WO2022181324A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2022181324A1
WO2022181324A1 PCT/JP2022/005046 JP2022005046W WO2022181324A1 WO 2022181324 A1 WO2022181324 A1 WO 2022181324A1 JP 2022005046 W JP2022005046 W JP 2022005046W WO 2022181324 A1 WO2022181324 A1 WO 2022181324A1
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light
emitting layer
light emitting
layer
display device
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PCT/JP2022/005046
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孝洋 牛窪
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株式会社ジャパンディスプレイ
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    • H10K59/805—Electrodes

Definitions

  • An embodiment of the present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
  • organic EL display device organic electroluminescence display
  • organic electroluminescence material organic electroluminescence material
  • organic EL element a light emitting element
  • lateral leakage current may cause adjacent pixels to emit light, degrading the display quality of the EL display device.
  • one object of one embodiment of the present invention is to provide a display device in which lateral leakage current in a light emitting element is suppressed.
  • a display device includes a first pixel electrode, a second pixel electrode spaced apart from the first pixel electrode in a first direction, and at least one electrode on the top surface of the first pixel electrode.
  • an insulating layer provided on the first pixel electrode, the second pixel electrode, and the insulating layer; a first common layer, a first light-emitting layer provided on the first common layer and overlapping with the first pixel electrode, and a first light-emitting layer provided on the first common layer and overlapping with the second pixel electrode; and a counter electrode provided on the first light emitting layer and the second light emitting layer, the first light emitting layer spreading over the first insulating layer and having an end portion of
  • the second light emitting layer includes a region that is provided on the inclined surface of the second opening provided in the insulating layer and overlaps the first light emitting layer.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a display device according to an embodiment of the present invention when viewed from above;
  • FIG. It is an enlarged view of a pixel layout when the display device is viewed in plan.
  • 3 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 2 taken along line A1-A2;
  • FIG. 4 is an enlarged view of a part of the cross-sectional view shown in FIG. 3;
  • 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention
  • 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention
  • 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention
  • 1 is a pixel layout diagram when a display device according to an embodiment of the present invention is viewed from above.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 8 taken along line B1-B2;
  • FIG. It is an enlarged view of a pixel layout when the display device is viewed in plan.
  • 11 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG.
  • FIG. 10 taken along line C1-C2;
  • FIG. It is an enlarged view of a pixel layout when the display device is viewed in plan.
  • 13 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 12 taken along line D1-D2;
  • FIG. It is an enlarged view of a pixel layout when the display device is viewed in plan.
  • 15 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 14 taken along line E1-E2;
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the invention;
  • FIG. It is an enlarged view of a pixel layout when a conventional display area is viewed in plan.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of the display area shown in FIG. 18 taken along line F1-F2; 20 is an enlarged view of a part of the cross-sectional view shown in FIG. 19; FIG. FIG. 19 is a cross-sectional view of the display area shown in FIG. 18 taken along line F1-F2; 22 is an enlarged view of a part of the cross-sectional view shown in FIG. 21; FIG. It is a display device sectional view.
  • these films when one film is processed to form a plurality of films, these films may have different functions and roles. However, these films are derived from films formed as the same layer in the same process, and have the same layer structure and the same material. Therefore, these multiple films are defined as existing in the same layer.
  • FIG. 1 A display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 17.
  • FIG. 1 A display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 17.
  • FIG. 1 A display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 17.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a display device 100 according to an embodiment of the present invention, showing the schematic configuration when the display device 100 is viewed from above.
  • the state of viewing the display device 100 from a direction perpendicular to the screen (display area) is referred to as “planar view”.
  • the display device 100 has a display area 102 formed on an insulating surface, a scanning line driving circuit 104, a driver IC 106, and a terminal section in which a plurality of terminals 107 are arranged.
  • a light-emitting element having an organic layer made of an organic material is arranged in the display area 102 .
  • a peripheral area 103 surrounds the display area 102 .
  • the driver IC 106 functions as a control section that gives signals to the scanning line driving circuit 104 and the data line driving circuit.
  • the data line driving circuit may be provided with a sampling switch or the like on the substrate 101 separately from the driver IC 106 .
  • the driver IC 106 is provided on the flexible printed circuit (FPC) 108, but may be provided on the substrate 101.
  • the flexible printed circuit 108 is connected to a plurality of terminals 107 provided in the peripheral area 103 .
  • the insulating surface is the surface of the substrate 101.
  • the substrate 101 supports each layer provided on its surface, such as an insulating layer and a conductive layer.
  • the substrate 101 itself may be made of an insulating material and have an insulating surface, or an insulating film may be separately formed on the substrate 101 to form the insulating surface.
  • the material of the substrate 101 and the material forming the insulating film are not particularly limited.
  • a plurality of pixels 105 are arranged in a matrix in the X direction and the Y direction.
  • a pixel refers to a minimum unit capable of displaying a desired color in the display area 102 .
  • Each pixel 105 has a pixel circuit and a light-emitting element electrically connected to the pixel circuit.
  • a light-emitting element includes a pixel electrode, an organic layer (light-emitting portion) including a light-emitting layer laminated on the pixel electrode, and a counter electrode.
  • the light emitting elements included in the pixel 105 emit lights of different colors.
  • the pixel 105 emits any color of a red light-emitting element, a green light-emitting element, or a blue light-emitting element.
  • the color emitted by the light-emitting element is not limited to the above, and at least one color or more may be used.
  • R indicates a component included in a red light-emitting element
  • G indicates a component included in a green light-emitting element
  • B indicates a component included in a blue light-emitting element.
  • the emission peak wavelength of the blue light-emitting element is 460 nm or more and 500 nm or less.
  • the emission peak wavelength of the red light emitting element is 610 nm or more and 780 nm or less.
  • the emission peak wavelength of the green light emitting element is 500 nm or more and 570 nm or less.
  • a scanning line 111 and a data line 113 are electrically connected to each pixel 105 .
  • Each pixel 105 is electrically connected to a power supply line (not shown).
  • the scanning lines 111 extend along the X direction and are electrically connected to the scanning line driving circuit 104 .
  • the data line 113 extends along the Y direction and is electrically connected to the driver IC 106 .
  • the driver IC 106 also outputs scanning signals to the scanning lines 111 via the scanning line driving circuit 104 .
  • Driver IC 106 outputs a data signal corresponding to image data to data line 113 .
  • a pixel circuit is composed of a plurality of transistors.
  • a transistor a thin film transistor (TFT) can be typically used.
  • TFT thin film transistor
  • any element may be used as long as it is an element having a current control function, not limited to a thin film transistor.
  • FIG. 2 is an enlarged view of the pixel layout when the display device 100 is viewed from above
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the pixel layout shown in FIG. 2 cut along line A1-A2.
  • 4 is an enlarged view of a part of the cross-sectional view shown in FIG. 3.
  • FIG. In this embodiment, the configuration of a top emission display device will be described.
  • FIG. 2 shows regions where the pixels 105R, 105G, and 105B are provided.
  • the pixel 105R and the pixel 105B are arranged side by side in the X direction.
  • the pixel 105G and the pixel 105B are arranged side by side in the X direction.
  • the pixel 105R and the pixel 105G are arranged side by side in the Y direction.
  • regions indicated by solid lines are regions where the light-emitting layers 132R, 132G, and 132B are provided.
  • Areas surrounded by dotted lines are areas where openings 120R, 120G, and 120B are provided in the insulating layer.
  • the insulating layer is also called a partition wall or a bank.
  • the openings 120R, 120G and 120B provided in the insulating layer correspond to light emitting regions when the light emitting elements 130R, 130G and 130B actually emit light.
  • the light emitting elements 130R, 130G, and 130B are referred to as the light emitting elements 130 when they are not distinguished from each other. The same applies to the components of the light emitting elements 130R, 130G, and 130B.
  • FIG. 3 shows cross-sectional views of the pixels 105R, 105G, and 105B.
  • a plurality of transistors 110 are provided over the substrate 101 with an insulating film 112 interposed therebetween.
  • a pixel circuit is configured by the plurality of transistors 110 .
  • a transistor 110 includes at least a semiconductor layer 114 , a gate insulating film 115 , and a gate electrode 116 .
  • An interlayer insulating film 121 is provided over the transistor 110 .
  • Source or drain electrodes 117 and 118 are provided on the interlayer insulating film 121 . Each of source or drain electrodes 117 and 118 is connected to semiconductor layer 114 through a contact hole provided in interlayer insulating film 121 .
  • An insulating film 122 is provided on the interlayer insulating film 121 .
  • the insulating film 122 can reduce unevenness caused by the transistor 110 and the source or drain electrodes 117 and 118 .
  • the plurality of transistors 110 provided over the substrate 101 and the interlayer insulating film 121 and the insulating film 122 provided over the transistors 110 are formed using known materials and methods. 4 and subsequent figures, illustration of the configuration of the pixel circuit provided below the insulating film 122 is omitted.
  • the pixel 105R is provided with a light emitting element 130R
  • the pixel 105G is provided with a light emitting element 130G
  • the pixel 105B is provided with a light emitting element 130B.
  • the light emitting element 130R has at least a pixel electrode 124R, a light emitting layer 132R, and a counter electrode 136.
  • the light emitting element 130G has at least a pixel electrode 124G, a light emitting layer 132G, and a counter electrode 136.
  • the light-emitting element 130B has at least a pixel electrode 124B, a light-emitting layer 132B, and a counter electrode 136.
  • a common layer 128 is provided between the pixel electrodes 124R, 124G, 124B and the light emitting layers 132R, 132G, 132B.
  • a common layer 134 is provided between the light emitting layers 132R, 132G, 132B and the counter electrode 136. As shown in FIG. The common layers 128 and 134 are commonly provided over the light emitting elements 130R, 130G and 130B.
  • the pixel electrodes 124R, 124G, 124B are anodes and the counter electrode 136 is a cathode.
  • Common layer 128 includes at least one of a hole transport layer and a hole injection layer, and common layer 134 includes at least one of an electron transport layer and an electron injection layer.
  • the pixel electrodes 124R, 124G, and 124B are each electrically connected to the transistor 110 included in the pixel circuit.
  • the light-emitting layer 132R overlaps with the first end of the light-emitting layer 132B.
  • the light emitting layer 132G overlaps so as to overlap with the second end of the light emitting layer 132B.
  • the first end of the light emitting layer 132B is provided so as to be close to the opening 120R of the light emitting element 130R.
  • the second end of the light emitting layer 132B is provided so as to be close to the opening 120G of the light emitting element 130G.
  • the first end of the light emitting layer 132B is provided on the inclined surface 126-1 of the opening 120R of the insulating layer 126. As shown in FIG.
  • the second end of the light emitting layer 132B is provided on the inclined surface 126-3 of the opening 120G of the insulating layer 126.
  • the end portion of the light-emitting layer in this specification and the like means the outer edge of the light-emitting layer when the display device 100 is viewed from above.
  • a state in which the display device 100 is cut along a plane or a curved surface that intersects the insulating surface and the cut surface is viewed in a direction parallel to the screen is referred to as a “cross-sectional view”.
  • lateral leakage current may cause the light-emitting layers of adjacent pixels to emit light, degrading the display quality of the EL display device.
  • FIG. 18 to 22 illustration of the configuration of the pixel circuit provided below the insulating film 222 is omitted.
  • FIG. 18 is an enlarged view of the pixel layout when the conventional display device 200 is viewed from above
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of the display device 200 shown in FIG. 18 taken along line F1-F2.
  • FIG. 20 is an enlarged view when a part of the cross-sectional view shown in FIG. 19 is enlarged.
  • FIG. 18 shows regions where pixels 205R, 205G, and 205B are provided.
  • the pixel 205R and the pixel 205B are arranged side by side in the X direction.
  • the pixel 205G and the pixel 205B are arranged side by side in the X direction.
  • regions indicated by solid lines are regions where the light-emitting layers 232R, 232G, and 232B are provided.
  • Areas surrounded by dotted lines are areas where openings 220R, 220G, and 220B of the insulating layer are provided.
  • the openings 220R, 220G, 220B provided in the insulating layer correspond to light emitting regions when the light emitting elements 230R, 230G, 230B actually emit light.
  • the light emitting elements 230R, 230G, and 230B are referred to as the light emitting elements 230 when they are not distinguished from each other. The same applies to the components of the light emitting elements 230R, 230G, and 230B.
  • the luminescent layer 232R and the luminescent layer 232B partly overlap in the boundary region between the adjacent pixels 205R and 205B.
  • the light-emitting layer 232B and the light-emitting layer 232G partially overlap each other in the boundary region between the adjacent pixels 205B and 205G.
  • FIG. 19 shows a cross-sectional view of pixels 205R, 205G, and 205B.
  • the pixel 205R is provided with the light emitting element 230R
  • the pixel 205G is provided with the light emitting element 230G
  • the pixel 205B is provided with the light emitting element 230B.
  • the light-emitting element 230R has at least a pixel electrode 224R, a light-emitting layer 232R, and a counter electrode 236.
  • the light emitting element 230G has at least a pixel electrode 224G, a light emitting layer 232G, and a counter electrode 236. As shown in FIG.
  • the light-emitting element 230B has at least a pixel electrode 224B, a light-emitting layer 232B, and a counter electrode 236.
  • FIG. A common layer 228 is provided between the pixel electrodes 224R, 224G, 224B and the light emitting layers 232R, 232G, 232B.
  • a common layer 234 is provided between the light emitting layers 232R, 232G, 232B and the counter electrode 136. As shown in FIG. The common layers 228 and 234 are commonly provided over the light emitting elements 230R, 230G and 230B (over the display area).
  • the pixel electrodes 224R, 224G, 224B are anodes and the counter electrode 236 is a cathode.
  • common layer 228 includes at least one of a hole transport layer and a hole injection layer
  • common layer 234 includes at least one of an electron transport layer and an electron injection layer.
  • the regions provided with the light-emitting layers are separated from each other so as not to overlap each other.
  • the openings 220R, 220G, and 220B need to be formed sufficiently apart from each other, which reduces definition.
  • the areas provided with the light-emitting layers may overlap each other. As shown in FIGS. 18 to 20, in a region where the pixel 205B and the pixel 205R are adjacent to each other, part of the light emitting layer 232B and part of the light emitting layer 232R may overlap.
  • FIG. 20 shows an enlarged region 250A where the pixels 205B and 205R are adjacent to each other.
  • a light emitting layer 232B and a light emitting layer 232R are provided on the insulating layer 226, on the common layer 228, a light emitting layer 232B and a light emitting layer 232R are provided. Part of the light emitting layer 232B overlaps part of the light emitting layer 232R.
  • the light emission start voltage of the light emitting layer 232B is higher than the light emission start voltages of the light emitting layers 228R and 232G. Therefore, when the light emitting element 230B emits light, a large voltage is applied to the light emitting layer 232B, and holes in the common layer 228 laterally move from the pixel 205B toward the pixels 205R and 205G.
  • the light-emitting layer 232B When the light-emitting layer 232B exhibits hole-transport properties, holes pass through the light-emitting layer 232B in the thickness direction. Therefore, the light emitting layer 232R emits light at the edge of the light emitting layer 232R.
  • the light-emitting layer 232B exhibits an electron-transport property, holes do not pass through the thickness direction of the light-emitting layer 232B but move in the lateral direction. Therefore, the light emitting layer 232R emits light near the edge of the light emitting layer 232B.
  • a place where unintended light emission occurs is referred to as a starting point of light emission.
  • the light emission start voltage of the light emitting layer 232R and the light emission start voltage of the light emitting layer 232G are approximately the same. Therefore, even if the light-emitting element 230G emits light, holes in the common layer 228 are prevented from moving laterally from the pixel 205G to the pixels 205R and 205B. Therefore, in the region where the end portion of the light emitting layer 232G and the end portion of the light emitting layer 232R overlap, the end portion of the light emitting layer 232G and the light emitting layer 232R do not emit light.
  • a part of the light emitting layer 232B and a part of the light emitting layer 232R may be separated.
  • FIG. 22 shows an enlarged area 250B where the pixels 205B and 205R are adjacent to each other.
  • a light-emitting layer 232B and a light-emitting layer 232R are provided on the insulating layer 226 and on the common layer 228 .
  • the end of the light emitting layer 232B is separated from the end of the light emitting layer 232R.
  • the light emission start voltage of the light emitting layer 132B is higher than the light emission start voltages of the light emitting layers 228G and 132R.
  • the light-emitting element 230B emits light
  • a large voltage is applied to the light-emitting layer 232B, and holes in the common layer 228 laterally move from the pixel 205B toward the pixels 205G and 205R.
  • the light-emitting layer 232B exhibits hole-transport properties, holes pass through the light-emitting layer 232B in the thickness direction. Therefore, the light emitting layer 232R emits light at the edge of the light emitting layer 232R.
  • the light-emitting layer 232B exhibits an electron-transport property, holes do not pass through the thickness direction of the light-emitting layer 232B but move in the lateral direction. Therefore, even if the end of the light emitting layer 232R is separated from the end of the light emitting layer 232B, the light emitting layer 232R will emit light.
  • the light emitting layer 232B and the light emitting layers 232R and 232G adjacent to the light emitting layer 232B may or may not overlap with each other.
  • it is conceivable to prevent lateral leak current by designing the light-emitting layers 232R, 232G, and 232B so as to match the light-emission start voltages.
  • the characteristics of the light emitting element and the design for suppressing carrier injection into the light emitting layer are required, resulting in a trade-off between the characteristics of the light emitting element.
  • the starting point of light emission differs depending on the stacking order of the common layer 228 and the light emitting layers 232R, 232G, and 232B.
  • the intensity of the lateral leakage current depends on the distance from the light emitting region of the light emitting element 230B. Therefore, when the distance between the light emitting region of the light emitting element 230B and the edge of the light emitting layer 232B is small, the intensity of the leak current increases. Therefore, the intensity of unintended light emission from the light emitting layer 132R and the light emitting layer 132G provided overlapping with or separated from the edge of the light emitting layer 232B also increases.
  • the light-emitting layers 132R and 132G of the light-emitting elements 130R and 130G having a lower light emission start voltage are positioned further apart from the light-emitting element 130B in the regions where the light-emitting layers 132R and 132G do not overlap the light-emitting layer 132B.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when part of the cross-sectional view shown in FIG. 3 is enlarged.
  • FIG. 4 shows an enlarged boundary region between the light emitting element 130B and the light emitting element 130R.
  • the end portion 132B-1 of the light emitting layer 132B is provided so as to be close to the light emitting region (opening 120R) of the light emitting element 130R.
  • the end portion 132B-1 of the light emitting layer 132B is provided on the inclined surface 126-1 of the opening 120R provided in the insulating layer 126.
  • the end portion 132R-1 of the light emitting layer 132R overlaps with the light emitting layer 132B.
  • d1 be the distance from the end of the opening 120B to the end of the opening 120R.
  • the end portion of the opening 120B refers to the portion in contact with the pixel electrode 124B.
  • the end portion of the opening 120R refers to the portion in contact with the pixel electrode 124R.
  • the end 132R-1 of the light emitting layer 132R is provided closer to the opening 120B than the intermediate portion d1/2 between the end of the opening 120R and the end of the opening 120B.
  • the edge of the light-emitting layer 132B adjacent to the light-emitting layer 132G is similar to the edge 132B-1 of the light-emitting layer 132B. That is, the end portion 132B-1 of the light emitting layer 132B is provided so as to be close to the light emitting region (opening 120G) of the light emitting element 130G. The end portion 132B-1 of the light emitting layer 132B is provided on the inclined surface 126-3 of the opening 120G provided in the insulating layer 126. As shown in FIG. An end portion of the light emitting layer 132G overlaps with the light emitting layer 132B.
  • d2 be the distance from the end of the opening 120B to the end of the opening 120G.
  • the end portion of the opening 120G refers to the portion in contact with the pixel electrode 124G.
  • the end of the light emitting layer 132G is provided closer to the opening 120B than the intermediate portion d2/2 between the end of the opening 120G and the end of the opening 120B.
  • the light-emitting region of the light-emitting element 130B is separated from the edge of the light-emitting layer 132B where unintended light emission is likely to occur, thereby reducing the distance between the light-emitting region of the light-emitting element 130B and the edge of the light-emitting layer 132B. You can make it bigger. Therefore, the intensity of lateral leak current from the light emitting element 130B can be reduced at the end of the light emitting layer 132B. Accordingly, it is possible to suppress unintended light emission from occurring in the light emitting layer 132R or the light emitting layer 132G.
  • the light-emitting layer 132B in contact with the common layer 128 including at least one of the hole-transporting layer and the hole-injecting layer preferably contains an electron-transporting light-emitting material.
  • the light emitting element 130B emits light
  • holes in the common layer 128 can be prevented from passing through the thickness direction of the light emitting layer 132B. Holes laterally pass through the edge of the light emitting layer 132B, so that the intensity of the lateral leakage current can be further reduced. Accordingly, it is possible to suppress unintended light emission from occurring in the light emitting layer 132R or the light emitting layer 132G.
  • a sealing film may be provided on the light emitting elements 130R, 130G, and 130B.
  • the sealing film is formed by combining an inorganic insulating film and an organic insulating film. As a result, it is possible to prevent moisture from entering the organic layers including the light emitting layer 132 and the common layers 128 and 134 of the light emitting elements 130R, 130G and 130B.
  • a transistor forming a pixel circuit is provided on the substrate 101.
  • FIG. Note that a known transistor manufacturing method may be applied to the manufacturing method of the pixel circuit formed on the substrate 101, so detailed description thereof will be omitted.
  • An interlayer insulating film containing at least one of silicon oxide and silicon nitride is formed over the transistor.
  • a source electrode and a drain electrode are formed on the interlayer insulating film.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the steps of forming the insulating film 122, the pixel electrodes 124R, 124G, 124B, and the insulating layer 126.
  • the insulating film 122 functions as a planarizing film.
  • the insulating film 122 is composed of an organic resin material.
  • the organic resin material known organic resin materials such as polyimide, polyamide, acrylic, epoxy, or siloxane can be used.
  • By providing the insulating film 122 over the transistor or the interlayer insulating film unevenness of the transistor can be reduced.
  • a contact hole is formed in the insulating film 122 .
  • pixel electrodes 124R, 124G, and 124B are formed on the insulating film 122. Each of the pixel electrodes 124R, 124G, and 124B is electrically connected to the source electrode or drain electrode connected to the transistor through a contact hole provided in the insulating film 122.
  • a laminated structure of a transparent conductive layer having a high work function such as an indium oxide-based transparent conductive layer (eg, ITO) or a zinc oxide-based transparent conductive layer (eg, IZO, ZnO), and a metal film.
  • ITO indium oxide-based transparent conductive layer
  • ZnO zinc oxide-based transparent conductive layer
  • An insulating layer 126 made of an organic resin material is formed on the pixel electrodes 124R, 124G, and 124B.
  • the organic resin material known organic resin materials such as polyimide, polyamide, acrylic, epoxy, or siloxane can be used.
  • the insulating layer 126 has openings 120R, 120G, and 120B in a portion above the pixel electrode 124R, a portion of the pixel electrode 124G, and a portion of the pixel electrode 124B, respectively.
  • the insulating layer 126 is provided between the adjacent pixel electrodes 124R, 124G, and 124B so as to cover the edges of the pixel electrodes 124R, 124G, and 124B.
  • the insulating layer 126 functions as a member separating the adjacent pixel electrodes 124R, 124G, and 124B. For this reason, the insulating layer 126 is also generally called a "partition wall" or a "bank”. Parts of the pixel electrodes 124R, 124G, and 124B exposed by the openings 120R, 120G, and 120B of the insulating layer 126 become light emitting regions of the light emitting elements 130R, 130G, and 130B.
  • the openings 120R, 120G, and 120B of the insulating layer 126 preferably have tapered inner walls. This can reduce poor coverage at the ends of the pixel electrodes 124R, 124G, and 124B when forming the common layer 128 and the light-emitting layers 132R, 132G, and 132B, which will be described later.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the steps of forming the common layer 128 and the light emitting layer 132B.
  • a common layer 128 is formed on the pixel electrodes 124 R, 124 G, 124 B and the insulating layer 126 .
  • Common layer 128 includes at least one of a hole transport layer and a hole injection layer. Known materials may be appropriately used for the hole transport layer and the hole injection layer.
  • the light emitting layer having the highest light emission start voltage among the light emitting layers 132R, 132G, and 132B is higher than the light emission start voltages of the light emitting layers 132R and 132G. Therefore, on the common layer 128, the light emitting layer 132B is first formed.
  • the end portion 132B-1 of the light emitting layer 132B is formed so as to be provided on the inclined surface 126-1 of the opening 120R provided in the insulating layer 126.
  • the end portion 132B-1 of the light emitting layer 132B is formed so as to be provided on the inclined surface 126-3 of the opening portion 120G provided in the insulating layer 126.
  • the light-emitting layer 132B is preferably a light-emitting material having an electron-transport property, and known materials may be used as appropriate.
  • FIG. 7A and 7B are diagrams for explaining the steps of forming the light emitting layer 132R, the light emitting layer 132G, and the common layer 134.
  • FIG. A light emitting layer 132R is formed in the opening 120R.
  • a first end of the light emitting layer 132R is formed to overlap the light emitting layer 132B.
  • the first end of the light-emitting layer 132R is located from the intermediate portion d1/2 between the end of the opening 120B on the inclined surface 126-2 side and the end of the opening 120R on the inclined surface 126-1 side. are also provided on the opening 120B side.
  • a light emitting layer 132G is formed in the opening 120G.
  • a first end of the light emitting layer 132G is formed to overlap the light emitting layer 132B. Specifically, the first end of the light-emitting layer 132G is located from the intermediate portion d2/2 between the end of the opening 120B on the inclined surface 126-2 side and the end of the opening 120G on the inclined surface 126-3 side. are also provided on the opening 120B side.
  • Common layer 134 is formed on the light emitting layers 132R, 132G, and 132B.
  • Common layer 134 includes at least one of an electron transport layer and an electron injection layer. Known materials may be appropriately used for the electron-transporting layer and the electron-injecting layer.
  • the display device 100 shown in FIG. 3 can be formed.
  • the present invention is not limited to this.
  • the light emission start voltage of the light emitting layer 132R and the light emission start voltage of the light emitting layer 132G are approximately the same, either layer may be formed first.
  • the light emitting layer having the higher light emission start voltage may be formed first.
  • the overlap between the edge of the adjacent light-emitting layer 132R and the edge of the light-emitting layer 132G is not illustrated, but the edge of the adjacent light-emitting layer 132R and the edge of the light-emitting layer 132G overlap. may be the same, or they may not overlap. If the light emission start voltage of the light emitting layer 132R and the light emission start voltage of the light emitting layer 132G are approximately the same, even if the light emitting element 130R or the light emitting element 130G emits light, the lateral direction from the light emitting layer 132R and the light emitting layer 132G This is because the influence of the leakage current of is small.
  • the display device 100 is not limited to the configurations shown in FIGS.
  • the arrangement of pixels 105R, 105G, and 105B is not limited to the arrangement of pixels 105R, 105G, and 105B shown in FIG.
  • FIG. 8 display devices 100A to 100F according to modified examples 1 to 6, in which some of the constituent elements of the display device 100 are changed, will be described with reference to FIGS. 8 to 17.
  • FIG. The display devices 100A to 100E according to Modifications 1 to 5 differ from the display device 100 in the arrangement of the light emitting layers 132R, 132G, and 132B.
  • the display device 100 ⁇ /b>F according to Modification 6 differs from the display device 100 in the arrangement of the anodes and the cathodes.
  • FIG. 8 is a pixel layout diagram when the display device 100A according to one embodiment of the present invention is viewed from above.
  • 9 is a cross-sectional view of the display device 100A shown in FIG. 8 taken along the line B1-B2.
  • Modification 1 describes a case where the light emission start voltage of the light emitting layer 132R is higher than the light emission start voltages of the light emitting layers 132G and 132B.
  • FIG. 8 shows regions where the pixels 105R, 105G, and 105B are provided in the display device 100A.
  • the stacking order of the light-emitting layers 132R, 132G, and 132B is different from that in the display device 100.
  • the overlapping region of the light emitting layers 132R and 132G and the overlapping region of the light emitting layers 132R and 132B are different from the display device 100.
  • the light emitting layer 132R is first provided on the common layer 128, the light emitting layer 132R is first provided.
  • a first end of the light emitting layer 132R is provided so as to be close to the light emitting region (opening 120G) of the light emitting element 130G.
  • a first end of the light emitting layer 132R is provided on the inclined surface 126-4 of the opening 120G provided in the insulating layer 126.
  • the second end of the light emitting layer 132R is provided so as to be close to the light emitting region (opening 120B) of the light emitting element 130B.
  • a first end of the light emitting layer 132R is provided on the inclined surface 126-2 of the opening 120B provided in the insulating layer 126.
  • the light-emitting layer 132R is preferably made of a light-emitting material having an electron-transport property, and known materials can be used as appropriate.
  • a light emitting layer 132G is provided in the opening 120G.
  • a first end of the light emitting layer 132G is provided so as to be close to the light emitting region (opening 120R) of the light emitting element 130R.
  • a first end of the light emitting layer 132G is formed to overlap the light emitting layer 132R.
  • Let d3 be the distance from the end of the opening 120R to the end of the opening 120G.
  • the first end of the light emitting layer 132G is provided closer to the opening 120R than the intermediate portion d3/2 between the end of the opening 120R and the end of the opening 120G.
  • a light emitting layer 132B is formed in the opening 120B.
  • a first end of the light emitting layer 132B is formed to overlap with the light emitting layer 132R.
  • the first end of the light emitting layer 132B is provided closer to the opening 120R than the intermediate portion d1/2 between the end of the opening 120B and the end of the opening 120R.
  • the distance between the light emitting region of the light emitting element 130R and the edge of the light emitting layer 132R can be reduced. You can make it bigger. Therefore, the intensity of the lateral leak current from the light emitting element 130R can be reduced at the edge of the light emitting layer 132R. Accordingly, unintended light emission in the light emitting layer 132G or the light emitting layer 132B can be suppressed.
  • the light-emitting layer 132R which is in contact with the common layer 128 including at least one of the hole-transporting layer and the hole-injecting layer, preferably contains an electron-transporting light-emitting material.
  • the light emitting element 130R emits light
  • holes in the common layer 128 can be prevented from passing through the thickness direction of the light emitting layer 132R. Holes laterally pass through the edge of the light emitting layer 132R, so that the intensity of the lateral leakage current can be further reduced. Accordingly, unintended light emission in the light emitting layer 132G or the light emitting layer 132B can be suppressed.
  • FIG. 10 is a pixel layout diagram when the display device 100B according to one embodiment of the present invention is viewed from above.
  • 11 is a cross-sectional view of the display device 100A shown in FIG. 10 taken along line C1-C2.
  • Modification 2 describes a case where the light emission start voltage of the light emitting layer 132G is higher than the light emission start voltages of the light emitting layers 132R and 132B.
  • FIG. 10 shows regions where pixels 105R, 105G, and 105B are provided in the display device 100B.
  • the stacking order of the light-emitting layers 132R, 132G, and 132B is different from that in the display device 100.
  • the overlapping region of the light emitting layers 132G and 132B and the overlapping region of the light emitting layers 132G and 132R are different from the display device 100.
  • the second end of the light emitting layer 132G is provided on the inclined surface 126-5 of the opening 120R provided in the insulating layer 126.
  • the light-emitting layer 132G is preferably a light-emitting material having an electron-transport property, and known materials can be used as appropriate.
  • a light-emitting layer 132B is provided in the opening 120B.
  • a first end of the light emitting layer 132B is provided so as to be close to the light emitting region (opening 120G) of the light emitting element 130G.
  • a first end of the light emitting layer 132B is formed to overlap with the light emitting layer 132G.
  • the first end of the light emitting layer 132B is provided closer to the opening 120G than the intermediate portion d2/2 between the end of the opening 120B and the end of the opening 120G.
  • a light emitting layer 132R is formed in the opening 120R.
  • a first end of the light emitting layer 132R is formed to overlap the light emitting layer 132G.
  • the first end of the light emitting layer 132R is provided closer to the opening 120R than the intermediate portion d3/2 between the end of the opening 120G and the end of the opening 120R.
  • the distance between the light emitting region of the light emitting element 130G and the edge of the light emitting layer 132G is reduced. You can make it bigger. Therefore, the intensity of lateral leak current from the light emitting element 130G can be reduced at the edge of the light emitting layer 132G. Accordingly, it is possible to suppress unintended light emission from occurring in the light emitting layer 132R or the light emitting layer 132B.
  • the light-emitting layer 132G which is in contact with the common layer 128 including at least one of the hole-transporting layer and the hole-injecting layer, preferably contains an electron-transporting light-emitting material.
  • the light emitting element 130G emits light
  • holes in the common layer 128 can be prevented from passing through the thickness direction of the light emitting layer 132G. Holes laterally pass through the edge of the light emitting layer 132G, so that the intensity of the lateral leakage current can be further reduced. Accordingly, it is possible to suppress unintended light emission from occurring in the light emitting layer 132R or the light emitting layer 132B.
  • FIG. 12 is a pixel layout diagram when the display device 100C according to one embodiment of the present invention is viewed from above.
  • 13 is a cross-sectional view of the display device 100A shown in FIG. 12 taken along line D1-D2.
  • the light emission start voltage of the light emitting layer 132B is higher than the light emission start voltages of the light emitting layers 132R and 132G
  • the light emission start voltage of the light emitting layer 132G is higher than the light emission start voltage of the light emitting layer 132R. do.
  • FIG. 12 shows regions where the pixels 105R, 105G, and 105B are provided in the display device 100C.
  • the stacking order of the light-emitting layers 132R, 132G, and 132B is different from that in the display device 100.
  • the overlapping region of the light-emitting layers 132B and 132G and the overlapping region of the light-emitting layers 132G and 132R are different from the display device 100.
  • the light emitting layer having the highest light emission start voltage among the light emitting layers 132R, 132G, and 132B is provided on the common layer 128. Therefore, on the common layer 128, the light emitting layer 132B is provided first. In FIG. 11, the region where the light-emitting layer 132B is provided is the same as the region where the light-emitting layer 132B shown in FIG. 3 is provided. Further, the light-emitting layer 132B is preferably a light-emitting material having an electron-transport property, and known materials can be used as appropriate.
  • a light-emitting layer 132G whose light emission start voltage is second highest to that of the light-emitting layer 132B is provided in the opening 120G.
  • the region where the light emitting layer 132G is provided is provided such that the first end of the light emitting layer 132G is close to the light emitting region (opening 120B) of the light emitting element 130B.
  • a first end of the light emitting layer 132G is formed so as to be provided on the inclined surface 126-2 of the opening 120B provided in the insulating layer 126.
  • the light-emitting layer 132G is preferably a light-emitting material having an electron-transport property, and known materials can be used as appropriate.
  • a light emitting layer 132R is provided in the opening 120R.
  • the first end of the light emitting layer 132R is provided closer to the opening 120B than the intermediate portion d1/2 between the end of the opening 120R and the end of the opening 120B.
  • the second end of the light emitting layer 132G is provided on the inclined surface 126-5 of the opening 120R provided in the insulating layer 126. formed to be
  • the light-emitting region of the light-emitting element 130B is separated from the edge of the light-emitting layer 132B where unintended light emission is likely to occur. You can make it bigger. Therefore, the intensity of lateral leak current from the light emitting element 130B can be reduced at the end of the light emitting layer 132B. Furthermore, by providing a distance between the light emitting region of the light emitting element 130G and the edge of the light emitting layer 132G where unintended light emission is likely to occur, the distance between the light emitting region of the light emitting element 130G and the edge of the light emitting layer 132G can be increased. can be done. Therefore, the intensity of lateral leak current from the light emitting element 130G can be reduced at the edge of the light emitting layer 132G. This can further suppress unintended light emission in the light emitting layer 132G or the light emitting layer 132R.
  • the case where the light emitting layers 132B, 132G, and 132R are formed in the order of higher light emission start voltage has been described, but one embodiment of the present invention is not limited to this.
  • the light emission start voltage is higher in the order of the light emitting layers 132B, 132R and 132G, the light emitting layers 132B, 132R and 132G may be formed in this order.
  • FIG. 14 is a pixel layout diagram when the display device 100D according to one embodiment of the present invention is viewed from above.
  • Modification 4 describes the case where the light-emitting layers 132R, 132G, and 132B are arranged in stripes.
  • Modification 4 describes a case where the light emission start voltage of the light emitting layer 132B is higher than the light emission start voltages of the light emitting layers 132R and 132G.
  • FIG. 14 shows regions where pixels 105R, 105G, and 105B are provided. Pixels 105R, 105G, and 105B are arranged side by side in the X direction. The plurality of pixels 105R, the plurality of pixels 105G, and the plurality of pixels 105B are arranged side by side in the Y direction. In the display device 100D, the stacking order of the light-emitting layers 132R, 132G, and 132B is the same as in the display device 100. FIG.
  • the end of the light-emitting layer 132B is provided so as to approach the opening 120G of the light-emitting layer 132G. Since the end of the light-emitting layer 132B is separated from the light-emitting region of the light-emitting layer 132B, unintended light emission in the light-emitting layer 132R can be suppressed.
  • the edge of the light-emitting layer 132B is provided so as to approach the opening 120G of the light-emitting layer 132G. Since the end of the light-emitting layer 132B is separated from the light-emitting region of the light-emitting layer 132B, unintended light emission in the light-emitting layer 132G can be suppressed.
  • the light-emitting region of the light-emitting element 130B is separated from the edge of the light-emitting layer 132B where unintended light emission is likely to occur. You can make it bigger. Therefore, the intensity of lateral leak current from the light emitting element 130B can be reduced at the end of the light emitting layer 132B. This can further suppress unintended light emission in the light emitting layer 132G or the light emitting layer 132R.
  • FIG. 15 is a pixel layout diagram when the display device 100E according to one embodiment of the present invention is viewed from above. Modification 5 describes a case where light emitting elements 130R, 130G, and 130B are arranged in a pentile shape.
  • FIG. 15 shows regions where pixels 105R, 105G, and 105B are provided.
  • a plurality of pixels 105G are arranged side by side in the X direction.
  • the pixel 105G and the pixel 105B are arranged side by side in the X direction.
  • the pixel 105G and the pixel 105B are arranged side by side in the ⁇ direction with respect to the X direction.
  • the pixel 105G and the pixel 105R are arranged side by side in the ⁇ direction with respect to the X direction.
  • the stacking order of the light-emitting layers 132R, 132G, and 132B is the same as in the display device 100.
  • the edge of the light-emitting layer 132B is provided so as to approach the opening 120G of the light-emitting layer 132G. Therefore, since the end of the light-emitting layer 132B is separated from the light-emitting region of the light-emitting layer 132B, unintended light emission in the light-emitting layer 132G can be suppressed.
  • the edge of the light-emitting layer 132B is not provided close to the opening 120R of the light-emitting layer 132R.
  • the end of the light emitting layer 132B is sufficiently separated from the light emitting region of the light emitting element 130B, unintended light emission in the light emitting layer 132R can be suppressed.
  • the end of the light emitting layer 132B may be provided so as to be close to the opening 120R of the light emitting layer 132R.
  • the light-emitting region of the light-emitting element 130B is separated from the edge of the light-emitting layer 132B where unintended light emission is likely to occur. You can make it bigger. Therefore, the intensity of lateral leak current from the light emitting element 130B can be reduced at the end of the light emitting layer 132B. This can further suppress unintended light emission in the light emitting layer 132G or the light emitting layer 132R.
  • the light emitting elements 130R and 130B are positioned so that their light emitting layers overlap each other only at the corners. In such a positional relationship, the influence of lateral leak current generation is small compared to the light-emitting elements 130G and 130B, which are positioned so that the sides of the light-emitting regions are parallel and adjacent to each other.
  • the stacking order of the light-emitting layers 132R, 132G, and 132B is not limited.
  • the light emitting layer having the highest light emission start voltage may be provided at the bottom.
  • the light-emitting layer having the highest light emission start voltage is preferably made of a light-emitting material having an electron-transport property.
  • FIG. 16 is a pixel layout diagram when the display device 100F according to one embodiment of the present invention is viewed from above.
  • 17 is a cross-sectional view of the display device 100A shown in FIG. 16 taken along line E1-E2.
  • Modification 2 describes a case where the light emission start voltage of the light emitting layer 132B is higher than the light emission start voltages of the light emitting layers 132R and 132G.
  • FIG. 16 shows areas where the pixels 105R, 105G, and 105B are provided.
  • the arrangement of pixels 105R, 105G, and 105B is the same as the arrangement of pixels shown in FIG.
  • FIG. 17 shows a cross-sectional view of pixels 105R, 105G, and 105B.
  • the pixel 105R is provided with the light emitting element 160R
  • the pixel 105G is provided with the light emitting element 160G
  • the pixel 105B is provided with the light emitting element 160B.
  • the light emitting element 160R has at least a pixel electrode 142R, a light emitting layer 132R, and a counter electrode 144.
  • the light emitting element 160G has at least a pixel electrode 142G, a light emitting layer 132G, and a counter electrode 144.
  • the light-emitting element 160B has at least a pixel electrode 142B, a light-emitting layer 132B, and a counter electrode 144.
  • the display device 100F differs from the display device 100 in that the pixel electrodes 142R, 142G, and 142B function as cathodes, and the counter electrode 144 functions as an anode. Therefore, the common layer 146 provided between the pixel electrodes 142R, 142G, 142B and the light emitting layers 132R, 132G, 132B includes at least one of an electron transport layer and an electron injection layer. A common layer 148 provided between the counter electrode 144 and the light emitting layers 132R, 132G, and 132B includes at least one of a hole transport layer and a hole injection layer.
  • the pixel electrodes 124R, 124G, and 124B are each electrically connected to the transistor 110 included in the pixel circuit.
  • the end of the light emitting layer 132B adjacent to the light emitting layer 132R is provided so as to be close to the opening 120R of the light emitting element 130R.
  • the end of the light emitting layer 132B is provided on the inclined surface 126-1 of the opening 120R provided in the insulating layer 126. As shown in FIG.
  • an end portion of the light emitting layer 132R overlaps with the light emitting layer 132B.
  • the end of the light emitting layer 132R is provided closer to the opening 120B than the intermediate portion d1/2 between the end of the opening 120R and the end of the opening 120B.
  • An end portion of the light emitting layer 132B adjacent to the light emitting layer 132G is provided so as to be close to the opening 120G of the light emitting element 130G.
  • the end of the light emitting layer 132B is provided on the inclined surface 126-3 of the opening 120G provided in the insulating layer 126. As shown in FIG. An end portion of the light emitting layer 132G overlaps with the light emitting layer 132B.
  • the end of the light emitting layer 132G is provided closer to the opening 120B than the intermediate portion d2/2 between the end of the opening 120G and the end of the opening 120B.
  • the pixel electrode 124 is used as a cathode, and the counter electrode 136 is used as an anode.
  • the light-emitting region of the light-emitting element 130B and the end of the light-emitting layer 132B where unintended light emission is likely to occur are separated from each other.
  • the distance to the edge of layer 132B can be increased. Therefore, the intensity of lateral leak current from the light emitting element 130B can be reduced at the end of the light emitting layer 132B. Accordingly, it is possible to suppress unintended light emission from occurring in the light emitting layer 132R or the light emitting layer 132G.
  • the light-emitting layer 132B in contact with the common layer 146 including at least one of the electron-transporting layer and the electron-injecting layer preferably contains a hole-transporting light-emitting material.
  • the light emitting element 130B emits light
  • electrons in the common layer 128 can be suppressed from passing through the thickness direction of the light emitting layer 132B. Electrons laterally pass through the edge of the light-emitting layer 132B, so that the intensity of lateral leakage current can be reduced. Accordingly, it is possible to suppress unintended light emission from occurring in the light emitting layer 132R or the light emitting layer 132G.
  • the configuration of the display device 100F according to Modification 6 can be applied to the configurations of the display devices 100A to 100E according to Modifications 1 to 5. That is, in the display devices 100A to 100E according to Modifications 1 to 5, the pixel electrode 124 may be the cathode and the counter electrode 136 may be the anode.
  • the common layer provided between the pixel electrode 124 and the light emitting layer 132 includes at least one of an electron transport layer and an electron injection layer.
  • the common layer provided between the counter electrode 136 and the light emitting layer includes at least a hole transport layer and a hole injection layer.
  • the light emitting layer having the highest light emission start voltage among the light emitting layers 132R, 132G, and 132B is provided on the common layer 128 including the electron transport layer and the electron injection layer.
  • the light-emitting layer is preferably a light-emitting material having a hole-transport property.
  • the display device according to one embodiment of the present invention can be applied to various forms. Therefore, based on the display devices 100 and 100A to 100F described as the embodiments and modifications of the invention, those skilled in the art may appropriately add, delete, or change the design of components, or add, omit, or modify steps. Modified conditions are also included in the scope of the present invention as long as they are provided with the gist of the present invention. Moreover, each embodiment described above can be combined with each other as long as there is no technical contradiction.
  • the structure for suppressing the leak current in the organic layer in the display device having the organic EL element as a display element has been mainly described. It can also be applied to a photosensor device or the like in which organic photodiodes sandwiched between electrodes are arranged in a matrix. Specifically, it can be applied to the overlapping relationship of the ends of the organic layers forming the organic photodiode which are separately formed.

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Abstract

表示装置は、第１画素電極と、第１の方向に、第１画素電極と離間して設けられた第２画素電極と、第１画素電極の上面の少なくとも一部を露出する第１開口部及び第２画素電極の上面の少なくとも一部を露出する第２開口部を有する絶縁層と、第１画素電極、第２画素電極、及び絶縁層上に設けられた第１共通層と、第１共通層上に設けられ第１画素電極と重畳する設けられた第１発光層と、第１共通層上に設けられ第２画素電極と重畳し、第１発光層の発光開始電圧よりも低い第２発光層と、第１発光層及び第２発光層上に設けられた対向電極と、を有し、第１発光層は第１絶縁層上に広がり端部が絶縁層に設けられた第２開口部の傾斜面に設けられ、第２発光層は第１発光層と重なる領域を含む。

Description

表示装置
　本発明の一実施形態は、表示装置及びその製造方法に関する。
　従来から、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示部の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　Ｄｉｓｐｌａｙ）が知られている。近年、有機ＥＬ表示装置において、高精細化への要求が高まっている。
　ＥＬ表示装置の高精細化が進むと、画素と画素との距離が近くなるため、隣接する画素間に流れるリーク電流（以下、「横方向のリーク電流」ともいう）の影響が顕在化される。ＥＬ表示装置において、横方向のリーク電流は、隣接する画素を発光させ、ＥＬ表示装置の表示品位を低下させてしまう可能性がある。
特開２０１１－９１６９号公報
　そこで、本発明の一実施形態では、発光素子における横方向のリーク電流が抑制された表示装置を提供することを目的の一つとする。
　本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１画素電極と、第１の方向に、第１画素電極と離間して設けられた第２画素電極と、第１画素電極の上面の少なくとも一部を露出する第１開口部及び第２画素電極の上面の少なくとも一部を露出する第２開口部を有する絶縁層と、第１画素電極、第２画素電極、及び絶縁層上に設けられた第１共通層と、第１共通層上に設けられ第１画素電極と重畳する設けられた第１発光層と、第１共通層上に設けられ第２画素電極と重畳し、第１発光層の発光開始電圧よりも低い第２発光層と、第１発光層及び第２発光層上に設けられた対向電極と、を有し、第１発光層は第１絶縁層上に広がり端部が絶縁層に設けられた第２開口部の傾斜面に設けられ、第２発光層は第１発光層と重なる領域を含む。
本発明の一実施形態に係る表示装置を平面視したときの概要図である。 表示装置を平面視したときの画素レイアウトの拡大図である。 図２に示す表示装置をＡ１－Ａ２線で切断したときの断面図である。 図３に示す断面図の一部を拡大したときの拡大図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置を平面視したときの画素レイアウト図である。 図８に示す表示装置をＢ１－Ｂ２線で切断したときの断面図である。 表示装置を平面視したときの画素レイアウトの拡大図である。 図１０に示す表示装置をＣ１－Ｃ２線で切断したときの断面図である。 表示装置を平面視したときの画素レイアウトの拡大図である。 図１２に示す表示装置をＤ１－Ｄ２線で切断したときの断面図である。 表示装置を平面視したときの画素レイアウトの拡大図である。 表示装置を平面視したときの画素レイアウトの拡大図である。 図１４に示す表示装置をＥ１－Ｅ２線で切断したときの断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 従来の表示領域を平面視したときの画素レイアウトの拡大図である。 図１８に示す表示領域をＦ１－Ｆ２線で切断したときの断面図である。 図１９に示す断面図の一部を拡大したときの拡大図である。 図１８に示す表示領域をＦ１－Ｆ２線で切断したときの断面図である。 図２１に示す断面図の一部を拡大したときの拡大図である。表示装置断面図である。
　以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
　本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
　なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する絶縁表面から発光素子に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
（第１実施形態）
　本発明の一実施形態に係る表示装置について、図１～図１７を参照して説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示した概略図であり、表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書では、表示装置１００を画面（表示領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
　図１に示すように、表示装置１００は、絶縁表面に形成された表示領域１０２と、走査線駆動回路１０４と、ドライバＩＣ１０６と、複数の端子１０７が配列された端子部を有する。表示領域１０２には、有機材料で構成された有機層を有する発光素子が配置されている。また、表示領域１０２の周囲を周辺領域１０３が取り囲んでいる。ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路に信号を与える制御部として機能する。データ線駆動回路は、ドライバＩＣ１０６とは別に、基板１０１上にサンプリングスイッチ等が設けられてもよい。また、ドライバＩＣ１０６は、フレキシブルプリント回路（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔ　Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）１０８上に設けられているが、基板１０１上に設けられていてもよい。フレキシブルプリント回路１０８は、周辺領域１０３に設けられた複数の端子１０７と接続される。
　ここで、絶縁表面は、基板１０１の表面である。基板１０１は、その表面上に設けられる絶縁層及び導電層などの各層を支持する。なお、基板１０１は、それ自体が絶縁性材料からなり、絶縁表面を有していても良いし、基板１０１上に別途絶縁膜を形成して絶縁表面を形成しても良い。絶縁表面が得られる限りにおいて、基板１０１の材質や、絶縁膜を形成する材料は特に限定されない。
　図１に示す表示領域１０２には、複数の画素１０５は、Ｘ方向及びＹ方向にマトリクス状に配置されている。本明細書等において、画素とは、表示領域１０２において所望の色の表示を可能とする最小単位をいう。各画素１０５は、画素回路と、画素回路と電気的に接続された発光素子を有する。発光素子は、画素電極と、当該画素電極上に積層された発光層を含む有機層（発光部）と、対向電極と、を含む。画素１０５に含まれる発光素子は互いに異なる色を発光する。例えば、画素１０５は、赤色の発光素子、緑色の発光素子、又は青色の発光素子のいずれかの色を発光する。なお、発光素子が発光する色は、上記に限定されず、少なくとも一色以上であればよい。本明細書等において、赤色の発光素子に含まれる構成要素をＲ、緑色の発光素子に含まれる構成要素をＧ、青色の発光素子に含まれる構成要素をＢで示す。また、青色の発光素子の発光ピーク波長は、４６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。赤色の発光素子の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下である。緑色の発光素子の発光ピーク波長は、５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。
　各画素１０５は、走査線１１１及びデータ線１１３が電気的に接続されている。各画素１０５は、図示しないが電源供給線が電気的に接続されている。走査線１１１は、Ｘ方向に沿って伸びており、走査線駆動回路１０４と電気的に接続されている。データ線１１３は、Ｙ方向に沿って伸びており、ドライバＩＣ１０６と電気的に接続されている。また、ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４を介して、走査信号を走査線１１１に出力する。ドライバＩＣ１０６は、画像データに応じたデータ信号をデータ線１１３に出力する。各画素１０５が有する画素回路に走査信号及びデータ信号が入力されることにより、画像データに応じた画面表示を行うことができる。画素回路は、複数のトランジスタによって構成される。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を用いることができる。但し、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。
　図２は、表示装置１００を平面視したときの画素レイアウトの拡大図であり、図３は、図２に示す画素レイアウトをＡ１－Ａ２線で切断したときの断面図である。図４は、図３に示す断面図の一部を拡大したときの拡大図である。本実施形態では、トップエミッション型の表示装置の構成について説明する。
　図２は、画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂが設けられる領域を示している。画素１０５Ｒと画素１０５Ｂとは、Ｘ方向に並んで配置されている。画素１０５Ｇと画素１０５Ｂとは、Ｘ方向に並んで配置されている。画素１０５Ｒと画素１０５Ｇとは、Ｙ方向に並んで配置されている。図２において、実線で示している領域は、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが設けられている領域である。また、点線で囲まれた領域は、絶縁層に開口部１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂが設けられている領域である。絶縁層は、隔壁又はバンクとも呼ばれる。絶縁層に設けられている開口部１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂは、発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂが実際に発光するときの発光領域に相当する。なお、発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂのそれぞれを区別しない場合には、発光素子１３０と記載する。また、発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂのそれぞれの構成要素についても同様である。
　図３に、画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂの断面図を示す。基板１０１上には、絶縁膜１１２を介してトランジスタ１１０が複数設けられている。複数のトランジスタ１１０によって、画素回路が構成される。トランジスタ１１０は、少なくとも半導体層１１４、ゲート絶縁膜１１５、及びゲート電極１１６によって構成される。トランジスタ１１０上には、層間絶縁膜１２１が設けられる。層間絶縁膜１２１上には、ソース電極又はドレイン電極１１７、１１８が設けられる。ソース電極又はドレイン電極１１７、１１８のそれぞれは、層間絶縁膜１２１に設けられたコンタクトホールを介して、半導体層１１４と接続される。層間絶縁膜１２１上には、絶縁膜１２２が設けられる。絶縁膜１２２によって、トランジスタ１１０、及びソース電極又はドレイン電極１１７、１１８に起因する凹凸を緩和することができる。基板１０１上に設けられる複数のトランジスタ１１０、及びトランジスタ１１０上に設けられる層間絶縁膜１２１及び絶縁膜１２２については、既知の材料や方法によって形成される。なお、図４以降においては、絶縁膜１２２より下層に設けられる画素回路の構成の図示が省略されている。
　絶縁膜１２２上において、画素１０５Ｒには発光素子１３０Ｒが設けられ、画素１０５Ｇには発光素子１３０Ｇが設けられ、画素１０５Ｂには発光素子１３０Ｂが設けられる。発光素子１３０Ｒは、画素電極１２４Ｒ、発光層１３２Ｒ、対向電極１３６を少なくとも有する。発光素子１３０Ｇは、画素電極１２４Ｇ、発光層１３２Ｇ、対向電極１３６を少なくとも有する。発光素子１３０Ｂは、画素電極１２４Ｂ、発光層１３２Ｂ、対向電極１３６を少なくとも有する。画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂと、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂとの間には、共通層１２８が設けられている。発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂと、対向電極１３６との間には、共通層１３４が設けられている。共通層１２８、１３４は、発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂに亘って共通して設けられている。図３において、画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂは陽極であり、対向電極１３６は陰極である。共通層１２８は、ホール輸送層及びホール注入層の少なくとも一つを含み、共通層１３４は、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一つを含む。なお、図３に図示しないが、画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂはそれぞれ、画素回路に含まれるトランジスタ１１０と電気的に接続される。
　本実施形態において、表示装置１００を断面視したときに、発光層１３２Ｂの第１端部と重畳するように、発光層１３２Ｒが重畳している。また、発光層１３２Ｂの第２端部と重畳するように、発光層１３２Ｇが重畳している。このとき、発光層１３２Ｂの第１端部は、発光素子１３０Ｒの開口部１２０Ｒに近づけるように設けられている。また、発光層１３２Ｂの第２端部は、発光素子１３０Ｇの開口部１２０Ｇに近づけるように設けられている。具体的には、発光層１３２Ｂの第１端部は、絶縁層１２６の開口部１２０Ｒの傾斜面１２６－１に設けられている。また、発光層１３２Ｂの第２端部は、絶縁層１２６の開口部１２０Ｇの傾斜面１２６－３に設けられている。なお、本明細書等における発光層の端部とは、表示装置１００を平面視したときの発光層の外縁を意味する。本明細書等では、表示装置１００を絶縁表面に交わる平面又は曲面に沿って切断し、当該切断面を画面に平行な方向から見た様子を「断面視」と呼ぶ。
　ＥＬ表示装置の高精細化が進むと、画素と画素との距離が近くなるため、隣接する画素間に流れる横方向のリーク電流の影響が大きくなる。ＥＬ表示装置において、横方向のリーク電流は、隣接する画素の発光層を発光させ、ＥＬ表示装置の表示品位を低下させてしまう可能性がある。
　以下、ＥＬ表示装置における横方向のリーク電流によって、隣接する画素において、意図しない領域で発光層が発光してしまうメカニズムについて、図１８～図２２を参照して説明する。なお、図１８～図２２においては、絶縁膜２２２より下層に設けられる画素回路の構成の図示が省略されている。
　図１８は、従来の表示装置２００を平面視したときの画素レイアウトの拡大図であり、図１９は、図１８に示す表示装置２００をＦ１－Ｆ２線で切断したときの断面図である。また、図２０は、図１９に示す断面図の一部を拡大したときの拡大図である。
　図１８は、画素２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂが設けられる領域を示している。画素２０５Ｒと画素２０５Ｂとは、Ｘ方向に並んで配置されている。画素２０５Ｇと画素２０５Ｂとは、Ｘ方向に並んで配置されている。図１８において、実線で示している領域は、発光層２３２Ｒ、２３２Ｇ、２３２Ｂが設けられている領域である。また、点線で囲まれた領域は、絶縁層の開口部２２０Ｒ、２２０Ｇ、２２０Ｂが設けられている領域である。絶縁層に設けられている開口部２２０Ｒ、２２０Ｇ、２２０Ｂは、発光素子２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂが実際に発光するときの発光領域に相当する。なお、発光素子２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂのそれぞれを区別しない場合には、発光素子２３０と記載する。また、発光素子２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂのそれぞれの構成要素についても同様である。
　図１８に示すように、隣接する画素２０５Ｒと画素２０５Ｂとの境界領域において、発光層２３２Ｒと発光層２３２Ｂとが一部重畳している。また、隣接する画素２０５Ｂと画素２０５Ｇとの境界領域において、発光層２３２Ｂと発光層２３２Ｇとが一部重畳している。
　図１９に、画素２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂの断面図を示す。絶縁膜２２２上において、画素２０５Ｒには発光素子２３０Ｒが設けられ、画素２０５Ｇには発光素子２３０Ｇが設けられ、画素２０５Ｂには発光素子２３０Ｂが設けられる。発光素子２３０Ｒは、画素電極２２４Ｒ、発光層２３２Ｒ、対向電極２３６を少なくとも有する。発光素子２３０Ｇは、画素電極２２４Ｇ、発光層２３２Ｇ、対向電極２３６を少なくとも有する。発光素子２３０Ｂは、画素電極２２４Ｂ、発光層２３２Ｂ、対向電極２３６を少なくとも有する。画素電極２２４Ｒ、２２４Ｇ、２２４Ｂと、発光層２３２Ｒ、２３２Ｇ、２３２Ｂとの間には、共通層２２８が設けられている。発光層２３２Ｒ、２３２Ｇ、２３２Ｂと、対向電極１３６との間には、共通層２３４が設けられている。共通層２２８、２３４は、発光素子２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂに亘って（表示領域に亘って）共通して設けられている。図１８～図２０において、画素電極２２４Ｒ、２２４Ｇ、２２４Ｂは陽極であり、対向電極２３６は陰極である。そのため、共通層２２８は、ホール輸送層及びホール注入層の少なくとも一つを含み、共通層２３４は、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一つを含む。
　隣接する画素において意図しない発光を抑制するためには、発光層が設けられている領域が、互いに重ならないように離れていることが好ましい。しかしながら、発光層が設けられている領域が、互いに重ならないように離れて形成されるためには、開口部２２０Ｒ、２２０Ｇ、２２０Ｂが互いに十分に離れて形成される必要があり、精細度が低下してしまうという問題が生じる。
　したがって、表示領域を高精細にするに従って、発光層が設けられている領域が、互いに重畳する場合がある。図１８～図２０に示すように、画素２０５Ｂと画素２０５Ｒとが隣接する領域において、発光層２３２Ｂの一部と発光層２３２Ｒの一部とが重畳する場合がある。
　図２０に、画素２０５Ｂと画素２０５Ｒとが隣接する領域２５０Ａを拡大して示す。絶縁層２２６上において、共通層２２８上に、発光層２３２Ｂが設けられ、発光層２３２Ｒが設けられている。発光層２３２Ｂの一部は、発光層２３２Ｒの一部と重畳している。一般的に、発光層２３２Ｂの発光開始電圧は、発光層２２８Ｒ及び発光層２３２Ｇの発光開始電圧よりも大きい。そのため、発光素子２３０Ｂを発光させると、発光層２３２Ｂに大きな電圧が加わることで、共通層２２８におけるホールが画素２０５Ｂから画素２０５Ｒ及び画素２０５Ｇに向かって横方向に移動する。発光層２３２Ｂがホール輸送性を示す場合には、ホールは発光層２３２Ｂの厚み方向に通過する。そのため、発光層２３２Ｒの端部において、発光層２３２Ｒが発光してしまう。または、発光層２３２Ｂが電子輸送性を示す場合には、ホールは発光層２３２Ｂの厚み方向を通過せず、横方向に移動する。そのため、発光層２３２Ｂの端部の近傍で発光層２３２Ｒが発光してしまう。本明細書等において、発光層２３２Ｂに隣接する発光層２３２Ｒ又は発光層２３２Ｇにおいて、意図しない発光が生じる箇所を発光の始点という。なお、発光層２３２Ｒの発光開始電圧と発光層２３２Ｇの発光開始電圧は、同程度である。そのため、発光素子２３０Ｇを発光させても、共通層２２８におけるホールが、画素２０５Ｇから画素２０５Ｒ及び画素２０５Ｂへ横方向に移動することが抑制される。したがって、発光層２３２Ｇの端部と発光層２３２Ｒの端部とが重畳している領域において、発光層２３２Ｇの端部及び発光層２３２Ｒは発光しない。
　図２１に示すように、画素２０５Ｂと画素２０５Ｒとが隣接する領域において、発光層２３２Ｂの一部と発光層２３２Ｒの一部とが離間する場合もある。
　図２２に、画素２０５Ｂと画素２０５Ｒとが隣接する領域２５０Ｂを拡大して示す。絶縁層２２６上において、共通層２２８上に、発光層２３２Ｂ及び発光層２３２Ｒが設けられている。発光層２３２Ｂの端部は、発光層２３２Ｒの端部と離間している。発光層１３２Ｂの発光開始電圧は、発光層２２８Ｇ及び発光層１３２Ｒの発光開始電圧よりも大きい。そのため、発光素子２３０Ｂを発光させると、発光層２３２Ｂに大きな電圧が加わることで、共通層２２８におけるホールが画素２０５Ｂから画素２０５Ｇ及び画素２０５Ｒに向かって横方向に移動する。発光層２３２Ｂがホール輸送性を示す場合には、ホールは発光層２３２Ｂの厚み方向に通過する。そのため、発光層２３２Ｒの端部において、発光層２３２Ｒが発光してしまう。または、発光層２３２Ｂが電子輸送性を示す場合には、ホールは発光層２３２Ｂの厚み方向を通過せず、横方向に移動する。そのため、発光層２３２Ｒの端部が発光層２３２Ｂの端部から離間したとしても、発光層２３２Ｒが発光してしまう。
　このように、発光層２３２Ｒ、２３２Ｇ、２３２Ｂの発光開始電圧がそれぞれ異なることで、発光層２３２Ｂと隣接する発光層２３２Ｒ及び発光層２３２Ｇとが重畳しても、重畳しなくても、横方向のリーク電流が発生し、意図しない領域で発光層が発光してしまうという問題が生じる。各発光層において意図しない発光を抑制するために、発光層２３２Ｒ、２３２Ｇ、２３２Ｂの発光開始電圧を一致させるように設計することで、横方向のリーク電流を防止することが考えられる。しかしながら、発光素子の特性と、発光層へのキャリア注入を抑制するなどの設計が必要となり、発光素子の特性とのトレードオフとなる。このように、従来では、発光素子の特性を向上させつつ、横方向のリーク電流による意図しない発光を防止することは困難であった。
　図１８～図２２において説明したように、共通層２２８、発光層２３２Ｒ、２３２Ｇ、２３２Ｂの積層順によって、発光の始点が異なる。また、横方向のリーク電流の強度は、発光素子２３０Ｂの発光領域からの距離に依存する。よって、発光素子２３０Ｂの発光領域と発光層２３２Ｂの端部の距離が小さいと、リーク電流の強度が大きくなる。そのため、発光層２３２Ｂの端部と重畳又は離間して設けられる発光層１３２Ｒ及び発光層１３２Ｇにおける意図しない発光の強度も大きくなってしまう。
　そこで、本発明の一実施形態の表示装置１００では、発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇの発光開始電圧よりも発光開始電圧が大きい発光素子１３０Ｂの発光領域と、意図しない発光が起きやすい発光層１３２Ｂの端部とを離して設ける。つまり、より発光開始電圧が低い発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇの発光層１３２Ｒ、１３２Ｇが、発光層１３２Ｂと重ならない領域が、発光素子１３０Ｂからより離れて位置するようにする。
　図４は、図３に示す断面図の一部を拡大したときの断面図である。図４に、発光素子１３０Ｂと発光素子１３０Ｒとの境界の領域を拡大して示す。図４に示すように、発光層１３２Ｂの端部１３２Ｂ－１は、発光素子１３０Ｒの発光領域（開口部１２０Ｒ）に近づけるように設けられる。発光層１３２Ｂの端部１３２Ｂ－１は、絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｒの傾斜面１２６－１に設けられる。また、発光層１３２Ｒの端部１３２Ｒ－１は、発光層１３２Ｂと重畳する。開口部１２０Ｂの端部から開口部１２０Ｒの端部までの距離をｄ１とする。ここで、開口部１２０Ｂの端部とは、画素電極１２４Ｂと接する部分をいう。また、開口部１２０Ｒの端部とは、画素電極１２４Ｒと接する部分をいう。発光層１３２Ｒの端部１３２Ｒ－１は、開口部１２０Ｒの端部と開口部１２０Ｂの端部との中間部ｄ１／２よりも開口部１２０Ｂ側に設けられる。
　図４には、発光層１３２Ｇと隣接する発光層１３２Ｂの端部については、詳細に図示しないが、発光層１３２Ｂの端部１３２Ｂ－１と同様である。つまり、発光層１３２Ｂの端部１３２Ｂ－１は、発光素子１３０Ｇの発光領域（開口部１２０Ｇ）に近づけるように設けられる。発光層１３２Ｂの端部１３２Ｂ－１は、絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｇの傾斜面１２６－３に設けられる。また、発光層１３２Ｇの端部は、発光層１３２Ｂと重畳する。開口部１２０Ｂの端部から開口部１２０Ｇの端部までの距離をｄ２とする。ここで、開口部１２０Ｇの端部とは、画素電極１２４Ｇと接する部分をいう。発光層１３２Ｇの端部は、開口部１２０Ｇの端部と開口部１２０Ｂの端部との中間部ｄ２／２よりも開口部１２０Ｂ側に設けられる。
　このようにして、発光素子１３０Ｂの発光領域と、意図しない発光が起きやすい発光層１３２Ｂの端部とを離して設けることにより、発光素子１３０Ｂの発光領域と発光層１３２Ｂの端部との距離を大きくすることができる。そのため、発光層１３２Ｂの端部において、発光素子１３０Ｂからの横方向のリーク電流の強度を小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｒ又は発光層１３２Ｇにおいて意図しない発光が生じることを抑制することができる。
　ホール輸送層及びホール注入層の少なくとも一つを含む共通層１２８と接する発光層１３２Ｂは、電子輸送性の発光材料を含むことが好ましい。発光素子１３０Ｂが発光する際に、共通層１２８におけるホールが発光層１３２Ｂの厚み方向を通過することを抑制することができる。ホールが発光層１３２Ｂの端部を横方向に通過することで、横方向のリーク電流の強度をより小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｒ又は発光層１３２Ｇにおいて意図しない発光が生じることを抑制することができる。
　なお、図３及び図４には図示しないが、発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に、封止膜を設けてもよい。封止膜は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜を組み合わせて構成される。これにより、発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂに、発光層１３２及び共通層１２８、１３４を含む有機層に水分が侵入することを抑制することができる。
＜表示装置の製造方法＞
　次に、表示装置１００の製造方法について、図５～図７を参照して説明する。
　図５～図７において、図示しないが、基板１０１上に、画素回路を構成するトランジスタが設けられている。なお、基板１０１上に形成される画素回路の製造方法については、既知のトランジスタの製造方法を適用すればよいため、詳細な説明を省略する。トランジスタ上には、酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも一つを含む層間絶縁膜が形成される。層間絶縁膜上には、ソース電極及びドレイン電極が形成される。
　図５は、絶縁膜１２２、画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂ、及び絶縁層１２６を形成する工程を説明する図である。絶縁膜１２２は、平坦化膜として機能する。絶縁膜１２２は、有機樹脂材料で構成される。有機樹脂材料として、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系といった公知の有機樹脂材料を用いることができる。トランジスタ又は層間絶縁膜上に絶縁膜１２２を設けることにより、トランジスタの凹凸を緩和することができる。絶縁膜１２２に、コンタクトホールを形成する。
　絶縁膜１２２上に、画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂを形成する。画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂのそれぞれを、絶縁膜１２２に設けられたコンタクトホールを介して、トランジスタと接続されたソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。本実施形態では、画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂは、陽極（アノード）として機能する。画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂとして、反射率が高い金属膜を用いる。または、画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂとして、酸化インジウム系透明導電層（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電層（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電層と金属膜との積層構造を用いる。
　画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂ上に、有機樹脂材料で構成される絶縁層１２６を形成する。有機樹脂材料として、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系といった公知の有機樹脂材料を用いることができる。絶縁層１２６は、画素電極１２４Ｒ上の一部と、画素電極１２４Ｇの一部と、画素電極１２４Ｂの一部のそれぞれに開口部１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂを有する。絶縁層１２６は、互いに隣接する画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂの間に、画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂの端部（エッジ部）を覆うように設けられる。絶縁層１２６は、隣接する画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂを離隔する部材として機能する。このため、絶縁層１２６は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。この絶縁層１２６の開口部１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂによって露出された画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂの一部が、発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂの発光領域となる。絶縁層１２６の開口部１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂは、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。これにより後述する共通層１２８及び発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂの形成ときに、画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂの端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。
　図６は、共通層１２８及び発光層１３２Ｂを形成する工程を説明する図である。画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂ及び絶縁層１２６上に、共通層１２８を形成する。共通層１２８は、ホール輸送層及びホール注入層の少なくとも一方を含む。ホール輸送層及びホール注入層は、既知の材料を適宜用いればよい。
　発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂのうち、発光開始電圧が一番高い発光層から形成することが好ましい。本実施形態では、発光層１３２Ｂの発光開始電圧が発光層１３２Ｒ及び発光層１３２Ｇの発光開始電圧よりも高い。そのため、共通層１２８上に、まず発光層１３２Ｂを形成する。発光層１３２Ｂの端部１３２Ｂ－１が絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｒの傾斜面１２６－１に設けられように形成される。また、発光層１３２Ｂの端部１３２Ｂ－１が絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｇの傾斜面１２６－３に設けられるように形成される。また、発光層１３２Ｂは、電子輸送性を有する発光材料であることが好ましく、既知の材料を適宜用いればよい。
　図７は、発光層１３２Ｒ、発光層１３２Ｇ、及び共通層１３４を形成する工程を説明する図である。開口部１２０Ｒに、発光層１３２Ｒを形成する。発光層１３２Ｒの第１端部が発光層１３２Ｂと重畳するように形成される。具体的には、発光層１３２Ｒの第１端部が、開口部１２０Ｂにおける傾斜面１２６－２側の端部と開口部１２０Ｒにおける傾斜面１２６－１側の端部との中間部ｄ１／２よりも、開口部１２０Ｂ側に設けられる。次に、開口部１２０Ｇに、発光層１３２Ｇを形成する。発光層１３２Ｇの第１端部が発光層１３２Ｂと重畳するように形成される。具体的には、発光層１３２Ｇの第１端部が、開口部１２０Ｂにおける傾斜面１２６－２側の端部と開口部１２０Ｇにおける傾斜面１２６－３側の端部との中間部ｄ２／２よりも、開口部１２０Ｂ側に設けられる。
　次に、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ上に、共通層１３４を形成する。共通層１３４は、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一方を含む。電子輸送層及び電子注入層は、既知の材料を適宜用いればよい。
　最後に、共通層１３４上に対向電極１３６を形成することにより、図３に示す表示装置１００を形成することができる。
　本実施形態では、発光層１３２Ｒを形成した後、発光層１３２Ｇを形成する場合について説明したが、これに限定されない。発光層１３２Ｒの発光開始電圧と、発光層１３２Ｇの発光開始電圧が同程度であれば、どちらが先に形成されてもよい。または、発光層１３２Ｒの発光開始電圧と、発光層１３２Ｇの発光開始電圧に差があるならば、発光開始電圧が大きい発光層を先に形成すればよい。
　本実施形態では、隣接する発光層１３２Ｒの端部と発光層１３２Ｇの端部との重なりについて図示していないが、隣接する発光層１３２Ｒの端部と発光層１３２Ｇの端部とは、重なっていても良いし、重なっていなくてもよい。発光層１３２Ｒの発光開始電圧と、発光層１３２Ｇの発光開始電圧とは、ほぼ同程度であれば、発光素子１３０Ｒ又は発光素子１３０Ｇが発光したとしても、発光層１３２Ｒ及び発光層１３２Ｇからの横方向のリーク電流の影響は小さいからである。
　本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、図２～図４に示す構成に限定されない。例えば、画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂの配置は、図２に示す画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂの配置に限定されない。
　次に、表示装置１００の構成要素の一部を変更した変形例１～６に係る表示装置１００Ａ～１００Ｆについて、図８～図１７を参照して説明する。変形例１～５に係る表示装置１００Ａ～１００Ｅは、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂの配置が、表示装置１００の配置と異なっている。また、変形例６に係る表示装置１００Ｆは、陽極と陰極の配置が、表示装置１００における陽極と陰極の配置とは異なっている。以降の説明において、表示装置１００と同じ構成要素については、図２～図４に関する説明を参照すればよい。
＜変形例１＞
　図８は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００Ａを平面視したときの画素レイアウト図である。また、図９は、図８に示す表示装置１００ＡをＢ１－Ｂ２線で切断したときの断面図である。変形例１では、発光層１３２Ｒの発光開始電圧が、発光層１３２Ｇ及び発光層１３２Ｂの発光開始電圧よりも高い場合について説明する。
　図８は、表示装置１００Ａにおける画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂが設けられる領域を示している。表示装置１００Ａにおいて、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂの積層順序が表示装置１００と異なっている。また、表示装置１００Ａにおいて、発光層１３２Ｒと発光層１３２Ｇの重畳領域と、発光層１３２Ｒと発光層１３２Ｂの重畳領域が表示装置１００と異なっている。
　図６において説明した通り、共通層１２８上には、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂのうち、発光開始電圧が一番高い発光層が設けられることが好ましい。したがって、共通層１２８上には、まず発光層１３２Ｒが設けられる。発光層１３２Ｒの第１端部は、発光素子１３０Ｇの発光領域（開口部１２０Ｇ）に近づけるように設けられる。発光層１３２Ｒの第１端部が絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｇの傾斜面１２６－４に設けられる。発光層１３２Ｒの第２端部は、発光素子１３０Ｂの発光領域（開口部１２０Ｂ）に近づけるように設けられる。発光層１３２Ｒの第１端部が絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｂの傾斜面１２６－２に設けられる。また、発光層１３２Ｒは、電子輸送性を有する発光材料であることが好ましく、既知の材料を適宜用いることができる。
　開口部１２０Ｇには、発光層１３２Ｇが設けられる。発光層１３２Ｇの第１端部は、発光素子１３０Ｒの発光領域（開口部１２０Ｒ）に近づけるように設けられる。発光層１３２Ｇの第１端部は、発光層１３２Ｒと重畳するように形成される。開口部１２０Ｒの端部から開口部１２０Ｇの端部までの距離をｄ３とする。発光層１３２Ｇの第１端部は、開口部１２０Ｒの端部と開口部１２０Ｇの端部との中間部ｄ３／２よりも、開口部１２０Ｒ側に設けられる。次に、開口部１２０Ｂに、発光層１３２Ｂを形成する。発光層１３２Ｂの第１端部は、発光層１３２Ｒと重畳するように形成される。発光層１３２Ｂの第１端部は、開口部１２０Ｂの端部と開口部１２０Ｒの端部との中間部ｄ１／２よりも、開口部１２０Ｒ側に設けられる。
　上述したように、発光素子１３０Ｒの発光領域と、意図しない発光が起きやすい発光層１３２Ｒの端部とを離して設けることにより、発光素子１３０Ｒの発光領域と発光層１３２Ｒの端部との距離を大きくすることができる。そのため、発光層１３２Ｒの端部において、発光素子１３０Ｒからの横方向のリーク電流の強度を小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｇ又は発光層１３２Ｂにおいて意図しない発光が生じることを抑制することができる。
　ホール輸送層及びホール注入層の少なくとも一つを含む共通層１２８と接する発光層１３２Ｒは、電子輸送性の発光材料を含むことが好ましい。発光素子１３０Ｒが発光する際に、共通層１２８におけるホールが発光層１３２Ｒの厚み方向を通過することを抑制することができる。ホールが発光層１３２Ｒの端部を横方向に通過することで、横方向のリーク電流の強度をより小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｇ又は発光層１３２Ｂにおいて意図しない発光が生じることを抑制することができる。
＜変形例２＞
　図１０は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００Ｂを平面視したときの画素レイアウト図である。また、図１１は、図１０に示す表示装置１００ＡをＣ１－Ｃ２線で切断したときの断面図である。変形例２では、発光層１３２Ｇの発光開始電圧が、発光層１３２Ｒ及び発光層１３２Ｂの発光開始電圧よりも高い場合について説明する。
　図１０は、表示装置１００Ｂにおける画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂが設けられる領域を示している。表示装置１００Ｂにおいて、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂの積層順序が表示装置１００と異なっている。また、表示装置１００Ｂにおいて、発光層１３２Ｇと発光層１３２Ｂの重畳領域と、発光層１３２Ｇと発光層１３２Ｒの重畳領域が表示装置１００と異なっている。
　図６において説明した通り、共通層１２８上には、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂのうち、発光開始電圧が一番高い発光層が設けられることが好ましい。したがって、共通層１２８上には、まず発光層１３２Ｇが設けられる。発光層１３２Ｇの第１端部は、発光素子１３０Ｂの発光領域（開口部１２０Ｂ）に近づけるように設けられる。発光層１３２Ｇの第１端部が絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｂの傾斜面１２６－２に設けられるように形成される。また、発光層１３２Ｇの第２端部が絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｒの傾斜面１２６－５に設けられる。また、発光層１３２Ｇは、電子輸送性を有する発光材料であることが好ましく、既知の材料を適宜用いることができる。
　開口部１２０Ｂには、発光層１３２Ｂが設けられる。発光層１３２Ｂの第１端部は、発光素子１３０Ｇの発光領域（開口部１２０Ｇ）に近づけるように設けられる。発光層１３２Ｂの第１端部は、発光層１３２Ｇと重畳するように形成される。発光層１３２Ｂの第１端部は、開口部１２０Ｂの端部と開口部１２０Ｇの端部との中間部ｄ２／２よりも、開口部１２０Ｇ側に設けられる。次に、開口部１２０Ｒに、発光層１３２Ｒを形成する。発光層１３２Ｒの第１端部は、発光層１３２Ｇと重畳するように形成される。発光層１３２Ｒの第１端部は、開口部１２０Ｇの端部と開口部１２０Ｒの端部との中間部ｄ３／２よりも、開口部１２０Ｒ側に設けられる。
　上述したように、発光素子１３０Ｇの発光領域と、意図しない発光が起きやすい発光層１３２Ｇの端部とを離して設けることにより、発光素子１３０Ｇの発光領域と発光層１３２Ｇの端部との距離を大きくすることができる。そのため、発光層１３２Ｇの端部において、発光素子１３０Ｇからの横方向のリーク電流の強度を小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｒ又は発光層１３２Ｂにおいて意図しない発光が生じることを抑制することができる。
　ホール輸送層及びホール注入層の少なくとも一つを含む共通層１２８と接する発光層１３２Ｇは、電子輸送性の発光材料を含むことが好ましい。発光素子１３０Ｇが発光する際に、共通層１２８におけるホールが発光層１３２Ｇの厚み方向を通過することを抑制することができる。ホールが発光層１３２Ｇの端部を横方向に通過することで、横方向のリーク電流の強度をより小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｒ又は発光層１３２Ｂにおいて意図しない発光が生じることを抑制することができる。
＜変形例３＞
　図１２は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００Ｃを平面視したときの画素レイアウト図である。また、図１３は、図１２に示す表示装置１００ＡをＤ１－Ｄ２線で切断したときの断面図である。変形例３では、発光層１３２Ｂの発光開始電圧が、発光層１３２Ｒ及び発光層１３２Ｇの発光開始電圧よりも高く、発光層１３２Ｇの発光開始電圧が発光層１３２Ｒの発光開始電圧よりも高い場合について説明する。
　図１２は、表示装置１００Ｃにおける画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂが設けられる領域を示している。表示装置１００Ｃにおいて、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂの積層順序が表示装置１００と異なっている。また、表示装置１００Ｃにおいて、発光層１３２Ｂと発光層１３２Ｇの重畳領域と、発光層１３２Ｇと発光層１３２Ｒの重畳領域が表示装置１００と異なっている。
　図６において説明した通り、共通層１２８上には、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂのうち、発光開始電圧が一番高い発光層が設けられることが好ましい。したがって、共通層１２８上には、まず発光層１３２Ｂが設けられる。図１１において、発光層１３２Ｂが設けられる領域は、図３に示す発光層１３２Ｂが設けられる領域と同様である。また、発光層１３２Ｂは、電子輸送性を有する発光材料であることが好ましく、既知の材料を適宜用いることができる。
　次に、発光開始電圧が発光層１３２Ｂの次に高い発光層１３２Ｇが開口部１２０Ｇに設けられる。発光層１３２Ｇが設けられる領域は、発光層１３２Ｇの第１端部は、発光素子１３０Ｂの発光領域（開口部１２０Ｂ）に近づけるように設けられる。発光層１３２Ｇの第１端部が絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｂの傾斜面１２６－２に設けられるように形成される。また、発光層１３２Ｇは、電子輸送性を有する発光材料であることが好ましく、既知の材料を適宜用いることができる。最後に発光層１３２Ｒが開口部１２０Ｒに設けられる。発光層１３２Ｒの第１端部は、開口部１２０Ｒの端部と開口部１２０Ｂの端部との中間部ｄ１／２よりも開口部１２０Ｂ側に設けられる。なお、図１３には図示しないが、発光層１３２Ｇと発光層１３２Ｒとの境界部において、発光層１３２Ｇの第２端部が絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｒの傾斜面１２６－５に設けられるように形成される。
　上述したように、発光素子１３０Ｂの発光領域と、意図しない発光が起きやすい発光層１３２Ｂの端部とを離して設けることにより、発光素子１３０Ｂの発光領域と発光層１３２Ｂの端部との距離を大きくすることができる。そのため、発光層１３２Ｂの端部において、発光素子１３０Ｂからの横方向のリーク電流の強度を小さくすることができる。さらに、発光素子１３０Ｇの発光領域と、意図しない発光が起きやすい発光層１３２Ｇの端部とを離して設けることにより、発光素子１３０Ｇの発光領域と発光層１３２Ｇの端部との距離を大きくすることができる。そのため、発光層１３２Ｇの端部において、発光素子１３０Ｇからの横方向のリーク電流の強度を小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｇ又は発光層１３２Ｒにおいて意図しない発光が生じることをさらに抑制することができる。
　なお、変形例３に係る表示装置１００Ｃにおいて、発光開始電圧が高い順に、発光層１３２Ｂ、１３２Ｇ、１３２Ｒの順で形成する場合について説明したが、本発明の一実施形態はこれに限定されない。発光開始電圧が、発光層１３２Ｂ、１３２Ｒ、１３２Ｇの順で高い場合には、発光層１３２Ｂ、１３２Ｒ、１３２Ｇの順で形成すればよい。
＜変形例４＞
　図１４は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００Ｄを平面視したときの画素レイアウト図である。変形例４では、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂがストライプ状に配列される場合について説明する。変形例４では、発光層１３２Ｂの発光開始電圧が、発光層１３２Ｒ及び発光層１３２Ｇの発光開始電圧よりも高い場合について説明する。
　図１４は、画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂが設けられる領域を示している。画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂは、Ｘ方向に並んで配置されている。複数の画素１０５Ｒ、複数の画素１０５Ｇ、複数の画素１０５Ｂはそれぞれ、Ｙ方向に並んで配置されている。表示装置１００Ｄにおいて、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂの積層順序は、表示装置１００と同じである。
　発光層１３２Ｂと発光層１３２Ｒとが隣接する領域において、発光層１３２Ｂの端部は、発光層１３２Ｇの開口部１２０Ｇに近づくように設けられている。発光層１３２Ｂの端部は、発光層１３２Ｂの発光領域と離れているため、発光層１３２Ｒにおいて意図しない発光を抑制することができる。また、発光層１３２Ｂと発光層１３２Ｇとが隣接する領域において、発光層１３２Ｂの端部は、発光層１３２Ｇの開口部１２０Ｇに近づくように設けられている。発光層１３２Ｂの端部は、発光層１３２Ｂの発光領域と離れているため、発光層１３２Ｇにおいて意図しない発光を抑制することができる。
　上述したように、発光素子１３０Ｂの発光領域と、意図しない発光が起きやすい発光層１３２Ｂの端部とを離して設けることにより、発光素子１３０Ｂの発光領域と発光層１３２Ｂの端部との距離を大きくすることができる。そのため、発光層１３２Ｂの端部において、発光素子１３０Ｂからの横方向のリーク電流の強度を小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｇ又は発光層１３２Ｒにおいて意図しない発光が生じることをさらに抑制することができる。
＜変形例５＞
　図１５は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００Ｅを平面視したときの画素レイアウト図である。変形例５では、発光素子１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂがペンタイル状に配列される場合について説明する。
　図１５は、画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂが設けられる領域を示している。複数の画素１０５Ｇは、Ｘ方向に並んで配置されている。画素１０５Ｇと画素１０５Ｂとは、Ｘ方向に並んで配置されている。画素１０５Ｇと、画素１０５Ｂとは、Ｘ方向に対してθ方向に並んで配置されている。また、画素１０５Ｇと画素１０５Ｒとは、Ｘ方向に対してθ方向に並んで配置されている。表示装置１００Ｄにおいて、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂの積層順序は、表示装置１００と同じである。
　発光層１３２Ｂと発光層１３２Ｇとが隣接する領域において、発光層１３２Ｂの端部は、発光層１３２Ｇの開口部１２０Ｇに近づくように設けられている。そのため、発光層１３２Ｂの端部を、発光層１３２Ｂの発光領域と離れているため、発光層１３２Ｇにおいて意図しない発光を抑制することができる。これに対し、発光層１３２Ｂと発光層１３２Ｒとが隣接する領域において、発光層１３２Ｂの端部は、発光層１３２Ｒの開口部１２０Ｒに近づくように設けられていない。しかしながら、発光層１３２Ｂの端部は、発光素子１３０Ｂの発光領域と十分に離れているため、発光層１３２Ｒにおいて意図しない発光を抑制することができる。なお、発光層１３２Ｂの端部が、発光層１３２Ｒの開口部１２０Ｒに近づくように設けられていてもよい。
　上述したように、発光素子１３０Ｂの発光領域と、意図しない発光が起きやすい発光層１３２Ｂの端部とを離して設けることにより、発光素子１３０Ｂの発光領域と発光層１３２Ｂの端部との距離を大きくすることができる。そのため、発光層１３２Ｂの端部において、発光素子１３０Ｂからの横方向のリーク電流の強度を小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｇ又は発光層１３２Ｒにおいて意図しない発光が生じることをさらに抑制することができる。
　なお、図１５において、発光素子１３０Ｒと発光素子１３０Ｂとは、その発光層が、互いに角部のみが重なり合うように位置している。このような位置関係においては、発光領域の辺が互いに平行に隣り合うように位置する発光素子１３０Ｇと発光素子１３０Ｂに比べ、横方向のリーク電流の発生の影響は小さい。
　変形例３、４に示す表示装置１００Ｄ、１００Ｅにおいて、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂの積層順序は、限定されない。発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂのうち、発光開始電圧が一番高い発光層が一番下に設けられればよい。このとき、発光開始電圧が一番高い発光層は、電子輸送性を有する発光材料であることが好ましい。
＜変形例６＞
　図１６は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００Ｆを平面視したときの画素レイアウト図である。また、図１７は、図１６に示す表示装置１００ＡをＥ１－Ｅ２線で切断したときの断面図である。変形例２では、発光層１３２Ｂの発光開始電圧が、発光層１３２Ｒ及び発光層１３２Ｇの発光開始電圧よりも高い場合について説明する。
　図１６は、画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂが設けられる領域を示している。画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂの配置については、図３に示す画素の配置と同様である。
　図１７に、画素１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂの断面図を示す。絶縁膜１２２上において、画素１０５Ｒには発光素子１６０Ｒが設けられ、画素１０５Ｇには発光素子１６０Ｇが設けられ、画素１０５Ｂには発光素子１６０Ｂが設けられる。発光素子１６０Ｒは、画素電極１４２Ｒ、発光層１３２Ｒ、対向電極１４４を少なくとも有する。発光素子１６０Ｇは、画素電極１４２Ｇ、発光層１３２Ｇ、対向電極１４４を少なくとも有する。発光素子１６０Ｂは、画素電極１４２Ｂ、発光層１３２Ｂ、対向電極１４４を少なくとも有する。
　表示装置１００Ｆは、画素電極１４２Ｒ、１４２Ｇ、１４２Ｂが陰極（カソード）として機能し、対向電極１４４が陽極（アノード）として機能する点で、表示装置１００と異なる。そのため、画素電極１４２Ｒ、１４２Ｇ、１４２Ｂと発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂとの間に設けられる共通層１４６は、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一つを含む。また、対向電極１４４と発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂとの間に設けられる共通層１４８は、ホール輸送層及びホール注入層の少なくとも一つを含む。なお、図１７に図示しないが、画素電極１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂはそれぞれ、画素回路に含まれるトランジスタ１１０と電気的に接続される。
　発光層１３２Ｒと隣接する発光層１３２Ｂの端部は、発光素子１３０Ｒの開口部１２０Ｒに近づけるように設けられる。発光層１３２Ｂの端部は、絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｒの傾斜面１２６－１に設けられる。また、発光層１３２Ｒの端部は、発光層１３２Ｂと重畳する。発光層１３２Ｒの端部は、開口部１２０Ｒの端部と開口部１２０Ｂの端部との中間部ｄ１／２よりも開口部１２０Ｂ側に設けられる。発光層１３２Ｇと隣接する発光層１３２Ｂの端部は、発光素子１３０Ｇの開口部１２０Ｇに近づけるように設けられる。発光層１３２Ｂの端部は、絶縁層１２６に設けられた開口部１２０Ｇの傾斜面１２６－３に設けられる。また、発光層１３２Ｇの端部は、発光層１３２Ｂと重畳する。発光層１３２Ｇの端部は、開口部１２０Ｇの端部と開口部１２０Ｂの端部との中間部ｄ２／２よりも開口部１２０Ｂ側に設けられる。
　表示装置１００Ｆにおいて、発光素子１３０において、画素電極１２４を陰極とし、対向電極１３６を陽極としている。この場合であっても、表示装置１００と同様に、発光素子１３０Ｂの発光領域と、意図しない発光が起きやすい発光層１３２Ｂの端部とを離して設けることにより、発光素子１３０Ｂの発光領域と発光層１３２Ｂの端部との距離を大きくすることができる。そのため、発光層１３２Ｂの端部において、発光素子１３０Ｂからの横方向のリーク電流の強度を小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｒ又は発光層１３２Ｇにおいて意図しない発光が生じることを抑制することができる。
　電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一つを含む共通層１４６と接する発光層１３２Ｂは、ホール輸送性の発光材料を含むことが好ましい。発光素子１３０Ｂが発光する際に、共通層１２８における電子が発光層１３２Ｂの厚み方向を通過することを抑制することができる。電子が発光層１３２Ｂの端部を横方向に通過することで、横方向のリーク電流の強度をより小さくすることができる。これにより、発光層１３２Ｒ又は発光層１３２Ｇにおいて意図しない発光が生じることを抑制することができる。
　なお、変形例６に係る表示装置１００Ｆの構成は、変形例１～５に係る表示装置１００Ａ～１００Ｅに係る構成に適用することができる。つまり、変形例１～５に係る表示装置１００Ａ～１００Ｅにおいて、画素電極１２４を陰極とし、対向電極１３６を陽極としてもよい。この場合、画素電極１２４と発光層１３２との間に設けられる共通層が電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一つを含んでいる。また、対向電極１３６と発光層との間に設けられる共通層は、ホール輸送層及びホール注入層の少なくとも含んでいる。電子輸送層及び電子注入層を含む共通層１２８上には、発光層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂのうち、発光開始電圧が一番高い発光層が設けられることが好ましい。当該発光層は、ホール輸送性を有する発光材料であることが好ましい。
　以上説明した通り、本発明の一実施形態に係る表示装置は、様々な形態に適用できる。したがって、発明の実施形態及び変形例として説明した表示装置１００、１００Ａ～１００Ｆを基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。
　また、前述の実施形態は主に有機ＥＬ素子を表示素子として有する表示装置における、有機層内でのリーク電流を抑制せしめる構造について説明してきたが、本発明は表示装置のみならず、有機層を電極で挟持した有機フォトダイオードをマトリクス状に配列して構成される光センサ装置等への適用も可能である。具体的には、有機フォトダイオードを構成する有機層のうち、塗分け形成されるものの端部の重なりの関係に応用することが可能である。
　また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
　本発明の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に相当し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１００、１００Ａ～１００Ｆ：表示装置、１０１：基板、１０２：表示領域、１０３：周辺領域、１０４：走査線駆動回路、１０５：画素、１０５Ｂ：画素、１０５Ｇ：画素、１０５Ｒ：画素、１０６：ドライバＩＣ、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント回路、１１１：走査線、１１３：データ線、１２０Ｂ：開口部、１２０Ｇ：開口部、１２０Ｒ：開口部、１２２：絶縁膜、１２４Ｂ：画素電極、１２４Ｇ：画素電極、１２４Ｒ：画素電極、１２６：絶縁層、１２６－１～１２６－５：傾斜面、１２８：共通層、１３０：発光素子、１３０Ｂ：発光素子、１３０Ｇ：発光素子、１３０Ｒ：発光素子、１３２Ｂ：発光層、１３２Ｂ－１：端部、１３２Ｇ：発光層、１３２Ｒ：発光層、１３４：共通層、１３６：対向電極、１４２Ｂ：画素電極、１４２Ｇ：画素電極、１４２Ｒ：画素電極、１４４：対向電極、１４６：共通層、１４８：共通層、１６０Ｂ：発光素子、１６０Ｇ：発光素子、１６０Ｒ：発光素子、２０５Ｂ：画素、２０５Ｇ：画素、２０５Ｒ：画素、２２４Ｂ：画素電極、２２４Ｇ：画素電極、２２４Ｒ：画素電極、２２６：絶縁層、２２８：共通層、２２８Ｇ：発光層、２３０Ｇ：発光素子、２３０Ｒ：発光素子、２３２Ｂ：発光層、２３２Ｇ：発光層、２３２Ｒ：発光層、２３４：共通層、２３６：対向電極、２５０Ａ：領域、２５０Ｂ：領域

Claims (12)

  1. 　第１画素電極と、
    　第１の方向に、前記第１画素電極と離間して設けられた第２画素電極と、
    　前記第１画素電極の上面の少なくとも一部を露出する第１開口部及び前記第２画素電極の上面の少なくとも一部を露出する第２開口部を有する絶縁層と、
    　前記第１画素電極、前記第２画素電極、及び前記絶縁層上に設けられた第１共通層と、
    　前記第１共通層上に設けられ前記第１画素電極と重畳する設けられた第１発光層と、
    　前記第１共通層上に設けられ前記第２画素電極と重畳し、前記第１発光層の発光開始電圧よりも低い第２発光層と、
    　前記第１発光層及び前記第２発光層上に設けられた対向電極と、を有し、
    　前記第１発光層は前記絶縁層上に広がり端部が前記絶縁層に設けられた前記第２開口部の傾斜面に設けられ、前記第２発光層は前記第１発光層と重なる領域を含む、表示装置。
  2. 　前記第１発光層と前記第２発光層とが重なる領域において、前記第１発光層が前記第１共通層側に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記第１画素電極及び前記第２画素電極が陽極である場合、前記第１発光層は、電子輸送性を有し、前記第１共通層は、ホール輸送性を有する、請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記第１画素電極及び前記第２画素電極が陰極である場合、前記第１発光層は、ホール輸送性を有し、前記第１共通層は、電子輸送性を有する、請求項１に記載の表示装置。
  5. 　前記第２発光層の端部は、前記第１発光層と重畳し、前記第１開口部と前記第２開口部との中間部よりも前記第１開口部側に設けられる、請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記第２発光層の端部は、前記第１発光層と重畳し、前記絶縁層の前記第１開口部の傾斜面に設けられる、請求項１に記載の表示装置。
  7. 　前記第１発光層及び前記第２発光層と、前記対向電極との間に、第２共通層がさらに設けられる、請求項１に記載の表示装置。
  8. 　前記第１画素電極と離間して設けられた第３画素電極をさらに有し、
    　前記絶縁層は、前記第３画素電極を露出する第３開口部をさらに有し、
    　前記第１発光層の端部は、前記絶縁層の前記第３開口部の傾斜面に設けられる、請求項１に記載の表示装置。
  9. 　前記第１共通層と前記対向電極との間に、前記第１発光層の発光開始電圧よりも低く、前記第１共通層上に前記第１発光層の一部及び前記第３画素電極に重畳して設けられた第３発光層をさらに有する、前記第３発光層の請求項８に記載の表示装置。
  10. 　前記第１発光層の発光ピーク波長は、４６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１に記載の表示装置。
  11. 　前記第１発光層の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下である、請求項１に記載の表示装置。
  12. 　前記第１発光層の発光ピーク波長は、４６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１に記載の表示装置。
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