TWI457068B - 記憶體系統及熱強化記憶體模組之方法 - Google Patents

Claims (20)

1. 一種熱強化一記憶體模組之方法，該記憶體模組具有一基板，該基板包含複數個電平面，該方法包含：延伸該基板之該複數個電平面中之一第一者；在該基板之一表面平面與該第一電平面之間提供一熱連接；及將一第一熱管理結構耦合至該基板之該表面平面且耦合至該熱連接。
2. 如請求項1之方法，其中該熱連接包含熱通孔，且其中該第一熱管理結構耦合至該等熱通孔。
3. 如請求項1之方法，其進一步包括：在該基板之該表面平面與該第一電平面之一延伸部分之間提供該熱連接。
4. 如請求項1之方法，其進一步包括：將一第二熱管理結構耦合至該基板之一第二表面平面，該第二熱管理結構亦耦合至該熱連接。
5. 如請求項4之方法，其中該第一熱管理結構與該第二熱管理結構為散熱器。
6. 如請求項4之方法，其中該第一熱管理結構與該第二熱管理結構具有自一底座側向延伸出之複數個鰭片。
7. 如請求項1之方法，其中該第一電平面為一接地平面。
8. 如請求項4之方法，其進一步包括：將該第一熱管理結構耦合至該記憶體模組之一頂表面；且 將該第二熱管理結構耦合至該記憶體模組之一底表面。
9. 如請求項4之方法，其進一步包括：將一第三熱管理結構耦合至該記憶體模組之一頂表面；且將一第四熱管理結構耦合至該記憶體模組之一底表面。
10. 如請求項9之方法，其進一步包括：在該第一熱管理結構與該第三熱管理結構之間放置一間隙填料。
11. 一種記憶體系統，其包括：一記憶體模組，該記憶體模組具有：一基板，該基板包含一第一延伸電平面；及一該基板之一表面平面與該第一延伸電平面之間的熱連接；及一第一熱管理結構，該第一熱管理結構耦合至該基板之該表面平面，該熱管理結構亦耦合至該熱連接。
12. 如請求項11之記憶體系統，其中該熱連接包含熱通孔，且其中該第一熱管理結構耦合至該等熱通孔。
13. 如請求項11之記憶體系統，其進一步包括：一第二熱管理結構，其耦合至該基板之一第二表面平面，該第二熱管理結構亦耦合至該熱連接。
14. 如請求項13之記憶體系統，其中該第一熱管理結構與該第二熱管理結構為散熱器。
15. 如請求項13之記憶體系統，該第一熱管理結構與該第二熱管理結構進一步包括：自一底座側向延伸出之複數個鰭片。
16. 如請求項11之記憶體系統，其中該第一電平面為一接地平面。
17. 如請求項14之記憶體系統，其中該第一熱管理結構進一步耦合至該記憶體模組之一頂表面，且該第二熱管理結構進一步耦合至該記憶體模組之一底表面。
18. 如請求項14之記憶體系統，其進一步包括：一第三熱管理結構，其耦合至該記憶體模組之一頂表面；且一第四熱管理結構，其耦合至該記憶體模組之一底表面。
19. 如請求項18之記憶體系統，其進一步包括：在該第一熱管理結構與該第三熱管理結構之間的一間隙填料。
20. 如請求項11之記憶體系統，其中耦合包含焊接與黏結中之一者。