樣本相關聯之點定義，針對記憶體裝置(見例如圖4及圖9)識別一資料有效窗。來自不同可變測試參數之範圍(其中可從接收自記憶體裝置之資料信號之一給定資料位元區取得一有效樣本)內之資料有效窗之特性可決定且可藉由測試器提供作為輸出參數。針對各參數(即在各維度上)，將決定之資料有效窗之特性(舉例而言)可包含資料有效窗之起始點、終止點及其長度。

在226中，做出224中所識別之資料有效窗是否滿足與一類型之受測試記憶體裝置相關聯之規格要求之一決定。規格要求係用於識別記憶體裝置根據規格應產生有效值之條件。若資料有效窗未滿足規格要求(例如若資料有效窗上之任何點應與一有效樣本相關聯但未相關聯)，則記憶體裝置可視為已經歷不合格。

在228中決定一測試結果。舉例而言，在230中測試器可記錄、輸出或記錄並輸出測試結果。在228中所決定之測試結果可指示224中所識別之資料有效窗是否未滿足如226中所決定之規格要求。在一實施例中，測試結果可明確識別資料有效窗本身之一或多個量化特性，一或多個量化特性針對各參數(即在各維度上)可(舉例而言)包含資料有效窗之起始點、終止點及其長度。

在至少一實施例中，在記憶體裝置之資料有效窗係決定為未滿足規格要求的情況下，記憶體裝置可視作有缺陷且測試結果因此可反映此不合格狀態。熟習此項技術者應瞭解228中所決定之測試結果亦可提供有關在測試循環中可能已執行之其他測試之細節。為方便闡述，本文中未明確描述可能已執行之其他測試之細節。

雖然本文所述之實施例主要圖解說明測試一單個記憶體裝置之動作，但是在變體實施例中亦可測試多個記憶體裝置。此外，在變體記憶體中亦可測試一或多個其他積體電路裝置。

已藉由許多實例展示及描述本文所述之實施例。熟習此項技術者應瞭解在不脫離如隨附申請專利範圍所定義之所描述實施例之主旨及範疇之情況下，可對所描述之實施例進行變更及修飾。

2．．．測試系統

6．．．通信通道

10．．．測試器

12．．．程式記憶體

14．．．控制器

15．．．參考記憶體裝置

16．．．微處理器

18．．．測試向量型樣產生器(TVPG)

19．．．比較器區塊

20．．．積體電路裝置/受測試裝置(DUT)

22．．．記憶體裝置

31．．．電壓比較器

32．．．電壓比較器

33．．．延遲元件

34．．．延遲元件

35．．．捕捉區塊

36．．．捕捉區塊

37．．．捕捉區塊

38．．．捕捉區塊

39．．．開關

61．．．固定V_{Ref_Hi} 信號

62．．．可變DQ_IN 信號

63．．．DQ_OUT 信號

64．．．固定V_{Ref_Hi} 信號

66．．．DQ_OUT 信號

71．．．電壓比較器

72．．．電壓比較器

73．．．電壓比較器

74．．．延遲元件

75．．．延遲元件

76．．．延遲元件

77．．．捕捉區塊

78．．．捕捉區塊

79．．．捕捉區塊

80．．．捕捉區塊

81．．．捕捉區塊

82．．．捕捉區塊

83．．．捕捉區塊

84．．．捕捉區塊

85．．．捕捉區塊

88．．．開關

92．．．第一暫存器

94．．．第二暫存器

95．．．輸出

96．．．資料信號

97．．．輸出

98．．．資料選通信號

100．．．資料有效窗

101．．．端點

102．．．端點

103．．．端點

104．．．端點

105．．．點

106．．．點

107．．．點

108．．．點

109．．．點

120．．．方塊圖

130．．．方塊圖

140．．．方塊圖

151．．．資料選通信號

152．．．資料信號

153．．．資料選通信號

154．．．資料信號

155．．．資料選通信號

156．．．資料信號

a．．．點

b．．．點

c．．．點

DQ．．．資料信號

DQ₁ ．．．資料信號

DQ₂ ．．．資料信號

DQ₃ ．．．資料信號

DQ₄ ．．．資料信號

DQ₅ ．．．資料信號

DQ₆ ．．．資料信號

DQ₇ ．．．資料信號

DQ₈ ．．．資料信號

DQ₉ ．．．資料信號

DQ_IN ．．．資料信號

DQ_OUT ．．．資料信號

DQS．．．資料選通信號

DQS₁ ．．．資料選通信號

DQS₂ ．．．資料選通信號

DQS₃ ．．．資料選通信號

DQS₄ ．．．資料選通信號

DQS₅ ．．．資料選通信號

DQS₆ ．．．資料選通信號

DQS₇ ．．．資料選通信號

DQS₈ ．．．資料選通信號

DQS₉ ．．．資料選通信號

DQS_{shift_Min} ．．．資料選通信號

DQS_{shift_Max} ．．．資料選通信號

DQS_{shift_Lo} ．．．資料選通信號

DQS_{shift_Mid} ．．．資料選通信號

DQS_{shift_Hi} ．．．資料選通信號

d．．．點

e．．．點

f．．．點

Q_EVEN ．．．資料之部分

Q_ODD ．．．資料之部分

T．．．時間

T₁ ．．．時間

T₂ ．．．時間

t．．．時間

t₁ ．．．時間

t₂ ．．．時間

t₃ ．．．時間

t₄ ．．．時間

V．．．電壓

V_Hi ．．．高電壓

V_Min ．．．最小電壓

V_Ref ．．．參考電壓

V_{Ref_Hi} ．．．參考電壓

V_{Ref_Lo} ．．．參考電壓

V_{Ref_Min} ．．．電壓

V_{Ref_Max} ．．．電壓

V_Lo ．．．低電壓

V_Ref ．．．參考電壓

圖1圖解說明資料位元圖之實例，其中識別一資料位元區及一對應資料有效窗；

圖2係根據至少一實施例之包括一受測試記憶體裝置及一測試器模組之一測試系統之一方塊圖；

圖3係圖解說明根據一例示性實施例之針對一受測試裝置決定之一資料有效窗之一示意圖；

圖4係圖解說明一實施例中與圖3之資料有效窗相關聯之四個角隅之一示意圖；

圖5係圖解說明一實施例中圖2之測試系統中之一控制器之組件之一方塊圖；

圖6係圖解說明一實施例中圖5之控制器中之一捕捉區塊之組件之一方塊圖；

圖7A至圖7C圖解說明資料選通信號可如何與資料信號對準之時序圖，其中資料選通信號及資料信號係接收自一記憶體裝置；

圖8A係圖解說明一實施例中圖5之控制器之電壓比較器之一方塊圖；

圖8B及圖8C係圖解說明如何基於一參考電壓信號之高值及低值產生圖8A中之電壓比較器之輸出資料值之例示性信號波形；

圖9係圖解說明另一實施例中與圖3之資料有效窗相關聯之九個點之一示意圖；

圖10係圖解說明另一實施例中圖2之一測試系統中之一控制器之組件之一方塊圖；及

圖11係圖解說明根據至少一實施例之測試一積體電路裝置之方法中之動作之一流程圖。