TWI474365B - And a method of manufacturing the plasma processing apparatus and apparatus - Google Patents

Description

電漿處理裝置及裝置的製造方法

本發明是有關電漿處理裝置及裝置的製造方法，特別是有關適於製作構成各種電子零件、半導體積體電路元件、各種感測器、各種微型機械元件等的裝置之微細構造的電漿處理裝置及裝置的製造方法。

電漿處理裝置的一例，可舉有磁場感應耦合型的乾蝕刻裝置。此種的蝕刻裝置是使感應耦合型電漿產生於放電容器內，利用此電漿來乾蝕刻配置於處理室內的基板表面之裝置(例如參照專利文獻1)。

放電容器是以電介體所形成，在其周圍捲繞有線圈狀的天線，此天線是使感應電場產生於減壓下的放電容器內。從高頻電源供給電力至天線。並且，在天線的外周，與放電容器同心圓狀地配置有環狀的電磁石。藉由從此電磁石生成的散發磁場，在放電容器內所被生成的電漿會被擴散於處理室內。

具備如此的電磁石之有磁場感應耦合型的乾蝕刻裝置是可效率佳地使電漿擴散於處理室內，可取得能量效率佳，且非常有用的加工特性。

[先行技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]特開2000-133498號公報

然而，會有在上述構成的乾蝕刻裝置中，在放電容器與處理室相反側存在閉塞端部，來自電漿的損傷加諸於此閉塞端部的問題。特別是藉由電磁石所形成的散發磁場的磁力線會集中於放電容器的中心軸部，容易局部地產生損傷，材質變質，或嚴重時發生開孔而大氣混入的不良情形。在此所謂損傷是指來自電漿之高能量荷電粒子的射入損傷、或該射入所產生的發熱及其熱損傷等。

雖使用高頻損失少加工特性佳的石英玻璃來作為構成放電容器的電介體，但在上述閉塞端部容易發生玻璃的結晶化(常被稱為結石)或孔的開口。因此，會有高價的放電容器的更換周期變短的問題。

因此，為了使乾蝕刻裝置安定運轉，上述損傷部分的改善將成為必須課題。

本發明是有鑑於上述情事，以提供一種可減少來自放電容器中所產生的電漿之損傷，可使放電容器的更換周期長期化之電漿處理裝置、及使用彼之裝置的製造方法為目的。

對於上述的問題，雖可考慮使放電容器離開電磁石的軸方向中心所定距離以上，但此情況，特別是在從電磁石的中心軸往徑方向離開的區域中無法確保必要的磁場強度，因此無法充分地擴散電漿。並且，依情況，內壁的蝕刻會藉由未被擴散的荷電粒子而助長。針對於此，像本發明那樣，設置突出部，使放電容器的內壁偏離電漿之荷電粒子的聚焦位置，藉此不會有降低擴散效率的情形，可提高放電容器的耐久性。

為了達成上述目的，本發明的構成是如以下所述般。

亦即，本發明的電漿處理裝置的特徵係具備：處理室，其係區劃處理空間；放電容器，其係由一端面臨前述處理室的內部而開口，另一端被閉塞的筒體所構成；天線，其係配置於前述放電容器的周圍，使發生感應電場，在減壓下的前述放電容器的內部產生電漿；及磁石，其係配置於前述放電容器的周圍，在前述放電容器的內部形成散發磁場，前述放電容器的閉塞端部具有朝前述處理室側突出的突出部。

又，本發明的電漿處理裝置的特徵係具備：處理室，其係區劃處理空間；放電容器，其係由一端面臨前述處理室的內部而開口，另一端被閉塞的筒體所構成；天線，其係配置於前述放電容器的周圍，使發生感應電場，在減壓下的前述放電容器的內部產生電漿；及磁石，其係具有配置於前述放電容器的周圍的線圈，在前述放電容器內，具備至少配置於前述磁石的軸方向中心，遮擋從前述磁石的軸方向中心往和前述處理室相反側的電漿擴散之構件。

又，本發明的裝置的製造方法，係於放電容器的內部產生電漿，藉由磁石的散發磁場來使電漿擴散於處理室的內部，而處理處理對象來製造裝置之方法，其特徵為：在電漿處理時，配置一在閉塞端部具備朝前述處理室側突出的突出部之前述放電容器。

若利用本發明，則因為放電容器的閉塞端部具有往處理室側突出的突出部，所以可減少來自放電容器的電漿之損傷，可使放電容器的更換周期長期化。

以下，參照圖面來說明本發明的實施形態，但本發明並非限於本實施形態。

[第1實施形態]

在本實施形態中，電漿處理裝置是舉有磁場高頻感應耦合型的乾蝕刻裝置為例。

圖1是模式性地顯示本實施形態的乾蝕刻裝置的概略圖。

如圖1所示，本實施形態的乾蝕刻裝置1是具備區劃處理空間的處理室2，且在其上部壁的中央部配設有放電容器3。

放電容器3是一端被開口，另一端被閉塞的容器，以開口端部作為下端，以閉塞端部作為上端，使開口側面臨處理室2內而配設。亦即，放電容器3的內部與處理室2的內部是連通。另外，雖未圖示，但實際處理室是被連接至排氣系，形成可一邊排氣的處理。

參照圖2及圖5來說明有關本實施形態的放電容器3的詳細構成。

圖2是本實施形態的放電容器3的剖面圖，圖5是為了說明構造及製作方法，而部分分解放電容器3來顯示的剖面圖。

本實施形態的放電容器3是圓筒狀的筒體，閉塞端部是具有往處理室2側突出的突出部15(放電容器3內，至少配置於磁石9的軸方向中心，遮蔽從磁石9的軸方向中心往與處理室2相反側的電漿擴散之構件)。在此，突出部15是在與放電容器3的中心軸A1的交點C，使放電容器3的閉塞端部的壁厚增大，成為最突出的彎曲面。形成材料是可使用石英玻璃或陶瓷、藍寶石等的電介體，特別是若使用石英玻璃，則因為高頻損失少，加工特性佳，所以較為理想。並且，開口端部是形成凸緣16，藉此可往處理室2安裝。放電容器3是例如在分別形成凸緣16、圓筒狀的本體17及突出部15之後接合，一體成形。

另外，在本實施形態中，由於放電容器3的閉塞端部兼作突出部15，所以此突出部15是藉由與放電容器3同材料所形成，但亦可藉由不同的材料的電介體所形成。並且，突出部15不限於彎曲面，亦可突出成圓錐狀或階梯狀。

在放電容器3的周圍配置有線圈狀的天線4，此天線4是例如經由匹配電路6來連接至高頻電源等的電源7。天線4是藉由來自電源7的電力供給，使感應電場產生於放電容器3內，在減壓下的處理室2及放電容器3內導入放電用氣體，而於放電容器3內產生電漿。另外，在本實施形態中，電源7的一端是被連接至天線4，另一端是被接地。高頻電源時是例如使用13.56MHz或27.12MHz的高頻。

並且，在天線4的外周設有環狀或螺旋狀的電磁石9，作為磁場設定手段，其中心軸A2是配置成與放電容器3的中心軸A1同軸。電磁石9是沿著軸方向來形成交變磁場者，藉由朝處理室2側散發的散發磁場M來使產生於放電容器3內部的電漿P往處理室2內擴散。在本實施形態是使用單一的電磁石，但例如將2個以上的電磁石配置成同心圓狀也無妨。此情況，只要至少對於1個的電磁石符合本發明的關係即可，例如在電磁石的強度有差異時，最好對於形成強磁場的一方的電磁石符合本發明的關係。

在處理室2內的下部具備用以保持處理對象的基板10之基板夾具11，基板夾具11可將基板10的被處理面10a朝放電容器3來保持。此基板夾具11是經由匹配電路12來連接偏壓電源13，可藉由控制施加於基板10的電壓來控制往基板10的射入離子能量。

並且，在處理室2設有連通至未圖示的氣體導入手段的氣體導入口14，可由此氣體導入口14來導入使用於蝕刻的處理氣體或電漿生成所必要的放電用氣體至處理室2內。

放電用氣體或處理氣體的種類並無特別加以限定，可例如使用Ar、Kr、N₂ 等的不活性氣體作為放電用氣體。而且，處理氣體，例如可按照蝕刻處理對象的種類來單獨或組合使用Cl₂ 、BCl、CHF₃ 等的鹵素或鹵素化物氣體、或SO₂ 等的硫化物氣體、N₂ 或O₂ 等。依處理氣體的種類，亦可不使用放電用氣體，將處理氣體使用於放電用或蝕刻用。另外，特別是含有SO₂ 及O₂ 的混合氣體等是在超過300℃的高溫條件下容易產生蝕刻殘渣。因此，適合於後述的第2及第3實施形態那樣一邊藉由冷却機構21來將放電容器3冷却至300℃以下，一邊進行乾蝕刻處理時(參照後述的圖7及圖11)。

其次，說明有關本發明的特徵部分之放電容器3的突出部15與電磁石9的位置關係。

如圖4所示，以成為電磁石9的軸方向中心及徑方向中心的中心點D(參照圖3)與突出部15的突出端亦即突出部15的電磁石9的中心軸A2的交點(在本實施形態是與交點C一致)之間的距離L能夠形成20mm以上的方式設 定突出部15的突出量及電磁石9的配置為理想。如圖4所示，電漿生成時，荷電粒子是運動成纏繞於散發磁場M的磁力線(圖中以符號E所示)，因此荷電粒子容易集中於磁力線所集中的電磁石9的中心點D附近。藉由突出部15，使放電容器3的內壁偏離此容易被蝕刻的聚焦位置下，可抑制被蝕刻。

即使是設置突出部15，若距離L為未滿20mm，則也有可能無法充分避開蝕刻。又，若過分離放電容器3與電磁石9，此距離L太大，則在放電容器3內，特別是在徑方向外側的部分無法確保充分的散發磁場M，有可能擴散效率降低。同樣，當突出部15的突出量大時，也有可能磁場的大小在徑方向大幅度變化，擴散效率降低。因此，距離L是60mm以下為理想。

並且，有關放電容器3內壁的閉塞端面與電磁石9的軸方向中心的軸方向距離雖未特別加以限定，但以電磁石9的軸方向中心的附近為理想，若考慮在徑方向外側取得充分的磁場強度，則以位在0mm~10mm程度的範圍為理想。有關突出部的突出量是若考慮放電容器的耐久性、放電容器內的容積，則從放電容器底部到突出部前端的距離是27mm~47mm為理想。突出量過少，難具耐久性，若過長，則放電容器的容積會變小，難產生電漿。

另外，圖4的例子是將放電容器3內壁的閉塞端面與突出部15配置於比電磁石9的軸方向中心更靠處理室2側，但並非限於此。例如圖6所示，亦可在比電磁石9的 軸方向中心更靠大氣側配置閉塞端面的狀態下，擴大突出部15的突出量，使距離L成為20mm以上。

又，當電磁石9與放電容器3未被同心配置時，也只要突出部15沿著電磁石9的中心軸A2來突出至處理室2側，電磁石9的軸方向中心與突出部15和電磁石9的中心軸A2的交點之距離為形成20mm以上即可。並且，亦可在與電磁石9的中心軸A2的交點不必最突出，在其他的部分更突出，突出部15的形狀是被任意設定。

其次，說明乾蝕刻裝置1的作用效果的同時，說明利用此作用效果來實施的裝置的製造方法。

使用圖1的乾蝕刻裝置1來乾蝕刻基板10的被處理面10a。另外，在本實施形態中，例如形成於裝置基板10的被處理面10a之以有機物為主成分的阻劑膜會成為處理對象。

首先，在處理室2內的電漿處理時，在上述閉塞端部配置具備往處理室側突出的突出部15之放電容器3。

在乾蝕刻時，將處理室2減壓，且導入放電用氣體，對天線4供給電力，藉此於減壓下的放電容器3內產生電漿。然後，藉由電磁石9來形成散發磁場，使電漿擴散於處理室2內，使與導入處理室2內的處理氣體反應。另外，圖1中的G是處理氣體的流動方向。

處理氣體是在處理室2內藉由電漿P來產生化學反應，蝕刻基板10的被處理面10a。此時，因應所需從偏壓電源13供給電力至基板夾具11內部的電極，調整往基板10 的射入離子能量。

例如，在基板10的被處理面10a製作之SiO₂ 膜的蝕刻是一旦產生例如使用CF₄ 氣體作為處理氣體的電漿，則會產生氟的活性種來與SiO₂ 反應。所產生的反應生成物(SiF₄ 、O₂ 等)會當作氣體而被排氣、除去，達成蝕刻。另外，實際的微細加工是事先在蝕刻所定的微細圖案的膜的表面藉由曝光及顯像技術來形成遮罩，使用此遮罩圖案來實施目的之材料膜的蝕刻下達成。

若根據本實施形態的乾蝕刻裝置1，則可藉由突出部15避開環狀的電磁石9之磁力線的集中部分來配置放電容器3的內壁，因此可降低對放電容器3的損傷，耐久性佳。

為了確認本發明的作用效果，而使用圖1的乾蝕刻裝置1來進行耐久試驗。具體而言，以石英玻璃來構成放電容器3，將突出部15的厚度設定成各種的值，分別針對形成與不形成突出部15時重複所定的乾蝕刻工程，確認耐久性。

其結果，形成突出部15時，耐久性提升的效果皆是比不形成突出部15時顯著。

如此，若使用本實施形態的乾蝕刻裝置1，則可大幅度改善放電容器3的更換周期，在裝置製造領域中非常有益。

〔第2實施形態〕

其次，參照圖7~圖10來說明有關本發明的電漿處理裝置的第2實施形態。第2實施形態與第1實施形態同樣，電漿處理裝置是舉有磁場高頻感應耦合型的乾蝕刻裝置為例。圖7是模式性地顯示第2實施形態的電漿處理裝置的概略圖。

如圖7所示，第2實施形態的乾蝕刻裝置20是具備匹配箱5及冷却機構21，此點與第1實施形態的乾蝕刻裝置1不同。另外，有關與第1實施形態同一構成要素是附上同一符號來說明。

冷却機構21是將突出部15局部地冷却至10℃以上300℃以下的裝置。本實施形態的冷却機構21是例如藉由從放電容器3的外側往放電容器3的閉塞端部來傳送成為冷却媒體的空氣之送風扇所形成。藉由調整其送風量來設定成所定的冷却效率。在本實施形態中，冷却效率是設定成3.0W/K以上100W/K以下，藉此將突出部15冷却至10℃以上、300℃以下。冷却機構21是被配置於匹配箱5上，但可在此冷却機構21的送風口的正下方形成開口部22，直接送風至放電容器3。另外，冷却機構21並非限於送風扇。

藉由如此將突出部15冷却至10℃以上300℃以下，可抑制蝕刻殘渣的發生。在此說明有關蝕刻殘渣的發生機構。若突出部15藉由來自電漿P的供熱而被加熱，則電介體的石英玻璃或陶瓷等的材料、或堆積後的沈積物會被濺射，往蝕刻對象的基板10的被處理面10a上飛散。當飛 散後的物質的蝕刻速度比蝕刻對象還要慢時，亦即，當與蝕刻對象的選擇比大時，飛散後的物質會形成微遮罩。形成此微遮罩而被蝕刻的部分會成為蝕刻殘渣。

圖8是表示突出部的溫度與蝕刻殘渣量的關係的說明圖。如圖8所示，一旦突出部的溫度超過300℃(T₀ )，則會產生蝕刻殘渣，隨著溫度的上昇而急增。因此，藉由將突出部的溫度冷却至300℃以下，可抑制蝕刻殘渣的發生，若使突出部15的溫度未滿10℃，則會有結露等的問題，因此最好冷却至10℃以上。

又，圖9是表示利用第2實施形態的乾蝕刻裝置來以各冷却效率進行乾蝕刻處理時的放電容器的溫度推移說明圖。另外，放電容器3的溫度是以非接觸式溫度計來測定突出部15的溫度而取得。

其結果，若將冷却效率設成3W/K以上，則可確認在通常的乾蝕刻工程1次的上限處理時間的600sec的放電被壓在300℃以下，且平衡溫度被壓在300℃附近。

其次，圖10是表示重複進行乾蝕刻工程時的放電容器的溫度推移的說明圖。如圖10所示，不具冷却機構21的構造的突出部15的溫度是超過300℃而過熱，但藉由冷却機構21來冷却時(冷却效率3W/K)可將突出部15維持於300℃以下。因此，若根據第2實施形態，則除了與第1實施形態同樣的作用效果，還可冷却機構21的冷却來抑制突出部15的溫度上昇或蝕刻中的溫度變化，達成能夠抑制殘渣的發生之有利的效果。

另外，若過度提升冷却效率，則會促進往放電容器3內之沈積物的堆積，成為粒子的發生原因，維修循環會變短，因此冷却效率再大也最好為100W/K以下。

〔第3實施形態〕

其次，參照圖11及圖12來說明有關本發明的電漿處理裝置的第3實施形態。第3實施形態與第1及第2實施形態同樣，電漿處理裝置是舉有磁場高頻感應耦合型的乾蝕刻裝置為例。圖11是模式性地顯示第3實施形態的乾蝕刻裝置的概略圖。

如圖11所示，第3實施形態的乾蝕刻裝置30是在冷却機構21具備控制裝置31，此點是與第2實施形態的乾蝕刻裝置20不同。另外，有關與第1及第2實施形態同一構成要素是附上同一符號來說明。

控制裝置31是具有使電漿放電的點滅同步，而使冷却機構20動作的功能。具體而言，在處理室2內具備檢測出電漿激發時的發光之放電感測器32，控制裝置31是控制成在放電感測器32檢測出放電的期間使冷却機構21動作，未放電時使冷却機構21的動作停止。放電感測器32是藉由受光元件所形成，如圖11所示，在形成於處理室2的側壁之窗部33的外側，使面臨處理室2內來配置。亦即，放電感測器32是根據經由上述窗部33來檢測出的受光量，判定放電的有無。

並非限於根據放電感測器的檢測之間歇冷却，例如亦 可配合預先按照製程程序而定的順序來實行之從電源7往天線4的電力供給的開啟/關閉，由控制裝置31令冷却機構21間歇運轉。或者，在連結電源7與天線4的傳送路上設置放電檢測電路，實際檢測出放電的開始、終了，使同步由控制裝置31令冷却機構21間歇運轉。而且，並非限於使冷却機構21間歇運轉時，例如控制裝置31亦可在不放電時及放電時階段性或連續性地使冷却效率變化，而間歇冷却放電容器3。

在此，於蝕刻處理中，藉由來自電漿P的供熱，溫度會上昇，未進行蝕刻處理的期間，主要從突出部15的大氣側表面藉由與大氣溫度的差，溫度會降低。藉由此突出部15的溫度變化，堆積後的沈積物(Deposition)的膜應力會變化，產生膜剝落，作為粒子往處理對象的基板10的被處理面10a上飛散。此粒子也會形成微遮罩，成為蝕刻殘渣的原因。所以，如上述般藉由設置與放電同步進行冷却的控制裝置31，可抑制蝕刻處理前後的溫度變化，進而能夠抑制粒子的發生或蝕刻殘渣的發生。

圖12是表示配合各基板處理僅放電中進行冷却的情況、及包含不放電時持續冷却的情況的放電容器的溫度推移的說明圖。如圖12所示，不具同步功能時，蝕刻中的突出部15的溫度變化是116℃程度。相對的，藉由上述控制裝置31來使同步於放電進行冷却時，可將突出部15的溫度變化縮小至85℃，進行能夠抑制隨溫度變化產生蝕刻殘渣。

另外，依照使電漿P產生的高頻功率、蝕刻的時間、蝕刻處理的連續，其突出部15的上昇溫度不同。此情況，藉由按照突出部15的溫度來改變冷却機構21的冷却效率，可往不產生殘渣的溫度控制。

如此，第3實施形態是基本上發揮與第2實施形態同樣的作用效果，若根據第3實施形態，則在運用突出部15的冷却方法下，可發揮能夠更確實地抑制蝕刻殘渣的發生之有利的效果。

以上，說明本發明的較佳實施形態，但此為用以說明本發明的例子，並非是將本發明的範圍只限於上述實施形態。本發明可在不脫離其主旨的範圍，以和上述實施形態不同的各種形態來實施。

例如，突出部的形狀並非限於上述實施形態。例如，放電容器的閉塞端部外面亦可在突出部凹陷而成為凹面。亦即，在上述實施形態中，閉塞端部外面是在突出部或其周圍皆形成同樣的平坦面，而成厚壁，但若一面確保某程度的壁厚，一面製作凹陷，則可抑制突出部分的熱容量，且在從外面側來冷却時，可增加冷却面積，因此冷却效果高。

並且，適用裝置，不限於蝕刻裝置，亦可適用於在放電容器使電漿產生，經由柵來引入離子束至處理室側的離子束裝置、或CVD裝置等。

[實施例]

其次，說明有關本發明的實施例。

在圖1所示的乾蝕刻裝置1中，調整電磁石9與放電容器3的位置關係，將上述距離L設定成各種的值，而以下記所示的條件來進行耐久性試驗。

製程氣體：CH₃ OH

製程氣體流量：30sccm

往天線4的供給電力：3000W

偏壓電力：2000W

電磁石電流：25A

導入CH₃ OH氣體作為製程氣體至處理室2內，進行總計7小時的放電，然後，藉由目視來比較各放電容器3的內壁的樣子。

其結果，距離L未滿20mm時，在突出部15的表面殘留有被薄薄地削去的痕跡，但在將距離L設為20~60mm之本發明的突出部15的表面未有削去或受損的痕跡。又，若L為60mm以上，則不會產生充分的擴散，蝕刻速率會降低。

由以上可確認，本發明的電漿處理裝置是放電容器的耐久性佳。

1，20，30．．．乾蝕刻裝置(電漿處理裝置)

2．．．處理室

3．．．放電容器

4．．．天線

7．．．電源

9．．．電磁石

10．．．基板

10a．．．被處理面

11．．．基板夾具

15．．．突出部

16．．．凸緣

17．．．本體

21．．．冷却機構

31．．．控制裝置

32．．．放電感測器

P．．．電漿

M．．．散發磁場

圖1是表示第1實施形態的乾蝕刻裝置的概略構成圖。

圖2是表示放電容器的構造的剖面圖。

圖3是用以說明電磁石的構成的概略部分剖面圖。

圖4是表示電磁石與突出部的位置關係圖。

圖5是部分分解放電容器來顯示的剖面圖。

圖6是表示電磁石與突出部的位置關係圖。

圖7是模式性地顯示第2實施形態的乾蝕刻裝置的概略圖。

圖8是表示突出部的溫度與蝕刻殘渣量的關係說明圖。

圖9是利用第2實施形態的乾蝕刻裝置來以各冷却效率進行乾蝕刻處理時的放電容器的溫度推移的說明圖。

圖10是表示重複進行乾蝕刻工程時的放電容器的溫度推移的說明圖。

圖11是模式性地顯示第3實施形態的乾蝕刻裝置的概略圖。

圖12是表示配合各基板處理僅放電中進行冷却的情況、及包含不放電時持續冷却的情況的放電容器的溫度推移的說明圖。

1．．．乾蝕刻裝置(電漿處理裝置)

2．．．處理室

3．．．放電容器

4．．．天線

6．．．匹配電路

7．．．電源

9．．．電磁石

10．．．基板

10a．．．被處理面

11．．．基板夾具

12．．．匹配電路

13．．．偏壓電源

14．．．氣體導入口

15．．．突出部

P．．．電漿

M．．．散發磁場

G．．．處理氣體的流動方向

Claims (7)

1. 一種電漿處理裝置，其特徵係具備：處理室，其係區劃處理空間；放電容器，其係由一端面臨前述處理室的內部而開口，另一端被閉塞的筒體所構成；天線，其係配置於前述放電容器的周圍，使發生感應電場，在減壓下的前述放電容器的內部產生電漿；及磁石，其係配置於前述放電容器的周圍，在前述放電容器的內部形成散發磁場，前述放電容器的閉塞端部具有朝前述處理室側突出的突出部。
2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述磁石為具有配於放電容器的周圍的線圈之電磁石，前述突出部係比前述磁石的軸方向中心更突出至前述處理室側。
3. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中，前述突出部的突出端與前述磁石的軸方向中心之間的前述軸方向距離係被設定成20mm以上。
4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之電漿處理裝置，其中，前述突出部係以和前述放電容器同材料或不同材料的電介體所形成，形成使前述放電容器的閉塞端部的壁厚增大。
5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之電漿處理裝置，其中，具備冷却前述突出部的冷却機構。
6. 一種裝置的製造方法，係於放電容器的內部產生電漿，藉由磁石的散發磁場來使電漿擴散於處理室的內部，而處理處理對象來製造裝置之方法，其特徵為：在電漿處理時，配置一在閉塞端部具備朝前述處理室側突出的突出部之前述放電容器。
7. 如申請專利範圍第6項之裝置的製造方法，其中，前述電漿處理為在前述處理室的內部藉由電漿來乾蝕刻處理對象的處理。