TWI475094B - 光致發光薄膜、殼體及殼體之製作方法 - Google Patents

Description

光致發光薄膜、殼體及殼體之製作方法

本發明係關於一種光致發光薄膜、殼體及殼體之製作方法。

電子產品之暢銷與否與產品之外觀有很大關係，製造商亦不停地開發各種款式之外殼，以求獲得市場之青睞。產品不僅在外觀上變化，材質上亦不停地嘗試，如採用金屬製成之殼體，或者藉由採用嵌入成型之方法在殼體表面形成有圖案之薄膜，然，該等殼體薄膜圖案單調，趣味性不足，難以吸引消費者眼球。

鑒於以上情況，有必要提供一種能形成在電子裝置殼體上以增強電子裝置外觀趣味性之光致發光薄膜。

另外，有必要提供一種形成有所述光致發光薄膜之殼體。

此外，有必要提供一種所述殼體之製作方法。

一種光致發光薄膜，所述光致發光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成，所述光致發光薄膜進一步包括一種或多種稀有元素，所述稀有元素包括鍶、銪。

一種殼體，包括一基體及形成在基體上之一光致發光薄膜，所述光致發光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成，所述光致發光薄膜進一步 包括一種或多種稀有元素，所述稀有元素包括鍶、銪。

一種殼體之製作方法，包括以下步驟：提供一基體，將基體表面進行清洗；將基體進行物理氣相沉積，形成一光致發光薄膜，該光致發光薄膜主要含有摻銦氧化鋅，所述鋅靶靶材為鋅與稀有元素之一種或多種形成之合金。

相較於習知技術，本光致發光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成，其能在光線照射條件下儲存能量，在光線撤除後可以發光，銦之摻雜增強了所述光致發光薄膜之發光性能。該種在無光線照射條件下殼體可發光之現象增加了殼體之使用趣味性。所述殼體藉由採用物理氣相沉積方法製作，工藝簡單。

10‧‧‧殼體

11‧‧‧基體

12‧‧‧光致發光薄膜

圖1係本發明較佳實施例一殼體之截面示意圖。

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖與實施例對本發明進行進一步詳細說明。

本發明較佳實施例一電子裝置之殼體10包括一基體11及一覆蓋在基體11上表面之一光致發光薄膜12。

所述基體11可由金屬材質製成，如不銹鋼、銅、鈦、鈦合金、鋁、鋁合金等。

所述光致發光薄膜12主要由摻銦氧化鋅組成，還可進一步含有稀有元素，如鍶、銪、鉑等。該光致發光薄膜12之厚度薄，在 500nm以內。該光致發光薄膜12在光照下可吸收及儲存能量，並在無光照之條件下將能量以光線之形式放出，實現發光之功能，增強了所述殼體10之使用趣味性。該光致發光薄膜12可利用物理氣相沉積(PVD)技術形成於基體11之表面。

所述殼體10之製作方法，主要包括以下步驟：

(1)將基體11表面進行化學超聲波清洗，如採用無水乙醇或丙酮對基體11進行超聲波清洗，以除去基體11表面之油污。

(2)將基體11表面進行等離子體清洗，以進一步除去基體11表面之油污及氧化物等，以及改善基體11表面與後續形成之光致發光薄膜12之結合力。具體過程可為：將超聲波清洗後之基體11放入一真空鍍膜機中，抽真空該鍍膜機之腔體至3.0×10^-5Torr(1Torr=133.32Pa)，然後通入流量為300~500sccm(標準毫升每分)之工作氣體氬氣(純度為99.999%)，對基體11施加-300~-500V之偏壓，使鍍膜室中產生高頻電壓，使所述氬氣發生離子化而產生氬氣等離子體對基體11之表面進行物理轟擊，而達到對基體11表面等離子體清洗之目之。所述等離子體清洗之時間可為3~20分鐘。

(3)對基體11進行物理氣相沉積，使基體11表面形成摻銦氧化鋅薄膜。該物理氣相沉積之具體過程為：基體11在真空鍍膜機中經過等離子體清洗後，調節基體11之偏壓至-100~-300V，並控制基體11之溫度為20~300ºC，向鍍膜機之腔體通入流量為150~300sccm(標準狀態毫升/分鐘)之高純氬氣及流量為10~120sccm之氧氣，接著開啟濺鍍靶鋅靶，該鋅靶可以係單一之鋅金屬，也可以係鋅與稀有元素如鍶、銪、鉑等之一種或多種形 成之合金，設置鋅靶之功率為3~10kw(千瓦)，濺鍍20~60min(分鐘)，則基體11之表面將充分地覆蓋一氧化鋅膜。然後關閉鋅靶之電源及停止通入氧氣，開啟濺鍍靶銦靶濺鍍5~10分鐘，在氧化鋅膜之部分表面沉積銦，使銦局部地摻雜在氧化鋅膜中，從而在基體11表面形成摻銦之氧化鋅薄膜，製得所述光致發光薄膜12。

所述之氧化鋅膜在光照下可吸收能量，其電子從低軌躍遷至高軌，無光照後，電子從高軌回遷至低軌並以光能之形式釋放能量，而出現發光之現象。而銦之摻雜可以提高氧化鋅之電子從高軌回遷至低軌之傳導性，從而提高了氧化鋅之發光性能，使得光致發光薄膜12具有更強之發光性能，增強了殼體10之使用趣味性。

(4)將殼體從真空鍍膜機中取出。

所述殼體10藉由物理氣相沉積之方法製作，工藝簡單。

綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，舉凡熟悉本案技藝之人士，於爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。

10‧‧‧殼體

11‧‧‧基體

12‧‧‧光致發光薄膜

Claims (8)

1. 一種光致發光薄膜，其改良在於：所述光致發光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成，所述光致發光薄膜進一步包括一種或多種稀有元素，所述稀有元素包括鍶、銪。
2. 如申請專利範圍第1項所述之光致發光薄膜，其中所述光致發光薄膜之厚度在500nm以內。
3. 一種殼體，包括一基體及形成在基體上之一光致發光薄膜，其改良在於：所述光致發光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成，所述光致發光薄膜進一步包括一種或多種稀有元素，所述稀有元素包括鍶、銪。
4. 如申請專利範圍第3項所述之殼體，其中所述基體包括不銹鋼、銅、鈦、鈦合金、鋁、鋁合金。
5. 一種殼體之製作方法，包括以下步驟：提供一基體，將基體表面進行清洗；將基體進行物理氣相沉積，形成一光致發光薄膜，該光致發光薄膜主要含有摻銦氧化鋅，所述鋅靶靶材為鋅與稀有元素之一種或多種形成之合金。
6. 如申請專利範圍第5項所述殼體之製作方法，其中所述清洗步驟包括化學超聲波清洗與等離子體清洗中之至少一種。
7. 如申請專利範圍第5項所述殼體之製作方法，其中所述物理氣相沉積之步驟具體為：開啟鋅靶與通入氧氣，鋅靶之功率為3~10kw，濺鍍20~60min，氧氣流量為10~120sccm，使基體表面濺射形成氧化鋅膜，然後關閉鋅靶並停止通入氧氣，接著開啟銦靶濺鍍5~10分鐘，使氧化鋅膜表面摻雜銦。
8. 如申請專利範圍第7項所述殼體之製作方法，其中所述鋅靶靶材之稀有元素包括鍶、銪。