TWI472149B - 雙載波放大器電路和方法 - Google Patents

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Description

雙載波放大器電路和方法
本公開涉及雙載波放大器電路和方法。
除非文中另外指出，否則本節中描述的方法不是相對於本申請中的申請專利範圍的現有技術，並且不因為包括在本節中而被承認為現有技術。
放大器電路是很多電子系統的基本構造塊。例如，放大器電路(或稱“放大器”)用於增加信號的特定特性，諸如電壓、電流或者功率。一種類型的放大器是跨導(transconductance)放大器。在跨導放大器中，輸入電壓信號被轉換為電流輸出信號。輸入電壓信號與電流輸出信號之間的關係是放大器的跨導(“Gm”)。跨導由以下公式描述：
Io=Vin*Gm
跨導放大器的一個問題是放大器特性跨不同負載的變化。例如，不同的負載可以從跨導放大器的輸出抽出不同的電流量，從而改變了放大器的特性。
無線接收機使用低雜訊放大器(“LNA”)來放大接收自天線的射頻(“RF”)信號。在某些無線應用中，RF信號可以包括具有多個載波頻率的多個通道。為了處理此類信號，低雜訊放大器可以向不同的信號路徑發送經放大的RF信號。如果跨導放大器用於低雜訊放大器，則不同的信號路徑將改變跨導放大器輸出上的負載，從而導致信號衰減和信噪比(“SNR”)降低。
下文描述的特定實施方式提供了用於驅動不同信號路徑的改進的放大器。特定實施方式還提供了對諸如無線接收機中的雙載波信號或者多載波信號的處理。
本公開的實施方式包括雙載波放大器電路和方法。一個實施方式包括一種電路，該電路包括：第一跨導級，其具有用於接收信號的輸入；第二跨導級，其具有用於接收信號的輸入；以及電流組合器電路，其耦合至第一跨導級的輸出和第二跨導級的輸出。電流組合器電路形成(i)從第一跨導級到多個輸出路徑之一的路徑，或者(ii)從所述第一跨導級到多個輸出路徑中的若干輸出路徑的路徑。當第一跨導級形成到多個輸出路徑之一的路徑時，電流組合器電路將第二跨導級從多個輸出路徑斷開。當第一跨導級形成到若干輸出路徑的路徑時，電流組合器電路形成從第二跨導級到若干輸出路徑的路徑。
在一個實施方式中，電流組合器電路將來自第一跨導級的電流(i)耦合至第一輸出路徑或者第二輸出路徑之一，或者(ii)耦合至第一輸出路徑和第二輸出路徑二者。另外，當第一跨導級將電流耦合至第一輸出路徑或者第二輸出路徑之一時，電流組合器電路將來自第二跨導級的電流從第一輸出路徑和第二輸出路徑二者解除耦合。另外，當第一跨導級將電流耦合至第一輸出路徑和第二輸出路徑二者時，電流組合器電路將來自第二跨導級的電流耦合至第一輸出路徑和第二輸出路徑二者。
在一個實施方式中，電流組合器電路包括共源共柵電晶體，其配置在第二跨導級的輸出與第一輸出路徑和第二輸出路徑之間。
在一個實施方式中，第一跨導級還包括：第一電感，其配置在第一電晶體的源極和參考電壓之間；以及第二電感，其配置在第二電晶體的源極和參考電壓之間。
在一個實施方式中，信號是RF信號。
在一個實施方式中，第一跨導級的輸入和第二跨導級的輸入耦合至天線。
另一實施方式包括一種裝置，該裝置包括RF接收機，其中RF接收機包括一個或多個電路，該一個或多個電路具有在此描述的多個跨導級和電流組合器電路。在一個實施方式中，一個或多個多跨導電路是多個低雜訊放大器。RF接收機還包括：第一下變頻電路，該第一下變頻電路具有第一輸入和第二輸入，第一輸入耦合至低雜訊放大器中的每一個，第二輸入耦合用於接收具有第一頻率的第一振盪信號；以及第二下變頻電路，該第二下變頻電路具有第一輸入和第二輸入，第一輸入耦合至低雜訊放大器中的每一個，第二輸入耦合用於接收具有第二頻率的第二振盪信號。
另一實施方式包括一種方法，該方法包括：在第一跨導級中接收信號；在第二跨導級中接收信號；以及形成從第一跨導級和第二跨導級(i)到多個輸出路徑之一的路徑，或者(ii)到多個輸出路徑中的若干輸出路徑的路徑。當第一跨導級形成到多個輸出路徑之一的路徑時，第二跨導級從多個輸出路徑斷開。另外，當第一跨導級形成到多個輸出路徑中的若干輸出路徑的路徑時，第二跨導級形成到多個輸出路徑中的若干輸出路徑的路徑。
在一個實施方式中，來自第一跨導級的電流被耦合至(i)第一輸出路徑或者第二輸出路徑之一，或者(ii)第一輸出路徑和第二輸出路徑二者，並且當第一跨導級將來自第二跨導級的電流耦合至第一輸出路徑或者第二輸出路徑之一時，將來自第二跨導級的電流與第一輸出路徑和第二輸出路徑二者解除耦合。另外，當第一跨導級將電流耦合至第一輸出路徑和第二輸出路徑二者時，將電流從第二跨導級耦合至第一輸出路徑和第二輸出路徑二者。
在一個實施方式中，電流組合包括：選擇性地啟用配置在第二跨導級的輸出與第一輸出路徑和第二輸出路徑之間的共源共柵電晶體。
在一個實施方式中，電流組合包括：選擇性地啟用配置在第一跨導級的輸出與第一輸出路徑和第二輸出路徑之間的共源共柵電晶體，以將來自第一跨導級的電流選擇性地(i)耦合至第一輸出路徑或者第二輸出路徑，或者(ii)耦合至第一輸出路徑和第二輸出路徑二者。
在一個實施方式中，信號是差分RF電壓信號，並且該方法還包括：將RF信號的第一差分分量和第二差分分量轉換為對應的第一差分電晶體和第二差分電晶體中的第一電流和第二電流；將RF信號的第一差分分量和第二差分分量轉換為對應的第三差分電晶體和第四差分電晶體中的第三電流和第四電流；將第一電流通過第五電晶體以及將第三電流通過第六電晶體選擇性地耦合至第一輸出路徑；將第二電流通過第七電晶體以及將第四電流通過第八電晶體選擇性地耦合至第二輸出路徑。
在一個實施方式中，信號是RF信號，並且該RF信號由第一跨導級和第二跨導級從天線接收。
以下詳細描述和附圖提供了對本發明的本質和優點的更佳理解。
本公開要求於2010年3月2日提交的美國臨時申請號61/309,810的優先權的權益，在此通過引用併入其全部公開內容。
此處描述了針對雙載波放大器電路和方法的技術。在以下描述中，為了解釋的目的，闡述了多個示例和特定細節以便提供對特定實施方式的透徹理解。在此描述的電路和方法可以在多種電子系統中使用。另外，在此描述的電路和方法可以在積體電路(IC)上實現。申請專利範圍所限定的特定實施方式可以僅包括這些示例中的某些或者全部特徵，或者可以與下文描述的其他特徵相結合，並且還可以包括在此描述的特徵和概念的修改和等同項。
圖1示出了根據一個實施方式的放大器電路100。放大器電路100包括跨導級101、跨導級102和電流組合器電路103。跨導級接收輸入電壓，並且生成輸出電流。跨導級通常稱為“Gm級”。其中“Gm”是該級的跨導(或者電壓對電流增益)。因此，在圖1中，跨導級101標記為“Gm1”，而跨導級102標記為“Gm2”。跨導級101和102具有用於接收信號“IN”的輸入。例如，IN信號可以是來自天線的RF信號，如下文所詳述。
電流組合器電路103耦合至跨導級101的輸出和跨導級102的輸出。電流組合器電路103將來自跨導級的電流耦合至不同的輸出路徑(例如，OUT1和/或OUT2)。在一些應用中，可能期望在某些條件下，僅向輸出路徑OUT1發送來自放大器電路100的輸出信號，在其他條件下，僅向輸出路徑OUT2發送，或者在另外的條件下，向多個輸出路徑OUT1和OUT2發送。電流組合器電路103可以選擇性地耦合來自不同跨導級101和102的電流，以跨不同輸出負載維持一致的電路特性，諸如增益。
例如，電流組合器電路103可以配置用於將來自跨導級101的電流耦合至輸出路徑OUT1或輸出路徑OUT2之一或者輸出路徑OUT1和輸出路徑OUT2二者。為了維持一致的電路特性，當跨導級101將電流耦合至輸出路徑OUT1或者輸出路徑OUT2之一時，電流組合器電路103將來自跨導級102的電流從輸出路徑OUT1和輸出路徑OUT2二者解除耦合。因此，例如在單載波模式中，跨導級101導通，而跨導級102截止，並且跨導級101將電流耦合至OUT1或者OUT2。
然而，在一個實施方式中，跨導級101將電流耦合至輸出路徑OUT1和輸出路徑OUT2二者。在這種可能是雙載波模式的情況下，電流組合器電路103通過將來自跨導級102的電流耦合至輸出路徑OUT1和輸出路徑OUT2二者來補償附加的載入。在另一實施方式中，在雙載波模式中，例如，跨導級101和102二者都導通，並且跨導級101驅動OUT1或者OUT2，而跨導級102驅動不由跨導級101驅動的輸出路徑。
通過在驅動多個輸出路徑時併入一個或多個附加“Gm”級，可以跨不同的輸出負載維持放大器電路100的性能。具體地，當同時驅動兩個輸出路徑時，第二跨導級被啟用以維持基本相似的增益、雜訊因數(“NF”)、線性和輸入阻抗匹配。在該示例中，當驅動兩個輸出路徑OUT1和OUT2時，由放大器電路生成的電流被增大接近兩倍(2x)。然而，當電流組合器電路103配置用於將來自跨導級101的電流耦合至輸出路徑OUT1或者輸出路徑OUT2之一時，可以使第二跨導級102截止。因此，在該配置中，由於第二跨導級102截止而節省了電流，並且性能類似於單個輸出低雜訊放大器。如以下示例所示，例如，可以使共源共柵設備截止以斷開來自跨導級102的電流與OUT1和OUT2的連接。另外，跨導級101可以提供輸入匹配。以下描述輸入匹配的示例。
圖2A示出了根據一個實施方式的放大器電路200A。放大器電路200A是具有選擇性啟用的共源共柵輸出電晶體的NMOS低雜訊放大器架構，其將電流路由至輸出路徑OUT1和OUT2之一或者二者。雖然圖2A中示出了一個NMOS示例，但是可以理解，PMOS實現也是可能的。放大器電路200A包括輸入電晶體201-204，其充當並行跨導級。例如，電晶體201和202的柵極分別接收具有第一分量VN+和第二分量VN-的差分信號。電晶體201和202的源極分別通過電感器250和251耦合至參考電壓(Vss)。電晶體201和202將VN+和VN-轉換為在電晶體201和202的漏極上輸出的對應電流。電晶體201-202組成一個跨導級，以將差分輸入信號轉換為對應電流。電感器250-251例如向外部濾波器提供源極退化和輸入匹配。電感器250-251例如可以是具有中心抽頭的單個電感器。
類似地，電晶體203和204的柵極可以接收差分信號VN+和VN-。電晶體203和204的源極耦合至參考電壓(Vss)。電晶體203和204將VN+和VN-轉換為在電晶體203和204的漏極上輸出的對應電流。電晶體203-204組成另一跨導級，以將差分輸入信號轉換為對應電流。
在該示例中，由電流組合器電路270A接收來自跨導級的電流。電流組合器電路270A是利用選擇性啟用的共源共柵NMOS電晶體205-212來實現的，以便將來自跨導級電晶體的電流選擇性地耦合至輸出路徑OUT1和OUT2之一或者二者。電晶體205-206具有耦合至電晶體201的源極。電晶體205的漏極耦合至輸出路徑OUT1，而電晶體206的漏極耦合至輸出路徑OUT2。類似地，電晶體207-208具有耦合至電晶體202的源極。電晶體207的漏極耦合至輸出路徑OUT1，而電晶體208的漏極耦合至輸出路徑OUT2。可以通過控制電晶體205的柵極和電晶體207的柵極處的電壓，來選擇性地使共源共柵電晶體205和207導通或者截止，從而將來自電晶體201和202的電流與輸出路徑OUT1耦合或解除耦合。同樣，可以通過控制電晶體206的柵極和電晶體208的柵極處的電壓VN2，來選擇性地使共源共柵電晶體206和208導通或者截止，從而將來自電晶體201和202的電流與輸出路徑OUT2耦合或者解除耦合。
來自其他跨導級電晶體203-204的電流可以類似地被路由至輸出路徑OUT1和OUT2。在該示例中，電晶體209-210具有耦合至電晶體203的源極。電晶體209的漏極耦合至輸出路徑OUT1，而電晶體210的漏極耦合至輸出路徑OUT2。類似地，電晶體211和212具有耦合至電晶體204的源極。電晶體211的漏極耦合至輸出路徑OUT1，而電晶體212的漏極耦合至輸出路徑OUT2。
當放大器電路配置用於在兩個輸出路徑OUT1和OUT2上提供輸出時，特定的實施方式將來自跨導級電晶體203-204的電流耦合至輸出路徑OUT1和OUT2二者。因此，在該示例中，可以通過控制每個電晶體209-212的柵極處的電壓VNAux而選擇性地將共源共柵電晶體209-212一起導通或者截止，從而將來自電晶體203和204的電流耦合至輸出路徑OUT1和輸出路徑OUT2或者從輸出路徑OUT1和輸出路徑OUT2解除耦合。
具體地，跨導級電晶體201-202可以配置用於通過提供VN1和VN2以使電晶體205-208導通而將電流耦合至輸出路徑OUT1和OUT2二者。在該配置中，提供VNAux以使電晶體209-212導通，使得跨導級電晶體203-204向輸出路徑OUT1和OUT2二者提供電流。
備選地，VN1和VN2可以配置用於將來自電晶體201-202的電流選擇性地耦合至輸出路徑OUT1或者OUT2之一(例如，不是二者)。當僅將一條輸出路徑耦合至跨導級電晶體201-202時，NVAux配置用於使電晶體209-212截止以將來自跨導電晶體203-204的電流從輸出路徑OUT1和OUT2解除耦合。
圖2B示出了根據一個實施方式的放大器電路200B。放大器電路200B是具有選擇性啟用的共源共柵輸出電晶體的“推挽式”低雜訊放大器架構，其將電流路由至輸出路徑OUT1和OUT2之一或者二者。放大器電路200B包括NMOS電晶體201-212，如圖2A所述。放大器電路200B還包括PMOS電晶體221-232。輸入電晶體221-224充當並行跨導級。例如，電晶體221和222的柵極分別接收具有第一分量VP+和第二分量VP-的差分信號。電晶體221和222的源極分別通過電感器252和253耦合至參考電壓(Vdd)。電晶體221和222將VP+和VP-轉換為在電晶體221和222的漏極上輸出的對應電流。
電晶體221-222組成一個跨導級，以將差分輸入信號轉換為對應電流。電感器252-253提供針對電路的源極退化和輸入匹配，如以上參考電感器250和251所述。電感器252-253例如可以是具有中心抽頭的單個電感器。類似地，電晶體223和224的柵極接收VP+和VP-。電晶體223和224的源極耦合至參考電壓(Vdd)。電晶體223和224將VP+和VP-轉換為在電晶體223和224的漏極上輸出的對應電流。電晶體223-224組成另一跨導級，用於將差分輸入信號轉換為對應電流。
由電流組合器電路270B接收來自NMOS和PMOS跨導級的電流。在該示例中，電流組合器電路270B是利用如圖2A所述的選擇性啟用的共源共柵NMOS電晶體205-212和共源共柵PMOS電晶體225-232來實現的，以將來自跨導級電晶體的電流選擇性地耦合至輸出路徑OUT1和OUT2之一或者二者。在該示例中，使用共源共柵電晶體225-228將來自電晶體221和222的電流選擇性地路由至不同的輸出路徑OUT1和OUT2。例如，電晶體225-226具有耦合至電晶體221的源極。電晶體225的漏極耦合至輸出路徑OUT1，而電晶體226的漏極耦合至輸出路徑OUT2。類似地，電晶體227-228具有耦合至電晶體222的源極。電晶體227的漏極耦合至輸出路徑OUT1，而電晶體228的漏極耦合至輸出路徑OUT2。可以通過控制電晶體225的柵極和電晶體227的柵極處的電壓VP1，選擇性地使共源共柵電晶體225和227導通或者截止，從而將來自電晶體221和222的電流與輸出路徑OUT1耦合或者解除耦合。同樣地，可以通過控制電晶體226的柵極和電晶體228的柵極處的電壓VP2來選擇性地使共源共柵電晶體226和228導通或者截止，從而將來自電晶體221和222的電流與輸出路徑OUT2耦合或者解除耦合。
來自其他PMOS跨導級電晶體223-224的電流可以被類似地路由至輸出路徑OUT1和OUT2。在該示例中，電晶體229-230具有耦合至電晶體223的源極。電晶體229的漏極耦合至輸出路徑OUT1，而電晶體230的漏極耦合至輸出路徑OUT2。類似地，電晶體231-232具有耦合至電晶體224的源極。電晶體231的漏極耦合至輸出路徑OUT1，而電晶體232的漏極耦合至輸出路徑OUT2。
當放大器電路配置用於在輸出路徑OUT1和OUT2二者上提供輸出時，特定實施方式將來自跨導級電晶體203-204和223-224的電流耦合至輸出路徑OUT1和OUT2二者。因此，在該示例中，可以通過控制每個電晶體209-212的柵極處的電壓VNAux來選擇性地使共源共柵電晶體209-212一起導通或者截止，如以上關於圖2A所述。同樣地，可以通過控制每個電晶體229-232的柵極處的電壓VPAux，選擇性地使共源共柵電晶體229-232一起導通或者截止，從而將來自電晶體223和224的電流耦合至輸出路徑OUT1和輸出路徑OUT2或者從路徑OUT1和輸出路徑OUT2解除耦合。跨導級電晶體221-222可以配置用於通過提供VP1和VP2以導通電晶體225-228而將電流耦合至輸出路徑OUT1和OUT2二者。在該配置中，提供VPAux以導通電晶體229-232，使得跨導級電晶體223-224向輸出路徑OUT1和OUT2二者提供電流。
備選地，VP1和VP2可以配置用於將來自電晶體221-222的電流選擇性地耦合至輸出路徑OUT1或者OUT2之一(例如，不是二者)。當僅有一條輸出路徑耦合至跨導級電晶體221-222時，PNAux配置用於截止電晶體229-232，以將來自跨導電晶體223-224的電流從輸出路徑OUT1和OUT2解除耦合。
圖3示出了根據一個實施方式的另一放大器電路。在該示例中，低雜訊放大器(LNA)包括兩個跨導級301和302以及按照如上所述操作的電流組合器電路303。在該示例中，在天線350上接收RF信號。天線350通過濾波器351和匹配網路352耦合至跨導級301和302的輸入。RF信號例如可以包括在兩個不同的載波頻率(即，雙載波)周圍編碼的兩個通道。雙載波信號可以通過跨導級301和302放大，並且由電流組合器電路303在兩個不同的輸出路徑上耦合至兩個混頻器304和305。混頻器304可以接收雙載波信號和本地振盪器信號，該本地振盪器信號的頻率等於RF信號中兩個載波之一的頻率(即，LO1 )。因此，混頻器304將RF信號的通道之一下變頻至基帶。類似地，混頻器305可以接收雙載波信號和另一本地振盪器信號，該另一本地振盪器信號的頻率等於RF信號中兩個載波中另一個的頻率(即，LO2 )。因此，混頻器305將RF信號的另一通道下變頻至基帶。在該示例中，混頻器304和305是各自具有四個輸出的正交混頻器。混頻器304在輸出路徑306(OUT1)上輸出差分同相(I)和正交(Q)信號，而混頻器305在輸出路徑307(OUT2)上輸出差分I和Q信號。
圖4示出了使用根據一個實施方式的放大器電路的系統400。系統400是演進EDGE無線系統的實現的一個示例。用於GSM演進的增強型資料速率(“EDGE”)(也稱為增強型GPRS(EGPRS)或者針對全球演進的增強型資料速率)是數位移動電話技術，其支援跨諸如GSM的無線網路的資料傳輸。在該示例中，系統400包括天線401，用於接收雙載波RF信號。使用交換機402將RF信號路由至四個輸入通道之一。每個輸入通道包括濾波器403A-403D(諸如表面聲波(SAW)濾波器)、匹配網路404A-404D和低雜訊放大器405A-405D。每個低雜訊放大器向匹配的網路和濾波器提供適當的輸入阻抗匹配(例如，50歐姆)。例如，每個低雜訊放大器的Gm1向外部SAW濾波器提供輸入匹配。圖4中繪出的四個不同的通道例如可以對應於GSM850、GSM900、DCS和PCS技術，每個通道配置用於支援與每種技術相對應的特定雙載波頻率。
低雜訊放大器405A-405D的輸出被複用至兩個不同的下變頻和基帶處理電路407和408。複用器(“MUX”)406示出了例如使用以上示出的每個低雜訊放大器的電流組合器電路將低雜訊放大器輸出選擇性地耦合至兩個下變頻器。下變頻和基帶處理電路407和408可以分別包括附加濾波器471和481，以及分別包括類比到數位轉換器(ADC)472和482，以用於將RF信號的每個通道中的資訊轉換為數位資料。如圖4所示，低雜訊放大器405A-405D以及下變頻和基帶處理電路407-408例如可以在RF收發機積體電路450上實現。
圖5示出了根據一個實施方式的過程。在501處，在第一跨導級接收RF信號。在502處，在第二跨導級接收RF信號。在503處，將來自跨導級的電流組合到電流組合器電路中。如504處所示，RF信號可以包括一個或兩個通道(即，單載波或者雙載波)。如果RF信號是單載波，則在505處，過程將來自第一跨導級的電流耦合至特定輸出路徑，並且將來自第二跨導級的電流從特定輸出路徑解除耦合。如上所述，將電流解除耦合例如可以包括使第二跨導級截止。如果RF信號是雙載波，則在506處，過程將來自第一跨導級和第二跨導級的電流耦合至兩個輸出路徑以用於進一步處理。
以上描述示出了本發明的各種實施方式以及如何實現本發明的方面的示例。以上示例和實施方式不應當視為僅有的實施方式，並且將其提出以示出所附申請專利範圍所限定的本發明的靈活性和優點。
例如，雖然使用PMOS和NOMS公開了某些上述實施方式，但是其他實施方式例如可以使用其他類型的電晶體或者僅使用PMOS或者僅使用NMOS。另外，雖然以上提供的示例示出了使用針對兩個輸出路徑的兩個跨導級，但是可以理解，其他實施方式可以包括針對附加輸出路徑的更多跨導級。
作為另一示例，上文討論的方法或者過程的一個或多個步驟可以按照不同的順序(或者同時)執行，並且仍然達到期望的結果。基於以上公開和所述申請專利範圍，可以使用其他佈置、實施方式、實現和等同物，而不脫離申請專利範圍所限定的本發明的範圍。
100．．．放大器電路
101,102．．．跨導級
103．．．電流組合器電路
200A．．．放大器電路
201-212．．．電晶體
221-232．．．電晶體
250-253．．．電感器
270A,270B．．．電流組合器電路
301,302．．．跨導級
303．．．電流組合器電路
304,305．．．混頻器
306,307．．．輸出路徑
350．．．天線
351．．．濾波器
352．．．網路
400．．．系統
401．．．天線
402．．．交換機
403A-403D．．．濾波器
404A-404D．．．匹配網路
405A-405D．．．低雜訊放大器
406．．．複用器
407,408．．．下變頻基帶處理電路
471,481．．．濾波器
472,482．．．類比到數位轉換器
Gm．．．電壓對電流增益
IN．．．信號
LO1 ,LO2 ．．．頻率
LNA．．．低雜訊放大器
OUT1,OUT2．．．輸出路徑
Vdd,Vss．．．參考電壓
VN1,VN2,VP1,VP2,VNAux,VPAux．．．電壓
VN+,VP+．．．第一分量
VN-,VP-．．．第二分量
圖1示出了根據一個實施方式的放大器電路。
圖2A示出了根據一個實施方式的放大器電路。
圖2B示出了根據一個實施方式的放大器電路。
圖3示出了根據一個實施方式的另一放大器電路。
圖4示出了使用根據一個實施方式的放大器電路的系統。
圖5示出了根據一個實施方式的過程。
100．．．放大器電路
101,102．．．跨導級
103．．．電流組合器電路
Gm．．．電壓對電流增益
IN．．．信號
OUT1,OUT2．．．輸出路徑

Claims (17)

  1. 一種雙載波放大器電路，包括：第一跨導級，其具有用於接收信號的輸入；第二跨導級，其具有用於接收所述信號的輸入；以及電流組合器電路，其耦合至所述第一跨導級的輸出和所述第二跨導級的輸出，其中所述電流組合器電路形成(i)從所述第一跨導級到多個輸出路徑之一的路徑，或者(ii)從所述第一跨導級到所述多個輸出路徑中的若干輸出路徑的路徑，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑之一的路徑時，所述電流組合器電路將所述第二跨導級從所述多個輸出路徑斷開，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑時，所述電流組合器電路形成從所述第二跨導級到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑，所述電流組合器電路將來自所述第一跨導級的電流(i)耦合至第一輸出路徑或者第二輸出路徑之一，或者(ii)耦合至所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者，當所述第一跨導級將電流耦合至所述第一輸出路徑或者所述第二輸出路徑之一時，所述電流組合器電路將來自所述第二跨導級的電流從所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者解除耦合， 當所述第一跨導級將電流耦合至所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者時，所述電流組合器電路將來自所述第二跨導級的電流耦合至所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者。
  2. 根據請求項1所述的電路，其中所述電流組合器電路包括配置在所述第二跨導級的輸出與所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑之間的共源共柵電晶體。
  3. 根據請求項1所述的電路，其中所述電流組合器電路包括配置在所述第一跨導級的輸出與所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑之間的共源共柵電晶體，用以將來自所述第一跨導級的電流選擇性地(i)耦合至所述第一輸出路徑或者所述第二輸出路徑，或者(ii)耦合至所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者。
  4. 根據請求項1所述的電路，其中所述信號是RF信號。
  5. 根據請求項1所述的電路，其中所述第一跨導級的輸入和所述第二跨導級的輸入耦合至天線。
  6. 一種雙載波放大器電路，包括：第一跨導級，其具有用於接收信號的輸入；第二跨導級，其具有用於接收所述信號的輸入；以及電流組合器電路，其耦合至所述第一跨導級的輸出和所述第二跨導級的輸出，其中所述電流組合器電路形成(i)從所述第一跨導級到多 個輸出路徑之一的路徑，或者(ii)從所述第一跨導級到所述多個輸出路徑中的若干輸出路徑的路徑，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑之一的路徑時，所述電流組合器電路將所述第二跨導級從所述多個輸出路徑斷開，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑時，所述電流組合器電路形成從所述第二跨導級到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑，所述第一跨導級包括：第一電晶體，其具有源極、柵極和漏極；以及第二電晶體，其具有源極、柵極和漏極，所述第二跨導級包括：第三電晶體，其具有源極、柵極和漏極；以及第四電晶體，其具有源極、柵極和漏極，所述第一電晶體的柵極和所述第三電晶體的柵極耦合在一起，用以接收所述信號的第一分量，所述第二電晶體的柵極和所述第四電晶體的柵極耦合在一起，用以接收所述信號的第二分量，所述第一電晶體的漏極、所述第二電晶體的漏極、所述第三電晶體的漏極和所述第四電晶體的漏極耦合至所述電流組合器電路。
  7. 根據請求項6所述的電路，其中所述電流組合器電路包括：第五電晶體，其具有耦合至所述第一電晶體的漏極的源極；第六電晶體，其具有耦合至所述第一電晶體的漏極的源極；第七電晶體，其具有耦合至所述第二電晶體的漏極的源極；第八電晶體，其具有耦合至所述第二電晶體的漏極的源極；第九電晶體，其具有耦合至所述第三電晶體的漏極的源極；第十電晶體，其具有耦合至所述第三電晶體的漏極的源極；第十一電晶體，其具有耦合至所述第四電晶體的漏極的源極；以及第十二電晶體，其具有耦合至所述第四電晶體的漏極的源極。
  8. 根據請求項7所述的電路，其中所述第五電晶體的漏極耦合至所述第九電晶體的漏極和第一輸出路徑的第一端子，所述第七電晶體的漏極耦合至所述第十一電晶體的漏極和所述第一輸出路徑的第二端子，所述第六電晶體的漏極耦合至所述第十電晶體的漏極和第二輸出路徑的第一端子，以及所述第八電晶體的漏極耦合至所述第十二電晶體的漏極和所述第二輸出路徑的第二端子。
  9. 根據請求項6所述的電路，其中 所述第一跨導級還包括：第五電晶體，其具有源極、柵極和漏極；以及第六電晶體，其具有源極、柵極和漏極，所述第二跨導級包括：第七電晶體，其具有源極、柵極和漏極；以及第八電晶體，其具有源極、柵極和漏極，所述第五電晶體的柵極和所述第七電晶體的柵極耦合在一起，用以接收所述信號的所述第一分量，所述第六電晶體的柵極和所述第八電晶體的柵極耦合在一起，用以接收所述信號的所述第二分量，以及所述第五電晶體的漏極、所述第六電晶體的漏極、所述第七電晶體的漏極和所述第八電晶體的漏極耦合至所述電流組合器電路。
  10. 根據請求項6所述的電路，其中所述第一跨導級還包括：第一電感，其配置在所述第一電晶體的源極和參考電壓之間；以及第二電感，其配置在所述第二電晶體的源極和所述參考電壓之間。
  11. 一種包括一RF接收機的裝置，其中所述一個或多個根據請求項1所述的電路是多個低雜訊放大器，所述RF接收機包括： 複數個低雜訊放大器，該複數個低雜訊放大器中的每一個包括：第一跨導級，其具有用於接收信號的輸入；第二跨導級，其具有用於接收所述信號的輸入；以及電流組合器電路，其耦合至所述第一跨導級的輸出和所述第二跨導級的輸出，其中所述電流組合器電路形成(i)從所述第一跨導級到多個輸出路徑之一的路徑，或者(ii)從所述第一跨導級到所述多個輸出路徑中的若干輸出路徑的路徑，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑之一的路徑時，所述電流組合器電路將所述第二跨導級從所述多個輸出路徑斷開，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑時，所述電流組合器電路形成從所述第二跨導級到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑；第一下變頻電路，所述第一下變頻電路具有第一輸入和第二輸入，所述第一輸入耦合至所述低雜訊放大器中的每一個，並且所述第二輸入耦合用於接收具有第一頻率的第一振盪信號；以及第二下變頻電路，所述第二下變頻電路具有第一輸入和第二輸入，所述第一輸入耦合至所述低雜訊放大器中的每一個，並且所述第二輸入耦合用於接收具有第二頻率的第二振盪信號。
  12. 根據請求項11所述的裝置，其中所述RF接收機是多載波EDGE接收機。
  13. 一種實現雙載波放大器電路的方法，包括：在第一跨導級接收信號；在第二跨導級接收所述信號；以及形成從所述第一跨導級和所述第二跨導級(i)到多個輸出路徑之一的路徑，或者(ii)到所述多個輸出路徑中的若干輸出路徑的路徑，其中，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑之一的路徑時，將所述第二跨導級從所述多個輸出路徑斷開，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑時，所述第二跨導級形成到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑，形成路徑包括：組合來自所述第一跨導級和所述第二跨導級的電流，其中來自所述第一跨導級的電流(i)耦合至第一輸出路徑或者第二輸出路徑之一，或者(ii)耦合至所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者，當所述第一跨導級將電流耦合至所述第一輸出路徑或者所述第二輸出路徑之一時，將來自所述第二跨導級的電流從所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者解除耦合，當所述第一跨導級將電流耦合至所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者時，將來自所述第二跨導級的電流耦合至所 述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者。
  14. 根據請求項13所述的方法，其中來自所述第一跨導級和所述第二跨導級的所述組合電流包括：選擇性地啟用配置在所述第二跨導級的輸出與所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑之間的共源共柵電晶體。
  15. 根據請求項13所述的方法，其中來自所述第一跨導級和所述第二跨導級的所述組合電流包括：選擇性地啟用配置在所述第一跨導級的輸出與所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑之間的共源共柵電晶體，用以將來自所述第一跨導級的電流選擇性地(i)耦合至所述第一輸出路徑或者所述第二輸出路徑，或者(ii)耦合至所述第一輸出路徑和所述第二輸出路徑二者。
  16. 根據請求項13所述的方法，其中所述信號是RF信號，並且其中所述RF信號由所述第一跨導級和所述第二跨導級從天線接收。
  17. 一種實現雙載波放大器電路的方法，包括：在第一跨導級接收信號；在第二跨導級接收所述信號；以及形成從所述第一跨導級和所述第二跨導級(i)到多個輸出路徑之一的路徑，或者(ii)到所述多個輸出路徑中的若干輸出路徑的路徑，其中，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑之一的路 徑時，將所述第二跨導級從所述多個輸出路徑斷開，當所述第一跨導級形成到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑時，所述第二跨導級形成到所述多個輸出路徑中的所述若干輸出路徑的路徑，該信號是一種差分信號；將所述RF信號的第一差分分量和第二差分分量轉換為對應的第一差分電晶體和第二差分電晶體中的第一電流和第二電流；將所述RF信號的所述第一差分分量和所述第二差分分量轉換為對應的第三差分電晶體和第四差分電晶體中的第三電流和第四電流；將所述第一電流通過第五電晶體以及將所述第三電流通過第六電晶體選擇性地耦合至第一輸出路徑；以及將所述第二電流通過第七電晶體以及將所述第四電流通過第八電晶體選擇性地耦合至第二輸出路徑。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9026070B2 (en) 2003-12-18 2015-05-05 Qualcomm Incorporated Low-power wireless diversity receiver with multiple receive paths
US9450665B2 (en) 2005-10-19 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Diversity receiver for wireless communication
US9178669B2 (en) 2011-05-17 2015-11-03 Qualcomm Incorporated Non-adjacent carrier aggregation architecture
US9252827B2 (en) 2011-06-27 2016-02-02 Qualcomm Incorporated Signal splitting carrier aggregation receiver architecture
US9154179B2 (en) 2011-06-29 2015-10-06 Qualcomm Incorporated Receiver with bypass mode for improved sensitivity
US8774334B2 (en) 2011-11-09 2014-07-08 Qualcomm Incorporated Dynamic receiver switching
KR20130063190A (ko) * 2011-12-06 2013-06-14 삼성전자주식회사 터치스크린을 구비한 휴대 단말기의 작업 관리 화면 표시 방법 및 장치
EP2624462B1 (en) 2012-02-03 2017-07-12 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Down-conversion circuit
EP2624463B1 (en) 2012-02-03 2015-04-15 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (PUBL) Down-conversion circuit with interference detection
US9172402B2 (en) 2012-03-02 2015-10-27 Qualcomm Incorporated Multiple-input and multiple-output carrier aggregation receiver reuse architecture
US9362958B2 (en) 2012-03-02 2016-06-07 Qualcomm Incorporated Single chip signal splitting carrier aggregation receiver architecture
US9118439B2 (en) 2012-04-06 2015-08-25 Qualcomm Incorporated Receiver for imbalanced carriers
US9154356B2 (en) 2012-05-25 2015-10-06 Qualcomm Incorporated Low noise amplifiers for carrier aggregation
US9867194B2 (en) 2012-06-12 2018-01-09 Qualcomm Incorporated Dynamic UE scheduling with shared antenna and carrier aggregation
US9595924B2 (en) * 2012-08-03 2017-03-14 Broadcom Corporation Calibration for power amplifier predistortion
US9300420B2 (en) * 2012-09-11 2016-03-29 Qualcomm Incorporated Carrier aggregation receiver architecture
US9543903B2 (en) 2012-10-22 2017-01-10 Qualcomm Incorporated Amplifiers with noise splitting
US9048928B2 (en) * 2012-11-13 2015-06-02 Qualcomm Incorporated Expandable transceivers and receivers
US8995591B2 (en) 2013-03-14 2015-03-31 Qualcomm, Incorporated Reusing a single-chip carrier aggregation receiver to support non-cellular diversity
US9467104B2 (en) 2014-03-28 2016-10-11 Qualcomm Incorporated Single-input multiple-output amplifiers with simultaneous multiple gain modes
US10177722B2 (en) 2016-01-12 2019-01-08 Qualcomm Incorporated Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6535725B2 (en) * 2001-03-30 2003-03-18 Skyworks Solutions, Inc. Interference reduction for direct conversion receivers
CN1866734A (zh) * 2005-05-16 2006-11-22 恩益禧电子股份有限公司 具有较低偏移电压的运算放大器
TW200719578A (en) * 2005-11-09 2007-05-16 Realtek Semiconductor Corp Operational amplifier and related noise seperation method thereof
TW200810361A (en) * 2006-08-03 2008-02-16 Ind Tech Res Inst Frequency synthesizer and frequency synthesization method
TW200945772A (en) * 2008-03-21 2009-11-01 Qualcomm Inc Quadrature output low noise transconductance amplifier having differential input

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128630A (en) * 1991-05-03 1992-07-07 Motorola, Inc. High speed fully differential operational amplifier
GB9219685D0 (en) * 1992-09-17 1992-10-28 Massachusetts Inst Technology Error reduction
US6040732A (en) * 1997-04-09 2000-03-21 Analog Devices, Inc. Switched-transconductance circuit within integrated T-switches
US6259322B1 (en) * 1999-10-28 2001-07-10 Texas Instruments Incorporated Current efficient, ultra low noise differential gain amplifier architecture
EP1168603A1 (en) * 2000-06-26 2002-01-02 STMicroelectronics S.r.l. Switched-capacitor, fully-differential operational amplifier with high switching frequency
FR2824681A1 (fr) * 2001-05-14 2002-11-15 St Microelectronics Sa Amplificateur differentiel large bande comportant un disposi tif compensant la perte de gain en haute frequence
US6642789B2 (en) * 2002-03-08 2003-11-04 Texas Instruments Incorporated Operational amplifier input stage and method
CN100511978C (zh) * 2002-09-10 2009-07-08 沃福森微电子股份有限公司 差分放大器、模数转换器及其操作方法、电流产生方法
ATE453960T1 (de) * 2003-02-07 2010-01-15 Nxp Bv Vielseitiger splitter für basisband-stromeingangs-signal
US7099646B1 (en) * 2004-01-27 2006-08-29 Marvell International Ltd. Signal mixer having a single-ended input and a differential output
US8369289B2 (en) * 2008-08-14 2013-02-05 Sony Mobile Communications Ab Reuse of training sequence between frequency-adjacent radio signals

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6535725B2 (en) * 2001-03-30 2003-03-18 Skyworks Solutions, Inc. Interference reduction for direct conversion receivers
CN1866734A (zh) * 2005-05-16 2006-11-22 恩益禧电子股份有限公司 具有较低偏移电压的运算放大器
TW200719578A (en) * 2005-11-09 2007-05-16 Realtek Semiconductor Corp Operational amplifier and related noise seperation method thereof
TW200810361A (en) * 2006-08-03 2008-02-16 Ind Tech Res Inst Frequency synthesizer and frequency synthesization method
TW200945772A (en) * 2008-03-21 2009-11-01 Qualcomm Inc Quadrature output low noise transconductance amplifier having differential input

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