CN101860997A - 光发射器件 - Google Patents
光发射器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101860997A CN101860997A CN201010163104A CN201010163104A CN101860997A CN 101860997 A CN101860997 A CN 101860997A CN 201010163104 A CN201010163104 A CN 201010163104A CN 201010163104 A CN201010163104 A CN 201010163104A CN 101860997 A CN101860997 A CN 101860997A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- electrode
- emitting layer
- photocell
- lighting apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 206
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 33
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 20
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- -1 -tert-butyl anthracenes Chemical class 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 4
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000000531 4H-pyrans Chemical class 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMQPLEYEXDZOJF-UHFFFAOYSA-N 1-naphthalen-2-ylanthracene Chemical class C1=CC=C2C=C3C(C4=CC5=CC=CC=C5C=C4)=CC=CC3=CC2=C1 KMQPLEYEXDZOJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- AKOPSFXXWOZBQU-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) 2-methylpyridine Chemical compound CC1=NC=CC=C1.[Ir+3] AKOPSFXXWOZBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJPHWVYNGODIMX-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzothiazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2s1 UJPHWVYNGODIMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBIAVBGIRDRQLD-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1,3-benzoxazole Chemical compound CC1=CC=C2OC=NC2=C1 UBIAVBGIRDRQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCRMNYVCABKJCM-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-pyran Chemical compound CC1=COCC=C1 QCRMNYVCABKJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 870075-87-9 Chemical compound O1C(C(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- DFEYQXQUDLUXQI-UHFFFAOYSA-N 9-ethyl-3-[2-(2-phenylphenyl)ethenyl]carbazole Chemical group C=1C=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=CC=1C=CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 DFEYQXQUDLUXQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAWSFVGZNFBYOC-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC(=CC=C1)CN)C1=C(C=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical group C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC(=CC=C1)CN)C1=C(C=CC=C1)C1=CC=CC=C1 UAWSFVGZNFBYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDDYZBALTSRZPD-UHFFFAOYSA-N NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical class NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 HDDYZBALTSRZPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNKRANLKLKJTJF-UHFFFAOYSA-N [Zn].OC1=C(C=CC=C1)C1=NC=CC=N1 Chemical compound [Zn].OC1=C(C=CC=C1)C1=NC=CC=N1 VNKRANLKLKJTJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000001629 stilbenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/84—Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B44/00—Circuit arrangements for operating electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/60—Circuit arrangements for operating LEDs comprising organic material, e.g. for operating organic light-emitting diodes [OLED] or polymer light-emitting diodes [PLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/157—Hole transporting layers between the light-emitting layer and the cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/167—Electron transporting layers between the light-emitting layer and the anode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
本发明涉及光发射器件。本发明的一个目的在于提供较少受光发射元件中引起的故障的影响的光发射器件。发明的另一个目的在于提供将光发射元件串联的光发射器件。关于发明的光发射器件,将每个具有光发射元件和限制器的电路群并联。在这里,将光发射元件和限制器串联。电路的数目可以是至少两个或更多。此外,每个电路群包括至少一个光发射元件。
Description
本分案申请是基于申请号为200580030668X,申请日为2005年9月5日,发明名称为“光发射器件”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及光发射器件,特别地涉及包括在一对电极之间具有光发射层的光发射元件的光发射器件。
背景技术
在一对电极之间具有光发射层的光发射元件实际上用作操作显示器件的像素。在最近几年中,这种光发射元件引起用作照明设备以及显示器件的光源的注意。
关于照明设备,不特别地需要显示器件所需的复杂化。但是,由于一个光发射元件的缺陷引起的对照明设备的影响却更大。特别地,可能会引起光发射元件不发光,因光发射元件的短路导致照度极大减小的故障等。
发明内容
本发明的一个目的在于提供较少受光发射元件中引起的故障的影响的光发射器件。发明的另一个目的在于提供将光发射元件串联的光发射器件。
关于发明的光发射器件,将每个具有光发射元件和限制器的电路群并联。在这里,将光发射元件和限制器串联。电路的数目可以是至少两个或更多。此外,每个电路群包括至少一个光发射元件。
在发明中,对限制器的数目没有特别限制。因此,一个电路群包括至少一个限制器。此外,可以将限制器提供为更接近于高电位电源或低电位电源;但是,优选地可以在电流流进包括光发射元件和限制器的电路组的一侧上提供限制器(也就是,优选地将限制器提供为比光发射元件更接近于高电位电源)。
在这里,限制器包括用于控制流进光发射元件的过载电流的具有一个元件或多个元件的组合的电路。
根据发明的光发射器件包括第一光发射元件和第二光发射元件。第一光发射元件和第二光发射元件每个都包括在第一电极和第二电极之间的光发射层。第一光发射元件中所包含的第一电极和第二光发射元件中所包含的第二电极重叠并电连接。
根据发明,可以减少因光发射元件中电极之间的短路引起的光发射器件的故障。此外,根据发明可以获得能够容易制造的包含串联的光发射元件的光发射器件。
附图说明
图1是显示根据本发明的光发射器件的模式的图。
图2是显示根据本发明的光发射器件中的光发射元件的模式的图。
图3是显示根据本发明的光发射器件中的光发射元件的模式的图。
图4是显示根据本发明的光发射器件中的光发射元件的模式的图。
图5是显示根据本发明的光发射器件中的光发射元件的模式的图。
图6是显示根据本发明的光发射器件的模式的图。
图7A和7B是显示根据本发明的光发射器件的模式的图。
图8是显示根据本发明的光发射器件的模式的图。
图9A至9C是显示使用根据本发明的光发射器件的电子设备的模式的图。
图10A和图10B是显示根据本发明的光发射器件的模式的图。
图11是显示根据本发明的光发射器件的模式的图。
图12是显示根据本发明的光发射器件的模式的图。
附图标记说明
101a:光发射元件,101b:光发射元件,101c:光发射元件,101d:光发射元件,111:限制器,121:电路,122:布线,123:布线,124:电源,125:节点,126:节点,127:节点,128:节点,131:第一电极,132:第二电极,133:光发射层,201:第一电极,202:第二电极,211:空穴注入层,212:空穴传输层,213:光发射层,214:电子传输层,215:电子注入层,751:第一电极,752:第二电极,761:电子注入层,762:电子传输层,763:第一光发射层,764:隔离层,765:第二光发射层,766:空穴传输层,767:空穴注入层,771:第一电极,772:第二电极,781:电子注入层,782:电子传输层,783:第一光发射层,784:空穴传输层,785:第一层,786:第二层,787:电子传输层,788:第二光发射层,789:空穴传输层,790:空穴注入层,501:衬底,502a:第一电极,502b:第一电极,502c:第一电极,502d:第一电极,505:隔离层,506a:光发射层,506b:光发射层,506c:光发射层,506d:光发射层,507a:第二电极,507b:第二电极,507c:第二电极,507d:第二电极,6001:支撑体,6002:照明部分,6503:柔性印制电路,5700:框架,5521:主体,5522:框架,5523:显示区,5524:键盘,901:框架,902:液晶设备,903:背光照明,904:框架,905:驱动电路,906:柔性印制电路,301:晶体管,302:电阻器,303:晶体管。
具体实施方式
将在下文中参考附图详细地描述发明的实施方案方式。但是,本领域技术人员应当容易明白,可以用许多不同方式实施发明,以及可以在形式和细节上进行多种改变而不背离发明的本质和范围。因此,发明不应当受下面的实施方案方式的描述所限制。
实施方案方式1
将参考图1描述发明的光发射器件的模式。
在图1中,将每个包含光发射元件101a至101d和限制器111的多个电路群121并联。
在每个电路121中,将光发射元件101a至101d和限制器111分别地串联。在图1中,在每个电路121中包含四个光发射元件;但是,不特别限制电路中的光发射元件的数目,因此电路可以包括至少一个光发射元件。在这里,光发射元件101a至101d每个都具有如图2中所示的在一对电极(第一电极131和第二电极132)之间的光发射层133。
也不特别地限制限制器111;它可以是能够控制以防止过载电流的任意一种。例如,限制器可以包括一个晶体管或者可以是多个元件例如晶体管和二极管的组合的电路。
例如,图10A、图10B、图11或图12中所示的结构可以用作限制器111。但是,结构不局限于此。图10A显示包括晶体管301和电阻器302的限制器111a。可选地,限制器111可以包括晶体管301或电阻器302的任意一个,如同图10B中所示的限制器111b或图11中所示的限制器111c的情况一样。在这里,如图10A中所示,晶体管301的栅电极可以连接到节点127;另外地,例如如图10B中所示,晶体管301的栅电极可以连接到节点128。如图10A和图10B中分别所示,在将限制器111a和限制器111b提供为更接近于高电位电源的情况中,晶体管301可以优选地是p沟道晶体管。如图11中所示,在将限制器111c提供为更接近于低电位电源的情况中,晶体管可以优选地是n沟道晶体管303。此外,限制器111可以是如图12中所示的包括二极管的限制器111d。
每个电路121的一端在节点125处连接到布线122,并且另一端在节点126处连接到布线123。布线122和123连接到电源124。
从电源124通过布线122和123将电压施加到光发射元件101a至101d。在各个光发射元件101a至101d中的电极之间产生电位差;因此,电流流动。在发光物质因流动的电流升高到激发态之后,在回复到基态时发光。第一电极131每个通过施加上具有相同极性的电位的布线连接到电源。此外,第二电极132每个通过施加上具有与第一电极相反极性的电位的布线连接到电源。在这里,对电位的哪种极性施加到各个电极没有特别限制。
关于这种光发射器件,即使在光发射元件的任意一个中的电极之间引起故障例如短路,也可以实施良好的操作,而不对其他光发射元件给予显著负担。
例如,即使在光发射元件101b的电极短路的情况中,其他光发射元件(光发射元件101a、101c和101d)也能够发光,因为它们相互串联。此外,即使在多个电路121的任意一个中所包含的大部分或全部光发射元件短路的情况中,也不会流过过载电流,因为它们的每个都具有限制器111,使得不会阻碍供给到其他电路的电流。
关于根据发明的光发射器件,不特别地限制光发射元件中所包含的第一电极131和第二电极132;但是,这对电极的至少一个可以透过可见光是优选的。因此,可以从光发射器件的一侧或两侧发出光。
此外,也不特别地限制光发射层133。在光发射层133中可以包含有机化合物或无机化合物或者同时包含两者。此外,光发射层133可以具有单层结构或多层结构。在多层结构的情况中,使具有不同发光颜色的发光物质在各个层中发光,使得在视觉上识别为混合的颜色。
实施方案方式2
在该实施方案方式中,将参考图3描述根据本发明的光发射器件中所包含的光发射元件的模式。
图3显示在第一电极201和第二电极202之间具有光发射层213的光发射元件。在该光发射元件中,在光发射层213中将从第一电极201注入的空穴以及从第二电极202注入的电子再结合,以使发光物质进入激发态。在这里,发光物质是能够发出具有期望发射波长的光的并具有良好发光效率的物质。然后,当处于激发态的发光物质回复到基态时发出光。应当注意,在本实施方案方式中的光发射元件中,第一电极201和第二电极202分别用作阳极和阴极。
在这里,不特别地限制光发射层213。但是,光发射层213是这样的层是优选的,即其中包含发光物质,使得发光物质在具有比发光物质大的能隙的材料所制成的层中分散。这使得可以防止因集中而引起的发光物质的发光的淬熄。应当注意,能隙表示LUMO级和HOMO级之间的能隙。
不特别地限制发光物质。能够发出具有期望发射波长的光的并具有良好发光效率的物质可以选择并用作发光物质。例如,在获得泛红发光时,可以使用表现出在600nm至680nm处具有发射谱的峰的发光的物质,例如4-二氰基亚甲基-2-异丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(缩写:DCJTI)、4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(缩写:DCJT)、4-二氰基亚甲基-2-叔丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(缩写:DCJTB)、periflantne,或2,5-二氰基-1,4-双-[2-(10-甲氧基-1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]苯。在获得泛绿发光的情况中,可以使用表现出在500nm至550nm处具有发射谱的峰的发光的物质,例如N,N’-二甲基喹吖啶酮(缩写:DMQd)、香豆素6、香豆素545T,或三(8-羟基喹啉)铝(缩写:Alq3)。此外,在获得泛蓝发光的情况中,可以使用表现出在420nm至500nm处具有发射谱的峰的发光的物质,例如9,10-双(2-萘基)-叔丁基蒽(缩写:t-BuDNA)、9,9’-二蒽基-9,10’-二苯基蒽(缩写:DPA)、9,10-双(2-萘基)蒽(缩写:DNA)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-镓(缩写:BGlq),或双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(缩写:BAlq))。除了上面的荧光物质之外,也可以使用磷光物质例如三(2-苯基吡啶)铱。
不特别地限制用于分散发光物质的材料。例如,咔唑衍生物如4,4’-双(N-咔唑基)-联苯(缩写:CBP)和4,4’,4”-三(N-咔唑基)-三苯胺(缩写:TCTA)以及金属络合物如双[2-(2-羟苯基)-嘧啶]锌(缩写:Znpp2)、双[2-(2-羟苯基)-苯并恶唑]锌(缩写:Zn(BOX)2),以及三(8-羟基喹啉)铝(缩写:Alq3)是优选的,除了具有芳基胺架构的化合物如4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯胺基]-联苯(缩写:α-NPD)之外。
虽然不特别地限制第一电极201,但是如同本实施方案方式中,当第一电极201用作阳极时,通过使用具有较大功函数的材料来形成第一电极201是优选的。特别地,除了氧化铟锡(ITO)、含二氧化硅的氧化铟锡,以及含2~20%的氧化锌的氧化铟之外,也可以使用金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)等。可以通过例如溅射或汽相沉积来形成第一电极201。
此外,虽然不特别地限制第二电极202,但是如同本实施方案方式中,当第二电极202用作阴极时,通过使用具有较小功函数的材料来形成第二电极202是优选的。特别地,可以使用含碱金属或碱土金属例如锂(Li)或镁的铝等。可以通过例如溅射或汽相沉积来形成第二电极202。
为了将发射光引到外部,第一电极201和第二电极202的任意一个或两个是包含能够透射可见光的材料如氧化铟锡的电极,或者是形成为具有几到几十nm厚度以透射可见光的电极是优选的。
另外,如图3中所示,可以在第一电极201和光发射层213之间提供空穴传输层212。在这里,空穴传输层是具有将从电极注入的空穴传输到光发射层的功能的层。提供空穴传输层212,这样使第一电极201保持远离光发射层213;因此,可以防止因金属引起的发光的淬熄。
不特别地限制空穴传输层212,并且使用借助于以下材料形成的层是可能的,例如芳族胺化合物(也就是,包含苯环-氮键的化合物)如4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯胺-氨基]-联苯(缩写:α-NPD)、4,4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-联苯(缩写:TPD)、4,4’,4”-三(N,N-联苯-氨基)-三苯胺(缩写:TDATA),或4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯胺(缩写:MTDATA)。另外,空穴传输层212可以是这样的层,其具有通过将每个包含上述材料的两个或多个层结合而形成的多层结构。
此外,如图3中所示,可以在第二电极202和光发射层213之间提供电子传输层214。在这里,电子传输层是具有将从电极注入的电子传输到光发射层的功能的层。提供电子传输层214,这样使第二电极202保持远离光发射层213;因此,可以防止因金属引起的发光的淬熄。
不特别地限制电子传输层214,并且使用以下材料所形成的层是可能的,例如包含喹啉架构或苯并喹啉架构的金属络合物,例如三(8-羟基喹啉)铝(缩写:Alq3)、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝(缩写:Almq3)、双(10-羟基苯并[h]羟基喹啉)铍(缩写:BeBq2),或双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(缩写:BAlq)。另外,可以使用以下材料所形成的层,例如包含基于唑的配位体或基于噻唑的配位体的金属络合物,例如双[2-(2-羟苯基)-苯并恶唑]锌(缩写:Zn(BOX)2)或双[2-(2-羟苯基)-苯并噻唑]锌(缩写:Zn(BTZ)2)。此外,可以使用借助于以下材料形成的层,2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯)-1,3,4-恶二唑(缩写:PBD)、1,3-双[5-(p-叔丁基苯)-1,3,4-恶二唑-2-基]苯(缩写:OXD-7)、3-(4-叔丁基苯)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(缩写:TAZ)、3-(4-叔丁基苯)-4-(4-乙基苯)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(缩写:p-EtTAZ)、红菲咯啉(缩写:BPhen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮菲(缩写:BCP)等。另外,电子传输层214可以是这样的层,其具有通过将每个包含上述材料的两个或多个层结合而形成的多层结构。
此外,如图3中所示,可以在第一电极201和空穴传输层212之间提供空穴注入层211。在这里,空穴注入层是具有帮助空穴从用作阳极的电极中注入到空穴传输层的功能的层。应当注意,当不特别提供空穴传输层时,可以通过在用作阳极的电极与光发射层之间提供空穴注入层来帮助空穴注入到光发射层。
不特别地限制空穴注入层211,并且使用以下材料所形成的层是可能的,例如金属氧化物,如氧化钼(MoOx)、氧化钒(VOx)、氧化钌(RuOx)、氧化钨(WOx)、氧化锰(MnOx)。另外,可以使用酞菁化合物如酞菁(缩写:H2Pc)或铜酞菁(缩写:CuPc)、高聚合物如聚(3,4-二氧乙基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸盐)水溶液(PEDOT/PSS)等来形成空穴注入层211。
此外,如图3中所示,可以在第二电极202和电子传输层214之间提供电子注入层215。在这里,电子注入层是具有帮助电子从用作阴极的电极中注入到电子传输层214的功能的层。应当注意,当不特别提供电子传输层时,可以通过在用作阴极的电极与光发射层之间提供电子注入层来帮助电子注入到光发射层。
不特别地限制电子注入层215,使用借助于以下材料形成的层是可能的,例如碱金属或碱土金属的化合物如氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF),或氟化钙(CaF2)。另外,其中高电子传输材料如Alq3或4,4-双(5-甲基苯并恶唑基-2-基)芪(缩写:BzOS)与碱金属或碱土金属如镁或锂混合的层也可以用作电子注入层215。
在根据实施方案方式的上述光发射元件中,可以通过任意的方法例如汽相沉积、喷墨或涂覆来形成空穴注入层211、空穴传输层212、光发射层213、电子传输层214以及电子注入层215的每个。另外,可以通过任意的方法例如溅射或汽相沉积来形成第一电极201和第二电极202。
在上述光发射元件中,因为在第一电极201和第二电极202之间提供的层的厚度总和非常薄只有几十nm至几百nm;因此,第一电极201和第二电极202可能短路。但是,通过应用本发明,可以减少光发射器件中的照度急降等,并且即使当光发射元件中所包含的电极短路时也能够顺利地操作光发射器件。
实施方案方式3
在根据本发明的光发射器件中提供的光发射元件的模式不局限于在实施方案方式2中描述的这种。例如,光发射元件可以具有多个光发射层。例如,可以通过提供多个光发射层并将各个光发射层的发光混合来获得白光。在本实施方案方式中,将参考图4和图5描述每个具有多个光发射层的光发射元件的模式。
在图4中,在第一电极751和第二电极752之间提供第一光发射层763和第二光发射层765。在第一光发射层763和第二光发射层765之间提供隔离层764是优选的。
当施加电压使得第二电极752的电位高于第一电极751的电位时,电流在第一电极751和第二电极752之间流动,并且空穴和电子在第一光发射层763、第二光发射层765或隔离层764中再结合。所产生的激发能通过隔离层764转移到第一光发射层763以及第二光发射层765,并且第一光发射层763中所包含的第一发光物质以及第二光发射层765中所包含的第二发光物质被激发。然后,激发的第一和第二发光物质在回复到各自的基态时发光。
第一光发射层763包括以荧光物质如二萘嵌苯、2,5,8,11-四-叔丁基二萘嵌苯(缩写:TBP)、4,4’-双(2-联苯乙烯基)联苯(缩写:DPVBi)、4,4’-双[2-(N-乙基咔唑-3-基)乙烯基]联苯(缩写:BC2VBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(缩写:BAlq)或双(2-甲基-8-羟基喹啉)-氯镓(Gamq2Cl),或者磷光物质如双[2-(3,5-双(三氟甲基)苯基)嘧啶-N,C2’]铱(III)皮考啉(缩写:Ir(CF3ppy)2(pic))、双[2-(4,6-二氟苯基)嘧啶-N,C2’]铱(III)乙酰丙酮化物(缩写:FIr(acac)),或双[2-(4,6-二氟苯基)嘧啶-N,C2’]铱(III)皮考啉(缩写:FIr(pic))为代表的发光物质,从这些材料可以获得在发射谱中450~510nm处具有峰的发光。另外,第二光发射层765包括用作发光材料的发光物质,从其中可以获得如同实施方案方式2的在发射谱中600~680nm处具有峰的发光。然后,第一光发射层763发光的发光颜色以及第二光发射层765发光的发光颜色通过第一电极751和第二电极752的一个或两个发射到外部。发射到外部的发光在视觉上混合,以在视觉上被识别为白光。
优选地,第一光发射层763是这样的层,其中分散地包含能够表现出450~510nm发光的发光物质以使其处于由具有比发光物质大的能隙的材料(第一寄主)制成的层中,或者是这样的层,它由能够表现出450~510nm发光的发光物质制成。作为第一寄主,除了上述α-NPD、CBP、TCTA、Znpp2以及Zn(BOX)2之外,也可以使用9,10-双(2-萘基)蒽(缩写:DNA)、9,10-双(2-萘基)-2-叔丁基蒽(缩写:t-BuDNA)等。此外,优选地,第二光发射层765是这样的层,其中将在发射谱中在600nm至680nm处具有峰的发光物质分散地包含于由具有比发光物质大的能隙的材料(第二寄主)制成的层中。可以使用α-NPD、CBP、TCTA、Znpp2、Zn(BOX)2、Alq3等作为第二寄主。此外,以下是优选的,即形成隔离层764,使得在第一光发射层763、第二光发射层765或隔离层764中产生的能量可以转移到第一光发射层763以及第二光发射层765两者,并且将隔离层764形成为具有防止能量转移到第一光发射层763和第二光发射层765中的仅一个的功能。特别地,可以使用有机载流子传输材料例如α-NPD、CBP、TCTA、Znpp2、Zn(BOX)2等来形成隔离层764。如上所述,通过提供隔离层764,可以防止因为第一光发射层763和第二光发射层765中只有一个的发光强度变得更强而导致的使不可能获得白光的故障。
在本实施方案方式中,不特别地限制第一光发射层763和第二光发射层765的每个中所包含的发光物质。第一光发射层763和第二光发射层765中所包含的发光物质可以相互交换;因此,第一光发射层763可以包含能够表现出较长波长发光的发光物质,而在第二光发射层765中包含能够表现出较短波长发光的发光物质。在该情况中,容易俘获载流子的发光物质用于更接近于用作阴极(第一电极751)的电极的光发射层(第一光发射层763),使得每个层中所包含的发光物质更有效地发光。
另外,在本实施方案方式中,描述了如图4中所示的提供有这两个光发射层的光发射元件。但是,光发射层的数目不局限于两个,例如可以使用三个光发射层。此外,可以将每个光发射层的发光结合,以在视觉上被识别为白光。
此外,如图4中所示,可以在第一光发射层763和第一电极751之间提供电子传输层762。除了电子传输层762之外,可以在电子传输层762和第一电极751之间提供电子注入层761。此外,如图4中所示,可以在第二光发射层765和第二电极752之间提供空穴传输层766。而且,可以在空穴传输层766和第二电极752之间提供空穴注入层767。
除了参考图4描述的光发射元件之外,还可以使用图5中所示的光发射元件。
图5中所示的光发射元件在第一电极771和第二电极772之间具有第一光发射层783和第二光发射层788。在第一光发射层783和第二光发射层788之间,提供了第一层785和第二层786。
第一层785是产生空穴的层,并且第二层786是产生电子的层。当施加电压使得第二电极772的电位高于第一电极771的电位时,从第一电极771注入的电子和从第一层注入的空穴在第一光发射层783中再结合,并且第一光发射层783中所包含的发光物质发光。此外,从第二电极772注入的空穴和从第二层786注入的电子在第二光发射层788中再结合,并且第二光发射层788中所包含的发光物质发光。
在第一光发射层783中包含如同实施方案方式2的在发射谱中在600nm至680nm处具有峰的发光物质。另外,第二光发射层788包含以荧光物质如二萘嵌苯、TBP、DPVBi、BCzVBi、BAlq或Gamq2Cl,或者磷光物质如Ir(CF3ppy)2(pic)、FIr(acac)或FIr(pic)为代表的发光物质,从它们可以获得在发射谱中在450~510nm处具有峰的发光。第一光发射层783和第二光发射层788的发光从第一电极771和第二电极772的一个或两个中发出。然后,将每个光发射层的发光在视觉上混合,以在视觉上被识别为白光。
在第一光发射层783和第二光发射层788的每个中,在寄主中分散地包含发光物质是优选的。
第一层785主要包含传输空穴比电子多的第一物质而且还包含具有对第一物质的电子受主性质的第二物质是优选的。可以使用与用于形成空穴传输层的物质相同的物质作为第一物质。另外,可以使用例如氧化钼、氧化钒、7,7,8,8-四氰喹啉二甲烷(缩写:TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰喹啉二甲烷(缩写:F4-TCNQ)作为第二物质。
第二层786主要包含传输电子比空穴多的第三物质而且还包含具有对第三物质的电子施主性质的第四物质是优选的。可以使用与用于形成电子传输层的物质相同的物质作为第三物质。另外,可以使用碱金属如锂或铯、碱土金属如镁或钙、稀土金属如铒或镱等作为第四物质。
此外,如图5中所示,可以在第一光发射层783和第一电极771之间提供电子传输层782,可以在电子传输层782和第一电极771之间提供电子注入层781,可以在第一光发射层783和第一层785之间提供空穴传输层784。可以在第二光发射层788和第二电极772之间提供空穴传输层789,可以在空穴传输层789和第二电极772之间提供空穴注入层790。可以在第二光发射层788和第二层786之间提供电子传输层787。
另外,在本实施方案方式中,描述了如图5中所示的提供有这两个光发射层的光发射元件。但是,光发射层的数目不局限于两个,例如可以使用三个光发射层。此外,可以将每个光发射层的发光结合,以便在视觉上被识别为白光。
实施方案方式4
在本实施方案方式中,将参考图6、图7A和图7B描述根据本发明的光发射器件的结构的模式。
图6是显示根据发明的光发射器件的发光部分的一部分的顶视图。在图6中,在一排中顺序地布置第一电极502a、第一电极502b、第一电极502c,以及第一电极502d。第一电极502a、502b、502c和502d与相应的光发射层506a、506b、506c和506d以及第二电极507a、507b、507c和507d部分地重叠。此外,第一电极502a的一部分与第二电极507b的一部分重叠,并且第一电极502b的一部分与第二电极507c的一部分重叠。而且,第一电极502c的一部分与第二电极507d的一部分重叠。在这里,第一电极和第二电极的一个用作阳极,并且另一个用作阴极。
图7A是显示根据本发明的光发射器件的发光部分的一部分的横截面视图,并且特别地是显示沿着图6中的线A-A’截取的一部分的横截面视图。在图7A中,在衬底501上提供第一电极502b,使得在隔离层505的开口中暴露。在第一电极502b上提供光发射层506b,在光发射层506b上还提供第二电极507b。这样,在虚线A-A’所示的一部分中独立提供了每个在一对电极之间具有光发射层的多个光发射元件。
图7B也是显示根据本发明的光发射器件的发光部分的一部分的横截面视图,并且特别地是显示沿着图6中的线B-B’截取的一部分的横截面视图。图7B中的衬底501与图7A中的衬底501相同。图7B中的第一电极502b与图7A中的第一电极502b相同。除第一电极502b之外,也提供第一电极502c,以便在隔离层505的开口中暴露。
第一电极502b和第一电极502c分别在两个开口中暴露。在第一开口中,在第一电极502b上提供光发射层506b,并且在第一电极502c上提供光发射层506c。此外,在第一开口中所暴露的第一电极502c上提供第二电极507c,并且两者之间具有光发射层506c。第一电极502b、光发射层506b以及第二电极507b重叠的部分用作一个光发射元件。第一电极502c、光发射层506c以及第二电极507c重叠的部分用作另一个光发射元件。在第二开口中,第二电极507c与第一电极502b重叠,并且与之电连接。如上所述,第一光发射元件中所包含的第一电极连接到第二光发射元件中所包含的第二电极;这样,将每个在一对电极之间具有光发射层的多个光发射元件串联。
此外,可以通过下面所描述的这种工艺来制造具有图7B中所示的结构的光发射元件。首先,分别地形成第一电极502a、502b、502c以及502d,其后形成隔离层使得在两个开口中暴露各个第一电极。在每个在开口之一中暴露的各个第一电极上分别地形成光发射层506a、506b、506c以及506d。此时,通过可以在期望位置选择性地形成一层的形成方法例如喷墨方法或使用掩模的汽相沉积来优选地形成光发射层506a、506b、506c以及506d。此外,形成第一电极507a、507b、507c以及507d的每个,以便覆盖该光发射元件之一的光发射层以及在与该光发射元件相邻的另一个光发射元件的开口中暴露的光发射元件和第一电极的光发射层。另外,以下是优选的,也通过可以在期望位置以及光发射层选择性地形成一层的形成方法例如喷墨方法或使用掩模的汽相沉积来优选地形成第二电极507a、507b、507c以及507d。这样,可以容易地制造串联的光发射元件。
实施方案方式5
如图8中所示,本发明的光发射器件包括支撑体6001和在其上提供的照明部分6002。此外,光发射器件装配有用于将照明部分6002和电源连接的柔性印制电路6003。将描述每个包括发明的这种光发射器件的电子设备的模式。
图9A显示应用发明的光发射器件的照明设备。在图9A的照明设备中,将发明的光发射器件安装在框架5700中。关于发明的这种光发射器件应用于照明部分的照明设备,可以减少由于光发射元件的缺陷导致的故障并且可以执行良好的照明。
图9B显示将发明的光发射器件应用于显示区5523的背光照明的个人计算机。个人计算机包括主体5521、框架5522、显示区5523、键盘5524等。特别地,将液晶设备902和背光照明903安装在要装配在个人计算机上的框架901和框架904之间。根据通过驱动电路905提供的信号来操作液晶显示设备。背光设备903装配有柔性印制电路906。用于控制背光照明903的信号通过柔性印制电路906输入到背光照明。以该方式安装发明的光发射器件;这样,可以减少由于光发射元件的缺陷而局部形成的故障例如暗点,并且可以执行良好的显示。
Claims (26)
1.一种照明设备,包括:
彼此并联连接的多个电路,所述多个电路中的每一个包括:
串联连接的多个光发射元件,所述多个光发射元件中的每一个包括:
第一电极;
在所述第一电极之上的光发射层;和
在所述光发射层之上的第二电极;
与所述多个光发射元件串联连接的限制器;以及
与所述多个电路并联连接的电源,
其中,所述多个光发射元件的第一电极彼此分离。
2.根据权利要求1的照明设备,其中所述限制器包括二极管。
3.根据权利要求1的照明设备,其中所述限制器包括薄膜晶体管。
4.根据权利要求1的照明设备,其中所述光发射层被形成为条带状。
5.根据权利要求1的照明设备,还包括:
所述多个光发射元件包括:
第一光发射元件;和
第二光发射元件;以及
具有第一开口和第二开口的隔离层,
其中所述限制器连接于所述第一光发射元件和所述第二光发射元件,
其中所述第一电极、第二电极,以及所述第一光发射元件的光发射层在所述第一开口中彼此重叠,以及
其中包含在所述第一光发射元件中的第一电极和包含在所述第二光发射元件中的第二电极在所述第二开口中彼此重叠。
6.根据权利要求1的照明设备,
其中所述光发射层被形成为条带状,以及
其中具有条带状的所述光发射层在所述多个电路之上延伸。
7.根据权利要求1的照明设备,
其中,所述多个光发射元件的第二电极彼此分离。
8.一种照明设备,包括:
彼此并联连接的多个电路,所述多个电路中的每一个包括:
串联连接的多个光发射元件,所述多个光发射元件中的每一个包括:
第一电极;
在所述第一电极之上的第一光发射层;
在所述第一光发射层之上的第二光发射层;和
在所述第二光发射层之上的第二电极;
与所述多个光发射元件串联连接的限制器;以及
与所述多个电路并联连接的电源,
其中,所述多个光发射元件的第一电极彼此分离。
9.根据权利要求8的照明设备,其中所述限制器包括二极管。
10.根据权利要求8的照明设备,其中所述限制器包括薄膜晶体管。
11.根据权利要求8的照明设备,其中所述光发射层被形成为条带状。
12.根据权利要求8的照明设备,还包括:
所述多个光发射元件包括:
第一光发射元件;和
第二光发射元件;以及
具有第一开口和第二开口的隔离层,
其中所述限制器连接于所述第一光发射元件和所述第二光发射元件,
其中所述第一电极、第二电极,以及所述第一光发射元件的光发射层在所述第一开口中彼此重叠,以及
其中包含在所述第一光发射元件中的第一电极和包含在所述第二光发射元件中的第二电极在所述第二开口中彼此重叠。
13.根据权利要求8的照明设备,
其中所述光发射层被形成为条带状,以及
其中具有条带状的所述光发射层在所述多个电路之上延伸。
14.根据权利要求8的照明设备,
其中,所述多个光发射元件的第二电极彼此分离。
15.根据权利要求8的照明设备,
其中来自第一光发射层和第二光发射层的发光颜色被结合使得成为白光。
16.根据权利要求8的照明设备,
其中来自第一光发射层的第一发光颜色不同于来自第二光发射层的第二发光颜色。
17.一种照明设备,包括:
彼此并联连接的多个电路,所述多个电路中的每一个包括:
串联连接的多个光发射元件,所述多个光发射元件中的每一个包括:
第一电极;
在所述第一电极之上的第一光发射层;
在所述第一光发射层之上的产生光子的第一层;
在所述层之上的第二光发射层;和
在所述第二光发射层之上的第二电极;
与所述多个光发射元件串联连接的限制器;以及
与所述多个电路并联连接的电源,
其中,所述多个光发射元件的第一电极彼此分离。
18.根据权利要求17的照明设备,其中所述限制器包括二极管。
19.根据权利要求17的照明设备,其中所述限制器包括薄膜晶体管。
20.根据权利要求17的照明设备,其中所述光发射层被形成为条带状。
21.根据权利要求17的照明设备,还包括:
所述多个光发射元件包括:
第一光发射元件;和
第二光发射元件;以及
具有第一开口和第二开口的隔离层,
其中所述限制器连接于所述第一光发射元件和所述第二光发射元件,
其中所述第一电极、第二电极,以及所述第一光发射元件的光发射层在所述第一开口中彼此重叠,以及
其中包含在所述第一光发射元件中的第一电极和包含在所述第二光发射元件中的第二电极在所述第二开口中彼此重叠。
22.根据权利要求17的照明设备,
其中所述光发射层被形成为条带状,以及
其中具有条带状的所述光发射层在所述多个电路之上延伸。
23.根据权利要求17的照明设备,
其中,所述多个光发射元件的第二电极彼此分离。
24.根据权利要求17的照明设备,
其中来自第一光发射层和第二光发射层的发光颜色被结合使得成为白光。
25.根据权利要求17的照明设备,
其中来自第一光发射层的第一发光颜色不同于来自第二光发射层的第二发光颜色。
26.根据权利要求17的照明设备,
其中所述多个光发射元件中的每一个还包括在所述第一层和所述第二光发射层之间产生空穴的第二层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004-265006 | 2004-09-13 | ||
JP2004265006 | 2004-09-13 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200580030668XA Division CN101019468B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101860997A true CN101860997A (zh) | 2010-10-13 |
CN101860997B CN101860997B (zh) | 2015-05-06 |
Family
ID=36059972
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200580030668XA Expired - Fee Related CN101019468B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
CN201210163885.8A Active CN102724779B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
CN2012101638951A Pending CN102724780A (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
CN201210163937.1A Active CN102724781B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
CN201010163104.6A Expired - Fee Related CN101860997B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200580030668XA Expired - Fee Related CN101019468B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
CN201210163885.8A Active CN102724779B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
CN2012101638951A Pending CN102724780A (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
CN201210163937.1A Active CN102724781B (zh) | 2004-09-13 | 2005-09-05 | 光发射器件 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US7999463B2 (zh) |
EP (5) | EP1795052B1 (zh) |
JP (7) | JP4827466B2 (zh) |
KR (8) | KR101381906B1 (zh) |
CN (5) | CN101019468B (zh) |
TW (6) | TWI542249B (zh) |
WO (1) | WO2006030719A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105810852A (zh) * | 2012-12-13 | 2016-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板的制作方法 |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2416621A (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Laminated interconnects for opto-electronic device modules |
KR101381906B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
US7772761B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-08-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organic electrophosphorescence device having interfacial layers |
US7843134B2 (en) * | 2005-10-31 | 2010-11-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL emission devices connected in series |
EP1863105B1 (en) * | 2006-06-02 | 2020-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
JP5172402B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 有機elデバイス |
JP5457847B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2014-04-02 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
WO2010092931A1 (ja) * | 2009-02-16 | 2010-08-19 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
US20110163337A1 (en) * | 2010-01-06 | 2011-07-07 | General Electric Company | Architecture for organic electronic devices |
WO2011142248A1 (ja) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Necライティング株式会社 | 有機el照明装置 |
WO2011152496A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 照明装置 |
KR101869681B1 (ko) | 2010-08-20 | 2018-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명 장치 |
DE102010042132A1 (de) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Ledon Oled Lighting Gmbh & Co.Kg | Leuchtelement mit OLED-Modulen |
JP5839555B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
JP5897876B2 (ja) | 2010-11-19 | 2016-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
KR101872925B1 (ko) | 2010-12-24 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명 장치 |
US8552440B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device |
CN103262656B (zh) | 2010-12-28 | 2016-08-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光单元、发光装置以及照明装置 |
WO2012093671A1 (ja) * | 2011-01-07 | 2012-07-12 | 株式会社カネカ | 有機el装置及び有機el装置の製造方法 |
US9698140B2 (en) * | 2011-01-12 | 2017-07-04 | Universal Display Corporation | OLED lighting device with short tolerant structure |
US9214510B2 (en) | 2011-01-12 | 2015-12-15 | Universal Display Corporation | OLED lighting device with short tolerant structure |
KR101889857B1 (ko) | 2011-01-24 | 2018-08-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 및 조명장치의 설치보드 |
US9516713B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
WO2012108097A1 (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-16 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機el照明モジュールおよびその制御方法 |
KR102050505B1 (ko) | 2011-02-10 | 2019-11-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법, 조명 장치 및 표시 장치 |
KR102004305B1 (ko) | 2011-02-11 | 2019-07-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치 |
JP5925511B2 (ja) | 2011-02-11 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光ユニット、発光装置、照明装置 |
US9035337B2 (en) | 2011-02-14 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting panel, and lighting device |
US8735874B2 (en) * | 2011-02-14 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same |
KR101890565B1 (ko) | 2011-02-14 | 2018-08-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명 장치 |
US8772795B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
JP5820295B2 (ja) | 2011-02-21 | 2015-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
JP5848984B2 (ja) | 2011-02-24 | 2016-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁パターンの形成方法 |
TWI562423B (en) | 2011-03-02 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and lighting device |
KR20120102001A (ko) | 2011-03-07 | 2012-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 및 발광 장치 |
WO2012124258A1 (en) | 2011-03-11 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method of light-emitting element |
JP6034035B2 (ja) | 2011-03-30 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
TWI565119B (zh) | 2011-05-27 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置的製造方法及發光裝置 |
DE102012206888A1 (de) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Zumtobel Lighting Gmbh | LED-Anordnung |
KR102082793B1 (ko) | 2012-05-10 | 2020-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
TWI603650B (zh) * | 2012-07-18 | 2017-10-21 | 隆達電子股份有限公司 | 發光晶片及具有其之發光裝置 |
TWI487088B (zh) * | 2012-09-07 | 2015-06-01 | Ind Tech Res Inst | 有機發光二極體光源裝置 |
TW201411903A (zh) | 2012-09-07 | 2014-03-16 | Ind Tech Res Inst | 無線電力傳輸之可裁切有機發光二極體光源裝置 |
JP6091166B2 (ja) * | 2012-11-08 | 2017-03-08 | 株式会社カネカ | 有機el装置 |
JP5980102B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2016-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
US9271368B2 (en) | 2012-12-07 | 2016-02-23 | Bridgelux, Inc. | Method and apparatus for providing a passive color control scheme using blue and red emitters |
KR102551915B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2023-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화이트 유기 발광 다이오드 백라이트 장치 및 그를 이용한 액정 표시 장치 |
JPWO2022181324A1 (zh) * | 2021-02-25 | 2022-09-01 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002132218A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Sony Corp | 表示装置、輝度制限回路及び表示装置の駆動方法 |
CN1484323A (zh) * | 2002-08-07 | 2004-03-24 | ��˹���´﹫˾ | 包括一组有机发光器件的有机发光设备 |
Family Cites Families (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2972692A (en) * | 1958-05-02 | 1961-02-21 | Westinghouse Electric Corp | Method for operating electroluminescent cell and electroluminescent apparatus |
FR2058160B1 (zh) | 1969-08-05 | 1976-02-06 | Fourreau Pierre | |
US3833833A (en) * | 1973-08-20 | 1974-09-03 | A Nelson | Drive circuitry for light emitting film displays |
JPS556687A (en) * | 1978-06-29 | 1980-01-18 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Traffic use display |
JPS5580376A (en) * | 1978-12-11 | 1980-06-17 | Semiconductor Res Found | Battery driven emergency lamp using luminous diode |
JPS55143080A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Luminous source device with light emitting element |
EP0597226A1 (en) | 1992-11-09 | 1994-05-18 | Motorola, Inc. | Push-pull matrix addressing |
JP3366401B2 (ja) | 1992-11-20 | 2003-01-14 | 出光興産株式会社 | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3451680B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2003-09-29 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
TW364275B (en) * | 1996-03-12 | 1999-07-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
US5812978A (en) * | 1996-12-09 | 1998-09-22 | Tracer Round Associaties, Ltd. | Wheelchair voice control apparatus |
EP0895219B1 (en) | 1997-02-17 | 2010-06-16 | Seiko Epson Corporation | Display device |
US6462722B1 (en) * | 1997-02-17 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same |
DE19728763B4 (de) * | 1997-07-07 | 2007-10-31 | Reitter & Schefenacker Gmbh & Co. Kg | Schaltungseinrichtung zum Schutz von strombetriebenen Leuchtmitteln, insbesondere von LEDs, zu Signal- oder Beleuchtungszwecken |
US6004685A (en) | 1997-12-23 | 1999-12-21 | Hewlett-Packard Company & The Board Of Regents Of The University Of Texas System | LED doped with periflanthene for efficient red emission |
JPH11329734A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-11-30 | Mitsubishi Chemical Corp | 有機電界発光素子 |
JP3775628B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2006-05-17 | パイオニア株式会社 | 電荷蓄積性発光素子の駆動装置及び駆動方法 |
JPH11307261A (ja) | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP4264994B2 (ja) | 1998-07-10 | 2009-05-20 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
GB9907120D0 (en) | 1998-12-16 | 1999-05-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emissive devices |
US6786625B2 (en) | 1999-05-24 | 2004-09-07 | Jam Strait, Inc. | LED light module for vehicles |
US6866947B1 (en) | 1999-12-28 | 2005-03-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device emitting white light |
JP4255610B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2009-04-15 | 出光興産株式会社 | 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP4048521B2 (ja) | 2000-05-02 | 2008-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
JP2002033191A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
KR20010104215A (ko) * | 2000-05-12 | 2001-11-24 | 야마자끼 순페이 | 발광장치 제작방법 |
TW533446B (en) * | 2000-12-22 | 2003-05-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent device and a method of manufacturing thereof |
GB2371910A (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-07 | Seiko Epson Corp | Display devices |
US20030002994A1 (en) * | 2001-03-07 | 2003-01-02 | Johnson A. David | Thin film shape memory alloy actuated flow controller |
JP2002367787A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2003068472A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 有機発光素子およびそれを用いた有機発光表示装置 |
KR100767377B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 이.엘 디스플레이 패널과 이를 구비하는 유기 이.엘디스플레이 장치 |
TWI235349B (en) * | 2001-11-26 | 2005-07-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Circuit-arrangement for an LED-array |
SG142163A1 (en) | 2001-12-05 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
JP2003264085A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池 |
JP4010394B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2007-11-21 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子 |
GB0130411D0 (en) * | 2001-12-20 | 2002-02-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
JP4511784B2 (ja) | 2001-12-20 | 2010-07-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Ledアレイ及びledモジュール |
US6747639B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Voltage-source thin film transistor driver for active matrix displays |
TWI258317B (en) * | 2002-01-25 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device and method for manufacturing thereof |
US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2003297573A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Pioneer Electronic Corp | 有機el素子を含む表示装置及びその製造方法 |
US6911772B2 (en) * | 2002-06-12 | 2005-06-28 | Eastman Kodak Company | Oled display having color filters for improving contrast |
DE10228103A1 (de) * | 2002-06-24 | 2004-01-15 | Bayer Cropscience Ag | Fungizide Wirkstoffkombinationen |
US6608511B1 (en) * | 2002-07-17 | 2003-08-19 | Via Technologies, Inc. | Charge-pump phase-locked loop circuit with charge calibration |
GB2391686B (en) | 2002-07-31 | 2006-03-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Electroluminescent display and process for producing the same |
JP4174710B2 (ja) | 2002-08-01 | 2008-11-05 | 東北デバイス株式会社 | 有機elパネルを用いた大面積パネル |
US7049757B2 (en) * | 2002-08-05 | 2006-05-23 | General Electric Company | Series connected OLED structure and fabrication method |
US7034470B2 (en) * | 2002-08-07 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Serially connecting OLED devices for area illumination |
US7158161B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element |
JP2004119304A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
US6717358B1 (en) | 2002-10-09 | 2004-04-06 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability |
JP2004140267A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
GB0226401D0 (en) * | 2002-11-12 | 2002-12-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent devices and their manufacture |
CN1503603A (zh) * | 2002-11-21 | 2004-06-09 | 铼宝科技股份有限公司 | 有机发光面板、有机发光组件及其制造方法 |
CN2583920Y (zh) * | 2002-11-21 | 2003-10-29 | 铼宝科技股份有限公司 | 有机发光面板及有机发光组件 |
US7148632B2 (en) * | 2003-01-15 | 2006-12-12 | Luminator Holding, L.P. | LED lighting system |
JP2004253364A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置 |
JP2004234868A (ja) | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機el照明素子 |
US20040149984A1 (en) | 2003-01-31 | 2004-08-05 | Eastman Kodak Company | Color OLED display with improved emission |
JP2004247438A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Canon Inc | 冷却装置 |
WO2004102445A2 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Pch International Ltd. | Method and system for supply chain management employing a vizualization interface |
KR100569549B1 (ko) * | 2003-12-13 | 2006-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상 변화 저항 셀 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치 |
US7367392B2 (en) * | 2004-01-08 | 2008-05-06 | Schlumberger Technology Corporation | Wellbore apparatus with sliding shields |
US7012585B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-03-14 | Eastman Kodak Company | OLED apparatus having improved fault tolerance |
US7285801B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-10-23 | Lumination, Llc | LED with series-connected monolithically integrated mesas |
KR101381906B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
KR20060060596A (ko) * | 2004-11-30 | 2006-06-05 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체 기억 장치 |
JP4007403B1 (ja) | 2006-09-01 | 2007-11-14 | トヨタ自動車株式会社 | 動力出力装置およびハイブリッド自動車 |
-
2005
- 2005-09-05 KR KR1020107029932A patent/KR101381906B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-05 EP EP05781932.8A patent/EP1795052B1/en active Active
- 2005-09-05 KR KR1020107029930A patent/KR101326283B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-05 CN CN200580030668XA patent/CN101019468B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-05 EP EP10016208A patent/EP2299780A3/en not_active Withdrawn
- 2005-09-05 KR KR1020107029929A patent/KR101362468B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-05 CN CN201210163885.8A patent/CN102724779B/zh active Active
- 2005-09-05 EP EP10016209A patent/EP2299781A3/en not_active Withdrawn
- 2005-09-05 CN CN2012101638951A patent/CN102724780A/zh active Pending
- 2005-09-05 EP EP10016210.6A patent/EP2299782B1/en active Active
- 2005-09-05 KR KR1020107029931A patent/KR101326284B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-05 KR KR1020107029175A patent/KR101326282B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-05 KR KR1020147019721A patent/KR101581943B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-05 KR KR1020077007669A patent/KR101217620B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-05 CN CN201210163937.1A patent/CN102724781B/zh active Active
- 2005-09-05 EP EP10016207A patent/EP2299779A3/en not_active Withdrawn
- 2005-09-05 CN CN201010163104.6A patent/CN101860997B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-05 KR KR1020137008220A patent/KR101486037B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-05 US US11/661,924 patent/US7999463B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-05 WO PCT/JP2005/016677 patent/WO2006030719A1/en active Application Filing
- 2005-09-06 JP JP2005257276A patent/JP4827466B2/ja active Active
- 2005-09-12 TW TW100101697A patent/TWI542249B/zh active
- 2005-09-12 TW TW094131350A patent/TWI466312B/zh active
- 2005-09-12 TW TW100101699A patent/TWI542251B/zh active
- 2005-09-12 TW TW100101698A patent/TWI542250B/zh active
- 2005-09-12 TW TW100101696A patent/TWI571177B/zh active
- 2005-09-12 TW TW100101700A patent/TWI552644B/zh active
-
2010
- 2010-12-23 JP JP2010286794A patent/JP2011086633A/ja not_active Withdrawn
- 2010-12-27 JP JP2010290183A patent/JP2011124236A/ja not_active Withdrawn
- 2010-12-27 JP JP2010290180A patent/JP2011119266A/ja not_active Withdrawn
- 2010-12-27 JP JP2010290281A patent/JP5364692B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-28 US US12/979,647 patent/US8487530B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-28 US US12/979,655 patent/US8436531B2/en active Active
- 2010-12-28 US US12/979,646 patent/US8487529B2/en active Active
- 2010-12-28 US US12/979,657 patent/US8436532B2/en active Active
-
2012
- 2012-11-02 JP JP2012242695A patent/JP5634482B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-11 US US13/939,282 patent/US8912718B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-28 JP JP2014067851A patent/JP5784172B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002132218A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Sony Corp | 表示装置、輝度制限回路及び表示装置の駆動方法 |
CN1484323A (zh) * | 2002-08-07 | 2004-03-24 | ��˹���´﹫˾ | 包括一组有机发光器件的有机发光设备 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105810852A (zh) * | 2012-12-13 | 2016-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板的制作方法 |
CN105810852B (zh) * | 2012-12-13 | 2018-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板的制作方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101019468B (zh) | 光发射器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150506 |