TWI470840B

TWI470840B - 用於製造複數個半導體組件的方法

Info

Publication number: TWI470840B
Application number: TW100149161A
Authority: TW
Inventors: Hans-Christoph Gallmeier; Guenter Spath; Herbert Brunner
Original assignee: Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date: 2010-12-30
Filing date: 2011-12-28
Publication date: 2015-01-21
Also published as: TW201234674A; US20130337593A1; JP2014501454A; DE102011013369A1; EP2659522A1; CN103283040A; WO2012089531A1; KR20130110212A

Description

用於製造複數個半導體組件的方法

本發明涉及一種用於製造複數個半導體組件的方法，該些半導體組件包含半導體晶片和轉換器小板。

在具有半導體晶片和轉換器小板的半導體組件中，半導體晶片在操作時發出主輻射，其中該轉換器小板將該主輻射的至少一部份轉換成另一波長的二次輻射。最後所得到的輻射是由轉換器小板所發出之主輻射及所產生的二次輻射的重疊而成。因此，例如可產生多種可發出白光的半導體組件。

在製造此種組件時，大多藉由屏面印刷(screen printing)方法將轉換器小板直接施加在半導體晶片上。然而，缺點在於由此種組件所發出的輻射之彩色位置會發生變動。由於將轉換器小板直接施加在半導體晶片上，則另一缺點是：有缺陷的轉換器小板施加在有功能的半導體晶片上且反之亦然，因此會不利地使該組件的成份的一部份發生不必要的損耗。

在將轉換器小板直接施加在半導體晶片上時，缺點是不可能將轉換器小板依據其轉換特性而適當地配屬於一個半導體晶片，因此不可能獲得一種具有所期望的發射特性的組件。

本發明的目的是提供一種方法，藉此使轉換器小板可適當地與半導體晶片相組合，同時使組件的成份的損耗下降。

另外，上述目的藉由一種具有申請專利範圍第1項特徵的製造方法來達成。該製造方法之有利的其它形式描述在申請專利範圍各附屬項的內容中。

在另一形式中，用於製造複數個發出輻射之半導體組件(其分別具有至少一個半導體晶片和一個轉換器小板)的方法包括以下各步驟：

a)在晶圓複合物中製備複數個半導體晶片，其分別適於發出主輻射，

b)在一共用載體上製備複數個轉換器小板，其分別適於將該主輻射轉換成二次輻射，及

c)藉由自動化方法將一轉換器小板分別安裝在一個半導體晶片上或多個半導體晶片上。

一轉換器小板因此可各別地安裝在恰巧一個半導體晶片上。或是，一共用之轉換器小板可配置在多個半導體晶片之後。

轉換器小板因此是各別地製成的小板。所謂各別地製成的小板特別是指一種小板，其與該組件之其餘成份係分開製成。因此，該小板可在其餘組件製成之前、同時或之後製成。所謂「小板」的概念在此處亦指，箔形式的可撓性之層，其可各別地製成且可配置在晶片上。

轉換器小板特別是指一種小板，其可將半導體晶片所發出的主輻射的一部份轉換成另一波長的輻射。此種轉換器小板可具有一種可透過輻射之母材(matrix)和一種施加在該母材中的發光物質。該母材因此決定了該轉換器小板之機械特性。特別是一種輻射穩定之透明材料可考慮作為母材。該母材例如是一熱塑性塑料或硬塑性(duro-plastic)塑料，其例如是矽酮或陶瓷。通常，須選擇該母材之折射率，使得該轉換器小板施加在半導體晶片上之後不會發生不期望的散射效應。

施加在或埋置在該母材中的發光物質例如已描述在文件WO 98/12757 A1中，其已揭示的內容在此一併作為參考。

各個半導體晶片分別具有一活性層，其較佳是包含一個pn-接面，一種雙異質結構，一種單一量子井結構(SQW-結構)或一種多量子井結構(MQW-結構)以產生輻射。此名稱量子井結構此處未指出量子化的維度。因此，量子井結構可另外包含量子槽，量子線和量子點以及這些結構的每一種組合。

半導體晶片之各層較佳是分別具有III/V-半導體。半導體晶片因此在晶圓複合物中製成。晶圓複合物特別是指每一種具有複數個無殼體之半導體晶片的配置，其例如可以是半導體晶圓，特別是無殼體之半導體晶圓，其具有複數個各別的半導體晶片。同樣，晶圓複合物可以是載體，其上可施加複數個無殼體之已分離的半導體晶片，以便可進行半導體晶片之下一製程。

在晶圓複合物上可各別地施加上述之轉換器小板或共同地施加成一物件，然後將該晶圓複合物予以劃分。因此，可將半導體晶片反轉換器小板共同地予以劃分。

藉由將轉換器小板和半導體晶片的製造予以分開，則特別是可達成一種製造方法，其可對最終產品之輻射的彩色位置的調整作較佳的控制。此外，可使有缺陷的組件(例如，轉換器小板或半導體晶片)之損耗下降，此乃因在轉換器小板與各別的半導體晶片相組合之前可對這些組件作測試且需要時亦進行分類。

這樣所製成的組件特別是具有一種近似於晶片轉換的優點，其中所製成的各組件能在白色光譜區中以狹窄的彩色位置分佈來發出輻射。由於半導體晶片和所述轉換器小板之適當的組合，則可使組件達成最大的輻射效益。又，此製造方法之特徵是小的轉換成本且半導體晶片在接觸時的問題較小，例如，在藉由接合線來接觸時的問題較小。上述轉換器小板和半導體晶片之製造方法相分開時另外所具有的優點是較高的可變化性(flexibility)，這是由於將上述的轉換器小板適當地組合至半導體晶片所造成。

上述的轉換器小板平坦地形成或具有三維的結構。此種轉換器小板因此可佈置成平面式小板，其中該小板之出口表面以平面方式形成。或是，該小板的出口表面針對所期望的光發射而具有三維的結構，例如，透鏡形式的結構、彎曲的結構或粗糙化的結構。

上述轉換器小板例如可包含陶瓷或矽酮。

同時製成複數個轉換器小板。

在另一形式中，為了將該轉換器小板安裝在半導體晶片上，須使用傳統之拾取/放置(pick-and-place)方法，其原理在半導體組件安裝技術(特別是晶片安裝技術)中已為人所知，此處因此不再詳述。

在另一形式中，在上述的步驟b)之後及步驟c)之前進行以下的步驟：

b1)測量每一轉換器小板之輻射轉換度，

b2)依據輻射轉換度將轉換器小板分類成多種小板組(groups)，

b3)製備複數個半導體晶片組，其中每一組中只存在發出特定的主輻射之半導體晶片，

b4)將一轉換器小板組配屬於一半導體晶片組，以便由轉換器小板和半導體晶片之每一組合都產生輻射，其位於預定之彩色位置範圍之內。

上述方法之特徵特別是可較佳地控制最終產品之輻射之彩色調整。特別是可藉由將一轉換器小板組配屬於一半導體晶片組而以較簡易的方式來產生各組半導體組件，其中各半導體組件在該組中都具有很小的彩色位置分散性，該轉換器小板組中全部的小板都具有相同的轉換度或所具有的轉換度都在相同的轉換度範圍內，且該半導體晶片組中全部的半導體晶片都具有相同的主輻射或所具有的主輻射都在相同的發射範圍內。

在另一形式中，轉換器小板組和半導體晶片組之每一組合的輻射都在共同的彩色位置範圍內，特別是在白色之彩色位置範圍內。

在另一形式中，各轉換器小板分別藉由透明的矽酮層而固定在各別的半導體晶片上。該矽酮層特別是藉由噴射過程而配置在半導體晶片上。因此，該矽酮層較佳是在安裝該轉換器小板之前施加在半導體晶片上。

或是，各轉換器小板分別藉由一種由熱性、光學特性和黏合性相同於或類似於矽酮之材料所構成的層施加而成。

在另一形式中，以點滴形式形成該矽酮層且施加在每一半導體晶片上。每一點滴因此較佳是形成為5奈升(含)至20奈升(含)之大的點滴。點滴之大小和範圍因此自動地受到監視，使點滴的大小可有利地不會偏離或不會大大地偏離預定的範圍。該矽酮層因此週期地施加在半導體晶片上。特別是在每一半導體晶片上恰巧施加一個矽酮點滴。

或是，該矽酮層或由特性至少類似於矽酮的材料所構成的層藉由噴射過程、壓印過程或印刷過程而施加在每一半導體晶片上。又，亦存在下述可能性：在將該轉換器小板施加在半導體晶片上之前，在該轉換器小板之一側上配置該矽酮層或配置由特性至少類似於矽酮之材料所構成之層，然後將轉換器小板直接施加在半導體晶片上。

在另一形式中，在將轉換器小板安裝在半導體晶片上之前查出該矽酮層是否施加在每一半導體晶片上。若已確定並無矽酮層施加在晶片上，則在隨後的過程中轉換器小板不施加在該晶片上。此種查出「該矽酮層是否施加在每一半導體晶片上」，例如是藉由一種具有極化濾波器之相機透鏡來進行。因此，可使未具備矽酮的轉換器小板不會施加在半導體晶片上。

在另一形式中，各轉換器小板分別藉由真空過程而由共用的載體拆離，以便隨後可安裝在半導體晶片上。因此，轉換器小板可達成一種無針之容納技術，其特別是與形成為可撓性矽酮層的轉換器小板有關。因此，可防止：由於傳統上使用之針所造成的可能之損傷。

為了使轉換器小板由共用的載體剝離，須使用一種黏合層，其配置在該共用的載體和轉換器小板之間，此時為了將轉換器小板剝離，須藉由加熱過程使該黏合層之黏合性下降或消失。使用一種所謂熱印模來加熱。該熱印模被導引至該共用的載體下方，使該黏合層膨脹及使其黏性消失。然後，藉由真空過程使轉換器小板無問題地由共用的載體剝離。

在另一形式中，在將轉換器小板安裝在半導體晶片上之前，查出晶圓複合物中半導體晶片之位置和方位。所查出的位置被納入至所謂基板卡中。位置的查出例如是依據複合物中的標記(例如，位於該複合物之角隅點上)來進行。就半導體晶片之方位而言特別是指：每一半導體晶片中在哪一位置形成一種上(upper)接觸面。此種接觸面因此通常各別地配置在半導體晶片之一角隅區中。亦查出此種資料且予以註明。

複合物中一位置若未具有半導體晶片，則將該位置納入至基板卡中，使不會有其它過程在該位置上進行。

在另一形式中，在將轉換器小板安裝在半導體晶片上之前，查出共用的載體上各轉換器小板之位置和方位。此種查出例如是藉由標記來達成或由於半導體晶片之角隅接觸面之預設的區域中轉換器小板之凹口而達成。

在另一形式中，在將轉換器小板安裝在半導體晶片上時，各別的轉換器小板之方位須依據半導體晶片之各別的方位來調整。特別是各轉換器小板須分別配置在半導體晶片上，使轉換器小板之空出區配置在半導體晶片之角隅接觸區上。

轉換器小板之方位的查出例如藉由一種所謂上查(up-looking)-相機(ULC)來進行，此種上查-相機已為此行的專家所知悉，此處因此不再詳述。在將轉換器小板安裝在半導體晶片上時，特別是須觀察各轉換器小板或半導體晶片之旋轉，使得各轉換器小板以形式相類似的方式施加在半導體晶片上。

在製成各別的組件之後，各組件之發射特性藉由相機透鏡來檢測。若轉換器小板旋轉地或偏移地施加在半導體晶片上，則該些組件可在基板卡中標記成”劣化”，使該些組件隨後可被排除。

然後，晶圓複合物及配置在其上的晶片劃分成各別的組件，這例如藉由切鋸來達成，其中在劃分之後較佳是一組件各別地包含一個半導體晶片及配置在其上的轉換器小板。

在另一形式中，在另一步驟d)中較佳是已劃分的半導體組件各別地配置在一殼體中。依據所期望的用途來選取所期望的殼體形式。然後，在安裝各半導體組件之後可對各殼體進行澆注。

本發明之其它優點和有利的其它形式將描述在以下與圖1至圖3有關的各實施例中。

各圖式中相同或作用相同的各元件分別設有相同的參考符號。所示的各元件及其相互間的大小比例基本上未必依比例繪出。反之，為了清楚及/或易於理解，各圖式的一些元件，例如，層、結構、組件和區域，已予較厚地或大尺寸地顯示出。

圖1中顯示一種包含半導體晶片和轉換器小板的半導體組件之製造方法中一種安裝過程之示意圖。為了製造此種組件，須在一共用的載體2a上製備複數個轉換器小板2，如圖1的左邊部份所示。於此，在該共用的載體2a上週期性地(例如，以矩陣形式)配置各轉換器小板2。各轉換器小板2相互之間具有一種距離，使各轉換器小板2不直接互相鄰接。

又，在晶圓複合物中製備複數個半導體晶片，如圖1之右邊部份所示。半導體晶片1例如配置在一殼體5中，該殼體具有一凹口，該凹口中配置該半導體晶片1。該殼體5之凹口因此例如包含空氣。

半導體晶片適合用來發出主輻射。例如，半導體晶片1發出藍色輻射。各轉換器小板2適合用來將該半導體晶片/各半導體晶片1之主輻射轉換成二次輻射。例如，轉換器小板2適合將藍色輻射轉換成黃色輻射。

藉由自動化方法8，例如拾取/放置方法，使各轉換器小板2各別地由該共用的載體2a剝離且在發射方向中配置在半導體晶片1之後，如圖1之箭頭所示。本實施例中，轉換器小板2直接垂直地配置在半導體晶片1上，使由半導體晶片1所發出的輻射的至少一部份經由轉換器小板2。這樣所製成的組件10因此發出一種包含主輻射和二次輻射的混合輻射，此混合輻射較佳是位於白色的彩色位置範圍中。

或是，上述半導體晶片可在晶圓複合物中形成為複數個無殼體之已劃分的半導體晶片。在此種情況下，各轉換器小板分別直接配置在半導體晶片之後，此時各轉換器小板施加在半導體晶片之輻射發出側上。

上述各步驟將配合圖2A至圖2F和圖3來詳述。

圖2A中顯示該轉換器小板2由該共用的載體2a剝離的過程。該轉換器小板2直接固定在該共用的載體2a上。為了將該轉換器小板2由該載體2a拆離，例如可使用一種真空過程。於此，例如使用一種真空裝置4，例如，一種藉由真空方法來形成的抽吸器。此真空裝置4直接在轉換器小板2上受到導引，特別是直接與轉換器小板2接觸而在與該共用的載體2a相對向的側面上運行。轉換器小板2藉由真空過程而吸附在真空裝置上，使轉換器小板2在黏附作用下可由該共用的載體2a剝離。藉由真空裝置4，轉換器小板2於是可配置在半導體晶片之後，如圖1中藉由箭頭所示者。

因此，須形成該共用的載體2a，使轉換器小板2固定地與該共用的載體2a相連接，此種固定的連接可藉由加熱過程來減弱或解除。這樣所形成的共用的載體2a例如顯示在圖2B和圖2C中。

如圖2B所示，在該共用的載體2a和轉換器小板2之間配置一種黏合層2b。此種黏合層另外亦以概念「熱解除黏合」而為此行的專家所知悉。此黏合層2b具有黏合性，使轉換器小板可固定地與該共用的載體2a相連接。然而，黏合層之此種黏合性可藉由加熱過程來減弱或消除，如圖2C所示。

於此，一加熱裝置2c(例如，熱印模)配置在該共用的載體2a之遠離該轉換器小板2之此側上，使該加熱裝置2c可對該共用的載體2a和該黏合層2b加熱。由於此種加熱過程，則可有利地使該黏合層2b的黏合性減弱，此時該黏合層起泡或膨脹。由於此種起泡所造成的結果是使該黏合層2b之黏合性下降或消失，則該轉換器小板2能無問題地藉由如圖2A所示的真空裝置而由該共用的載體2a取下且隨後繼續加工。由於此種真空時的取下，則可有利地防止損傷的發生，此種損傷例如發生在藉由針來進行的拆離過程中。

圖2D中顯示半導體晶片1的俯視圖，半導體晶片1上施加矽酮層(特別是矽酮點滴3)。矽酮點滴3用來使轉換器小板固定至半導體晶片上。

於此，半導體晶片1之應配置著該轉換器小板的此側上滴上矽酮點滴，其體積是在15奈升(含)至20奈升(含)之間的範圍中。然後，在矽酮點滴3上設定該轉換器小板2，其中矽酮已硬化，以便在半導體晶片1和轉換器小板之間形成一固定的連接。

在上述的製造方法中，在晶圓複合物中製備上述的組件，如圖2E所示。矽酮點滴分別施加在半導體晶片上。在施加矽酮點滴之後，藉由相機透鏡和極化濾波器來檢測晶圓複合物或查明「在每一半導體晶片上是否已施加矽酮點滴」。於此，相機透鏡可在矽酮點滴中確定該基板的反射。當確定無反射時，該半導體晶片被標記在一種所謂基板卡中，使該晶片不繼續作處理。在隨後的步驟中，特別是在已標記的半導體晶片上不施加該轉換器小板。半導體晶片之上述檢測和標記因此是應用在自動化方法中。

半導體晶片之檢測詳細顯示在圖2E中。圖2E特別是顯示一種具有無殼體之光電半導體晶片1的晶圓複合物10a之俯視圖。於此，在晶圓10a上以磊晶方式生長該半導體晶片1之各層。半導體晶片1之各層因此具有一活性層。此活性層例如具有一產生輻射之pn-接面或一產生輻射之單一-或多重量子井結構。半導體晶片1以矩陣形式配置在晶圓10a上。於此，各半導體晶片1互相鄰接地配置著。晶圓複合物10a因此具有一種晶片網目，其包括複數個半導體晶片1。在各半導體晶片上分別施加接觸面，各接觸面用來與半導體晶片達成電性接觸。

就像圖2B所示，為了測得「在每一半導體晶片1上是否已施加矽酮點滴」，則須藉由標記來查出晶圓複合物中半導體晶片1之位置和方位。請參閱圖2E，各標記A1、A2位於晶圓複合物10a之角隅點上。由標記A1、A2，可查出被納入至基板卡中的半導體晶片1之準確的位置和方位。例如，若在晶圓複合物10a之一位置上已確定：該位置不具有晶片，則依據標記A1、A2而得的該位置被納入至基板卡中。由於此種納入，則在該位置上不進行下一步的處理。

又，查出晶圓複合物中半導體晶片1的方位。此種查出是與圖2F相結合來說明。圖2F中顯示該複合物中該半導體晶片1的俯視圖。在半導體晶片1的表面上顯示一接觸面1a和電流分佈終端1c。各半導體晶片1分別藉由相機透鏡來掃描，其中該接觸面1a被查出而作為標記A5。又，藉由標記A3、A4來查出各側面。藉由這些標記且藉由這些接觸面，則可查出晶圓複合物中半導體晶片1之各別的方位且保持在一種所謂模組卡中。特別是需要半導體晶片之方位，以便在隨後的步驟中使轉換器小板最佳地配置在半導體晶片1上。

藉由半導體晶片之表面上的上述接觸面1a和電流分佈終端1c，則半導體晶片在製成之後例如可藉由接合線而達成電性接觸。或是，亦可不使用接合線來達成接觸，例如可使用一種平面式接觸技術。此種接觸技術已為此行的專家所知悉，此處因此不再詳述。

又，半導體晶片之表面上的上述接觸面1a和電流分佈終端1c未必需要。特別是接觸技術已為此行的專家所知悉，其中位於上側的接觸面是不需要者，就像覆晶(Flip-Chip)-接觸技術一樣，其在此處同樣亦不詳述。

於此，查出該共用的載體上各轉換器小板之位置和方位。此種查出是藉由相機透鏡來進行，其中各轉換器小板之方位和位置同樣保持在一種所謂轉換器卡中。各轉換器小板具有一角隅空出區，其中配置著半導體晶片之接觸面。此空出區在稍後的步驟中因此直接配置在半導體晶片之接觸面上。

圖2G中顯示一已製成的組件10之俯視圖。該組件10具有一載體9，其上配置著半導體晶片1。載體9具有第一導電軌1a和第二導電軌1b，其配置在載體9之配置著該晶片之此側上。半導體晶片1特別是與載體9之導電軌1a上之電性連接面直接電性地且機械地相連接。半導體晶片1是以接觸面藉由接合線7而與載體9之第二導電軌1b可導電地相連接。載體之各導電軌1a、1b特別是藉由距離而配置成電性互相絕緣。

在半導體晶片1之遠離該載體9之此側上配置該轉換器小板。該轉換器小板須進行對準，使該轉換器小板2之空出區位於半導體晶片1之接觸面之區域中。又，該轉換器小板2須進行對準，使對該半導體晶片2(應為1)不存在旋轉現象，此時該轉換器小板2配置在半導體晶片1的中央。

這樣所製成的組件在製造過程之後藉由相機透鏡來檢測。因此，若該轉換器小板2對該半導體晶片1之方位不是最佳，則該半導體晶片在基板卡中標記成劣化。

組件10如圖2G所示位於晶圓複合物中，其中在製造過程之後該晶圓複合物例如藉由切鋸過程而劃分成各別的組件。

圖3中顯示本發明之用於製造複數個發出輻射之半導體組件之方法的一實施例。依據本方法，可製成複數個半導體組件，其具有預定的共同彩色位置且位於共同之彩色位置範圍內，較佳是在白色之彩色位置範圍中。半導體組件之輻射或彩色可具有共同之彩色位置或彩色位置範圍，此種半導體組件此處稱為半導體組件組(group)。

在步驟V1b中使用複數個各別製成的轉換器小板。這些小板特別是配置在一共用的載體上。

在步驟V2b中測量每一小板之輻射轉換度。例如，各小板可各別地藉由一測量裝置來測量，具有習知的波長分佈的半導體晶片配置在小板中。

圖V3b中，全部之轉換器小板依據已測得的轉換度而分類成小板組，使一小板組中全部之小板都具有特定的共同之轉換度或都位於一特定的共同之轉換度範圍內。

於此，在已製成之半導體組件中若期望很準確的彩色位置，則各小板較佳是分類成小板組，其特徵分別是很狹窄之轉換度範圍。已製成的半導體組件中當彩色位置調整下可允許的容許度(tolerance)較高時，則轉換度範圍可選擇成較寬。

在步驟V1a至V3a中，類似方式亦適合用來將半導體晶片分類成半導體晶片組。步驟V1a中，在晶圓複合物中製備複數個半導體晶片，其主輻射之發射波長在步驟V2a中被確定。依據主輻射之已確定的發射波長，將半導體晶片劃分成多個組，其中各組之劃分被標記在模組卡中。

在隨後的步驟V4中，各轉換器小板組分別配屬於一半導體晶片組，以便由轉換器小板和半導體晶片之每一組合中產生輻射，其位於預定的彩色位置範圍內，較佳是位於一共同之彩色位置範圍內，特別佳時是位於白色之彩色位置範圍內。由於此種分類，則可達成組件之製造方法，其中最終產品之輻射之彩色位置分散性可較佳地受到控制。

圖V5中，由已找出之小板組所構成的轉換器小板分別藉由自動化方法(較佳是拾取/放置方法)而安裝在由已找出之半導體晶片組所構成的半導體晶片上。此種安裝例如藉由矽酮點滴來進行，如圖2D所示。將轉換器小板由共用之載體剝離，這例如是藉由如圖2A至圖2C所示的方法來進行。半導體晶片之方位及半導體晶片之分類例如是藉由圖2E和圖2F之標記過程來進行。

在將小板組之小板安裝在所屬之半導體晶片組之半導體晶片上之後，產生複數個半導體組件，其所具有的全部輻射都位於共同的彩色位置範圍內。小板/半導體晶片組所組合之多個半導體組件分別屬於半導體組件組G1、G2或G3。

對半導體組件之彩色分散性的可允許的容許度若較大，則對小板之轉換度及/或半導體晶片之主輻射的測量及分類可省略。在此種情況下，已製備的小板藉由自動化方法而以隨機方式安裝在已製備的半導體晶片上。

本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍-或不同實施例之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。

本專利申請案主張德國專利申請案10 2010 056 571.7和10 2011 013 369.0之優先權，其已揭示的整個內容在此一併作為參考。

10．．．半導體組件

10a．．．晶圓複合物

1．．．半導體晶片

1a、1b．．．電性接觸面

1c．．．電流分佈終端

2．．．轉換器小板

2a．．．共用載體

2b．．．黏合層

2c．．．熱印模

3．．．矽酮層

4．．．真空裝置

5．．．殼體

6．．．澆注

7．．．接合線

8．．．拾取/放置裝置

9．．．載體

10．．．組件

A1、A2．．．複合物中的標記

A3、A4、A5．．．晶片上的標記

V1a-V5．．．製造時的步驟

G1、G2、G3．．．組件組

圖1係本發明製造方法中的一種安裝過程之實施例示意圖。

圖2A至圖2G係本發明製造方法中半導體晶片或轉換器小板之各別示意圖。

圖3係與本發明製造方法有關之流程圖。