TWI471169B - 流體傳送系統（一） - Google Patents

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Description

流體傳送系統(一) 發明領域
本發明關於一種流體傳送系統。
 發明背景
高生產量研究設備常使用自動液體操作技術及/或科技來將非常小或微量的流體體積從一來源轉送至另一目的地。通常，此種轉送實質上牽涉高度的精確性，現有的技術很可能會限制此等精確性。精確之微量體積的濃縮流體的轉送常常牽涉到將流體稀釋為較低濃度及較大體積，如此，在現有樣品轉送技術的限制內才足以較好處理及/或操作。
 發明概要
一種流體傳送系統，包括：一驅動機構；及一流體轉送裝置，操作地連接至該驅動機構，該流體轉送裝置包括：一晶粒，具有第一及第二相對表面；至少一噴嘴，形成於該第一相對表面中；一流體縫，形成於該第二相對表面中，該流體縫具有一入口鄰近該第二相對表面，流體經由毛細作用通過該入口滲入該流體縫內，及一分離的出口，流體通過該出口流出至該至少一噴嘴；及一流體射出裝置，與該流體縫及該至少一噴嘴流體溝通，該流體射出裝置操作地連接至該驅動機構。
一種轉送流體的方法，包括：將形成於晶粒中之流體縫的一流體入口暴露於該流體，藉此流體經由毛細力量滲入該流體縫內；將形成於該晶粒之兩相對表面之一者中的至少一噴嘴設置於緊鄰一流體目的地；及致動併合於該晶粒中之一流體射出裝置，使得一預定量之該流體縫中的該流體通過該至少一噴嘴被分配至該流體目的地上或進入該流體目的地中。
圖式簡單說明
本揭露實施例之特性及優點藉著參考以下之詳細描述及圖式將變得更為顯明，其中相似的元件編號對應相似的(雖然也許不是完全相同的)組件。具有先前描述功能之元件編號在它們出現之其他圖式的相關說明中可能被或不被再次描述。
第1A圖為流體轉送裝置及流體轉送系統之一實施例的半簡要立體圖；第1B圖為顯示於第1A圖之流體轉送裝置實施例之晶粒的放大圖；第2A圖為流體轉送裝置實施例沿著第1A圖之線2-2橫切的切斷橫截面圖，其中裝置充滿樣品流體且黑線表示於射出時樣品流體之流動；第2B圖為包括兩流體分離縫之流體轉送裝置之實施例的橫截面圖；第3圖為流體轉送裝置另一實施例的切斷立體圖；第4圖為流體轉送裝置實施例沿著第3圖之線4-4橫 切的切斷橫截面圖，其中裝置充滿樣品流體且黑線表示於射出時樣品流體之流動；第5圖為包括操作地連接至驅動機構之數個流體轉送裝置的流體轉送系統實施例的半簡要立體圖，每個裝置包括具有第二流體縫之構件；及第6圖為使用第1A圖之流體轉送裝置轉送流體之方法之實施例的流程圖。
 較佳實施例之詳細說明
此處所揭露之流體轉送裝置的實施例有利地用於將精確及微量體積的流體樣品從一來源實質地轉送另一目的地。需要高效能之樣品轉送方法的珍貴流體包括，例如DMSO中之候選藥物化合物、水性細胞溶解物、萃取或增幅的DNA、血液組份或相似物。據信流體轉送裝置之實施例係為了用於單一或多個轉送用途、控制傳送速率及體積，及/或減少廢棄物而組構。此等益處至少一部份係由於包含有晶粒(也稱為晶片)，其組構為經由毛細力量滲入樣品流體及維持樣品流體。晶粒的大小有利地組構為可浸入流體填充之皿盤中。該小晶粒包括一具有小尺寸之流體縫，其據信可將注入體積(及因此怠體積)減到最小，及使得實質毛細壓力能夠足以驅動滲入過程。更相信的是，小晶粒尺寸加上相當開放的流體縫，實質地簡化滲入過程及清潔過程且實質地減少廢棄物。
此種晶粒與噴墨分配技術的組合使得晶粒中預定體積 的流體可以控制的方式被分配至所要到達之流體目的地。據信此種組合使得精確及控制的微量流體體積之轉送變得可能，且不會產生不想要的大量廢棄物體積。更相信的是，此種組合使得滲入及分配可以在沒有使用傳統的機械致動方法(如吸管)的情況下完成，藉此降低流體污染的潛在可能性。
此處揭露之流體分配裝置於單一流體轉送之後或多個流體轉送之後也可有利地被清潔及再利用。使用者可能想要於單一流體轉送之後就清潔裝置，例如當想要轉送不同的流體時。
如此處所定義的，術語“非常小體積”及“微量體積”兩者指稱範圍從約1微微升(pL)至約10微升(μL)的流體體積或其分液，且於一些實施例中，直到約50μL之流體。於一非限制性例子中，滲入體積的範圍從約50nL至數μL，而分配體積的範圍從1pL至數μL。於另一非限制性例子中，分配液滴之個別體積從約1pL至約300pL的範圍。
一般而言，轉送的體積可以小至從單一噴嘴噴出之單一液滴或可包括從流體轉送裝置中之一個以上噴嘴噴出的一定數目的液滴。轉送之流體可包括數以仟計的液滴，至數以萬計的液滴，直到數以百萬計的液滴。因此，流體數量的範圍係數位的，且在至少106 的尺度動態範圍中幾乎是連續的。宜了解的是，最大之轉送體積被流體轉送裝置中之起始滲入體積所限制。然而，應進一步了解的是，越 大的轉送體積可藉施用多個填充及分配循環而達成。
各自的液滴體積主要由流體射出器裝置(如噴墨電阻器)、射出腔尺寸、噴嘴與流體通道的大小所決定。液滴體積也可能被為液滴射出及流體性質設定之能量所影響。例如，乙醇溶液之液滴重量常為水溶液之液滴重量的約60%，然而兩者都是高度重現的，至少部份由於高度重現之射出狀況及進一步多個射出狀況之平均優點。
此處揭露之流體轉送裝置的操作可包括校正步驟以決定在固定能量設定下一流體之液滴重量。於一實施例中，平均液滴重量可藉著將一定數目之液滴射入收集盤中及秤重盤中之質量增加而重量分析地決定。液滴重量也可以利用轉送溶液中已知濃度之色料而藉由比色的方法決定。一定數目之液滴帶著已知體積的水或其他溶劑被射入流體樣品中。流體樣品中之色料濃度由光學測定，例如藉由UV-VIS吸收來決定稀釋因數，然後，決定平均液滴重量。
用於液滴重量校正之加入流體的色料數量係考慮色料在溶劑中之溶解度、色料的顏色強度及其他任何合適因子而選定。典型的色料數量從約0.1wt%至約10wt%流體的範圍，於一實施例中，從約0.1wt%至約5wt%的範圍。宜了解的是，雖然可以使用合適噴墨墨水色料，但是彩色色料比黑色色料更是適合。合適色料之非限制性例子包括直接藍色199號(購自Avecia，名為Projet Cyan Special)，酸性藍色9號；直接紅色9號，直接紅色227號，Magenta 377號(購自Ilford AG，Rue de I'lndustrie，CH-1700弗萊堡， 瑞士)，酸性黃色23號，直接黃色132號，直接黃色86號，黃色104號(Ilford AG)，直接黃色4號(BASF)，黃色PJY H-3RNA(Avecia)，直接黃色50號(Avecia)，直接藍色199號，Magenta 377，或Ilford黃色104號。
宜了解的是，術語“連接”此處採廣義解釋以涵括各種分歧的連接安排及組合技術。這些安排及技術包括但不限於(1)於一組件及另一組件之間直接連接而其間沒有插入其他組件；及(2)連接一組件及另一組件且一個以上組件介於其間，假若該一組件“連接至”該另一組件係以某種方式操作地連接至該另一組件(縱然有一個以上的額外組件介於其間)。
現一起參考第1A、1B及2A圖，其等描述包括流體轉送裝置10(第1A圖)及其晶粒12(第1B及2A圖)的流體轉送系統20之實施例(第1A圖)。常見地，且於第1B及2A圖所清楚顯示地，流體轉送裝置10包括具有第一及第二相對表面22、24的晶粒12，界定於第一相對表面22內之至少一噴嘴26，及界定於第二相對表面24內之一流體縫28。
如第2A圖所示，晶粒12可包括兩部份12’，12”，一部份(12’)形成第一相對表面22，另一部份(12”)形成第二相對表面。於一實施例中，晶粒12的部份12”由玻璃或矽為底的材料及/或任何合適的材料製造，該等合適的材料可被浸入流體中而不會造成不想要的腐蝕、膨脹、碎裂/破裂、片落及/或損壞。晶粒12的部份12’由聚合物形成，其附接至部份12”。
晶粒12可以形成為(如經由鋸斷、刻劃、切斷及/或微機械加工技術)任何可被流體填充之想要的構形(即尺寸及/或形狀)，該填充係經由接觸流體或經由部份或完全地浸入流體源，如皿盤中。其他填充晶粒12的合適方法包括在適當填充位置使用吸管、注射筒、針管或膠管讓晶粒12與流體接觸。
雖然可使用任何合適的流體源，流體源皿盤之非限制性例子包括皿直徑約6mm的96皿盤，皿直徑約4mm的384皿盤，內皿直徑約2mm I.D.的1536皿盤，或其等之組合。於一實施例中，晶粒12之部份12”具有三度空間立方體幾何構形，其長度L從約0.5mm至約4mm範圍，寬度(未圖示)從約0.3mm至約4mm範圍，高度H從約0.3mm至約2mm範圍。晶粒12之另一部份12’的厚度從約10μm至約60μm範圍。宜了解的是，晶粒12可組構為更大或更小，至少部份地依據與流體轉送裝置10一起使用之流體源位置不同而不同。
如前所述，第1B及2A圖顯示晶粒12，其包括第一及第二相對表面22、24，其中至少一噴嘴26形成於或者界定於第一相對表面22中，及一流體縫28形成或者界定於第二相對表面24中。於一非限制性例子，噴嘴26及流體縫28經由例如微機械加工方式或其他合適的薄膜沉積技術形成在晶粒12中。
雖然有兩個噴嘴26顯示於第2A圖，宜了解的是，任何數目的噴嘴26可以形成於晶粒12中。於一實施例中， 形成於晶粒12中之噴嘴26的數目從約2至約100的範圍。作為一非限制性例子，每個噴嘴26的直徑可為從約5μm至約100μm的範圍。
於一實施例中，流體縫28包括界定於第二相對表面24的一入口30，及位於或置於流體縫28之一端部大致相對該入口30的一出口32，如此出口32與(形成於第一相對表面22中之)噴嘴26流體溝通。如第2A圖所示，流體縫28可包括一個以上的出口32。宜了解的是，每個出口32至少與一個噴嘴26流體溝通。
流體縫28大致為錐形，如此入口30之寬度大於流體縫28之相對端的寬度(如第2A、2B及4圖所示)。通常，流體縫28之各種寬度從約100μm至約600μm的範圍。
當晶粒12至少部份地接觸或至少部份地浸入流體樣品時，噴嘴26及入口30使得流體樣品滲入流體縫28中。出口32使得流體縫28中之流體樣品轉送至噴嘴26，流體樣品從噴嘴26分配或射出。宜了解的是，流體樣品之滲入流體縫28係經由毛細作用完成，即由於黏著及貼附之內分子力以及表面張力，流體樣品經由入口30及經由噴嘴26實質自發地移動進入流體縫28。宜進一步了解的是，流體樣品之滲入實質地不需任何外部的背壓而完成。
於一實施例中，流體射出裝置10浸入流體使得噴嘴26首先與流體接觸。於縫28在完全充滿之前即浸入的例子中，流體射出裝置10將可從噴嘴26及流體縫28兩者充滿。然而，由於錐形的縫28，據信毛細力量較窄的部份較 強，如此氣泡將自然地及更容易地從縫28的入口30被驅出。
毛細壓力的等式為：p c =2γ cosθ /r (1)其中γ為流體之表面張力，θ為流體與固體的接觸角，r為毛細半徑。流體填充易於在較小的尺寸構造中具有較大的力量。因此，充滿噴嘴26的流體及空氣易於經由入口30移出縫28外。據信噴嘴26及入口30之不同的填充速率，及驅趕空氣之能力實質地上除去被捕捉於縫28中的空氣。為確保氣泡的驅除，以在入口30接觸流體之前噴嘴26就接觸流體的方位浸漬該流體轉送裝置10是有利的。
等式1也顯示達到流體填充之接觸角少於90度是想要的。於一些例子中(例如當使用水溶液時)，不必另外的處理這就可以達到。於另外一些例子中，然而，必須藉著添加表面活性劑至流體中，或藉著經由電漿處理或其他表面處理改質晶粒12表面，才可以達到所要程度的浸濕。
因此，藉著使晶粒12至少部份地與流體源接觸或者讓晶粒12至少部份地浸入流體源中，此處所揭露之流體轉送裝置10的使用者能夠以流體樣品填充流體縫28及允許毛細作用以將流體吸入。
第1B及2A圖顯示具有流體滲入其中之流體轉送裝置10。兩個圖式都顯示半月形M鄰近入口30，第2A圖顯示半月形M’鄰近每個噴嘴26。
毛細作用也將流體樣品留在流體縫28直到裝置10經 由控制裝置致動(以下進一步描述)。於一實施例中，流體縫28能夠保住少於100nL，或到達或大於10μL的流體體積。宜了解者，然而，因為流體的填充至少部份依賴毛細上升，就一幾何圖形言，填充的體積可能有限制。藉著下述的方式，較這個限制為大的體積可以達到，例如傾斜流體縫28使得毛細上升的高度變小，延伸流體縫28(見第3及4圖)，包括多個小流體縫28(見第2B圖)，或增加接觸表面面積及以泡沫或其他結構材料實質地填充該體積(未圖示)。宜進一步了解的是，雖然流體縫28可留住預定的流體體積，等於或少於預定流體體積之任何想要的流體體積可從裝置10中分配。於一非限制性例子中，流體縫28可留住約1μL的流體，小液滴，例如約1nL及/或1pL可被控制地分配。於一實施例中，為了分配一所要的體積，流體縫28被較所要體積為大的體積(直到填充限制)填充，如此允許一些微少的體積會殘留在裝置10中的可能性。宜了解的是，許多小液滴也可被分配以遞送其等體積的總和，如所要者。
控制裝置通常包括一流體射出裝置34，其經由電氣互連14操作地連接至驅動機構。流體分配進入或進到流體目的地(未圖示)的體積通常由流體射出器34回應來自驅動機構電氣指令而控制。
第2A圖顯示與晶粒12一體成型之兩流體射出裝置34。於一實施例中，每個流體射出裝置34與流體縫28之一出口32及與一噴嘴26流體溝通。如第2A圖所示，個 別的流體射出裝置34被置於個別的噴嘴26的對面，以加速流體樣品從個別的噴嘴26射出。於一非限制性例子中，晶粒12包括單一流體縫28，數個噴嘴26及個別結合的流體射出裝置34與單一流體縫28流體溝通。
於一實施例中，流體射出裝置34為噴墨分配器。流體射出裝置34可為按需要噴墨(DOD)分配器，諸如熱噴墨分配器(即薄膜電阻器)或壓電噴墨分配器(即壓電膜)。
如前所述，流體射出裝置34操作地連接至電氣互連構件14，其最終電氣連接至驅動機構。如第1A圖所示，數個電氣針16可將互連構件14連接至驅動機構(未圖示)。驅動機構控制整個系統20的電子元件及接續地及/或同時地致動一個以上的流體射出裝置34。互連構件14可電氣連接至黏接墊48，其操作地併入晶粒之部份12’中。流體射出裝置34也經由延伸於晶粒部份12’、12”之間的導電痕跡電氣連接至黏接墊48。宜了解的是，驅動機構可為永久附接或可移除附接至流體轉送裝置10。
流體轉送裝置10”之另一實施例顯示於第2B圖。於此實施例中，數個流體縫28形成於晶粒12中。每個流體縫28具有個別的入口30及出口32，且與個別的噴嘴26及射出裝置34相結合。如所示者，縫28(及與其相結合之組件)係流體分別的，如此使分別的填充及分別的分配變得可能。
流體轉送裝置10’的再另一實施例顯示於第3及4圖。於此實施例中，流體縫28之體積藉操作地將構件36連接至晶粒12而擴大。構件36包括界定流體縫38及附接至晶 粒12之本體部份40。可以利用任何合適的附接機構，包括顯示於第4圖之黏著劑50。於一實施例中，本體40之長度置於緊鄰部份的互連構件14處。宜了解的是，構件36可由合適之材料形成，非限制性例子為模製的聚合物材料，諸如聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚烯烴、丙烯酸酯，或其等之組合。
構件36之本體40界定流體縫38。構件流體縫38可組構為擴大流體縫28之體積至數μL。於一非限制性例子中，構件流體縫38將流體縫28體積從約100nL擴展至約10μL。通常，構件36可被放置在晶粒12之第一相對表面22上，如此至少一部份的構件流體縫38與晶粒流體縫28實質地對齊。於一實施例中，構件流體縫38直接地對齊流體縫28。
宜了解的是，構件流體縫38也可組構為具有其他的幾何形狀。於一非限制性例子中(未圖示)，構件流體縫38在直接鄰近晶粒流體縫28處實質地對齊晶粒流體縫28，然後構件流體縫38分支或分開成為多個流體臂，每個流體臂接受樣品流體。這些流體臂藉著增加接觸表面積及降低毛細上升，據信可以增加毛細體積。於另一非限制性例子中(亦未圖示)，構件流體縫38具有延伸超過晶粒流體縫28長度L的長度，藉此增加毛細體積。
構件流體縫38實行與流體縫28實質相同的功能，即從流體源滲入流體至其至少部份地暴露。滲入流體進入構件流體縫38，結合滲入流體進入晶粒流體縫28使得流體 轉送裝置10’可以獲得及保留(比流體縫28單獨)實質較高的流體體積。因為兩個縫28、38比單一流體縫28可儲存更多的流體，所以可了解的是，若想要的話，較大之流體體積可被分配。於一非限制性例子中，流體縫28、38的結合可使數微升(μL)滲入縫28、38中，因此，從小至約1pL體積直到整個縫28、38體積的範圍均可被分配。
第3及4圖顯示流體滲入其中之流體轉送裝置10’。第3及4圖顯示構件流體縫38中之半月形M，第4圖顯示鄰近每個噴嘴26的半月形M’。
宜了解的是，顯示於第2B圖之流體轉送裝置10”之實施例也可包括構件流體縫38。於此實施例中，數個流體縫28中之每個可具有構件流體縫38與其結合。構件流體縫38可組構為與顯示於第3及4圖之實施例相似，如此每個構件流體縫38實質垂直地延伸晶粒流體縫28之個別的一者(即，構件流體縫38的內壁實質地垂直晶粒的第二相對表面24)。於另一實施例中，構件流體縫38實質地對齊晶粒流體縫28，每個構件流體縫38的內壁相對於晶粒之第二相對表面24成一角度。
於從噴嘴26分配流體時，用盡之流體體積將藉著將縫半月形M朝向噴嘴半月形M’移動而被補充。在噴嘴26的位置，半月形M’被高毛細壓力阻止，相反地，至少部份由於其較大的尺寸、中型的錐形、及因此較低的毛細壓力，縫半月形M可具有相當的移動性。
流體轉送系統20’之另一實施例半簡要地顯示於第5 圖。此流體轉送系統20之實施例包括數個各自的流體轉送裝置10’，其中每個均連接至驅動機構。如前所述，驅動機構操作地控制每個流體轉送裝置10、10’、10”的流體射出裝置34，如此每個各自流體轉送裝置10、10’、10”之預定體積的流體樣品可被分配進入或進到一個以上流體目的地。
於此實施例中，於單一傳送期間轉送一個以上流體樣品可以控制。因此，可以使用系統20’中之任何數目的流體轉送裝置10、10’、10”。宜了解的是，每個流體轉送裝置10、10’、10”也可各自被電氣控制(經由控制電子元件，即驅動機構，互連機構14，流體射出器裝置34等)以實質地分配相同體積的流體或不同體積的流體進入/進到相同的或不同的流體目的地。宜進一步了解的是，每個流體轉送裝置10、10’、10”可以組構為滲入及留住實質相同的體積，或不同的體積。
使用裝置10、10’、10”及/或系統20、20’實施例轉送流體的方法描述於第6圖。該方法包括將流體入口30暴露於流體，藉此流體經由毛細力量滲入流體縫28中(方塊42)；將噴嘴26定位於緊鄰流體目的地(方塊44)；及致動流體射出裝置34使得流體縫28中之預定量的流體通過噴嘴26被分配至流體目的地上或進入流體目的地中(方塊46)。於此方法中，致動流體射出裝置34包括經由控制電子元件啟動至少一個噴嘴26。
於一實施例中，於流體滲入流體縫28中後(方塊42)， 該方法可更包括將流體射出裝置34射出之液滴清潔進入廢棄物容器中，諸如，設計來收集廢棄液滴之皿盤的特別皿中。宜了解的是，此種液滴射出之清潔可以在真實轉送流體樣品前完成多次。宜進一步了解的是，藉著將啟動能量設定至合適的等級，可以在射出流體存在或不存在下實行液滴射出的清潔。此可至少部份地完成以達成射出裝置34之液滴射出的實質穩定狀態。
控制電子元件可以程式化以自動地分配預定體積的流體至預定的目的地上或進入預定的目的地中。合適流體目的地之非限制性例子包括實質平坦基材、硝化纖維素膜、皿盤之皿或其中的特定位置、靜電凹洞、石英結晶共振器、微電子機械系統用之懸臂，及/或相似物，及/或其等之組合。宜了解的是，使用者可輸入資料以程式化電子元件的控制。每個系統20、20’例如可為移動由使用者控制的手持系統，移動由自動的x、y、z平台控制的自動系統，或手持及自動系統的組合。
於一非限制性例子中，此處揭示的方法可被用於轉送流體至實質平坦基材以產生測試帶。於一非限制性例子中，流體轉送方法包括以自動的x，y，z平台在液滴射出期間控制流體射出裝置34之致動及控制單一流體轉送裝置10、10’、10”的相對速度以產生測試帶，其在實質平坦基材上具有液滴密度梯度。例如，藉著從一噴嘴射出一液滴，從約1pL至約100pL範圍的流體體積可被分配，藉著從10個噴嘴射出1000液滴，從約10nl至約1μL範圍的流 體體積可被分配。因此，1pL至1μL範圍(相差106 倍)的流體可被直接地從流體轉送裝置10、10’、10”噴射到單一基材。
此處所揭露的流體轉送裝置10、10’、10”也為實質簡化的清潔方法而組構，其可以在裝置使用前及/或使用後實施。清潔方法可以與轉送樣品流體進入流體目的地中或流體目的地上的方法合併，此實質地簡化樣品流體操作或轉送循環。然而，宜了解的是，清潔方法也可與轉送樣品流體進入流體目的地中或至流體目的地上的方法分別使用。
清潔方法之實施例包括將流體入口30暴露於清潔溶液，藉此清潔溶液經由毛細力量滲入流體縫28中。於一非限制性例子中，例如，藉著使晶粒12浸入清潔溶液中而完成將流體入口30暴露於清潔溶液。
合適的清潔溶液之非限制性例子為表面活性劑溶液，其中表面活性劑係選自十二基硫酸鈉。其他合適的表面活性劑包括陰離子及非離子表面活性劑。陰離子表面活性劑的例子包括但不限於磺酸鹽表面活性劑諸如磺琥珀酸鹽類(Aerosol OT，A196；AY及GP，購自CYTEC)及磺酸鹽類(Aerosol DPOS45，OS購自CYTEC；Witconate C-50H購自WITCO；Dowfax 8390購自DOW)；及氟表面活性劑(Fluorad FC99C購自3M)。非離子表面活性劑的例子包括但不限於氟表面活性劑(Fluorad FC170C購自3M)；烷氧基酯表面活性劑(Tergitol系列15S-5、15S-7及15S-9購自Union Carbide)；及有機矽烷表面活性劑(Silwet L-77及 L-76-9購自WITCO)。包括溴化十六烷基三甲基銨之陽離子表面活性劑(Aldrich)於一些實施例中可能是不想要的，因為它們容易沉澱陰離子材料，諸如蛋白質。宜了解的是，陽離子表面活性劑於其他實施例中可能是想要的。
清潔溶液也可包括緩衝液來控制pH；金屬螯合劑來溶解金屬沉澱物，諸如碳酸鈣；及殺生物劑來抑制微生物的生長。此等成分均進一步描述於2003年8月26日發行之美國專利第6,610,129號，其全部內容併入此處作為參考。
於此實施例中，清潔方法更包括致動流體射出裝置34使得清潔溶液通過噴嘴26而分配。流體射出裝置34可被致動多次(如致動頻率約1kHz，致動約一百次)以從裝置10、10’、10”分配清潔溶液；流體射出裝置34亦可在實質較低能量情況下被致動(即能量程度足以產生蒸氣氣泡之核心化但不致產生單一強勁之驅動氣泡)，及/或多次致動與較低能量情況下致動之組合。於一非限制性例子中，晶粒12首先從清潔溶液中移除，然後射出裝置(34)被致動，藉此分配清潔流體。於另一非限制性例子中，當晶粒12被浸入清潔溶液同時，就完成射出裝置34的致動。
清潔方法的另一實施例包括將晶粒12浸入清潔溶液中，以水潤濕晶粒12，及乾燥晶粒12。清潔方法之再另一實施例包括將晶粒12暴露於清潔溶液的噴射水流。
宜了解的是，因為互連構件14被定位在相當鄰近晶粒12的位置，互連構件14可能容易受到來自暴露於例如其他流體、細菌及/或類似物的污染。此等污染常來自將互連構 件14長期或間歇地暴露於水或其他流體。因此，為了實質降低污染的風險或防止此等污染，至少一部份位於直接鄰近晶粒12的互連構件14應該被處理以讓構件14的部份呈現疏水性。當完全浸入流體時，此種疏水的塗覆據信實質地防止流體(如，水)去浸濕構件14。此種塗覆處理的例子包括光成像的環氧化物，諸如SU8或其他疏水的聚合物，諸如氟聚合物。於一實施例中，構件14使用遮罩及蒸氣沉積而獲得疏水性。
雖然數個實施例已被詳細地描述，習於此藝者應當了解該等所揭露之實施例可被修改及/或其他實施例也是可能的。所以，以上的描述應被認為係例示而非限制。
10、10’、10”‧‧‧流體轉送裝置
12‧‧‧晶粒
12’、12”‧‧‧晶粒部份
14‧‧‧互連構件
16‧‧‧電氣針
20、20’‧‧‧流體轉送系統
22、24‧‧‧相對表面
26‧‧‧噴嘴
28、38‧‧‧流體縫
30‧‧‧入口
32‧‧‧出口
34‧‧‧流體射出裝置
36‧‧‧構件
40‧‧‧本體
42~46‧‧‧方塊
48‧‧‧黏接墊
50‧‧‧黏著劑
M、M’‧‧‧半月形
第1A圖為流體轉送裝置及流體轉送系統之一實施例的半簡要立體圖；第1B圖為顯示於第1A圖之流體轉送裝置實施例之晶粒的放大圖；第2A圖為流體轉送裝置實施例沿著第1A圖之線2-2橫切的切斷橫截面圖，其中裝置充滿樣品流體且黑線表示於射出時樣品流體之流動；第2B圖為包括兩流體分離縫之流體轉送裝置之實施例的橫截面圖；第3圖為流體轉送裝置另一實施例的切斷立體圖；第4圖為流體轉送裝置實施例沿著第3圖之線4-4橫切的切斷橫截面圖，其中裝置充滿樣品流體且黑線表示於 射出時樣品流體之流動；第5圖為包括操作地連接至驅動機構之數個流體轉送裝置的流體轉送系統實施例的半簡要立體圖，每個裝置包括具有第二流體縫之構件；及第6圖為使用第1A圖之流體轉送裝置轉送流體之方法之實施例的流程圖。
10‧‧‧流體轉送裝置
12‧‧‧晶粒
14‧‧‧互連構件
16‧‧‧電氣針
20‧‧‧流體轉送系統

Claims (12)

  1. 一種流體傳送系統，包含：一驅動機構；及一流體轉送裝置，操作地連接至該驅動機構，該流體轉送裝置包括：一個晶粒，具有第一及第二相對表面；至少一個噴嘴，形成於該第一相對表面中；一個流體縫，形成於該第二相對表面中，該一個流體縫具有一入口鄰近該第二相對表面，及一分離的出口，流體通過該出口流出至該至少一個噴嘴，該一個流體縫係用以將流體滲入該流體縫及用以經由毛細作用且實質上沒有任何外部的背壓容納該流體於該晶粒中；及一流體射出裝置，與該流體縫及該至少一個噴嘴流體連通，該流體射出裝置係操作地連接至該驅動機構；該第一相對表面除了在該至少一個噴嘴所形成處之外皆為一連續表面。
  2. 如請求項1之流體傳送系統，更包含數個流體轉送裝置，每個流體轉送裝置各自地及操作地連接至該驅動機構。
  3. 如請求項1之流體傳送系統，更包含操作地連接該一個晶粒至該驅動機構的一電子互連構件。
  4. 如請求項3之流體傳送系統，其中直接地鄰近該一個晶粒之該電子互連構件的至少一部份受處理以提供疏水 性予該電子互連構件之該至少一部份。
  5. 如請求項1之流體傳送系統，更包含一構件，其具有界定於其中之一第二流體縫，該構件操作地連接至該一個晶粒，使得至少一部份的該第二流體縫與至少一部份的該流體縫實質地對齊。
  6. 如請求項1之流體傳送系統，其中該入口及該第二相對表面係開放於一外部大氣。
  7. 一種製造一流體傳送系統之方法，包含：界定一流體縫於一晶粒中，使得該流體縫之一流體入口與該晶粒之兩個相對表面的其中一者相鄰；界定至少一個噴嘴於該晶粒之該等兩個相對表面的另一者中，該等兩個相對表面的該另一者除了在該至少一個噴嘴所形成處之外皆為一連續表面，因而該至少一個噴嘴係流體地連接至該流體縫之一出口；組構一流體射出裝置於該晶粒中，使得該流體射出裝置能夠通過該至少一個噴嘴射出流體；及操作地連接該流體射出裝置至一驅動機構；其中該流體縫係經組構成使得實質上沒有外部背壓之毛細力量(i)當該流體縫暴露於該流體時，通過該流體入口將流體滲入該流體縫，及(ii)容納該流體於該晶粒中。
  8. 如請求項7之方法，更包含操作地連接一具有一界定於其中之第二流體縫的構件至該晶粒，使得該第二流體縫實質上與該流體縫對齊，藉此擴大該流體縫之體積。
  9. 如請求項7之方法，其中界定該流體縫於該晶粒中包括 界定一個流體縫於一個晶粒中。
  10. 一種流體傳送系統，包含：一驅動機構；及一流體傳送裝置，其操作地連接至該驅動機構，該流體傳送裝置包括：一個具有第一及第二相對表面之晶粒；至少一個噴嘴，形成於該第一相對表面中；一個流體縫，形成於該第二相對表面中，該一個流體縫具有一入口鄰近該第二相對表面，流體經由毛細作用通過該入口滲入該流體縫內，及一分離的出口，流體通過該出口流出至該至少一個噴嘴；及一流體射出裝置，與該流體縫及該至少一個噴嘴流體連通，該流體射出裝置係操作地連接至該驅動機構；該第一相對表面除了在該至少一個噴嘴所形成處之外皆為一連續表面；其中該一個晶粒包括兩個部分，其中該一個晶粒之第一部分具有一三維矩形幾何組態，其具有一長度從大約0.5mm至大約4mm的範圍，一寬度從大約0.3mm至大約4mm的範圍，及一高度從大約0.3mm至大約2mm的範圍，其中第二部分具有一厚度從大約10μm至大約60μm的範圍，及其中該第一相對表面係界定在該一個晶粒之該第二部分上且該第二相對表面係界定在該一個晶粒之該第一部分上，該第一部分係直接附接至該第二部分。
  11. 一種流體傳送系統，包含：一驅動機構；及一流體傳送裝置，其操作地連接至該驅動機構，該流體傳送裝置包括：一個具有第一及第二相對表面之晶粒；至少一個噴嘴，形成於該第一相對表面中；一個流體縫，形成於該第二相對表面中，該一個流體縫具有一入口鄰近該第二相對表面，流體經由毛細作用通過該入口滲入該流體縫內，及一分離的出口，流體通過該出口流出至該至少一個噴嘴；及一流體射出裝置，與該流體縫及該至少一個噴嘴流體連通，該流體射出裝置係操作地連接至該驅動機構；該第一相對表面除了在該至少一個噴嘴所形成處之外皆為一連續表面，且該入口及該第二相對表面係開放於一外部大氣。
  12. 如請求項11之流體傳送系統，其中該一個晶粒包括兩個部分，其中該一個晶粒之第一部分具有一三維矩形幾何組態，其具有一長度從大約0.5mm至大約4mm的範圍，一寬度從大約0.3mm至大約4mm的範圍，及一高度從大約0.3mm至大約2mm的範圍，其中第二部分具有一厚度從大約10μm至大約60μm的範圍，及其中該第一相對表面係界定在該一個晶粒之該第二部分上且該第二相對表面係界定在該一個晶粒之該第一部分上，該第一部分係直接附接至該第二部分。
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