TWI468412B - 融合噻吩及其物品及製造方法 - Google Patents

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Description

融合噻吩及其物品及製造方法
本發明係關於融合噻吩化合物，聚合物，組成份，物品，以及製造及使用融合噻吩產物之方法。
本發明為新穎的技術，並無先前技術。
本發明提供融合噻吩化合物，聚合物，其能夠使用作為例如電子應用，例如發光裝置以及半導體裝置，以及製造及使用融合噻吩產物之方法。
圖1提供由所揭示內容實施例中聚合物10配製出裝置之代表性高壓曲線圖。
這裡將參考附圖詳細描述本發明揭示內容的各種實施範例。參考各種實施範例並不會侷限本項發明的範疇，只是限制於附加在這裡的聲明範疇。此外，這份說明書提出的任何範例並不是要用來限制，而只是為請求本發明提出一些可能的實施範例。
"FTx"是指融合噻吩，這裡的整數x是指融合噻吩融 合成一個核心單元的環單元，例如FT2在一個核心單元中有兩個環單元，FT3在一個核心單元中有三個環單元，FT4在一個核心單元中有四個環單元，FT5在一個核心單元中有五個環單元，以及一個核心單元中類似的更多個環單元。
根據所說明的融合噻吩聚合物，"單元"、"可聚合單元"或類似的詞是指聚合物的一個重複區段(n)內，不同核心單元或其他共軛單元的個數，例如核心融合噻吩單元，和G1單元(注意有兩個G1基團)，和結構1(d)中的G2單元。在聚合物的一個重複區段內，一個重複單元可以有一個或多個類似的核心單元或一個或多個額外的共軛單元。
"碳氫化合物"、"烴基"、"亞烴基"、"烴氧基"等類似的詞是指譬如-R單價，或二價-R-部分體(moiety)，例如可包括烷基碳氫化合物，芳香族或芳基碳氫化合物，烷基取代芳基碳氫化合物，烷氧基取代芳基碳氫化合物，雜烷基碳氫化合物，雜芳香族或雜芳基碳氫化合物，烷基取代雜芳基碳氫化合物，烷氧基取代雜芳基碳氫化合物，和如同這裡說明類似的碳氫化合物部分體。
"烷基"包括線性烷基，分支烷基，和環烷基。"取代烷基"或"選擇的取代烷基"是指烷基取代基，例如可包括線性烷基，分支烷基，和環烷基，具有1到4個選擇的取代基，例如選自氫氧基(-OH)，鹵素，胺基(-NH2或-NR2)，硝基(-NO2)，醯基(-C(=O)R)，烷磺醯基(-S(=O)2R)，烷氧基(-OR)，和類似的取代基，這裡的R是烴基，烷基，Het，或其他類似的部分體，譬如單價的烷基或二價的亞烷基，有1到約10個 碳原子。例如，氫氧基取代烷基可以是2-氫氧基取代分子式-CH2-CH(OH)-CH2-的丙烯，烷氧基取代烷基可以是2-甲氧基取代分子式-CH2-CH2-O-CH3的乙基，胺基取代烷基可以是1-二烷胺基取代分子式-CH(NR2)-CH3的乙基，寡-(氧亞烷基)，聚-(氧亞烷基)，或聚-(亞烷基氧化物)取代烷基，可以是部分分子式-(R-O)x-，這裡x可以是1到約50，以及1到約20個，類似的取代氧亞烷基取代基，例如分子式-(CR5-CHR5-O)x-，其中R5是氫或取代或未取代(C1-8)烴基，譬如烷基，x是1到約50的整數。
"芳基"包括單-或二價-的苯基自由基或正融合二環環碳自由基，有大約9到20個環原子，至少一個環是芳香族。芳基(Ar)可包括取代芳基，像是有1到5個取代基的苯基自由基，例如烷基，烷氧基，鹵素等類似的取代基。
"Het"包括四-(4)，五-(5)，六-(6)，或七-(7)個組成飽和或不飽和的雜環，具有1、2、3或4個雜原子，選自氧，硫，亞磺醯基，磺醯基，硒，碲和氮所構成的基，這些環可以選擇性融合成一個苯環。Het也包括"雜芳基"，包括一個經由一個單芳香族環的碳環附加自由基，包含5或6個由碳和1、2、3或4個雜原子構成的原子環，每個都選自非過氧化物氧基，硫，和N(X)組成的基，其中X是空的或是H，O，(C1-4)烷基，苯基，苯甲基，和正融合二環雜環的自由基，大約8到10個環原子，尤其是源自苯衍生物或藉由融合丙烯，三亞甲基，四亞甲基，或四亞甲基雙自由基到此的衍生物。
在實施例中，鹵素或鹵化物包括氟基，氯基，溴基， 或碘基。烷基，烷氧基等包括直的和分支的基；但提到一個譬如"丙基"的自由基是只包含直鏈的自由基，但也特別提及分支鏈的異構物，譬如"異丙基"。
各種含碳氫化合物(即烴基)部分體的碳原子含量可藉著指出部分體內碳原子的最低和最高個數來表示，例如Ci-j即表示有包括整數i到整數j個碳原子。因而例如(C1-C8)烷基或C1-8烷基是指包括1到8個碳原子，而譬如(C1-C8)烷氧基或C1-8烷氧基的烴氧基是指具有包括1到8個碳原子烷基的烷氧基自由基(-OR)。
明確地說，C1-8烷基可包括譬如甲基，乙基，丙基，異丙基，丁基，異丁基，次級丁基，三級丁基，戊基，3-戊基，己基，庚基，或辛基；(C3-12)環烷基可以是環丙基，環丁基，環戊基，環己基，環庚基，環辛基，包括二環，三環，或多環取代物和類似的取代物。
例如，特定的，"烴基"可以是(C1-24)烴基，包括所有的中間鏈長度和值。
C1-8烷氧基可以是譬如甲氧基，乙氧基，丙氧基，異丙氧基，丁氧基，異丁氧基，次級丁基，戊氧基，3-戊氧基，己氧基，1-甲基己氧基，庚氧基，辛氧基等類似的替代物。
H-C(=O)(C3-7)烷基-或-(C2-7)烷醯基可以是譬如乙醯基，丙醯基，丁醯基，戊醯基，4-甲基戊醯基，己醯基，或庚醯基。芳基(Ar)可以是譬如苯基，萘基，蒽基，菲基，茀基，或二氫茚基。Het可以是譬如咯啶基，六氫咯啶基，咯啶基環，硫咯啶基環，或異芳基。異芳基可以是譬如夫喃基，咪唑基， 三唑基，噁唑基，異噁唑基，噻唑基，異噻唑基，吡唑基，吡咯基，比井基，四唑基，吡啶基(或其N-氧化物)，噻吩基，嘧啶基(或其N-氧化物)，吲哚基，異喹啉(或其N-氧化物)或喹啉基(或其N-氧化物)。
Het的特定值包括五-(5)，六-(6)，或七-(7)個組成飽和或不飽和的環，包含1、2、3或4個雜原子，例如非過氧化物氧基，硫，亞磺醯基，磺醯基，硒，碲和氮；正融合二環雜環的自由基，大約8到10個環原子，尤其是源自苯衍生物或藉由融合丙烯，三亞甲基，四亞甲基，或另一個單環Het雙自由基到此的衍生物。
這裡說明和顯示的還有其他適合從各種起始材料或中間物所形成和改質的化合物，寡聚物，聚合物，複合物或本項說明的產物。例如，參閱Feiser及Feiser之"Reagents for Organic Synthesis",Vol.1,et seq.,1967；March,J."Advanced Organic Chemistry,"John Wiley & Sons,4th ed.1992；House,H.O.,"Modem Synthetic Reactions,"2nd ed.,W.A.Benjamin,New York,1972；以及Larock,R.C.,"Comprehensive Organic Transfor-mations,"2nd ed.,1999,Wiley-VCH Publishers,New York。這裡描述的配製方法中所使用的起始材料是業界可取得，曾在科學文獻上報導過的，或者可利用這方面已知的處理過程，從現有的起始材料配製的。最好可以在上述或選擇的配製處理過程中全程或部分期間，使用保護的群組。這種保護群組和方法的引用和移除在此項技術中是已知的。參閱Greene,T.W.；Wutz,P.G.M."Protecting Groups In Organic Synthesis,"2nd ed.,1991,New York,John Wiley & Sons,Inc。
"包括"或類似的詞是指包含但不限定，也就是包含在內而不排除的。
"單體"或類似的詞是指化合物可能是(或已經是)和其他有類似或不同結構的單體共價結合的，以形成目的聚合物均質(均聚合物)或非均質(譬如共聚合物，三聚合物和類似的雜聚合物)的鍊。這裡說明和顯示的適合單體可包括較低分子量可聚合的化合物，譬如從約50到約200Dalton(道爾頓，質量單位)，和較高分子量的化合物，譬如從約200到約10,000道爾頓，包括未飽合寡聚物或未飽合聚合物的化合物。
"大約"修改在描述本發明揭示內容實施例中所使用組成內成分的量，濃度，體積，處理溫度，產物，流速，壓力等值及其範圍，是指數值可能發生的改變，例如：經由用在製造化合物，組成，複合物，濃縮物或使用分子式的一般測量和處理處理過程；經由這些處理過程中不注意的錯誤；經由製造上，來源，或執行此方法時使用的起始材料或成分純度的差異；等類似的考量。"大約"一詞也包含由於組成或配方特定開始濃度或混合物不同的量，也由於混合或處理組成或配方特定開始濃度或混合物不同的量。附加於此的申請專利範圍包括這些"大約"量的等同物。
實施例中"基本上的組成"是指化合物，聚合物組成，製造或使用化合物，聚合物，配方或組成的方法，和本項說明的物品，裝置，或任何設備，可包括聲明中所列的成分或步驟，加上其他不會物質影響組成，物品，設備或製造 和使用本發明揭示內容方法基本性質的成分或步驟，譬如特定的反應劑，特定的添加劑或成份，特定的劑，特定的表面改質劑或調節劑，或類似的結構，材料，或選擇的處理變數。可能物質影響本發明揭示內容成分或步驟基本性質的項目，或可能賦予本發明揭示內容令人討厭特性的項目包括譬如早熟的聚合物鏈中斷，過度的交聯，讓產生的聚合物延伸或不必要的暴露到過度的高溫，以及類似的不利步驟。
這裡使用的不定冠詞"a"或"an"，及其對應的定冠詞"the"意味著至少一個，或一個或多個，除非是特別標示。
也可使用熟悉此項技術的人已知的縮寫(譬如"h"或"hr"是指小時，"g"或"gm"是指公克，"mL"是指毫升，"rt"是指室溫，"nm"是指奈米，以及類似的縮寫。
這裡說明組成，成份，添加劑，起始劑，金屬催化劑，交聯劑的特定和最佳值，以及其範圍，只是用來作說明；並不會排除其他的定義值或其他定義範圍內的值。本發明揭示內容的組成和方法包括那些具有任何值，或是這裡說明的值，特定值，更特定值，和最佳值的任何組合。
在多個實施例中，本發明揭示內容提供FT化合物，FT聚合物組成，含FT物品，以及製造和使用FT化合物和FT聚合物的方法。
在多個實施例中，本發明揭示內容提供FT化合物，以及製造這裡定義的FT化合物的方法。
在多個實施例中，本項說明提供FT聚合物組成，以及藉著這裡定義的任何處理過程配製的FT物品。
在多個實施例中，本發明揭示內容提供藉著這裡定義的一個或多個處理過程配製的聚合物物品。
在多個實施例中，可使用這裡說明的組成，物品和方法，配製很多不同的電光裝置，譬如OLEDs、OFETs、OTFTs，以及類似於所揭示裝置，例如在J.Am.Chem.Soc.,2008,130,13202-13203。
在多個實施例中，本發明提供下列分子式之化合物：
其中每個R是獨立的碳-碳鍵或碳-硫鍵，譬如當n是2到4時，或取代或未取代(C1-24)烴基，包括加強可溶性的取代物，譬如氧或硫取代-R的取代物，譬如-OR，-SR，聚醚，聚硫醚等類似的基；n是從2到4的整數；以及每個-G1是獨 立的碳-碳鍵或碳-硫鍵，譬如當n是從2到4；分子式為-{Ar(R1)q}p-Ar(R1)q單價，取代或未取代的芳基，分子式為-{Het(R1)q}p-Het(R1)q單價，取代或未取代的雜芳基，或一個或多個組合的單價，取代或未取代分子式芳基以及雜芳基取代物，其分子式為-{Ar(R1)q}p-Het(R1)q或-{Het(R1)q}p-Ar(R1)q，例如-Het-Ar，-Ar-Het，-Het(R1)q-Ar，-Ar-Het(R1)q，-Het(R1)q-Ar(R1)q，以及類似化合物，p是0到4，q是0到4，以及每個-R1是獨立的-H，-F，或單價，取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，或其組合，或其鹽類。
-{Ar(R1)q}p-Ar(R1)q之範例包含例如-Ar(R1)其中p為0以及q為1，例如-Ar，或-Ar(R1)，-Ar(R1)-Ar(R1)-，其中p為1以及q為1以及R1為烷基，或-Ar-Ar-Ar，其中p為2以及q為0以及R1為-H以及類似的置換。-{Het(R1)}p-Het(R1)之範例包含例如-Het，-Het-Het，-(Het)2-Het，-Het(R1)，-Het(R1)-Het，-Het-Het(R1)，-Het(R1)-Het-(R1)，以及類似置換，苯基，甲苯甲醯基，萘基，二苯基，二噻吩，和類似的部分體。(C1-24)烴基的範例包括取代或未取代，飽和或未飽和的烴基，譬如炔基，烯基，亞烷基，或其組合。
-G1組合能夠包含例如-Ar-Het，-Het-Ar，-Ar(R1)-Het(R1)，-Het(R1)-Ar(R1)；以及-{Ar(R1)q}p-Het(R1)q，或-{Het(R1)q}p-Ar(R1)q類似置換，以及其鹽類。
單價-G1部分體之特定範例能夠為例如至少一個替代物由下列選取出： 或其組合，每個R2是獨立的H，或單價，取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，或-Ar，-F，或其組合，R3是H，或單價，取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，以及s是0到5的整數。
R2的範例可以是任何的-(C1-24)烴基，-(C1-10)烷氧基，-{(C1-10)烷氧基}t-H，-氧亞烷基，-(氧烴基)tH，-Ar，和類似的取代物，t是從1到10。
在實施例中，本發明揭示內容提供化合分子式為：
包含其鹽類，其組合物，或其混合物。
例如，特定名稱的化合物可包括例如4,11-雙(噻吩-2-基)-5,12-雙三癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；4,11-雙(噻吩-2-基)-5,2-二庚癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；6,14-雙(噻吩-2-基)-5,15-雙三癸基-3,7,10,13,17-戊噻戊環[9.6.0.02,9.04,8.012,16]庚癸-1(11),2(9),4(8),5,12(16),14-已烯；4,11-二苯基-5,12-雙三癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；6,14-二苯基-5,15-雙三癸基-3,7,10,13,17-戊噻戊環[9.6.0.02,9.04,8.012,16]庚癸-1(11),2(9),4(8),5,12(16),14-已烯；4,11-雙(4-三氟甲苯基)-5,12-二庚癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；4,11-二苯基-5,12-二庚癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸 -1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；以及其鹽類，或其混合物。
在多個實施例中，-G1可以是任何單價的部分體，例如為
和其異構物的排列，其中取代物中的星號＊表示是附加到融合噻吩核心的單價附著點。
在實施例中，本發明揭示內容提供製造融合噻吩化 合物的方法，其分子式如下所示：
如同這裡定義的，包括：接觸融合噻吩化合物的分子式：
利用鹵化劑以形成分子式X-C-X的α-,α’-,二鹵化物的產物，其中X是鹵素，而C是接觸的核心化合物；以及至少兩莫耳比例等量的分子式M-G1耦合化合物和金屬催化劑接觸X-C-X產物以形成分子式G1-C-G1的α-,α’-,二取 代產物。
更明確地說，製造方法可以有分子式M-G1的耦合化合物，例如可包括M，其具有-SnR4 3，-B(OH)2，-B(OR4)2，-B(環-OR4O-)，或-MgX，或其組合，其中X是鹵素，每個R4是獨立的單價，取代或未取代(C1-24)烴基，以及-G1是單價的部分體，可選自例如 或其混合物，每個R2是獨立的H，或單價，取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，-Ar，-F，和這裡定義的類似取代物或其組合，R3是H，或單價，取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，以及s是從0到5的整數。
鹵化劑可以是譬如NBS，Br2的溴化劑，譬如NCS，Cl2的氯化劑，譬如NIS，I2的碘化劑，等類似的試劑，或其組合。
金屬催化劑可以是譬如Pd(PPh3)4，或是譬如以Pt，Ni，或類似金屬為主等類似的試劑。
在實施例中，本發明揭示內容提供聚合物的分子式：
其中每個R是獨立的碳-碳鍵，碳-硫鍵，或取代或未取代的(C1-24)烴基；n是2到4的整數；m是2到10,000的整數，包括中間值和範圍；每個G1是獨立的
碳-碳鍵，碳-硫鍵，二價的取代或未取代芳基分子式-{Ar(R1)q}p-Ar(R1)q-，或二價的取代或未取代雜芳基分子式-{Het(R1)q}p-Het(R1)q-，每個-R1是獨立的-H，-F，或單價的取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，或其組合，或和其鹽類，每個G2是獨立的
二價的取代或未取代芳基分子式-{Ar(R1)q}p-Ar(R1)q-，二價的取代或未取代雜芳基分子式-{Het(R1)q}p-Het(R1)q-，或二價的取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，譬如乙烯基或乙炔基，每個p是獨立的0到4，每個q是獨立的0到4，以及每個-R1是獨立的-H，-F，或單 價的取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，或其組合，和其鹽類。
在實施例中，所說明聚合物的分子量大約是300到約25,000或以上。
在實施例中，本發明揭示內容提供製造聚合物分子式的方法：
如這裡定義的G，包括：接觸核心化合物(C)，其分子式：
以鹵化劑形成分子式X-G1-C-G1-X的α-,α’-,二鹵化物的產物，其中C是接觸的核心化合物，X是鹵素；以及以1莫耳比例等量比例分子式M-G2-M的耦合化合物和一種金屬催化劑接觸X-G1-C-G1-X產物以形成聚合物。
在形成聚合物的配製方法中，M-G2-M可以譬如是利用Stille耦合條件分子式R4 3Sn-G2-SnR4 3的耦合化合物；利用Suzuki耦合條件的(HO)2B-G2-B(OH)2，(R4O)2B-G2-B(OR4)2，(環-OR4O-)B-G2-B(環-OR4O-)或其他金屬耦合化合物；利用Grignard耦合條件和其他類似條件或其組合的XMg-G2-MgX，其中R4可以是單獨是單價或二價的(C1-8)烴基，譬如烷基，亞烷基，炔烴，包括分支和環烴基，譬如環(C3-8)烴基，或二價的(C1-8)烴基，包括環乙二醇醚，譬如-B(環-OR4O-)，以及類似的取代物，其中X是鹵素，以及-G2-可以是譬如分子式I的二價部分體，例如為 或其組合，每個R2是獨立的H，或單價，取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，-Ar，-F，和這裡定義的類似取代物或其組合，R3是H，或單價，取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，s是從0到5的整數，金屬催化劑是譬如Pd(PPh3)4。
在實施例中，本發明揭示內容提供製造聚合物的方法，包括：接觸核心化合物的分子式：
以鹵化劑形成分子式X-C-X的α-,α’-,二鹵化物產物，其中C是接觸的核心化合物，X是鹵素；以及以大約1莫耳比例等量比例，譬如約0.8到約1.2的莫耳等量比例，約 0.9到約1.1的莫耳等量比例，最好是約1.0的莫耳等量比例，也就是1：1莫耳或莫耳等量比例的分子式M-G1-G2-G1-M耦合化合物和一種金屬催化劑接觸X-C-X產物，以形成下列分子式的個別聚合物產物：
其中R是獨立的單價，取代或未取代(C1-24)烴基，n是2到4的整數，以及m是2到10,000的整數。
在實施例中，耦合化合物M-G1-G2-G1-M包括：M，其具有至少一個-SnR4 3，-B(OH)2，-B(OR4)2，-B(環-OR4O-)，或-MgX，或其組合，每個耦合化合物R4可以是獨立的單價，取代或未取代(C1-24)烴基，以及每個G1和G2是獨立的二價部分體，譬如選自於 或其組合，每個R2是獨立的H，或單價，取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，-Ar，-F，和這裡定義的類似取代物或其組合，R3是H，或單價，取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，s是從0到5的整數，金屬催化劑是譬如Pd(PPh3)4。
在實施例中，二鹵化的化合物可以譬如是分子式X-G1-C-G1-X，其中C是下列分子式的二價融合噻吩核心，
每個-G1-是獨立的：二價的取代或未取代芳基分子式-{Ar(R1)q}p-Ar(R1)q-，或二價的取代或未取代雜芳基分子式 -{Het(R1)q}p-Het(R1)q-，每個-R1是獨立的-H，-F，或單價的取代或未取代，飽和或未飽和(C1-24)烴基，或其組合，或其鹽類，每個p是獨立的0到4，每個q是獨立的0到4，以及每個X是獨立的鹵素，或其鹽類，或其混合物。
特定的二鹵化的化合物分子式M-G1-G2-G1-M可以譬如是分子式(7)和(9)：
具有對應的化學名稱：4,11-雙(5-溴噻吩-2-基)-5,12-雙三癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯 (7)6,14-雙(5溴噻吩-2-基)-5,15-雙三癸基-3,7,10,13,17-戊噻戊環[9.6.0.02,9.04,8.012,16]庚癸-1(11),2(9),4(8),5,12(16),14-已烯 (9)。
He,M.等人之前報告過數種合成方法製造從FT2到FT7的β-,β’-烷基取代融合噻吩(參閱He,M.之國際專利申請案PCT/US08/02033,PCT公告號WO08/106019，美國第 US-2007-0161776 A1號專利申請案，相關之申請案PCT/US2005/032759，發明名稱為"Fused Thiophenes,Methods for Making Fused Thiophenes,and Uses Thereof"；He,M.等人之J.Org.Chem.(2007),72(2),442-451,Synthesis and Structure of Alkyl-Substituted Fused Thiophenes Containing up to Seven Rings；以及共同申請人之PCT國際申請案PCT/US05/32759,PCT公告案號WO06/031893，其發明名稱為"Preparation of Fused Thiophenes")。
其他地方曾報告過相關的α-,α’-,β-,β’-未取代融合噻吩(參閱Fong,H.等人之J.Am.Chem.Soc.,(2008),130(40),13202-13203,Tetrathienoacene Copolymers As High Mobility,Soluble Organic Semiconductors；Zhang,X.等人之J.Am.Chem.Soc.(2005),127(30),10502-10503,Synthesis and Structure of Fused-Oligothiophenes with up to Seven Rings；Okamoto,T.等人之Chemistry-A European Journal(2007),13(2),548-556,General Synthesis of Extended Fused Oligo-Thiophenes Consisting of an Even Number of Thiophene Rings)。
在實施例中，本發明揭示內容提供α-,α’-取代,β-β’-烷基取代融合噻吩化合物(譬如FT4、FT5、FT6、FT7、FT8和FT9)，以及製造此化合物的方法。數種β-β’-烷基取代融合噻吩化合物，譬如那些具有α-,α’-共軛功能基取代物的化合物，可使用在電子裝置內作為有機半導體。
在實施例中，本發明揭示內容也提供融合噻吩核心化合物，和對應的聚合物，具有一個或多個包括或附加到核心的額外單元。在實施例中，額外的附加單元可參與聚合和鏈延伸。產生的產物可以是具有重複區段(n)的聚合物，包括譬如有4個或多個融合噻吩環的至少一個核心單元(C)，至少一個G1單元，和至少一個G2單元。在實施例中，本發明揭示內容提供配製聚合物和阻斷共聚物的方法，共聚物具有包含約4到10個融合噻吩單元的鏈區段。在實施例中，本發明揭示內容提供利用Stille或Suzuki耦合反應，配製包含聚合物和阻斷共聚物的融合噻吩的方法。
在實施例中，本發明揭示內容提供的β-β’-烷基取代融合噻吩，和先前報告的α-,α’-,β-β’-未取代融合噻吩比起來，在共同的有機溶劑中具有改善的溶解度。絕佳的溶解度性質使這些材料和其共軛的聚合物產物，很適合用在處理有機電子元件的溶液，尤其是用在印刷應用上(參閱美國臨時專利申請案61/072468，申請人為本公司，申請日期為2006年3月31日，發明名稱為"Fused Thiophenes and Methods for Making and Using Same"；Fong,H.等人之Tetrathienoacene Copolymers As High Mobility,Soluble Organic Semiconductors,J.Am.Chem.Soc.,(2008),130(40),13202-13203)。所揭示的噻吩和會快速在溶液中和空氣中分解的五苯比起來也顯示絕佳的熱穩定性和空氣穩定性。曾經有報告說噻吩，苯基，或其他共軛的功能機取代蒽，四苯，五苯都顯示優良的電子性質。(參閱Anthony,J. E.,Chemical Reviews(2006),106(12),5028-5048,Functionalized Acenes and Heteroacenes for Organic Electronics；Anthony,J.E.,Angewandte Chemie,Int.Ed,.(2008),47(3),452-483,The Larger Acenes：Versatile Organic Semiconductors；Hong M.,等人之J.Am.Chem.Soc.,(2006),128(29),9304-9305,2,6-Bis[2-(4-pentylphenyl)vinyl]anthracene：A Stable and High Charge Mobility Organic Semiconductor with Densely Packed Crystal Structure；Klauk,H.等人之Advanced Materials,(2007),19(22),3882-3887,Organic Transistors Based on Di(phenylvinyl)anthracene：Performance and Stability；Hong M.等人之J.Am.Chem.Soc.,(2005),127(8),2406-2407,High-Performance,Stable Organic Thin-Film Field-Effect Transistors Based on Bis-5’-alkylthiophen-2’-yl-2,6-anthracene Semiconductors)。例如，5,6,11,12-四苯基四苯就比四苯和五苯顯示較高的移動性(Anthony,J.E.,Angewandte Chemie,Int.Ed,.(2008)，如上所述)。然而，這些共軛小型分子的合成並不簡單。加入這些共軛替代物到已具備某種電子活動程度的結構通常會造成進一步提升的電子活動性。
數種α-,α’-取代FT3的範例已被報導過有可能用在有機發光電晶體(OLETs)的應用上(參閱例如Cicoira,F.等人之Advanced Materials,(2006),18(2),169-174,Organic Light-Emitting Transistors Based on Solution-Cast and Vacuum-Sublimed Films of a Rigid Core Thiophene Oligomer；Sun,Y.等人之Advanced Functional Materials(2006),16(3),426-432,High-Performance and Stable Organic Thin-Film Transistors Based on Fused Thiophenes),Monochromatic OLED Pixel Arrays(Viola,I.等人之Advanced Materials,(2007),19(12),1597-1602,Bicolor Pixels from a Single Active Molecular Material by Surface-Tension-Driven Deposition)，以及OTFTs(參閱例如Holmes,A.B.等人授權給Cambridge Display Technology,Ltd.,UK,WO 9912989 A1,Fused Thiophenes for Electronic Devices；Farrand,L.等人之EP 1275651 A2,Preparation of Thienothiophene Analogs for use as Semiconductors or Charge Transport Materials；Sun,Y.等人之Applied Physics Letters,(2006),88(24),242113/1-3,Organic Thin-Film Transistors with High Mobilities and Low Operating Voltages Based on 5,5’-Bis-biphenyl-dithieno[3,2-b：2’,3’-d]thiophene Semiconductor and Polymer Gate Dielectric；Melucci,M.等人之Chemistry--A European Journal,(2007),13(36),10046-10054,Liquid-Crystalline Rigid-Core Semiconductor Oligothiophenes：Influence of Molecular Structure on Phase Behaviour and Thin-Film Properties)。令人訝異的是，α-,β-取代FT4、FT5或FT6的化合物就沒有被報導過。這可能是因為α-,β-取代FT4、FT5或FT6化合物不良的溶解性，不容易進行進一步的結構改質。
在實施例中，本發明揭示內容提供製造各種α-,α’- 取代,β-,β’-烷基取代FT4到FT7化合物的方法，包括α-,α’-共軛的功能機取代,β-,β’-烷基取代FT4到FT7化合物。新的化合物可以應用在有機電子和類似的應用上。在實施例中，此方法包括使用Stille耦合或Suzuki耦合來配製3個單體單位，或較高單位的聚合物，包含α-,α’-鏈結,β-,β’-取代融合噻吩部分體核心，範圍從FT4到FT7。
在實施例中，本發明揭示內容的化合物提供的優點包括譬如：很簡單或容易合成操作或系統化改變聚合物內一個或多個單元或單位以產生具有高規律或重複結構的新聚合物結構；本發明揭示內容的聚合物配製方法提供額外的彈性或功能，以標明聚合物結構的區域規則性；可利用本發明揭示內容的方法更有效率地製造已知的聚合物(參閱例如申請人為本公司之相關申請案USSN 61/072 468)，譬如以較少的步驟和較少的試劑。
根據其他已知和相關的化合物和聚合物，我們希望本項說明的化合物和聚合物具有絕佳的有機半導體特性，譬如增加的熱穩定性和氧穩定性，以及由於增加的溶解性和譬如較少步驟所增加的合成效能，以增加的製造方便性。
可使用建置的合成方法來配製本發明揭示內容的化合物，例如Stille耦合，Suzuki耦合，或Grignard耦合。利用Suzuki耦合來合成3個單位(融合噻吩單位)，或更高單位的聚合物，包含α-,α’-耦合,β-,β’-取代融合噻吩，之前沒有被報導過的方式。也可使用本發明揭示內容的配製方法來配製已知的融合噻吩聚合物(參閱例如Pan,H.等人之J.Am. Chem.Soc.,(2007),129(14),4112-4113,Low-Temperature,Solution-Processed,High-Mobility Polymer Semiconductors for Thin-Film Transistors),譬如使用FeCl3氧化方式。
通常，本發明揭示內容提供改善配製包含超過一個單元或單位(共軛單位)的半導體聚合物的方法。雖然本發明揭示內容的一些化合物先前是以共聚合方式來配製，譬如之前提及G1-C-G1為主的共聚合物，但本發明揭示內容的方法提供更集中的方式，使用減少個數的共單體來配製化合物，譬如多個單位包括在一個單元或可聚合的單位內。這提供更結構化均勻的聚合物，可在電子裝置中提供更好的結構組織，和改善的電子特性。
在實施例中，本發明揭示內容因為可在任何單體或3個單位聚合物上達到側鏈的改質，可提供單體和3個單位(或更高單位)聚合物改善的溶解性，包含α-,α’-耦合,β-,β’-取代融合噻吩。
在實施例中，本發明揭示內容提供製造α-,α’-耦合,β-,β’-取代融合噻吩的方法，包括α-,α’-芳香族環取代,β-,β’-烷基取代FT4到FT7化合物。以下顯示的一般性結構1(α-d)中準備的α-,α’-取代,β-,β’-烷基取代FT4和FT5化合物，可應用到FT6、FT7和FT8化合物，以及類似的化合物。
過程1(a)α-,α’-取代,β-,β’-烷基取代FT4之合成
其中M-G1能夠為例如
過程1(b)α-,α’-取代,β-,β’-烷基取代FT5之合成
過程1(c)由α-,α’-芳香環取代,β-,β’-烷基取代融合噻吩FT4及FT5三單元聚合物之合成
其中M-G2-M如在此所定義。
過程1(d)三單元聚合物之其他範例性合成
其中M-G1-G2-G1-M如在此所定義。
附圖的過程2(a)和2(b)分別顯示噻吩取代FT4(3)和FT5(6)化合物的合成。配製處理過程是以在α-,α’-未取代,β-,β’-烷基取代融合噻吩的α-,α’-位置開始二溴化反應。例如這可藉著N-溴丁二醯亞胺(NBS)，或其他類似的溴化劑達成。接著產生的二溴-FT衍生物可以和適當的錫試劑反應，譬如2-三丁基錫噻吩，和一種催化劑。也可以使用過程1(a)中所示的各種試劑。雖然在這些材料的合成中顯示出是根據Stille耦合的錫試劑，但也可使用其他已知的方法來形成C-C鏈結，譬如過程2(c)所示的Suzuki耦合和Grignard耦合，以取得化合物。
過程2(a)α-,α’-噻吩取代,β-,β’-烷基取代FT4使用Stille耦合之合成
過程2(b)α-,α’-噻吩取代,β-,β’-烷基取代FT5使用Stille耦合之合成
過程2(c)α-,α’-p-三氟甲苯基取代,β-,β’-烷基取代FT5使用Suzuki耦合之合成
過程2(d)所示是配製根據新化合物3和6聚合物方法的特定範例。例如，第一個步驟可能是以NBS或類似的試劑，及其組合，溴化化合物3和6。接著以金屬催化劑讓溴化的化合物7和9和二錫芳基或類似的衍生物反應，例如所示的1,4-雙-三甲基錫苯，形成聚合物8和10。一般而言，可選擇任何芳基二錫，乙烯基二錫，或炔屬二錫化合物，使用在反應中，以製造對應的聚合物。雖然特地顯示根據Stille耦合聚合作用的錫，但也可使用其他已知的金屬催化劑處理，譬如過程2(c)所示的Suzuki耦合和Grignard耦合，經由C-C鏈結形成，進行芳基，乙烯基和炔屬單位的共聚合，以形成各種聚合物的結構。特定聚合所選擇的耦合化學作用，可由所要聚合的單體型態來決定或指定。
過程2(d)含有α-,α’-噻吩取代,β-,β’-烷基取代FT4及FT5之三單元聚合物的合成
本發明揭示內容的單體化合物，以及各種聚合化學作用可一起提供很大的結構彈性，使用很多種多單位的聚合物，譬如過程1(c)和1(d)所示。過程1(c)所示的聚合物是由兩個單體製成的共聚合物所組成。然而，這些聚合物被認為是具有3單位的聚合物，增加單位G1和G2到開始的FT核心，其中G1和G2可以是芳基，乙烯基，炔屬，或類似的基。如 過程1(d)所示，可藉由不同的路徑，讓形成過程1(c)所示相同聚合物的聚合處理過程是有彈性的。當特定單體單位很難配製或很難取得時，另一種選擇的方式也是很好的。耦合化學作用可以在重複順序中的特定位置，選擇性置放一個單位，和以隨機共聚合反應形成的聚合物比起來，可提供更均勻二維結構的聚合物。雖然不受理論限制，在組裝到電子裝置時，這些材料和更隨機的聚合物結構比起來，可以包紮的更均勻，而且可提升其半導體的性質。我們無意中發現，當化合物具有C2對稱的元素，也就是C2對稱元素或180度旋轉軸是垂直於融合噻吩核心的平面時，本發明揭示內容的某些融合噻吩化合物，以及相關的化合物，具有優良的，即更紮實的晶體包紮性質，而對應的聚合物也具有優良的傳導移動性。在實施例中，具有優良性質融合噻吩化合物的結構包括分子式FTx的融合噻吩，其中x是偶數，而C2對稱是沿著垂直於融合噻吩核心平面的旋轉軸。和x是奇數的融合噻吩環的FTx結構，譬如FT5、FT7、FT9和類似的結構比起來，具有優良傳導移動性的本發明揭示內容化合物和聚合物包括x是偶數的融合噻吩環FTx結構，譬如FT4、FT6、FT8和類似的結構。
如實驗區段所描述的，測量過程2(d)中所示聚合物8的孔傳導移動性。測得的移動性約0.005到約0.01cm2V-1s-1，而得到105的Ion/off比例。
以下的範例是用來更充分描述使用上述說明的方式，最佳的模式是實行本發明揭示內容的各種特性方面。要 瞭解的是，這些範例並不是要限制本發明揭示內容的範疇，而只是要呈現來達到說明的目的。
範例1：α-,α’-噻吩取代,β-,β’-烷基取代融合噻吩FT4(3)之合成
依據J.Amer.Chem.Soc.,2008,130,13202-13203文件說明，合成化合物2(二-C13-FT4二溴)。在有攪拌棒的微波反應測試管中加入0.62公克(1.65mmol的2-亞硫酸基酸三-n丁基錫(即M-G1)，到0.58公克的化合物2(0.75mmol)。這個試管經由氮沖洗數分鐘，密封後置放到手套箱。加入0.250公克(0.216mmol)的Pd(PPh3)4和9mL的甲苯到試管。再密封此試管並放置到微波反應器。在反應器內120℃的溫度下經40分鐘之後，以己烷作為洗滌劑，藉著短徑矽凝膠管柱層析淨化反應混合物。在減少的壓力下，移除己烷溶劑，產生油的產物，加入約100mL的甲醇/乙醇(1：1)(v：v)混合物，產生3的黃色沉澱物。在真空下藉由過濾和烘乾來收集沉澱物(0.49公克，84%產量)。1H NMR(300MHz,CD2Cl2)：δ 7.40(d,J=5.1Hz,2 H),7.22(d,J=3.3Hz,2 H),7.12(br t,J=4.5Hz,2 H),2.93(t,J=7.8Hz,4 H),1.79(p,J=7.5Hz,4 H),1.51-1.17(m,40 H),0.87(t,J=6.6Hz,6 H)；HRMS(MALDI)m/z對[C44H60S6]780.2967計算，發現為780.30193。
α-,α’-噻吩取代,β-,β’-烷基取代融合噻吩FT5(6)之 合成
依據J.Amer.Chem.Soc.,2008,130,13202-13203文件說明，合成化合物5(二-C13-FT5二溴)。在有攪拌棒的微波反應測試管中加入0.93g(2.50mmol)的2-亞硫酸基酸三-n丁基錫，到0.99公克的化合物5(1.19mmol)。這個試管經由氮沖洗數分鐘，密封後置放到手套箱。加入0.413公克(0.357mmol)的Pd(PPh3)4和12mL的甲苯到試管。再密封此試管並放置到微波反應器。在反應器內120℃的溫度下經40分鐘之後，以己烷作為洗滌劑，藉著短徑矽凝膠管柱層析淨化反應混合物。在減少的壓力下，移除己烷溶劑，產生油的產物，加入約100mL的甲醇/乙醇(1：1)混合物，產生6的黃色沉澱物。在真空下藉由過濾和烘乾來收集沉澱物(0.91公克，91%產量)。1H NMR(300MHz,CD2Cl2)：δ 7.41(d,J=4.2Hz,2 H),7.22(d,J=3.6Hz,2 H),7.12(br t,J=4.0Hz,2 H),2.94(t,J=7.8Hz,4 H),1.79(p,J=7.5Hz,4 H),1.52-1.18(m,40 H),0.87(t,J=6.6Hz,6 H)；HRMS(MALDI)m/z對[C46H60S7]836.2711計算，發現為836.274。
範例2：由α-,α’-噻吩取代,β-,β’-烷基取代融合噻吩FT4(7)之三單元聚合物8之合成。
將在DMF(15mL)中的N-溴丁二醯亞胺(NBS)(0.21公克，1.17mmol)溶液一滴一滴加到燒瓶中氯化甲烯基(30mL)的化合物3(0.44公克，0.56mmol)的攪拌溶液。在黑暗中攪拌產生的混合物48小時。以旋轉的蒸發器移除氯化甲烯基。固體殘渣以水(3x100mL)和甲醇(50mL)沖洗。然後烘乾固體，從己烷再結晶，產生0.33克的化合物7(62%產量)。1H NMR(300MHz,CD2Cl2)：δ 7.07(d,J=3.6Hz,2 H),6.95(d,J=3.3Hz,2 H),2.89(t,J=4.5Hz,4 H),1.77(p,J=6.9Hz,4 H),1.51-1.18(m,40 H),0.87(t,J=6.8Hz,6 H)；HRMS(MALDI)m/z對[C44H58Br2S6]936.1259計算，發現為936.1230。
含有α-,α’-噻吩取代,β-,β’-烷基取代融合噻吩FT4之三單元聚合物8。將化合物7(0.32公克，0.34mmol)和1,4-亞苯基雙(三甲基錫烷)(0.14公克，0.34mmol)(即M-G1-M)轉移到有攪拌棒的三頸燒瓶中。密封燒瓶並置放到手套箱。加入0.040公克(0.0341mmol)的Pd(PPh3)4和25mL的甲苯到燒瓶中。在氮氣中加熱燒瓶到120-130℃的溫度放16小時，再倒入甲醇(200mL)和濃縮氯化氫酸(5mL)溶液的混合物中，接著在室溫攪拌16小時。在Soxhlet設備中以丙酮過濾和萃取產生的沉澱物24h，再以己烷過濾和萃取24h。然後將得到的聚合物溶解到1,2-氯苯並過濾，接著在甲醇中沉澱。收集的聚合物在真空中烘乾成0.13克(45%產量)。GPC(1,2-二氯苯，聚苯乙烯標準)Mn 14418,Mw 20856。
由α-,α’-噻吩取代,β-,β’-烷基取代融合噻吩FT5(9)之三單元聚合物10合成。
將在DMF(60mL)中的N-溴丁二醯亞胺(NBS)(0.23公克，1.30mmol)溶液一滴一滴加到燒瓶中氯化甲烯基(130mL)的化合物6(0.52公克，0.62mmol)的攪拌溶液。在黑暗中攪拌產生的混合物48小時。
以旋轉的蒸發器移除氯化甲烯基。剩餘的固體殘渣以水(3x100mL)，甲醇(50mL)和乙醇(50mL)依序沖洗。此固體從己烷再結晶，產生0.58克的化合物9(94%產量)。1H NMR(300MHz,CD2Cl2)：δ 7.09(d,J=3.9Hz,2 H),6.95(d,J=3.9Hz,2 H),2.90(t,J=7.8Hz,4 H),1.78(p,J=7.5Hz,4 H),1.52-1.18(m,40 H),0.87(t,J=6.9Hz,6 H)；HRMS(MALDI)m/z對[C46H58Br2S7]992.1007計算，發現為992.095。
含有α-,α’-噻吩取代,β-,β’-烷基取代融合噻吩FT5之三單元聚合物10。將化合物9(0.58公克，0.58mmol)和1,4-亞苯基雙(三甲基錫烷)(0.24公克，0.58mmol)放置到有攪拌棒的三頸燒瓶中。讓氮氣通過燒瓶5分鐘。密封燒瓶並置放到手套箱。加入0.067公克(0.058mmol)的Pd(PPh3)4和25mL的甲苯到燒瓶中。在氮氣中加熱燒瓶到120-130℃的溫度放16小時，再倒入甲醇(400mL)和濃縮氯化氫酸(5mL)的混合物中，接著在室溫攪拌16小時。在Soxhlet設備中以丙酮過濾和萃取沉澱物24h，再以己烷過濾和萃取24h。然後將剩餘的固體溶解到1,2-氯苯，過濾並在甲醇中沉澱。收集的聚合物在真空中烘乾成0.47克(88%產量)。GPC(1,2-二氯苯，聚苯乙 烯標準)Mn 8,759,Mw 10,792。
範例3：由α-,α’-三氟甲苯基取代,β-,β’-烷基取代融合噻吩FT4(13)之合成。
依據J.Amer.Chem.Soc.,2008,130,13202-13203文件說明，合成化合物12。在有攪拌棒的微波反應測試管中加入0.37公克(1.95mmol)的4-(四氟甲基)苯硼酸，到0.69公克的化合物12(0.78mmol)。加入6mL的20%水溶液Na2CO3和15mL的THF到此混合物。以氮沖洗這個試管數分鐘，密封後置放到手套箱。加入0.135公克(0.117mmol)的Pd(PPh3)4和2mL的甲苯到試管。再密封此試管並放置到微波反應器。在反應器內90℃的溫度下經40分鐘之後，以己烷作為洗滌劑，藉著短徑矽凝膠管柱層析淨化有機層。在減少的壓力下，從洗滌劑中移除己烷溶劑，產生油的產物，加入約100mL的甲醇/乙醇(1：1)混合物，產生13的黃色沉澱物。在真空下藉由過濾和烘乾來收集沉澱物(0.57公克，72%產量)。1H NMR(300MHz,CD2Cl2)：δ 7.70(AA’ BB’,8H),2.86(t,J=4.5Hz,4 H),1.79(p,J=4.9Hz,4 H),1.54-1.19(m,56 H),0.87(t,J=4.7Hz,6 H)。
範例4：裝置製造以及特徵。所有頂部接觸底部閘門，使用聚合物10作為有機半導體管道的電晶體是在空氣中製造的。使用Si<100>晶片作為閘門電極，以二氧化矽作為閘門電介質。根據10的1,2-二氯苯的OFET裝置是在蒸氣處理 Si/SiO2晶片的辛基三氯矽烷(C80TS)上製造。這裡說明配製OFET裝置和測量移動性方法的一般處理過程。圖1顯示的是聚合物10裝置代表性的電流-電壓曲線。
範例5：選擇FT4及FT5化合物之溶解度。表1提供一些α-,α’-未取代,β-,β’-烷基取代FT4(和FT5)，和一些α-,α’-取代,β-,β’-烷基取代FT4(和FT5)化合物的溶解性比較。一般處理過程：10mg的FT4或FT5化合物和5.0mL的特定溶劑混合，然後密封在螺旋瓶蓋的玻璃瓶。產生的混合物放在室溫下的超音波浴池30分鐘，接著保持靜止30分鐘，檢查是否形成清澈的溶液。假使混合物在這60分鐘之後還沒有變成清澈，再加上另外5.0mL相同的溶劑到瓶中，並經60分鐘的混合，就這樣重複標準處理過程直到用完總共20mL的溶劑。
這些結果指示這些FT4和FT5化合物大致的溶解性傾向。FT4和FT5化合物的溶解性傾向是：甲苯>CH2Cl2>己烷。α-,α’-取代,DC13(R=-C13H37)FT4化合物比相關的α-,α’-取代,DC17(R=-C17H35)FT4化合物有較佳的溶解性。一般而言，以相同的烷基側鏈取代α-,α’-苯基,β-,β’-烷基取代FT4(和FT5)化合物比α-,α’-未取代原β-,β’-烷基取代FT4和FT5化合物微改善的溶解性。有相同側鏈的FT5化合物比FT4化合物有更佳的溶解性。
本發明在此已對特定實施例作說明，人們瞭解這些實施例只作為說明本發明原理以及應用。因而人們瞭解列舉性實施例能夠作許多變化以及改變而並不會脫離下列申請專 利範圍界定出本發明精神及原理。

Claims (13)

  1. 一種化合物，化合物的分子式為 其中每個R是獨立的取代或未取代的(C1-24)烴基；n是從2到4的整數；以及每個-G1是獨立的分子式為-{Ar(R1)q}p-Ar(R1)q單價、取代或未取代的芳基，分子式為-{Het(R1)q}p-Het(R1)q單價、取代或未取代的雜芳基，或一個或多個取代或未取代的芳基以及雜芳基取代物的單價組合，p是0到4，q是0到4，以及每個-R1是獨立的-H，-F，或單價、取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基， 或其組合和其鹽類，其中-G1是由下列選取出之單價部分體(moiety) 或其組合，每個R2是獨立的H，或單價、取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基，-Ar，-F或其組合，R3是H，或單價、取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基，以及s是0到5的整數。
  2. 依據申請專利範圍第1項之化合物，其分子式為 其中每個R是獨立的取代或未取代的(C1-24)烴基，或其鹽類或其混合物。
  3. 依據申請專利範圍第2項之化合物，其由下列選取出 4,11-雙(噻吩-2-基)-5,12-雙三癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；4,11-雙(噻吩-2-基)-5,12-二庚癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；6,14-雙(噻吩-2-基)-5,15-雙三癸基-3,7,10,13,17-戊噻戊環[9.6.0.02,9.04,8.012,16]庚癸-1(11),2(9),4(8),5,12(16),14-已烯；4,11-二苯基-5,12-雙三癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；6,14-二苯基-5,15-雙三癸基-3,7,10,13,17-戊噻戊環[9.6.0.02,9.04,8.012,16]庚癸-1(11),2(9),4(8),5,12(16),14-已烯；4,11-雙(4-三氟甲苯基)-5,12-二庚癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；或4,11-二苯基-5,12-二庚癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；以及其鹽類，或其混合物。
  4. 一種聚合物，其分子式為 其中每個-G1-是獨立的分子式為-{Ar(R1)q}p-Ar(R1)q-二價的取代或未取代的芳基，或分子式為-{Het(R1)q}p-Het(R1)q-二價的取代或未取代的雜芳基，每個-G2-是獨立的分子式為-{Ar(R1)q}p-Ar(R1)q-二價的取代或未取代的芳基,分子式為-{Het(R1)q}p-Het(R1)q-二價的取代或未取代的雜芳基，或二價的取代或未取代、未飽和的(C1-24)烴基，每個R是獨立的取代或未取代(C1-24)烴基；每個-R1是獨立的-H，-F，或單價的取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基，或其組合和其鹽類；每個n是獨立的從2到4的整數；每個m是獨立的2到10,000的整數；每個p是獨立的0到4；每個q是獨立的0到4；及p或q的任一者至少為1；或其鹽類。
  5. 一種分子式為X-G1-C-G1-X之二鹵化的化合物，其中C是下列分子式的二價融合噻吩核心， 每個-G1-是獨立的：分子式為-{Ar(R1)q}p-Ar(R1)q-二價的取代或未取代的芳基，或分子式為-{Het(R1)q}p-Het(R1)q-二價的取代或未取代的雜芳基，每個R是獨立的單價取代或未取代的(C1-24)烴基；每個-R1是獨立的-H，-F，或單價的取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基，或其組合或其鹽類，每個n是獨立的從2到4的整數；每個p是獨立的0到4,每個q是獨立的0到4，以及p或q的任一者至少為1；以及每個X是獨立的鹵素，或其鹽類。
  6. 依據申請專利範圍第5項之二鹵化的化合物，其中化合物分子式X-G1-C-G1-X為 4,11-雙(5-溴噻吩-2-基)-5,12-雙三癸基-3,7,10,14-四噻四環[6.6.0.02,6.09,13]四癸-1(8),2(6),4,9(13),11-戊烯；或6,14-雙(5-溴噻吩-2-基)-5,15-雙三癸基-3,7,10,13,17-戊噻戊環[9.6.0.02,9.04,8.012,16]庚癸-1(11),2(9),4(8),5,12(16),14-已烯。
  7. 一種製造申請專利範圍第1項下列所示分子式化合物的方法： 該方法包含：利用一鹵化劑接觸下列分子式之核心化合物： 以形成分子式X-C-X的α-,α’-,二鹵化物的產物，其中X是鹵素，而C是接觸的核心化合物；以及以至少兩莫耳比例等量的分子式M-G1耦合化合物和一金屬催化劑接觸X-C-X產物，以形成分子式G1-C-G1的α-,α’-,雙取代產物，其中M-G1包含M，其具有-SnR4 3、-B(OH)2、-B(OR4)2、-B(環-OR4O-)或-MgX或其組合，其中X是鹵素，每個R4可以是獨立的單價、取代或未取代的(C1-24)烴基，以及-G1是單價部分體，選自於 或其組合，每個R2是獨立的H，或單價、取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基，-Ar，-F，或其組合，R3是H，或單價、取代或未取代，飽和或未飽和的(C1-24)烴基，以及s是從0到5的整數。
  8. 一種製造申請專利範圍第4項之聚合物的方法，該方法包含：利用一鹵化劑接觸下列分子式之一二價融合噻吩核心化合物(C)： 以形成分子式X-G1-C-G1-X的α-,α’-,二鹵化物的產物，其中X是鹵素；以及以約1莫耳比例等量的分子式M-G2-M耦合化合物和一金屬催化劑接觸X-G1-C-G1-X產物以形成聚合物，其中M-G2-M為：R4 3Sn-G2-SnR4 3、(HO)2B-G2-B(OH)2、(R4O)2B-G2-B(OR4)2、(環-OR4O-)B-G2-B(環-OR4O-)、XMg-G2-MgX或其組合，其中X是鹵素，且每個R4為獨立的單價或二價(C1-8)烴基，其中R4為(C1-8)烷基，-G2-是二價部分體，分子式為 或其組合， 每個R2是獨立的H，或單價、取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基，或-Ar，-F，或其組合，R3是H，或單價、取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基，s是0到5的整數，以及該金屬催化劑是Pd(PPh3)4。
  9. 一種製造聚合物之方法，其包含：利用一鹵化劑接觸下列分子式之一核心化合物： 以形成分子式X-C-X的α-,α’-,二鹵化物的產物，其中C是接觸之核心化合物以及X是鹵素；以及以約1莫耳比例等量的分子式M-G1-G2-G1-M耦合化合物和一金屬催化劑接觸X-C-X產物以形成下列分子式之各個聚合物： 每個R是獨立的單價、取代或未取代的(C1-24)烴基；n是從2到4的整數；m是從2到10,000的整數，其中該耦合化合物M-G1-G2-G1-M包含：M，其具有至少一-SnR4 3、-B(OH)2、-B(OR4)2、-B(環-OR4O-)2或-MgX或其組合，以及每個耦合化合物的R4是獨立的單價、取代或未取代的(C1-24)烴基，以及每個-G1以及-G2是獨立的單價部分體，可選自 或其組合物， 每個R2是獨立的H，或單價、取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基，-Ar，-F，或其之組合，R3是H，或單價、取代或未取代、飽和或未飽和的(C1-24)烴基，s是從0到5的整數，以及該金屬催化劑是Pd(PPh3)4。
  10. 依據申請專利範圍第3項之化合物，其中在有機溶劑中溶解度為每毫升約1至100mg。
  11. 依據申請專利範圍第3項之化合物，其中在有機溶劑中溶解度為每毫升約1至10mg。
  12. 依據申請專利範圍第3項之化合物，其中該有機溶劑為甲苯、二氯甲烷、己烷或其混合物。
  13. 依據申請專利範圍第1項之化合物，其中該結構包含分子式FTx，其中FT是一融合噻吩，x為偶數，且該結構具有C2對稱於垂直於該融合噻吩核心之平面的軸。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011025453A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Agency For Science, Technology And Research Polymeric semiconductors, devices, and related methods
US8217183B2 (en) * 2010-05-18 2012-07-10 Corning Incorporated Methods of making fused thiophenes
KR20140007396A (ko) 2011-01-31 2014-01-17 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 질소 함유 축합환 화합물, 질소 함유 축합환 중합체, 유기 박막 및 유기 박막 소자
US8394918B2 (en) * 2011-02-28 2013-03-12 Corning Incorporated Five-ring fused heteroaromatic compounds and conjugated polymers thereof
KR20140090223A (ko) * 2011-10-31 2014-07-16 코닝 인코포레이티드 융합 티오펜, 융합 티오펜의 제조방법, 및 이의 용도
US8846855B2 (en) * 2011-10-31 2014-09-30 Corning Incorporated Conjugated fused thiophenes, methods of making conjugated fused thiophenes, and uses thereof
US8901544B2 (en) 2011-12-06 2014-12-02 Corning Incorporated Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate
KR101860084B1 (ko) 2012-07-06 2018-05-23 삼성전자주식회사 유기 광전 재료, 상기 유기 광전 재료를 포함하는 유기 광전 소자 및 이미지 센서
EP2888034B1 (en) * 2012-08-27 2017-02-01 Corning Incorporated Semiconducting fused thiophene polymer ink formulation
US9070882B2 (en) 2013-08-22 2015-06-30 Corning Incorporated Boron ester fused thiophene monomers
US20150065722A1 (en) 2013-09-05 2015-03-05 Corning Incorporated Fused thiophene ditin monomers
US9580556B2 (en) 2015-01-29 2017-02-28 Corning Incorporated DPP with branched alkyl-chain or (and) fused thiophene with branched alkyl-chain and the related designing strategy to increase the molecular weight of their semi-conducting copolymers
US9761817B2 (en) 2015-03-13 2017-09-12 Corning Incorporated Photo-patternable gate dielectrics for OFET
US9643978B2 (en) 2015-04-29 2017-05-09 Corning Incorporated Methods and compounds for synthesizing fused thiophenes
US10230059B2 (en) * 2015-06-19 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic compound and organic thin film and electronic device
TW201813995A (zh) 2016-09-16 2018-04-16 美商康寧公司 稠合噻吩芳基噻二唑聚合物、該聚合物之製作方法，及其用途
CN112457328A (zh) * 2019-09-06 2021-03-09 康宁股份有限公司 通过Pd催化的直接(杂)芳基化或直接烯基化的基于FT4的有机半导体小分子的合成

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200909470A (en) * 2007-02-28 2009-03-01 Corning Inc Fused thiophenes, methods for making fused thiophenes, and uses thereof

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU8991698A (en) 1997-09-05 1999-03-29 Cambridge Display Technology Limited Compounds for electronic devices
EP1275651B1 (en) 2001-07-09 2005-08-31 MERCK PATENT GmbH Thienothiophene derivatives
SE527371C2 (sv) 2003-04-24 2006-02-21 Volvo Lastvagnar Ab Hjulupphängning för fordon samt fordon försett med sådan hjulupphängning
US7714098B2 (en) * 2004-05-18 2010-05-11 Merck Patent Gmbh Mono-, oligo- and polythieno[3,2-b]thiophenes
CN101693722A (zh) * 2004-06-09 2010-04-14 默克专利股份有限公司 可聚合的噻吩并[3,2-b]噻吩
KR101259735B1 (ko) 2004-09-14 2013-04-30 코닝 인코포레이티드 융합 티오펜, 융합 티오펜의 제조방법 및 그 용도
JP4220951B2 (ja) * 2004-09-24 2009-02-04 国立大学法人広島大学 新規な有機半導体化合物、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
WO2006050496A1 (en) * 2004-11-02 2006-05-11 E.I. Dupont De Nemours And Company Substituted anthracenes and electronic devices containing the substituted anthracenes
EP1739872B1 (en) 2005-06-28 2009-05-06 Nortel Networks Limited Method for securing a transmission in an hybrid network, associated system and mediation platform
JP5499422B2 (ja) * 2006-06-28 2014-05-21 コニカミノルタ株式会社 有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法
US7718998B2 (en) * 2006-12-14 2010-05-18 Xerox Corporation Thiophene electronic devices
KR20080101229A (ko) * 2007-05-16 2008-11-21 삼성전자주식회사 액정성을 가지는 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및이를 이용한 유기박막트랜지스터
KR101652533B1 (ko) * 2008-03-31 2016-08-30 코닝 인코포레이티드 융합 티오펜 화합물, 이들을 제조하는 방법 및 이들의 용도

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200909470A (en) * 2007-02-28 2009-03-01 Corning Inc Fused thiophenes, methods for making fused thiophenes, and uses thereof

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