TWI460855B - 氮化物半導體結構及其製造方法 - Google Patents

氮化物半導體結構及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI460855B
TWI460855B TW100147768A TW100147768A TWI460855B TW I460855 B TWI460855 B TW I460855B TW 100147768 A TW100147768 A TW 100147768A TW 100147768 A TW100147768 A TW 100147768A TW I460855 B TWI460855 B TW I460855B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
nitride
nitride semiconductor
defect
semiconductor structure
Prior art date
Application number
TW100147768A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201327810A (zh
Inventor
Yen Hsiang Fang
chen zi Liao
Chih Wei Hu
Wei Yu Chen
Rong Xuan
Original Assignee
Ind Tech Res Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ind Tech Res Inst filed Critical Ind Tech Res Inst
Priority to TW100147768A priority Critical patent/TWI460855B/zh
Priority to CN2011104612997A priority patent/CN103178174A/zh
Publication of TW201327810A publication Critical patent/TW201327810A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI460855B publication Critical patent/TWI460855B/zh

Links

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Description

氮化物半導體結構及其製造方法
本申請案是有關於一種氮化物半導體結構及其製造方法。
發光二極體(LED)是一種由化合物半導體製作而成的發光元件，其經由半導體材料中的電子與電洞在結合時釋放能量，並將電能轉換成光的形式釋出，因而已廣泛地被應用於各領域。特別是，以氮化鎵製成(GaN-based)的藍光LED搭配黃色螢光粉可以獲得白光，其不僅在亮度的表現比傳統燈管或是燈泡要來得好，其耗電量也比傳統燈管或是燈泡要來得低。此外，發光二極體的壽命更比傳統燈管或是燈泡要來得長。
就矽基板為基礎的氮化鎵LED而言，其關鍵步驟之一是於矽基板上的氮化鎵(GaN)磊晶，在材料特性上必須克服的課題為不同材料間晶格常數(lattice constant)以及熱膨脹係數的不匹配。晶格常數的不匹配會造成成長在基板上的材料與基板之交接處容易形成缺陷，而吸收發光的電子電洞對(EHP)進而影響發光效率。而在高溫的磊晶製程中，熱膨脹係數的不匹配則會在磊晶材料冷卻時，造成材料收縮程度不一而產生龜裂。
由上述可知，因矽基板與氮化鎵磊晶薄膜材料的晶格常數差異與熱膨脹係數差異過大，此極大的晶格不匹配率(>17%)與熱膨脹係數不匹配率(54%)使得氮化鎵在磊晶成長過程中容易產生晶格錯位等問題，因此造成所成長的氮化鎵產生大量缺陷(缺陷密度高)並導致氮化鎵磊晶層的品質不佳，進而影響了半導體發光元件的發光效率。
本申請案提供一種氮化物半導體結構及其製造方法，其可以降低氮化物半導體層的缺陷密度。
本申請案提出一種氮化物半導體結構，其包括基板、氮化物緩衝層、第一氮化物半導體層以及第一缺陷阻擋層。氮化物緩衝層位於基板上。第一氮化物半導體層位於氮化物緩衝層上。第一缺陷阻擋層位於第一氮化物半導體層與基板之間，其中第一缺陷阻擋層中具有多個奈米孔隙，奈米孔隙的分布密度為3.5×1013 /cm2 至8.4×1013 /cm2 。
本申請案另提出一種氮化物半導體結構的製造方法，包括下列步驟。於基板上形成氮化物緩衝層。於氮化物緩衝層上原位(in-situ)形成第一缺陷阻擋層。進行一第一熱退火製程，以於第一缺陷阻擋層中形成多個奈米孔隙，奈米孔隙的分布密度為3.5×1013 /cm2 至8.4×1013 /cm2 。於第一缺陷阻擋層上原位形成第一氮化物半導體層。
基於上述，本申請案之氮化物半導體結構及其製造方法藉由熱退火製程獲得原位形成之奈米等級的多孔隙(nano-porous)缺陷阻擋層，以阻擋缺陷或差排的延伸，進而使得形成於其上之氮化物半導體層的品質提升且缺陷密度減低。此外，具有多個奈米孔隙的缺陷阻擋層可以降低氮化物半導體層在磊晶成長過程之晶格錯位並釋放應力。如此一來，若將所述氮化物半導體層應用於發光元件的製造，便可以提高發光元件的發光效率。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1D是依照本發明之一實施例之一種氮化物半導體結構的製造流程剖面示意圖。
請參照圖1A，提供基板100。在一實施例中，基板100為磊晶基板，其材質例如是單晶矽。接著，在基板100上形成氮化物緩衝層102。形成氮化物緩衝層102的方法例如是採用金屬有機化學氣相沈積法(metal organic chemical-vapor deposition，MOCVD)。上述氮化物緩衝層102之材質例如是單晶之氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(Gax Al1-x N，0<x<100)、氮化鎵(GaN)、InGaN(Gay In1-y N，0<y<100)或是上述單晶材料之組合。在一實施例中，氮化物緩衝層102包括氮化鋁(AlN)層102a及氮化鋁鎵(AlGaN)層102b，其中氮化鋁層102a配置在氮化鋁鎵層102b與基板100之間，且氮化鋁層102a的厚度約為50nm~500nm，氮化鋁鎵層102b的厚度約為0.5μm~3μm。之後，於氮化鋁鎵層102b上原位(in-situ)形成第一缺陷阻擋層104。在此說明的是，所謂的「原位」是指基板100上形成 膜層以及熱退火製程皆是在同一反應室中進行，其中反應室例如是MOCVD反應腔體。形成第一缺陷阻擋層104的方法例如是採用金屬有機化學氣相沈積法(MOCVD)，第一缺陷阻擋層104的材質例如是非晶之氮化矽，且所形成的第一缺陷阻擋層104厚度介於5nm~100nm。
請參照圖1B，進行熱退火製程T1，以於第一缺陷阻擋層104'中形成多個奈米孔隙106，其中奈米孔隙106的分布密度約為3.5×1013 /cm2 至8.4×1013 /cm2 。在一實施例中，上述之熱退火製程T1可在MOCVD反應腔體內進行，其溫度約為500℃至1000℃，較佳約為800℃，且進行時間約為10分鐘至60分鐘。在進行上述熱退火製程T1之後，可使得第一缺陷阻擋層104'原先的平整表面轉變成奈米多孔隙(nano-porous)結構，且可透過奈米孔隙106暴露出第一缺陷阻擋層104'下方的氮化物緩衝層102。在一實施例中，經熱退火製程T1處理之第一缺陷阻擋層104'的表面型態可依不同的退火溫度及時間而形成球狀或角錐狀，如圖2A及圖2B的掃描式電子顯微鏡(SEM)影像所示。
請參照圖1C，於具有奈米多孔隙結構的第一缺陷阻擋層104'上原位形成第一氮化物半導體層108。形成第一氮化物半導體層108的方法例如是採用金屬有機化學氣相沈積法(MOCVD)，且第一氮化物半導體層108是單晶的材質，可為氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(Gax Al1-x N，0<x<100)、氮化銦鎵(Gay In1-y N，0<y<100)、氮化鋁銦鎵(Inp Gaq Al1-p-q N，0<p,q<100，0<1-p-q<100)或是上述單晶材料之組合，在本實施例中係以氮化鎵(GaN)為例，但本發明不限於此。特別說明的是，在形成第一氮化物半導體層108之前，藉由調整熱退火製程T1的製程溫度及退火時間獲得具有多個奈米孔隙106分布於其中的第一缺陷阻擋層104'，因此具有奈米多孔隙結構的第一缺陷阻擋層104'不僅可阻擋缺陷的延伸及阻擋差排，以改善其上第一氮化物半導體層108的磊晶品質，且第一缺陷阻擋層104'亦可增加壓縮應力或張應力，端看下方材料之晶格常數而定，以減少第一氮化物半導體層108與基板100間因材料熱膨脹係數差異過大導致的破片。
在一實施例中，為了能夠獲得接平厚度更厚的氮化物半導體層，在形成第一氮化物半導體層108之後，還可以選擇性地重複進行至少一次類似圖1B至圖1C所示之流程，以增加氮化物半導體層的厚度並減少缺陷密度與彎曲，進而改善LED的電性，如圖1D所示。
請參照圖1D，於第一氮化物半導體層108上原位形成第二缺陷阻擋層110並進行熱退火製程，以於第二缺陷阻擋層110中形成多個奈米孔隙112，其中奈米孔隙112的分布密度約為3.5×1013 /cm2 至8.4×1013 /cm2 。接著，再於具有奈米多孔隙結構的第二缺陷阻擋層110上原位形成第二氮化物半導體層114。在一實施例中，第二缺陷阻擋層110以及第二氮化物半導體層114的材料、厚度、表面型態、形成方法等可以實質上相同或相似於圖1B及圖1C所示之第一缺陷阻擋層104'以及第一氮化物半導體層108，且用於形成奈米孔隙112之熱退火製程的條件或參數亦可實質上相同或相似於圖1B所示之熱退火製程T1，故於此不再贅述。
之後，可選擇性地以類似圖1D所示之步驟，於第二氮化物半導體層114上原位形成至少一層具有多個奈米孔隙的缺陷阻擋層及至少一層氮化物半導體。當形成有多層缺陷阻擋層及多層氮化物半導體層時，缺陷阻擋層與氮化物半導體層會以交替排列的方式堆疊於第二氮化物半導體層114上。
上述實施例所示之方法藉由在MOCVD反應腔體中原位形成氮化物緩衝層102與第一缺陷阻擋層104，並利用調整在MOCVD反應腔體中所進行的熱退火製程的溫度及時間來獲得具有特定孔隙密度及表面型態的第一缺陷阻擋層104'，並藉由第一缺陷阻擋層104'阻擋差排而改善其上第一氮化物半導體層108之品質。
另一方面，無需藉由光阻形成圖案化即可原位形成此第一缺陷阻擋層104'以阻擋缺陷的延伸，且第一缺陷阻擋層104'亦可增加壓縮應力張應力，端看下方材料之晶格常數而定，以減少第一氮化物半導體層108與基板100之間因熱膨脹係數差異造成拉伸應力的產生，因此能夠避免晶片破裂的情況發生。如此一來，相較於習知方法在矽基板上成長GaN的厚度極限約為1 μm~2 μm，藉由本實施例之方法能夠使在MOCVD反應腔體內形成之單層第一氮化物半導體層108的厚度提升至3 μm，甚至是5 μm。
本發明實施例之氮化物半導體結構如圖1D所示，其包括基板100、氮化物緩衝層102、第一缺陷阻擋層104'、第二缺陷阻擋層110、第一氮化物半導體層108以及第二氮化物半導體層114。氮化物緩衝層102位於基板100上。第一缺陷阻擋層104'位於氮化物緩衝層102上。第一氮化物半導體層108位於第一缺陷阻擋層104'上。第二缺陷阻擋層110位於第一氮化物半導體層108上。第二氮化物半導體層114位於第二缺陷阻擋層110上。特別是，第一缺陷阻擋層104'與第二缺陷阻擋層110中分別具有多個奈米孔隙106、112，奈米孔隙106、112的分布密度為3.5×1013 /cm2 至8.4×1013 /cm2 。
值得一提的是，當利用上述實施例所述之方法於MOCVD反應腔體中原位形成氮化物半導體結構時，則第一缺陷阻擋層104'的材質為氮化矽。然而，若不限定在MOCVD反應腔體中原位形成氮化物半導體結構而利用其它形成方法來進行，則第一缺陷阻擋層104'的材質可為氮化矽或氧化矽。
在此說明的是，雖然上述實施例(圖1A至圖1D)中是以將具有奈米孔隙106之第一缺陷阻擋層104'形成於第一氮化物半導體層108與氮化物緩衝層102之間為例來進行說明，但本發明並不限於此。換言之，具有奈米多孔隙結構的缺陷阻擋層可插入任兩層磊晶層之間以阻擋差排，而不特別限定其位置。
圖3及圖4分別是依照本發明之另一實施例之一種氮化物半導體結構的剖面示意圖，且與前述相同的構件則使用相同的標號並省略其說明。如圖3所示，在一實施例中，具有奈米孔隙106之第一缺陷阻擋層104'可以形成於氮化物緩衝層102與基板100之間。如圖4所示，在一實施例中，具有奈米孔隙106之第一缺陷阻擋層104'也可以插入於氮化物緩衝層102中的氮化鋁鎵層102b與氮化鋁層102a之間。
此外，氮化物半導體結構中的氮化物緩衝層並不限於上述實施例中所述之兩層結構(如氮化鋁層102a及氮化鋁鎵層102b)。圖5是依照本發明之又一實施例之一種氮化物半導體結構的剖面示意圖，且與前述相同的構件則使用相同的標號並省略其說明。如圖5所示，在一實施例中，氮化物半導體結構中的氮化物緩衝層102'可以僅由一種材質所形成，例如是單晶之氮化鋁(AlN)層。
當然，在本發明其他實施例中，氮化物半導體結構更可以是由上述實施例任意組合而成，只要使第一氮化物半導體層108與基板100之間形成有具有奈米孔隙106之第一缺陷阻擋層104以阻擋差排延伸即可，熟知本領域之技術人員當可知其應用及變化，故於此不再贅述。
實驗例
接下來將以實驗例說明一具有多孔隙缺陷阻擋層之氮化物半導體結構之製造方法。須注意的是，以下實驗例之結果或數據僅是用來說明上述特性，但並非用以限定本發明之範圍。
圖6A至圖6C為Si/AlN/AlGaN/SiN分別經不同退火時間後之掃描式電子顯微鏡(SEM)俯視圖。在此實驗例中，利用MOCVD技術在矽(Si)基板上依序形成厚度為150 nm之氮化鋁(AlN)層、厚度為600 nm之氮化鋁鎵(AlGaN)層及厚度為50 nm之氮化矽(SiN)層後，於MOCVD反應腔體內在1000℃溫度下分別進行10分鐘(圖6A)、30分鐘(圖6B)及60分鐘(圖6C)的熱退火製程，並將其結果分別列於圖6A至圖6C中。
在圖6A至圖6C所示之SEM影像中，深色的部分代表SiN層而淺色的部分代表位於SiN層下方之AlGaN層。從圖6A至圖6C明顯可觀察到：藉由進行熱退火製程而能夠獲得奈米等級多孔隙的SiN層，且可藉由不同的退火時間改變孔隙彼此的間距，進而形成不同的孔隙分布密度。
之後，以上述進行10分鐘熱退火製程的Si/AlN/AlGaN/SiN為例，於MOCVD反應腔體內原位成長厚度為2 μm之氮化鎵(GaN)層。由於進行熱退火製程後的SiN層具有多個奈米孔隙，因此GaN將由間距較小之SiN層間的底層(即AlGaN層)成長起，並於後續進行接平動作。接著，將此氮化物半導體結構(Si/AlN/AlGaN/SiN(退火10分鐘)/2 μm GaN)與未形成SiN之氮化物半導體結構(Si/AlN/AlGaN/2 μm GaN)分別利用XRD進行品質分析並比較其結果於圖7A及7B中。
圖7A及圖7B分別是利用X光繞射(XRD)檢測對GaN進行螺旋差排及刃差排的分析結果圖。圖7A及圖7B分別為X-ray之(002)及(102)的半高寬分析，其中(002)是代表材料本質中螺旋差排缺陷的密度，而(102)是代表材料本質中刃差排缺陷的密度。在(002)及(102)品質分析中，當量測曲線的半高寬愈小時，則代表其缺陷密度愈少以及膜層品質愈好。由圖7A及圖7B之XRD結果可發現，當氮化物半導體結構加入SiN(退火10分鐘)後，因SiN可阻擋晶格常數差異所造成之缺陷及差排，因此不論是螺旋差排(002)還是刃差排(102)，包括SiN(退火10分鐘)之氮化物半導體結構的半高寬皆較未形成SiN之氮化物半導體結構的半高寬減少一倍以上，其代表內部差排(缺陷)大幅減少。由此結果顯示出，包括SiN(退火10分鐘)可以大幅提升GaN的薄膜品質。
此外，進一步利用AFM對上述形成之氮化物半導體結構(Si/AlN/AlGaN/SiN(退火10分鐘)/2 μm GaN)進行表面缺陷密度分析，其表面型態顯示於圖8中。圖8是利用原子力顯微鏡(AFM)對GaN的表面型態進行缺陷密度分析的結果圖。圖8所示為在SiN上成長GaN時，在5 μm×5 μm範圍內表面的缺陷分布，依照本發明實施例所成長之GaN層，其缺陷密度可大幅降至約8×108 /cm2 。
綜上所述，本發明實施例之氮化物半導體結構及其製造方法在形成氮化物半導體層之前預先形成其中具有多個奈米孔隙之缺陷阻擋層，並可調整製程溫度及退火時間以獲得特定分布密度及表面形狀的缺陷阻擋層，因而能夠藉由多孔隙缺陷阻擋層改善其上氮化物半導體層的磊晶品質，並大幅增加氮化物半導體層的單層接平厚度。另外，多孔隙缺陷阻擋層不僅可插入不同磊晶層之間以阻擋缺陷(差排)的延伸，還具有更佳的應力釋放效應以降低晶片破裂的情況發生。而且，本技術無須形成光阻進行圖案化，即可直接在同一個反應室(如MOCVD)中原位形成奈米多孔隙的缺陷阻擋層以阻擋差排。因此，使用本發明實施例之氮化物半導體結構及其製造方法可有助於顯著提升氮化物半導體層的品質並降低其缺陷密度，且能夠有效改善晶格常數不匹配及熱膨脹係數不匹配的問題，以提高LED的發光效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．基板
102、102'．．．氮化物緩衝層
102a．．．氮化鋁層
102b．．．氮化鋁鎵層
104、104'．．．第一缺陷阻擋層
106、112．．．奈米孔隙
108．．．第一氮化物半導體層
110．．．第二缺陷阻擋層
114．．．第二氮化物半導體層
T1．．．熱退火製程
圖1A至圖1D是依照本發明之一實施例之一種氮化物半導體結構的製造流程剖面示意圖。
圖2A及圖2B是依照本發明之一實施例之氮化物半導體結構中缺陷阻擋層的表面型態。
圖3及圖4分別是依照本發明之另一實施例之一種氮化物半導體結構的剖面示意圖。
圖5是依照本發明之又一實施例之一種氮化物半導體結構的剖面示意圖。
圖6A至圖6C為Si/AlN/AlGaN/SiN分別經不同退火時間後之掃描式電子顯微鏡(SEM)俯視圖。
圖7A及圖7B分別是利用X光繞射(XRD)檢測對GaN進行螺旋差排及刃差排的分析結果圖。
圖8是利用原子力顯微鏡(AFM)對GaN的表面型態進行缺陷密度分析的結果圖。
100．．．基板
102．．．氮化物緩衝層
102a．．．氮化鋁層
102b．．．氮化鋁鎵層
104'．．．第一缺陷阻擋層
106．．．奈米孔隙
108．．．第一氮化物半導體層

Claims (20)

  1. 一種氮化物半導體結構，包括：一基板；一氮化物緩衝層，位於該基板上；一第一氮化物半導體層，位於該氮化物緩衝層上；以及一第一缺陷阻擋層，位於該第一氮化物半導體層與該基板之間，其中該第一缺陷阻擋層中具有多個奈米孔隙；至少一第二缺陷阻擋層，位於該第一氮化物半導體層上，其中該第二缺陷阻擋層中具有多個奈米孔隙；以及至少一第二氮化物半導體層，位於該第二缺陷阻擋層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之氮化物半導體結構，其中該第一缺陷阻擋層位於該第一氮化物半導體層與該氮化物緩衝層之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之氮化物半導體結構，其中該第一缺陷阻擋層位於該氮化物緩衝層與該基板之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之氮化物半導體結構，其中該氮化物緩衝層包括一氮化鋁(AlN)層，位於該基板上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之氮化物半導體結構，其中該氮化物緩衝層更包括一氮化鋁鎵(AlGaN)層，位於該氮化鋁層上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之氮化物半導體結構，其中該些奈米孔隙的分布密度為3.5×1013 /cm2 至8.4×1013 /cm2 。
  7. 如申請專利範圍第1項之氮化物半導體結構，其中該第一缺陷阻擋層的表面型態為球狀或角錐狀。
  8. 如申請專利範圍第1項之氮化物半導體結構，其中該第一缺陷阻擋層的厚度介於5nm~100nm。
  9. 如申請專利範圍第1項之氮化物半導體結構，其中該第一缺陷阻擋層的材料包括氮化矽或氧化矽。
  10. 如申請專利範圍第1項之氮化物半導體結構，其中該第一氮化物半導體層的厚度至少為3μm。
  11. 如申請專利範圍第1項之氮化物半導體結構，其中該第一氮化物半導體層的材質包括氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(Gax Al1-x N，0<x<100)、氮化銦鎵(Gay In1-y N，0<y<100)、或氮化鋁銦鎵(Inp Gaq Al1-p-q N，0<p,q<100，0<1-p-q<100)。
  12. 一種氮化物半導體結構的製造方法，包括：於一基板上形成一氮化物緩衝層；於該氮化物緩衝層上原位(in-situ)形成一第一缺陷阻擋層；進行一第一熱退火製程，以於該第一缺陷阻擋層中形成多個奈米孔隙，該些奈米孔隙的分布密度為3.5×1013 /cm2 至8.4×1013 /cm2 ；以及於該第一缺陷阻擋層上原位形成一第一氮化物半導 體層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之氮化物半導體結構的製造方法，其中形成該氮化物緩衝層包括於該基板上形成一氮化鋁(AlN)層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之氮化物半導體結構的製造方法，其中形成該氮化物緩衝層更包括於該氮化鋁層上形成一氮化鋁鎵(AlGaN)層。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之氮化物半導體結構的製造方法，更包括：於該第一氮化物半導體層上形成至少一第二缺陷阻擋層；進行一第二熱退火製程，以於該第二缺陷阻擋層中形成該些奈米孔隙，該些奈米孔隙的分布密度為3.5×1013 /cm2 至8.4×1013 /cm2 ；以及於該第二缺陷阻擋層上形成至少一第二氮化物半導體層。
  16. 如申請專利範圍第12項之氮化物半導體結構的製造方法，其中進行該第一熱退火製程的溫度為500℃至1000℃，且進行該第一熱退火製程的時間為10分鐘至60分鐘。
  17. 如申請專利範圍第12項之氮化物半導體結構的製造方法，其中該第一缺陷阻擋層的表面型態為球狀或角錐狀。
  18. 如申請專利範圍第12項之氮化物半導體結構的 製造方法，其中該第一缺陷阻擋層的材料包括氮化矽。
  19. 如申請專利範圍第12項之氮化物半導體結構的製造方法，其中該第一氮化物半導體層的厚度至少為3μm。
  20. 一種氮化物半導體結構，包括：一基板；一氮化物緩衝層，位於該基板上；一第一氮化物半導體層，位於該氮化物緩衝層上；以及一第一缺陷阻擋層，位於該第一氮化物半導體層與該基板之間，其中該第一缺陷阻擋層位於該第一氮化物半導體層與該氮化物緩衝層之間，且該第一缺陷阻擋層的材料包括氮化矽或氧化矽。
TW100147768A 2011-12-21 2011-12-21 氮化物半導體結構及其製造方法 TWI460855B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100147768A TWI460855B (zh) 2011-12-21 2011-12-21 氮化物半導體結構及其製造方法
CN2011104612997A CN103178174A (zh) 2011-12-21 2011-12-30 氮化物半导体结构及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100147768A TWI460855B (zh) 2011-12-21 2011-12-21 氮化物半導體結構及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201327810A TW201327810A (zh) 2013-07-01
TWI460855B true TWI460855B (zh) 2014-11-11

Family

ID=48637910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100147768A TWI460855B (zh) 2011-12-21 2011-12-21 氮化物半導體結構及其製造方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN103178174A (zh)
TW (1) TWI460855B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105514232B (zh) * 2016-01-08 2018-04-24 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管外延片、发光二极管及外延片的制作方法
WO2021253284A1 (zh) * 2020-06-17 2021-12-23 华为技术有限公司 一种外延片、led芯片及显示屏

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW493207B (en) * 1999-12-20 2002-07-01 Nitride Semiconductor Co Ltd Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device
US20090278136A1 (en) * 2005-12-15 2009-11-12 Bernard Beaumont Process for Growth of Low Dislocation Density Gan
TW201029051A (en) * 2009-01-21 2010-08-01 Siltron Inc Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3886341B2 (ja) * 2001-05-21 2007-02-28 日本電気株式会社 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
CN101702418B (zh) * 2009-10-23 2011-02-16 山东华光光电子有限公司 降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW493207B (en) * 1999-12-20 2002-07-01 Nitride Semiconductor Co Ltd Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device
US20090278136A1 (en) * 2005-12-15 2009-11-12 Bernard Beaumont Process for Growth of Low Dislocation Density Gan
TW201029051A (en) * 2009-01-21 2010-08-01 Siltron Inc Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN103178174A (zh) 2013-06-26
TW201327810A (zh) 2013-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100902512B1 (ko) 실리콘 기판 상에 ＧａＮ 단결정의 성장 방법, ＧａＮ기반의 발광소자의 제조방법 및 ＧａＮ 기반의 발광소자
KR101650840B1 (ko) 발광소자 및 이의 제조방법
TWI381547B (zh) 三族氮化合物半導體發光二極體及其製造方法
KR102094471B1 (ko) 질화물 반도체층의 성장방법 및 이에 의하여 형성된 질화물 반도체
US20100090312A1 (en) Nitride semiconductor structure and method for manufacturing the same
JP2009510729A (ja) シリコン基板上に窒化インジウムガリウムアルミニウム薄膜を製造するための方法
JP5449121B2 (ja) 窒化ガリウム層を有する多層構造基板及びその製造方法
KR100691277B1 (ko) 질화갈륨계 발광소자 및 제조방법
JP2012182421A (ja) パターン化された格子緩衝層を用いた窒化物系発光素子及びその製造方法
US20140103354A1 (en) Nitride semiconductor structure
TWI460855B (zh) 氮化物半導體結構及其製造方法
JP2005317909A (ja) シリコン基板上における窒化物単結晶の成長方法、これを利用した窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US20210005778A1 (en) Composite substrate and light-emitting diode
KR101471608B1 (ko) 나노로드를 포함하는 질화물계 발광다이오드 및 이의 제조방법
JP2008066591A (ja) 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法
KR20120065610A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TWI491068B (zh) 氮化物半導體結構
TWI385820B (zh) 半導體發光元件及其製造方法
TWI416723B (zh) 氮化物半導體結構及其製造方法
KR100834698B1 (ko) 질화 갈륨 박막 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 질화갈륨 박막 기판
TWI830472B (zh) 發光元件製造方法
TWI733574B (zh) 複合式基板與發光二極體
KR102296170B1 (ko) 반도체 제조 공정을 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조 방법
TWI386981B (zh) 氮化物半導體結構及其製造方法
TWI242898B (en) Epitaxial substrate for solid-state semiconductor device, solid-state semiconductor device and method for producing the same