TWI455332B - Solar cell and its manufacturing method - Google Patents

Description

太陽能電池及其製造方法

本發明是有關於一種太陽能電池及其製造方法，特別是一種三五族的太陽能電池及其製造方法。

近年來，半導體製程已成高科技產業中不可或缺的一部份，半導體一般而言是在矽晶圓中摻雜P型或N型介質，使得矽晶圓本身的性質改變而具有半導體的特性，亦有使用三五族的材料，例如砷化鎵(GaAs)等，製成所需的電子元件。

具體而言，半導體製程就是在基材上透過一層層的堆疊需要的元件，而形成我們需要的半導體相關元件，其中需通過種種的製程手段以達成所需的目的，舉例來說，電子元件之完成係由精密複雜的積體電路(Integrated Circuit，簡稱IC)所組成；積體電路之製作過程是應用晶片氧化層成長、微影技術、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沉積等技術，所須製程多達二百至三百個步驟。由於製程的步驟繁雜眾多，因此在每個步驟上都必須盡可能的追求完善，並且減少製程施行的錯誤率，藉此提高產品的良率。

其中，一般習知技術的太陽能電池，請參閱第1及2圖，第1圖係繪示根據習知之一種太陽能電池之剖面示意圖。第2圖係繪示根據習知之另一種太陽能電池之剖面示意圖。首先針對第1圖，習 知的太陽能電池主要都是由P型金屬層(P-metal Layer)100、基板105、磊晶層(Epi Layer)110、封蓋層(Capping Layer)130、第一抗反射層120(Anti-Reflection Coating；ARC)、第二抗反射層121以及N型金屬層140(N-metal Layer)形成。然而，以傳統方法製作前述的太陽能電池時，因為使用N型金屬層140做為封蓋層130的光罩，蝕刻時會導致N型金屬層140的底部寬度大於封蓋層130的頂部寬度。因此，此種太陽能電池很容易自N型金屬層140的底部撕裂(peeling)。

另外，第一抗反射層120及第二抗反射層121沒有完全覆蓋封蓋層，容易有可靠度的問題產生。

再者，凹陷部150係用來使各個太陽能電池可以被切割成單獨的單體(cell)，此一工序亦被稱之為切割工序(trench cut)，其中，因為磊晶層110的部份外露，亦會產生可靠度的問題。

此外，由於此種傳統的太陽能電池，P型金屬層100必須在最後步驟形成，此一步驟非常容易導致太陽能電池磊晶片的破損。

另外，針對第2圖而言，雖然不具有太陽能電池很容易自N型金屬層140的底部撕裂的問題。然而，仍具備其他前述所提到的缺點。

換言之，傳統的太陽能電池的可靠性及製程良率就因此而降低。

有鑑於此，本發明之目的就是在提供一種太陽能電池及其製造方法，以解決一般太陽能電池可靠性不高的缺點。

緣是，為達上述目的，依本發明之太陽能電池包含基板、磊晶層、P型金屬層、至少一封蓋層、至少一第一抗反射層、N型金屬層以及至少一第二抗反射層。詳細而言，基板包含一第一表面及一第二表面，其材質較佳係鍺。其中，第二表面包含至少一第一區域及一第二區域，並且第二區域係形成一凹陷部。另外，P型金屬層係形成於基板之第一表面上，其中，P型金屬層的材質通常是以金屬為主，較佳係銀、金或其合金，主要的作用在於收集載子。

磊晶層係形成於第二表面之第一區域上，其中磊晶層主要是由多層異質結構所組成，其材質可以包含三五族的元素，例如砷化鎵。又，磊晶層的形成方式可以是液態磊晶法、有機金屬化學沉積法或分子束磊晶法。

另外，本發明之太陽能電池中，封蓋層係經圖案化並形成於磊晶層上，其中封蓋層係與磊晶層形成歐姆接觸。舉例而言，封蓋層之材質可以包含砷化鎵。

此外，本發明之太陽能電池中，第一抗反射層係形成於磊晶層上以及封蓋層上，且第一抗反射層係例如共形地(conformal)覆蓋磊晶層上以及封蓋層上。其中，第一抗反射層係設有對應於封蓋層之頂部之一開口，以使後續形成在封蓋層及第一抗反射層上的N型金屬層可以透過開口電性連接封蓋層。其中，N型金屬層之厚度係約略介於2μm至10μm之間，較佳係約略介於2μm~8μm之間，更佳係約略介於3~8μm之間。另外，N型金屬層之材質較佳係鈀、鍺、鈦、鉑、銀、金或其合金，第一抗反射層之材質較佳係二氧化鈦。

續言之，前述的開口寬度應小於該封蓋層之頂部寬度。詳細而言，第一抗反射層形成於封蓋層上，並且僅露出部份的封蓋層頂部。

另外，要特別提到的是，N型金屬層可以是透過微影蝕刻製程形成，例如透過正或負光阻、光罩、蒸鍍等等之製程以形成。

此外，本發明之太陽能電池中，第二抗反射層係形成於N型金屬層、第一抗反射層以及凹陷部上，且第二抗反射層係例如共形地(conformal)覆蓋於N型金屬層、第一抗反射層以及凹陷部之表面上。詳細而言，在本發明之太陽能電池中，第二抗反射層除了可以形成於N型金屬層上，還可以同時形成於第一抗反射層及凹陷部上。另外，第二抗反射層的材質較佳是氮化物、矽化物、氧化物或氮氧化合物

另外，要特別提到的是，第一抗反射層與第二抗反射層皆可以是多層的抗光線反射結構。

又，本發明更提出一種太陽能電池的製造方法，包含下列步驟：

首先提供一基板，基板包含一第一表面及一第二表面，其中，第二表面包含至少一第一區域及一第二區域。

續言之，下一步驟係形成一磊晶層於基板之第二表面之第一區域及第二區域上。

接著形成經圖案化之封蓋層於磊晶層上，其中封蓋層係與磊晶層形成歐姆接觸。

續言之，形成第一抗反射層於磊晶層以及封蓋層上；接著，形成 對應於封蓋層之頂部之一開口於第一抗反射層，並且開口寬度小於封蓋層之頂部寬度。藉此，後續形成在封蓋層及第一抗反射層上的N型金屬層可以透過開口電性連接封蓋層。其中，N型金屬層之厚度係約略介於2μm至10μm之間，較佳係約略介於2μm~8μm之間，更佳係約略介於3~8μm之間。

當形成N型金屬層於封蓋層及第一抗反射層上之後，接著進行一切割步驟，使基板之第二表面之第二區域形成一凹陷部。詳細而言，再進行切割步驟之前，基板之第二表面之第二區域會被磊晶層及第一抗反射層覆蓋，因此需要透過切割步驟而使第二區域露出，並形成一凹陷部，凹陷部主要係用來使各個太陽能電池可以被切割成單獨的單體。

再形成至少一第二抗反射層於N型金屬層、第一抗反射層以及凹陷部上。其中，第二抗反射層的材質較佳是氮化物、矽化物、氧化物或氮氧化合物。

此外，本發明之太陽能電池的製造方法中，更包含形成P型金屬層於磊晶層之第一表面上。其中，前述形成P型金屬層之步驟可以在形成磊晶層及經圖案化之一封蓋層之步骤之間，或是形成第一抗反射層及開口之步骤之間進行。

承上所述，依本發明之太陽能電池及其製造方法，其可具下述優點：

(一)本發明之太陽能電池及其製造方法，以N型金屬層完整蓋住封蓋層，藉以改善N型金屬層撕裂的問題。

(二)本發明之太陽能電池及其製造方法，第一抗反射層及第二 抗反射層係分開製作，並且第一抗反射層覆蓋在封蓋層上，藉此增加太陽能電池的可靠度。

(三)本發明之太陽能電池及其製造方法中，第二抗反射層係形成於N型金屬層、第一抗反射層以及凹陷部上，藉此覆蓋住部份外露的磊晶層，因此增加了太陽能電池的可靠度。

(四)本發明之太陽能電池及其製造方法中，P型金屬層並不是在最後形成，因此不會有容易造成太陽能電池磊晶片破損的問題。

茲為使 貴審查委員對本發明之技術特徵及所達到之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施例及配合詳細之說明如後。

100‧‧‧P型金屬層

105‧‧‧基板

110‧‧‧磊晶層

120‧‧‧第一抗反射層

121‧‧‧第二抗反射層

130‧‧‧封蓋層

140‧‧‧N型金屬層

150‧‧‧凹陷部

200‧‧‧P型金屬層

205‧‧‧基板

210‧‧‧磊晶層

211‧‧‧第一表面

212‧‧‧第二表面

213‧‧‧第一區域

214‧‧‧第二區域

215‧‧‧凹陷部

220‧‧‧第一抗反射層

223‧‧‧開口

224‧‧‧平坦部

230‧‧‧封蓋層

240‧‧‧N型金屬層

250‧‧‧第二抗反射層

260‧‧‧接合墊

300、310、315、320、330、335、340、350、360、370‧‧‧步驟

a、b、c‧‧‧寬度

第1圖係繪示根據習知之一種太陽能電池之剖面示意圖。

第2圖係繪示根據習知之另一種太陽能電池之剖面示意圖。

第3圖係繪示根據本發明之太陽能電池之剖面示意圖。

第4圖係繪示根據本發明之太陽能電池經圖案化後的N型金屬層之上視圖。

第5圖係繪示根據本發明之一種太陽能電池的製造方法之步驟圖。

第6圖係繪示根據本發明之另一種太陽能電池的製造方法之步驟圖。

以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之太陽能電池及 其製造方法，為使便於理解，下述實施例中之相同元件係以相同之符號標示來說明。

請參閱第3圖，第3圖係繪示根據本發明之太陽能電池之剖面示意圖。如第3圖所示，本發明之太陽能電池，包含基板205、磊晶層210、P型金屬層200、至少一封蓋層230、至少一第一抗反射層220、N型金屬層240、至少一第二抗反射層250。詳細而言，基板205包含一第一表面211及一第二表面212，其中，第二表面212包含至少一第一區域213及一第二區域214，並且第二區域214係形成一凹陷部215，其中基板205的材質較佳係鍺。要特別提到的是，凹陷部215係用來使本發明之太陽能電池可以被切割成單獨的單體(cell)，此一工序亦被稱之為切割工序(trench cut)。

P型金屬層200係形成於基板205之第一表面211上。P型金屬層200的材質通常是以金屬為主，主要的作用在於收集載子，此處所稱載子可能是電子或電洞。其中，P型金屬層200的材質可以是銀(Ag)/金(Au)/鈦(Ti)/鋁(Al)、銀(Ag)/金(Au)、銀(Ag)、金(Au)或其合金。P型金屬層200的厚度可以介於1~6μm之間。

接續而言，磊晶層210係形成於第二表面212之第一區域213上，其中磊晶層210主要是由多層異質結構所組成，換言之，磊晶層210可以是多層的材質，並且可能具有連續性的降階或升階比例組成，例如三五族元素之間的比例由0.1至10依各層不同而有遞增或遞減成份不同變化。其材質可以包含三五族的元素，例如砷化鎵、磷化銦或磷化銦鎵。磊晶層210的厚度可以介於5~10μm之間。又，磊晶層210的形成方式可以是液態磊晶法、有機金屬化學沉積法或分子束磊晶法。

另外，本發明之太陽能電池中，封蓋層230係經圖案化並形成於磊晶層210上，其中封蓋層230係與磊晶層210形成歐姆接觸。舉例而言，封蓋層230之材質可以包含砷化鎵或含1%~50%銦的砷化銦鎵(InGaAs)。封蓋層230通常而言是半導體材料，其功能主要是作為磊晶層210與N型金屬層240之間的連接媒介。進一步言之，若是沒有透過封蓋層230的連接，因光電效應產生的電子電洞對無法越過磊晶層210與N型金屬層240之間的能障。所以才需要透過封蓋層230的歐姆接觸，使電子電洞對可以經由N型金屬層240或P型金屬層200電性導通至外界使用。

此外，本發明之太陽能電池中，第一抗反射層220係形成於磊晶層210以及封蓋層230上。其中，第一抗反射層220係例如共形地(conformal)覆蓋磊晶層210以及封蓋層230上。其中，第一抗反射層220係設有對應於封蓋層230之頂部之一開口223，並且開口223寬度b小於封蓋層230之頂部寬度a。第一抗反射層220主要是用來減少光的反射，以提高光電轉換效率。另外，第一抗反射層220可以是單層或多層結構，以單層結構舉例，第一抗反射層220可以是二氧化鈦(TiO2)以多層結構舉例，第一抗反射層220可以是二氧化鈦(TiO2)/氧化鋁(Al2O3)/氮化矽(Si3N4)/氧化矽(SiO2)/氮氧化矽(SiON)，其中，氮化矽(Si3N4)及氧化矽(SiO2)可分別用氮化物及矽化物取代。另外，第一抗反射層220在對應封蓋層之頂部設有一開口223，以使後續形成在封蓋層230及第一抗反射層220上的N型金屬層240可以透過開口223電性連接封蓋層230。其中，N型金屬層240的材質可以是鈀(Pd)、鍺(Ge)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銀(Ag)、金(Au)或其合金。N型金屬層240之厚度 係約略介於2μm至10μm之間，較佳係約略介於2μm~8μm之間，更佳係約略介於3~8μm之間。

續言之，本發明之太陽能電池中，第二抗反射層250係形成於N型金屬層240、第一抗反射層220及凹陷部215上，且第二抗反射層250係例如共形地(conformal)覆蓋N型金屬層240、第一抗反射層220及凹陷部215之表面上。詳細而言，第二抗反射層250的材質可以是氮化物、矽化物、氧化物或氮氧化合物，例如氧化矽(SiO2)或氮氧矽(SiON)取代。另外，由於第二抗反射層250已經覆蓋了N型金屬層240，因此可以在第二抗反射層250對應N型金屬層240的位置開出另一孔洞(未繪示)並接出一導線，藉以將光電效應所產生的電流導出至外部使用。另外，第二抗反射層250可以是單層或多層結構，以單層結構舉例，第二抗反射層250可以是氧化矽(SiO2)。

更言之，第一抗反射層220與第二抗反射層250的位置亦為本發明之太陽能電池與習知之太陽能電池之不同點。本發明之太陽能電池的第一抗反射層220不僅設於磊晶層210上，更形成於封蓋層230上，並且第二抗反射層250除了可以形成於N型金屬層240上，還可以同時形成於第一抗反射層220及凹陷部215上。換言之，凹陷部215附近的磊晶層210被第二抗反射層250覆蓋，藉此，增加了本發明之太陽能電池的可靠度。

另外，要特別提到的是，N型金屬層240可以是透過微影製程及剝除(lift-off)製程形成，例如先上正或負光阻步驟、接著上光罩、蒸鍍以及以去光阻液去除正或負光阻等等之製程以形成經圖案化後的N型金屬層240。其中，N型金屬層240通常做為表面電極， 用以收集載子。請進一步參閱第4圖，第4圖係繪示根據本發明之太陽能電池經圖案化後的N型金屬層之上視圖，其中，N型金屬層240表面電極又因為設在太陽能電池的表面，因此通常不會佈滿整個太陽能電池的表面，並且於N型金屬層240的兩側可以電性連接接合墊(bonding pad)260，藉以將光電效應所產生的電流導通至外界。

又，N型金屬層240亦可以同時形成於封蓋層230及第一抗反射層220上。舉例而言，N型金屬層240有部份延伸出去而部份形成於第一抗反射層220的平坦部224。

此外，N型金屬層240頂部之寬度較佳大於封蓋層230之頂部之寬度。具體而言，寬度c係表示N型金屬層240頂部之寬度，寬度b係表示封蓋層230之頂部之寬度，寬度c之長度係較佳大於寬度b之長度。此一優點在於，由於N型金屬層240係形成於封蓋層230及第一抗反射層220上，因此在N型金屬層240與第一抗反射層220及封蓋層230之界面不容易撕裂，進而增加了本發明之太陽能電池的可靠性及良率。

又，請參閱第5及6圖，第5圖係繪示根據本發明之一種太陽能電池的製造方法之步驟圖。第6圖係繪示根據本發明之另一種太陽能電池的製造方法之步驟圖。本發明之一種太陽能電池的製造方法包含下列步驟：

首先提供一基板，基板包含一第一表面及一第二表面，其中，第二表面包含至少一第一區域及一第二區域(步驟300)。

下一步驟310係形成一磊晶層於基板之第二表面之第一區域及第 二區域上，其中磊晶層主要是由多層異質結構所組成，其材質可以包含三五族的元素，例如砷化鎵。又，磊晶層的形成方式可以是液態磊晶法、有機金屬化學沉積法或分子束磊晶法。

接著步驟320係形成經圖案化之封蓋層於磊晶層上，其中封蓋層係與磊晶層形成歐姆接觸。舉例而言，封蓋層之材質可以包含砷化鎵。封蓋層通常而言是半導體材料，其功能主要是作為磊晶層與N型金屬層之間的連接媒介。進一步言之，若是沒有透過封蓋層的連接，磊晶層中因光電效應產生的電子電洞對無法越過與N型金屬層之間的能障。所以才需要透過封蓋層的歐姆接觸，使電子電洞對可以經由N型金屬層或P型金屬層電性導通至外界使用。

接著形成第一抗反射層於磊晶層以及封蓋層上(步驟330)。另外，再形成對應於該封蓋層之頂部之一開口於該第一抗反射層，並且該開口寬度小於該封蓋層之頂部寬度(步驟340)。詳細而言，此亦為本發明之太陽能電池與習知之太陽能電池之不同點之一。本發明之太陽能電池的第一抗反射層不僅設於磊晶層上，更形成於封蓋層上。另外，第一抗反射層在對應封蓋層之頂部設有一開口，以使後續形成在封蓋層及第一抗反射層上的N型金屬層可以透過開口電性連接封蓋層(步驟350)。其中，N型金屬層之厚度係約略介於2μm至10μm之間，較佳係約略介於2μm~8μm之間，更佳約略係介於3~8μm之間。

前述的開口寬度應小於該封蓋層之頂部寬度。詳細而言，第一抗反射層的形成於封蓋層上，並且僅露出部份的封蓋層頂部。此外，N型金屬層的寬度較佳大於封蓋層的寬度。

另外，要特別提到的是，N型金屬層可以是透過微影製程及剝除形成，例如透過正或負光阻、光罩、蒸鍍等等之製程以形成。

當形成N型金屬層於封蓋層及第一抗反射層上之後，接著再進行一切割步驟(步驟360)，使基板之第二表面之第二區域形成一凹陷部。詳細而言，此處所述係切割第二區域上的磊晶層以及第一抗反射層，並將基板切割出一凹陷部。

接著形成至少一第二抗反射層於N型金屬層、第一抗反射層以及凹陷部上(步驟370)。其中，第二抗反射層的材質可以是氮化物、矽化物、氧化物或氮氧化合物。

另外，要特別提到的是，本發明之太陽能電池的製造方法中，更可以在形成磊晶層之步驟310及形成經圖案化之一封蓋層之步骤320之間，更包含形成一P型金屬層於磊晶層之第一表面上之步驟315。

另外，亦可以在形成第一抗反射層之步驟330及開口之步骤340之間，更包含形成一P型金屬層於磊晶層之第一表面上之步驟335。

總言之，本發明之太陽能電池及其製造方法中，由於N型金屬層完整蓋住封蓋層，因此較不會有N型金屬層撕裂的問題，根據實驗結果，N型金屬層撕裂的問題可以從76%降低至接近0%。另外，第一抗反射層覆蓋在封蓋層上，以及第二抗反射層係形成於N型金屬層、第一抗反射層以及凹陷部上，藉此覆蓋住部份外露的磊晶層，因此增加了太陽能電池的可靠度，根據實驗結果，第一抗反射層及第二抗反射層通過200小時的高度加速壽命試驗(Highly Accelerated Stress Tester；HAST)。再者，P型金屬層是在前 幾道步驟形成，因此不會有容易造成太陽能電池破損的問題，根據實驗結果，破片率降低至小於5%，並且使最後的良率由原本的70%改善至99%。因此，本發明之太陽能電池及其製造方法增加了良率(Yield Rate)以及可靠性，並且解決了先前技術無法克服之缺點。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

200‧‧‧P型金屬層

205‧‧‧基板

210‧‧‧磊晶層

211‧‧‧第一表面

212‧‧‧第二表面

213‧‧‧第一區域

214‧‧‧第二區域

215‧‧‧凹陷部

220‧‧‧第一抗反射層

223‧‧‧開口

224‧‧‧平坦部

230‧‧‧封蓋層

240‧‧‧N型金屬層

250‧‧‧第二抗反射層

a、b、c‧‧‧寬度

Claims (20)

1. 一種太陽能電池，包含：一基板，該基板包含一第一表面及一第二表面，其中，該第二表面包含至少一第一區域及一第二區域，並且該第二區域係形成一凹陷部；一P型金屬層，該P型金屬層係形成於該基板之該第一表面上；一磊晶層，該磊晶層係形成於該第二表面之該第一區域上；至少一封蓋層，該封蓋層係經圖案化並形成於該磊晶層上，其中該封蓋層係與該磊晶層形成歐姆接觸；至少一第一抗反射層，該第一抗反射層係形成於該磊晶層以及該封蓋層上，其中，該第一抗反射層係設有對應於該封蓋層之頂部之一開口，並且該開口寬度小於該封蓋層之頂部寬度，其中該開口暴露出該封蓋層之頂部的一部分；一N型金屬層，該N型金屬層係形成於該封蓋層及該第一抗反射層上，並且該N型金屬層係經由該開口電性連接該封蓋層；以及至少一第二抗反射層，該第二抗反射層係形成於該N型金屬層、該第一抗反射層以及該凹陷部上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該N型金屬層頂部之寬度大於該封蓋層之頂部之寬度。
3. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一抗反射層之材質係二氧化鈦。
4. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第二抗反射層 之材質係氮化物、矽化物、氧化物或氮氧化合物。
5. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該磊晶層之材質包含三五族元素。
6. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該N型金屬層之厚度係介於2μm至10μm之間。
7. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該基板之材質係鍺。
8. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該P型金屬層之材質係銀、金或其合金。
9. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該N型金屬層之材質係鈀、鍺、鈦、鉑、銀、金或其合金。
10. 一種太陽能電池的製造方法，包含下列步驟：提供一基板，該基板包含一第一表面及一第二表面，其中，該第二表面包含至少一第一區域及一第二區域；形成一磊晶層於該基板之該第二表面之該第一區域及該第二區域上；形成經圖案化之一封蓋層於該磊晶層上，其中該封蓋層係與該磊晶層形成歐姆接觸；形成至少一第一抗反射層於該磊晶層以及該封蓋層上；形成對應於該封蓋層之頂部之一開口於該第一抗反射層，並且該開口寬度小於該封蓋層之頂部寬度，其中該開口暴露出該封蓋層之頂部的一部分；形成一N型金屬層於該封蓋層及該第一抗反射層上，並且該N型金屬層係經由該開口電性連接該封蓋層；進行一切割步驟，使該基板之該第二表面之該第二區域形成一凹 陷部；以及形成至少一第二抗反射層於該N型金屬層、該第一抗反射層以及該凹陷部上。
11. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中該N型金屬層頂部之寬度大於該封蓋層之頂部之寬度。
12. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中該第一抗反射層之材質係二氧化鈦。
13. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中該第二抗反射層之材質係氮化物、矽化物、氧化物或氮氧化合物。
14. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中該磊晶層之材質包含三五族元素。
15. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中該N型金屬層之厚度係介於2μm至10μm之間。
16. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中該基板之材質係鍺。
17. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中該P型金屬層之材質係銀、金或其合金。
18. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中該N型金屬層之材質係鈀、鍺、鈦、鉑、銀、金或其合金。
19. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中形成該磊晶層及該形成經圖案化之該封蓋層之步骤之間，更包含形成一P型金屬層於該磊晶層之該第一表面上之步驟。
20. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池的製造方法，其中形成該第一抗反射層及該開口之步骤之間，更包含形成一P型金屬層於該磊晶層之該第一表面上之步驟。