TWI461373B - 控制玻璃帶之彎曲的方法 - Google Patents

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TWI461373B TW099119520A TW99119520A TWI461373B TW I461373 B TWI461373 B TW I461373B TW 099119520 A TW099119520 A TW 099119520A TW 99119520 A TW99119520 A TW 99119520A TW I461373 B TWI461373 B TW I461373B
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Description

控制玻璃帶之彎曲的方法 【優先權主張】
本發明主張2009年6月17日所申請之美國專利申請案第12/486,236號的優先權，此文件之內容以及其公開本、專利與專利文件的整體內容係藉由引用形式而併入本文。
本發明與由下拉程序(例如溢流熔解下拉程序)所製造之玻璃帶體有關。更特定而言，本發明與用於控制這種帶體的平面外(out-of-plane)彎曲之方法與設備有關，此控制可包含使現有彎曲穩定或製造新的彎曲。
如同所知，溢流熔解下拉程序是一種用於製造顯示裝置所用之基板的主要玻璃製造程序；也如同所知，顯示裝置係用於各種應用中，舉例而言，薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCDs)係用於筆記型電腦、平板型桌上監視器、LCD電視以及各種通訊裝置。
許多顯示裝置(例如TFT-LCDs面板與有機發光二極體(OLED)面板)係直接製造於平坦玻璃片(玻璃基板)上。為增加生產速率及降低成本，一般的面板製程係在 單一基板上同時製造複數個面板。
為達到規模經濟效益，顯示器製造商需要更大的基板，始可於個別基板上製造更多的顯示器及/或更大的顯示器。較大基板之生產為玻璃製造業的挑戰，特別是基板厚度一般係低於1毫米(例如0.7毫米)，且目前在某些情形中甚至低於0.3毫米。
特別的挑戰是拉伸塔中玻璃帶體行為的管理問題。可想而知，當帶體變得更寬更薄，同時下拉達兩層樓以上的距離時，在冷卻時帶體就會承受複雜的動作與形狀。因為顯示裝置所使用之基板的所需標準，帶體的品質部分必須保持純淨(pristine)，因而將可能與帶體接觸的區域限制於帶體的外邊緣(氣泡部分)處。
基於這些考量，帶體形狀的控制問題已經成為一項嚴格的工程挑戰。此問題可形式化為以不碰觸材料之中間區域來控制移動材料的形狀，其中：(i)材料具有之機械特性與棉紙不同，(ii)材料係以兩公尺以上的寬度連續製造，以及(iii)材料受到複雜的溫度與應力分佈，其將動態影響材料的機械特性。本發明解決了此問題，並提供了一不接觸帶體的品質部分的方法，來形成及/或穩定垂直玻璃帶體之平面外彎曲。
根據本發明，提供了一種用於控制由一下拉程序所製 成之一垂直玻璃帶體(13)之彎曲的方法。該方法包含：(a)使該帶體(13)通過一充氣垂直之殼體(23)，其中：(i)該殼體(23)包含一定義一內部空間(29)之壁體(17)，(ii)該內部空間(29)的底部(31)係開放，使得在底部之壓力為周圍大氣的壓力，以及(iii)該帶體(13)作為一隔板，其將該殼體的內部空間(29)分割為一第一子空間(25)與一第二子空間(27)；(b)藉由(i)在該帶體(13)之該第一子空間(25)側上的氣體之平均密度與(ii)在該帶體(13)之該第二子空間(27)側上的氣體之平均密度之間，在沿著該殼體(23)長度之一垂直區上方獲得的一差額，在該第一子空間(25)與該第二子空間(27)中，沿著該殼體(23)之至少一部分的長度產生一正壓差；其中在該帶體(13)之該第一子空間(25)側上的平均密度小於在該帶體(13)之該第二子空間(27)側上的平均密度；以及(c)限制(21)該帶體(13)之邊緣，以避免該些邊緣移入該第二子空間(27)的至少垂直區上方。
在上述發明內容中所使用的元件符號係僅為讀者便利之用，而非用於、也不應被解釋為限制本發明範疇之用。概括而言，應瞭解前述一般說明與下列詳細說明僅為本發明示例之用，其用以提供概要或架構以瞭解本發明之本質與特性。
本發明之其他特徵與優勢係於下述實施方式中加以說 明，該領域技術人士可由其瞭解並施行本發明。如附圖式係用以提供對本發明更進一步之瞭解，其係併入說明書中而成為其一部分。應知說明書與圖式中所揭露之本發明各種特徵係可用於任一或所有組合。
下文係針對溢流熔解下拉程序(也稱為熔解程序、溢流下拉程序、或溢流程序)而說明，應知本文所述之方法與設備也可應用於其他下拉式玻璃製程，例如槽式拉伸程序。如同熔解設備為該領域所習知，其細節係省略不談以避免混淆示範實施例之說明。
如第1圖所示，典型熔解設備利用一成形結構(隔離管(isopipe))3，其包含由堰體7所定義之一槽體5，用以自一傳輸管(未示)接收熔化玻璃9。熔化玻璃於堰體7上方流動、並沿著隔離管的外表面向下流動，直到抵達管線根部11為止。在該點，來自隔離管之二收斂側之兩片熔化玻璃係接合在一起而形成單一帶體13。在根部下游有一或多組拉曳(pull)滾軸(未示)與帶體的外邊緣部分接觸，並對帶體施加張力而以一受控制之速率將其拉離根部。
為保護熔化玻璃不受污染、且幫助控制其溫度，隔離管3與玻璃帶體係包含於殼體23內。此殼體的內表面包含線圈排以於帶體通過殼體(向下拉伸)時控制其溫度(冷 卻速率)。第1圖與第3圖中所示截面係沿切割殼體深度之一平面(由前向後)截取，殼體的寬度(側對側)係平行於帶體表面，且通常寬度大於深度。
在整體程序的一部分，必須從移動的玻璃帶體中分離出個別玻璃片。其一般涉及了化痕(scoring)帶體以及藉由沿著化痕線(score line)將相對於帶體表面之片材折彎而使化痕線下方之帶體部分(個別玻璃片)自擱置之帶體分離，因此使片材於化痕線處從帶體斷裂。化痕與折彎一般是由以一移動砧片接觸帶體一側來完成、化痕另一側、然後在化痕線處沿著砧片將片材折彎以使其自帶體斷裂。第1圖中元件符號19繪示了片材分離設備的一般位置，如圖所示，分離係發生於殼體23下方。
將玻璃帶體藉由使該帶體之邊緣(而非中央)觸碰砧片，而該帶體將沿著該處進行折彎之化痕與斷裂程序是需要穩定性的。玻璃的化痕係開始於一邊緣處並前進至另一邊緣；在此程序期間邊緣需位於砧片上，使帶體不會因化痕器擠壓而扭曲。在分離期間，裂痕開始於一或兩邊緣處並向中央前進係較佳。若邊緣在開始折彎時碰觸到砧片，則受到最大應力的區域也會在邊緣處，導致裂痕從該處開始。
在熔解成形程序中，帶體通常具有數種不同形狀之穩定型態。製程條件的變化會使帶體於這些穩定型態之間轉變，特別是對於有效硬度低、因而容易於各種穩定型態之間轉變的寬且/或薄的帶體更是如此。在其他位置 中，在分離點的帶體形狀可動態改變，這些形狀上的改變會相當巨大，使得沿著帶體的曲率將會改變其正負值(sign)。如上所述，這些形狀上的任何或所有改變係負面影響該分離程序，這些形狀上的改變也會影響產品特性，在某些情形中會使玻璃片不被顧客接受。因此，在製程中帶體需保持隨著時間之微小變化之穩定形狀。
在熔解成形程序中，透過帶體溫度的操控可控制分離點處的帶體形狀，然而，必須在分離點上方操控溫度，因為分離設備阻礙了帶體之加熱及冷卻入口，因此，操控帶體溫度之實用性係受到某程度之限制。透過各種物理裝置(例如滾輪、空氣軸承與其他類似設備)亦可提供其他的帶體形狀控制；其雖有效，但與玻璃帶實體接觸的設備通常也降低了製程的操作窗，使其對於小製程變數更為敏感。特別是，在帶體之邊緣上進行夾鉗是有問題的。
相較於這些習知方式，本發明利用「煙囪效應」(見下文)而於帶體間獲得壓力差，其用於控制其彎曲，或更一般而言，控制其形狀。應注意本發明可與前述所使用的形狀控制技術一起使用，在特定應用中本發明之技術也可與其他技術一起使用。
一般而言，寬玻璃帶(支撐於其垂直邊緣且頂部與底部未受限制)係可由一側上所載之均勻壓力加以彎曲，其邊緣係支撐(受限)於另一側。第2圖繪示了其基本幾何形狀，其中13為玻璃帶體、「w」、「t」與「R」分別為帶體 的寬度、厚度與曲率半徑，而「b」為其相對於通過邊緣限制21之平面的位移(亦即，b為帶體的最大平面外位移)。
假設帶體無負載，帶體因其厚度間所受壓差△P1-2 而獲得的帶體中央反射量為：
其中E為玻璃的楊氏係數、ν為帕松比(Poisson Ratio)、而壓力差△P1-2 係從玻璃的凹面側(高壓側；側1)至其凸面側(低壓側；側2)；在此式中假設帶體在頂部與底部未受限制。上式可重新移項排列而得出為獲得一預定反射量所需的壓力負載為：
重要的是，經由下列計算顯示，獲得或穩定相當量之彎曲度(例如在其中央為2公分)所需的壓力並不大；舉例而言，以具下列特性之帶體為例：寬度 w 2500mm
厚度 t 0.7mm
楊氏係數 E 71016Mpa
松比 ν 0.23
所需彎曲度 b 20mm
就這些數值而言，由式(2)可知△P1-2 為0.084Pa。由以下討論得知，根據本發明，可藉由在帶體任一側上獲得氣體密度差而達到此壓力差及更大的壓力差。亦如同下列討論得知，密度差係透過所謂之「煙囪效應」的現象而獲得壓力差。
在下述分析中，假設帶體作為一隔板，其將殼體內部空間29分割為兩個子空間25、27(見第1圖與第3圖)。子空間一般都具有相同的體積，但如需要也可具有不同的體積。在實際上，帶體並不沿著殼體內部空間的整體寬度延伸。如圖1所示，帶體並不需要延伸至殼體之整體寬度。因此，氣體可於帶體側部邊緣及/或於帶體之上方流動。就此而言，帶體並非一完美隔板，亦即其可被視為一部分隔板，但可於子空間之間提供足夠的流動隔離，因而可保持一壓力差(在本文與申請專利範圍中，用語「隔板」概指相對於一完美隔板之此一部分隔板)。基於經驗法則，帶體應沿著至少約80%的殼體內部空間之寬度來延伸。
依循相同方式，通常殼體23的壁體17並非是可避免周圍大氣與殼體內部空間29之間所有流動的完美壁體，而是如帶體一樣，壁體僅需提供各子空間25、27與周圍大氣之間足夠隔離，使子空間內得以維持所需壓力等級。
在實際上，填充到二子空間的氣體一般為相同、且為空氣。然而，若因特定應用所需，也可使用空氣以外的 氣體(例如氦氣)，且在帶體(隔板)兩側上的氣體可為不同，其本身可於帶體間獲得一壓力差(見下式(7)之討論)。
如第3圖所示，第1圖之殼體可視為一簡單盒體，其頂部封閉而底部開放，並藉由一玻璃帶體而分為兩側，且各側填有氣體。在下文中，將帶體的第一側(其中z<0)稱為側1，並將帶體的第二側(其中z>0)稱為側2。注意在述及自帶體所分離之個別玻璃片時，側1一般係位於分離設備的砧片側，其具有較低密度/較高壓力。
當帶體各側的氣體密度不同時，將因通風空調(HVAC)工程師所稱之「煙囪效應」而獲得壓力差。關於煙囪效應的討論可見於如文獻「ASHRAE Fundamentals Handbook」，也可見於Wang,S.之「Handbook of Air Conditioning and Refrigeration(第二版)」(McGraw-Hill,2001)。
根據煙囪效應，在殼體兩側之間的壓力差可表示為：
其中y、g、P1 、P2 、ρ1 、ρ2 分別為：y：垂直高度座標，其於殼體底部為零、且沿重力方向之反方向增加
g：重力，即9.81m/s2
P1 ：在殼體之側1上的壓力
P2 ：在殼體之側2上的壓力
ρ1 ：在殼體之側1上的氣體密度
ρ2 ：在殼體之側2上的氣體密度
且其中在殼體底部(y=0)處之壓力滿足下列條件：P 1 (0)=P 2 (0) 式(4)
由於殼體底部開放至大氣，故可用此條件。
由式(3)可知，若側1上的密度低於側2，則側1上的壓力較高。由於在式(3)中，壓力差係因整體密度差所致，因此不需在殼體的整個高度上保持密度差，而僅需在整體高度之一子集上維持；將具有側1與側2間壓力差之單一部分或數個部分之殼體係稱為密度差異區(Density Difference Zones)或DDZs。為求描述方便，除非另行指明，否則在下文中皆假設殼體僅具有單一DDZ，實際上應瞭解殼體也可包含位於該殼體長度上方的多個DDZ。的確，在某些例子中，殼體的整個長度都可作為一DDZ。
在DDZ上方，可定義平均密度差為：
在此，DDZ起始於高度yb 且結束於高度yt 。如上所述，高度yb 與yt 可為殼體的底部與頂部。
利用上述式(1)與式(3)，可得與具有彎曲度(magnitude)「b」之DDZ上方平均密度差有關之下式：
在DDZ上方之高度，帶體彎曲度係約為「b」，除非在殼體中有另一DDZ或負載其他帶體。在DDZ下方，帶體因不具壓差負載而未達所需彎曲度；然而依帶體特性而定，帶體將於DDZ下方之一實質距離處呈現一穩定型態。在某些實施例中，相對於製造新的彎曲，可利用DDZ來穩定一現有彎曲。在此例中，彎曲的方向係經選擇以符合現有彎曲。DDZ的存在可降低帶體形狀脫離彎曲狀態而轉換為另一個較不需要之型態的可能性。如上所述，形狀穩定性係為一特定數值，該特定數值與個別玻璃片由帶體之分離有關。就另一替代例而言，DDZ可與一預先存在的彎曲相對，因而有助於使帶體轉換至另一個不同、更需要的型態。在本文中，用語「控制玻璃帶之彎曲」係涵蓋了上述與其他為影響玻璃帶體形狀之DDZ的應用。
用以獲得使帶體彎曲之壓力差之所需密度差可因帶體每一側上氣體的成分所致，因此，藉由利用帶體兩側上不同成分的氣體，即使在兩側上的溫度分佈是相同的亦可獲得不同的密度。更一般而言，溫度差係用以獲得密 度差、繼而獲得壓力差。
在接近大氣壓力的靜態或擬靜態氣體中，密度係約略與理想氣體定律的壓力及溫度有關：
其中：氣體密度 ρ
壓力 P 約101325Pa=1大氣壓
分子量 M 空氣為28.8kg/kmol
氣體常數 R 8314J/kmol/K
氣體溫度 T
若壓力變化很小(如在拉伸塔的情形中)，密度可視為僅溫度與成分之函數。成分係透過氣體的平均分子量(亦即式(7)中的M)而影響密度。在下文中，假設在玻璃帶體兩側的成分是相同的，因此密度僅為溫度之函數。因此，利用式(7)，帶體間壓力差可表示為：
其中： 平均壓力
側1上氣體溫度 T1
側2上氣體溫度 T2
由式(8)可知，側1至側2之壓力差可藉由側部間的溫度差而獲得。溫度差可由多種方式獲得，最簡單的方法就是在帶體一側以高於另一側的功率輸入進行電加熱，其具有以較高功率加熱帶體該側上之氣體的效果。較高溫氣體具有較低密度，因此，根據煙囪效應，其壓力係高於較低溫度之氣體。故帶體將從較高溫側彎向較低溫側(亦即假設其邊緣受限，見第2圖中21所示)，其將凹面面向高溫側、以及凸面面向低溫側。
這種溫度差效應的實例之一係說明於第4圖與第5圖。在這些圖式與第6-7圖和第8-9圖中，水平軸代表從殼體底部開始之高度(單位為公尺)，右方垂直軸代表壓力差(P1 -P2 )(其單位為Pa)，而左方垂直軸在第4、6、8圖中代表溫度差(T1 -T2 )(其單位為℃)、在第5、7、9圖中代表密度差(ρ1 -ρ2 )(單位為kg/m3 )。各圖式中的實線說明壓力差，而在第4、6、8圖中虛線代表溫度差，在第5、7、9圖中虛線表示密度差。這些圖式中的水平箭頭指示了實線與虛線所代表之垂直軸。在第4圖至第9圖間，計算所用之氣體為空氣，其分子量為28.8kg/kmol，而其其他物理特性可得自標準參考依據。
就第4圖至第5圖之情形而言，對帶體之側1施加較高功率以於該處獲得較高溫度(例如在第3圖中，T1W (y)>T2W (y)，因此T1 (y)>T2 (y)，其中T1W (y)與T2W (y)為壁體溫度，而T1 (y)與T2 (y)為氣體溫度)，在側1上之 較高溫度僅位於殼體的最下方部分中。或者是，對側2施加較低功率、或將相對冷卻氣體注入側2中，以於此側達成相對較高之平均密度。由於壓力為整體密度之函數，即使溫度差僅落於殼體的最下方部分中，一旦形成之壓力差係向上延伸通過殼體之終止處。此效應係由第4圖與第5圖中壓力曲線的平坦部分加以說明。
若僅需要在殼體的一部分中出現壓力差，則密度差可於最初DDZ上方反向以獲得一第二、垂直地較高DDZ，其消除了下方區中的壓力差。此一配置係繪示於第6圖與第7圖中。如這些圖式所示，溫度約每0.5公尺上升(較低DDZ)，然後約每1公尺下降(較高DDZ)，上升與下降係約同等大小。相對於側2，在側1之氣體密度係於較低DDZ中降低，導致相對壓力因煙囪效應而上升。在較高DDZ中，側1上之密度係相對於側2而增加，導致相對壓力再次因煙囪效應而下降。在此方式中，可於殼體的有限長度上方得到側1與側2之間的正壓力差。
得到殼體兩側間溫度差的第二種方式是，使氣體於一側或另一側上流動，或更一般而言，在兩側上提供一氣體流量差。舉例而言，若在帶體一側(而非另一側)之殼體之側部或頂部上放置一孔洞(孔徑)，氣體將於該側(而非另一側)因煙囪效應於底部流動並且向上，由該側上之孔洞流出。再次注意帶體並非完美隔板，因此在不含孔洞的那側上仍有氣體流動，但其必小於具有孔洞之該側之流動。就另一替代例而言，可利用風扇、幫浦、及/ 或其他設備(例如流量控制器)來主動調整在帶體兩側上的氣體流量，以達到所需的流速差。
不管藉由何種方式達到不同流速，在具有相對較高流速的一側上，因為需要來自玻璃與殼體結構的功率(例如來自殼體的加熱器線圈)以增加氣體溫度，所以該處之氣體係處於較低溫度。而在一非流動側(或較不流動側)上，則因不需功率(或需較低功率)，所以氣體的溫度較高。在流動側(假設是側2)上的空氣溫度估算模型如下：
其中熱傳係數 h
玻璃與殼體壁體溫度 Tw
側2上之氣體流率 w2
氣體熱容量 Cp
求解此式中T2 (y)，得出流動側中溫度為y之函數，將其帶入式(8)中而得到兩側間壓力差。若側1也有流動，則可對此側應用類似於式(9)的等式，然後用於式(8)。
第8圖與第9圖說明了可由側2上之流動而獲得之溫度與壓力差之實例。熱傳係數h與流率w2 的值分別為20W/m2 /°K與0.001kg/sec/m。如圖所示，可獲得實質溫度差與實質密度差，使得煙囪效應於側1與側2之間獲 得實質壓力差(P1 >P2 )。
應注意的是，雖然難以直接測量氣體密度，但可簡單地進行間接測量，以決定是否於拉伸塔中使用DDZ。具體而言，若在帶體兩側的氣體是相同的，則可利用量測帶體兩側上之氣體溫度以標準方法計算氣體密度。可由殼體各側上之氣體密度對高度關係圖清楚顯示存在一或多個DDZ。在此情況中，無論氣體是否具有流動皆然。當一側上之氣體成分與另一側不同時，係利用在數個高度處所測量之溫度與成分來計算密度分佈。具體而言，以標準方法自溫度與成分資料計算出密度，由密度對高度之圖表再次顯示存在一或多個DDZ。
將溫度量測轉換為密度量測(或將溫度與成分量測轉換為密度量測)的標準方法可簡化為參照大部分參考文獻中的密度表(例如在不同溫度下之空氣密度表)，或在使用較少被完整研究之氣體時需要建構出如此的密度表。可為此使用模型(例如經驗模式)。舉例而言，在某些例子中理想氣體定律可適用於將溫度及/或成分量測轉換為密度值。根據此應用，在密度測定中也可併入壓力資訊。
應注意煙囪效應係作用於玻璃帶體上不同壓縮力/張力效應之相反方向，因此造成帶體厚度間之溫度差。重要的是，煙囪效應比壓力/張力效應強了許多倍，以下分析說明此差異。
依下式可由帶體厚度間的溫度差製造彎曲度：
其中α為帶體材料的熱膨脹係數(CTE)，△Tr 為帶體間溫度差(其中熱側係帶體的凸面側)。
實際上，△Tr 為製程條件的函數。當帶體每側上均為空氣、且當兩側上之空氣溫度不同時，帶體間的溫度差可表示如下式：
其中h為空氣與帶體間的熱傳係數，k為帶體的有效導熱率(包含輻射效應)。如上所述，在帶體兩側上的溫度為T1 與T2 ，而帶體厚度為t。
消去帶體表面間之溫度差，得出：
在大部分生產情形中，k/ht>>1，故
就實際情況而言，k=3.5W/m/°K、h=20W/m2 /°K、w=2500mm、α=3.5ppm/K，因此，為達到兩公分大小之彎曲度(b=20mm)所需之溫度差為：
其明顯超出溫度差的有效範圍，相較之下，第4、6、8圖中的溫度差小了100倍。
由前述可知，其提供了用於向下拉伸式玻璃成形程序(例如熔解成形程序)中控制帶體形狀的方法，此控制係藉由利用煙囪效應來改變帶體各側上之氣體(例如空氣)的壓力來達成。該壓力並非以流量來操控、而是以溫度或是成分來操控，該成分係改變氣體密度、繼而改變帶體兩側上氣體柱之重力頭來操控壓力。在氣體溫度與氣體成分間，最好是以溫度來操控壓力，例如利用電加熱線圈、或藉由在靠近一側或另一側之帶體上注入冷或熱空氣。實際上，所需之溫度差係可輕易實現。因實體限制(例如滾軸)係沿著帶體邊緣排列，使得氣體壓力可驅動帶體頂住該限制，並使帶體側向彎曲。
透過使用這些方法，可以最少的帶體實體限制來維持彎曲的形狀，因而可獲得最大容限之製程變數。此外， 執行這些方法的設備相當簡單、不昂貴、且堅固可靠。帶體對於製程變數的穩定度係大於先前技術中所可實現者。
由前述說明，該領域技術人士可明顯得知各種不脫離本發明之範疇與精神的修飾例。舉例而言，雖然上述實例皆假設在拉伸塔的長度上方之該子空間的截面積保持為固定，但此分析也可延伸應用至截面積隨高度變化之系統。如附申請專利範圍係涵蓋本文所提之具體實施例以及該實施例及其他型式之修飾例、變化例與等效例。
3‧‧‧隔離管
5‧‧‧槽體
7‧‧‧堰體
9‧‧‧熔化玻璃
11‧‧‧根部
13‧‧‧帶體
17‧‧‧壁體
19‧‧‧片材分離設備
21‧‧‧限制
23‧‧‧殼體
25‧‧‧第一子空間
27‧‧‧第二子空間
29‧‧‧內部空間
31‧‧‧底部
第1圖係根據一示例實施例之熔解玻璃製造設備的示意截面圖。
第2圖說明在進行因帶體一側上之壓力所致之彎曲分析中所使用的分析幾何圖與各種定義。
第3圖為煙囪效應分析中所使用之幾何圖的示意截面圖。
第4圖為藉由帶體間之步階溫差(虛線)所獲得之DDZ之計算壓力曲線(實線)圖，步階溫差係位於殼體(拉伸塔)底部。
第5圖重複第4圖之計算壓力曲線(實線)，同時說明藉由步階溫差所獲得之氣體密度差。
第6圖為藉由帶體間之先上升再下降之步階溫差(虛線) 所獲得之二DDZ之計算壓力曲線(實線)圖，第一步階溫差係位於殼體(拉伸塔)底部，而第二步階溫差隨即位於第一步階溫差之上。
第7圖重複第6圖之計算壓力曲線(實線)，同時說明藉由步階溫差所獲得之氣體密度差。
第8圖為藉由在帶體二側之氣體流速差所產生之溫度差(虛線)在帶體間所獲得之一DDZ之計算壓力曲線(實線)圖。
第9圖重複第8圖之計算壓力曲線(實線)，同時說明藉由氣體流速差所獲得之氣體密度差。
3‧‧‧隔離管
5‧‧‧槽體
7‧‧‧堰體
9‧‧‧熔化玻璃
11‧‧‧根部
13‧‧‧帶體
17‧‧‧壁體
19‧‧‧片材分離設備
23‧‧‧殼體
25‧‧‧第一子空間
27‧‧‧第二子空間
29‧‧‧內部空間
31‧‧‧底部

Claims (7)

  1. 一種用於控制由一下拉程序所製成之一垂直玻璃帶體之彎曲的方法，包含以下步驟：(a)使該帶體通過一充氣垂直殼體，其中：(i)該殼體包含一定義一內部空間之壁體，(ii)該內部空間的底部係開放，使得在底部之壓力為周圍大氣的壓力，以及(iii)該帶體作為一隔板，其將該殼體的內部空間分割為一第一子空間與一第二子空間；(b)藉由(i)在該帶體之該第一子空間側上的氣體之平均密度與(ii)在該帶體之該第二子空間側上的氣體之平均密度之間，沿著該殼體長度之一垂直區上方獲得的一差額，在該第一子空間與該第二子空間中沿著該殼體之至少一部分的長度產生一正壓差，其中在該帶體之該第一子空間側上的平均密度小於在該帶體之該第二子空間側上的平均密度；及(c)限制該帶體之邊緣，以避免該等邊緣移入該第二子空間的至少垂直區上方。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該帶體的該第一與第二子空間側上的該等氣體的該等平均密度之間，在該垂直區上方之該差額，係由該帶體的該第一與第 二子空間側上的該等氣體在該垂直區上方之一成分差異所造成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該帶體的該第一與第二子空間側上的該等氣體的該等平均密度之間，在該垂直區上方之該差額，係由該帶體的該第一與第二子空間側上的該等氣體在該垂直區上方之一平均溫度差所造成，其中在該帶體之該第一子空間側上的平均溫度大於在該帶體之該第二子空間側上的平均溫度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該平均溫度差係由該垂直區內沿著通過該殼體的至少一個截面的內周圍，在該帶體之該第一子空間側上的該殼體壁體之內表面的平均溫度與在該帶體之該第二子空間側上的該殼體壁體之內表面的平均溫度之差異所造成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該帶體的該第一與第二子空間側上的該等氣體之該等平均密度之間，在該垂直區上方之差額，係由該帶體的該第一與第二子空間側上之該等氣體在該垂直區上方之一平均流速差所造成，在該帶體之該第一子空間側上之該氣體之平均流速小於在該帶體之該第二子空間側上之該氣體的平均流速。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該平均流 速差係在位於該垂直區之中間平面上方的位置處，由所述的兩個子空間離開至周圍大氣之氣體量差額所造成。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中由所述的兩個子空間離開至該周圍大氣之該等氣體量差額係位於該垂直區之該中間平面上方一位置處，由在該帶體之該第二子空間側上的該殼體壁體中所形成之至少一個孔徑所造成。
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