TWI460787B - 在蝕刻層上圖型化特徵部之方法 - Google Patents

在蝕刻層上圖型化特徵部之方法 Download PDF

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Description

在蝕刻層上圖型化特徵部之方法
本發明係關於半導體裝置的形成。
 【交叉參考之相關申請案】
依照美國法典第35條第119項第(e)款規定，對於西元2008年2月8日所申請，名為『雙遮罩自對準圖案化技術製程(Double Mask Self-Aligned Double Patterning Technology(SaDPT)Process)』之美國暫時專利申請案第61/027,299號，本申請案請求優先權，上述案的內容大體上併入於本文以供參考。
於半導體晶圓處理期間，使用眾所週知的圖型化與蝕刻處理在晶圓中定義半導體裝置的特徵部(feature)。在這些處理中，光阻(PR)材料係沈積於晶圓上，接著裸露於光罩所透過的光。此光罩一般為以示範性特徵部幾何而加以圖型化的玻璃板，該特徵部幾何可阻擋光線穿過此光罩。
在光線穿過光罩後，將接觸到光阻材料的表面。此光線將改變光阻材料的化學組成，俾使顯影液可移除部分光阻材料。就正型光阻材料而言，曝光區將被移除；而就負型光阻材料而言，未曝光區將被移除。其後，蝕刻晶圓以移除在未受光阻材料所保護之區域底下的材料，從而在晶圓上定義特徵部。
吾人已知各種世代的光阻。光阻圖樣具有一臨界尺寸(CD)，該尺寸可為最小特徵部的寬度。特超大型積體電路(ULSI)中的CD均勻性係高效能裝置的決定性參數。例如，閘極中的CD均勻性影響裝置的閾值電壓分布及總良率。隨著ULSI的設計法則變小，微影術所圖型化的線性特徵部之線緣粗糙度(線寬粗糙度，Line Width Roughness：LER)則變糟。LER係由頂而下檢視線性特徵部之邊緣平滑度為何的量度。理想的特徵部具有『直似尺』的邊緣。然而，因為各種原因，線性特徵部有時會出現鋸齒狀。鋸齒狀的線條(即高LWR)一般係極不受歡迎的，因為延著線性特徵部所量得的CD將處處不同，致使由此產生的裝置之操作將不可靠。
為實現前述目的，一種用以在蝕刻層上圖型化特徵部的方法包括在無機遮罩層上形成有機遮罩層、在該有機遮罩層上形成含矽遮罩層、在該含矽遮罩層上形成圖型化遮罩層、經由此圖型化遮罩蝕刻含矽遮罩層、在已蝕刻的含矽遮罩層上沈積聚合物，在該聚合物上沈積含矽薄膜、使該含矽薄膜平坦化、選擇性地移除聚合物而留下含矽薄膜、蝕刻有機層，及蝕刻無機層。
將由下述之本發明的詳細描述與隨附之圖式而更詳盡地描述本發明的這些與其它特徵。
將參照本文中如隨附圖式所說明的幾個較佳實施例而詳細地描述本發明。於下述的描述中，為提供本發明之徹底了解而闡明眾多的具體細節。然而，對於熟悉本技藝者，明顯的是，不用這些特定細節的部分或全部即可實行本發明。在其它例子中，為了避免非必要地搞混本發明而沒有詳盡地描述眾所皆知的處理步驟與/或結構。
為便於了解，圖1係可用於本發明之實施例的處理流程圖。可於無機層上形成有機遮罩層(步驟102)、於此有機層上形成含矽遮罩層(步驟104)，且於此含矽遮罩層上形成圖型化遮罩層(步驟106)。圖2A係層疊200的橫剖面視圖，顯示基板202上所形成的蝕刻層204、蝕刻層204上所形成的有機遮罩層210、有機遮罩層210上所形成的含矽遮罩層212，與含矽遮罩層212上所形成的圖型化遮罩層214。
基板202可為任何已知基板，如矽晶圓。蝕刻層204可為介電材料，如SiO2 、SiN或SiON，該材料可形成用以蝕刻如Si之導電材料的硬式遮罩。儘管未顯示，可於蝕刻層204上形成如圖7所說明的無機遮罩層。有機遮罩層210可為任何有機硬式遮罩材料，如非晶碳(amorphous carbon)。在一範例中，此有機遮罩層可為300nm的非晶碳。
含矽遮罩層212可為任何旋塗玻璃式(spin on glass，SOG)的材料，如氧化矽或含矽聚合物。在一範例中，含矽遮罩層212可為30nm的SOG材料。含矽遮罩層212也可具抗反射塗層(ARC，未顯示)，該塗層形成於有含矽遮罩層212上。通常，在微影步驟中，於圖型化遮罩下設置一或多層ARC層，例如底部抗反射塗層(BARC)與/或介電抗反射塗層(DARC)。這些層別於圖型化遮罩的曝光期間將可能產生駐波的反射光減至最小或消弭之。如此的駐波可能導致缺陷，如圖型化遮罩邊壁的正弦『海扇狀構造』，或在圖型化遮罩層底部形成『足部』。因此，一般於圖型化遮罩層下方與欲經由此圖型化遮罩而蝕刻的裝置材料(如SiO2 )上方沈積BARC/DARC層。BARC/DARC層可為以有機為基或以無機為基的材料，一般係由異於底下之介電材料的材料所組成。例如，無機的BARC層可由氮化鈦(TiN)和氮氧化矽(SiON)所組成。
圖型化遮罩214可形成在含矽遮罩層212之上。圖型化遮罩層214最好為光阻材料。例如，此遮罩可為60nm的光阻材料。基板202係置於處理腔中。
圖4係可用於本實施例之電漿處理腔400的概略視圖。電漿處理腔400包括圍束環402、上電極404、下電極408、氣體源410，與排氣泵浦420。氣體源410包括壓縮沈積氣體源412與壓縮輪廓氣體源416。此氣體源可包括如蝕刻氣體源418與剝除氣體源422的額外氣體源，以允許蝕刻、剝除，與其它在相同腔中欲執行的處理。於電漿處理腔400內，基板202係置於下電極408之上。下電極408包含用以持有基板202的適當基板夾持機制(例如靜電、機械夾合，或類似物)。反應器頂部428包含上電極404，該電極直接設置於下電極408的對側。上電極404、下電極408，與圍束環402定義所限的電漿容積440。氣體源410供應氣體至所限的電漿容積，且排氣泵浦420經圍束環402與排氣口自所限的電漿容積中將氣體排除。第一RF電源444與上電極404係電氣連接。第二RF電源448與下電極408係電氣連接。腔壁452包圍圍束環402、上電極404，與下電極408。第一RF電源444與第二RF電源448兩者可包括27MHz與/或60MHz的電源，及2MHz的電源。RF電源與電極的連接可有不同的組合。就加州佛利蒙(Fremont)的Lam Research Corporation所製造的雙頻電容(Dual Frequency Capacitive，DFC)系統(該系統可用於本發明之較佳實施例)而言，27MHz與2MHz兩者的電源構成與下電極相連的第二RF電源448，而上電極則為接地。在其它實施例中，此RF電源可具有高達300MHz的頻率。控制器435與RF電源444、448、排氣泵浦420，及氣體源410係可控地相連。當欲蝕刻之層204為如氧化矽或有機矽酸鹽玻璃的介電層時，將使用DFC系統。
圖5A與5B說明電腦系統1300，其係適於執行本發明之實施例中所使用的控制器435。圖5A顯示此電腦系統的一種可能實體型式。當然，此電腦系統可具有從積體電路、印刷電路板、小型手提裝置到大型超級電腦不等的許多實體型式。電腦系統1300包括監視器1302、顯示器1304、外罩1306、磁碟驅動器1308、鍵盤1310，與滑鼠1312。磁碟1314係一電腦可讀媒體，用以移轉資料至電腦系統1300且從中移轉出資料。
圖5B係電腦系統1300之方塊圖範例。裝配於系統匯流排1320的係各種各樣的子系統。處理器1322(也稱為中央處理單元，或CPUs)與儲存裝置相連接，該裝置包括記憶體1324。記憶體1324包括隨機存取存儲器(RAM)與唯讀記憶體(ROM)。如在本技藝中眾所皆知的，ROM作為單向地轉移資料與指令至CPU，而RAM通常用以雙向地轉移資料與指令。這兩種形式的記憶體可包括下文所述任何適當的電腦可讀媒體。固定磁碟1326也與CPU 1322雙向地相連接，該固定磁碟提供額外的資料儲存容量且也包括下文所述任何的電腦可讀媒體。固定磁碟1326可用以儲存程式、資料等等，且通常為運作慢於主儲存媒體的第二儲存媒體(例如硬碟)。應理解到，在合適的情形下，可以標準形式將固定磁碟1326內所保留的資訊併作為記憶體1324中的虛擬記憶。可移式磁碟1314可採用下文所述任何的電腦可讀媒體之形式。
CPU 1322也與多種的輸入/輸出裝置相連接，例如顯示器1304、鍵盤1310，與滑鼠1312，與揚聲器1330。一般而言，輸入/輸出裝置可為下述之任一個：影像顯示器、軌跡球、滑鼠、鍵盤、麥克風、指觸顯示器(touch-sensitive displays)、感應卡閱讀機(transducer card reader)、磁帶或紙帶閱讀機、輸入板、唱針(stylus)、聲音或手寫辨識器、生物識別閱讀器(biometrics reader)，或其他計算機。可任意地使用網路間介面1340而將CPU 1322與其它電腦或電信網路相連接。有了如此的網路間介面，可預期到在執行上述方法步驟期間CPU可收到來自網路的資訊，或可輸出資訊至網路。此外，本發明之方法實施例可單獨靠CPU 1322而執行，或可透過網路(如結合分攤部份處理之遠端CPU的網際網路)而執行。
此外，本發明之實施例更關於帶有電腦可讀媒體的電腦儲存產品，該電腦可讀媒體其中具有用以執行各式電腦實施操作的電腦碼。此媒體及電腦碼可係為本發明之目的所特別設計或建造之物，或可為眾所皆知且為熟悉電腦軟體技藝者所用之物。電腦可讀媒體的例子包括磁性媒體(如硬碟、軟碟，與磁帶)、光學媒體(如CD-ROMs與全像裝置(holographic device))、磁光媒體(如磁軟光碟(flotical disk))，與特別用以儲存與執行程式碼的硬體裝置(如特殊應用積體電路(application-specific integrated circuits，ASICs)、可編程邏輯裝置(programmable logic devices，PLDs)，與ROM及RAM裝置)，但非限於上述。電腦碼的例子可包括如編譯程式所產生的機械碼與包含高階碼的檔案，可使用解譯器而以電腦執行該等碼。電腦可讀媒體也可為電腦資料訊號所傳輸的電腦碼，此電腦資料訊號係體現於載波且表達出處理器所執行的指令序列。
回頭參照圖1，可修整圖型化遮罩層(步驟112)。圖2B中說明此舉，其中橫向地蝕刻圖型化遮罩214的結構而使其變得更薄。換言之，特徵部216a與216b將變得更寬。調整此修整時間俾使聚合物層與含矽層置於所期待的位置。用以修整此遮罩層的範例配方係在400毫托耳(mTorr)壓力下以O2 為基之光阻修整處理。當下提供頻率27MHz的200瓦(W)功率及提供100sccm的O2 。
接著經由此圖型化遮罩層在含矽遮罩層中蝕刻出特徵部(步驟114)，如圖2C所示之。用以蝕刻如SOG之含矽遮罩層的配方範例提供40mTorr壓力、頻率27MHz的300W功率，與100sccm的CF4 。
可在此含矽遮罩層上沈積聚合物(步驟116)。如圖2D所示，可調整聚合物218沈積時間，俾使特徵部216a與216b未完全被聚合物218所填滿。在替代的實施例中，聚合物218僅沈積於含矽遮罩層212與圖型化遮罩層214的邊壁上，而不沈積於特徵部216a與216b的底端上。此外，儘管圖中說明圖型化遮罩層214之頂端上所沈積的聚合物，但頂端上的沈積為非必要。
聚合物218可為任何低溫聚合物，如氫氟碳化合物或碳氫化合物，可用氣體調制作用(提供沈積相與輪廓成形相)共形地沈積之，且允許聚合物的選擇性移除而不移除或損害含矽遮罩層212和含矽薄膜的邊壁，下文將參照圖2G進一步討論之。該沈積聚合物之氣體調制作用的使用允許沈積發生在低於100℃的溫度中，此舉可降低裝置損害、熱預算(thermal budget)，與使用更少的熱量。此外，使用低溫聚合物將維持裝置製造的低熱預算。
圖3係沈積聚合物之步驟(步驟116)之更詳細的流程圖。如圖3所示，此聚合物沈積包括複數個含聚合物沈積相(步驟304)與聚合物邊壁成形相(步驟308)之循環程序的循環。
理想的是，聚合物沈積相(步驟304)使用含Cx Hy 或Cx Hy Fz 中至少一者的沈積氣體，與如He、Ar、Ne、Kr、Xe等載體氣體。更理想的是，此沈積氣體更包括如氬或氙的載體氣體。更理想的是，此沈積氣體更包括氧化添加劑與還原添加劑中至少一者，如O2 、N2 、H2 ，或NH3 。
聚合物沈積相(步驟304)的範例提供100sccm C2 H4 與100sccm Ar之流量。壓力係設為40mTorr。基板維持在20℃的溫度。第二RF電源448提供頻率27MHz的400W功率與頻率2MHz的0W功率。於沈積相期間提供此沈積氣體，該沈積氣體轉換成電漿，接著停止該沈積氣體。
理想的是，聚合物邊壁成形相308使用異於沈積氣體的輪廓成形氣體，且包括Cx Fy 與NF3 中至少一者。更理想的是，此輪廓成形氣體更包括如氬或氙的載體氣體。更理想的是，此輪廓成形氣體更包括氧化添加劑與還原添加劑中至少一者，如O2 、N2 、H2 ，或NH3 。
聚合物邊壁成形相(步驟308)的範例提供如100sccm CF4 的含鹵素氣體。在此範例中，於輪廓成形期間僅提供CF4 氣體。對腔室提供20mTorr的壓力。第二RF電源448提供頻率27MHz的600W功率與頻率2MHz的0W功率。於聚合物邊壁成形相期間提供此輪廓成形氣體，該輪廓成形氣體轉換成電漿，接著停止該輪廓成形氣體。
理想的是，於2至20個循環之間執行此處理。更理想的是，於3至10個循環之間執行此處理。沈積與聚合物成形的組合在複數個循環期後形成了垂直邊壁。此垂直邊壁最好係自底至頂與聚合物層之底端夾88°至90°角的邊壁。
回頭參照圖1，在聚合物上沈積含矽薄膜(步驟118)，如圖2E所說明之。可在原處或他處行此沈積。含矽薄膜220可為任何形式的材料，如SOG或含矽聚合物，該等材料能夠填滿特徵部216a與216b且平坦化。在一實施例中，含矽薄膜220可為與含矽遮罩層212相同的材料且/或具有如含矽遮罩層212的相同特性。可在低於100℃的溫度下沈積含矽薄膜220。
接著可使此含矽薄膜平坦化(步驟120)，如圖2F所說明之。可使用任何已知處理使含矽薄膜220平坦化，如回蝕處理或化學機械研磨法或濕式蝕刻。
接著選擇性地移除聚合物與圖性化遮罩層(步驟122)，如圖2G所示之。聚合物的選擇性移除將導致空隙或特徵部222，該特徵部係形成於移除聚合物之處。因此，將由相同的圖型化遮罩層214形成帶有更小CD的額外特徵部，且該特徵部不具有鋸齒狀邊壁。
藉著灰化步驟並使用氧氣灰化而移除聚合物218與圖型化遮罩214，此舉有利於不引起含矽薄膜220的底切(undercut)。也可在濕式溶液中移除聚合物218與圖型化遮罩214，該溶液對含矽薄膜220係不起反應的。
回頭參照圖1，接著在有機層中蝕刻出特徵部(步驟124)，如圖2H所說明之。可使用已知蝕刻技術蝕刻有機層210。一示範配方可為腔室提供20mTorr的壓力、頻率27MHz的400W功率與100sccm的O2 及5sccm的CH3 F。接著在蝕刻層中蝕刻出特徵部且移除剩餘的遮罩層(步驟128)，如圖2I所示之。可使用用以蝕刻蝕刻層204的習知蝕刻配方，例如對腔室提供40mTorr的壓力。RF電源提供頻率60MHz的1000W功率與頻率2MHz的1000W功率。當中也提供15sccm的C4 F8 及10sccm的O2 。
可設置額外的步驟以完成半導體裝置的形成。本處理使用相同的光阻遮罩層與使用習知的蝕刻處理而提供帶有一半CD之蝕刻特徵部及使所形成的特徵部增倍。
可略過或改變上文較佳實施例中的若干步驟而不增大CD。略過或改變較佳實施例中的其它步驟，而提供仍可縮小CD與/或增加特徵部數目的實施例。例如，如上文所述，在蝕刻圖型化遮罩層後不需修整之。
圖6係另一示範性實施例的流程圖。在此範例中，圖型化遮罩層係用以形成記憶體陣列晶片。在此示範性實施例中，如圖7A-7L所說明的，虛線714分割了如周邊邏輯裝置圖型716的邏輯裝置區與陣列或晶格區718的剩餘晶片。在此範例中，希望增加陣列或晶格區的密度，此舉提供可重複的特徵部，而不需增加邏輯或周邊區的密度。
參照圖6，於蝕刻層上形成無機遮罩層(步驟600)、於該無機層上形成有機遮罩層(步驟602)、於該有機層上形成含矽遮罩層(步驟604)，及於該含矽遮罩層上形成圖型化遮罩層(步驟606)。圖7A係基板702(如晶圓)上之蝕刻層704的橫剖面視圖。在蝕刻層704上形成無機遮罩層706、在無機遮罩層706上形成有機遮罩層708、在有機遮罩層708上形成含矽遮罩層710，及在含矽遮罩層710上形成如光阻遮罩層的圖型化遮罩層712，從而形成層疊700。可由如四乙氧基矽烷(tetraethoxysilane，TEOS)、氧氮化矽等等的任何矽源形成無機遮罩層706。在一範例中，無機遮罩層706可為300nm的無機遮罩層材料。
儘管圖6的流程圖未說明，可如圖7B所說明地修整圖型化遮罩712。經由此圖型化遮罩層在含矽遮罩層中蝕刻出特徵部(步驟608)，其相似於先前實施例中所描述的處理，且如圖7C所說明之。
如圖7D所示，可覆蓋邏輯區(步驟610)。於邏輯區728上形成覆蓋層726。在一範例中，可使用I-line光阻形成覆蓋層726。此型態的覆蓋層可為低解析度覆蓋層。覆蓋層726於邊緣處最好具有斜面730而非垂直面，俾使在後續處理中不會沿著覆蓋層726之邊緣形成不合需要的間隔。
可在含矽遮罩層上沈積聚合物(步驟612)。如圖7E所說明的，可調整聚合物732沈積時間而使特徵部734不完全被聚合物732所填滿。聚合物732最好僅沈積於含矽遮罩層710與圖型化遮罩層712的邊壁上，而不沈積在特徵部734的底端上，如圖7E所說明之。
聚合物732可為如先前實施例中所討論的任何低溫聚合物，且可使用如上文所討論的氣體調制作用(提供沈積相與輪廓成形相)共形地沈積之。
回頭參照圖6，可在此聚合物上沈積含矽薄膜(步驟614)，如圖7F所說明之。此沈積可在原處或他處行之，且如上文所討論，含矽薄膜738可為任何型態的低溫含矽材料。可在低於100℃的溫度下使用SOG處理而沈積含矽薄膜738。
接著使此含矽薄膜平坦化(步驟616)，如圖7G所說明之。可使用任何已知處理而使含矽薄膜738平坦化，如回蝕法或或化學機械研磨法。
接著選擇性地移除此聚合物(步驟618)，如圖7H所示之。聚合物732的選擇性移除導致空隙或特徵部736，該特徵部形成於移除聚合物之處。因此，將由相同的圖型化遮罩層712形成帶有更小CD的額外特徵部，且該特徵部具有平直而非鋸齒狀之邊壁。可用先前實施例中所討論的處理而移除聚合物732。
如圖7H所示，可移除覆蓋層(步驟620)和圖型化遮罩層(步驟622)。如圖7I與7J個別所說明的，接著在有機層與無機層中蝕刻出特徵部(步驟624與626)。也可使用如上文實施例中所討論的已知蝕刻技術蝕刻有機層708與無機層706。例如，蝕刻無機層706的配方可為對腔室提供40mTorr的壓力。RF電源提供頻率27MHz的200W功率。當中再提供100sccm的CF4 。接著在蝕刻層中蝕刻出特徵部(步驟628)且移除所有的遮罩層(步驟630)，如圖7k與7L所個別示之。
雖然已按照數個較佳實施例而敘述本發明，在不離開本發明之範圍內，當可做替換、修正、交換及各式取代的等價動作。也應注意到，有許多替換方法可執行本發明之方法與設備。因此有意將下列附加的專利請求項解釋為在不離開本發明之精神與範圍內，包括所有替換、修正、交換及各式取代的等價動作。
200．．．層疊
202．．．基板
204．．．蝕刻層
210．．．有機遮罩層
212．．．含矽遮罩層
214．．．圖型化遮罩(層)
216a．．．特徵部
216b．．．特徵部
218．．．聚合物
220．．．含矽薄膜
222．．．特徵部
400．．．電漿處理腔
402．．．圍束環
404．．．上電極
408．．．下電極
410．．．氣體源
412．．．壓縮沈積氣體源
416．．．壓縮輪廓氣體源
418．．．蝕刻氣體源
420．．．排氣泵浦
422．．．剝除氣體源
428．．．反應器頂部
435．．．控制器
440．．．電漿容積
444．．．第一RF電源
448．．．第二RF電源
452．．．腔壁
700．．．層疊
702．．．基板
704．．．蝕刻層
706．．．無機遮罩層
708．．．有機遮罩層
710．．．含矽遮罩層
712．．．圖型化遮罩(層)
714．．．虛線
716．．．邏輯裝置圖型
718．．．陣列/晶格區
726．．．覆蓋層
728．．．邏輯區
730．．．斜面
732．．．聚合物
734．．．特徵部
736．．．特徵部
738．．．含矽薄膜
1300．．．電腦系統
1302．．．監視器
1304．．．顯示器
1306．．．外罩
1308．．．磁碟驅動器
1310．．．鍵盤
1312．．．滑鼠
1314．．．磁碟
1320．．．系統匯流排
1322．．．處理器
1324．．．記憶體
1326．．．固定磁碟
1330．．．揚聲器
1340．．．網路間介面
本發明係藉由隨附圖示之圖表中的例子說明且不限於此，而圖中相同參照數字代表相似的元件，其中圖式為：
圖1係可用於本發明之實施例的處理流程圖。
圖2A-I係依據本發明之實施例所處理之層疊的概略橫剖面視圖與俯視圖。
圖3係沈積聚合物之步驟的更詳細流程。
圖4係可用於執行本發明之電漿處理腔的概略視圖。
圖5A-B說明電腦系統，其係適於執行本發明之實施例中所使用的控制器。
圖6係本發明之另一示範性實施例的流程圖。
圖7A-L係依據圖6之實施例所處理的層疊的概略橫剖面視圖與俯視圖。
102．．．在無機層上形成有機遮罩層
104．．．在有機層上形成含矽遮罩層
106．．．在含矽遮罩層上形成圖型化遮罩層
112．．．修整圖型化遮罩層
114．．．在含矽遮罩層中蝕刻出特徵部
116．．．在已蝕刻的含矽遮罩層上沈積聚合物
118．．．在低溫聚合物上沈積含矽薄膜
120．．．使含矽薄膜平坦化
122．．．選擇性地移除聚合物與圖型化遮罩
124．．．在有機層中蝕刻出特徵部
128．．．在蝕刻層中蝕刻出特徵部且移除所有的遮罩層

Claims (18)

  1. 一種用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，包括：在該蝕刻層上形成一有機遮罩層；在該有機遮罩層上形成一含矽遮罩層；在該含矽遮罩層上形成一圖型化遮罩層；經由該圖型化遮罩層蝕刻該含矽遮罩層；在該已蝕刻的含矽遮罩層上沈積一聚合物，其中該沈積一聚合物步驟包含一邊壁形成處理的至少二個循環，其中每一循環包含：一聚合物沉積相；及一聚合物邊壁成形相；在該聚合物上沈積一含矽薄膜；使該含矽薄膜平坦化；選擇性地移除該聚合物，留下該含矽薄膜；及蝕刻該有機遮罩層。
  2. 如申請專利範圍第1項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，更包括蝕刻該蝕刻層。
  3. 如申請專利範圍第2項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，更包括移除該有機遮罩層、該含矽遮罩層，與該圖型化遮罩層。
  4. 如申請專利範圍第3項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該聚合物沈積相包括：提供一聚合物沈積氣體；由該沈積氣體形成一電漿；及停止該沈積氣體流；其中溫度係低於100℃。
  5. 如申請專利範圍第4項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該聚合物邊壁成形相包括：提供異於該沈積氣體的一輪廓成形氣體；由該輪廓成形氣體形成一電漿；及 停止該輪廓成形氣體流；其中溫度係低於100℃。
  6. 如申請專利範圍第5項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該聚合物係一低溫聚合物。
  7. 如申請專利範圍第6項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該含矽薄膜係一低溫矽質材料。
  8. 如申請專利範圍第7項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該沈積一含矽薄膜步驟更包括一SOG處理，其中溫度係低於100℃。
  9. 如申請專利範圍第8項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該圖型化遮罩層係一光阻遮罩層，且其中該形成一圖型化遮罩層步驟更包括：修整該光阻遮罩層中的該圖型化特徵部。
  10. 如申請專利範圍第9項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，更包括：在該含矽遮罩層上形成一抗反射塗佈層(ARC)。
  11. 如申請專利範圍第10項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該含矽薄膜與該含矽遮罩層係旋塗玻璃式薄膜。
  12. 如申請專利範圍第1項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，更包括移除該有機遮罩層、該含矽遮罩層，與該圖型化遮罩層。
  13. 如申請專利範圍第1項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該聚合物沈積相包括：提供一聚合物沈積氣體；由該沈積氣體形成一電漿；及停止該沈積氣體流；其中溫度係低於100℃。
  14. 如申請專利範圍第13項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該聚合物邊壁成形相包括：提供異於該沈積氣體的一輪廓成形氣體； 由該輪廓成形氣體形成一電漿；及停止該輪廓成形氣體流；其中溫度係低於100℃。
  15. 如申請專利範圍第1項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該聚合物係一低溫聚合物。
  16. 如申請專利範圍第1項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該含矽薄膜係一低溫矽質材料。
  17. 如申請專利範圍第1項之用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，其中該沉積之聚合物未覆蓋該含矽遮罩層之特徵部之底端。
  18. 一種用以在一蝕刻層上圖型化特徵部的方法，包括：在該蝕刻層上形成一有機遮罩層；在該有機遮罩層上形成一含矽遮罩層；在該含矽遮罩層上形成一圖型化遮罩層；經由該圖型化遮罩層蝕刻該含矽遮罩層；在該已蝕刻的含矽遮罩層上沈積一聚合物，其中該沈積一聚合物步驟包含一邊壁形成處理的至少二個循環，其中每一循環包含：一聚合物沉積相，其中該聚合物沈積相包括：提供一聚合物沈積氣體；由該沈積氣體形成一電漿，同時將溫度維持在低於100℃；及停止該沈積氣體流；及一聚合物邊壁成形相，其中該聚合物邊壁成形相包含：提供異於該沈積氣體的一輪廓成形氣體；由該輪廓成形氣體形成一電漿，同時將溫度維持在低於100℃；及停止該輪廓成形氣體流；在該聚合物上沈積一含矽薄膜；使該含矽薄膜平坦化； 選擇性地移除該聚合物，留下該含矽薄膜；蝕刻該有機遮罩層；及蝕刻該蝕刻層。
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