TWI466312B - 發光裝置及照明裝置 - Google Patents

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Description

發光裝置及照明裝置
本發明係有關於發光裝置，特別有關於包括發光元件的一對電極之間具發光層之發光裝置。
介於一對電極之間具發光層的發光元件之發光裝置事實上作為操作顯示裝置用的像素。近幾年，此等發光元件在充當發光裝置的光源及顯示裝置的方式引人注目。
至於發光裝置，並不特別需要顯示裝置所需的複雜化。然而，對於一個發光元件的缺陷所造成對發光裝置的影響反而大大地予以取代。明確地說，可能會造成發光元件不會發光的故障或發光元件的短路造成亮度極度降低等。
本發明的目的之一在於提供一種較不受發光元件引起的故障所影響之發光裝置。本發明的另一個目的在於提供一種發光裝置，其中發光元件依串聯方式連接。
至於本發明的發光裝置，各自具發光元件與限流器的電路群組依並聯方式連接。在此，發光元件與限流器依串聯方式連接。該電路的數目可為至少二或多個。再者，電路群組各自包括至少一個發光元件。
本發明中，對於限流器的數目並沒有特別的限定。因此，一個電路群組包括至少一個限流器。進一步地，該限流器可靠近高電位電源供應器或低電位電源供應器裝設；然而，該限流器較佳地可裝設在電流流入包括發光元件與限流器的電路群組側(換言之，限流器較佳地比該發光元件更靠近高電位電源供應器裝設)。
在此，限流器包含具一個元件或多個元件的組合之電路，其係用於控制流入發光元件的過量電流。
根據本發明的發光裝置包括第一發光元件及第二發光元件。該第一發光元件與該第二發光元件各自包括介於第一電極與第二電極之間的發光層。含於該第一發光元件內的第一電極及含於該第二發光元件內的第二電極係重疊並電性連接。
根據本發明，可降低發光元件的電極之間的短路引起發光裝置的故障。進一步地，根據本發明可製得包括依串聯方式連接的發光元件之發光裝置，該發光裝置可輕易地製造。
後文將參照圖式詳細地說明本發明的具體實施例。然而，熟於此技藝之人士所容易明瞭本發明可依許多不同實施例實施，且形式及細節可進行各種不同的變化而不會悖離本發明的精神及範圍。因此，本發明不應受到下列具體實施例的說明所限制。
具體實施例1
本發明的發光裝置之一實施例將參照第1圖予以說明。
在第1圖中，多個各自具發光元件101a至101d與限流器111的電路群組121依並聯方式連接。
在各個電路121中，發光元件101a至101d與限流器111分別地串聯連接各自具發光元件與限流器的電路群組依並聯方式連接。在第1圖中，各個電路121包括四個發光元件；然而，電路中的發光元件數目並沒有特別的限定，且電路可包括至少一個發光元件。在此，發光元件101a至101d各自具介於如第2圖所示的一對電極(第一電極131與第二電極132)之間的發光層133。
限流器111並沒有特別的限定；其可為任一種可控制以防止過量電流者。舉例來說，該限流器可由一個電晶體構成或可為多個例如電晶體及二極體等之元件的組合電路。
關於限流器111，舉例來說，可使用第10A圖、第10B圖、第11圖或第12圖所示的結構。然而，該結構並不限於此。第10A圖顯示含電晶體301及電阻器302的限流器111a。或者，限流器111可包含與第10B圖所示的限流器111b或第11圖所示的限流器111c在一起的電晶體301或電阻器302中任一者。在此，舉例來說，電晶體301的閘電極可連到如第10A圖所示的節點；或者電晶體301的閘電極可連到如第10B圖所示的節點。在限流器111a及限流器111b分別地靠近第10A圖及第10B圖所示的高電位電源供應器裝設的情況下，電晶體301較佳地可為p通道電晶體。在限流器111c靠近第11圖所示的低電位電源供應器裝設的情況下，電晶體301較佳地可為n通道電晶體。進一步地，限流器111可為含第12圖所示的二極體之限流器111d。
將各個電路121之一端連到節點125的佈線122，且另一端連到節點126的佈線123。將佈線122及123連到電源供應器124。
經由佈線122及123自電源供應器124對發光元件101a至101d施加電壓。各別發光元件101a至101d的電極之間都產生電位差；藉此使電流流動。待流動的電流引起發光材料提昇到激態之後，在返回基態時發光。第一電極131各自經由施加相同極性的電位之佈線連到電源供應器。再者，第二電極132各自經由施加極性與第一電極131相反的電位之佈線連到電源供應器。在此，對各電極施加何極性並沒有特別的限定。
至於此發光裝置，儘管在任何一個發光元件的電極之間都會引起例如短路等之故障，但卻可進行良好的操作而不會對其他發光元件加重負擔。
舉例來說，即使是在發光元件101b的電極短路的情況下，其他發光元件(發光元件101a、101c及101d)也可發光，因為它們彼此串聯連接。再者，即使是含於多個電路121任一個之中的大部分或全部發光元件都短路的情況下，也沒有過量電流流動，因為它們各個都有限流器111，所以並未預防電流供應到其他電路。
至於根據本發明的發光裝置，含於該發光元件中的第一電極131及第二電極132並沒有特別的限定；然而，較佳為該對電極當中至少有一個可傳導可見光。藉此，可自該發光裝置的一或二側發光。
進一步地，該發光層133並沒有特別的限定。該發光層133中含有有機化合物及無機化合物其他任一或二種。再者，該發光層133可具單一層結構或多層結構。在多層結構的情況下，具不同發光色彩的發光材料在各別層中進行發光，使得目視察看到的色彩為混合的。
具體實施例2
在此具體實施例中，含於根據本發明的發光裝置之發光元件的實施例將參照第3圖詳細地說明。
第3圖顯示發光元件的第一電極201與第二電極202之間具發光層213。在此發光元件中，由第一電極201注入的電洞與由第二電極202注入的電子在發光層213中再結合而將發光材料帶領至激態。在此，發光材料為可發出想要放射波長的光線並具良好發光效率之物質。然後，當處於激態的發光材料返回基態時發光。要注意第一電極201與第二電極202在本具體實施例的發光元件中分別地當作陽極及陰極。
在此，發光層213並沒有特別的限定。然而，較佳為該發光層213為其中含發光材料以分散在比該發光材料具有更大能隙的材料形成的層當中之層。這樣可防止集中造成發光材料的發光猝滅現象(quenching)。要注意能隙指的是LUMO能階與HOMO能階之間的能隙。
該發光材料並沒有特別的限定。可選擇可發出想要放射波長的光線並具良好發光效率之物質並作為發光材料。舉例來說，在獲得紅色調發光方面，可使用顯示帶有600奈米到680奈米的發光光譜峰值之發光的物質，例如4－二氰亞甲基－2－異丙基－6－〔2－(1,1,7,7－四甲基久洛尼定(tetramethyljulolindine)－9－基)乙烯基〕－4H－吡喃(縮寫：DCJTI)、4－二氰亞甲基－2－甲基－6－〔2－(1,1,7,7－四甲基久洛尼定－9－基)乙烯基〕－4H－吡喃(縮寫：DCJT)、4－二氰亞甲基－2－第三丁基－6－〔2－(1,1,7,7－四甲基久洛尼定－9－基)乙烯基〕－4H－吡喃(縮寫：DCJTB)或2,5－二氰基－1,4－雙〔2－(10－甲氧基－1,1,7,7－四甲基久洛尼定－9－基)乙烯基〕苯。在獲得綠色調發光方面，可使用顯示帶有500奈米到550奈米的發光光譜峰值之發光的物質，例如N,N’－二甲基喹吖啶酮(縮寫：DMQd)、香豆素6、香豆素545T或參(8－羥基喹啉基)鋁(縮寫：Alq3 )。再者，在獲得藍色調發光方面，可使用顯示帶有420奈米到500奈米的發光光譜峰值之發光的物質，例如9,10－雙(2－萘基)－第三丁基蒽(縮寫：t－BuDNA)、9,9’－二蒽基－9,10－二苯基蒽(縮寫：DPA)、9,10－雙(2－萘基)蒽(縮寫：DNA)、雙(2－甲基－8－羥基喹啉基)－4－苯基苯氧基鎵(縮寫：BGaq)或雙(2－甲基－8－羥基喹啉基)－4－苯基苯氧基鋁(縮寫：BAlq)。除了上述螢光物質以外，可使用例如參(2－苯基吡啶)銥等之磷光物質。
用於分散該發光材料的材料並沒有特別的限定。舉例來說，除了例如4,4’－雙〔N－(1－萘基)－N－苯胺基〕－聯苯(縮寫：α－NPD)等之具芳胺骨架的化合物以外，較佳為例如4,4’－雙(N－咔唑基)－聯苯(縮寫：CBP)及4,4’,4”－參(N－咔唑基)－三苯基胺(縮寫：TCTA)等之咔唑衍生物及例如雙〔2－(2－羥苯基)吡啶基〕鋅(縮寫：Znpp2 )、雙〔2－(2－羥苯基)－苯并噁唑基〕鋅(縮寫：Zn(BOX)2 )及參(8－羥基喹啉基)鋁(縮寫：Alq3 )等之金屬錯合物。
儘管第一電極201並沒有特別的限定，但以第一電極201作為本具體實施例的陽極時，較佳為使用具較大功函數的材料形成第一電極201。明確地說，除了氧化銦錫(ITO)、含氧化矽的氧化錫銦及含2至20%氧化鋅的氧化銦以外，可使用金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)及鈀(Pd)等。第一電極201可藉，舉例來說，濺鍍或氣相沈積形成。
再者，儘管第二電極202並沒有特別的限定，但以第二電極202作為本具體實施例的陰極時，較佳為使用具較小功函數的材料形成第二電極202。明確地說，可使用含例如鋰(Li)或鎂等之鹼金屬或鹼土金屬的鋁等。第二電極202可藉，舉例來說，濺鍍或氣相沈積形成。
為了使放射的光線傳到外界，較佳為第一電極201及第二電極202其中之一或二者為含可傳導可見光之例如氧化銦錫等之材料的電極或形成數個到數十奈米以傳導可見光的厚度之電極。
此外，如第3圖所示可在第一電極201與發光層213之間裝設電洞傳輸層212。在此，電洞傳輸層為具有將電極注入的電洞傳輸到發光層的功能之層。依此方式提供電洞傳輸層212使第一電極201保持遠離發光層213；藉此可防止金屬引起發光的猝滅。
該電洞傳輸層212並沒有特別的限定，且可使用運用，舉例來說，芳族胺化合物(也就是說，含苯環－氮鍵的化合物)，例如4,4’－雙〔N－(1－萘基)－N－苯胺基〕－聯苯(縮寫：α－NPD)、4,4’－雙〔N－(3－甲基苯基)－N－苯胺基〕－聯苯(縮寫：TPD)、4,4’,4”－參(N,N－二苯胺基)－三苯基苯(縮寫：TDATA)或4,4’,4”－參〔N－(3－甲基苯基)－N－苯胺基〕－三苯基苯(縮寫：MTDATA)形成的層。此外，該電洞傳輸層212可為具結合二或多個含上述材料的層所形成的多層結構之層。
進一步地，如第3圖所示可在第二電極202與發光層213之間裝設電子傳輸層214。在此，電子傳輸層為具有將電極注入的電子傳輸到發光層的功能之層。依此方式提供電子傳輸層214使第二電極202保持遠離發光層213；藉此可防止金屬引起發光的猝滅。
該電子傳輸層214並沒有特別的限定，且可使用運用，舉例來說，含羥基喹啉骨架或苯并羥基喹啉骨架之金屬錯合物，例如參(8－羥基喹啉基)鋁(縮寫：Alq3 )、參(5－甲基－8－羥基喹啉基)鋁(縮寫：Almq3 )、雙(10－羥基苯并〔h〕羥基喹啉基)鈹(縮寫：BeBq2 )或雙(2－甲基－8－羥基喹啉基)－4－苯基苯氧基鋁(縮寫：BAlq)等，形成的層。此外，可使用含唑唑為底的配位基或噻唑為底的配位基之金屬錯合物，例如雙〔2－(2－羥苯基)－苯并噁唑基〕鋅(縮寫：Zn(BOX)2 )或雙〔2－(2－羥苯基)－苯并噻唑基〕鋅(縮寫：Zn(BTZ)2 )。進一步地，可使用運用2－(4－聯苯基)－5－(4－第三丁基苯基)－1,3,4－噁二唑(縮寫：PBD)、1,3－雙〔5－(對－第三丁苯基)－1,3,4－噁二唑－2－基〕苯(縮寫為OXD－7)、3－(4－第三丁基苯基)－4－苯基－5－(4－聯苯基)－1,2,4－三唑(縮寫：TAZ)、3－(4－第三丁基苯基)－4－(4－乙基苯基)－5－(4－聯苯基)－1,2,4－三唑(縮寫：p－EtTAZ)、4,7－二苯基－1,10－二氧雜菲(bathophenanthroline)(縮寫：BPhen)或2,9－二甲基－4,7－二苯基－1,10－菲羅啉(bathocuproin)(縮寫：BCP)等形成的層。此外，該電子傳輸層214可為具結合二或多個含上述材料的層所形成的多層結構之層。
此外，如第3圖所示可在第一電極201與電洞傳輸層212之間裝設電洞注入層211。在此，電洞注入層為具有輔助來自相對於電洞傳輸層作為陽極之電極的電洞之注入功能之層。要注意在未特別地提供電洞傳輸層時，電洞注入發光層可在作為陽極的電極與發光層之間提供電洞注入層而得到輔助。
該電洞注入層211並沒有特別的限定，且可使用運用，舉例來說，金屬氧化物，例如氧化鉬(MoOx )、氧化釩(VOx )、氧化釕(RuOx )、氧化鎢(WOx )、氧化錳(Mn Ox )等，形成的層。此外，該電洞注入層211可使用例如酞花青(縮寫：H2 Pc)或酞花青銅(縮寫：CuPc)等之酞花青化合物或例如聚(伸乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸酯)水溶液(PEDOT/PSS)等之高分子等而形成。
進一步地，如第3圖所示可在第二電極202與電子傳輸層214之間裝設電子注入層215。在此，電子注入層為具有輔助來自相對於電子傳輸層214作為陰極之電極的電子之注入功能之層。要注意在未特別地提供電子傳輸層時，電子注入發光層可在作為陰極的電極與發光層之間提供電子注入層而得到輔助。
該電子注入層215並沒有特別的限定，且可使用運用，舉例來說，鹼金屬或鹼土金屬的化合物，例如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)或氟化鈣(CaF2 )等，形成的層。此外，也可使用例如Alq3 或4,4－雙(5－甲基苯并噁唑－2－基)二苯乙烯(stilbene)(縮寫：BzOS)等之可高度電子傳輸的材料與例如鎂或鋰等之鹼金屬或鹼土金屬混合的層作為電子注入層215。
在上述根據本具體實施例的發光元件中，電洞注入層211、電洞傳輸層212、發光層213、電子傳輸層214及電子注入層215之各層可藉任何方法，舉例來說，氣相沈積、噴墨或塗佈而形成。此外，第一電極201及第二電極202可藉任何方法，舉例來說，濺鍍或氣相沈積而形成。
在上述發光元件中，因為第一電極201與第二電極202之間所裝設的層之總厚度非常薄，薄到數十奈米至數百奈米；因此，第一電極201與第二電極202會發生短路。然而，藉由應用本發明，可降低發光裝置的亮度等之掉落，且即使當含於該發光元件內的電極發生短路，該發光裝置也可有利地操作。
具體實施例3
裝設在根據本發明的發光裝置中的發光元件之實施例並不限於具體實施例2所說明的那一種。舉例來說，該發光元件可具有多個發光層。舉例來說，白光可藉提供多個發光層並混合各別發光層的發光而製得。在本具體實施例中，將參照第4及5圖說明各自具多個發光層的發光元件之實施例。
在第4圖中，在第一電極751與第二電極752之間裝設第一發光層763及第二發光層765。較佳為在第一發光層763與第二發光層765之間裝設分隔層764。
當電壓施加使得第二電極752的電位高於第一電極751的電位時，第一電極751與第二電極752之間將產生電流流動，且電洞與電子在第一發光層763、第二發光層765或分隔層764中再結合。所產生的激發能量經由分隔層764轉移到第一發光層763及第二發光層765，並激發含於第一發光層763中的第一種發光材料及含於第二發光層765的第二種發光材料。接著，在返回各別基態時受激發的第一種及第二種發光材料將會發光。
該第一發光層763包括以下列發光材料，其代表為螢光材料，例如二萘嵌苯、2,5,8,11-四第三丁基二萘嵌苯(縮寫：TBP)、4,4’-雙(2-二苯基乙烯基)聯苯(縮寫：DPVBi)、4,4’-雙〔2-(N-乙基咔唑-3-基)乙烯基〕聯苯(縮寫：BCzVBi)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉基)-4-苯基苯氧基鋁(縮寫：BAlq)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉基)氯鎵(Gamq2 Cl)；或磷光材料，例如雙〔2-(3,5-雙(三氟甲基)苯基)吡啶基-N,C2’ 〕銥(III)皮考啉酸(縮寫：Ir(CF3 ppy)2 (pic))、雙〔2-(4,6二氟苯基)吡啶基-N,C2’ 〕銥(III)乙醯基丙酮酸(縮寫：FIr(acac))或雙〔2-(4,6二氟苯基)吡啶基-N,C2’ 〕銥(III)皮考啉酸(縮寫：FIr(pic))，由彼可獲製發光光譜在450至510奈米下有峰值的發光。此外，該第二發光層765包括適於當作發光材料的發光材料，由彼可獲製如具體實施例2中發光光譜在600至680奈米下有峰值的發光。然後，來自第一發光層763的發光色彩及第二發光層765的發光色彩經由第一電極751及第二電極752其中之一或二者發出外界。發出外界的發光以目視察看到的經視覺混合而為白光。
較佳地該第一發光層763為可顯示450至510奈米的發光之發光材料以分散的方式含於比該發光材料具有更大能隙的發光材料構成的層當中之層，或由可顯示450至510奈米的發光之發光材料構成之層。關於第一種主質(host)，除了上述的α－NPD、CBP、TCTA、Znpp2 及Zn(BOX)2 之外，可使用9,10－雙(2－萘基)蒽(縮寫：DNA)及9,10－雙(2－萘基)－第三丁基蒽(縮寫：t－BuDNA)等。再者，較佳地該第二發光層765為可顯示600至680奈米的發光之發光材料以分散的方式含於比該發光材料具有更大能隙的材料(第二種主質)形成的層當中之層。關於第二種主質，可使用α－NPD、CBP、TCTA、Znpp2 、Zn(BOX)2 或Alq3 。再者，較佳為形成分隔層764，使得第一發光層763、第二發光層765或分隔層764所產生的能量可轉移到第一發光層763及第二發光層765，並形成以具有防止能量轉移到第一發光層763及第二發光層765之中單一層的功能。明確地說，該分隔層764可使用例如α－NPD、CBP、TCTA、Znpp2 或Zn(BOX)2 等之有機載體傳輸材料形成。如上所述，藉提供分隔層764，可防止因為第一發光層763及第二發光層765之中單一層的發光強度變得更強造成無法獲得白光的故障。
在本具體實施例中，含於第一發光層763及第二發光層765各層之中的發光材料並沒有特別的限定。含於第一發光層763及第二發光層765之中的發光材料可相互交換；因此，該第一發光層763可含有可顯示較長波長發光的發光材料，取而代之地第二發光層765含有可顯示較短波長發光的發光材料。在此情況下，以容易捕捉載體的發光材料用於較靠近作為陽極(第一電極751)的電極之發光層(第一發光層763)，將使含於各層中的發光材料更有效地發光。
此外，在本具體實施例中，說明裝設如第4圖所示的兩層發光層的發光元件。然而，發光層的數目並不限於兩層，舉例來說，可使用三層發光層。再者，來自各發光層的發光可結合而由視覺察覺為白光。
再者，可在如第4圖所示的第一發光層763及第一電極751之間裝設電子傳輸層762。除電子傳輸層762之外可在電子傳輸層762與第一電極751之間裝設電子注入層761。進一步地，可在如第4圖所示的第二發光層765與第二電極752之間裝設電洞傳輸層766。更進一步地，可在電洞傳輸層766與第二電極752之間裝設電洞注入層752。
除參照第4圖說明的發光元件之外，可使用第5圖所示的發光元件。
第5圖所示的發光元件具有介於第一電極771與第二電極772之間的第一發光層783及第二發光層788。在第一發光層783與第二發光層788之間，裝設第一層785及第二層786。
第一層785為產生電洞的層，而第二層786為產生電子的層。當電壓施加使得第二電極772的電位高於第一電極771的電位時，由第一電極771注入的電子及由第一層785注入的電洞在第一發光層783中再結合，且含於第一發光層783中的發光材料發光。進一步地，由第二電極772注入的電洞及由第二層786注入的電子在第二發光層788中再結合，且含於第二發光層788中的發光材料發光。
第一發光層783中含有如具體實施例2的發光光譜在600奈米至680奈米下有峰值的發光材料。此外，第二發光層788包括下列發光材料，其代表為螢光材料，例如二萘嵌苯、TBP、DPVBi、BCzVBi、BAlq或Gamq2 Cl；或磷光材料，例如Ir(CF3 ppy)2 (pic)、FIr(acac)或FIr(pic)，由彼可獲製發光光譜在450至510奈米下有峰值的發光。來自第一發光層783及第二發光層788的發光自第一電極771及第二電極772其中之一或二者發出。接著，來自各發光層的發光以目視察看到的經視覺混合而為白光。
在第一發光層783及第二發光層788各層中，較佳為發光材料以分散的方式含於主質中。
較佳為第一層785主要地含有傳輸電洞多於電子的第一種材料並進一步地相對於第一種材料具電子受體性質的第二種材料。關於第一種材料，可使用與形成電洞傳輸層所用的材料相同之材料。此外，關於第二種材料，可使用例如氧化鉬、氧化釩、7,7,8,8-四氰對醌二甲烷(縮寫：TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰對醌二甲烷(縮寫：F4-TCNQ)。
較佳為第二層786主要地含有傳輸電子多於電洞的第三種材料並進一步地相對於第三種材料具電子供體性質的第四種材料。關於第三種材料，可使用與形成電子傳輸層所用的材料相同之材料。此外，關於第四種材料，可使用例如鋰或銫等之鹼金屬、例如鎂或鈣等之鹼土金屬或例如鉺或釔等之稀土金屬等。
再者，可在如第5圖所示的第一發光層783及第一電極771之間裝設電子傳輸層782，可在電子傳輸層782與第一電極771之間裝設電子注入層781，可在第一發光層783與第一層785之間裝設電洞傳輸層784。可在第二發光層788與第二電極772之間裝設電洞傳輸層789，且可在電洞傳輸層789與第二電極772之間裝設電洞注入層790。可在第二發光層788與第二層786之間裝設電子傳輸層787。
此外，在本具體實施例中，說明裝設如第5圖所示的兩層發光層的發光元件。然而，發光層的數目並不限於兩層，舉例來說，可使用三層發光層。再者，來自各發光層的發光可結合而由視覺察覺為白光。
具體實施例4
在本具體實施例中，將參照第6、7A及7B圖說明根據本發明的發光裝置之結構的實施例。
第6圖為顯示根據本發明的發光裝置之一部分發光部分的頂視圖。在第6圖中，依序將第一電極502a、第一電極502b、第一電極502c及第一電極502d排成數排。第一電極502a、502b、502c及502d與各別的發光層506a、506b、506c及506d及第二電極507a、507b、507c及507d局部重疊。進一步地，第一電極502a的一部分與第二電極507b的一部分重疊，且第一電極502b的一部分與第二電極507c的一部分重疊。更進一步地，第一電極502c的一部分與第二電極507d的一部分重疊。在此，以第一電極及第二電極其中之一當作陽極且另一個當作陰極。
第7A圖為顯示根據本發明的發光裝置之一部分發光部分的剖面圖，且明確地說為顯示沿第6圖的直線A－A’取一部分的剖面圖。在第7A圖中，將第一電極502b裝設在基材501上以暴露於分隔層505的開口中。發光層506b裝設在第一電極502b上。進一步將第二電極507b裝設在發光層506b上。藉此，在斷線A－A’所示的一部分中獨立地提供多個各自在一對電極之間具發光層的發光元件。
第7B圖亦為顯示根據本發明的發光裝置之一部分發光部分的剖面圖，且明確地說為顯示沿第6圖的直線B－B’取一部分的剖面圖。在第7B圖中的基材501與第7A圖中的基材501相同。第7B圖中的第一電極502b與第7A圖中的第一電極502b相同。除第一電極502b之外，裝設第一電極502c以暴露於分隔層505的開口中。
第一電極502b及第一電極502c分別地暴露於兩個開口中。在第一個開口中，將發光層506b裝設在第一電極502b上，並將發光層506c裝設在第一電極502c上。進一步地，第二電極507c裝設在暴露於第一個開口中的第一電極502c上，它們之間夾著發光層506c。以第一電極502b、發光層506b及第二電極507b重疊的部分當作發光元件。以第一電極502c、發光層506c及第二電極507c重疊的部分當作另一個發光元件。第二電極507c重疊並電性連接到第二個開口中的第一電極502b。如上所述，使第一個發光元件內含的第一電極連到第二個發光元件內含的第二電極；藉由，使多個各自在一對電極之間具發光層的發光元件串聯連接。
進一步地，具第7B圖所示的結構之發光元件可經由下述的方法製造。首先，分別地形成第一電極502a、502b、502c及502d，之後形成分隔層使各個第一電極暴露於兩個開口中。在各自暴露於其中之一開口中的各別第一電極上分別地形成發光層506a、506b、506c及506d。此時，較佳地藉例如噴墨法或使用遮罩的氣相沈積等之形成方法形成發光層506a、506b、506c及506d，藉彼在想要的位置處選擇性地形成層。進一步地，形成各個第二電極507a、507b、507c及507d以覆蓋其中之一發光元件的發光層及暴露於鄰近該發光元件的另一個發光元件之開口中的第一電極。此外，較佳為亦藉例如噴墨法或使用遮罩的氣相沈積等之形成方法形成發光層506a、506b、506c及506d，藉彼在想要的位置處選擇性地形成層及發光層。依此方式，可輕易地製造串聯連接的發光元件。
具體實施例5
如第8圖所示，本發明的發光裝置包括裝設在其上面的支撐體6001及照明部分6002。再者，該發光裝置裝配用於連接照明部分6002與電源供應器的軟式印刷電路6003。以下將說明各自包括本發明的發光裝置之電子裝置實施例。
第9A圖顯示應用本發明的發光裝置之照明裝置。在第9A圖的照明裝置中，在框架5700中安裝本發明的發光裝置。關於以本發明的發光裝置應用於照明部分之照明裝置，可降低發光元件的缺陷引起的故障並可執行良好的照明。
第9B圖顯示以本發明的發光裝置應用於顯示區5523中的背光單元之個人電腦。該個人電腦包括主體5521、框架5522、顯示區5523及鍵盤5524等。明確地說，液晶裝置902及背光單元903係套裝在安裝於個人電腦上的框架901及框架904之間。該液晶顯示裝置乃根據驅動電路905所供應的訊號操作。該背光單元903裝配有軟式印刷電路906。經由軟式印刷電路906將用於控制該背光單元903的訊號輸入該背光單元。依此方式安裝本發明的發光裝置；藉此，可降低該發光元件的缺陷局部形成之例如暗點等之故障，並可執行良好的顯示。
101a．．．發光元件
101b．．．發光元件
101c．．．發光元件
101d．．．發光元件
111．．．限流器
121．．．電路
122．．．佈線
123．．．佈線
124．．．電源供應器
125．．．節點
126．．．節點
127．．．節點
128．．．節點
131．．．第一電極
132．．．第二電極
133．．．發光層
201．．．第一電極
202．．．第二電極
211．．．電洞注入層
212．．．電洞傳輸層
213．．．發光層
214．．．電子傳輸層
215．．．電子注入層
301．．．電晶體
302．．．電阻器
303．．．電晶體
501．．．基材
502a．．．第一電極
502b．．．第一電極
502c．．．第一電極
502d．．．第一電極
505．．．分隔層
506a．．．發光層
506b．．．發光層
506c．．．發光層
506d．．．發光層
507a．．．第二電極
507b．．．第二電極
507c．．．第二電極
507d．．．第二電極
751．．．第一電極
752．．．第二電極
761．．．電子注入層
762．．．電子傳輸層
763．．．第一發光層
764．．．隔離層
765．．．第二發光層
766．．．電洞傳輸層
767．．．電洞注入層
771．．．第一電極
772．．．第二電極
781．．．電子注入層
782．．．電子傳輸層
783．．．第一發光層
784．．．電洞傳輸層
785．．．第一層
786．．．第二層
787．．．電子傳輸層
788．．．第二發光層
789．．．電洞傳輸層
790．．．電洞注入層
901．．．框架
902．．．液晶裝置
903．．．背光單元
904．．．框架
905．．．驅動電路
906．．．軟式印刷電路
5521．．．主體
5522．．．框架
5523．．．顯示區域
5524．．．鍵盤
5700．．．框架
6001．．．支撐體
6002．．．照明部分
6003．．．軟式印刷電路
第1圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置之圖式。
第2圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置中發光元件之圖式。
第3圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置中發光元件之圖式。
第4圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置中發光元件之圖式。
第5圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置中發光元件之圖式。
第6圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置之圖式。
第7A及7B圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置之圖式。
第8圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置之圖式。
第9A至9C圖為顯示使用根據本發明一實施例的發光裝置之電子裝置圖式。
第10A圖及第10B圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置之圖式。
第11圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置之圖式。
第12圖為顯示根據本發明一實施例的發光裝置之圖式。
101a．．．發光元件
101b．．．發光元件
101c．．．發光元件
101d．．．發光元件
111．．．限流器
121．．．電路
122．．．佈線
123．．．佈線
124．．．電源供應器
125．．．節點

Claims (7)

  1. 一種發光裝置，其包含：彼此並聯連接之複數電路，該些複數電路之每一者包含：串聯連接之一第一發光元件及一第二發光元件，該第一發光元件及該第二發光元件之每一者包含：一第一電極；於該第一電極上之第一發光層；及於該第一發光層上之第二電極；一具有第一開口與第二開口的分隔層，其中該些複數電路各被配置以被同時地供應一電壓，其中該第一發光元件及該第二發光元件之該些第一電極被彼此分離，其中該第一發光元件之該第一發光層係由該些複數電路之該些第一發光元件所共用，其中該第二發光元件之該第一發光層係由該些複數電路之該些第二發光元件所共用，其中該第一發光元件之該第一電極、該第二電極、與該第一發光層彼此重疊在該第一開口，且其中包括在該第一發光元件內的該第一電極及包括在該第二發光元件內的該第二電極彼此重疊在該第二開口。
  2. 一種發光裝置，其包含：彼此並聯連接之複數電路，該些複數電路之每一者包含： 串聯連接之一第一發光元件及一第二發光元件，該第一發光元件及該第二發光元件之每一者包含：一第一電極；於該第一電極上之第一發光層；於該第一發光層上之第二電極；一串聯至該第一發光元件與該第二發光元件之一的限流器，以及一具有第一開口與第二開口的分隔層，其中該些複數電路各被配置以被同時地供應一電壓，其中該第一發光元件及該第二發光元件之該些第一電極被彼此分離，其中該第一發光元件之該第一發光層係由該些複數電路之該些第一發光元件所共用，其中該第二發光元件之該第一發光層係由該些複數電路之該些第二發光元件所共用，其中該第一發光元件之該第一電極、該第二電極、與該第一發光層彼此重疊在該第一開口，且其中包括在該第一發光元件內的該第一電極及包括在該第二發光元件內的該第二電極彼此重疊在該第二開口。
  3. 一種發光裝置，其包含：彼此並聯連接之複數電路，該些複數電路之每一者包含：串聯連接之一第一發光元件及一第二發光元件，該第一發光元件及該第二發光元件之每一者包含： 一第一電極；於該第一電極上之第一發光層；於該第一發光層上之第二電極；一串聯至該第一發光元件與該第二發光元件之一的限流器，以及一具有第一開口與第二開口的分隔層，其中該限流器包含一二極體，其中該些複數電路各被配置以被同時地供應一電壓，其中該第一發光元件及該第二發光元件之該些第一電極被彼此分離，其中該第一發光元件之該第一發光層係由該些複數電路之該些第一發光元件所共用，其中該第二發光元件之該第一發光層係由該些複數電路之該些第二發光元件所共用，其中該第一發光元件之該第一電極、該第二電極與該第一發光層彼此重疊在該第一開口，且其中包括在該第一發光元件內的該第一電極及包括在該第二發光元件內的該第二電極彼此重疊在該第二開口。
  4. 一種發光裝置，其包含：彼此並聯連接之複數電路，該些複數電路之每一者包含：串聯連接之一第一發光元件及一第二發光元件，該第一發光元件及該第二發光元件之每一者包含：一第一電極； 於該第一電極上之第一發光層；於該第一發光層上之第二電極；一串聯至該第一發光元件與該第二發光元件之一的限流器，以及一具有第一開口與第二開口的分隔層，其中該限流器包含一薄膜電晶體及一電阻器，其中該些複數電路各被配置以被同時地供應一電壓，其中該第一發光元件及該第二發光元件之該些第一電極被彼此分離，其中該第一發光元件之該第一發光層係由該些複數電路之該些第一發光元件所共用，其中該第二發光元件之該第一發光層係由該些複數電路之該些第二發光元件所共用，其中該第一發光元件之該第一電極、該第二電極與該第一發光層彼此重疊在該第一開口，且其中包括在該第一發光元件內的該第一電極及包括在該第二發光元件內的該第二電極彼此重疊在該第二開口。
  5. 如申請專利範圍第1至4項之任一項的發光裝置，其中來自該第一發光元件之第一發光與來自該第二發光元件之第二發光為不同顏色。
  6. 如申請專利範圍第1至4項之任一項的發光裝置，其中來自該第一發光元件之第一發光與來自該第二發光元件之第二發光為相同顏色。
  7. 如申請專利範圍第1至4項之任一項的發光裝 置，其中該發光裝置係發出白光。
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