JP2006146135A - 平板表示装置および有機電界発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機電界発光表示装置は,R画素領域,G画素領域及びB画素領域を備え,各R,G,B画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と,R画素領域,G画素領域及びB画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるR,G,B画素電極と,R画素領域,G画素領域及びB画素領域の非発光領域に形成され,前記R,G,B画素電極をそれぞれ駆動するためのR,G,B駆動素子と,前記R,G,B駆動素子と前記R,G,B画素電極との間に形成される絶縁膜とを含み,前記絶縁膜はR,G,B画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成される。
【選択図】図2A
Description
20R R画素
20G G画素
20B B画素
200R R画素領域
200G G画素領域
200B B画素領域
205 バッファ層
211,214,217 半導体層
212,215,218 ソース領域
213,216,219 ドレイン領域
221,224,227 ゲート電極
230 層間絶縁膜
232,233,235,236,238,239 コンタクトホール
242,245,248 ソース電極
243,246,249 ドレイン電極
250 保護膜
251,254,257 ビアホール
261,264,267 アノード電極
270 画素分離膜
271,274,277 開口部
281,284,287 有機膜層
290 カソード電極
Claims (38)
- それぞれお互い異なる所定色の光を放出する画素が形成される多数の画素領域を備え,前記各画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と,
前記多数の画素領域それぞれの前記非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成される多数の駆動素子と,
前記多数の画素領域それぞれの前記発光領域に形成されて前記駆動素子にそれぞれ連結される多数の画素電極と,
前記多数の画素電極の真下に形成される絶縁膜とを含んでなり,
前記絶縁膜は前記多数の画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成されることを特徴とする,平板表示装置。 - 前記絶縁膜は,窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする,請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記多数の画素領域は,R色の光を放出するためのR画素が形成されるR画素領域と,G色の光を放出するためのG画素が形成されるG画素領域と,B色の光を放出するためのB画素が形成されるB画素領域とを含み,
前記絶縁膜は前記B画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されることを特徴とする,請求項1に記載の平板表示装置。 - 前記絶縁膜は,窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする,請求項3に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は,
基板の全面に形成された第1絶縁膜と,
前記B画素領域の発光領域に対応する部分を除いた前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜を含むことを特徴とする,請求項3に記載の平板表示装置。 - 前記第1絶縁膜は酸化膜を含み,前記第2絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする,請求項5に記載の平板表示装置。
- 前記多数の画素領域は,R色の光を放出するためのR画素が形成されるR画素領域と,G色の光を放出するためのG画素が形成されるG画素領域と,B色の光を放出するためのB画素が形成されるB画素領域とを含み,
前記絶縁膜は前記R画素領域及び前記G画素領域の発光領域にのみ選択的に形成される絶縁パターンであることを特徴とする,請求項1に記載の平板表示装置。 - 前記絶縁膜は,窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする,請求項7に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁パターンは,
前記R画素領域の発光領域と前記G画素領域の発光領域に形成された第1絶縁膜と,
前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とを含むことを特徴とする,請求項7に記載の平板表示装置。 - 前記第1絶縁膜は酸化膜を含み,前記第2絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする,請求項9に記載の平板表示装置。
- 前記第1絶縁膜は前記B画素領域の発光領域にも形成されることを特徴とする,請求項10に記載の平板表示装置。
- 前記駆動素子は,前記画素電極を駆動するための駆動薄膜トランジスタを含むことを特徴とする,請求項1に記載の平板表示装置。
- R画素領域,G画素領域及びB画素領域を備え,各R,G,B画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるR,G,B画素電極と,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の非発光領域に形成され,前記R,G,B画素電極をそれぞれ駆動するためのR,G,B駆動素子と,
前記R,G,B駆動素子と前記R,G,B画素電極との間に形成される絶縁膜とを含み,
前記絶縁膜はR,G,B画素領域の発光領域の中の少なくとも1つを除いた基板上に形成されることを特徴とする,平板表示装置。 - 前記絶縁膜は,窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする,請求項13に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は,B画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されることを特徴とする,請求項13に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は,
基板の全面に形成された第1絶縁膜と,
前記B画素領域の発光領域に対応する部分を除いた前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜を含むことを特徴とする,請求項13に記載の平板表示装置。 - 前記第1絶縁膜は酸化膜を含み,前記第2絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする,請求項16に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は,R画素領域の発光領域とG画素領域の発光領域に形成される絶縁パターンであることを特徴とする,請求項13に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁パターンは,
前記R画素領域の発光領域と前記G画素領域の発光領域に形成された第1絶縁膜と,
前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とを含むことを特徴とする,請求項18に記載の平板表示装置。 - 前記第1絶縁膜は酸化膜を含み,前記第2絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする,請求項19に記載の平板表示装置。
- 前記第1絶縁膜は前記B画素領域の発光領域にも形成されることを特徴とする,請求項13に記載の平板表示装置。
- R画素領域,G画素領域及びB画素領域を備え,各R,G,B画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるR,G,B画素電極と,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の非発光領域に形成され,前記R,G,B画素電極をそれぞれ駆動するための駆動電極を備えるR,G,B駆動素子と,
基板上に形成され,その上面に駆動電極が形成される絶縁膜とを含み,
前記R,G,B画素電極は前記絶縁膜上に形成されて前記駆動電極に連結され,
前記絶縁膜はR,G,B画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成されることを特徴とする,平板表示装置。 - 前記絶縁膜は,前記R,G,B画素領域の発光領域の中のB画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されることを特徴とする,請求項22に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は,
基板の全面に形成された第1絶縁膜と,
前記R,G,B画素領域の発光領域の中のB画素領域の発光領域に対応する部分を除いた前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とを含むことを特徴とする,請求項22に記載の平板表示装置。 - 前記第1絶縁膜は酸化膜を含み,前記第2絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする,請求項24に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は,窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする,請求項22に記載の平板表示装置。
- R画素領域,G画素領域及びB画素領域を備え,各R,G,B画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され,それぞれ半導体層,ゲート電極及びソース/ドレイン電極を備えるR,G,B薄膜トランジスタと,
前記R,G,B薄膜トランジスタぞれぞれのソース/ドレイン電極のいずれか一方をそれぞれ露出させるR,G,Bビアホールを備えた絶縁膜と,
前記絶縁膜のR画素領域,G画素領域及びB画素領域の発光領域にそれぞれ形成され,前記R,G,Bビアホールを介して前記R,G,B薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結されるR,G,B画素電極をそれぞれ備えるR,G,B_EL素子とを含み,
前記絶縁膜はR,G,B画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成されたことを特徴とする,有機電界発光表示装置。 - 前記絶縁膜はB画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた基板の全面に形成され,
前記絶縁膜は窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする,請求項27に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記絶縁膜は,
基板の全面に形成された第1絶縁膜と,前記B画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とを含み,
前記第1絶縁膜は酸化膜を含み,前記第2絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする,請求項27に記載の有機電界発光表示装置。 - R画素領域,G画素領域及びB画素領域を備え,各R,G,B画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され,それぞれ半導体層,ゲート電極及びソース/ドレイン電極を備えるR,G,B薄膜トランジスタと,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の発光領域にそれぞれ形成され,前記R,G,B薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極のいずれか一方にそれぞれ連結されるR,G,B画素電極をそれぞれ備えるR,G,B_EL素子と,
前記R,G,B画素領域のR,G,B画素電極の中の一部画素電極の下部にのみ選択的に形成された絶縁膜とを含むことを特徴とする,有機電界発光表示装置。 - 前記絶縁膜は前記R画素領域の発光領域と前記B画素領域の発光領域に形成されたR及びG画素電極の下部にのみ選択的に形成され,
前記絶縁膜は窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする,請求項30に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記絶縁膜は,
前記R画素電極及びG画素電極の下部の前記R画素領域の発光領域と前記G画素領域の発光領域に形成された第1絶縁膜と,前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とを含み,
前記第1絶縁膜は酸化膜を含み,前記第2絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする,請求項30に記載の有機電界発光表示装置。 - R画素領域,G画素領域及びB画素領域を備え,各R,G,B画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され,半導体層,ゲート電極及びソース/ドレイン電極を備えるR,G,B薄膜トランジスタと,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の発光領域にそれぞれ形成され,前記R,G,B薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極のいずれか一方に連結されるR,G,B画素電極をそれぞれ備えたR,G,B_EL素子と,
前記R,G,B薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み,
前記R,G,B画素電極は前記絶縁膜に形成されて前記R,G,B薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結され,
前記絶縁膜はR,G,B画素領域の発光領域の中のいずれか一つのみを除いた基板上に形成されたことを特徴とする,有機電界発光表示装置。 - 前記絶縁膜は,前記B画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた基板の全面に形成され,窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする,請求項33に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記絶縁膜は,
基板の全面に形成された第1絶縁膜と,前記B画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とを含み,
前記第1絶縁膜は酸化膜を含み,前記第2絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする,請求項33に記載の有機電界発光表示装置。 - R画素領域,G画素領域及びB画素領域を備え,各R,G,B画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され,半導体層,ゲート電極及びソース/ドレイン電極を備えるR,G,B薄膜トランジスタと,
前記R画素領域,G画素領域及びB画素領域の発光領域にそれぞれ形成され,R,G,B画素電極をそれぞれ備えたR,G,B_EL素子と,
前記R,G,B薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み,
前記R,G,B画素電極は前記絶縁膜に前記R,G,B薄膜トランジスタぞれぞれのソース/ドレイン電極のいずれか一方から延設され,
前記絶縁膜は前記R,G,B画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成されたことを特徴とする,有機電界発光表示装置。 - 前記絶縁膜は,B画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた基板の全面に形成され,窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする,請求項36に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記絶縁膜は,
基板の全面に形成された第1絶縁膜と,前記B画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜とを含み,
前記第1絶縁膜は酸化膜を含み,前記第2絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする,請求項36に記載の有機電界発光表示装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008008361A1 (de) | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Fujitsu Limited, Kawasaki | Magnetwiderstandseffektelement und magnetische Speichervorrichtung |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100829743B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 |
KR101230316B1 (ko) * | 2006-03-21 | 2013-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
KR101227142B1 (ko) * | 2006-05-17 | 2013-01-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
JP5676949B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2015-02-25 | キヤノン株式会社 | 有機el表示装置 |
KR20140016111A (ko) * | 2012-07-30 | 2014-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2797883B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
US5405710A (en) * | 1993-11-22 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Article comprising microcavity light sources |
EP0845812B1 (en) * | 1996-11-28 | 2009-10-28 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
US6091195A (en) * | 1997-02-03 | 2000-07-18 | The Trustees Of Princeton University | Displays having mesa pixel configuration |
DE69732713T2 (de) * | 1996-12-23 | 2006-04-13 | The Trustees Of Princeton University | Lichtemittierende gegenstände mit lichtreflektierende stukturen |
NO304956B1 (no) * | 1997-07-22 | 1999-03-08 | Opticom As | Elektrodeanordning uten og med et funksjonselement, samt en elektrodeinnretning dannet av elektrodeanordninger med funksjonselement og anvendelser derav |
GB2351840A (en) * | 1999-06-02 | 2001-01-10 | Seiko Epson Corp | Multicolour light emitting devices. |
JP2001071558A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Futaba Corp | Elプリンタ及びel素子 |
JP2001242803A (ja) | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP4693253B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2011-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器 |
JP2002367787A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
KR100600849B1 (ko) * | 2002-02-26 | 2006-07-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배면발광형 유기전계 발광표시장치 |
US7045861B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same |
US7335921B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-02-26 | Zeolux Corporation | Lighting devices using feedback enhanced light emitting diode |
US7230271B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
JP2004055461A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP4434563B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2010-03-17 | パイオニア株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JP4266648B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2009-05-20 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US6737800B1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-05-18 | Eastman Kodak Company | White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference |
JP2004296303A (ja) | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
KR100573110B1 (ko) * | 2003-07-31 | 2006-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자와, 이를 이용한 평판 표시 장치와,이를 제조하기 위한 방법 |
JP4543798B2 (ja) * | 2003-08-18 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置および電子機器 |
JP4475942B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-06-09 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
JP2004158469A (ja) | 2004-03-05 | 2004-06-03 | Casio Comput Co Ltd | El素子 |
US7129634B2 (en) * | 2004-04-07 | 2006-10-31 | Eastman Kodak Company | Color OLED with added color gamut pixels |
JP2007005173A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
US8729795B2 (en) * | 2005-06-30 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
-
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
DE102008008361A1 (de) | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Fujitsu Limited, Kawasaki | Magnetwiderstandseffektelement und magnetische Speichervorrichtung |
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